JPWO2018012400A1 - 高周波トランスおよび移相器 - Google Patents

高周波トランスおよび移相器 Download PDF

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Abstract

高周波トランスは、コイル巻回軸が同軸関係にあり、互いに磁界結合する、一次コイル（Ｌ１）および二次コイル（Ｌ２）、一次コイル（Ｌ１）の第１端に繋がる第１端子、二次コイル（Ｌ２）の第１端に繋がる第２端子、一次コイル（Ｌ１）の第２端および二次コイル（Ｌ２）の第２端に繋がる共通端子、を備える。一次コイル（Ｌ１）および二次コイル（Ｌ２）は、それぞれ複数層に亘って形成された複数のループ状導体パターンを含むヘリカル状のコイルであり、一次コイル（Ｌ１）を構成する複数のループ状導体パターンのうち、一次コイル（Ｌ１）の第２端に最も近い第１ループ状導体パターンは、一次コイル（Ｌ１）に含まれる他のループ状導体パターンの平均ターン数より多い。

Description

本発明は、一次コイルと二次コイルとが高い結合度で結合された高周波トランス、およびそれを備えた移相器に関する。
電子機器の小型化／薄型化に伴い、内蔵する高周波トランスについても小型化／薄型化がすすめられているが、一般に、高周波トランスは、その小型化に伴って、一次コイルと二次コイルとの結合係数が低下する。高周波トランスにおいて、一次コイルと二次コイルとの高い結合係数を得るための構造として、特許文献１のように、一次側コイルおよび二次側コイルを二つの巻回軸で互いに挟み込む積層構造（所謂バイファイラ巻き構造）にすることが有効である。
国際公開第２０１４／１８８７３９号 特開平３−６２９０８号公報
しかし、特許文献１に示されている構造の高周波トランスにおいては、コイル形成領域の面積が大きく、小型化には不利である。また、導体パターンの配置構造が複雑であることに伴い、設計上の自由度や特性変更が困難である。例えば、一次コイルと二次コイルとの結合係数を高めつつ、一次コイルおよび二次コイルのインダクタンス（自己インダクタンスおよび相互インダクタンス）を高めるといったことは難しい。
高周波トランスをインピーダンス変換器として用いる場合、高周波トランスの一次コイルと二次コイルとの結合係数が高いほど、一次コイルと二次コイルの導体パターン長を短縮化でき、そのことで低損失化が図れる。また、高周波トランスを移相器として用いる場合、一次コイルと二次コイルとの結合係数が高いほど、１８０度に近い移相量が得られる。
また、特許文献２に示されている構造の高周波トランスにおいては、一次コイルと二次コイルのそれぞれについて、ループ状導体パターンの積層方向の分布範囲が広くなるので、一次コイル、二次コイルそれぞれの自己インダクタンスを大きくできない。また、一次コイルと二次コイルのループ状導体パターンの層間で生じる電位差が大きいので、一次コイルと二次コイルとの間の寄生容量が大きい。
本発明の目的は、一次コイルと二次コイルとの、所定の高い結合係数を得つつ、所定の高いインダクタンスを有する高周波トランスおよびそれを備える移相器を提供することにある。
また、本発明の目的は、寄生容量を抑制しつつ、一次コイルと二次コイルとが所定の高い結合係数で結合する高周波トランスおよびそれを備える移相器を提供することにある。
（１）本発明の高周波トランスは、
コイル巻回軸が同軸関係にあり、互いに磁界結合する、一次コイルおよび二次コイル、前記一次コイルの第１端に繋がる第１端子、前記二次コイルの第１端に繋がる第２端子、前記一次コイルの第２端および前記二次コイルの第２端に繋がる共通端子、を備え、
前記一次コイルおよび前記二次コイルは、それぞれ複数層に亘って形成された複数のループ状導体パターンを含むヘリカル状のコイルであり、
前記一次コイルは、前記一次コイルを構成する前記複数のループ状導体パターンのうち、前記一次コイルの第２端に最も近い第１ループ状導体パターンを備え、
前記二次コイルは、前記二次コイルを構成する前記複数のループ状導体パターンのうち、前記二次コイルの第２端に最も近い第２ループ状導体パターンを備え、
前記第１ループ状導体パターンは、前記一次コイルに含まれる他のループ状導体パターンの平均ターン数より多い、
ことを特徴とする。
上記構造により、一次コイルの電流密度の強いループ状導体パターンである第１ループ状導体パターンのターン数が多いことで、一次コイルの自己インダクタンスを大きくできる。さらに、一次コイルと二次コイルのそれぞれについて、ループ状導体パターンの積層方向の分布範囲を狭くでき、そのことで一次コイルと二次コイルとの相互インダクタンスを大きくできる。また、一次コイルと二次コイルは、ループ状導体パターンの電流密度の強いループ状導体パターン同士が互いに近接し、しかも電流密度の高い部分のターン数が多いので、高い結合係数が得られる。
（２）前記第２ループ状導体パターンは、前記二次コイルに含まれる他のループ状導体パターンの平均ターン数より多いことが好ましい。これにより、二次コイルの電流密度の強いループ状導体パターンである第２ループ状導体パターンのターン数が多いことで、二次コイルの自己インダクタンスを大きくできる。また、電流密度の強い第１ループ状導体パターンと第２ループ状導体パターンとが互いに近接し、しかも電流密度の高い部分のターン数が多いので、高い結合係数が得られる。
（３）前記第１ループ状導体パターンのターン数と前記第２ループ状導体パターンのターン数とは実質的に等しいことが好ましい。これにより、電流密度の強い第１ループ状導体パターンと第２ループ状導体パターンとの結合係数が効果的に高まり、一次コイルと二次コイルの結合係数は、より高まる。
（４）前記第１ループ状導体パターンの線幅は、前記一次コイルに含まれる他のループ状導体パターンの平均線幅より太いことが好ましい。これにより、電流密度の強い第１ループ状導体パターンでの導体損失が低減され、一次コイルの直流抵抗（ＤＣＲ）が低減される。
（５）前記第２ループ状導体パターンの線幅は、前記二次コイルに含まれる他のループ状導体パターンの平均線幅より太いことが好ましい。これにより、電流密度の強い第２ループ状導体パターンでの導体損失が低減され、二次コイルの直流抵抗（ＤＣＲ）が低減される。
（６）前記複数のループ状導体パターンの各層のループ状導体パターンはそれぞれ非磁性体の基材に形成されていることが好ましい。これにより、磁性体材料の透磁率の周波数特性の悪影響を受けない。また、磁性体材料による磁性体損失が生じない。
（７）前記コイル巻回軸に沿った平面視で、前記一次コイルの前記複数のループ状導体パターンの周回位置と前記二次コイルの前記複数のループ状導体パターンの周回位置とは重なることが好ましい。これにより、一次コイルと二次コイルの結合係数が効果的に高まる。
（８）前記第１ループ状導体パターンと前記第２ループ状導体パターンとの層間距離は、前記一次コイルに含まれる他のループ状導体パターン同士の層間距離または前記二次コイルに含まれる他のループ状導体パターン同士の層間距離より狭いことが好ましい。これにより、電流密度の強い第１ループ状導体パターンと第２ループ状導体パターンとがより近接するので、効果的に高い結合係数が得られる。
（９）前記一次コイルのインダクタンスと、前記二次コイルのインダクタンスとは、実質的に等しいことが好ましい。これにより、インピーダンス変換比を一定に保ったまま移相器として用いる場合に、より適する。
