JPWO2017213180A1 - 表示装置及びその製造方法 - Google Patents

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Abstract

端子部の接続不良を抑制し得る表示装置とその製造方法とを提供すること。表示装置のアクティブマトリクス基板１は、ゲート配線と、ゲート配線と交差して配置されたデータ配線と、画素電極と、画素電極との間で容量を形成する対向電極と、対向電極と接続され、タッチ検出用の駆動信号が供給される信号線とを備える。また、ゲート配線とデータ配線の少なくとも一方に制御信号を供給するための表示用駆動回路と、タッチ検出用の駆動信号を供給するタッチ検出用駆動回路と、表示用駆動回路とタッチ検出用駆動回路とを備える。また、アクティブマトリクス基板１は、表示用駆動回路とタッチ検出用駆動回路とが接続される複数の端子部Ｔａを有し、端子部Ｔａは共通の層構造を有する。

Description

本発明は、表示装置及びその製造方法に関する。
特開２０１５−１２２０５７号公報には、ディスプレイ用とタッチスクリーン用の両方の役割を果たすパネルを備えるタッチスクリーンパネル一体型表示装置が開示されている。パネルには、複数の画素が形成され、各画素には、画素電極、及び画素電極に接続されたトランジスタとが設けられる。また、パネルには、画素電極に対向して複数の電極が離間して配置される。複数の電極は、ディスプレイ駆動モードでは画素電極との間に横電界（水平電界）を形成する共通電極として機能し、タッチ駆動モードでは、指等との間に静電容量を形成するタッチ電極として機能する。複数の電極にはそれぞれ、データ線と略平行な少なくとも１つの信号ラインが接続され、タッチ集積回路からタッチ駆動信号又は共通電圧信号が信号ラインを介して供給される。
特開２０１５−１２２０５７号公報において、タッチ電極又は共通電極として機能する複数の電極と接続された信号ラインは、表示領域外に設けられたタッチ集積回路と接続されている。また、画素に接続されたデータラインは、タッチ集積回路が設けられた表示領域外においてデータ駆動部と接続されている。タッチ集積回路やデータ駆動部等の制御回路と接続するための各端子部を別の膜構成で作製すると、端子部の高さが統一されず、端子部に制御回路を圧着する際に接続不良が生じる場合がある。
本発明は、端子部の接続不良を抑制し得る表示装置及びその製造方法とを提供することを目的とする。
本発明の一実施形態における表示装置は、アクティブマトリクス基板を備える表示装置であって、前記アクティブマトリクス基板は、ゲート配線と、前記ゲート配線と交差して配置されたデータ配線と、画素電極と、前記画素電極との間で容量を形成する対向電極と、前記ゲート配線と前記データ配線の少なくとも一方に制御信号を供給するための表示用駆動回路と、前記対向電極と接続され、タッチ検出用の駆動信号が供給される信号線と、前記タッチ検出用の駆動信号を供給するタッチ検出用駆動回路と、前記表示用駆動回路と前記タッチ検出用駆動回路とにそれぞれ接続される複数の端子と、を備え、前記複数の端子は、共通の層構造を有する。
本発明によれば、端子部の接続不良を抑制することができる。
図１は、実施形態におけるタッチパネル付き表示装置の断面図である。 図２は、図１に示すアクティブマトリクス基板の概略構成を示す模式図である。 図３は、図１に示すアクティブマトリクス基板に形成されている対向電極の配置の一例を示す模式図である。 図４は、図１に示すアクティブマトリクス基板の一部を拡大した模式図である。 図５は、図１に示すアクティブマトリクス基板においてＴＦＴが配置された領域と信号線接続領域における断面図である。 図６は、実施形態における端子部の断面図である。 図７Ａは、図６に示す端子部と図３に示す信号線との間を接続する接続部を示す断面図である。 図７Ｂは、第１金属膜と図７Ａに示す接続部の第２金属膜とを接続するための接続部を示す断面図である。 図８Ａは、図１に示すアクティブマトリクス基板の製造方法を説明する図であって、基板上にゲート電極と第１金属膜とが形成された状態を示す断面図である。 図８Ｂは、図８Ａに示す基板上にゲート絶縁膜を形成する工程を表す断面図である。 図８Ｃは、図８Ｂに示すゲート絶縁膜上に半導体膜を形成し、ゲート絶縁膜に開口を形成する工程を表す断面図である。 図８Ｄは、図８Ｃに示す状態からソース電極、ドレイン電極、第２金属膜、及び無機絶縁膜を形成する工程を表す断面図である。 図８Ｅは、図８Ｄに示す状態から有機絶縁膜を形成する工程を表す断面図である。 図８Ｆは、図８Ｅに示す状態から信号線及び第３金属膜を形成する工程を表す断面図である。 図８Ｇは、図８Ｆに示す状態から第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜と無機絶縁膜とを貫通する開口を形成する工程を表す断面図である。 図８Ｈは、図８Ｇに示す状態から画素電極及び第１透明電極膜を形成する工程を表す断面図である。 図８Ｉは、図８Ｈに示す状態から第２の絶縁膜を形成する工程を表す断面図である。 図８Ｊは、図８Ｉに示す状態から対向電極及び第２透明電極膜を形成する工程を表す断面図である。 図９Ａは、変形例１−１における端子部の断面図である。 図９Ｂは、図９Ａに示す端子部の製造方法を説明する図であって、第１の絶縁膜の上に第３金属膜を形成する工程を表す断面図である。 図９Ｃは、図９Ｂに示す第３金属膜の上に第２の絶縁膜を形成する工程を表す断面図である。 図９Ｄは、図９Ｃに示す第２の絶縁膜と第３金属膜の上に第１透明電極膜を形成する工程を表す断面図である。 図１０は、変形例１−２における端子部の断面図である。 図１１Ａは、変形例１−３における端子部の断面図である。 図１１Ｂは、図１１Ａに示す端子部の製造方法を説明する図であって、基板上にゲート絶縁膜を形成する工程を表す断面図である。 図１１Ｃは、図１１Ｂに示すゲート絶縁膜の上に無機絶縁膜を形成する工程を表す断面図である。 図１１Ｄは、図１１Ｃに示す無機絶縁膜の上に第３金属膜を形成する工程を表す断面図である。 図１１Ｅは、図１１Ｄに示す第３金属膜の上に第１の絶縁膜を形成する工程を表す断面図である。 図１１Ｆは、図１１Ｅに示す第１の絶縁膜と第３金属膜の上に第１透明電極膜を形成する工程を表す断面図である。
本発明の一実施形態における表示装置は、アクティブマトリクス基板を備える表示装置であって、前記アクティブマトリクス基板は、ゲート配線と、前記ゲート配線と交差して配置されたデータ配線と、画素電極と、前記画素電極との間で容量を形成する対向電極と、前記ゲート配線と前記データ配線の少なくとも一方に制御信号を供給するための表示用駆動回路と、前記対向電極と接続され、タッチ検出用の駆動信号が供給される信号線と、前記タッチ検出用の駆動信号を供給するタッチ検出用駆動回路と、前記表示用駆動回路と前記タッチ検出用駆動回路とにそれぞれ接続される複数の端子と、を備え、前記複数の端子は、共通の層構造を有する（第１の構成）。
