TW201911419A - 加熱裝置及加熱方法 - Google Patents

Abstract

本發明提供一種加熱裝置及加熱方法，所述加熱裝置能夠抑制裝置的大型化，並且在基板的表面形成高溫的氣體流，將不需要的氣體從基板的表面附近除去。本發明的加熱裝置具有多個棒狀加熱器20及包覆棒狀加熱器20的多個外管30。從供氣部供給的氣體在外管30的內部經棒狀加熱器20加熱。而且，從外管30的噴出口32向基板9噴出加熱後的氣體。借此，在基板9的表面形成高溫的氣體流，將不需要的氣體從基板9的表面附近除去。另外，基板9的加熱與氣體的加熱是由共同的棒狀加熱器20進行。借此抑制裝置的大型化。

Description

加熱裝置及加熱方法

本發明是關於一種利用棒狀加熱器對多個基板進行加熱的加熱裝置及加熱方法。

近年來，作為柔性顯示器（flexible display）用基板，聚醯亞胺膜受到關注。現有的聚醯亞胺膜例如已記載在專利文獻1中。如專利文獻1的段落0004及段落0124中記載那樣，製造聚醯亞胺膜時，在載體基板上形成聚醯亞胺膜。另外，如專利文獻1的段落0110中記載那樣，聚醯亞胺樹脂是通過將聚醯亞胺樹脂前驅物、或四羧酸二酐及二異氰酸酯化合物在存在溶劑的條件下加熱（加熱醯亞胺化）而獲得。

另外，如專利文獻1的段落0126中記載那樣，在對聚醯亞胺膜要求無色透明性的情況下，為了抑制著色，優選在氮氣等惰性環境下進行加熱。

另一方面，對基板進行加熱的現有裝置例如已記載在專利文獻2中。專利文獻2的熱處理裝置具有能夠裝載多個基板的腔室、及設置在腔室內的多個加熱器。如專利文獻2的段落0055中記載那樣，多個加熱器是以覆蓋基板的整個面積的方式配置在各基板的上方及下方。另外，專利文獻2的段落0069中記載有對腔室內供給氮氣等環境氣體。 [現有技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本專利特開2015-165491號公報 [專利文獻2]日本專利第5973728號公報

[發明所要解決的問題] 作為可用於聚醯亞胺膜的加熱醯亞胺化的裝置，例如想到使用專利文獻2那樣的裝置。但是，在進行加熱醯亞胺化時，必須防止因加熱而產生的溶劑蒸氣等不需要的氣體再次液化而附著在基板上。因此，要求在基板的表面附近形成氮氣等惰性氣體的氣流，一面將不需要的氣體從基板的表面附近除去一面對基板進行加熱。

此時，供給於基板的表面附近的惰性氣體優選設定為相對較高的溫度。其原因在於，若對基板的表面附近供給低溫的惰性氣體，則也有可能加熱中的基板的溫度降低，所述不需要的氣體被冷卻而液化。

然而，若與用於加熱基板的加熱器無關而另設置用於加熱惰性氣體的加熱器，則裝置大型化。因此，想到將用於加熱基板的加熱器用來加熱惰性氣體。但是，惰性氣體經輻射熱穿透。因此，在遠離加熱器的位置難以利用加熱器使惰性氣體升溫。另外，也想到利用來自經加熱器加熱的腔室內壁的對流熱而加熱惰性氣體。然而，此方法中為了使惰性氣體充分升溫，必須增加腔室內壁的表面積。於是，裝置仍然大型化。

本發明是鑒於此種情況而成，其目的在於提供一種加熱裝置及加熱方法，所述加熱裝置能夠抑制裝置的大型化，並且在基板的表面形成高溫的氣體流而將不需要的氣體從基板的表面附近除去。 [解決問題的技術手段]

