CN216528275U

CN216528275U - 线圈器件、移相电路及通信装置

Info

Publication number: CN216528275U
Application number: CN202090000332.9U
Authority: CN
Inventors: 三川贤太郎; 小林英晃
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2019-02-22
Filing date: 2020-02-10
Publication date: 2022-05-13
Anticipated expiration: 2030-02-10
Also published as: US20210335533A1; JPWO2020170882A1; JP6904497B2; US11961651B2; WO2020170882A1

Abstract

第一线圈(L1)包括与接地端子(GND)连接的共同端子侧第一线圈导体(LCl)、中间第一线圈导体(LMl)以及与第一输入输出端子(T1)连接的输入输出端子侧第一线圈导体(LPl)，第二线圈(L2)包括与接地端子(GND)连接的共同端子侧第二线圈导体(LC2)、中间第二线圈导体(LM2)以及与第二输入输出端子(T2)连接的输入输出端子侧第二线圈导体(LP2)。输入输出端子侧第一线圈导体(LPl)位于中间第二线圈导体(LM2)与输入输出端子侧第二线圈导体(LP2)之间，输入输出端子侧第二线圈导体(LP2)位于中间第一线圈导体(LMl)与输入输出端子侧第一线圈导体(LPl)之间。

Description

线圈器件、移相电路及通信装置

技术领域

本实用新型涉及具有移相特性的线圈器件、具备该线圈器件的移相电路、以及具备该线圈器件或移相电路的通信装置。

背景技术

在专利文献1中公开了一种线圈器件，该线圈器件具备具有相互磁场耦合的第一线圈及第二线圈的变压器、以及连接在第一线圈与第二线圈之间的电容器。

根据专利文献1所示的构造，得到有利于小型化、低损耗化、移相量的频率依赖性降低等的线圈器件、移相电路及通信装置。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开第2016/114181号

实用新型内容

实用新型要解决的课题

在专利文献1所记载的线圈器件中，连接在第一线圈与第二线圈之间的电容器作为调整变压器的阻抗的阻抗调整用电路发挥作用。但是，当仅通过在第一线圈与第二线圈之间寄生产生的电容构成该电容器时，有时得不到阻抗调整所需的电容。在该情况下，为了适当地调整阻抗，需要特别形成第一线圈及第二线圈以外的导体图案(例如呈面状扩展且相互对置的面状导体图案)。然而，在将这样的面状导体图案与第一线圈及第二线圈一起配置在线圈器件内时，第一线圈及第二线圈所产生的磁场被面状导体图案妨碍，因此，产生励磁电感的下降、第一线圈-第二线圈之间的磁场耦合系数的下降这样的课题。而且，当为了得到需要的励磁电感、磁场耦合系数而增加第一线圈及第二线圈的匝数时，产生损耗的增大、大型化(层叠数的增加)这样的新课题。

对此，本实用新型的目的在于提供一种避免因线圈匝数的增加引起的损耗的增大和大型化且具有阻抗调整所需的电容器的线圈器件、具备该线圈器件的移相电路、以及具备该线圈器件或移相电路的通信装置。

用于解决课题的手段

作为本公开的一例的线圈器件的特征在于，

所述线圈器件具备：

绝缘基体；以及

分别形成于所述绝缘基体的第一输入输出端子、第二输入输出端子、共同端子、第一线圈及第二线圈，

所述第一线圈包括绕第一卷绕轴卷绕的形状的第一线圈导体，

所述第二线圈包括绕与所述第一卷绕轴方向平行的第二卷绕轴卷绕的形状的第二线圈导体，

所述第一线圈包括遍及多层而形成的多个第一线圈导体，所述多个第一线圈导体具有一端与输入输出端子连接的输入输出端子侧第一线圈导体，

所述第二线圈包括遍及多层而形成的多个第二线圈导体，所述多个第二线圈导体具有一端与输入输出端子连接的输入输出端子侧第二线圈导体，

所述输入输出端子侧第一线圈导体在所述第二卷绕轴的方向上位于所述多个第二线圈导体中的两个第二线圈导体之间，并且在沿所述第二卷绕轴的方向观察时与所述两个第二线圈导体重叠，

所述两个第二线圈导体中的一个第二线圈导体是所述输入输出端子侧第二线圈导体，

所述输入输出端子侧第二线圈导体在所述第一卷绕轴的方向上位于所述多个第一线圈导体中的两个第一线圈导体之间，并且在沿所述第一卷绕轴的方向观察时与所述两个第一线圈导体重叠，

所述两个第一线圈导体中的一个第一线圈导体是所述输入输出端子侧第一线圈导体。

作为本公开的一例的移相电路的特征在于，该移相电路具备上述线圈器件以及与上述线圈器件串联连接的移相量小于90°的移相线路。

作为本公开的一例的通信装置具备收发电路以及与该收发电路连接的天线，其特征在于，在收发电路与天线之间具备上述线圈器件或移相电路。

作为本公开的一例的通信装置具备收发电路以及与该收发电路连接的双工器，其特征在于，在收发电路与双工器之间具备上述线圈器件或移相电路。

实用新型效果

根据本实用新型，得到一种消除了因线圈匝数的增加引起的损耗的增大和大型化且具有阻抗调整所需的电容的线圈器件、具备该线圈器件的移相电路、以及具备该线圈器件或移相电路的通信装置。