第１の構成によれば、複数の端子部には、ゲート配線とデータ配線の少なくとも一方に制御信号を供給するための表示用駆動回路と、信号線に駆動信号を供給するためのタッチ検出用駆動回路とが接続され、複数の端子部は共通の層構造を有する。そのため、各端子部の高さは略均一となり、端子部の高さが均一でない場合と比べ、端子部と駆動回路との圧着による接続不良を軽減することができる。
第１の構成において、前記層構造は、前記ゲート配線と同じ材料からなる第１金属膜と、前記データ配線と同じ材料からなる第２金属膜と、前記画素電極と同じ材料からなる第１透明電極膜と、前記対向電極と同じ材料からなる第２透明電極膜と、を備え、前記第１金属膜、前記第２金属膜、前記第１透明電極膜、及び前記第２透明電極膜が順に積層されていることとしてもよい（第２の構成）。
第２の構成によれば、端子部は、第１金属膜、第２金属膜、第１透明電極膜、及び第２透明電極膜を備える。そのため、ゲート配線、データ配線、画素電極、及び対向電極のそれぞれを形成する工程において端子部を形成することができる。また、第１金属膜、第２金属膜、第１透明電極膜、及び第２透明電極膜が積層されることにより、端子部の低抵抗化及び省スペース化を図ることができる。
第１の構成において、前記層構造は、前記ゲート配線と同じ材料からなる第１金属膜と、前記データ配線と同じ材料からなる第２金属膜と、絶縁膜と、前記信号線と同じ材料からなる第３金属膜と、前記画素電極と同じ材料からなる第１透明電極膜と、前記対向電極と同じ材料からなる第２透明電極膜と、を備え、前記第１金属膜、前記第２金属膜、前記絶縁膜、前記第３金属膜、前記第１透明電極膜、及び前記第２透明電極膜が順に積層されていることとしてもよい（第３の構成）。
第３の構成によれば、端子部は、第１金属膜、第２金属膜、絶縁膜、第３金属膜、第１透明電極膜、及び第２透明電極膜の順に積層されて構成される。そのため、ゲート配線、データ配線、信号線、画素電極、及び対向電極のそれぞれを形成する工程において端子部を形成することができ、端子部の低抵抗化及び省スペース化を図ることができる。
第１の構成において、前記層構造は、前記ゲート配線と同じ材料からなる第１金属膜と、前記データ配線と同じ材料からなる第２金属膜と、前記画素電極と同じ材料からなる第１透明電極膜と、を備え、前記第１金属膜、前記第２金属膜、及び前記第１透明電極膜が順に積層されていることとしてもよい（第４の構成）。
第４の構成によれば、端子部は、第１金属膜、第２金属膜、及び第１透明電極膜が積層されて構成される。そのため、ゲート配線、データ配線、及び画素電極のそれぞれを形成する工程において端子部を形成することができ、端子部の高さを均一にすることができる。
第１の構成において、前記層構造は、前記信号線と同じ材料からなる第３金属膜と、前記画素電極と同じ材料からなる第１透明電極膜と、前記対向電極と同じ材料からなる第２透明電極膜と、を備え、前記第３金属膜、前記第１透明電極膜、及び第２透明電極膜が順に積層されていることとしてもよい（第５の構成）。
第５の構成によれば、端子部は、第３金属膜、第１透明電極膜、及び第２透明電極膜が積層されて構成される。そのため、信号線、画素電極、及び対向電極のそれぞれを形成する工程において端子部を形成することができ、端子部の高さを均一にすることができる。
第２から第５のいずれかの構成において、前記アクティブマトリクス基板は、前記信号線と前記対向電極との間に、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とをさらに備え、前記層構造は、前記第１透明電極膜の上層に前記第２の絶縁膜が配置される部分を含むこととしてもよい（第６の構成）。
第６の構成によれば、端子部の低抵抗化を図ることができる。
第１から第６のいずれかの構成において、前記画素電極と前記データ配線との間に有機絶縁膜をさらに備え、前記層構造に、前記有機絶縁膜が含まれないこととしてもよい（第７の構成）。
第７の構成によれば、画素電極とデータ配線との間の寄生容量を低減することができる。
第１から第７のいずれかの構成において、さらに、カラーフィルタを備える対向基板と、前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に設けられた液晶層と、を備える（第８の構成）。
第８の構成によれば、液晶を用いた表示装置に適用することができる。
本発明の一実施形態における表示装置のアクティブマトリクス基板の製造方法は、ゲート電極、半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極を含む表示制御素子と、駆動回路を接続するための端子部とを備えるアクティブマトリクス基板の製造方法であって、前記アクティブマトリクス基板において、前記表示制御素子を形成する表示制御素子領域に第１金属膜からなる前記ゲート電極を形成するとともに、前記端子部を形成する端子部領域に前記第１金属膜を成膜し、前記表示制御素子領域と前記端子部領域において、前記ゲート電極及び前記第１金属膜を覆うように絶縁膜を成膜し、前記第１金属膜の上において、前記絶縁膜に第１開口部を形成し、前記表示制御素子領域において前記絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なるように半導体膜を形成し、前記表示制御素子領域における前記半導体膜の上に第２金属膜からなるソース電極及びドレイン電極を形成するとともに、前記端子部領域の前記第１開口部において前記第１金属膜と接するように前記第２金属膜を成膜し、前記表示制御素子領域における前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記端子部領域における前記第２金属膜の上に無機絶縁膜を成膜し、前記表示制御素子領域及び前記端子部領域において、前記無機絶縁膜の上に前記第１の絶縁膜を成膜し、前記表示制御素子領域と前記端子部領域において前記無機絶縁膜と前記第１の絶縁膜とを貫通する第２開口部を形成し、前記端子部領域の前記第２開口部において前記ドレイン電極と接し、前記端子部領域の前記第２開口部において前記第２金属膜と接するように、前記第１の絶縁膜の上に第１透明電極膜を形成し、前記表示制御素子領域と前記端子部領域において前記第１の絶縁膜と前記第１透明電極膜の上に第２の絶縁膜を成膜し、前記端子部領域における前記第２の絶縁膜に第３開口部を形成し、前記表示制御素子領域における前記第２の絶縁膜の上に、第２透明電極膜からなる対向電極を形成するとともに、前記端子部領域における前記第３開口部において前記第１透明電極膜と接するように、前記第２透明電極膜を前記第２の絶縁膜の上に形成する（第９の構成）。