（１０）本発明の高周波トランスは、
コイル巻回軸が同軸関係にあり、互いに磁界結合する、一次コイルおよび二次コイル、前記一次コイルの第１端に繋がる第１端子、前記二次コイルの第１端に繋がる第２端子、前記一次コイルの第２端および前記二次コイルの第２端に繋がる共通端子、を備え、
前記一次コイルおよび前記二次コイルは、それぞれ複数層に亘って形成された複数のループ状導体パターンを含むヘリカル状のコイルであり、
前記一次コイルを構成する前記複数のループ状導体パターンのうち、前記一次コイルの第２端に最も近い第１ループ状導体パターンは、前記二次コイルを構成する前記複数のループ状導体パターンのうち、前記二次コイルの第２端に最も近い第２ループ状導体パターンと当該第２ループ状導体パターンに隣接するループ状導体パターンとの層間にあり、
前記二次コイルを構成する前記複数のループ状導体パターンのうち、前記二次コイルの第２端に最も近い第２ループ状導体パターンは、前記一次コイルを構成する前記複数のループ状導体パターンのうち、前記第１ループ状導体パターンと当該第１ループ状導体パターンに隣接するループ状導体パターンとの層間にある、
ことを特徴とする。
上記構造により、一次コイルにおいて、一次コイルの第２端に最も近い第１ループ状導体パターンと当該第１ループ状導体パターンに隣接するループ状導体パターンとの層間に第２ループ状導体パターンが介在し、第１ループ状導体パターンと当該第１ループ状導体パターンに隣接するループ状導体パターンとが積層方向に離れるので、一次コイルの寄生容量は抑制される。同様に二次コイルにおいて、二次コイルの第２端に最も近い第２ループ状導体パターンと当該第２ループ状導体パターンに隣接するループ状導体パターンとの層間に第１ループ状導体パターンが介在し、第２ループ状導体パターンと当該第２ループ状導体パターンに隣接するループ状導体パターンとが積層方向に離れるので、二次コイルの寄生容量も抑制される。また一次コイルと二次コイルは、電流強度が最も強いループ状導体パターン同士が近接し、しかも、電流強度が最も強いループ状導体パターンが相手方コイルの電流強度が最も強いループ状導体パターンと２番目に強い層とで挟まれるので、一次コイルと二次コイルとの結合係数を効果的に高めることができる。さらに、一次コイルＬ１の共通電位（グランド電位）に近い側の層である第１ループ状導体パターンとその隣接パターンと、二次コイルＬ２の共通電位（グランド電位）に近い側の層である第２ループ状導体パターンとその隣接パターンとを、積層方向において一次コイルの層と二次コイルの層とが交互に配置しているので、一次コイルと二次コイルとの間に生じる寄生容量が抑制される。
（１１）前記（１０）において、前記第１ループ状導体パターンは、前記一次コイルに含まれる他のループ状導体パターンの平均ターン数より多いことが好ましい。これにより、一次コイルと二次コイルは、ループ状導体パターンの電流強度の強いループ状導体パターン同士が近接し、しかも電流強度の高い部分のターン数が多いので、高い結合係数が得られる。
（１２）前記（１１）において、前記第２ループ状導体パターンは、前記二次コイルに含まれる他のループ状導体パターンの平均ターン数より多いことが好ましい。これにより、一次コイルと二次コイルは、ループ状導体パターンの電流強度の強いループ状導体パターン同士が互いに近接し、しかも電流強度の高い部分のターン数が多いので、高い結合係数が得られる。
（１３）前記（１２）において前記第１ループ状導体パターンのターン数と前記第２ループ状導体パターンのターン数とは実質的に等しいことが好ましい。これにより、電流強度の強い第１ループ状導体パターンと第２ループ状導体パターンとの結合係数が効果的に高まり、一次コイルと二次コイルの結合係数は、より高まる。
（１４）前記（１０）〜（１３）において、前記複数のループ状導体パターンの各層のループ状導体パターンはそれぞれ非磁性体の基材に形成されていることが好ましい。これにより、磁性体材料の透磁率の周波数特性の悪影響を受けない。また、磁性体材料による磁性体損失が生じない。
（１５）前記（１９〜（１４）において、前記コイル巻回軸に沿った平面視で、前記一次コイルの前記複数のループ状導体パターンの周回位置と前記二次コイルの前記複数のループ状導体パターンの周回位置とは重なることが好ましい。これにより、一次コイルと二次コイルの結合係数が効果的に高まる。
（１６）前記（１０）〜（１５）において、前記一次コイルのインダクタンスと、前記二次コイルのインダクタンスとは、実質的に等しいことが好ましい。これにより、インピーダンス変換比を一定に保ったまま移相器として用いる場合に、より適する。
（１７）本発明の移相器は、前記（１）〜（１６）に記載の高周波トランスを備え、
前記第１端子と前記共通端子とで第１入出力ポートが構成され、前記第２端子と前記共通端子とで第２入出力ポートが構成される。
本発明によれば、一次コイルと二次コイルとの、所定の高い結合係数を得つつ、所定の高いインダクタンスを有する高周波トランスおよびそれを備える移相器が得られる。
図１は第１の実施形態に係る高周波トランス１１の外観斜視図である。 図２は第１の実施形態に係る高周波トランス１１の内部の複数のループ状導体パターンの形状および配置を示す斜視図である。 図３は第１の実施形態に係る高周波トランス１１の正面図である。 図４は第１の実施形態に係る高周波トランス１１の分解平面図であり、各基材に形成されている導体パターンを示す図である。 図５は第１の実施形態に係る高周波トランス１１および移相器１２の回路図である。 図６はループ状導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃ，Ｌ１Ｄの電流密度を濃淡で表した図（コンター図）である。 図７はループ状導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃ，Ｌ１Ｄの各形成層における磁界強度を濃淡で表した図（コンター図）である。 図８は第２の実施形態に係る高周波トランス１１の内部の複数のループ状導体パターンの形状および配置を示す斜視図である。 図９は第２の実施形態に係る高周波トランス１１の正面図である。 図１０は第２の実施形態に係る高周波トランス１１および移相器１２の回路図である。 図１１は第３の実施形態に係るマルチプレクサ１３の構成を示す回路図である。 図１２は一般的なＳＡＷフィルタの一方のポートから視た反射係数の周波数特性をスミスチャート上に表した図である。
以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明または理解の容易性を考慮して、便宜上実施形態を分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換または組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。
《第１の実施形態》
第１の実施形態では、高周波トランスおよびそれを備える移相器の例を示す。
図１は第１の実施形態に係る高周波トランス１１の外観斜視図であり、図２は高周波トランス１１の内部の複数のループ状導体パターンの形状および配置を示す斜視図である。また、図３は高周波トランス１１の正面図である。図２、図３においては基材を透視して表している。図４は高周波トランス１１の分解平面図であり、各基材に形成されている導体パターンを示す図である。図５は高周波トランス１１および移相器１２の回路図である。
