JP6904497B2 - コイルデバイス、移相回路及び通信装置 - Google Patents

Description

本発明は、移相特性を有するコイルデバイス、それを備える移相回路、及びこのコイルデバイス又は移相回路を備える通信装置に関する。

特許文献１には、互いに磁界結合する第１コイル及び第２コイルを有するトランスと、第１コイルと第２コイルとの間に接続されるキャパシタと、を備えたコイルデバイスが示されている。

特許文献１に示される構造によれば、小型化、低損失化、移相量の周波数依存性低減等に有利な、コイルデバイス、移相回路及び通信装置が得られる。

国際公開第２０１６／１１４１８１号

特許文献１に記載のコイルデバイスでは、第１コイルと第２コイルとの間に接続されるキャパシタはトランスのインピーダンスを調整するインピーダンス調整用回路として作用する。しかし、このキャパシタを、第１コイルと第２コイルとの間に寄生的に生じる容量だけで構成すると、インピーダンス調整のために必要な容量が得られない場合がある。その場合には、インピーダンスを適切に調整するために、第１コイル及び第２コイル以外の導体パターン（例えば面状に拡がって互いに対向する面状導体パターン）を特別に形成する必要がある。ところが、このような面状導体パターンを第１コイル及び第２コイルと共にコイルデバイス内に配置すると、第１コイル及び第２コイルが発生する磁界が面状導体パターンによって妨げられるので、励磁インダクタンスの低下、第１コイル−第２コイル間の磁界結合係数の低下、といった課題が生じる。そして、必要な励磁インダクタンスや磁界結合係数を得るために、第１コイル及び第２コイルの巻回数を増やすと損失の増大、大型化（積層数の増加）といった新たな課題が生じる。

そこで、本発明の目的は、コイル巻回数の増加による損失の増大や大型化を避け、インピーダンス調整のために必要なキャパシタを有するコイルデバイス、それを備える移相回路、及びこのコイルデバイス又は移相回路を備える通信装置を提供することにある。

本開示の一例としてのコイルデバイスは、
絶縁基体と、
それぞれ前記絶縁基体に形成された、第１入出力端子、第２入出力端子、共通端子、第１コイル及び第２コイルと、
を備え、
前記第１コイルは、第１巻回軸まわりに巻回された形状の第１コイル導体で構成され、
前記第２コイルは、前記第１巻回軸方向に平行な第２巻回軸まわりに巻回された形状の第２コイル導体で構成され、
前記第１コイルは、複数層に亘って形成された複数の第１コイル導体で構成され、前記複数の第１コイル導体は、一端が入出力端子に接続された、入出力端子側第１コイル導体を有し、
前記第２コイルは、複数層に亘って形成された複数の第２コイル導体で構成され、前記複数の第２コイル導体は、一端が入出力端子に接続された、入出力端子側第２コイル導体を有し、
前記入出力端子側第１コイル導体は、前記第２巻回軸の方向において、前記複数の第２コイル導体のうち２つの第２コイル導体の間に位置し、かつ前記第２巻回軸の方向に視て、前記２つの第２コイル導体に重なり、
前記２つの第２コイル導体のうち、一方は前記入出力端子側第２コイル導体であり、
前記入出力端子側第２コイル導体は、前記第１巻回軸の方向において、前記複数の第１コイル導体のうち２つの第１コイル導体の間に位置し、かつ前記第１巻回軸の方向に視て、前記２つの第１コイル導体に重なり、
前記２つの第１コイル導体のうち、一方は前記入出力端子側第１コイル導体である、
ことを特徴とする。

本発明によれば、コイル巻回数の増加による損失の増大や大型化が無く、インピーダンス調整のために必要な容量を有するコイルデバイス、それを備える移相回路、及びこのコイルデバイス又は移相回路を備える通信装置が得られる。

図１は第１の実施形態に係るコイルデバイス１１の回路図である。 図２（Ａ）、図２（Ｂ）は、コイルデバイス１１におけるトランスの等価回路図である。 図３はコイルデバイス１１の外観斜視図である。 図４はコイルデバイス１１の各基材の平面図である。 図５は図４の一部の拡大図である。 図６はコイルデバイス１１の縦断面図である。 図７（Ａ）はコイルデバイス１１の移相量の周波数特性を示す図である。図７（Ｂ）はコイルデバイス１１の挿入損失の周波数特性を示す図である。 図８は第２の実施形態に係るコイルデバイス１２の各基材の平面図である。 図９は第３の実施形態に係るコイルデバイス１３の各基材の平面図である。 図１０は第４の実施形態に係るコイルデバイス１４の回路図である。 図１１（Ａ）、図１１（Ｂ）は第５の実施形態に係る移相回路３０Ａ，３０Ｂの構成を示すブロック図である。 図１２は第６の実施形態に係る通信装置２００のブロック図である。 図１３は第７の実施形態に係る通信装置の一部の回路図である。

まず、本発明に係るコイルデバイスにおける幾つかの態様について列挙する。

本発明に係る第１の態様のコイルデバイスは、絶縁基体と、この絶縁基体に形成された、第１入出力端子、第２入出力端子、共通端子、第１コイル及び第２コイルと、を備える。第１コイルは、第１巻回軸まわりに巻回された形状の第１コイル導体で構成される。第２コイルは、前記第１巻回軸方向に平行な第２巻回軸まわりに巻回された形状の第２コイル導体で構成される。第１コイルは、複数層に亘って形成された複数の第１コイル導体で構成され、複数の第１コイル導体は、一端が入出力端子に接続された、入出力端子側第１コイル導体を有し、第２コイルは、複数層に亘って形成された複数の第２コイル導体で構成され、複数の第２コイル導体は、一端が入出力端子に接続された、入出力端子側第２コイル導体を有する。入出力端子側第１コイル導体は、第２巻回軸の方向において、複数の第２コイル導体のうち２つの第２コイル導体の間に位置し、かつ第２巻回軸の方向に視て、２つの第２コイル導体に重なる。この２つの第２コイル導体のうち、一方は入出力端子側第２コイル導体である。また、入出力端子側第２コイル導体は、第１巻回軸の方向において、複数の第１コイル導体のうち２つの第１コイル導体の間に位置し、かつ第１巻回軸の方向に視て、２つの第１コイル導体に重なる。この２つの第１コイル導体のうち、一方は入出力端子側第１コイル導体である。

