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この課題は、冒頭で挙げた種類の装置において、
f)プロセスガスシステムが複数のローカル噴射装置を有しており、複数のローカル噴射装置が、それぞれ主流方向を有する複数のローカルなプロセスガス流を、材料あるいは材料を装填された支持構造を標的として(gezeilt auf)放出(配送)可能であるように、配置(angeordnet)され、かつセットアップ(eingerichtet)されていることによって、解決される。
プロセスガスシステム64は、複数のローカル噴射装置68を有しており、それらは、図3に示され、かつ冒頭で説明したように、それぞれ主流方向72を有する複数のローカルのプロセスガス流70として材料12又は材料12を装填した支持構造40を標的として配送することができるように、配置され、かつセットアップされている。

Claims (20)

  1. 材料(12)を熱的又は熱化学的に処理するための装置であって、
    a)入口(22)及び出口(24)を有するハウジング(16)を有し、
    b)ハウジング(16)内において、入口(22)及び出口(24)の間に延びるプロセス室(20)を有し、
    c)移送システム(28)を有し、前記移送システムによって材料(12)又は材料(12)を装填された支持構造(40)が移送方向(30)にプロセス室(20)内へ、あるいはそれを通して移送可能であって、
    d)加熱システム(48)を有し、前記加熱システムによってプロセス室(20)内を支配するプロセス室雰囲気(50)が加熱可能であり、
    e)プロセスガスシステム(64)を有し、前記プロセスガスシステムによってプロセス室(20)に、材料(12)の熱処理のために必要なプロセスガス(66)が供給可能である、
    ものにおいて、
    f)プロセスガスシステム(64)が複数のローカル噴射装置(68)を有しており、複数のローカル噴射装置(68)それぞれ主流方向(72)を有する複数のローカルなプロセスガス流(70)のプロセスガス(66)を材料(12)あるいは材料(12)を装填された支持構造(40)を標的として放出して、複数のローカルなプロセスガス流(70)のプロセスガス(66)が材料(12)あるいは材料(12)を装填された支持構造(40)に到達することが可能であるように、配置され、かつセットアップされている、
    ことを特徴とする装置。
  2. ローカル噴射装置(68)の少なくとも1つが、複数の噴射ノズル(76)を有している、ことを特徴とする請求項1に記載の装置。
  3. 噴射ノズル(76)の少なくとも1つが、動力又は手動で移動可能であるので、この噴射ノズル(76)によって発生されるプロセスガス流(70)の主流方向(72)が調節可能である、ことを特徴とする請求項2に記載の装置。
  4. 少なくとも1つのローカル噴射装置(68)が、噴射バー(74)として形成されている、ことを特徴とする請求項1から3のいずれか1項に記載の装置。
  5. 噴射バー(74)が水平又は垂直に延びている、ことを特徴とする請求項4に記載の装置。
  6. 少なくとも1つのローカル噴射装置(68)が、ハウジング(16)の底(16a)又は天井部(16b)に固定されている、ことを特徴とする請求項1から5のいずれか1項に記載の装置。
  7. 少なくとも1つのローカル噴射装置(68)が噴射壁(92)の噴射壁セクション(90)であって、前記噴射壁がハウジング(16)の内部空間(18)をプロセス室(20)と吹き込み空間(94)に分割し、前記吹き込み空間へプロセスガス(66)が供給可能である、ことを特徴とする請求項1から6のいずれか1項に記載の装置。
  8. 噴射壁セクション(90)が複数の透孔(98)を有しており、前記通過スリットがプロセス室(20)を吹き込み空間(94)と流体接続する、ことを特徴とする請求項7に記載の装置。
  9. 移送システム(28)が少なくとも1つのプロセスハウジング(110)を有しており、前記プロセスハウジング上で材料(12)又は材料(12)を装填された支持構造(40)が移送方向(30)においてプロセス室(20)内へ、あるいはそれを通して移動可能であって、その場合にプロセスハウジング(110)が少なくとも1つの噴射壁セクション(90)を有している、ことを特徴とする請求項7又は8に記載の装置。
  10. プロセスハウジング(110)の噴射壁セクション(90)が、壁内部空間(116)を有する中空壁(114)として形成されており、前記壁内部空間へプロセスガス(66)が供給可能である、ことを特徴とする請求項9に記載の装置。
  11. プロセスガスシステム(64)又は少なくとも1つのローカル噴射装置(68)が、複数のプロセスガス流(70)を移送方向(30)及び水平の参照平面に関して異なる角度で配送可能であるように、セットアップされている、ことを特徴とする請求項1から10のいずれか1項に記載の装置。
  12. 移送システム(28)が、材料(12)用の少なくとも1つの支持構造(40)を有している、ことを特徴とする請求項1から11のいずれか1項に記載の装置。
  13. 複数の支持構造(40)が移送フレーム(44)を形成し、前記移送フレームが流れ通路(46)を有しており、前記流れ通路を通して支持構造(40)の、材料(12)を収容するそれぞれの内部空間が周囲と流体接続されたままとなる、ことを特徴とする請求項12に記載の装置。
  14. ローカル噴射装置(68)が、プロセスガス流(70)の少なくとも一部が1つ又は複数の流れ通路(46)を通って流れるように、セットアップされ、かつ調節されている、ことを特徴とする請求項13に記載の装置。
  15. 移送システム(28)が移送路(32)又は複数の移送レーン(32a、32b;32a、32b、32c)を有しており、それ又はそれらに沿って支持構造(40)が移送され、かつ
    プロセスガスシステム(64)のローカル噴射装置(68)及び/又は加熱システム(48)の加熱部材(52)が、移送路(32)又は少なくとも1つの移送レーン(32a、32b;32a、32b、32c)の片側又は両側に配置されている、
    ことを特徴とする請求項1から14のいずれか1項に記載の装置。
  16. 2つの隣接する移送レーン(32a、32b;32b、32c)が互いに離隔しているので、そこに中間領域(88a、88b)が形成されており、前記中間領域内に加熱システム(48)の加熱部材(54)及び/又は1つ又は複数のローカル噴射装置(68)が配置されている、ことを特徴とする請求項15に記載の装置。
  17. 加熱システム(48)が加熱部材(52)を有し、前記加熱部材が垂直の加熱バー(54)として形成されている、ことを特徴とする請求項1から16のいずれか1項に記載の装置。
  18. プロセスガスシステム(64)が、種々のローカル噴射装置(68)に異なる種類のプロセスガス(66)を供給することができるように、セットアップされている、ことを特徴とする請求項1から17のいずれか1項に記載の装置。
  19. 材料(12)を熱的又は熱化学的に処理する方法であって、
    a)材料(12)又は材料(12)を装填した支持構造(40)が、材料(12)を熱処理する装置(10)のプロセス室(20)を通して移送され、
    b)プロセス室(20)内を支配するプロセス室雰囲気(50)が加熱され、
    c)プロセス室(20)に、材料(12)の熱処理に必要なプロセスガス(66)が供給される、
    ものにおいて、
    )それぞれ主流方向(72)を有する複数のローカルなプロセスガス流(70)プロセスガス(66)が、材料(12)又は材料(12)を装填した支持構造(40)を標的として放出され、材料(12)又は材料(12)を装填した支持構造(40)に到達する、ことを特徴とする、方法。
  20. 請求項1から18のいずれか1項に記載の装置が使用される、ことを特徴とする請求項19に記載の方法。
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