図１に表れているように、高周波トランス１１は、ループ状導体パターンが形成された複数の基材の積層体１００を備える。積層体１００の外面には、第１端子Ｔ１、第２端子Ｔ２、グランド端子ＧＮＤ、空き端子ＮＣがそれぞれ形成されている。
図５に表れているように、高周波トランス１１は、互いに磁界結合する一次コイルＬ１および二次コイルＬ２を備える。この一次コイルＬ１と二次コイルＬ２は、図２、図３に表れているように、コイル巻回軸ＡＸが同軸関係にある。
コイル巻回軸ＡＸに沿った平面視で、一次コイルＬ１の複数のループ状導体パターンの周回位置と二次コイルＬ２の複数のループ状導体パターンの周回位置とは重なっている。
図１に表れているように、一次コイルＬ１の第１端に繋がる第１端子Ｔ１、二次コイルＬ２の第１端に繋がる第２端子Ｔ２、一次コイルＬ１の第２端および二次コイルＬ２の第２端に繋がるグランド端子ＧＮＤを備える。このグランド端子ＧＮＤは本発明に係る「共通端子」の一例である。移相器１２は、高周波トランス１１の第１端子Ｔ１とグランド端子ＧＮＤとを第１入出力ポートＰ１とし、第２端子Ｔ２とグランド端子ＧＮＤとを第２入出力ポートＰ２として構成される。
図４に表れているように、基材Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４にループ状導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃ，Ｌ１Ｄがそれぞれ形成されている。また、基材Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８にループ状導体パターンＬ２Ｄ，Ｌ２Ｃ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ａがそれぞれ形成されている。
ループ状導体パターンＬ１Ａの第１端は一次コイルＬ１の第１端Ｅ１１（図５に示した回路図上の第１端子Ｔ１）に相当する。ループ状導体パターンＬ１Ａの第２端とループ状導体パターンＬ１Ｂの第１端とはビア導体Ｖ１１で層間接続されている。ループ状導体パターンＬ１Ｂの第２端とループ状導体パターンＬ１Ｃの第１端とはビア導体Ｖ１２で層間接続されている。ループ状導体パターンＬ１Ｃの第２端とループ状導体パターンＬ１Ｄの第１端とはビア導体Ｖ１３で層間接続されている。ループ状導体パターンＬ１Ｄの第２端は一次コイルＬ１の第２端Ｅ１２に相当する。
ループ状導体パターンＬ２Ａの第１端は二次コイルＬ２の第１端Ｅ２１に相当する。ループ状導体パターンＬ２Ａの第２端とループ状導体パターンＬ２Ｂの第１端とはビア導体Ｖ２１で層間接続されている。ループ状導体パターンＬ２Ｂの第２端とループ状導体パターンＬ２Ｃの第１端とはビア導体Ｖ２２で層間接続されている。ループ状導体パターンＬ２Ｃの第２端とループ状導体パターンＬ２Ｄの第１端とはビア導体Ｖ２３で層間接続されている。ループ状導体パターンＬ２Ｄの第２端は二次コイルＬ２の第２端Ｅ２２（図５に示した回路図上の第２端子Ｔ２）に相当する。
上記一次コイルＬ１を構成する複数のループ状導体パターンのうち、第２端Ｅ１２に最も近いループ状導体パターンＬ１Ｄは本発明に係る「第１ループ状導体パターン」に相当する。また、上記二次コイルＬ２を構成する複数のループ状導体パターンのうち、第２端Ｅ２２に最も近いループ状導体パターンＬ２Ｄは本発明に係る「第２ループ状導体パターン」に相当する。
ループ状導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃはそれぞれ約１ターンの導体パターンであり、第１ループ状導体パターンＬ１Ｄは約２ターンの導体パターンである。また、ループ状導体パターンＬ２Ａ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ｃは約１ターンの導体パターンであり、第２ループ状導体パターンＬ２Ｄは約２ターンの導体パターンである。すなわち、一次コイルＬ１を構成する複数のループ状導体パターンのうち、一次コイルＬ１の第２端Ｅ１２に最も近い第１ループ状導体パターンＬ１Ｄは、一次コイルＬ１に含まれる他のループ状導体パターン（Ｌ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃ）の平均ターン数より多い。同様に、二次コイルＬ２を構成する複数のループ状導体パターンのうち、二次コイルＬ２の第２端Ｅ２２に最も近い第２ループ状導体パターンＬ２Ｄは、二次コイルＬ２に含まれる他のループ状導体パターン（Ｌ２Ａ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ｃ）の平均ターン数より多い。
このように、一次コイルＬ１および二次コイルＬ２は、それぞれ複数層に亘って形成された複数のループ状導体パターンを含む略矩形ヘリカル状のコイルである。
第１ループ状導体パターンＬ１Ｄの線幅は、一次コイルＬ１に含まれる他のループ状導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃの平均線幅より太い。同様に、第２ループ状導体パターンＬ２Ｄの線幅は、二次コイルＬ２に含まれる他のループ状導体パターンＬ２Ａ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ｃの平均線幅より太い。
図３に表れているように、第１ループ状導体パターンＬ１Ｄと第２ループ状導体パターンＬ２Ｄとの層間距離ｄ０は、一次コイルＬ１に含まれる他のループ状導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃについての層間距離ｄ１または二次コイルＬ２に含まれる他のループ状導体パターンＬ２Ａ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ｃについての層間距離ｄ２より狭い。
本実施形態では、一次コイルＬ１を構成する複数のループ状導体パターンと、二次コイルＬ２を構成する複数のループ状導体パターンとは、積層順が積層方向で互いに反対であり、対応する各層のループ状導体パターンは鏡対称である。また、一次コイルＬ１の第１端Ｅ１１から第２端Ｅ１２までの巻回方向と、二次コイルＬ２の第２端Ｅ２２から第１端Ｅ２１までの巻回方向は等しい。そのため、一次コイルＬ１のインダクタンスと、二次コイルＬ２のインダクタンスとは、実質的に等しい。
本実施形態の高周波トランス１１の製造方法は次のとおりである。
（１）まず集合基板状態の、液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂基材Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８の片側主面に金属箔（例えば銅箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングすることで、ループ状導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃ，Ｌ１Ｄ，Ｌ２Ｄ，Ｌ２Ｃ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ａ等を形成する。