第９の構成によれば、表示制御素子を形成する工程において、複数の駆動回路を接続するための複数の端子部を形成することができる。また、複数の端子部の高さを均一にすることができるため、端子部の高さが均一でない場合と比べ、端子部に駆動回路を圧着することによる接続不良を軽減することができる。
第９の構成において、前記表示制御素子領域及び前記端子部領域に前記無機絶縁膜を成膜した後、さらに、前記無機絶縁膜の上に有機絶縁膜を成膜し、前記端子部領域において前記有機絶縁膜を除去することとしてもよい（第１０の構成）。
第１０の構成によれば、表示制御素子領域を平坦化し、画素電極と他の素子との間の寄生容量を低減できる。
［第１実施形態］
以下、図面を参照し、本発明の実施の形態を詳しく説明する。図中同一または相当部分には同一符号を付してその説明は繰り返さない。なお、説明を分かりやすくするために、以下で参照する図面においては、構成が簡略化または模式化して示されたり、一部の構成部材が省略されたりしている。また、各図に示された構成部材間の寸法比は、必ずしも実際の寸法比を示すものではない。
図１は、本実施形態における表示装置の断面図である。本実施形態における表示装置１００は、アクティブマトリクス基板１と、対向基板２と、アクティブマトリクス基板１と対向基板２との間に挟持された液晶層３とを備える。アクティブマトリクス基板１及び対向基板２はそれぞれ、ほぼ透明な（高い透光性を有する）ガラス基板を備えている。対向基板２は、図示しないカラーフィルタを備えている。また、図示は省略するが、この表示装置１００は、図１において、液晶層３と反対側のアクティブマトリクス基板１の面方向にバックライトを備えている。
表示装置１００は、画像を表示する機能を有するとともに、その表示される画像の上を使用者がタッチした位置（タッチ位置）を検出する機能を有する。この表示装置１００は、タッチ位置を検出するために必要な素子がアクティブマトリクス基板１に設けられた、いわゆるインセル型タッチパネル表示装置である。
また、表示装置１００は、液晶層３に含まれる液晶分子の駆動方式が横電界駆動方式である。横電界駆動方式を実現するため、電界を形成するための画素電極及び対向電極（共通電極）は、アクティブマトリクス基板１に形成されている。
図２は、アクティブマトリクス基板１の概略構成図である。アクティブマトリクス基板１は、複数のゲート配線１１と複数のソース配線１２とを有する。アクティブマトリクス基板１は、ゲート配線１１とソース配線１２とで区画された複数の画素を有し、複数の画素が形成された領域は、アクティブマトリクス基板１の表示領域Ｒ０となる。
アクティブマトリクス基板１において、表示領域Ｒ０の外側の領域（額縁領域）に設けられた端子部Ｔａ（Ｔａ１、Ｔａ２）に、ソースドライバ２１及びゲートドライバ２２がそれぞれ接続されている。また、アクティブマトリクス基板１において、額縁領域に設けられた端子部Ｔａ（Ｔａ３）に、ソースドライバ２１及びゲートドライバ２２に制御信号を供給するための制御回路３０が接続されている。
ソースドライバ２１は、端子部Ｔａ１を介して各ソース配線１２と接続され、制御回路３０からの制御信号に基づいて、各ソース配線１２に画像データに応じた電圧信号（データ信号）を供給する。ゲートドライバ２２は、端子部Ｔａ２を介して各ゲート配線１１と接続され、制御回路３０からの制御信号に基づいて、各ゲート配線１１に電圧信号（ゲート信号）を順次供給してゲート配線１１を走査する。
図３は、アクティブマトリクス基板１に形成されている対向電極５１の配置の一例を示す模式図である。対向電極５１は、アクティブマトリクス基板１の液晶層３側の面に形成されている。図３に示すように、対向電極５１は矩形形状であり、アクティブマトリクス基板１上に、マトリクス状に複数配置されている。対向電極５１はそれぞれ、例えば１辺が数ｍｍの略正方形である。なお、この図では図示を省略するが、対向電極５１には、画素電極との間で横電界を生じさせるためのスリット（例えば数μｍ幅）が形成されている。
アクティブマトリクス基板１において、額縁領域に設けられた端子部Ｔａ（Ｔａ４）にコントローラ５０が接続されている。コントローラ５０は、画像を表示するための画像表示制御を行うとともに、タッチ位置を検出するためのタッチ位置検出制御を行う。
コントローラ５０と、各対向電極５１との間は、Ｙ軸方向に延びる信号線５２によって接続されている。すなわち、対向電極５１の数と同じ数の信号線５２がアクティブマトリクス基板１上に形成されている。
対向電極５１は、画素電極と対になって、画像表示制御の際に用いられるとともに、タッチ位置検出制御の際にも用いられる。
対向電極５１は、隣接する対向電極５１等との間に寄生容量が形成されているが、人の指等が表示画面に触れると、人の指等との間で容量が形成されるため、静電容量が増加する。タッチ位置検出制御の際、コントローラ５０は、信号線５２を介して、タッチ位置を検出するためのタッチ駆動信号を対向電極５１に供給し、信号線５２を介してタッチ検出信号を受信する。これにより、対向電極５１の位置における静電容量の変化を検出して、タッチ位置を検出する。すなわち、信号線５２は、タッチ駆動信号及びタッチ検出信号の送受信用の線として機能する。
図４は、アクティブマトリクス基板１の一部の領域を拡大した模式図である。図４に示すように、複数の画素電極６１は、マトリクス状に配置されている。また、図４では省略しているが、表示制御素子（スイッチング素子）である、ＴＦＴ（Thin Film Transistor：薄膜トランジスタ）が、画素電極６１と対応してマトリクス状に配置されている。なお、対向電極５１には、複数のスリット５１ａが設けられている。
画素電極６１の周りには、ゲート配線１１及びソース配線１２が設けられている。ゲート配線１１は、Ｘ軸方向に延びており、Ｙ軸方向に沿って所定の間隔で複数設けられている。ソース配線１２は、Ｙ軸方向に延びており、Ｘ軸方向に沿って所定の間隔で複数設けられている。すなわち、ゲート配線１１及びソース配線１２は格子状に形成されており、ゲート配線１１及びソース配線１２によって区画された領域に画素電極６１が設けられている。ＴＦＴのゲート電極はゲート配線１１に接続されており、ＴＦＴのソース電極とドレイン電極の一方はソース配線１２に接続されており、他方は画素電極６１に接続されている。
対向基板２（図１参照）には、画素電極６１のそれぞれに対応するように、ＲＧＢの三色のカラーフィルタが設けられている。これにより、画素電極６１のそれぞれは、ＲＧＢのいずれか一色のサブ画素として機能する。
図４に示すように、Ｙ軸方向に延びている信号線５２は、アクティブマトリクス基板１の法線方向において、Ｙ軸方向に延びているソース配線１２と一部が重畳するように配置されている。具体的には、信号線５２は、ソース配線１２よりも上層に設けられており、平面視で信号線５２とソース配線１２は一部が重畳している。