上記構成によれば、第１コイル導体と第２コイル導体との対向総面積が大きいので、第１コイルと第２コイルとの間に生じる容量を容易に大きくできる。そのため、コイルデバイスのインピーダンス調整のために必要な容量が得られる。

本発明に係る第２の態様のコイルデバイスでは、２つの第１コイル導体のうち入出力端子側第１コイル導体とは異なる他方は、一端が共通端子に接続された共通端子側第１コイル導体であり、２つの第２コイル導体のうち入出力端子側第２コイル導体とは異なる他方は、一端が共通端子に接続された共通端子側第２コイル導体である。この構成によれば、第１巻回軸方向又は第２巻回軸方向に、共通端子側第１コイル導体、入出力端子側第２コイル導体、入出力端子側第１コイル導体、共通端子側第２コイル導体の順、または、共通端子側第２コイル導体、入出力共通端子側第１コイル導体、入出力端子側第２コイル導体、共通端子側第２コイル導体の順に配置されたコイルデバイスが構成される。

本発明に係る第３の態様のコイルデバイスでは、複数の第１コイル導体は、一端が共通端子に接続された共通端子側第１コイル導体と、入出力端子側第１コイル導体と共通端子側第１コイル導体とで第１巻回軸の方向に挟まれた中間第１コイル導体と、を含み、２つの第１コイル導体のうち入出力端子側第１コイル導体とは異なる他方は中間第１コイル導体である。また、複数の第２コイル導体は、一端が共通端子に接続された共通端子側第２コイル導体と、入出力端子側第２コイル導体と共通端子側第２コイル導体とで第２巻回軸の方向に挟まれた中間第２コイル導体と、を含み、２つの第２コイル導体のうち入出力端子側第２コイル導体とは異なる他方は中間第２コイル導体である。この構成によれば、第１巻回軸方向又は第２巻回軸方向に、共通端子側第１コイル導体、中間第１コイル導体、入出力端子側第２コイル導体、入出力端子側第１コイル導体、中間第２コイル導体、共通端子側第２コイル導体の順、または共通端子側第２コイル導体、中間第２コイル導体、入出力端子側第１コイル導体、入出力端子側第２コイル導体、中間第１コイル導体、共通端子側第１コイル導体の順に配置されたコイルデバイスが構成される。

本発明に係る第４の態様のコイルデバイスでは、入出力端子側第１コイル導体の線幅は共通端子側第１コイル導体の線幅よりも太い部分を有し、入出力端子側第２コイル導体の線幅は共通端子側第２コイル導体の線幅よりも太い部分を有する。この構成によれば、第１コイル導体と第２コイル導体との間に生じる容量が効果的に高まる。

本発明に係る第５の態様のコイルデバイスでは、入出力端子側第１コイル導体の巻回数は、共通端子側第１コイル導体の巻回数よりも多く、入出力端子側第２コイル導体の巻回数は、共通端子側第２コイル導体の巻回数よりも多い。この構成によれば、第１コイル導体と第２コイル導体との間に生じる容量が効果的に高まる。

本発明に係る第６の態様のコイルデバイスでは、入出力端子側第１コイル導体の巻回数は１より多く、入出力端子側第１コイル導体に接続される層間接続導体は、入出力端子側第２コイル導体のコイル開口内に位置する。また、入出力端子側第２コイル導体の巻回数は１より多く、入出力端子側第２コイル導体に接続される層間接続導体は、入出力端子側第１コイル導体のコイル開口内に位置する。この構成によれば、層間接続導体がコイル開口の外側にある構造に比べて、磁界結合に寄与しないコイル導体の割合が抑えられ（コイル導体による磁束が外部に漏れにくく）、その結果、低損失化及び小型化される。

本発明に係る第７の態様の移相回路は、上記コイルデバイスと、それに直列接続された、移相量が９０°未満の移相線路とを備える。

本発明に係る第８の態様の通信装置は、送受信回路と、この送受信回路に接続されるアンテナと、を備え、送受信回路とアンテナとの間に、上記コイルデバイス又は移相回路を備える。

本発明に係る第９の態様の通信装置は、送受信回路と、この送受信回路に接続されるダイプレクサと、を備え、送受信回路とダイプレクサとの間に、上記コイルデバイス又は移相回路を備える。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明又は理解の容易性を考慮して、実施形態を説明の便宜上、複数の実施形態に分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係るコイルデバイス１１の回路図である。コイルデバイス１１は、第１入出力端子Ｔ１と、第２入出力端子Ｔ２と、共通端子ＣＯＭと、第１コイルＬ１と、第２コイルＬ２と、を備える。第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは磁界結合する。この第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とでトランスが構成されている。

第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との間には入出力間キャパシタＣ１２が設けられている。

図２（Ａ）、図２（Ｂ）は、上記トランスの等価回路図である。トランスの等価回路は幾つかの形式で表現できる。図２（Ａ）の表現では、理想トランスＩＴと、その１次側に直列接続されたインダクタＬａと、１次側に並列接続されたインダクタＬｂと、２次側に直列接続されたインダクタＬｃとで表される。

図２（Ｂ）の表現では、理想トランスＩＴと、その１次側に直列接続された２つのインダクタＬａ，Ｌｃ１と、理想トランスＩＴの１次側に並列接続されたインダクタＬｂとで表される。