為了解決所述問題，本申請的第一發明為一種加熱裝置，對多個基板進行加熱，且所述加熱裝置具備：加熱爐，能夠在上下方向上多段地收納所述多個基板；多個棒狀加熱器，在所述加熱爐的內部沿著所述基板的表面而配置；多個外管，包覆所述多個棒狀加熱器各者；供氣部，對所述多個外管各自的內部供給氣體；以及排氣部，排出所述加熱爐內的氣體，並且所述多個外管分別具有噴出口，所述噴出口向所述基板噴出從所述供氣部供給的氣體。

本申請的第二發明為第一發明的加熱裝置，且所述外管具有連接於所述供氣部的供氣口，所述供氣口位於所述棒狀加熱器的基端部的附近，所述噴出口位於所述棒狀加熱器的前端部的附近。

本申請的第三發明為第一發明或第二發明的加熱裝置，且在所述加熱爐的同一壁面上連接著所述供氣部及所述排氣部。

本申請的第四發明為第一發明至第三發明中任一發明的加熱裝置，且所述加熱爐具有前壁、及隔著收容所述多個基板的空間而與所述前壁相向的後壁，所述前壁具有用於搬入及搬出所述基板的搬入搬出口，所述排氣部連接於所述後壁。

本申請的第五發明為第一發明至第四發明中任一發明的加熱裝置，且所述多個棒狀加熱器彼此平行地排列。

本申請的第六發明為第一發明至第五發明中任一發明的加熱裝置，且具有多個加熱器群，所述加熱器群是通過將所述棒狀加熱器在水準方向上排列多個而構成，在所述加熱爐的內部，將所述加熱器群與所述基板在上下方向上交替地配置。

本申請的第七發明為第六發明的加熱裝置，且所述加熱器群所含的多個所述棒狀加熱器中，位於所述水準方向的兩端部附近的棒狀加熱器彼此的間隔比位於所述水準方向的中央附近的棒狀加熱器彼此的間隔窄。

本申請的第八發明為第一發明至第七發明中任一發明的加熱裝置，且所述外管固定於所述加熱爐，所述棒狀加熱器可插入到所述外管中或從所述外管中拔出。

本申請的第九發明為第八發明的加熱裝置，且還具備在所述加熱爐的內部支撐所述基板的多個基板支撐部，所述多個基板支撐部的至少一部分設於所述外管。

本申請的第十發明為第一發明至第九發明中任一發明的加熱裝置，且具備：多個主加熱器，為所述棒狀加熱器；以及多個次加熱器，為與所述多個主加熱器不同的棒狀加熱器，在俯視時相對於所述主加熱器而垂直地配置，且沿著所述加熱爐的壁面而延伸，並且所述主加熱器經所述外管包覆，所述次加熱器未經所述外管包覆，而於所述加熱爐內的空間中露出。

本申請的第十一發明為第十發明的加熱裝置，且所述加熱爐具有隔著收容所述多個基板的空間而在左右方向上相向的一對側壁，一部分所述次加熱器在所述一對側壁中的一者與所述加熱爐的所述左右方向的中央之間在所述左右方向上延伸，其他所述次加熱器在所述一對側壁中的另一者與所述加熱爐的所述左右方向的中央之間在所述左右方向上延伸。

本申請的第十二發明為第一發明至第十一發明中任一發明的加熱裝置，且所述外管還具有引導部，所述引導部將從所述噴出口噴出的氣體導向沿著所述基板的表面的方向。

本申請的第十三發明為第一發明至第十二發明中任一發明的加熱裝置，且從所述供氣部供給的氣體為惰性氣體。

本申請的第十四發明為第一發明至第十三發明中任一發明的加熱裝置，且加熱前的所述基板在上表面具有包含有機溶劑的薄膜。

本申請的第十五發明為第十四發明的加熱裝置，且所述薄膜包含聚醯亞胺前驅物。

本申請的第十六發明為一種加熱方法，利用棒狀加熱器對多個基板進行加熱，且所述加熱方法包括：a）對包覆所述棒狀加熱器的外管的內部供給氣體的工序；以及b）一面利用所述棒狀加熱器對所述基板進行加熱，一面從所述外管向所述基板噴出經所述工序a）加熱的氣體的工序。 [發明的效果]