なお、図４において、白丸３５は、対向電極５１と信号線５２とが接続されている箇所を示している。
図５は、ＴＦＴが配置された領域であって、信号線５２が対向電極５１と接続されている領域（以下、信号線接続領域）におけるアクティブマトリクス基板１の断面図である。図５に示すように、ガラス基板４０の上には、表示制御素子であるＴＦＴ４２が設けられている。ＴＦＴ４２は、ゲート電極４２ａ、半導体膜４２ｂ、ソース電極４２ｃ、及びドレイン電極４２ｄを含む。
ＴＦＴ４２のゲート電極４２ａは、ガラス基板４０上に形成されている。ゲート電極４２ａは、例えばチタン（Ｔｉ）及び銅（Ｃｕ）の積層膜により形成されている。ゲート絶縁膜４３は、ゲート電極４２ａを覆うように形成されている。ゲート絶縁膜４３は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）や二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる。
ゲート絶縁膜４３の上には、半導体膜４２ｂが形成されている。半導体膜４２ｂは、例えば酸化物半導体膜であり、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎのうち少なくとも１種の金属元素を含んでもよい。本実施形態では、半導体膜４２ｂは、例えば、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体を含む。ここで、Ｉｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏ系の半導体は、Ｉｎ（インジウム）、Ｇａ（ガリウム）、Ｚｎ（亜鉛）の三元系酸化物であって、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの割合（組成比）は特に限定されず、例えばＩｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝２：２：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：１、Ｉｎ：Ｇａ：Ｚｎ＝１：１：２等を含む。
ソース電極４２ｃ及びドレイン電極４２ｄは、半導体膜４２ｂの上に、互いに離間するように設けられている。ソース電極４２ｃ及びドレイン電極４２ｄは、例えばチタン（Ｔｉ）及び銅（Ｃｕ）の積層膜により形成されている。
無機絶縁膜４４は、ソース電極４２ｃ及びドレイン電極４２ｄを覆うように形成されている。無機絶縁膜４４は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）や二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）等の無機材料からなる。
無機絶縁膜４４の上には、有機絶縁膜（平坦化膜）４５が形成されている。有機絶縁膜４５は、例えばポリメタクリル酸メチル樹脂（ＰＭＭＡ）などのアクリル系有機樹脂材料などからなる。有機絶縁膜（平坦化膜）４５を形成することで、ＴＦＴ部分の凹凸に起因して生じる液晶分子の配向乱れを抑制できる。また、ゲート配線１１やソース配線１２と画素電極６１との間の寄生容量を低減できる。なお、有機絶縁膜４５は省略することもできる。
有機絶縁膜４５の上には、信号線５２が形成されている。信号線５２は、例えば銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、モリブデン（Ｍｏ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、コバルト（Ｃｏ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）のいずれか、またはこれらの混合物からなる。
また、有機絶縁膜４５の上には、第１の絶縁膜４６１が形成されている。第１の絶縁膜４６１は、信号線５２の一部を覆うように形成されている。第１の絶縁膜４６１は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）や二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる。
ドレイン電極４２ｄの上において、第１の絶縁膜４６１と無機絶縁膜４４を貫通する開口ＣＨが形成されている。第１の絶縁膜４６１の上には、信号線５２と重ならない位置に、開口ＣＨを介してドレイン電極４２ｄと接するように画素電極６１が形成されている。画素電極６１は透明電極であって、例えばＩＴＯ（Indium Tin Oxide）、ＺｎＯ（Zinc Oxide）、ＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）、ＩＧＺＯ（Indium Gallium Zinc Oxide）、ＩＴＺＯ（Indium Tin Zinc Oxide）等の材料からなる。
また、第１の絶縁膜４６１と画素電極６１の上には、第２の絶縁膜４６２（第２の絶縁層）が形成されている。第２の絶縁膜４６２は、例えば窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）や二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）からなる。信号線５２の上において、第２の絶縁膜４６２と第１の絶縁膜４６１とを貫通する開口ＣＨ０が設けられている。信号線接続領域では、第１の絶縁膜４６１と第２の絶縁膜４６２に開口ＣＨ０が設けられるが、信号線５２と対向電極５１とが接続されない部分には開口ＣＨ０は設けられていない。
第２の絶縁膜４６２の上には、開口ＣＨ０において信号線５２と接するように対向電極５１が形成されている。対向電極５１は透明電極であって、例えばＩＴＯ、ＺｎＯ、ＩＺＯ、ＩＧＺＯ、ＩＴＺＯ等の材料からなる。
図６は、本実施形態における端子部Ｔａの断面図である。本実施形態において、ソースドライバ２１、ゲートドライバ２２、制御回路３０、及びコントローラ５０のそれぞれが接続される端子部Ｔａ（Ｔａ１、Ｔａ２、Ｔａ３、Ｔａ４）の構造は共通である。
図６に示すように、端子部Ｔａは、ガラス基板４０の上に第１金属膜７１が形成されている。第１金属膜７１は、ゲート配線１１（図２参照）やＴＦＴ４２のゲート電極４２ａ（図５参照）を形成する際に用いられる金属膜である。
第１金属膜７１の上にはゲート絶縁膜４３が形成され、ゲート絶縁膜４３には開口４３ａが設けられている。
開口４３ａを介して第１金属膜７１と接するように、ゲート絶縁膜４３の上に第２金属膜７２が形成されている。第２金属膜７２は、ソース配線１２（図２参照）やＴＦＴ４２のソース電極４２ｃ及びドレイン電極４２ｄを形成する際に用いられる金属膜である。