また、集合基板状態の樹脂基材Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８にビア導体を形成する。ビア導体は、レーザー等で貫通孔を設けた後、銅、銀、錫等のうち１以上を含む導電性ペーストを配設し、後の加熱・加圧工程で硬化させることによって設けられる。
（２）樹脂基材Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８を積層し、加熱・加圧することで導電性ペーストを固化させるとともに、樹脂基材Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８を圧着し、集合基板状態の積層体を構成する。
（３）次に、集合基板状態の積層体を分断することで、個別の積層体１００を得る。
（４）その後、積層体１００の第１主面、第２主面、四側面にそれぞれ第１端子Ｔ１、第２端子Ｔ２、グランド端子ＧＮＤ、空き端子ＮＣを形成する。
図６は上記ループ状導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃ，Ｌ１Ｄの電流密度を濃淡で表した図（コンター図）である。また、図７は上記ループ状導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃ，Ｌ１Ｄの各形成層における磁界強度を濃淡で表した図（コンター図）である。
図６、図７に表れているように、一次コイルＬ１を構成する複数のループ状導体パターンのうち、一次コイルＬ１の第２端Ｅ１２に最も近い第１ループ状導体パターンＬ１Ｄによる磁界強度が最も強い。同様に、二次コイルＬ２を構成する複数のループ状導体パターンのうち、二次コイルＬ２の第２端Ｅ２２に最も近い第２ループ状導体パターンＬ２Ｄによる磁界強度が最も強い。
本実施形態によれば、次のような効果を奏する。
（１）第１ループ状導体パターンＬ１Ｄのターン数が相対的に多いことで、一次コイルの自己インダクタンスを大きくできる。さらに、バイファイラ巻き構造に比較して、一次コイルと二次コイルのそれぞれについて、ループ状導体パターンの積層方向の分布範囲を狭くでき、そのことで一次コイルと二次コイルとの相互インダクタンスを大きくできる。また、一次コイルと二次コイルは、ループ状導体パターンの電流密度の強いループ状導体パターン同士が互いに近接し、しかも電流密度の高い部分のターン数が多いので、高い結合係数が得られる。
（２）第２ループ状導体パターンＬ２Ｄのターン数が相対的に多いことで、二次コイルの自己インダクタンスを大きくできる。また、電流密度の強い第１ループ状導体パターンと第２ループ状導体パターンとが互いに近接し、しかも電流密度の高い部分のターン数が多いので、高い結合係数が得られる。
（３）第１ループ状導体パターンＬ１Ｄのターン数と第２ループ状導体パターンＬ２Ｄのターン数とは実質的に等しいので、電流密度の強い第１ループ状導体パターンＬ１Ｄと第２ループ状導体パターンＬ２Ｄとの結合係数が効果的に高まり、一次コイルと二次コイルの結合係数は、より高まる。
（４）第１ループ状導体パターンＬ１Ｄの線幅は、一次コイルＬ１に含まれる他のループ状導体パターンの平均線幅より太いので、電流密度の強い第１ループ状導体パターンＬ１Ｄでの導体損失が低減され、一次コイルＬ１の直流抵抗（ＤＣＲ）が低減される。
（５）第２ループ状導体パターンＬ２Ｄの線幅は、二次コイルＬ２に含まれる他のループ状導体パターンの平均線幅より太いので、電流密度の強い第２ループ状導体パターンＬ２Ｄでの導体損失が低減され、二次コイルＬ２の直流抵抗（ＤＣＲ）が低減される。
（６）複数のループ状導体パターンの各層のループ状導体パターンはそれぞれ非磁性体の基材（Ｓ１〜Ｓ８）に形成されているので、磁性体材料の透磁率の周波数特性の悪影響を受けない。また、磁性体材料による磁性体損失が生じない。
（７）コイル巻回軸に沿った平面視で、一次コイルＬ１の複数のループ状導体パターンの周回位置と二次コイルＬ２の複数のループ状導体パターンの周回位置とは重なっているので、一次コイルＬ１と二次コイルＬ２との高い結合係数が得られる。
（８）第１ループ状導体パターンＬ１Ｄと第２ループ状導体パターンＬ２Ｄとの層間距離は、一次コイルＬ１に含まれる他のループ状導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃについての層間距離または二次コイルＬ２に含まれる他のループ状導体パターンＬ２Ａ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ｃについての層間距離より狭いので、電流密度の強い第１ループ状導体パターンＬ１Ｄと第２ループ状導体パターンＬ２Ｄとがより近接して、一次コイルＬ１と二次コイルＬ２との高い結合係数が得られる。
（９）一次コイルＬ１のインダクタンスと二次コイルＬ２のインダクタンスとが実質的に等しいことにより、インピーダンス変換比を一定に保ったまま移相器として用いる場合に、より適する。
以上に示した例では、一次コイルＬ１を構成する複数のループ状導体パターンのうち、一次コイルＬ１の第２端Ｅ１２に最も近い第１ループ状導体パターンＬ１Ｄのターン数が約２であり、一次コイルＬ１に含まれる他のループ状導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃのターン数がそれぞれ約１ターンである例を示したが、これら他のループ状導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃのターン数はそれぞれ異なっていてもよい。例えば、第１ループ状導体パターンＬ１Ｄに隣接するループ状導体パターンＬ１Ｃのターン数は１ターン以上であってもよい。同様に、第２ループ状導体パターンＬ２Ｄに隣接するループ状導体パターンＬ２Ｃのターン数は１ターン以上であってもよい。但し、一次コイルの自己インダクタンスを高めるうえで、または、一次コイルＬ１と二次コイルＬ２との結合係数を高めるうえで、一次コイルＬ１の第２端Ｅ１２に最も近い第１ループ状導体パターンＬ１Ｄのターン数が、一次コイルＬ１に含まれる他のループ状導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃのターン数に比べて最も多いことが好ましい。同様に、二次コイルＬ２の第２端Ｅ２２に最も近い第２ループ状導体パターンＬ２Ｄのターン数が、二次コイルＬ２に含まれる他のループ状導体パターンＬ２Ａ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ｃのターン数に比べて最も多いことが好ましい。
また、以上に示した例では、第１ループ状導体パターンＬ１Ｄのターン数を他のループ状導体パターンの平均ターン数より多くし、且つ、第２ループ状導体パターンＬ２Ｄのターン数を他のループ状導体パターンの平均ターン数より多くした例を示したが、この条件を一次コイルまたは二次コイルのうち一方のコイルのみが満足するように構成してもよい。
また、以上に示した例では、第１ループ状導体パターンＬ１Ｄのターン数と第２ループ状導体パターンＬ２Ｄのターン数とが等しい例を示した。この二つのループ状導体パターンのターン数は等しいことが好ましいが、実質的に等しければよい。また、この二つのループ状導体パターンのターン数は異なっていてもよい。