根據本申請的第一發明～第十五發明，從供氣部供給的氣體在外管的內部經棒狀加熱器加熱。而且，從噴出口向基板噴出加熱後的氣體。借此，在基板的表面形成高溫的氣體流，將不需要的氣體從基板的表面附近除去。另外，基板的加熱與從供氣部供給的氣體的加熱是由共同的棒狀加熱器進行。由此抑制裝置的大型化。

尤其根據本申請的第二發明，從供氣部供給的氣體在外管的內部從棒狀加熱器的基端部向前端部流動。由此能夠將氣體高效率地加熱。

尤其根據本申請的第三發明，從外管的噴出口噴出的氣體從外管的前端部的附近向基端部的附近流動。由此，能夠進一步提高基板的表面附近的氣體的置換效率。

尤其根據本申請的第四發明，從外管的噴出口噴出的氣體向遠離搬入搬出口的方向流動。因此，利用氣體加以除去的不需要的氣體也向遠離搬入搬出口的方向流動。因此，能夠抑制不需要的氣體流向搬入搬出口側。

尤其根據本申請的第七發明，能夠減小基板的中央部與端緣部的加熱量之差。

尤其根據本申請的第八發明，能夠在棒狀加熱器及外管中僅容易地更換棒狀加熱器。

尤其根據本申請的第九發明，利用外管設置基板支撐部。由此，無需與外管無關而另設置用於設置基板支撐部的梁等，因此能夠減少加熱裝置的零件數。

尤其根據本申請的第十一發明，能夠在加熱裝置的左右減小插拔次加熱器所需要的空間。因此，能夠將多個加熱裝置在左右方向上緊密地排列。

尤其根據本申請的第十二發明，容易形成沿著基板的表面的氣體流。由此，能夠將不需要的氣體從基板的表面附近高效率地除去。

另外，根據本申請的第十六發明，工序a）中供給的氣體在外管的內部經棒狀加熱器加熱。而且，工序b）中，從外管向基板噴出加熱後的氣體。由此，在基板的表面形成高溫的氣體流，將不需要的氣體從基板的表面附近除去。另外，基板的加熱與氣體的加熱是利用共同的棒狀加熱器進行。由此抑制裝置的大型化。

以下，一面參照圖式一面對本發明的實施形態進行說明。此外，本申請的各圖中，為了容易掌握方向關係而示出共同的xyz正交坐標系。x方向相當於加熱裝置的左右方向。y方向相當於加熱裝置的前後方向。z方向相當於加熱裝置的上下方向。此外，加熱裝置是設置在水準的地板面上。因此，前後方向及左右方向均為水準方向。

＜1.加熱裝置的構成＞ 圖1為本發明的一實施形態的加熱裝置1的外觀立體圖。圖2為以相對於左右方向而正交的平面切斷的加熱裝置1的縱截面圖。圖3為以相對於上下方向而正交的平面切斷的加熱裝置1的橫截面圖。此加熱裝置1為統一加熱多個基板9的裝置。加熱裝置1例如是用於柔性顯示器中所用的聚醯亞胺膜的製造工序。在加熱前的基板9的上表面，形成有包含聚醯亞胺前驅物及有機溶劑的薄膜。若在加熱裝置1中加熱基板9，則薄膜中的聚醯亞胺前驅物經醯亞胺化而成為聚醯亞胺。

如圖1～圖3所示那樣，本實施形態的加熱裝置1具備加熱爐10、多個主加熱器20、多個外管30、多個次加熱器40、供氣部50、排氣部60及控制部70。

加熱爐10為包含耐熱性的材料的框體。在加熱爐10的內部，設有能夠在上下方向上多段地收納多個基板9的處理空間19。本實施形態的加熱爐10具有大致長方體狀的外形。具體而言，加熱爐10具有前壁11、後壁12、右側壁13、左側壁14、底板部15及頂板部16。前壁11與後壁12隔著處理空間19而在前後方向（y方向）上相向。右側壁13與左側壁14隔著處理空間19而在左右方向（x方向）上相向。底板部15與頂板部16隔著處理空間19而在上下方向（z方向）上相向。