ここで、トランスのトランス比を１：√(L2 / L1)、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２（図１参照）との結合係数をk、第１コイルＬ１のインダクタンスをL1、第２コイルＬ２のインダクタンスをL2でそれぞれ表すと、上記インダクタＬａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｃ１のインダクタンスは次の関係にある。

Ｌａ：L1(1 - k)
Ｌｂ：k * L1
Ｌｃ：L2(1 - k)
Ｌｃ１：L1(1 - k)
理想トランスＩＴのトランス比は第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との巻回数比である。

いずれにせよ、上記トランスは、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との結合係数kが１未満であることに伴い、並列インダクタンス（励磁インダクタンス）成分以外に、直列インダクタンス（漏れインダクタンス）成分が生じる。

図３は本実施形態のコイルデバイス１１の外観斜視図であり、図４はコイルデバイス１１の各基材の平面図である。図５は図４の一部の拡大図である。また、図６はコイルデバイス１１の縦断面図である。

コイルデバイス１１は複数の絶縁性の基材Ｓ１〜Ｓ８を備えている。これら基材Ｓ１〜Ｓ８の積層により積層体１００（絶縁基体に相当）が構成されている。基材Ｓ１〜Ｓ８の積層圧着前の状態では絶縁性シート、例えば、LTCC（LowTemperature Co-fired Ceramics：低温同時焼成セラミックス）等で構成された非磁性セラミック等のセラミックグリーンシート、である。基材Ｓ１〜Ｓ８には各種導体パターンが形成されている。「各種導体パターン」には、基材の表面に形成された導体パターンだけでなく、層間接続導体を含む。ここで「層間接続導体」はビア導体だけでなく、積層体１００の端面に形成される端面電極を含む。

上記各種導体パターンは、AgやCuを主成分とする比抵抗の小さな導体材料によって構成される。基材層がセラミックであれば、例えば、AgやCuを主成分とする導電性ペーストのスクリーン印刷及び焼成により形成される。

基材Ｓ１〜Ｓ８がセラミックグリーンシートの場合は、これら基材Ｓ１〜Ｓ８を積層し、焼成することで、セラミックマザー基板を形成し、これを分割することで多数の積層体１００を得る。そして、積層体１００の外面に端面電極を形成することでコイルデバイス１１を構成する。

基材Ｓ８の下面は積層体１００の下面（コイルデバイス１１の実装面）に相当する。基材Ｓ１の上面から基材Ｓ２〜Ｓ７を介し基材Ｓ８の下面までに亘って、第１入出力端子Ｔ１、第２入出力端子Ｔ２、共通端子としてのグランド端子ＧＮＤ、及び空き端子ＮＣが形成されている。

基材Ｓ２，Ｓ３，Ｓ５には、共通端子側第１コイル導体ＬＣ１、中間第１コイル導体ＬＭ１、入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１がそれぞれ形成されている。基材Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４にはビア導体Ｖ１Ａ，Ｖ１Ｂ，Ｖ１Ｃがそれぞれ形成されている。共通端子側第１コイル導体ＬＣ１の第１端はグランド端子ＧＮＤに接続される。共通端子側第１コイル導体ＬＣ１の第２端はビア導体Ｖ１Ａを介して中間第１コイル導体ＬＭ１の第１端に接続される。共通端子側第１コイル導体ＬＣ１の第２端はビア導体Ｖ１Ｂ，Ｖ１Ｃを介して入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１の第１端に接続される。入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１の第２端は第１入出力端子Ｔ１に接続される。

上記共通端子側第１コイル導体ＬＣ１、中間第１コイル導体ＬＭ１、入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１及びビア導体Ｖ１Ａ，Ｖ１Ｂ，Ｖ１Ｃは本発明における「第１コイル導体」に相当する。この第１コイル導体によって第１コイルＬ１が構成される。

基材Ｓ７，Ｓ６，Ｓ４には、共通端子側第２コイル導体ＬＣ２、中間第２コイル導体ＬＭ２、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２がそれぞれ形成されている。基材Ｓ６，Ｓ５，Ｓ４にはビア導体Ｖ２Ａ，Ｖ２Ｂ，Ｖ２Ｃがそれぞれ形成されている。共通端子側第２コイル導体ＬＣ２の第１端はグランド端子ＧＮＤに接続される。共通端子側第２コイル導体ＬＣ２の第２端はビア導体Ｖ２Ａを介して中間第２コイル導体ＬＭ２の第１端に接続される。中間第２コイル導体ＬＭ２の第２端はビア導体Ｖ２Ｂ，Ｖ２Ｃを介して入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２の第１端に接続される。入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２の第２端は第２入出力端子Ｔ２に接続される。

上記共通端子側第２コイル導体ＬＣ２、中間第２コイル導体ＬＭ２、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２及びビア導体Ｖ２Ａ，Ｖ２Ｂ，Ｖ２Ｃは本発明における「第２コイル導体」に相当する。この第２コイル導体によって第２コイルＬ２が構成される。

図４、図６に表れているように、第１コイル導体、第２コイル導体のいずれも巻回軸ＷＡのまわりに巻回された形状を有し、第１コイルＬ１、第２コイルＬ２いずれもコイル導体の巻回軸方向は図４、図６に示す軸でＺ軸方向である。巻回軸ＷＡは本発明に係る「第１巻回軸」及び「第２巻回軸」に対応する。本実施形態においては第１コイル導体の巻回軸（第１巻回軸）と第２コイル導体の巻回軸（第２巻回軸）とは一致している。また、第１コイル導体の巻回軸（第１巻回軸）と第２コイル導体の巻回軸（第２巻回軸）とは一致していなくてもよく、互いに平行であるだけでもよい。本願において「平行」とは「一致」も含まれる。ただし、「平行」である場合には、第１コイル導体のコイル開口と、第２コイル導体のコイル開口とは、巻回軸方向から見て重なっている。