附图说明

图1是第一实施方式的线圈器件11的电路图。

图2(A)、图2(B)是线圈器件11中的变压器的等效电路图。

图3是线圈器件11的外观立体图。

图4是线圈器件11的各基材的俯视图。

图5是图4的局部放大图。

图6是线圈器件11的纵向剖视图。

图7(A)是示出线圈器件11的移相量的频率特性的图。图7(B) 是示出线圈器件11的插入损耗的频率特性的图。

图8是第二实施方式的线圈器件12的各基材的俯视图。

图9是第三实施方式的线圈器件13的各基材的俯视图。

图10是第四实施方式的线圈器件14的电路图。

图11(A)、图11(B)是示出第五实施方式的移相电路30A、30B 的结构的框图。

图12是第六实施方式的通信装置200的框图。

图13是第七实施方式的通信装置的局部电路图。

附图标记说明

C1…第一电容器；

C2…第二电容器；

C12…输入输出间电容器；

CA1、CA2…线圈开口；

COM…共同端子；

GND…接地端子(共同端子)；

IT…理想变压器；

L1…第一线圈；

L2…第二线圈；

La、Lb、Lc、Lc1…电感器；

LC1…共同端子侧第一线圈导体；

LC2…共同端子侧第二线圈导体；

LM1…中间第一线圈导体；

LM2…中间第二线圈导体；

LP1…输入输出端子侧第一线圈导体；

LP2…输入输出端子侧第二线圈导体；

NC…空闲端子；

S1～S8…基材；

T1…第一输入输出端子；

T2…第二输入输出端子；

V1A、V1B、V1C…过孔导体(层间连接导体)；

V2A、V2B、V2C…过孔导体(层间连接导体)；

WA…卷绕轴；

1…天线；

9…供电电路；

10～14…线圈器件；

20…移相线路；

30、30A、30B…移相电路；

40…天线匹配电路；

41…通信电路(高频电路)；

42…基带电路；

43…应用处理器；

44…输入输出电路；

50…双工器；

51、52…高频功率放大电路(高频电路)；

100…层叠体；

200…通信装置。

具体实施方式

首先，列举本实用新型的线圈器件的几个方式。

本实用新型的第一方式的线圈器件具备绝缘基体、形成于该绝缘基体的第一输入输出端子、第二输入输出端子、共同端子、第一线圈及第二线圈。第一线圈包括绕第一卷绕轴卷绕的形状的第一线圈导体。第二线圈包括绕与所述第一卷绕轴方向平行的第二卷绕轴卷绕的形状的第二线圈导体。第一线圈包括遍及多层而形成的多个第一线圈导体，多个第一线圈导体具有一端与输入输出端子连接的输入输出端子侧第一线圈导体，第二线圈包括遍及多层而形成的多个第二线圈导体，多个第二线圈导体具有一端与输入输出端子连接的输入输出端子侧第二线圈导体。输入输出端子侧第一线圈导体在第二卷绕轴的方向上位于多个第二线圈导体中的两个第二线圈导体之间，并且，在沿第二卷绕轴的方向观察时，与两个第二线圈导体重叠。该两个第二线圈导体中的一个第二线圈导体是输入输出端子侧第二线圈导体。另外，输入输出端子侧第二线圈导体在第一卷绕轴的方向上位于多个第一线圈导体中的两个第一线圈导体之间，并且，在沿第一卷绕轴的方向观察时，与两个第一线圈导体重叠。该两个第一线圈导体中的一个第一线圈导体是输入输出端子侧第一线圈导体。

根据上述结构，第一线圈导体与第二线圈导体的对置总面积较大，因此，能够容易地增大产生在第一线圈与第二线圈之间的电容。因此，得到线圈器件的阻抗调整所需的电容。

在本实用新型的第二方式的线圈器件中，两个第一线圈导体中的与输入输出端子侧第一线圈导体不同的另一个第一线圈导体是一端与共同端子连接的共同端子侧第一线圈导体，两个第二线圈导体中的与输入输出端子侧第二线圈导体不同的另一个第二线圈导体是一端与共同端子连接的共同端子侧第二线圈导体。根据该结构，构成在第一卷绕轴方向或第二卷绕轴方向上按照共同端子侧第一线圈导体、输入输出端子侧第二线圈导体、输入输出端子侧第一线圈导体、共同端子侧第二线圈导体的顺序或者按照共同端子侧第二线圈导体、输入输出共同端子侧第一线圈导体、输入输出端子侧第二线圈导体、共同端子侧第二线圈导体的顺序配置的线圈器件。