在前壁11中設有多個搬入搬出口17、及開閉各搬入搬出口17的多個擋閘18。擋閘18是由省略圖示的驅動機構開閉。若打開擋閘18，則能夠經由搬入搬出口17而搬入或搬出基板9。另一方面，若關閉擋閘18，則阻斷經由搬入搬出口17的氣體進出。

主加熱器20為用於對配置在加熱爐10的內部的基板9進行加熱的加熱器。對於主加熱器20，使用棒狀的紅外線加熱器（棒狀加熱器）。主加熱器20例如具有借由通電而發熱的Fe-Cr-Al系加熱絲。多個主加熱器20沿著基板9的上表面及下表面而彼此平行地排列。各主加熱器20在前後方向上延伸。另外，各主加熱器20從設於加熱爐10的後壁12中的插入孔120而插入到加熱爐10的內部。各主加熱器20的基端部21位於後壁12的插入孔120的附近。各主加熱器20的前端部22位於前壁11的附近。此外，也可使用鎳鉻（Ni-Cr）絲代替所述Fe-Cr-Al系加熱絲。

本實施形態中，在同一高度位置將多個主加熱器20排列在左右方向上，由此構成一個加熱器群20G。在加熱爐10的內部，在上下方向上空開間隔而排列有多個此種加熱器群20G。在已將多個基板9搬入至加熱爐10的內部時，加熱器群20G與基板9在上下方向上交替地配置。另外，加熱器群20G不僅配置於在上下方向上相鄰的基板9之間，而且也配置在最上段的基板9的上方及最下段的基板9的下方。因此，在所有基板9的上方及下方配置有加熱器群20G。

基板9的端緣部與中央部相比而散熱量較多，所以與中央部相比溫度不易上升。因此，如圖3所示那樣，本實施形態中，加熱器群20G所含的多個主加熱器20中，位於左右方向的兩端部附近的主加熱器20彼此的間隔d1比位於左右方向的中央附近的主加熱器20彼此的間隔d2窄。若如此這樣設定，則能夠對基板9的左右方向的端緣部供給比中央部多的熱量。因此，能夠在基板9的左右方向的端緣部與中央部之間降低加熱後的溫度差。

外管30為包覆各主加熱器20的構件。外管30是由能夠使紅外線穿透的材料（例如玻璃）所形成。多個外管30分別固定於加熱爐10。各外管30具有以下形狀：從後壁12的所述插入孔120向前壁11側呈管狀地延伸，且其前端部經封閉。外管30的基端部的開口成為接受從下文將述的供氣部50供給的氮氣（N₂ ）的供氣口31。即，外管30在主加熱器20的基端部21的附近具有供氣口31。

主加熱器20能夠經由插入孔120而插入到外管30中或從外管30中拔出。加熱裝置1的使用者能夠在主加熱器20及外管30中僅更換作為消耗品的主加熱器20。在加熱裝置1運轉時，對主加熱器20供給驅動電流，由此主加熱器20發熱。而且，從主加熱器20輻射的紅外線穿透外管30而照射至基板9的表面。由此對基板9進行加熱。

圖4為主加熱器20及外管30的前端部附近的截面圖。如圖4所示，外管30在主加熱器20的前端部22的附近具有多個噴出口32。噴出口32為用於向基板9的表面噴出外管30的內部的氣體的開口。噴出口32在主加熱器20的前端部22的上方及下方，在上下方向上貫穿外管30。然而，噴出口32的位置、噴出口32的個數及噴出口32的形狀也可未必如圖4那樣。

另外，如圖2所示那樣，在外管30的外表面設有多個基板支撐部33。搬入到加熱爐10的內部的基板9載置在多個基板支撐部33上。而且，基板9是由多個基板支撐部33支撐為水準姿勢。若如此這樣將用於支撐基板9的基板支撐部33的至少一部分設于外管30，則無需在加熱爐10的內部與外管30無關而另設置用於設置基板支撐部33的梁等。因此，能夠減少加熱裝置1的零件數，並且容易使加熱裝置1小型化。