このように、第１コイル導体は、一端がグランド端子ＧＮＤに接続された共通端子側第１コイル導体ＬＣ１と、中間第１コイル導体ＬＭ１と、一端が第１入出力端子Ｔ１に接続された入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１と、を有する。

同様に、第２コイル導体は、一端がグランド端子ＧＮＤに接続された共通端子側第２コイル導体ＬＣ２と、中間第２コイル導体ＬＭ２と、一端が第２入出力端子Ｔ２に接続された入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２と、を有する。

また、上記絶縁性の基材はLTCCに限らず、ガラスを主成分とした絶縁ペーストをスクリーン印刷により塗布することを繰り返して形成してもよい。この場合、フォトリソグラフィ工程により、この基材に上記各種導体パターンを形成する。

以降、第１コイル導体及び第２コイル導体の特徴的な構成を列挙する。

［各コイル導体パターンの積層方向における位置関係］
第１コイルＬ１の巻回軸方向（基材の積層方向）において、入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１は、中間第２コイル導体ＬＭ２と入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２との間に位置する。

同様に、第２コイルＬ２の巻回軸方向（基材の積層方向）において、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２は、中間第１コイル導体ＬＭ１と入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１との間に位置する。

このように、第１コイルＬ１の構成要素である第１コイル導体の一部と、第２コイルＬ２の構成要素である第２コイル導体の一部とが、互いに相手側のコイル導体で挟まれる関係となる。このことにより、第１コイル導体と第２コイル導体との対向総面積が大きくなる。第１コイル導体と第２コイル導体との対向総面積とは、換言すれば、積層方向からみて第１コイル導体と第２コイル導体とが互いに重なっている部分の面積である。これにより、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との間に生じる容量を容易に大きくでき、コイルデバイス１１のインピーダンス調整のために必要な容量が得られる。また、中間第１コイル導体、中間第２コイル導体は所望のインダクタンス値に応じて複数層あってもよい。

［各コイル導体パターンの線幅］
入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１の線幅は、共通端子側第１コイル導体ＬＣ１、中間第１コイル導体ＬＭ１の線幅よりも太い部分を有する。この例では、入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１の線幅は、共通端子側第１コイル導体ＬＣ１の線幅より太い。そのため、入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１と入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２との間に生じる容量、及び中間第１コイル導体ＬＭ１と入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２との間に生じる容量、が効果的に高まる。また、共通端子側第１コイル導体ＬＣ１の線幅が、入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１の線幅より細いことで、第１コイルのインダクタンスを大きくすることができ、また設計者の意図しない寄生容量を抑制できるため、所望のインダクタンス値が得られる。

同様に、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２の線幅は、共通端子側第２コイル導体ＬＣ２、中間第２コイル導体ＬＭ２の線幅よりも太い部分を有する。この例では、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２の線幅は、共通端子側第２コイル導体ＬＣ２の線幅より太い。そのため、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２と入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１との間に生じる容量、及び中間第２コイル導体ＬＭ２と入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１との間に生じる容量、が効果的に高まる。また、共通端子側第２コイル導体ＬＣ２の線幅が、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２の線幅より細いことで、第２コイルのインダクタンスを大きくすることができ、また設計者の意図しない寄生容量を抑制できるため、所望のインダクタンス値が得られる。

［各コイル導体パターンの巻回数］
入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１の巻回数は、共通端子側第１コイル導体ＬＣ１の巻回数よりも多い。図４に示した例では、入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１の巻回数は約２ターンであり、共通端子側第１コイル導体ＬＣ１の巻回数は約０．７５ターンである。そのため、入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１と入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２との間に生じる容量が効果的に高まる。

同様に、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２の巻回数は、共通端子側第２コイル導体ＬＣ２の巻回数よりも多い。図４に示した例では、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２の巻回数は約２ターンであり、共通端子側第２コイル導体ＬＣ２の巻回数は約０．７５ターンである。そのため、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２と入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１との間に生じる容量が効果的に高まる。

なお、中間第１コイル導体ＬＭ１の巻回数は、入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１の巻回数より少なく、共通端子側第１コイル導体ＬＣ１の巻回数より多い。同様に、中間第２コイル導体ＬＭ２の巻回数は、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２の巻回数より少なく、共通端子側第２コイル導体ＬＣ２の巻回数より多い。

各基材に形成された第１コイル導体パターンのうち、入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１の巻回数が最も多く、共通端子側第１コイル導体ＬＣ１の巻回数が最も少ない。同様に、各基材に形成された第２コイル導体パターンのうち、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２の巻回数が最も多く、共通端子側第２コイル導体ＬＣ２の巻回数が最も少ない。

［コイル導体パターンを接続するビア導体の位置］
入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１の巻回数は１より多く、入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１に接続されるビア導体Ｖ１Ｃは、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２のコイル開口ＣＡ２内に位置する（図５参照）。この構成によれば、ビア導体Ｖ１Ｃがコイル開口の外側にある構造に比べて、入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１と入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２を比較的大きく巻くことができるため、インダクタンス値の設計自由度が高まる。また、ビア導体がコイル開口の外側にある場合には、ビア導体から発生する磁束がコイルデバイスの外部にまで広がるため、その磁束が周囲に配置される他のデバイスと結合されやすくなる。その場合、コイルデバイスとその他のデバイスとが干渉し、互いに特性が変化するおそれがある。しかし、上記構成のように、ビア導体がコイル開口内に配置され、コイルデバイスのより中心側に配置されている場合は、コイルデバイスの外部に磁束が漏れにくく、他のデバイスとの干渉及び特性変化を抑制できる。さらに、ビア導体が複数ある場合は、それらをコイル開口内に配置されることで、ビア導体同士を近接配置しやすくなり、磁界結合及び容量結合を高めることができる。

