CN109313371B - 显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明在于提供可抑制端子部的连接不良的显示装置及其制造方法。显示装置的有源矩阵基板(1)具备:栅极布线；数据布线，其与栅极布线交叉配置；像素电极；对置电极，其在与像素电极之间形成电容；以及信号线，其与对置电极连接，并供给触摸检测用的驱动信号。另外，具备:显示用驱动电路，其用于对栅极布线和数据布线的至少一方供给控制信号；触摸检测用驱动电路，其供给触摸检测用的驱动信号。另外，有源矩阵基板(1)具有将显示用驱动电路与触摸检测用驱动电路连接的多个端子部(Ta)，端子部(Ta)具有共用的层结构。

Description

显示装置及其制造方法
技术领域
本发明涉及显示装置及其制造方法。
背景技术
日本专利特开2015-122057号公报公开有具备发挥显示器用和触摸屏幕用双方的作用的面板的触摸屏幕面板一体型显示装置。在面板形成有多个像素，在各像素设置有像素电极、以及与像素电极连接的晶体管。另外，在面板，与像素电极对置而分离配置有多个电极。多个电极在显示器驱动模式下作为在与像素电极之间形成横向电场(水平电场)的共用电极发挥功能，在触摸驱动模式下，作为在与手指等之间形成静电电容的触摸电极而发挥功能。在多个电极分别连接有与数据线大致平行的至少一个信号线，从触摸集成电路经由信号线供给触摸驱动信号或者共用电压信号。
发明内容
本发明所要解决的技术问题
在日本专利特开2015-122057号公报中，与作为触摸电极或者共用电极发挥功能的多个电极连接的信号线同设置于显示区域外的触摸集成电路连接。另外，与像素连接的数据线在设置有触摸集成电路的显示区域外与数据驱动部连接。若利用其他的膜结构来制成用于与触摸集成电路、数据驱动部等的控制电路连接的各端子部，则端子部的高度不统一，有时在端子部压接控制电路时产生连接不良。
解决问题的方案
本发明的目的在于提供可抑制端子部的连接不良的显示装置及其制造方法。
本发明的一实施方式的显示装置是具备有源矩阵基板的显示装置，且上述有源矩阵基板具备：栅极布线；数据布线，其与上述栅极布线交叉配置；像素电极；对置电极，其在与上述像素电极之间形成电容；显示用驱动电路，其用于对上述栅极布线和上述数据布线的至少一方供给控制信号；信号线，其与上述对置电极连接，并供给触摸检测用的驱动信号；触摸检测用驱动电路，其供给上述触摸检测用的驱动信号；以及多个端子，其分别与上述显示用驱动电路和上述触摸检测用驱动电路连接，上述多个端子具有共用的层结构。
发明效果
根据本发明，能够抑制端子部的连接不良。
附图说明
图1是实施方式的带触摸面板的显示装置的剖视图。
图2是表示图1所示的有源矩阵基板的简要结构的示意图。
图3是表示形成于图1所示的有源矩阵基板的对置电极的配置的一个例子的示意图。
图4是将图1所示的有源矩阵基板的局部放大的示意图。
图5是在图1所示的有源矩阵基板中配置有TFT的区域与信号线连接区域的剖视图。
图6是实施方式的端子部的剖视图。
图7A是表示将图6所示的端子部与图3所示的信号线之间连接的连接部的剖视图。
图7B是表示用于将第一金属膜与图7A所示的连接部的第二金属膜连接的连接部的剖视图。
图8A是对图1所示的有源矩阵基板的制造方法进行说明的图，且是表示在基板上形成有栅电极和第一金属膜的状态的剖视图。
图8B是表示在图8A所示的基板上形成栅极绝缘膜的工序的剖视图。
图8C是表示在图8B所示的栅极绝缘膜上形成半导体膜，并在栅极绝缘膜形成开口的工序的剖视图。
图8D是表示从图8C所示的状态形成源电极、漏电极、第二金属膜、以及无机绝缘膜的工序的剖视图。
图8E是表示从图8D所示的状态形成有机绝缘膜的工序的剖视图。
图8F是表示从图8E所示的状态形成信号线以及第三金属膜的工序的剖视图。
图8G是表示从图8F所示的状态形成第一绝缘膜，并形成贯通第一绝缘膜和无机绝缘膜的开口的工序的剖视图。
图8H是表示从图8G所示的状态形成像素电极以及第一透明电极膜的工序的剖视图。
图8I是表示从图8H所示的状态形成第二绝缘膜的工序的剖视图。
图8J是表示从图8I所示的状态形成对置电极以及第二透明电极膜的工序的剖视图。
图9A是变形例1-1的端子部的剖视图。