多個次加熱器40為用於輔助加熱基板9的前後方向的端緣部的加熱器。對於次加熱器40，使用棒狀的紅外線加熱器（棒狀加熱器）。次加熱器40例如具有借由通電而發熱的Fe-Cr-Al系加熱絲。如圖2及圖3所示那樣，多個次加熱器40沿著加熱爐10的前壁11及後壁12的壁面在左右方向上延伸。即，多個次加熱器40在俯視時相對於主加熱器20而垂直地配置。此外，也可使用鎳鉻（Ni-Cr）絲代替所述Fe-Cr-Al系加熱絲。

如上文已述那樣，基板9的端緣部與中央部相比而散熱量較多，所以與中央部相比溫度不易上升。但是，本實施形態中，基板9的前後方向的端緣部是由主加熱器20與次加熱器40兩者進行加熱。若如此這樣設定，則能夠對基板9的前後方向的端緣部供給比中央部多的熱量。因此，能夠在基板9的前後方向的端緣部與中央部之間降低加熱後的溫度差。

多個次加熱器40包含多個右側次加熱器41和多個左側次加熱器42。右側次加熱器41從設於加熱爐10的右側壁13中的插入孔130向加熱爐10的內部插入。左側次加熱器42從設於加熱爐10的左側壁14中的插入孔140向加熱爐10的內部插入。所述主加熱器20經外管30包覆，相對於此，次加熱器40未經外管30包覆，而在加熱爐10內的空間中露出。

另外，各次加熱器40的左右方向的長度比加熱爐10的左右方向的一半長度略短。多個右側次加熱器41分別在右側壁13與加熱爐10的左右方向的中央之間在左右方向上延伸。多個左側次加熱器42分別在左側壁14與加熱爐10的左右方向的中央之間在左右方向上延伸。而且，右側次加熱器41的前端部與左側次加熱器42的前端部在加熱爐10的左右方向的中央附近，在左右方向上相向。

圖5為表示將兩台加熱裝置1並排配置在左右方向上時的狀況的圖。如圖5所示那樣，在相鄰的加熱裝置1之間設有維護用的空間100。在將已使用的次加熱器40更換為新的次加熱器40時，利用此空間100進行次加熱器40的插拔。此處，如上文所述那樣，各次加熱器40的左右方向的長度比加熱爐10的左右方向的一半長度短。由此，能夠減小插拔次加熱器40所需要的空間100的左右方向的長度d3。因此，能夠將多個加熱裝置1在左右方向上緊密地排列。

供氣部50為用於對多個外管30供給氮氣的配管系統。如圖2所示那樣，供氣部50具有一根主配管51、多個分支配管52及第一開閉閥53。主配管51的上游側的端部連接於氮氣供給源54，此氮氣供給源54能夠供給壓力高於環境壓力的氮氣。在主配管51的下游側的端部，連接著多個分支配管52各自的上游側的端部。多個分支配管52各自的下游側的端部連接于外管30的供氣口31。另外，第一開閉閥53插入到主配管51的路徑上。因此，若打開第一開閉閥53，則從氮氣供給源54經過主配管51及多個分支配管52對多個外管30各自的內部供給氮氣。

排氣部60為用於向外部排出加熱爐10內的氣體的配管系統。如圖2所示那樣，排氣部60具有多個個別配管61、一根集合配管62及第二開閉閥63。多個個別配管61各自的上游側的端部連接于設於加熱爐10的後壁12中的排氣口121。多個個別配管61的下游側的端部連接于集合配管62的上游側的端部。集合配管62的下游側的端部連接于作為氣流產生機構的鼓風機（圖示省略）。另外，第二開閉閥63插入到集合配管62的路徑上。因此，若打開第二開閉閥63並使鼓風機動作，則加熱爐10內的氣體經過多個個別配管61及集合配管62而向加熱爐10的外部排出。

如圖2所示那樣，本實施形態中，在後壁12中與基板9相同的高度位置設有排氣口121。即，排氣口121是設於後壁12中上下相鄰的插入孔120之間的高度位置。因此，若使排氣部60動作，則在加熱爐10的內部產生沿著基板9的表面從前方朝向後方的氣流。