第２金属膜７２とゲート絶縁膜４３の上には無機絶縁膜４４が形成され、無機絶縁膜４４の上には第１の絶縁膜４６１が形成されている。無機絶縁膜４４と第１の絶縁膜４６１には開口ＣＨ１が設けられている。
開口ＣＨ１を介して第２金属膜７２と接するように、第１の絶縁膜４６１の上に第１透明電極膜８１が形成されている。第１透明電極膜８１は、画素電極６１を形成する際に用いられる透明電極膜であるが、第１透明電極膜８１は画素電極６１と電気的に接続されていない。
第１透明電極膜８１の一部と第１の絶縁膜４６１の上に第２の絶縁膜４６２が形成されている。第２の絶縁膜４６２には開口４６２ａが設けられている。
開口４６２ａを介して第１の透明電極膜８１と接するように、第２の絶縁膜４６２の上に第２の透明電極膜８２が形成されている。第２透明電極膜８２は、対向電極５１を形成する際に用いられる透明電極膜であるが、第２透明電極膜８２は対向電極５１と電気的に接続されていない。
上述したように、ソースドライバ２１は端子部Ｔａ１を介してソース配線１２と接続され、ゲートドライバ２２は端子部Ｔａ２を介してゲート配線１１と接続される。また、制御回路３０は、端子部Ｔａ３を介してソースドライバ２１及びゲートドライバ２２と接続され、コントローラ５０は、端子部Ｔａ４を介して信号線５２と接続される。端子部Ｔａ１とソース配線１２との間、端子部Ｔａ２とゲート配線１１との間、端子部Ｔａ４と信号線５２との間、端子部Ｔａ４とソースドライバ２１及びゲートドライバ２２との間は、各端子部Ｔａにおける第１金属膜又は第２金属膜７２と同じ金属膜を延長して接続する。
ゲート配線１１を端子部Ｔａの第１金属膜７１と同じ材料で形成したり、ソース配線１２を端子部Ｔａの第２金属膜７２と同じ材料で形成することもできる。しかしながら、配線と同じ材料からなる金属膜を端子部Ｔａから配線の位置まで延長する場合、配線数が多くなるほど配線の配置が制限され、膜の高さが均一になりにくいため、配線と異なる金属膜を用いる方が配置の自由度が向上する。例えば、ソース配線１２と同じ材料からなる第２金属膜７２をゲート配線１１まで延長し、ゲート配線１１と第２金属膜７２とを接続してもよい。また、ゲート配線１１と同じ材料からなる第１金属膜７１ソース配線１２まで延長し、ソース配線１２と第１金属膜７１とを接続してもよい。また、端子部Ｔａにおける第１金属膜７１又は第２金属膜７２を信号線５２まで延長して信号線５２と接続してもよい。このように、配線と接続される金属膜が、配線と異なる材料で構成される場合には、金属膜と、金属膜と接続される配線との間を接続する接続部が必要となる。
図７Ａは、端子部Ｔａの第２金属膜７２と、信号線５２との間を接続する接続部Ｃａを示す断面図である。図７Ａに示すように、接続部Ｃａは、ゲート絶縁膜４３の上に第２金属膜７２が形成され、第２金属膜７２の上には無機絶縁膜４４が形成されている。
無機絶縁膜４４の一部の上には有機絶縁膜４５が形成されている。有機絶縁膜４５の上には、信号線５２と同じ材料からなる第３金属膜７３が形成されている。なお、接続部Ｃａが、端子部Ｔａの第２金属膜７２を信号線５２まで延長して信号線５２と接続する接続部である場合、第３金属膜７３は信号線５２と接続されている。
また、無機絶縁膜４４、有機絶縁膜４５、第３金属膜７３の一部と重なるように第１の絶縁膜４６１が形成されている。
第１の絶縁膜４６１と無機絶縁膜４４には、開口ＣＨ１が形成されている。また、第３金属膜７３の上において、第１の絶縁膜４６１には開口４６１ａが形成されている。開口ＣＨ１を介して第２金属膜７２と接し、開口４６１ａを介して第３金属膜７３と接するように、第１の絶縁膜４６１の上に第１透明電極膜８１が形成されている。
さらに、第１の絶縁膜４６１と第１透明電極膜８１の一部の上に、第２の絶縁膜４６２が形成されている。そして、第２の絶縁膜４６２に設けられた開口４６２ａにおいて、第１透明電極膜８１と接するように、第２透明電極膜８２が第２の絶縁膜４６２の上に形成されている。
このように、接続部Ｃａにおいて、第２金属膜７２は、第１透明電極膜８１と第２透明電極膜８２とを介して第３金属膜７３と接続されている。つまり、端子部Ｔａ４の第２金属膜７２を信号線５２まで延長する場合、信号線５２（第３金属膜）は、接続部Ｃａにおいて、第１透明電極膜８１と第２透明電極膜８２とを介して第２金属膜７２と接続される。これにより、信号線５２は、接続部Ｃａと端子部Ｔａ４とを介してコントローラ５０と接続される。
なお、端子部Ｔａ４の第１金属膜７１を信号線５２まで延長する場合、接続部Ｃａに加えて、第１金属膜７１と、接続部Ｃａの第２金属膜７２とを接続するための接続部が必要となる。
図７Ｂは、第１金属膜７１と第２金属膜７２とを接続するための接続部Ｃｂを示す断面図である。図７Ｂに示すように、接続部Ｃｂにおいては、ガラス基板４０の上に第１金属膜７１が形成され、第１金属膜７１の上にゲート絶縁膜４３が設けられている。ゲート絶縁膜４３に設けられた開口４３ａを介して第１金属膜７１と接するように、ゲート絶縁膜４３の上に第２金属膜７２が形成されている。なお、接続部Ｃｂにおける第１金属膜７１は端子部Ｔａにおける第１金属膜７１と接続されている。また、接続部Ｃａにおける第２金属膜７２と接続部Ｃｂにおける第２金属膜７２は接続されているが、これら第２金属膜７２と端子部Ｔａにおける第２金属膜７２とは電気的に接続されていない。
第２金属膜７２の上には無機絶縁膜４４が形成され、無機絶縁膜４４の上には有機絶縁膜４５が形成されている。また、有機絶縁膜４５の上には第１の絶縁膜４６１が形成され、第１の絶縁膜４６１の上には第２の絶縁膜４６２が形成されている。
したがって、端子部Ｔａ４の第１金属膜７１を信号線５２まで延長する場合、第１金属膜７１は接続部Ｃｂにおいて第２金属膜７２と接続され、接続部Ｃａにおいて第２金属膜７２と第３金属膜７３とが接続される。これにより、信号線５２は、接続部Ｃｂと、接続部Ｃａと、端子部Ｔａ４とを介してコントローラ５０と接続される。
また、端子部Ｔａ１の第１金属膜７１をソース配線１２まで延長する場合、第１金属膜７１は、接続部Ｃｂにおいて第２金属膜７２と接続される。なお、この場合、接続部Ｃｂにおける第２金属膜７２はソース配線１２と接続されるが、端子部Ｔａ１における第２金属膜７２はソース配線１２と接続されていない。これにより、ソース配線１２は、接続部Ｃｂと端子部Ｔａ１とを介してソースドライバ２１と接続される。
また、端子部Ｔａ２の第２金属膜７２をゲート配線１１まで延長する場合、第２金属膜７２は、接続部Ｃｂにおいて第１金属膜７１と接続される。なお、この場合、接続部Ｃｂにおける第１金属膜７１はゲート配線１１と接続されているが、端子部Ｔａにおける第１金属膜７１はゲート配線１１と接続されていない。これにより、ゲート配線１１は、接続部Ｃｂと端子部Ｔａ２とを介してゲートドライバ２２と接続される。