また、以上に示した例では、第１ループ状導体パターンＬ１Ｄの線幅が他のループ状導体パターンの平均線幅より太く、且つ第２ループ状導体パターンＬ２Ｄの線幅が他のループ状導体パターンの平均線幅より太い例を示した。この条件を第１ループ状導体パターンＬ１Ｄまたは第２ループ状導体パターンＬ２Ｄのいずれかが満足するように構成してもよい。
また、以上に示した例では、コイル巻回軸ＡＸに沿った平面視で、一次コイルＬ１の複数のループ状導体パターンの周回位置と二次コイルＬ２の複数のループ状導体パターンの周回位置とが全周に亘って重なる例を示したが、一次コイルＬ１と二次コイルＬ２との結合係数の低下の許容範囲内で、一次コイルＬ１の複数のループ状導体パターンの周回位置と二次コイルＬ２の複数のループ状導体パターンの周回位置とは、ずれていてもよい。
また、以上に示した例では、第１ループ状導体パターンＬ１Ｄと第２ループ状導体パターンＬ２Ｄとの層間距離が、一次コイルＬ１に含まれる他のループ状導体パターンについての層間距離または二次コイルＬ２に含まれる他のループ状導体パターンについての層間距離より狭くしたが、第１ループ状導体パターンＬ１Ｄと第２ループ状導体パターンＬ２Ｄとの層間距離が他のループ状導体パターンについての層間距離と等しくてもよい。
また、以上に示した例では、各層のループ状導体パターンは鏡対称である例を示したが、鏡対称でなくてもよい。また、一次コイルＬ１のインダクタンスと、二次コイルＬ２のインダクタンスとは異なっていてもよい。
《第２の実施形態》
図８は第２の実施形態に係る高周波トランス１１の内部の複数のループ状導体パターンの形状および配置を示す斜視図である。この高周波トランス１１の外観は第１の実施形態で図１に示したものと同じである。図９はこの高周波トランス１１の正面図である。図８、図９においては基材を透視して表している。図１０は高周波トランス１１および移相器１２の回路図である。
図８に表れているように、高周波トランス１１は、ループ状導体パターンが形成された複数の基材の積層体１００を備える。積層体１００の外面には、第１端子Ｔ１、第２端子Ｔ２、グランド端子ＧＮＤ、空き端子ＮＣがそれぞれ形成されている（図１参照）。
図１０に表れているように、高周波トランス１１は、互いに磁界結合する一次コイルＬ１および二次コイルＬ２を備える。図１０において、容量Ｃ１ｓは一次コイルＬ１に生じる寄生容量、容量Ｃ２ｓは二次コイルＬ２に生じる寄生容量、容量Ｃ３ｓは一次コイルＬ１と二次コイルＬ２との間に生じる寄生容量をそれぞれ表している。
図８、図９に表れているように、一次コイルＬ１と二次コイルＬ２は、コイル巻回軸ＡＸが同軸関係にある。コイル巻回軸ＡＸに沿った平面視で、一次コイルＬ１の複数のループ状導体パターンの周回位置と二次コイルＬ２の複数のループ状導体パターンの周回位置とは重なっている。
図１に示したように、一次コイルＬ１の第１端に繋がる第１端子Ｔ１、二次コイルＬ２の第１端に繋がる第２端子Ｔ２、一次コイルＬ１の第２端および二次コイルＬ２の第２端に繋がるグランド端子ＧＮＤを備える。このグランド端子ＧＮＤは本発明に係る「共通端子」の一例である。移相器１２は、高周波トランス１１の第１端子Ｔ１とグランド端子ＧＮＤとを第１入出力ポートＰ１とし、第２端子Ｔ２とグランド端子ＧＮＤとを第２入出力ポートＰ２として構成される。
図９に表れているように、基材Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ５にループ状導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃ，Ｌ１Ｄがそれぞれ形成されている。また、基材Ｓ４，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８にループ状導体パターンＬ２Ｄ，Ｌ２Ｃ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ａがそれぞれ形成されている。
ループ状導体パターンＬ１Ａの第１端は一次コイルＬ１の第１端Ｅ１１（図１０に示した回路図上の第１端子Ｔ１）に相当する。ループ状導体パターンＬ１Ａの第２端とループ状導体パターンＬ１Ｂの第１端とはビア導体Ｖ１１で層間接続されている。ループ状導体パターンＬ１Ｂの第２端とループ状導体パターンＬ１Ｃの第１端とはビア導体Ｖ１２で層間接続されている。ループ状導体パターンＬ１Ｃの第２端とループ状導体パターンＬ１Ｄの第１端とはビア導体Ｖ１３，Ｖ１４で層間接続されている。ループ状導体パターンＬ１Ｄの第２端は一次コイルＬ１の第２端Ｅ１２に相当する。
ループ状導体パターンＬ２Ａの第１端は二次コイルＬ２の第１端Ｅ２１に相当する。ループ状導体パターンＬ２Ａの第２端とループ状導体パターンＬ２Ｂの第１端とはビア導体Ｖ２１で層間接続されている。ループ状導体パターンＬ２Ｂの第２端とループ状導体パターンＬ２Ｃの第１端とはビア導体Ｖ２２で層間接続されている。ループ状導体パターンＬ２Ｃの第２端とループ状導体パターンＬ２Ｄの第１端とはビア導体Ｖ２３，Ｖ２４で層間接続されている。ループ状導体パターンＬ２Ｄの第２端は二次コイルＬ２の第２端Ｅ２２（図１０に示した回路図上の第２端子Ｔ２）に相当する。
上記一次コイルＬ１を構成する複数のループ状導体パターンのうち、第２端Ｅ１２に最も近いループ状導体パターンＬ１Ｄは本発明に係る「第１ループ状導体パターン」に相当する。また、上記二次コイルＬ２を構成する複数のループ状導体パターンのうち、第２端Ｅ２２に最も近いループ状導体パターンＬ２Ｄは本発明に係る「第２ループ状導体パターン」に相当する。
一次コイルＬ１を構成する複数のループ状導体パターンのうち、一次コイルＬ１の第２端Ｅ１２に最も近い第１ループ状導体パターンＬ１Ｄは、二次コイルＬ２を構成する複数のループ状導体パターンのうち、二次コイルＬ２の第２端Ｅ２２に最も近い第２ループ状導体パターンＬ２Ｄと当該第２ループ状導体パターンＬ２Ｄに隣接するループ状導体パターンＬ２Ｃとの層間にある。また、第２ループ状導体パターンＬ２Ｄは、第１ループ状導体パターンＬ１Ｄと当該第１ループ状導体パターンＬ１Ｄに隣接するループ状導体パターンＬ１Ｃとの層間にある。
ループ状導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂはそれぞれ約１ターンの導体パターンであり、ループ状導体パターンＬ１Ｃは約１．５ターンの導体パターンであり、第１ループ状導体パターンＬ１Ｄは約２．５ターンの導体パターンである。また、ループ状導体パターンＬ２Ａ，Ｌ２Ｂは約１ターンの導体パターンであり、ループ状導体パターンＬ２Ｃは約１．５ターンの導体パターンであり、第２ループ状導体パターンＬ２Ｄは約２．５ターンの導体パターンである。すなわち、一次コイルＬ１を構成する複数のループ状導体パターンのうち、一次コイルＬ１の第２端Ｅ１２に最も近い第１ループ状導体パターンＬ１Ｄは、一次コイルＬ１に含まれる他のループ状導体パターン（Ｌ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃ）の平均ターン数より多い。同様に、二次コイルＬ２を構成する複数のループ状導体パターンのうち、二次コイルＬ２の第２端Ｅ２２に最も近い第２ループ状導体パターンＬ２Ｄは、二次コイルＬ２に含まれる他のループ状導体パターン（Ｌ２Ａ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ｃ）の平均ターン数より多い。