控制部70為對加熱裝置1內的各部進行動作控制的機構。圖6為表示控制部70與加熱裝置1內的各部的連接的方塊圖。如圖6中概念性地表示，控制部70是由具有中央處理器（Central Processing Unit，CPU）等處理器71、隨機存取記憶體（Random Access Memory，RAM）等記憶體72及硬碟驅動器等存儲部73的電腦所構成。在存儲部73內安裝有用於控制加熱裝置1的動作的電腦程式P。

另外，如圖6所示那樣，控制部70與所述多個擋閘18、多個主加熱器20、多個次加熱器40、第一開閉閥53及第二開閉閥63分別可通信地連接。

控制部70將存儲部73中存儲的電腦程式P或資料暫且讀取到記憶體72中，處理器71根據此電腦程式P進行運算處理，由此對所述各部進行動作控制。借此，進行加熱裝置1中的基板9的加熱處理。

＜2.處理流程＞ 接下來，對所述加熱裝置1中的加熱處理的流程進行說明。圖7為表示加熱處理的流程的流程圖。

在加熱裝置1中對多個基板9進行加熱時，首先打開加熱爐10的多個擋閘18。然後，經由搬入搬出口17向加熱爐10的內部搬入加熱前的基板9（步驟S1）。此基板9的搬入例如是由專用的搬送機器人進行。將各基板9載置在設于外管30的多個基板支撐部33上。借此，成為在加熱爐10的內部在上下方向上空開間隔而排列有多個基板9的狀態。若多個基板9的搬入完成，則關閉多個擋閘18。

然後，對多個主加熱器20及多個次加熱器40供給驅動電流。於是，多個主加熱器20及多個次加熱器40升溫，從各加熱器向基板9的表面照射紅外線。借此對基板9進行加熱（步驟S2）。

若規定時間的加熱處理完成，則停止向多個主加熱器20及多個次加熱器40供給驅動電流。然後，再次打開多個擋閘18，經由搬入搬出口17將加熱後的基板9向加熱爐10的外部搬出（步驟S3）。此基板9的搬出例如也是由所述搬送機器人進行。

圖8表示在步驟S2的基板9的加熱中形成於加熱裝置1內的氣體流的流程圖。此外，圖8中以流程圖的形式來表示著眼于特定氣體分子時的時序變化，但實際上在加熱裝置1內的各部，步驟S21～步驟S25同時進行。

若向加熱爐10的基板9的搬入完成，則控制部70打開供氣部50的第一開閉閥53及排氣部60的第二開閉閥63，使鼓風機動作。於是，從氮氣供給源54經過主配管51及多個分支配管52對多個外管30各自的內部供給氮氣（步驟S21）。

供給至外管30的內部的氮氣沿著主加熱器20向前方流動。此時，氮氣被主加熱器20的熱所加熱（步驟S22）。然後，流到主加熱器20的前端附近的氮氣從外管30的噴出口32向基板9的表面噴出（步驟S23）。所噴出的氮氣因來自排氣部60的抽吸壓力而形成沿著基板9的表面朝向後方的氣流（步驟S24）。

若利用從主加熱器20及次加熱器40輻射的紅外線將基板9加熱，則由形成於基板9的上表面的薄膜產生不需要的氣體（有機溶劑等）。此不需要的氣體與所述氮氣一起向後方流動。結果將不需要的氣體從基板9的表面除去。另外，沿著基板9的表面流動的是經加熱的高溫氮氣。因此，由氮氣與基板9接觸所致的基板9的溫度降低得到抑制。另外，也不易發生所述不需要的氣體的液化。

然後，包含氮氣及所述不需要的氣體的氣體經過排氣口121、多個個別配管61及集合配管62而向加熱爐10的外部排出（步驟S25）。

如以上那樣，此加熱裝置1中，向基板9的表面噴出在外管30的內部經加熱的氮氣，並利用此氮氣將基板9的表面附近的不需要的氣體向加熱爐10的外部排出。因此，能夠抑制基板9的溫度降低或發生不需要的氣體的液化，並且將不需要的氣體從基板9的表面附近除去。