（製造工程）
図８Ａ〜８Ｊは、本実施形態におけるアクティブマトリクス基板１の製造工程を説明するための図である。具体的には、図８Ａ〜８Ｊは、ＴＦＴ４２が形成された領域と信号線接続領域とを含む領域Ａと、上述の接続部Ｃａ、Ｃｂ、及び端子部Ｔａがそれぞれ形成される領域Ｂ〜Ｄの各製造工程におけるアクティブマトリクス基板１の断面図を示している。以下、各製造工程について説明する。
まず、ガラス基板４０上に、例えば、銅を含む第１金属膜を成膜し、フォトリソグラフィ、ウェットエッチング、及びレジスト剥離を行い第１金属膜をパターニングする。これにより、領域Ａには第１金属膜からなるゲート電極４２ａが形成され、領域Ｂ及び領域Ｄには、第１金属膜７１が形成される（図８Ａ参照）。
次に、ゲート電極４２ａと、第１金属膜７１とを覆うようにゲート絶縁膜４３を成膜す
る。そして、領域Ａにおいて、ゲート絶縁膜４３を介してゲート電極４２ａと重なるように、例えばＩｎ、Ｇａ、Ｚｎ及び酸素を含む半導体膜を成膜する。そして、フォトリソグラフィ及びウェットエッチングを行い半導体膜をパターニングする。これにより、領域Ａにおいて、ゲート絶縁膜４３上に半導体膜４２ｂが形成される（図８Ｂ参照）
次に、領域Ｂと領域Ｄにおいて、フォトリソグラフィ法及びドライエッチングを用いてゲート絶縁膜４３をパターニングする。これにより、領域Ｂと領域Ｄにおいてゲート絶縁膜４３に開口４３ａが形成される（図８Ｃ参照）。
そして、領域Ａ〜Ｄにおいて、ゲート絶縁膜４３の上に、例えば銅を含む第２金属膜を成膜し、フォトリソグラフィ、ウェットエッチング、及びレジスト剥離を行って第２金属膜をパターニングし、その後、無機絶縁膜を成膜する。これにより、領域Ａには、半導体膜４２ｂの上に離間して形成されたソース電極４２ｃとドレイン電極４２ｄとが形成され、ソース電極４２ｃ及びドレイン電極４２ｄを覆うように無機絶縁膜４４が形成される。また、領域Ｂ及びＤには、開口４３ａにおいて、第１金属膜７１と接触するように第２金属膜７２が形成され、第２金属膜７２の上に無機絶縁膜４４が形成される。また、領域Ｃには、ゲート絶縁膜４３の上に第２金属膜７２が形成され、第２金属膜７２を覆うように無機絶縁膜４４が形成される（図８Ｄ参照）。
次に、無機絶縁膜４４の上にフォトリソグラフィを用いて有機絶縁膜をパターニングしてベーク処理する。これにより、領域Ａ及びＣにおいて、無機絶縁膜４４の上に有機絶縁膜４５が離間して形成され、領域Ｂにおいて、無機絶縁膜４４と重なるように有機絶縁膜４５が形成される（図８Ｅ参照）。
続いて、有機絶縁膜４５の上に、例えば銅を含む第３金属膜を成膜し、フォトリソグラフィ、ウェットエッチング、及びレジスト剥離を行って第３金属膜をパターニングする。これにより、領域Ａにおいて、有機絶縁膜４５の上に信号線５２が形成される。また、領域Ｃには、有機絶縁膜４５の上に第３金属膜７３が形成される（図８Ｆ参照）。
次に、領域Ａ〜Ｃにおける有機絶縁膜４５の上、及び領域Ｄにおける無機絶縁膜４４の上に第１の絶縁膜を成膜し、フォトリソグラフィ、ドライエッチング、及びレジスト剥離を行い、第１の絶縁膜をパターニングする。
これにより、領域Ａには、有機絶縁膜４５の上に第１の絶縁膜４６１が形成され、第１の絶縁膜４６１と無機絶縁膜４４とを貫通する開口ＣＨが形成され、ドレイン電極４２ｄの表面の一部が露出する。領域Ｂには、有機絶縁膜４５と重なるように第１の絶縁膜４６１が形成される。領域Ｃには、有機絶縁膜４５の上に第１の絶縁膜４６１が形成され、第１の絶縁膜４６１と無機絶縁膜４４とを貫通する開口ＣＨ１と、第１の絶縁膜４６１の開口４６１ａとが形成され、第２金属膜７２と第３金属膜７３の表面の一部が露出する。また、領域Ｄには、無機絶縁膜４４の上に、第１の絶縁膜４６１が形成され、第１の絶縁膜４６１と無機絶縁膜４４とを貫通する開口ＣＨ２が形成され、第２金属膜７２の表面の一部が露出する（図８Ｇ参照）。
次に、第１の絶縁膜４６１の上に、例えばＩＴＯ等の透明電極膜を成膜し、フォトリソグラフィ、ウェットエッチング、及びレジスト剥離を行い、透明電極膜をパターニングする。これにより、領域Ａには、開口ＣＨを介してドレイン電極４２ｄと接するように画素電極６１が形成される。また、領域Ｃには、開口ＣＨ１を介して第２金属膜７２と接し、開口４６１ａを介して第３金属膜７３と接するように、第１透明電極膜８１が形成される。また、領域Ｄには、開口ＣＨ２を介して第２金属膜７２と接するように無機絶縁膜４４の上に第１透明電極膜８１が形成される（図８Ｈ参照）。
次に、領域Ａ〜Ｄにおいて、第１の絶縁膜４６１の上に第２の絶縁膜を成膜し、フォトリソグラフィ、ドライエッチング、及びレジスト剥離を行い、第２の絶縁膜をパターニングする。これにより、領域Ａには、第１の絶縁膜４６１と第１透明電極膜８１の上に第２の絶縁膜４６２が形成され、信号線５２の上において、第１の絶縁膜４６１と第２の絶縁膜４６２とを貫通する開口ＣＨ０が形成される。領域Ｂには、第１の絶縁膜４６１と重なるように第２の絶縁膜４６２が形成される。また、領域Ｃ、Ｄには、第１透明電極膜８１と第１の絶縁膜４６１の一部の上に第２の絶縁膜４６２が形成され、第２の絶縁膜４６２に開口４６２ａが形成される（図８Ｉ参照）。
次に、領域Ａ〜Ｄにおいて、第２の絶縁膜４６２の上に例えばＩＴＯ等の透明電極膜を成膜し、フォトリソグラフィ、ウェットエッチング、及びレジスト剥離を行い、透明電極膜をパターニングする。これにより、領域Ａには、第２の絶縁膜４６２の上に、開口ＣＨ０を介して信号線５２と接するように対向電極５１が形成される。また、領域Ｃ及びＤには、開口４６２ａにおいて、第１透明電極膜８１と接するように第２の絶縁膜４６２の上に第２透明電極膜８２が形成される（図８Ｊ参照）。
上述した実施形態において、ソースドライバ２１、ゲートドライバ２２、制御回路３０、及びコントローラ５０等の複数の駆動回路がそれぞれ接続される各端子部Ｔａ（Ｔａ１〜Ｔａ４）は共通の層構造を有する。そのため、端子部の層構造が各々異なる場合と比べ、端子部の高さを略均一にすることができる。その結果、各端子部Ｔａにこれら駆動回路を圧着させても、端子部Ｔａと駆動回路との間に接続不良を生じにくくすることができる。また、端子部Ｔａは、第１金属膜７１、第２金属膜７２、第１透明電極膜８１、及び第２透明電極膜８２が重ねて配置されるため、端子部Ｔａの低抵抗化を図るとともに、端子部Ｔａを形成するためのスペースを小さくすることができる。
以上、本発明に係る表示装置の一例について説明したが、本発明に係る表示装置は、上述した実施形態の構成に限定されず、様々な変形構成とすることができる。以下、その変形例について説明する。
［変形例１］
上述した実施形態の端子部Ｔａは、第１金属膜７１、第２金属膜７２、第１透明電極膜８１、及び第２透明電極膜８２が順に重ねて配置される構造を有する例を説明したが、端子部の構造はこれに限定されない。以下、上述した実施形態とは異なる他の端子部の構成例について説明する。