在本实用新型的第三方式的线圈器件中，多个第一线圈导体包括：一端与共同端子连接的共同端子侧第一线圈导体；以及在第一卷绕轴的方向上被输入输出端子侧第一线圈导体和共同端子侧第一线圈导体夹着的中间第一线圈导体，两个第一线圈导体中的与输入输出端子侧第一线圈导体不同的另一个第一线圈导体是中间第一线圈导体。另外，多个第二线圈导体包括：一端与共同端子连接的共同端子侧第二线圈导体；以及在第二卷绕轴的方向上被输入输出端子侧第二线圈导体和共同端子侧第二线圈导体夹着的中间第二线圈导体，两个第二线圈导体中的与输入输出端子侧第二线圈导体不同的另一个第二线圈导体是中间第二线圈导体。根据该结构，构成在第一卷绕轴方向或第二卷绕轴方向上按照共同端子侧第一线圈导体、中间第一线圈导体、输入输出端子侧第二线圈导体、输入输出端子侧第一线圈导体、中间第二线圈导体、共同端子侧第二线圈导体的顺序或者按照共同端子侧第二线圈导体、中间第二线圈导体、输入输出端子侧第一线圈导体、输入输出端子侧第二线圈导体、中间第一线圈导体、共同端子侧第一线圈导体的顺序配置的线圈器件。

在本实用新型的第四方式的线圈器件中，输入输出端子侧第一线圈导体的线宽具有比共同端子侧第一线圈导体的线宽粗的部分，输入输出端子侧第二线圈导体的线宽具有比共同端子侧第二线圈导体的线宽粗的部分。根据该结构，产生在第一线圈导体与第二线圈导体之间的电容有效地变高。

在本实用新型的第五方式的线圈器件中，输入输出端子侧第一线圈导体的匝数比共同端子侧第一线圈导体的匝数多，输入输出端子侧第二线圈导体的匝数比共同端子侧第二线圈导体的匝数多。根据该结构，产生在第一线圈导体与第二线圈导体之间的电容有效地变高。

在本实用新型的第六方式的线圈器件中，输入输出端子侧第一线圈导体的匝数比1多，与输入输出端子侧第一线圈导体连接的层间连接导体位于输入输出端子侧第二线圈导体的线圈开口内。另外，输入输出端子侧第二线圈导体的匝数比1多，与输入输出端子侧第二线圈导体连接的层间连接导体位于输入输出端子侧第一线圈导体的线圈开口内。根据该结构，与层间连接导体处于线圈开口的外侧的构造相比，抑制了对磁场耦合不起作用的线圈导体的比例(线圈导体所产生的磁通难以泄漏到外部)，其结果是，实现了低损耗化及小型化。

本实用新型的第七方式的移相电路具备上述线圈器件、以及与上述线圈器件串联连接的移相量小于90°的移相线路。

本实用新型的第八方式的通信装置具备收发电路、以及与该收发电路连接的天线，在收发电路与天线之间具备上述线圈器件或移相电路。

本实用新型的第九方式的通信装置具备收发电路、以及与该收发电路连接的双工器，在收发电路与双工器之间具备上述线圈器件或移相电路。

下面，参照附图并举出几个具体例来示出用于实施本实用新型的多个方式。在各图中对相同部位标注相同的标记。考虑到要点的说明或理解的容易性，为了方便说明将实施方式分为多个实施方式来示出，但能够进行不同实施方式所示的结构的局部置换或组合。在第二实施方式以后，省略针对与第一实施方式共同的事项的记述，仅对不同点进行说明。尤其是针对由同样的结构带来的同样的作用效果，并不在每个实施方式中逐次提及。

《第一实施方式》

图1是第一实施方式的线圈器件11的电路图。线圈器件11具备第一输入输出端子T1、第二输入输出端子T2、共同端子COM、第一线圈L1、以及第二线圈L2。第一线圈L1与第二线圈L2磁场耦合。由该第一线圈 L1和第二线圈L2构成变压器。

在第一线圈L1与第二线圈L2之间设置有输入输出间电容器C12。

图2(A)、图2(B)是上述变压器的等效电路图。变压器的等效电路能够以几个形式表现。在图2(A)的表现中，由理想变压器IT、与该理想变压器IT的初级侧串联连接的电感器La、与初级侧并联连接的电感器 Lb、以及与次级侧串联连接的电感器Lc表示。

在图2(B)的表现中，由理想变压器IT、与该理想变压器IT的初级侧串联连接的两个电感器La、Lc1、以及与理想变压器IT的初级侧并联连接的电感器Lb表示。

这里，在将变压器的变压比表示为1：√(L2/L1)、将第一线圈L1 与第二线圈L2(参照图1)的耦合系数表示为k、将第一线圈L1的电感表示为L1、将第二线圈L2的电感表示为L2时，上述电感器La、Lb、Lc、 Lc1的电感处于如下的关系。

La：L1(1-k)

Lb：k*L1

Lc：L2(1-k)

Lc1：L1(1-k)

理想变压器IT的变压比是第一线圈L1与第二线圈L2的匝数比。

总之，上述变压器伴随着第一线圈L1与第二线圈L2的耦合系数k小于1，除了产生并联电感(励磁电感)成分以外，还产生串联电感(漏感) 成分。

图3是本实施方式的线圈器件11的外观立体图，图4是线圈器件11 的各基材的俯视图。图5是图4的局部放大图。另外，图6是线圈器件11 的纵向剖视图。

线圈器件11具备多个绝缘性的基材S1～S8。通过这些基材S1～S8 的层叠而构成层叠体100(相当于绝缘基体)。在基材S1～S8的层叠压接前的状态下是由绝缘性片材例如LTCC(LowTemperature Co-fired Ceramics：低温共烧陶瓷)等构成的非磁性陶瓷等陶瓷生片。在基材S1～ S8形成有各种导体图案。在“各种导体图案”中，不仅包括形成于基材的表面的导体图案，还包括层间连接导体。这里，“层间连接导体”不仅包括过孔导体，还包括形成于层叠体100的端面的端面电极。