图9B是对图9A所示的端子部的制造方法进行说明的图，且表示在第一绝缘膜之上形成第三金属膜的工序的剖视图。
图9C是表示在图9B所示的第三金属膜之上形成第二绝缘膜的工序的剖视图。
图9D是表示在图9C所示的第二绝缘膜和第三金属膜之上形成第一透明电极膜的工序的剖视图。
图10是变形例1-2的端子部的剖视图。
图11A是变形例1-3的端子部的剖视图。
图11B是对图11A所示的端子部的制造方法进行说明的图，且是表示在基板上形成栅极绝缘膜的工序的剖视图。
图11C是表示在图11B所示的栅极绝缘膜之上形成无机绝缘膜的工序的剖视图。
图11D是表示在图11C所示的无机绝缘膜之上形成第三金属膜的工序的剖视图。
图11E是表示在图11D所示的第三金属膜之上形成第一绝缘膜的工序的剖视图。
图11F是表示在图11E所示的第一绝缘膜和第三金属膜之上形成第一透明电极膜的工序的剖视图。
具体实施方式
本发明的一实施方式的显示装置是具备有源矩阵基板的显示装置，上述有源矩阵基板具备：栅极布线；数据布线，其与上述栅极布线交叉配置；像素电极；对置电极，其在与上述像素电极之间形成电容；显示用驱动电路，其用于对上述栅极布线和上述数据布线的至少一方供给控制信号；信号线，其与上述对置电极连接，并供给触摸检测用的驱动信号；触摸检测用驱动电路，其供给上述触摸检测用的驱动信号；以及多个端子，其分别与上述显示用驱动电路和上述触摸检测用驱动电路连接，上述多个端子具有共用的层结构(第一结构)。
根据第一结构，在多个端子部连接有用于对栅极布线和数据布线的至少一方供给控制信号的显示用驱动电路、和用于对信号线供给驱动信号的触摸检测用驱动电路，多个端子部具有共用的层结构。因此，各端子部的高度大致均等，与端子部的高度不均等的情况相比，能够减少由端子部和驱动电路的压接引起的连接不良。
在第一结构中，也可以上述层结构具备：由与上述栅极布线相同的材料制成的第一金属膜；由与上述数据布线相同的材料制成的第二金属膜；由与上述像素电极相同的材料制成的第一透明电极膜；以及由与上述对置电极相同的材料制成的第二透明电极膜，将上述第一金属膜、上述第二金属膜、上述第一透明电极膜以及上述第二透明电极膜依次层叠(第二结构)。
根据第二结构，端子部具备第一金属膜、第二金属膜、第一透明电极膜以及第二透明电极膜。因此，能够在分别形成栅极布线、数据布线、像素电极以及对置电极的工序中形成端子部。另外，通过将第一金属膜、第二金属膜、第一透明电极膜以及第二透明电极膜层叠，从而能够实现端子部的低电阻化以及省空间化。
在第一结构中，也可以上述层结构具备：由与上述栅极布线相同的材料制成的第一金属膜；由与上述数据布线相同的材料制成的第二金属膜；绝缘膜；由与上述信号线相同的材料制成的第三金属膜；由与上述像素电极相同的材料制成的第一透明电极膜；以及由与上述对置电极相同的材料制成的第二透明电极膜，将上述第一金属膜、上述第二金属膜、上述绝缘膜、上述第三金属膜、上述第一透明电极膜以及上述第二透明电极膜依次层叠(第三结构)。
根据第三结构，端子部通过将第一金属膜、第二金属膜、绝缘膜、第三金属膜、第一透明电极膜以及第二透明电极膜依次层叠而构成。因此，能够在分别形成栅极布线、数据布线、信号线、像素电极以及对置电极的工序中形成端子部，能够实现端子部的低电阻化以及省空间化。
在第一结构中，也可以：上述层结构具备：由与上述栅极布线相同的材料制成的第一金属膜；由与上述数据布线相同的材料制成的第二金属膜；以及由与上述像素电极相同的材料制成的第一透明电极膜，将上述第一金属膜、上述第二金属膜以及上述第一透明电极膜依次层叠(第四结构)。
根据第四结构，端子部通过将第一金属膜、第二金属膜以及第一透明电极膜层叠而构成。因此，能够在分别形成栅极布线、数据布线、以及像素电极的工序中形成端子部，从而能够使端子部的高度均等。
在第一结构中，也可以：上述层结构具备：由与上述信号线相同的材料制成的第三金属膜；由与上述像素电极相同的材料制成的第一透明电极膜；以及由与上述对置电极相同的材料制成的第二透明电极膜，将上述第三金属膜、上述第一透明电极膜以及第二透明电极膜依次层叠(第五结构)。
根据第五结构，端子部通过将第三金属膜、第一透明电极膜以及第二透明电极膜层叠而构成。因此，能够在分别形成信号线、像素电极以及对置电极的工序中形成端子部，能够使端子部的高度均等。