同様に、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２の巻回数は１より多く、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２に接続されるビア導体Ｖ２Ｃは、入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１のコイル開口ＣＡ１内に位置する（図５参照）。この構成によれば、ビア導体Ｖ２Ｃがコイル開口の外側にある構造に比べて、磁界結合に寄与しないコイル導体の割合が抑えられ（コイル導体による磁束が外部に漏れにくく）、その結果、低損失化及び小型化される。

なお、積層体１００の各基材層はポリイミドや液晶ポリマ等の樹脂材料で構成した樹脂積層体やガラスを主成分とした絶縁ペーストで構成された積層体であってもよい。このように、基材層が非磁性体であることにより（磁性体フェライトではないので）、７００ＭＨｚを超える高周波数帯でも所定インダクタンス、所定結合係数のトランス及び移相器として用いることができる。

上記導体パターン及び層間接続導体は、基材層が樹脂であれば、例えば、Al箔やCu箔等の金属箔がエッチング等によりパターニングされることにより形成される。また、基材層がガラスを主成分とした絶縁ペーストで構成される場合には、感光性導電ペーストを用いたフォトリソグラフィ工程により、上記、各種導体パターンを形成する。

図７（Ａ）は本実施形態のコイルデバイス１１の移相量の周波数特性を示す図である。この図において、横軸は周波数、縦軸は移相量である。移相量は±１８０°の範囲で表している。この例では、マーカーｍ１は周波数１ＧＨｚにおける移相量、マーカーｍ２は周波数１．９ＧＨｚにおける移相量、をそれぞれ示している。図７（Ａ）の表記では、移相量がマイナスの場合には読み取り値の絶対値、移相量がプラスの場合には、読み取り値から３６０°を引いた値の絶対値が移相量である。すなわち、移相量は１ＧＨｚで｜１７０°−３６０°｜＝１９０°、１．９ＧＨｚで｜１３０°−３６０°｜＝２３０°である。

このように、周波数が約２倍異なっていても、移相量は約４０°になるだけであり、同程度の移相量の大きさを維持している。

図７（Ｂ）は本実施形態のコイルデバイス１１の挿入損失の周波数特性を示す図である。周波数１ＧＨｚで約−１ｄＢ、周波数１．９ＧＨｚで約０ｄＢであり、低挿入損失特性が得られる。この例で、周波数１ＧＨｚよりも周波数１．９ＧＨｚで挿入損失がより低下しているのは、第１コイルＬ１及び第２コイルＬ２によるトランスを介さずに、入出力間キャパシタＣ１２を直接通過する信号成分が増大するためである。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、入出力端子側コイル導体が複数層である、コイルデバイスの例を示す。

図８は第２の実施形態に係るコイルデバイス１２の各基材の平面図である。コイルデバイス１２は複数の絶縁性の基材Ｓ１〜Ｓ８を備えている。

基材Ｓ８の下面はコイルデバイス１２の実装面に相当する。基材Ｓ８には第１入出力端子Ｔ１、第２入出力端子Ｔ２、共通端子としてのグランド端子ＧＮＤ、及び空き端子ＮＣが形成されている。

基材Ｓ２，Ｓ３，Ｓ５には、共通端子側第１コイル導体ＬＣ１、中間第１コイル導体ＬＭ１、入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１がそれぞれ形成されている。基材Ｓ２，Ｓ３，Ｓ４にはビア導体Ｖ１Ａ，Ｖ１Ｂ，Ｖ１Ｃがそれぞれ形成されている。共通端子側第１コイル導体ＬＣ１の第１端はグランド端子ＧＮＤに接続される。共通端子側第１コイル導体ＬＣ１の第２端はビア導体Ｖ１Ａを介して中間第１コイル導体ＬＭ１の第１端に接続される。中間第１コイル導体ＬＭ１の第２端はビア導体Ｖ１Ｂ，Ｖ１Ｃを介して入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１の第１端に接続される。入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１の第２端は第１入出力端子Ｔ１に接続される。

上記共通端子側第１コイル導体ＬＣ１、中間第１コイル導体ＬＭ１、入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１及びビア導体Ｖ１Ａ，Ｖ１Ｂ，Ｖ１Ｃは本発明における「第１コイル導体」に相当する。この第１コイル導体によって第１コイルＬ１が構成される。

基材Ｓ７，Ｓ６，Ｓ４には、共通端子側第２コイル導体ＬＣ２、中間第２コイル導体ＬＭ２、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２がそれぞれ形成されている。基材Ｓ６，Ｓ５，Ｓ４にはビア導体Ｖ２Ａ，Ｖ２Ｂ，Ｖ２Ｃがそれぞれ形成されている。共通端子側第２コイル導体ＬＣ２の第１端はグランド端子ＧＮＤに接続される。共通端子側第２コイル導体ＬＣ２の第２端はビア導体Ｖ２Ａを介して中間第２コイル導体ＬＭ２の第１端に接続される。中間第２コイル導体ＬＭ２の第２端はビア導体Ｖ２Ｂ，Ｖ２Ｃを介して入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２の第１端に接続される。入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２の第２端は第２入出力端子Ｔ２に接続される。

上記共通端子側第２コイル導体ＬＣ２、中間第２コイル導体ＬＭ２、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２及びビア導体Ｖ２Ａ，Ｖ２Ｂ，Ｖ２Ｃは本発明における「第２コイル導体」に相当する。この第２コイル導体によって第２コイルＬ２が構成される。また、中間第１コイル導体ＬＭ１、中間第２コイル導体ＬＭ２はこれに限らず所望のインダクタンス値に応じて複数層あってもよい。

コイルデバイスのその他の構成は第１の実施形態で示したとおりである。本実施形態のコイルデバイス１２では、入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１に近接した中間第１コイル導体ＬＭ１と、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２に近接した中間第２コイル導体ＬＭ２とも巻回数が１以上になっている。

本実施形態によれば、第１の実施形態で示した例より、第１コイル導体と第２コイル導体との対向総面積がより大きくなるので、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との間に生じる容量を更に大きくできる。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、共通端子側コイル導体及び入出力端子側コイル導体のいずれもが一層である、コイルデバイスの例を示す。

