JPWO2019065727A1 - チップ型ヒューズ - Google Patents
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Abstract
Description
0.5〜5重量%のK2O、
0〜5重量%のAl2O3、
10〜25重量%のB2O3、
70〜85重量%のSiO2
を含む(但し、合計で100重量%を超えない)ガラス材料が好ましい。ガラス材料は、所定のガラス組成になるように酸化物や炭酸塩の出発原料を秤量し、これらを混合して白金るつぼに入れ、1500〜1600℃の温度で溶融させ、これを急冷した後、粉砕することにより作製されたガラス粉末を使用して得られたものであってよく、かかるガラス粉末をそのまま使用してもよいが、かかるガラス粉末に、例えば石英、アルミナなどのフィラーをガラス粉末に対して10〜50重量%の範囲で添加して得られたものであってよい。
FeをFe2O3に換算して40〜49.5mol%で含み、
CuをCuOに換算して6〜12mol%で含み、
残部がZnOである非磁性フェライト材料が好ましい。非磁性フェライト材料は、必要に応じてMn、Sn、Co、Bi、Si等の添加物を1種または任意の2種以上の組み合わせで含んでいてよく、および/または、微量な不可避不純物を含んでいてもよい。非磁性フェライト材料は、所定の比率になるように原料を秤量し、必要に応じて添加物を添加して、湿式で混合粉砕した後、乾燥し、これにより得られた乾燥物を700〜800℃の温度で仮焼し、これを粉砕することにより作製されたものであってよい。
以下のようにしてチップ型ヒューズを製造した。
K2O、B2O3、SiO2をそれぞれK2O 2重量%、B2O3 20重量%、SiO2 78重量%となるように秤量し、これらを混合して白金るつぼに入れ、1500〜1600℃の温度で溶融させ、これを急冷した後、粉砕することによりガラス粉末を作製した。ガラス粉末 65重量%に対して、フィラーとしてアルミナを5重量%、石英を30重量%含有させ、これに溶剤、バインダおよび可塑剤を加え、十分に混合した後、ドクターブレード法などによりガラス材料のグリーンシートを作製した。
Fe2O3を48.5mol%、ZnOを43.5mol%、CuOを8.0mol%となるように秤量し、湿式で混合粉砕した後、乾燥し、これにより得られた乾燥物を700〜800℃の温度で仮焼し、これを粉砕することにより、非磁性フェライト粉末を作製した。これに溶剤、バインダおよび可塑剤を加え、十分に混合した後、ドクターブレード法などにより非磁性フェライト材料のグリーンシートを作製した。
上記のようにして作製したガラス材料のグリーンシートおよび非磁性フェライト材料のグリーンシートをそれぞれ矩形(多数個取り可能な寸法)に打ち抜き、まずガラス材料のグリーンシート上に銀ペーストを、例えば図13(a)に模式的に示すように多数個取りに対応したパターンでスクリーン印刷して、銀ペーストのパターンを形成した。この銀ペーストのパターンは、ヒューズ導体を形成するためのパターンであり、このうち溶断部に対応する部分を、ミアンダ形状(図13(b)、実施例1)または直線形状(図13(c)〜(d)、それぞれ実施例2〜3)とした(なお、図13(a)は溶断部を直線形状とした場合を例示的に示し、また、図13(a)に示す個数は例示に過ぎず、これに限定されない)。各パターンは、溶断部においてそれぞれ以下の寸法(焼成後)であった。
作製した実施例1〜3の試料について、溶断特性を評価した。溶断特性は直流電源により外部電極間に所定値の電流を流し、その電流をオシロスコープで観察し、電流を流してから、溶断により電流が流れなくなるまでの時間(溶断時間)を求めた。電流値を変えて、それぞれの電流値に対する溶断時間を求めた。結果を図14に示す。図14から理解されるように、ヒューズ導体の溶断部の厚さおよび断面積(線幅および厚さ)を変えることで、溶断する電流値が変わった。このことから、ヒューズ導体の溶断部の断面積(線幅および厚さ)を選択することで溶断する電流値を設計できることが理解される。
1’ 絶縁性材料のグリーンシート
2 空洞部
3 ヒューズ導体
3a、3b、3c、3d 溶断部
3’ 導体ペースト
4 消失材ペースト
5 第1絶縁性材料層(低熱伝導率層)
5’ 第1絶縁性材料のグリーンシート
7 第2絶縁性材料層(補強層)
7’ 第2絶縁性材料のグリーンシート
9a、9b 外部電極
10、11 チップ型ヒューズ
10’、11’ 焼結体
20 被実装体の表面
21a、21b パッド
30、31 実装構造体
x 空洞部の長さ
y 空洞部の幅
t 空洞部の高さ
Z 積層方向
L 長さ
W 幅
T 高さ
Claims (9)
- 絶縁性材料から成る本体部と、該本体部の内部に配置され、かつ該本体部から露出した両端部を有するヒューズ導体と、該本体部の両端部を各々被覆し、かつ該ヒューズ導体の両端部に各々電気的に接続された一対の外部電極とを含むチップ型ヒューズであって、前記本体部の内部に空洞部が存在し、前記ヒューズ導体が、前記空洞部の壁面に沿って形成されている溶断部を有する、チップ型ヒューズ。
- 前記空洞部が、互いに対して反対側に凸状に湾曲した対向する2つの壁面を有し、前記ヒューズ導体の溶断部が、該2つの壁面のいずれか一方に沿って形成されている、請求項1に記載のチップ型ヒューズ。
- 前記本体部および前記ヒューズ導体が、焼結体を構成している、請求項1または2に記載のチップ型ヒューズ。
- 前記溶断部が、ミアンダ形状を有する、請求項1〜3のいずれかに記載のチップ型ヒューズ。
- 前記本体部のうち、少なくとも前記溶断部と接する部分が、0.05W・m−1・K−1以上10.00W・m−1・K−1以下の熱伝導率を有する第1絶縁性材料から成る、請求項1〜4のいずれかに記載のチップ型ヒューズ。
- 前記本体部が、0.05W・m−1・K−1以上10.00W・m−1・K−1以下の熱伝導率を有する第1絶縁性材料から成る層であって、前記ヒューズ導体および前記空洞部を内部に有する層と、前記第1絶縁性材料より高い強度を有する第2絶縁性材料から成る少なくとも1つの層とを含む、請求項5に記載のチップ型ヒューズ。
- 前記第1絶縁性材料から成る層が、前記第2絶縁性材料から成る2つの層の間に配置されている、請求項6に記載のチップ型ヒューズ。
- 前記絶縁性材料が、非磁性材料である、請求項1〜7のいずれかに記載のチップ型ヒューズ。
- チップ型ヒューズが、0.55mm以上0.65mm以下の長さおよび0.25mm以上0.35mm以下の幅を有する、請求項1〜8のいずれかに記載のチップ型ヒューズ。
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