尤其此加熱裝置1中，主加熱器20發揮加熱基板9的作用與加熱氮氣的作用此兩個作用。因此，與分別設置加熱基板9的加熱器與加熱氮氣的加熱器的情況相比，容易使加熱裝置1小型化。

另外，本實施形態中，噴出經加熱的氮氣的噴出口32設于外管30的前端部附近，另一方面在加熱爐10的後壁12中設有排出氣體的排氣口121。因此，從外管30的噴出口32噴出的氮氣從基板9的前端緣向後端緣流動。借此，能夠進一步提高基板9的表面附近的氣體的置換效率。

另外，從外管30的噴出口32噴出的氮氣向遠離搬入搬出口17及擋閘18的方向流動。因此，利用氮氣加以除去的不需要的氣體也向遠離搬入搬出口17及擋閘18的方向流動。若如此這樣設定，則能夠抑制不需要的氣體所含的不需要的成分附著於擋閘18而形成顆粒。

＜3.變形例＞ 以上，對本發明的一實施形態進行了說明，但本發明不限定於所述實施形態。

圖9為一變形例的主加熱器20及外管30的前端部附近的截面圖。圖9的例子中，在外管30的噴出口32設有引導部34。利用引導部34使噴出口32朝向後方（後壁12側）。若如此這樣設定，則容易使從噴出口32噴出的氮氣向沿著基板9的表面的方向流動。即，更容易形成沿著基板9的表面的氮氣流。因此，能夠將不需要的氣體從基板9的表面附近更高效率地除去。

另外，所述實施形態中，從供氣部50供給氮氣。然而，從供氣部50供給的氣體也可為氮氣以外的氣體。但是，為了抑制不需要的化學反應，從供氣部50供給的氣體優選氮氣或氬氣等惰性氣體。

另外，加熱爐內能夠配置的基板的個數、主加熱器的個數、次加熱器的個數、外管的形狀等細節部分的構成也可與本申請的各圖不同。另外，也可將所述實施形態或變形例中出現的各要素在不產生矛盾的範圍內適當組合。

1‧‧‧加熱裝置

9‧‧‧基板

10‧‧‧加熱爐

11‧‧‧前壁

12‧‧‧後壁

13‧‧‧右側壁

14‧‧‧左側壁

15‧‧‧底板部

16‧‧‧頂板部

17‧‧‧搬入搬出口

18‧‧‧擋閘

19‧‧‧處理空間

20‧‧‧主加熱器（棒狀加熱器）

20G‧‧‧加熱器群

21‧‧‧基端部

22‧‧‧前端部

30‧‧‧外管

31‧‧‧供氣口

32‧‧‧噴出口

33‧‧‧基板支撐部

34‧‧‧引導部

40‧‧‧次加熱器

41‧‧‧右側次加熱器

42‧‧‧左側次加熱器

50‧‧‧供氣部

51‧‧‧主配管

52‧‧‧分支配管

53‧‧‧第一開閉閥

54‧‧‧氮氣供給源

60‧‧‧排氣部

61‧‧‧個別配管

62‧‧‧集合配管

63‧‧‧第二開閉閥

70‧‧‧控制部

71‧‧‧處理器

72‧‧‧記憶體

73‧‧‧存儲部

100‧‧‧空間

120、130、140‧‧‧插入孔

121‧‧‧排氣口

d1、d2‧‧‧間隔

d3‧‧‧長度

P‧‧‧電腦程式

S1～S3、S21～S25‧‧‧步驟

圖1為加熱裝置的外觀立體圖。 圖2為加熱裝置的縱截面圖。 圖3為加熱裝置的橫截面圖。 圖4為主加熱器及外管的局部截面圖。 圖5為表示將兩台加熱裝置並排配置在左右方向上時的狀況的圖。 圖6為表示控制部與加熱裝置內的各部的連接的方塊圖。 圖7為表示加熱處理的流程的流程圖。 圖8為表示形成於加熱裝置內的氣體流的流程圖。 圖9為變形例的主加熱器及外管的局部截面圖。