このように、一次コイルＬ１および二次コイルＬ２は、それぞれ複数層に亘って形成された複数のループ状導体パターンを含む略矩形ヘリカル状のコイルである。
本実施形態では、一次コイルＬ１を構成する複数のループ状導体パターンと、二次コイルＬ２を構成する複数のループ状導体パターンとは、積層順が積層方向で互いに反対であり、対応する各層のループ状導体パターンは鏡対称である。また、一次コイルＬ１の第１端Ｅ１１から第２端Ｅ１２までの巻回方向と、二次コイルＬ２の第２端Ｅ２２から第１端Ｅ２１までの巻回方向は等しい。そのため、一次コイルＬ１のインダクタンスと、二次コイルＬ２のインダクタンスとは、実質的に等しい。
本実施形態の高周波トランス１１の製造方法は次のとおりである。
（１）まず集合基板状態の、液晶ポリマー等の熱可塑性樹脂基材Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８の片側主面に金属箔（例えば銅箔）をラミネートし、その金属箔をフォトリソグラフィでパターンニングすることで、ループ状導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃ，Ｌ１Ｄ，Ｌ２Ｄ，Ｌ２Ｃ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ａ等を形成する。
また、集合基板状態の樹脂基材Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８にビア導体を形成する。ビア導体は、レーザー等で貫通孔を設けた後、銅、銀、錫等のうち１以上を含む導電性ペーストを配設し、後の加熱・加圧工程で硬化させることによって設けられる。
（２）樹脂基材Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８，Ｓ９を積層し、加熱・加圧することで導電性ペーストを固化させるとともに、樹脂基材Ｓ１，Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４，Ｓ５，Ｓ６，Ｓ７，Ｓ８，Ｓ９を圧着し、集合基板状態の積層体を構成する。
（３）次に、集合基板状態の積層体を分断することで、個別の積層体１００を得る。
（４）その後、積層体１００の第１主面、第２主面、四側面にそれぞれ第１端子Ｔ１、第２端子Ｔ２、グランド端子ＧＮＤ、空き端子ＮＣを形成する。
本実施形態によれば、次のような効果を奏する。
（１）一次コイルＬ１において、一次コイルＬ１の第２端Ｅ１２に最も近い第１ループ状導体パターンＬ１Ｄと当該第１ループ状導体パターンＬ１Ｄに隣接するループ状導体パターンＬ１Ｃとの層間に第２ループ状導体パターンＬ２Ｄが介在し、Ｌ１ＤとＬ１Ｃとが積層方向に離れるので、一次コイルＬ１の寄生容量（図１０中の容量Ｃ１ｓ）は抑制される。同様に、二次コイルＬ２において、二次コイルＬ２の第２端Ｅ２２に最も近い第２ループ状導体パターンＬ２Ｄと当該第２ループ状導体パターンＬ２Ｄに隣接するループ状導体パターンＬ２Ｃとの層間に第１ループ状導体パターンＬ１Ｄが介在し、Ｌ２ＤとＬ２Ｃとが積層方向に離れるので、二次コイルＬ２の寄生容量（図１０中の容量Ｃ２ｓ）も抑制される。また一次コイルＬ１と二次コイルＬ２は、電流強度が最も強いループ状導体パターン同士（第１ループ状導体パターンＬ１Ｄと第２ループ状導体パターンＬ２Ｄ）が近接し、しかも、電流強度が最も強いループ状導体パターンが相手方コイルの電流強度が最も強いループ状導体パターンと２番目に強い層とで挟まれるので、一次コイルと二次コイルとの結合係数が効果的に高まる。さらに、一次コイルＬ１の共通電位（グランド電位）に近い側の層であるループ状導体パターンＬ１Ｃと第１ループ状導体パターンＬ１Ｄと、二次コイルＬ２の共通電位（グランド電位）に近い側の層であるループ状導体パターンＬ２Ｃと第２ループ状導体パターンＬ２Ｄとを、積層方向において一次コイルＬ１の層と二次コイルＬ２の層とが交互に配置されるように、Ｌ１Ｃ、Ｌ２Ｄ、Ｌ１Ｄ、Ｌ２Ｃの順で配置しているので、一次コイルＬ１と二次コイルＬ２との間に生じる寄生容量（図１０中の容量Ｃ３ｓ）は抑制される。
このようにして、一次コイルＬ１の寄生容量Ｃｓ１、二次コイルＬ２の寄生容量Ｃｓ２、および一次コイルＬ１と二次コイルＬ２との間の寄生容量Ｃｓ３がそれぞれ抑制されるとともに、一次コイルＬ１と二次コイルＬ２との結合係数が高まるので、二つのポートから視たインピーダンスの周波数特性が安定化される。また、移相器として利用する際の移相量を広帯域に亘って安定化される。
（２）第１ループ状導体パターンＬ１Ｄは、一次コイルＬ１に含まれる他のループ状導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃの平均ターン数より多いので、また、第２ループ状導体パターンＬ２Ｄは、二次コイルＬ２に含まれる他のループ状導体パターンＬ２Ａ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ｃの平均ターン数より多いので、一次コイルＬ１と二次コイルＬ２は、ループ状導体パターンの電流強度の強いループ状導体パターン同士の磁界結合が強くなり、結合係数が効果的に高まる。
（３）第１ループ状導体パターンＬ１Ｄのターン数と第２ループ状導体パターンＬ２Ｄのターン数とは実質的に等しいので、電流強度の強い第１ループ状導体パターンＬ１Ｄと第２ループ状導体パターンＬ２Ｄとの結合係数が効果的に高まり、一次コイルと二次コイルの結合係数は、より高まる。
（４）複数のループ状導体パターンの各層のループ状導体パターンはそれぞれ非磁性体の基材（Ｓ１〜Ｓ９）に形成されているので、磁性体材料の透磁率の周波数特性の悪影響を受けない。また、磁性体材料による磁性体損失が生じない。
（５）コイル巻回軸に沿った平面視で、一次コイルＬ１の複数のループ状導体パターンの周回位置と二次コイルＬ２の複数のループ状導体パターンの周回位置とは重なっているので、一次コイルＬ１と二次コイルＬ２との高い結合係数が得られる。
（６）一次コイルＬ１のインダクタンスと二次コイルＬ２のインダクタンスとが実質的に等しいことにより、インピーダンス変換比を一定に保ったまま移相器として用いる場合に、より適する。
以上に示した例では、一次コイルＬ１を構成する複数のループ状導体パターンのうち、一次コイルＬ１の第２端Ｅ１２に最も近い第１ループ状導体パターンＬ１Ｄのターン数が約２．５であり、それに続くループ状導体パターンＬ１Ｃのターン数がそれぞれ約１．５ターンである例を示したが、これら「他のループ状導体パターン」Ｌ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃのターン数は同じであってもよい。このことは二次コイルＬ２についても同様である。但し、一次コイルＬ１の自己インダクタンスを高めるうえで、または、一次コイルＬ１と二次コイルＬ２との結合係数を高めるうえで、第１ループ状導体パターンＬ１Ｄのターン数が、一次コイルＬ１に含まれる他のループ状導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃのターン数に比べて最も多いことが好ましい。同様に、第２ループ状導体パターンＬ２Ｄのターン数が、二次コイルＬ２に含まれる他のループ状導体パターンＬ２Ａ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ｃのターン数に比べて最も多いことが好ましい。