（変形例１−１）
図９Ａは、本変形例の端子部の一例を示す断面図である。なお、図９Ａにおいて、実施形態と同様の構成には実施形態と同じ符号を付している。以下、実施形態の端子部Ｔａと異なる部分を主に説明する。
図９Ａに示すように、端子部Ｔｂは、第２金属膜７２を覆うように無機絶縁膜４４が形成されている。無機絶縁膜４４の上には、無機絶縁膜４４を介して第２金属膜７２と重なるように第３金属膜７３が形成されている。また、無機絶縁膜４４と第３金属膜７３の一部を覆うように第１の絶縁膜４６１が形成され、第３金属膜７３と接するように第１の絶縁膜４６１の一部の上に第１透明電極膜８１が形成されている。そして、第１の絶縁膜４６１と第１透明電極膜８１の一部の上に第２の絶縁膜４６２が形成され、第１透明電極膜８１と接するように第２の絶縁膜４６２の一部の上に第２透明電極膜８２が形成されている。つまり、端子部Ｔｂは、第１金属膜７１、第２金属膜７２、第３金属膜７３、第１透明電極膜８１、及び第２透明電極膜８２が順に重ねて配置される構造を有し、第３金属膜７３を備える点で端子部Ｔａと異なる。
このように構成することで、端子部Ｔａと同様、ソースドライバ２１、ゲートドライバ２２、制御回路３０、及びコントローラ５０等の複数の駆動回路と端子部Ｔｂとを圧着した際の接続不良を抑制することができ、また、端子部Ｔｂの低抵抗化を図ることができる。
なお、端子部Ｔｂは以下の工程により形成される。以下、実施形態の各工程と異なる工程を主に説明する。上述した端子部Ｔａの図８Ａ〜８Ｄの工程の後、図８Ｅの工程において、領域Ｄにおける無機絶縁膜４４の上に第３金属膜を成膜し、フォトリソグラフィ、ウェットエッチング、及びレジスト剥離を行って第３金属膜をパターニングする。これにより、領域Ｄにおいて無機絶縁膜４４の上に第３金属膜７３が形成される（図９Ｂ参照）。
その後、図８Ｆの工程において、領域Ｄにおける第３金属膜７３の上に第１の絶縁膜を成膜し、フォトリソグラフィ、ドライエッチング、及びレジスト剥離を行って第１の絶縁膜をパターニングする。これにより、領域Ｄにおいて第３金属膜７３の上に離間して配置された第１の絶縁膜４６１が形成される（図９Ｃ参照）。
続いて、図８Ｇの工程後、図８Ｈの工程において、領域Ｄにおける第１の絶縁膜４６１の上に第１透明電極膜を成膜し、フォトリソグラフィ、ウェットエッチング、及びレジスト剥離を行って第１透明電極膜をパターニングする。これにより、領域Ｄにおいて、第３金属膜７３と接する第１透明電極膜８１が形成される（図９Ｄ参照）。その後、上述した図８Ｉ及び８Ｊの工程を行うことにより、端子部Ｔｂが形成される（図９Ａ参照）。
（変形例１−２）
図１０は、図９Ａとは異なる他の端子部の例を示す断面図である。なお、図１０において、実施形態と同様の構成には第１実施形態と同じ符号を付している。以下、実施形態における端子部Ｔａと異なる部分を主に説明する。
図１０に示すように、端子部Ｔｃは、第２の絶縁膜４６２の上において、第１透明電極膜８１と接するように第２透明電極膜８２が設けられていない点で端子部Ｔａと異なる。したがって、端子部Ｔｃは、上述した図８Ａ〜８Ｉまでの各工程によって形成することができる。
この場合、端子部Ｔａと比べて端子部Ｔｃの抵抗を小さくすることができないが、コソースドライバ２１、ゲートドライバ２２、制御回路３０、及びコントローラ５０等の複数の駆動回路と接続するための各端子を共通の構造に統一することができる。そのため、端子部Ｔａと同様、複数の駆動回路と、各端子部Ｔｃとを圧着した際の接続不良を抑制することができる。
（変形例１−３）
図１１Ａは、図９Ａ及び図１０とは異なる端子部の他の例を示す断面図である。なお、図１１Ａにおいて、第１実施形態と同様の構成には第１実施形態と同じ符号を付している。以下、第１実施形態の端子部Ｔａと異なる部分を主に説明する。
図１１Ａに示すように、端子部Ｔｄは、ガラス基板４０の上にゲート絶縁膜４３と無機絶縁膜４４とが重なって形成されている。また、無機絶縁膜４４の上には、第３金属膜７３が形成され、無機絶縁膜４４と第３金属膜７３の一部と重なるように第１の絶縁膜４６１が形成されている。そして、第３金属膜７３と接するように第１の絶縁膜４６１の上に第１透明電極膜８１が形成され、第１の絶縁膜４６１と第１透明電極膜８１の一部と重なるように第２の絶縁膜４６２が形成されている。また、第１透明電極膜８１と接するように、第２の絶縁膜４６２の一部の上に第２透明電極膜８２が形成されている。このように、端子部Ｔｄは、第１透明電極膜８１と接する第３金属膜７３が設けられ、第１金属膜７１及び第２金属膜７２を備えていない点で端子部Ｔａと異なる。
この場合、端子部Ｔａと比べて端子部Ｔｃの抵抗を小さくすることができないが、コントローラ５０、ソースドライバ２１、ゲートドライバ２２と接続するための各端子を共通の構造に統一することができる。そのため、端子部Ｔａと同様、複数の駆動回路と、各端子部Ｔｄとを圧着した際の接続不良を抑制することができる。
なお、端子部Ｔｄは以下の工程により形成される。以下、実施形態の各工程と異なる工程を主に説明する。上述した図８Ａの工程において、領域Ｄには第１金属膜を形成せず、図８Ｂの工程において、領域Ｄには、ガラス基板４０の上にゲート絶縁膜４３を成膜する（図１１Ｂ参照）。続いて、図８Ｃの工程では、領域Ｄにおけるゲート絶縁膜４３に開口４３ａを形成せず、図８Ｄの工程において、領域Ｄにおけるゲート絶縁膜４３の上に無機絶縁膜４４を形成する（図１１Ｃ参照）。
次に、図８Ｅの工程において、領域Ｄにおける無機絶縁膜４４の上に第３金属膜を成膜し、フォトリソグラフィ、ウェットエッチング、及びレジスト剥離を行って第３金属膜をパターニングする。これにより、領域Ｄには、無機絶縁膜４４の上に第３金属膜７３が形成される（図１１Ｄ参照）。
そして、図８Ｆの工程において、第３金属膜７３の上に第１の絶縁膜を成膜し、フォトリソグラフィ、ドライエッチング、及びレジスト剥離を行って第１の絶縁膜をパターニングする。これにより、領域Ｄには、第３金属膜７３の上に離間して配置された第１の絶縁膜４６１が形成される（図１１Ｅ参照）。
次に、図８Ｇの工程後、図８Ｈの工程において、第１の絶縁膜４６１の上に第１透明電極膜を成膜し、フォトリソグラフィ、ウェットエッチング、及びレジスト剥離を行って第１透明電極膜をパターニングする。これにより、領域Ｄには、第３金属膜７３と接する第１透明電極膜８１が形成される（図１１Ｆ参照）。その後、上述した図８Ｉ及び８Ｊの工程を行うことにより、端子部Ｔｄが形成される（図１１Ａ参照）。
［変形例２］
上述した実施形態及び変形例において、ＴＦＴ４２のソース電極４２ｃとドレイン電極４２ｄとの間にエッチストッパ層が設けられていてもよい。この構成により、ソース電極４２ｃやドレイン電極４２ｄを形成する際のエッチングによって、半導体膜４２ｂがダメージを受けることを防止できる。