上述各种导体图案由以Ag、Cu为主成分的电阻率较小的导体材料构成。如果基材层为陶瓷，则例如通过以Ag、Cu为主成分的导电性糊剂的丝网印刷及烧成而形成。

在基材S1～S8为陶瓷生片的情况下，通过层叠这些基材S1～S8并进行烧成而形成陶瓷母基板，通过对该陶瓷母基板进行分割而得到多个层叠体100。然后，通过在层叠体100的外表面形成端面电极而构成线圈器件 11。

基材S8的下表面相当于层叠体100的下表面(线圈器件11的安装面)。在从基材S1的上表面经由基材S2～S7到基材S8的下表面的范围内，形成有第一输入输出端子T1、第二输入输出端子T2、作为共同端子的接地端子GND、以及空闲端子NC。

在基材S2、S3、S5分别形成有共同端子侧第一线圈导体LC1、中间第一线圈导体LM1、输入输出端子侧第一线圈导体LP1。在基材S2、S3、 S4分别形成有过孔导体V1A、V1B、V1C。共同端子侧第一线圈导体LC1 的第一端与接地端子GND连接。共同端子侧第一线圈导体LC1的第二端经由过孔导体V1A而与中间第一线圈导体LM1的第一端连接。中间第一线圈导体LM1的第二端经由过孔导体V1B、V1C而与输入输出端子侧第一线圈导体LP1的第一端连接。输入输出端子侧第一线圈导体LP1的第二端与第一输入输出端子T1连接。

上述共同端子侧第一线圈导体LC1、中间第一线圈导体LM1、输入输出端子侧第一线圈导体LP1及过孔导体V1A、V1B、V1C相当于本实用新型中的“第一线圈导体”。由该第一线圈导体构成第一线圈L1。

在基材S7、S6、S4分别形成共同端子侧第二线圈导体LC2、中间第二线圈导体LM2、输入输出端子侧第二线圈导体LP2。在基材S6、S5、 S4分别形成有过孔导体V2A、V2B、V2C。共同端子侧第二线圈导体LC2 的第一端与接地端子GND连接。共同端子侧第二线圈导体LC2的第二端经由过孔导体V2A而与中间第二线圈导体LM2的第一端连接。中间第二线圈导体LM2的第二端经由过孔导体V2B、V2C而与输入输出端子侧第二线圈导体LP2的第一端连接。输入输出端子侧第二线圈导体LP2的第二端与第二输入输出端子T2连接。

上述共同端子侧第二线圈导体LC2、中间第二线圈导体LM2、输入输出端子侧第二线圈导体LP2及过孔导体V2A、V2B、V2C相当于本实用新型中的“第二线圈导体”。由该第二线圈导体构成第二线圈L2。

如图4、图6所示，第一线圈导体、第二线圈导体均具有绕卷绕轴WA 卷绕的形状，第一线圈L1、第二线圈L2的线圈导体的卷绕轴方向在图4、图6所示的轴中均是Z轴方向。卷绕轴WA对应于本实用新型的“第一卷绕轴”及“第二卷绕轴”。在本实施方式中，第一线圈导体的卷绕轴(第一卷绕轴)与第二线圈导体的卷绕轴(第二卷绕轴)一致。另外，第一线圈导体的卷绕轴(第一卷绕轴)与第二线圈导体的卷绕轴(第二卷绕轴) 也可以不一致，还可以仅仅相互平行。在本申请中，“平行”也包括“一致”。但是，在“平行”的情况下，第一线圈导体的线圈开口与第二线圈导体的线圈开口在从卷绕轴方向观察时重叠。

这样，第一线圈导体具有一端与接地端子GND连接的共同端子侧第一线圈导体LC1、中间第一线圈导体LM1、以及一端与第一输入输出端子 T1连接的输入输出端子侧第一线圈导体LP1。

同样地，第二线圈导体具有一端与接地端子GND连接的共同端子侧第二线圈导体LC2、中间第二线圈导体LM2、以及一端与第二输入输出端子T2连接的输入输出端子侧第二线圈导体LP2。

另外，上述绝缘性的基材不限于LTCC，也可以反复通过丝网印刷涂敷以玻璃为主成分的绝缘糊剂而形成。在该情况下，通过光刻工序，在该基材形成上述各种导体图案。

下面，列举第一线圈导体及第二线圈导体的特征性的结构。

[各线圈导体图案的层叠方向上的位置关系]

在第一线圈L1的卷绕轴方向(基材的层叠方向)上，输入输出端子侧第一线圈导体LP1位于中间第二线圈导体LM2与输入输出端子侧第二线圈导体LP2之间。

同样地，在第二线圈L2的卷绕轴方向(基材的层叠方向)上，输入输出端子侧第二线圈导体LP2位于中间第一线圈导体LM1与输入输出端子侧第一线圈导体LP1之间。

这样，作为第一线圈L1的构成要素的第一线圈导体的一部分和作为第二线圈L2的构成要素的第二线圈导体的一部分成为相互被对方侧的线圈导体夹着的关系。由此，第一线圈导体与第二线圈导体的对置总面积变大。换言之，第一线圈导体与第二线圈导体的对置总面积是从层叠方向观察时第一线圈导体与第二线圈导体相互重叠的部分的面积。由此，能够容易地增大产生在第一线圈L1与第二线圈L2之间的电容，得到线圈器件 11的阻抗调整所需的电容。另外，中间第一线圈导体、中间第二线圈导体也可以根据所希望的电感值而采用多层。