また、以上に示した例では、第１ループ状導体パターンＬ１Ｄのターン数を他のループ状導体パターンの平均ターン数より多くし、且つ、第２ループ状導体パターンＬ２Ｄのターン数を他のループ状導体パターンの平均ターン数より多くした例を示したが、この条件を一次コイルまたは二次コイルのうち一方のコイルのみが満足するように構成してもよい。
また、以上に示した例では、第１ループ状導体パターンＬ１Ｄのターン数と第２ループ状導体パターンＬ２Ｄのターン数とが等しい例を示した。この二つのループ状導体パターンのターン数は等しいことが好ましいが、実質的に等しければよい。また、この二つのループ状導体パターンのターン数は異なっていてもよい。
また、以上に示した例では、各層のループ状導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃ，Ｌ１Ｄ，Ｌ２Ｄ，Ｌ２Ｃ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ａの線幅が等しい例を示したが、これらは互いに異なっていてもよい。特に、第１ループ状導体パターンＬ１Ｄの線幅が他のループ状導体パターンＬ１Ｂ，Ｌ１Ｃ，Ｌ１Ｄの平均線幅より太ければ、電流強度の強い第１ループ状導体パターンＬ１Ｄでの導体損失が低減され、一次コイルＬ１の直流抵抗（ＤＣＲ）が低減される。同様に、第２ループ状導体パターンＬ２Ｄの線幅が他のループ状導体パターンＬ２Ｃ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ａの平均線幅より太ければ、電流強度の強い第２ループ状導体パターンＬ２Ｄでの導体損失が低減され、二次コイルＬ２の直流抵抗（ＤＣＲ）が低減される。
また、以上に示した例では、コイル巻回軸ＡＸに沿った平面視で、一次コイルＬ１の複数のループ状導体パターンの周回位置と二次コイルＬ２の複数のループ状導体パターンの周回位置とが全周に亘って重なる例を示したが、一次コイルＬ１と二次コイルＬ２との結合係数の低下の許容範囲内で、一次コイルＬ１の複数のループ状導体パターンの周回位置と二次コイルＬ２の複数のループ状導体パターンの周回位置とは、ずれていてもよい。
また、以上に示した例では、各層のループ状導体パターンＬ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃ，Ｌ２Ｄ，Ｌ１Ｄ，Ｌ２Ｃ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ａの層間距離が等しい例を示したが、これらは互いに異なっていてもよい。特に、ループ状導体パターンＬ１Ｃ，Ｌ２Ｄ，Ｌ１Ｄ，Ｌ２Ｃの各層間距離が、他のループ状導体パターンについての層間距離より狭ければ、電流強度の強いループ状導体パターンＬ１Ｃ，Ｌ２Ｄ，Ｌ１Ｄ，Ｌ２Ｃが近接して、一次コイルＬ１と二次コイルＬ２との結合係数が高められる。
また、以上に示した例では、各層のループ状導体パターンは鏡対称である例を示したが、鏡対称でなくてもよい。また、一次コイルＬ１のインダクタンスと、二次コイルＬ２のインダクタンスとは異なっていてもよい。
《第３の実施形態》
第３の実施形態では、複数のＳＡＷフィルタおよびこれらＳＡＷフィルタと共に移相器を備えるマルチプレクサについて示す。
図１１は第３の実施形態に係るマルチプレクサ１３の構成を示す回路図である。このマルチプレクサ１３は、共通ポートＰｃと個別ポートＰｒ１，Ｐｒ２，Ｐｒ３，Ｐｒ４との間にそれぞれ接続された移相器１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄとＳＡＷフィルタＳＡＷａ，ＳＡＷｂ，ＳＡＷｃ，ＳＡＷｄとを備える。移相器１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄは第１の実施形態で示した移相器である。本実施形態では、共通ポートＰｃに例えばアンテナが接続され、個別ポートＰｒ１，Ｐｒ２，Ｐｒ３，Ｐｒ４には各周波数帯の通信回路が接続される。
各ＳＡＷフィルタＳＡＷａ，ＳＡＷｂ，ＳＡＷｃ，ＳＡＷｄはそれぞれ第１ポートおよび第２ポートを有し、通過周波数帯がそれぞれ異なる。第１ＳＡＷフィルタＳＡＷａは、第１ポートが移相器１２ａを介して共通ポートＰｃに接続され、第２ポートは個別ポートＰｒ１に接続される。同様に、第２ＳＡＷフィルタＳＡＷｂは、第１ポートが移相器１２ｂを介して共通ポートＰｃに接続され、第２ポートは個別ポートＰｒ２に接続され、第３ＳＡＷフィルタＳＡＷｃは、第１ポートが移相器１２ｃを介して共通ポートＰｃに接続され、第２ポートは個別ポートＰｒ３に接続され、第４ＳＡＷフィルタＳＡＷｄは、第１ポートが移相器１２ｄを介して共通ポートＰｃに接続され、第２ポートは個別ポートＰｒ４に接続される。
例えば、第１ＳＡＷフィルタＳＡＷａの通過帯域の中心周波数は７００ＭＨｚ、第２ＳＡＷフィルタＳＡＷｂの通過帯域の中心周波数は８００ＭＨｚ、第３ＳＡＷフィルタＳＡＷｃの通過帯域の中心周波数は９００ＭＨｚである。また、第４ＳＡＷフィルタＳＡＷｄの通過帯域の中心周波数は２ＧＨｚである。すなわち、ＳＡＷフィルタＳＡＷａ，ＳＡＷｂ，ＳＡＷｃはローバンド用、ＳＡＷフィルタＳＡＷｄはハイバンド用である。
移相器１２ａは、共通ポートＰｃから視て、ＳＡＷフィルタＳＡＷｂ，ＳＡＷｃ，ＳＡＷｄの通過周波数帯で、第１ＳＡＷフィルタＳＡＷａが実質的にオープンになるように移相する。また、移相器１２ｂは、共通ポートＰｃから視て、ＳＡＷフィルタＳＡＷａ，ＳＡＷｃ，ＳＡＷｄの通過周波数帯で、第２ＳＡＷフィルタＳＡＷｂが実質的にオープンになるように移相する。移相器１２ｃは、共通ポートＰｃから視て、ＳＡＷフィルタＳＡＷａ，ＳＡＷｂ，ＳＡＷｄの通過周波数帯で、第３ＳＡＷフィルタＳＡＷｃが実質的にオープンになるように移相する。同様に、移相器１２ｄは、共通ポートＰｃから視て、ＳＡＷフィルタＳＡＷａ，ＳＡＷｂ，ＳＡＷｃの通過周波数帯で、第４ＳＡＷフィルタＳＡＷｄが実質的にオープンになるように移相する。
図１２は一般的なＳＡＷフィルタの一方のポートから視た反射係数の周波数特性をスミスチャート上に表した図である。通過帯域より低い周波数帯で、インピーダンスは実質的にショートであり、通過周波数帯の中心周波数ｆｃで規定インピーダンス（５０Ω）となり、通過帯域より高い周波数帯で、インピーダンスは再び実質的にショートとなる。
したがって、通過帯域周波数が大きく異なる複数のＳＡＷフィルタを共通ポートに直接接続すると、使用周波数帯で共通ポートＰｃが実質的にグランドにショートされる状況が生じる。そのため、例えばローバンド用ＳＡＷフィルタとハイバンド用ＳＡＷフィルタとは互いにショート状態に見えるので、それらを共通ポートＰｃに直接接続することはできない。
本実施形態によれば、通過周波数帯の大きく離れたＳＡＷフィルタ同士であっても、移相器で約１８０°移相されるので、ＳＡＷフィルタは互いにオープンに見える。したがって、移相器を介して共通ポートＰｃに直接接続できる。この状態でポート間アイソレーションが確保される。