［変形例３］
また、上述した実施形態及び変形例では、ボトムゲート型のＴＦＴを例に説明したが、トップゲート型でもよい。また、半導体膜４２ｂは酸化物半導体膜に限らず、アモルファスシリコン膜であってもよい。
［変形例４］
上述した実施形態及び変形例では、画像表示機能とタッチ位置検出機能とを有するアクティブマトリクス基板を備えたタッチパネル付き表示装置を例に説明したが、アクティブマトリクス基板は画像表示機能のみを備えるものであってもよい。この場合、タッチ位置を検出するための信号線５２と、端子部Ｔａと信号線５２とを接続するための接続部Ｃａは形成されなくてもよい。

Claims (10)

  1. アクティブマトリクス基板を備える表示装置であって、
    前記アクティブマトリクス基板は、
    ゲート配線と、
    前記ゲート配線と交差して配置されたデータ配線と、
    画素電極と、
    前記画素電極との間で容量を形成する対向電極と、
    前記ゲート配線と前記データ配線の少なくとも一方に制御信号を供給するための表示用駆動回路と、
    前記対向電極と接続され、タッチ検出用の駆動信号が供給される信号線と、
    前記タッチ検出用の駆動信号を供給するタッチ検出用駆動回路と、
    前記表示用駆動回路と前記タッチ検出用駆動回路とにそれぞれ接続される複数の端子と、を備え、
    前記複数の端子は、共通の層構造を有する、表示装置。
  2. 前記層構造は、
    前記ゲート配線と同じ材料からなる第１金属膜と、
    前記データ配線と同じ材料からなる第２金属膜と、
    前記画素電極と同じ材料からなる第１透明電極膜と、
    前記対向電極と同じ材料からなる第２透明電極膜と、を備え、
    前記第１金属膜、前記第２金属膜、前記第１透明電極膜、及び前記第２透明電極膜が順に積層されている、請求項１に記載の表示装置。
  3. 前記層構造は、
    前記ゲート配線と同じ材料からなる第１金属膜と、
    前記データ配線と同じ材料からなる第２金属膜と、
    絶縁膜と、
    前記信号線と同じ材料からなる第３金属膜と、
    前記画素電極と同じ材料からなる第１透明電極膜と、
    前記対向電極と同じ材料からなる第２透明電極膜と、を備え、
    前記第１金属膜、前記第２金属膜、前記絶縁膜、前記第３金属膜、前記第１透明電極膜、及び前記第２透明電極膜が順に積層されている、請求項１に記載の表示装置。
  4. 前記層構造は、
    前記ゲート配線と同じ材料からなる第１金属膜と、
    前記データ配線と同じ材料からなる第２金属膜と、
    前記画素電極と同じ材料からなる第１透明電極膜と、を備え、
    前記第１金属膜、前記第２金属膜、及び前記第１透明電極膜が順に積層されている、請求項１に記載の表示装置。
  5. 前記層構造は、
    前記信号線と同じ材料からなる第３金属膜と、
    前記画素電極と同じ材料からなる第１透明電極膜と、
    前記対向電極と同じ材料からなる第２透明電極膜と、を備え、
    前記第３金属膜、前記第１透明電極膜、及び第２透明電極膜が順に積層されている、請求項１に記載の表示装置。
  6. 前記アクティブマトリクス基板は、前記信号線と前記対向電極との間に、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とをさらに備え、
    前記層構造は、前記第１透明電極膜の上層に前記第２の絶縁膜が配置される部分を含む、請求項２から５のいずれか一項に記載の表示装置。
  7. 前記画素電極と前記データ配線との間に有機絶縁膜をさらに備え、
    前記層構造に、前記有機絶縁膜が含まれない、請求項１から６のいずれか一項に記載の表示装置。
  8. さらに、
    カラーフィルタを備える対向基板と、
    前記アクティブマトリクス基板と前記対向基板との間に設けられた液晶層と、
    を備える請求項１から７のいずれか一項に記載の表示装置。
  9. ゲート電極、半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極を含む表示制御素子と、駆動回路を接続するための端子部とを備えるアクティブマトリクス基板の製造方法であって、
    前記アクティブマトリクス基板において、前記表示制御素子を形成する表示制御素子領域に第１金属膜からなる前記ゲート電極を形成するとともに、前記端子部を形成する端子部領域に前記第１金属膜を成膜し、
    前記表示制御素子領域と前記端子部領域において、前記ゲート電極及び前記第１金属膜を覆うように絶縁膜を成膜し、前記第１金属膜の上において、前記絶縁膜に第１開口部を形成し、
    前記表示制御素子領域において前記絶縁膜を介して前記ゲート電極と重なるように半導体膜を形成し、
    前記表示制御素子領域における前記半導体膜の上に第２金属膜からなるソース電極及びドレイン電極を形成するとともに、前記端子部領域の前記第１開口部において前記第１金属膜と接するように前記第２金属膜を成膜し、
    前記表示制御素子領域における前記ソース電極及び前記ドレイン電極と、前記端子部領域における前記第２金属膜の上に無機絶縁膜を成膜し、
    前記表示制御素子領域及び前記端子部領域において、前記無機絶縁膜の上に前記第１の絶縁膜を成膜し、
    前記表示制御素子領域と前記端子部領域において前記無機絶縁膜と前記第１の絶縁膜とを貫通する第２開口部を形成し、
    前記端子部領域の前記第２開口部において前記ドレイン電極と接し、前記端子部領域の前記第２開口部において前記第２金属膜と接するように、前記第１の絶縁膜の上に第１透明電極膜を形成し、
    前記表示制御素子領域と前記端子部領域において前記第１の絶縁膜と前記第１透明電極膜の上に第２の絶縁膜を成膜し、前記端子部領域における前記第２の絶縁膜に第３開口部を形成し、
    前記表示制御素子領域における前記第２の絶縁膜の上に、第２透明電極膜からなる対向電極を形成するとともに、前記端子部領域における前記第３開口部において前記第１透明電極膜と接するように、前記第２透明電極膜を前記第２の絶縁膜の上に形成する、
    製造方法。
  10. 前記表示制御素子領域及び前記端子部領域において前記無機絶縁膜を成膜した後、さらに、前記無機絶縁膜の上に有機絶縁膜を成膜し、前記端子部領域において前記有機絶縁膜を除去する、請求項９に記載の製造方法。
JP2018521757A 2016-06-09 2017-06-07 表示装置及びその製造方法 Active JP6625212B2 (ja)

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