[各线圈导体图案的线宽]

输入输出端子侧第一线圈导体LP1的线宽具有比共同端子侧第一线圈导体LC1、中间第一线圈导体LM1的线宽粗的部分。在该例中，输入输出端子侧第一线圈导体LP1的线宽比共同端子侧第一线圈导体LC1的线宽粗。因此，产生在输入输出端子侧第一线圈导体LP1与输入输出端子侧第二线圈导体LP2之间的电容、以及产生在中间第一线圈导体LM1与输入输出端子侧第二线圈导体LP2之间的电容有效地变高。另外，通过共同端子侧第一线圈导体LC1的线宽比输入输出端子侧第一线圈导体LP1的线宽细，能够增大第一线圈的电感，并且，能够抑制设计者的意料外的寄生电容，因此，得到所希望的电感值。

同样地，输入输出端子侧第二线圈导体LP2的线宽具有比共同端子侧第二线圈导体LC2、中间第二线圈导体LM2的线宽粗的部分。在该例中，输入输出端子侧第二线圈导体LP2的线宽比共同端子侧第二线圈导体LC2 的线宽粗。因此，产生在输入输出端子侧第二线圈导体LP2与输入输出端子侧第一线圈导体LP1之间的电容、以及产生在中间第二线圈导体LM2 与输入输出端子侧第一线圈导体LP1之间的电容有效地变高。另外，通过共同端子侧第二线圈导体LC2的线宽比输入输出端子侧第二线圈导体LP2 的线宽细，能够增大第二线圈的电感，并且，能够抑制设计者的意料外的寄生电容，因此，得到所希望的电感值。

[各线圈导体图案的匝数]

输入输出端子侧第一线圈导体LP1的匝数比共同端子侧第一线圈导体 LC1的匝数多。在图4所示的例子中，输入输出端子侧第一线圈导体LP1 的匝数约为2匝，共同端子侧第一线圈导体LC1的匝数约为0.75匝。因此，产生在输入输出端子侧第一线圈导体LP1与输入输出端子侧第二线圈导体LP2之间的电容有效地变高。

同样地，输入输出端子侧第二线圈导体LP2的匝数比共同端子侧第二线圈导体LC2的匝数多。在图4所示的例子中，输入输出端子侧第二线圈导体LP2的匝数约为2匝，共同端子侧第二线圈导体LC2的匝数约为0.75 匝。因此，产生在输入输出端子侧第二线圈导体LP2与输入输出端子侧第一线圈导体LP1之间的电容有效地变高。

需要说明的是，中间第一线圈导体LM1的匝数比输入输出端子侧第一线圈导体LP1的匝数少，比共同端子侧第一线圈导体LC1的匝数多。同样地，中间第二线圈导体LM2的匝数比输入输出端子侧第二线圈导体 LP2的匝数少，比共同端子侧第二线圈导体LC2的匝数多。

形成于各基材的第一线圈导体图案中的输入输出端子侧第一线圈导体LP1的匝数最多，共同端子侧第一线圈导体LC1的匝数最少。同样地，形成于各基材的第二线圈导体图案中的输入输出端子侧第二线圈导体LP2 的匝数最多，共同端子侧第二线圈导体LC2的匝数最少。

[连接线圈导体图案的过孔导体的位置]

输入输出端子侧第一线圈导体LP1的匝数比1多，与输入输出端子侧第一线圈导体LP1连接的过孔导体V1C位于输入输出端子侧第二线圈导体LP2的线圈开口CA2内(参照图5)。根据该结构，与过孔导体V1C处于线圈开口的外侧的构造相比，能够将输入输出端子侧第一线圈导体LP1 和输入输出端子侧第二线圈导体LP2卷绕得比较大，因此，电感值的设计自由度变高。另外，在过孔导体处于线圈开口的外侧的情况下，从过孔导体产生的磁通扩展到线圈器件的外部，因此，该磁通容易与配置于周围的其他器件耦合。在该情况下，线圈器件与其他器件有时干扰，彼此的特性发生变化。但是，如上述结构那样在过孔导体配置在线圈开口内且配置在比线圈器件靠中心侧的情况下，磁通难以泄漏到线圈器件的外部，能够抑制与其他器件的干扰及特性变化。此外，在具有多个过孔导体的情况下，通过将它们配置在线圈开口内，容易将过孔导体彼此靠近配置，能够提高磁场耦合及电容耦合。

同样地，输入输出端子侧第二线圈导体LP2的匝数比1多，与输入输出端子侧第二线圈导体LP2连接的过孔导体V2B位于输入输出端子侧第一线圈导体LP1的线圈开口CA1内(参照图5)。根据该结构，与过孔导体V2B处于线圈开口的外侧的构造相比，抑制了对磁场耦合没有作用的线圈导体的比例(由线圈导体产生的磁通难以泄漏到外部)，其结果是，实现了低损耗化及小型化。