《他の実施形態》
第１の実施形態では、樹脂基材に金属箔によるループ状導体パターンを形成したが、例えば低温同時焼成セラミックスグリーンシートに銅ペーストによるループ状導体パターンを印刷形成し、積層し、一体同時焼成によって形成してもよい。すなわちLTCC多層基板で構成してもよい。
なお、以上に示した各実施形態では、７００ＭＨｚ以上の高周波帯で用いる例を示したが、ＵＨＦ帯以上で用いることができる。また、基材が磁性体フェライトである場合、ＨＦ帯で使用可能な高周波トランスを構成することも可能である。
最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形および変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。
ＡＸ…コイル巻回軸
ｄ０，ｄ１，ｄ２…層間距離
Ｅ１１…一次コイルＬ１の第１端
Ｅ１２…一次コイルＬ１の第２端
Ｅ２１…二次コイルＬ２の第１端
Ｅ２２…二次コイルＬ２の第２端
ｆｃ…中心周波数
ＧＮＤ…グランド端子
Ｌ１…一次コイル
Ｌ２…二次コイル
Ｌ１Ａ，Ｌ１Ｂ，Ｌ１Ｃ，Ｌ１Ｄ…ループ状導体パターン
Ｌ２Ａ，Ｌ２Ｂ，Ｌ２Ｃ，Ｌ２Ｄ…ループ状導体パターン
Ｌ１Ｄ…第１ループ状導体パターン
Ｌ２Ｄ…第２ループ状導体パターン
ＮＣ…空き端子
Ｐ１…第１入出力ポート
Ｐ２…第２入出力ポート
Ｐｃ…共通ポート
Ｐｒ１，Ｐｒ２，Ｐｒ３，Ｐｒ４…個別ポート
Ｓ１〜Ｓ９…基材
ＳＡＷａ，ＳＡＷｂ，ＳＡＷｃ，ＳＡＷｄ…ＳＡＷフィルタ
Ｔ１…第１端子
Ｔ２…第２端子
Ｖ１１，Ｖ１２，Ｖ１３，Ｖ１４…ビア導体
Ｖ２１，Ｖ２２，Ｖ２３，Ｖ２４…ビア導体
１１…高周波トランス
１２，１２ａ，１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ…移相器
１３…マルチプレクサ
１００…積層体

Claims (17)

  1. コイル巻回軸が同軸関係にあり、互いに磁界結合する、一次コイルおよび二次コイル、前記一次コイルの第１端に繋がる第１端子、前記二次コイルの第１端に繋がる第２端子、前記一次コイルの第２端および前記二次コイルの第２端に繋がる共通端子、を備え、
    前記一次コイルおよび前記二次コイルは、それぞれ複数層に亘って形成された複数のループ状導体パターンを含むヘリカル状のコイルであり、
    前記一次コイルは、前記一次コイルを構成する前記複数のループ状導体パターンのうち、前記一次コイルの第２端に最も近い第１ループ状導体パターンを備え、
    前記二次コイルは、前記二次コイルを構成する前記複数のループ状導体パターンのうち、前記二次コイルの第２端に最も近い第２ループ状導体パターンを備え、
    前記第１ループ状導体パターンは、前記一次コイルに含まれる他のループ状導体パターンの平均ターン数より多い、
    ことを特徴とする、高周波トランス。
  2. 前記第２ループ状導体パターンは、前記二次コイルに含まれる他のループ状導体パターンの平均ターン数より多い、請求項１に記載の高周波トランス。
  3. 前記第１ループ状導体パターンのターン数と前記第２ループ状導体パターンのターン数とは実質的に等しい、請求項２に記載の高周波トランス。
  4. 前記第１ループ状導体パターンの線幅は、前記一次コイルに含まれる他のループ状導体パターンの平均線幅より太い、請求項１から３のいずれかに記載の高周波トランス。
  5. 前記第２ループ状導体パターンの線幅は、前記二次コイルに含まれる他のループ状導体パターンの平均線幅より太い、請求項１から４のいずれかに記載の高周波トランス。
  6. 前記複数のループ状導体パターンの各層のループ状導体パターンはそれぞれ非磁性体の基材に形成されている、請求項１から５のいずれかに記載の高周波トランス。
  7. 前記コイル巻回軸に沿った平面視で、前記一次コイルの前記複数のループ状導体パターンの周回位置と前記二次コイルの前記複数のループ状導体パターンの周回位置とは重なる、請求項１から６のいずれかに記載の高周波トランス。
  8. 前記第１ループ状導体パターンと前記第２ループ状導体パターンとの層間距離は、前記一次コイルに含まれる他のループ状導体パターン同士の層間距離または前記二次コイルに含まれる他のループ状導体パターン同士の層間距離より狭い、請求項１から７のいずれかに記載の高周波トランス。
  9. 前記一次コイルのインダクタンスと、前記二次コイルのインダクタンスとは、実質的に等しい、請求項１から８のいずれかに記載の高周波トランス。
  10. コイル巻回軸が同軸関係にあり、互いに磁界結合する、一次コイルおよび二次コイル、前記一次コイルの第１端に繋がる第１端子、前記二次コイルの第１端に繋がる第２端子、前記一次コイルの第２端および前記二次コイルの第２端に繋がる共通端子、を備え、
    前記一次コイルおよび前記二次コイルは、それぞれ複数層に亘って形成された複数のループ状導体パターンを含むヘリカル状のコイルであり、
    前記一次コイルを構成する前記複数のループ状導体パターンのうち、前記一次コイルの第２端に最も近い第１ループ状導体パターンは、前記二次コイルを構成する前記複数のループ状導体パターンのうち、前記二次コイルの第２端に最も近い第２ループ状導体パターンと当該第２ループ状導体パターンに隣接するループ状導体パターンとの層間にあり、
    前記二次コイルを構成する前記複数のループ状導体パターンのうち、前記二次コイルの第２端に最も近い第２ループ状導体パターンは、前記一次コイルを構成する前記複数のループ状導体パターンのうち、前記第１ループ状導体パターンと当該第１ループ状導体パターンに隣接するループ状導体パターンとの層間にある、
    ことを特徴とする高周波トランス。
  11. 前記第１ループ状導体パターンは、前記一次コイルに含まれる他のループ状導体パターンの平均ターン数より多い、請求項１０に記載の高周波トランス。
  12. 前記第２ループ状導体パターンは、前記二次コイルに含まれる他のループ状導体パターンの平均ターン数より多い、請求項１１に記載の高周波トランス。
  13. 前記第１ループ状導体パターンのターン数と前記第２ループ状導体パターンのターン数とは実質的に等しい、請求項１２に記載の高周波トランス。
  14. 前記複数のループ状導体パターンの各層のループ状導体パターンはそれぞれ非磁性体の基材に形成されている、請求項１０から１３のいずれかに記載の高周波トランス。
  15. 前記コイル巻回軸に沿った平面視で、前記一次コイルの前記複数のループ状導体パターンの周回位置と前記二次コイルの前記複数のループ状導体パターンの周回位置とは重なる、請求項１０から１４のいずれかに記載の高周波トランス。
  16. 前記一次コイルのインダクタンスと、前記二次コイルのインダクタンスとは、実質的に等しい、請求項１０から１５のいずれかに記載の高周波トランス。
  17. 請求項１から１６のいずれかに記載の高周波トランスを備え、
    前記第１端子と前記共通端子とを第１入出力ポートとし、前記第２端子と前記共通端子とを第２入出力ポートとする、移相器。
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