図９は第３の実施形態に係るコイルデバイス１３の各基材の平面図である。コイルデバイス１３は複数の絶縁性の基材Ｓ１〜Ｓ６を備えている。

基材Ｓ８の下面はコイルデバイス１３の実装面に相当する。基材Ｓ８には第１入出力端子Ｔ１、第２入出力端子Ｔ２、共通端子としてのグランド端子ＧＮＤ、及び空き端子ＮＣが形成されている。

基材Ｓ２，Ｓ４には、共通端子側第１コイル導体ＬＣ１、入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１がそれぞれ形成されている。基材Ｓ２，Ｓ３にはビア導体Ｖ１Ｂ，Ｖ１Ｃがそれぞれ形成されている。共通端子側第１コイル導体ＬＣ１の第１端はグランド端子ＧＮＤに接続される。共通端子側第１コイル導体ＬＣ１の第２端はビア導体Ｖ１Ｂ，Ｖ１Ｃを介して入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１の第１端に接続される。入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１の第２端は第１入出力端子Ｔ１に接続される。

上記共通端子側第１コイル導体ＬＣ１、入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１及びビア導体Ｖ１Ｂ，Ｖ１Ｃは本発明における「第１コイル導体」に相当する。この第１コイル導体によって第１コイルＬ１が構成される。

基材Ｓ５，Ｓ３には、共通端子側第２コイル導体ＬＣ２、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２がそれぞれ形成されている。基材Ｓ４，Ｓ３にはビア導体Ｖ２Ｂ，Ｖ２Ｃがそれぞれ形成されている。共通端子側第２コイル導体ＬＣ２の第１端はグランド端子ＧＮＤに接続される。共通端子側第２コイル導体ＬＣ２の第２端はビア導体Ｖ２Ｂ，Ｖ２Ｃを介して入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２の第１端に接続される。入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２の第２端は第２入出力端子Ｔ２に接続される。

上記共通端子側第２コイル導体ＬＣ２、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２及びビア導体Ｖ２Ｂ，Ｖ２Ｃは本発明における「第２コイル導体」に相当する。この第２コイル導体によって第２コイルＬ２が構成される。

コイルデバイスのその他の構成は第１、第２の実施形態で示したとおりである。本実施形態では、中間第１コイル導体や中間第２コイル導体に相当するコイル導体が形成される基材、及び中間第１コイル導体や中間第２コイル導体が形成される基材がない。第１コイル導体及び第２コイル導体に要する巻回数が少ない場合には、このようにコイル導体の層数や基材の層数が少なくてもよい。この例の場合においても、入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１の線幅は、共通端子側第１コイル導体ＬＣ１の線幅よりも太い方が好ましい。換言すれば、共通端子側第１コイル導体ＬＣ１の線幅は、入出力端子側第１コイル導体ＬＰ１の線幅よりも細い方が好ましい。同様に、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２の線幅は、共通端子側第２コイル導体ＬＣ２の線幅よりも太い方が好ましい。換言すれば、共通端子側第２コイル導体ＬＣ２の線幅は、入出力端子側第２コイル導体ＬＰ２の線幅よりも細い方が好ましい。これによって、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２との入出力間の容量を高めながら、第１コイルＬ１自体の寄生容量及び第２コイルＬ２自体の寄生容量を抑制できる。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では、インピーダンス整合回路を備えるコイルデバイスの例を示す。

図１０は第４の実施形態に係るコイルデバイス１４の回路図である。このコイルデバイス１４は、第１コイルＬ１、第２コイルＬ２、第１キャパシタＣ１、第２キャパシタＣ２及び入出力間キャパシタＣ１２を備えている。

第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とは、互いに磁界結合するトランスを構成する。

第１キャパシタＣ１は第１コイルＬ１に並列接続されていて、第２キャパシタＣ２は第２コイルＬ２に並列接続されている。これにより、第１キャパシタＣ１及び第２キャパシタＣ２は、コイルデバイス１４の入出力部のインピーダンス整合回路として作用する。

第１コイル導体パターン及び第２コイル導体パターンの構成は第１、第２、第３の実施形態で示した構成と基本的には同じである。

第１キャパシタＣ１は、第１コイル導体パターンの層間及び線間に寄生的に生じる容量で構成される。同様に、第２キャパシタＣ２は、第２コイル導体パターンの層間及び線間に寄生的に生じる容量で構成される。

《第５の実施形態》
第５の実施形態では移相回路の例を示す。

図１１（Ａ）、図１１（Ｂ）は第５の実施形態に係る移相回路３０Ａ，３０Ｂの構成を示すブロック図である。移相回路３０Ａ，３０Ｂは給電回路９とアンテナ１との間に接続されている。移相回路３０Ａは、コイルデバイス１０と、コイルデバイス１０に対して直列に接続された移相線路２０とで構成されている。また、移相回路３０Ｂは、移相線路２０と、移相線路２０に対して直列に接続されたコイルデバイス１０とで構成されている。コイルデバイス１０の基本構成は第１〜第４の各実施形態で示したコイルデバイス１１〜１４と同じである。移相線路２０は移相量９０°未満の移相線路である。

移相回路３０Ａ，３０Ｂはコイルデバイス１０による移相量と移相線路２０による移相量とを加算した位相角だけ、入出力端子間に位相差をもたせる。

このように、移相線路２０を付加することで１８０°を大きく超える移相を行うことができ、コイルデバイス１０による移相量で全体の移相量を微調整できる。

なお、移相線路２０をコイルデバイス１０に一体的に設けて、移相回路３０Ａ，３０Ｂを単一の部品として構成してもよい。また、図１１（Ａ）、図１１（Ｂ）において、移相回路３０Ａ，３０Ｂとアンテナ１との間にアンテナ整合回路が設けられていてもよい。また、移相線路２０は、伝送線路（５０Ω線路）の電気長を定めることによって移相量を設定したものであってもよいし、インダクタやキャパシタ等の集中定数素子又はＬＣ回路を付加することで移相量を調整したものであってもよい。