需要说明的是，层叠体100的各基材层也可以是由聚酰亚胺或液晶聚合物等树脂材料构成的树脂层叠体、由以玻璃为主成分的绝缘糊剂构成的层叠体。这样，由于基材层为非磁性体(不是磁性铁氧体)，因此，即便是超过700MHz的高频带，也能够用作规定电感、规定耦合系数的变压器及移相器。

如果基材层为树脂，则例如通过蚀刻等将A1箔、Cu箔等金属箔图案化，由此形成上述导体图案及层间连接导体。另外，在基材层由以玻璃为主成分的绝缘糊剂构成的情况下，通过使用了感光性导电糊剂的光刻工序，形成上述的各种导体图案。

图7(A)是示出本实施方式的线圈器件11的移相量的频率特性的图。在该图中，横轴是频率，纵轴是移相量。移相量以±180°的范围表示。在该例中，标记m1示出频率1GHz处的移相量，标记m2示出频率1.9GHz 处的移相量。在图7(A)的表记中，在移相量为负的情况下，读取值的绝对值为移相量，在移相量为正的情况下，从读取值减去360°而得到的值的绝对值为移相量。即，移相量在1GHz处为|170°-360°|＝190°，在1.9GHz处为|130°-360°|＝230°。

这样，即便频率相差约2倍，移相量也仅成为约40°，维持相同程度的移相量的大小。

图7(B)是示出本实施方式的线圈器件11的插入损耗的频率特性的图。在频率1GHz处约为-1dB，在频率1.9GHz处约为0dB，得到低插入损耗特性。在该例中，相较于频率1GHz，在频率1.9GHz处，插入损耗进一步下降是因为，不经由第一线圈L1及第二线圈L2所形成的变压器而直接通过输入输出间电容器C12的信号成分增大。

《第二实施方式》

在第二实施方式中，示出输入输出端子侧线圈导体为多层的线圈器件的例子。

图8是第二实施方式的线圈器件12的各基材的俯视图。线圈器件12 具备多个绝缘性的基材S1～S8。

基材S8的下表面相当于线圈器件12的安装面。在基材S8形成有第一输入输出端子T1、第二输入输出端子T2、作为共同端子的接地端子 GND、以及空闲端子NC。

在基材S7、S6、S4分别形成有共同端子侧第二线圈导体LC2、中间第二线圈导体LM2、输入输出端子侧第二线圈导体LP2。在基材S6、S5、 S4形成有过孔导体V2A、V2B、V2C。共同端子侧第二线圈导体LC2的第一端与接地端子GND连接。共同端子侧第二线圈导体LC2的第二端经由过孔导体V2A而与中间第二线圈导体LM2的第一端连接。中间第二线圈导体LM2的第二端经由过孔导体V2B、V2C而与输入输出端子侧第二线圈导体LP2的第一端连接。输入输出端子侧第二线圈导体LP2的第二端与第二输入输出端子T2连接。

上述共同端子侧第二线圈导体LC2、中间第二线圈导体LM2、输入输出端子侧第二线圈导体LP2及过孔导体V2A、V2B、V2C相当于本实用新型中的“第二线圈导体”。由该第二线圈导体构成第二线圈L2。另外，中间第一线圈导体LM1、中间第二线圈导体LM2不限于此，也可以根据所希望的电感而采用多层。

线圈器件的其他结构如第一实施方式所示。在本实施方式的线圈器件 12中，靠近输入输出端子侧第一线圈导体LP1的中间第一线圈导体LM1 和靠近输入输出端子侧第二线圈导体LP2的中间第二线圈导体LM2的匝数都成为1以上。

根据本实施方式，与第一实施方式所示的例子相比，第一线圈导体与第二线圈导体的对置总面积变得更加大，因此，能够进一步增大产生在第一线圈L1与第二线圈L2之间的电容。

《第三实施方式》

在第三实施方式中，示出共同端子侧线圈导体及输入输出端子侧线圈导体均为一层的线圈器件的例子。

图9是第三实施方式的线圈器件13的各基材的俯视图。线圈器件13 具备多个绝缘性的基材S1～S6。

基材S8的下表面相当于线圈器件13的安装面。在基材S8形成有第一输入输出端子T1、第二输入输出端子T2、作为共同端子的接地端子 GND、以及空闲端子NC。

在基材S2、S4分别形成有共同端子侧第一线圈导体LC1、输入输出端子侧第一线圈导体LP1。在基材S2、S3分别形成有过孔导体V1B、V1C。共同端子侧第一线圈导体LC1的第一端与接地端子GND连接。共同端子侧第一线圈导体LC1的第二端经由过孔导体V1B、V1C而与输入输出端子侧第一线圈导体LP1的第一端连接。输入输出端子侧第一线圈导体LP1 的第二端与第一输入输出端子T1连接。

上述共同端子侧第一线圈导体LC1、输入输出端子侧第一线圈导体 LP1及过孔导体V1B、V1C相当于本实用新型中的“第一线圈导体”。由该第一线圈导体构成第一线圈L1。