Claims (16)

1. 一種加熱裝置，對多個基板進行加熱，且所述加熱裝置包括： 加熱爐，能夠在上下方向上多段地收納所述多個基板； 多個棒狀加熱器，在所述加熱爐的內部沿著所述基板的表面而配置； 多個外管，包覆所述多個棒狀加熱器各者； 供氣部，對所述多個外管各自的內部供給氣體；以及 排氣部，排出所述加熱爐內的氣體，並且 所述多個外管分別具有噴出口，所述噴出口向所述基板噴出從所述供氣部供給的氣體。
2. 如申請專利範圍第1項所述的加熱裝置，其中所述外管具有連接於所述供氣部的供氣口， 所述供氣口位於所述棒狀加熱器的基端部的附近， 所述噴出口位於所述棒狀加熱器的前端部的附近。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的加熱裝置，其中在所述加熱爐的同一壁面上連接著所述供氣部及所述排氣部。
4. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的加熱裝置，其中所述加熱爐具有： 前壁、及 隔著收容所述多個基板的空間而與所述前壁相向的後壁，且 所述前壁具有用於搬入及搬出所述基板的搬入搬出口， 所述排氣部連接於所述後壁。
5. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的加熱裝置，其中所述多個棒狀加熱器彼此平行地排列。
6. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的加熱裝置，其中具有多個加熱器群，所述加熱器群是通過將所述棒狀加熱器在水準方向上排列多個而構成，且 在所述加熱爐的內部，將所述加熱器群與所述基板在上下方向上交替地配置。
7. 如申請專利範圍第6項所述的加熱裝置，其中所述加熱器群所含的多個所述棒狀加熱器中， 位於所述水準方向的兩端部附近的棒狀加熱器彼此的間隔比位於所述水準方向的中央附近的棒狀加熱器彼此的間隔窄。
8. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的加熱裝置，其中所述外管固定於所述加熱爐， 所述棒狀加熱器能夠插入到所述外管中或從所述外管中拔出。
9. 如申請專利範圍第8項所述的加熱裝置，還包括在所述加熱爐的內部支撐所述基板的多個基板支撐部， 所述多個基板支撐部的至少一部分設於所述外管。
10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的加熱裝置，包括： 多個主加熱器，為所述棒狀加熱器；以及 多個次加熱器，為與所述多個主加熱器不同的棒狀加熱器，在俯視時相對於所述主加熱器而垂直地配置，且沿著所述加熱爐的壁面而延伸，並且 所述主加熱器經所述外管所包覆， 所述次加熱器未經所述外管所包覆，而在所述加熱爐內的空間中露出。
11. 如申請專利範圍第10項所述的加熱裝置，其中所述加熱爐具有隔著收容所述多個基板的空間而在左右方向上相向的一對側壁， 一部分所述次加熱器在所述一對側壁中的一者與所述加熱爐的所述左右方向的中央之間在所述左右方向上延伸， 其他所述次加熱器在所述一對側壁中的另一者與所述加熱爐的所述左右方向的中央之間在所述左右方向上延伸。
12. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的加熱裝置，其中所述外管還具有引導部，所述引導部將從所述噴出口噴出的氣體導向沿著所述基板的表面的方向。
13. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的加熱裝置，其中從所述供氣部供給的氣體為惰性氣體。
14. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的加熱裝置，其中加熱前的所述基板在上表面具有包含有機溶劑的薄膜。
15. 如申請專利範圍第14項所述的加熱裝置，其中所述薄膜包含聚醯亞胺前驅物。
16. 一種加熱方法，利用棒狀加熱器對多個基板進行加熱，且所述加熱方法包括： a）對包覆所述棒狀加熱器的外管的內部供給氣體的工序；以及 b）一面利用所述棒狀加熱器對所述基板進行加熱，一面從所述外管向所述基板噴出經所述工序a）加熱的氣體的工序。