《第６の実施形態》
第６の実施形態では通信装置の例について示す。図１２は第６の実施形態に係る通信装置２００のブロック図である。本実施形態の通信装置２００は、アンテナ１、アンテナ整合回路４０、移相回路３０、通信回路４１、ベースバンド回路４２、アプリケーションプロセッサ（APU）４３及び入出力回路４４を備える。通信回路４１はローバンド（７００ＭＨｚ〜１．０ＧＨｚ）とハイバンド（１．４ＧＨｚ〜２．７ＧＨｚ）についての送信回路ＴＸ及び受信回路ＲＸ、さらにはアンテナ共用器を備えている。アンテナ１は、ローバンドとハイバンドに対応するモノポールアンテナ又は逆Ｆ型アンテナである。通信回路４１は本発明における「送受信回路」に相当する。

上記構成要素は１つの筐体内に収納されている。例えば、アンテナ整合回路４０、移相回路３０、通信回路４１、ベースバンド回路４２、アプリケーションプロセッサ４３はプリント配線板に実装され、プリント配線板は筐体内に収納される。入出力回路４４は表示・タッチパネルとして筐体に組み込まれる。アンテナ１はプリント配線板に実装されるか、筐体の内面又は内部に配置される。

移相回路３０は、ハイバンドのマッチングに影響を与えず、ローバンドの信号を大きく移相させることにより、アンテナ整合回路４０によって容易にアンテナマッチングを実現できる。このことにより、広帯域に亘って整合するアンテナを備える通信装置が得られる。

なお、図１２に示したように、移相回路３０はマルチバンドの通信信号経路に挿入する構成以外に、例えば、ローバンド（７００ＭＨｚ〜１．０ＧＨｚ）及びハイバンド（１．４ＧＨｚ〜２．７ＧＨｚ）の一方のラインに適用してもよい。

《第７の実施形態》
第７の実施形態では通信装置の別の例を示す。図１３は第７の実施形態に係る通信装置の一部の回路図である。本実施形態の通信装置は、アンテナ１、ダイプレクサ５０、高周波電力増幅回路５１，５２及び移相回路３０を備える。高周波電力増幅回路５１の入力部にはハイバンド用の送信回路が接続され、高周波電力増幅回路５２の入力部にはローバンド用の送信回路が接続される。高周波電力増幅回路５１，５２は本発明における「送受信回路」に相当する。

移相回路３０は、高周波電力増幅回路５１の出力端から高周波電力増幅回路５２の出力端が等価的に開放に見える、又は高周波電力増幅回路５２の出力端から高周波電力増幅回路５１の出力端が等価的に開放に見えるだけの移相量を移相する。

このようにして高周波電力増幅回路５１と高周波電力増幅回路５２とのアイソレーションを確保することができる。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

例えば、以上に示した各実施形態では、第１コイル導体を構成する導体パターンと、第２コイル導体を構成する導体パターンとが、互いに線対称関係にある導体パターンで構成される例を示したが、対称性は必須ではない。

また、第１コイル導体の巻回軸（第１巻回軸）と第２コイル導体の巻回軸（第２巻回軸）とは一致している必要はなく、「第１巻回軸」と「第２巻回軸」とは平行であり、入出力端子側第１コイル導体が、第２巻回軸の方向において、２つの第２コイル導体の間に位置し、かつ第２巻回軸の方向に視て、２つの第２コイル導体に重なり、入出力端子側第２コイル導体が、第１巻回軸の方向において、２つの第１コイル導体の間に位置し、かつ第１巻回軸の方向に視て、２つの第１コイル導体に重なる関係であればよい。

また、以上に示した各実施形態では、第１コイルＬ１と第２コイルＬ２とのインダクタンス比が１：１である例を示したが、これ以外のインダクタンス比であってもよい。

Ｃ１…第１キャパシタ
Ｃ２…第２キャパシタ
Ｃ１２…入出力間キャパシタ
ＣＡ１，ＣＡ２…コイル開口
ＣＯＭ…共通端子
ＧＮＤ…グランド端子（共通端子）
ＩＴ…理想トランス
Ｌ１…第１コイル
Ｌ２…第２コイル
Ｌａ，Ｌｂ，Ｌｃ，Ｌｃ１…インダクタ
ＬＣ１…共通端子側第１コイル導体
ＬＣ２…共通端子側第２コイル導体
ＬＭ１…中間第１コイル導体
ＬＭ２…中間第２コイル導体
ＬＰ１…入出力端子側第１コイル導体
ＬＰ２…入出力端子側第２コイル導体
ＮＣ…空き端子
Ｓ１〜Ｓ８…基材
Ｔ１…第１入出力端子
Ｔ２…第２入出力端子
Ｖ１Ａ，Ｖ１Ｂ，Ｖ１Ｃ…ビア導体（層間接続導体）
Ｖ２Ａ，Ｖ２Ｂ，Ｖ２Ｃ…ビア導体（層間接続導体）
ＷＡ…巻回軸
１…アンテナ
９…給電回路
１０〜１４…コイルデバイス
２０…移相線路
３０，３０Ａ，３０Ｂ…移相回路
４０…アンテナ整合回路
４１…通信回路（高周波回路）
４２…ベースバンド回路
４３…アプリケーションプロセッサ
４４…入出力回路
５０…ダイプレクサ
５１，５２…高周波電力増幅回路（高周波回路）
１００…積層体
２００…通信装置

Claims (8)