在基材S5、S3分别形成有共同端子侧第二线圈导体LC2、输入输出端子侧第二线圈导体LP2。在基材S4、S3分别形成有过孔导体V2B、V2C。共同端子侧第二线圈导体LC2的第一端与接地端子GND连接。共同端子侧第二线圈导体LC2的第二端经由过孔导体V2B、V2C而与输入输出端子侧第二线圈导体LP2的第一端连接。输入输出端子侧第二线圈导体LP2 的第二端与第二输入输出端子T2连接。

上述共同端子侧第二线圈导体LC2、输入输出端子侧第二线圈导体 LP2及过孔导体V2B、V2C相当于本实用新型中的“第二线圈导体”。由该第二线圈导体构成第二线圈L2。

线圈器件的其他结构如第一实施方式、第二实施方式所示。在本实施方式中，不存在形成相当于中间第一线圈导体、中间第二线圈导体的线圈导体的基材、以及形成中间第一线圈导体、中间第二线圈导体的基材。在第一线圈导体及第二线圈导体所需的匝数较少的情况下，这样，线圈导体的层数、基材的层数也可以较少。即便在该例的情况下，也优选输入输出端子侧第一线圈导体LP1的线宽比共同端子侧第一线圈导体LC1的线宽粗。换言之，优选共同端子侧第一线圈导体LC1的线宽比输入输出端子侧第一线圈导体LP1的线宽细。同样地，优选输入输出端子侧第二线圈导体 LP2的线宽比共同端子侧第二线圈导体LC2的线宽粗。换言之，优选共同端子侧第二线圈导体LC2的线宽比输入输出端子侧第二线圈导体LP2的线宽细。由此，能够提高第一线圈L1与第二线圈L2的输入输出之间的电容，并且抑制第一线圈L1自身的寄生电容及第二线圈L2自身的寄生电容。

《第四实施方式》

在第四实施方式中，示出具备阻抗匹配电路的线圈器件的例子。

图10是第四实施方式的线圈器件14的电路图。该线圈器件14具备第一线圈L1、第二线圈L2、第一电容器C1、第二电容器C2及输入输出间电容器C12。

第一线圈L1和第二线圈L2构成相互磁场耦合的变压器。

第一电容器C1与第一线圈L1并联连接，第二电容器C2与第二线圈 L2并联连接。由此，第一电容器C1及第二电容器C2作为线圈器件14的输入输出部的阻抗匹配电路发挥作用。

第一线圈导体图案及第二线圈导体图案的结构与第一实施方式、第二实施方式、第三实施方式所示的结构基本上相同。

第一电容器C1由在第一线圈导体图案的层间及线间寄生产生的电容构成。同样地，第二电容器C2由在第二线圈导体图案的层间及线间寄生产生的电容构成。

《第五实施方式》

在第五实施方式中，示出移相电路的例子。

图11(A)、图11(B)是示出第五实施方式的移相电路30A、30B的结构的框图。移相电路30A、30B连接在供电电路9与天线1之间。移相电路30A包括线圈器件10、以及与线圈器件10串联连接的移相线路20。另外，移相电路30B包括移相线路20、以及与移相线路20串联连接的线圈器件10。线圈器件10的基本结构与第一实施方式～第四实施方式所示的线圈器件11～14相同。移相线路20是小于移相量90°的移相线路。

移相电路30A、30B使输入输出端子之间具有将线圈器件10的移相量和移相线路20的移相量相加得到的相位角的相位差。

这样，通过附加移相线路20，能够进行大幅超过180°的移相，能够利用线圈器件10的移相量对整体的移相量进行微调整。

需要说明的是，也可以将移相线路20与线圈器件10一体地设置，将移相电路30A、30B构成为单一的部件。另外，在图11(A)、图11(B) 中，也可以在移相电路30A、30B与天线1之间设置天线匹配电路。另外，移相线路20也可以提高决定传输线路(50Ω线路)的电气长度来设定移相量，还可以通过附加电感器、电容器等集总元件或LC电路来调整移相量。

《第六实施方式》

在第六实施方式中示出通信装置的例子。图12是第六实施方式的通信装置200的框图。本实施方式的通信装置200具备天线1、天线匹配电路40、移相电路30、通信电路41、基带电路42、应用处理器(APU)43 及输入输出电路44。通信电路41具备针对低频段(700MHz～1.0GHz) 和高频段(1.4GHz～2.7GHz)的发送电路TX及接收电路RX、以及天线共用器。天线1是与低频段和高频段对应的单级天线或倒F型天线。通信电路41相当于本实用新型中的“收发电路”。

上述构成要素收纳在1个壳体内。例如，天线匹配电路40、移相电路 30、通信电路41、基带电路42、应用处理器43安装于印刷布线板，印刷布线板收纳在壳体内。输入输出电路44作为显示/触摸面板而组装在壳体内。天线1安装于印刷布线板或者配置于壳体的内表面或内部。

移相电路30不对高频段的匹配造成影响，使低频段的信号大幅移相，由此，能够通过天线匹配电路40容易地实现天线匹配。由此，得到具备遍及宽频带而匹配的天线的通信装置。

需要说明的是，如图12所示，移相电路30除了向多频段的通信信号路径插入的结构以外，例如也可以应用于低频段(700MHz～1.0GHz)及高频段(1.4GHz～2.7GHz)的一个线路。

《第七实施方式》

在第七实施方式中示出通信装置的另一例。图13是第七实施方式的通信装置的局部电路图。本实施方式的通信装置具备天线1、双工器50、高频功率放大电路51、52及移相电路30。在高频功率放大电路51的输入部连接有高频段用的发送电路，在高频功率放大电路52的输入部连接有低频段用的发送电路。高频功率放大电路51、52相当于本实用新型中的“收发电路”。

移相电路30移相使高频功率放大电路52的输出端从高频功率放大电路51的输出端看起来等效开路或者使高频功率放大电路51的输出端从高频功率放大电路52的输出端看起来等效开路的移相量。

这样，能够确保高频功率放大电路51与高频功率放大电路52的隔离度。

最后，上述实施方式的说明在所有方面是例示，并非是限制性的内容。对本领域技术人员来说能够适当进行变形及变更。本实用新型的范围由权利要求书示出，而非上述实施方式。此外，在本实用新型的范围内包含与权利要求书同等的范围内的从实施方式的变更。

例如，在以上所示的各实施方式中，示出构成第一线圈导体的导体图案和构成第二线圈导体的导体图案由相互处于线对称关系的导体图案构成的例子，但对称性并不是必须的。

另外，第一线圈导体的卷绕轴(第一卷绕轴)与第二线圈导体的卷绕轴(第二卷绕轴)不必一致，只要为如下关系即可：“第一卷绕轴”与“第二卷绕轴”是平行的，输入输出端子侧第一线圈导体在第二卷绕轴的方向位于两个第二线圈导体之间，并且在沿第二卷绕轴的方向观察时与两个第二线圈导体重叠，输入输出端子侧第二线圈导体在第一卷绕轴的方向上位于两个第一线圈导体之间，并且在沿第一卷绕轴的方向观察时与两个第一线圈导体重叠。

另外，在以上所示的各实施方式中，示出了第一线圈L1与第二线圈 L2的电感比为1∶1的例子，但也可以为除此以外的电感比。

Claims

1.一种线圈器件，其特征在于，

所述线圈器件具备：

绝缘基体；以及

所述两个第一线圈导体中的一个第一线圈导体是所述输入输出端子侧第一线圈导体，

所述两个第一线圈导体中的与所述输入输出端子侧第一线圈导体不同的另一个第一线圈导体是一端与所述共同端子连接的共同端子侧第一线圈导体，

所述两个第二线圈导体中的与所述输入输出端子侧第二线圈导体不同的另一个第二线圈导体是一端与所述共同端子连接的共同端子侧第二线圈导体。

2.根据权利要求1所述的线圈器件，其特征在于，

所述多个第一线圈导体包括：一端与所述共同端子连接的共同端子侧第一线圈导体；以及在所述第一卷绕轴的方向上被所述输入输出端子侧第一线圈导体和所述共同端子侧第一线圈导体夹着的中间第一线圈导体，

所述两个第一线圈导体中的与所述输入输出端子侧第一线圈导体不同的另一个第一线圈导体是所述中间第一线圈导体，

所述多个第二线圈导体包括：一端与所述共同端子连接的共同端子侧第二线圈导体；以及在所述第二卷绕轴的方向上被所述输入输出端子侧第二线圈导体和所述共同端子侧第二线圈导体夹着的中间第二线圈导体，

所述两个第二线圈导体中的与所述输入输出端子侧第二线圈导体不同的另一个第二线圈导体是所述中间第二线圈导体。

3.根据权利要求1或2所述的线圈器件，其特征在于，

所述输入输出端子侧第一线圈导体的线宽具有比所述共同端子侧第一线圈导体的线宽粗的部分，所述输入输出端子侧第二线圈导体的线宽具有比所述共同端子侧第二线圈导体的线宽粗的部分。

4.根据权利要求1或2所述的线圈器件，其特征在于，

所述输入输出端子侧第一线圈导体的匝数比所述共同端子侧第一线圈导体的匝数多，所述输入输出端子侧第二线圈导体的匝数比所述共同端子侧第二线圈导体的匝数多。

5.根据权利要求1或2所述的线圈器件，其特征在于，

所述输入输出端子侧第一线圈导体的匝数比1多，

与所述输入输出端子侧第一线圈导体连接的层间连接导体位于所述输入输出端子侧第二线圈导体的线圈开口内，

所述输入输出端子侧第二线圈导体的匝数比1多，

与所述输入输出端子侧第二线圈导体连接的层间连接导体位于所述输入输出端子侧第一线圈导体的线圈开口内。

6.一种移相电路，其特征在于，

所述移相电路具备：

权利要求1至5中任一项所述的线圈器件；以及

与所述线圈器件串联连接且移相量小于90°的移相线路。

7.一种通信装置，具备收发电路以及与所述收发电路连接的天线，其特征在于，

在所述收发电路与所述天线之间，具备权利要求1至5中任一项所述的线圈器件或权利要求6所述的移相电路。

8.一种通信装置，具备收发电路以及与所述收发电路连接的双工器，其特征在于，

在所述收发电路与所述双工器之间，具备权利要求1至5中任一项所述的线圈器件或权利要求6所述的移相电路。