1. 絶縁基体と、
   それぞれ前記絶縁基体に形成された、第１入出力端子、第２入出力端子、共通端子、第１コイル及び第２コイルと、
   を備え、
   前記第１コイルは、第１巻回軸まわりに巻回された形状の第１コイル導体で構成され、
   前記第２コイルは、前記第１巻回軸方向に平行な第２巻回軸まわりに巻回された形状の第２コイル導体で構成され、
   前記第１コイルは、複数層に亘って形成された複数の第１コイル導体で構成され、前記複数の第１コイル導体は、一端が入出力端子に接続された、入出力端子側第１コイル導体を有し、
   前記第２コイルは、複数層に亘って形成された複数の第２コイル導体で構成され、前記複数の第２コイル導体は、一端が入出力端子に接続された、入出力端子側第２コイル導体を有し、
   前記入出力端子側第１コイル導体は、前記第２巻回軸の方向において、前記複数の第２コイル導体のうち２つの第２コイル導体の間に位置し、かつ前記第２巻回軸の方向に視て、前記２つの第２コイル導体に重なり、
   前記２つの第２コイル導体のうち一方は前記入出力端子側第２コイル導体であり、
   前記入出力端子側第２コイル導体は、前記第１巻回軸の方向において、前記複数の第１コイル導体のうち２つの第１コイル導体の間に位置し、かつ前記第１巻回軸の方向に視て、前記２つの第１コイル導体に重なり、
   前記２つの第１コイル導体のうち一方は前記入出力端子側第１コイル導体であり、
   前記２つの第１コイル導体のうち前記入出力端子側第１コイル導体とは異なる他方は、一端が前記共通端子に接続された共通端子側第１コイル導体であり、
   前記２つの第２コイル導体のうち前記入出力端子側第２コイル導体とは異なる他方は、一端が前記共通端子に接続された共通端子側第２コイル導体である、
   コイルデバイス。
2. 絶縁基体と、
   それぞれ前記絶縁基体に形成された、第１入出力端子、第２入出力端子、共通端子、第１コイル及び第２コイルと、
   を備え、
   前記第１コイルは、第１巻回軸まわりに巻回された形状の第１コイル導体で構成され、
   前記第２コイルは、前記第１巻回軸方向に平行な第２巻回軸まわりに巻回された形状の第２コイル導体で構成され、
   前記第１コイルは、複数層に亘って形成された複数の第１コイル導体で構成され、前記複数の第１コイル導体は、一端が入出力端子に接続された、入出力端子側第１コイル導体を有し、
   前記第２コイルは、複数層に亘って形成された複数の第２コイル導体で構成され、前記複数の第２コイル導体は、一端が入出力端子に接続された、入出力端子側第２コイル導体を有し、
   前記入出力端子側第１コイル導体は、前記第２巻回軸の方向において、前記複数の第２コイル導体のうち２つの第２コイル導体の間に位置し、かつ前記第２巻回軸の方向に視て、前記２つの第２コイル導体に重なり、
   前記２つの第２コイル導体のうち一方は前記入出力端子側第２コイル導体であり、
   前記入出力端子側第２コイル導体は、前記第１巻回軸の方向において、前記複数の第１コイル導体のうち２つの第１コイル導体の間に位置し、かつ前記第１巻回軸の方向に視て、前記２つの第１コイル導体に重なり、
   前記２つの第１コイル導体のうち一方は前記入出力端子側第１コイル導体であり、
   前記複数の第１コイル導体は、一端が前記共通端子に接続された共通端子側第１コイル導体と、前記入出力端子側第１コイル導体と前記共通端子側第１コイル導体とで前記第１巻回軸の方向に挟まれた中間第１コイル導体と、を含み、
   前記２つの第１コイル導体のうち前記入出力端子側第１コイル導体とは異なる他方は前記中間第１コイル導体であり、
   前記複数の第２コイル導体は、一端が前記共通端子に接続された共通端子側第２コイル導体と、前記入出力端子側第２コイル導体と前記共通端子側第２コイル導体とで前記第２巻回軸の方向に挟まれた中間第２コイル導体と、を含み、
   前記２つの第２コイル導体のうち前記入出力端子側第２コイル導体とは異なる他方は前記中間第２コイル導体である、
   コイルデバイス。
3. 前記入出力端子側第１コイル導体の線幅は前記共通端子側第１コイル導体の線幅よりも太い部分を有し、前記入出力端子側第２コイル導体の線幅は前記共通端子側第２コイル導体の線幅よりも太い部分を有する、
   請求項１又は２に記載のコイルデバイス。
4. 前記入出力端子側第１コイル導体の巻回数は、前記共通端子側第１コイル導体の巻回数よりも多く、前記入出力端子側第２コイル導体の巻回数は、前記共通端子側第２コイル導体の巻回数よりも多い、
   請求項１から３のいずれかに記載のコイルデバイス。
5. 前記入出力端子側第１コイル導体の巻回数は１より多く、
   前記入出力端子側第１コイル導体に接続される層間接続導体は、前記入出力端子側第２コイル導体のコイル開口内に位置し、
   前記入出力端子側第２コイル導体の巻回数は１より多く、
   前記入出力端子側第２コイル導体に接続される層間接続導体は、前記入出力端子側第１コイル導体のコイル開口内に位置する、
   請求項１から４のいずれかに記載のコイルデバイス。
6. 請求項１から５のいずれかに記載のコイルデバイスと、前記コイルデバイスに対して直列に接続された、移相量が９０°未満の移相線路とを備える、移相回路。
7. 送受信回路と、前記送受信回路に接続されるアンテナと、を備える通信装置であって、
   前記送受信回路と前記アンテナとの間に、請求項１から５のいずれかに記載のコイルデバイス又は請求項６に記載の移相回路を備えた、通信装置。
8. 送受信回路と、前記送受信回路に接続されるダイプレクサと、を備える通信装置であって、
   前記送受信回路と前記ダイプレクサとの間に、請求項１から５のいずれかに記載のコイルデバイス又は請求項６に記載の移相回路を備えた、通信装置。

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