在第二至第五任一个结构中，也可以：上述有源矩阵基板在上述信号线与上述对置电极之间还具备第一绝缘膜和第二绝缘膜，上述层结构包括在上述第一透明电极膜的上层配置有上述第二绝缘膜的部分(第六结构)。
根据第六结构，能够实现端子部的低电阻化。
在第一至第六中任一个结构中，也可以在上述像素电极与上述数据布线之间还具备有机绝缘膜，上述层结构不包括上述有机绝缘膜(第七结构)。
根据第七结构，能够减少像素电极与数据布线之间的寄生电容。
在第一至第七的任一个结构中，也可以还具备：具有彩色滤光片的对置基板；和设置于上述有源矩阵基板与上述对置基板之间的液晶层(第八结构)。
根据第八结构，能够应用于使用了液晶的显示装置。
本发明的一实施方式的显示装置的有源矩阵基板的制造方法是具备：包括栅电极、半导体膜、源电极以及漏电极的显示控制元件；和用于将驱动电路连接的端子部的有源矩阵基板的制造方法，在上述有源矩阵基板中，在形成上述显示控制元件的显示控制元件区域形成由第一金属膜构成的上述栅电极，并且在形成上述端子部的端子部区域使上述第一金属膜成膜，在上述显示控制元件区域和上述端子部区域中，以覆盖上述栅电极以及上述第一金属膜的方式使绝缘膜成膜，在上述第一金属膜之上，在上述绝缘膜形成第一开口部，在上述显示控制元件区域中，以经由上述绝缘膜而与上述栅电极重叠的方式形成半导体膜，在上述显示控制元件区域的上述半导体膜之上形成由第二金属膜构成的源电极以及漏电极，并且在上述端子部区域的上述第一开口部中以与上述第一金属膜接触的方式使上述第二金属膜成膜，在上述显示控制元件区域的上述源电极以及上述漏电极、和上述端子部区域的上述第二金属膜之上使无机绝缘膜成膜，在上述显示控制元件区域以及上述端子部区域中，在上述无机绝缘膜之上使上述第一绝缘膜成膜，在上述显示控制元件区域和上述端子部区域中形成贯通上述无机绝缘膜和上述第一绝缘膜的第二开口部，以在上述端子部区域的上述第二开口部中与上述漏电极接触并在上述端子部区域的上述第二开口部中与上述第二金属膜接触的方式在上述第一绝缘膜之上形成第一透明电极膜，在上述显示控制元件区域和上述端子部区域中在上述第一绝缘膜和上述第一透明电极膜之上使第二绝缘膜成膜，在上述端子部区域的上述第二绝缘膜形成第三开口部，在上述显示控制元件区域的上述第二绝缘膜之上形成由第二透明电极膜构成的对置电极，并且以在上述端子部区域的上述第三开口部中与上述第一透明电极膜接触的方式将上述第二透明电极膜形成在上述第二绝缘膜之上(第九结构)。
根据第九结构，在形成显示控制元件的工序中，能够形成用于将多个驱动电路连接的多个端子部。另外，能够使多个端子部的高度均等，因此与端子部的高度不均等的情况相比，能够减少由将驱动电路压接于端子部而引起的连接不良。
在第九结构中，也可以上述显示控制元件区域以及上述端子部区域使上述无机绝缘膜成膜后，并且在上述无机绝缘膜之上使有机绝缘膜成膜，在上述端子部区域中将上述有机绝缘膜除去(第十结构)。
根据第十结构，能够使显示控制元件区域平坦化，并减少像素电极与其他元件之间的寄生电容。
[第一实施方式]
以下，参照附图，对本发明的实施方式详细地进行说明。对图中相同或者相当部分标注相同符号而不重复其说明。此外，为了容易理解说明，在以下所参照的附图中，将结构简化或者模式化而示出，省略一部分构成部件。另外，各图所示的构成部件间的尺寸比也不一定表示实际的尺寸比。
图1是本实施方式的显示装置的剖视图。本实施方式的显示装置100具备有源矩阵基板1、对置基板2、以及夹装于有源矩阵基板1与对置基板2之间的液晶层3。有源矩阵基板1以及对置基板2分别具备几乎透明的(具有较高的透光性)玻璃基板。对置基板2具备未图示的彩色滤光片。另外，虽省略图示，但该显示装置100在图1中与液晶层3相反一侧的有源矩阵基板1的面方向上具备背光源。
显示装置100具有显示图像的功能，并且具有对使用者在其显示的图像之上所触摸的位置(触摸位置)进行检测的功能。该显示装置100是为了检测触摸位置所需要的元件设置于有源矩阵基板1的所谓的内嵌型触摸面板显示装置。
另外，对于显示装置100而言，液晶层3所包含的液晶分子的驱动方式为横向电场驱动方式。为了实现横向电场驱动方式，用于形成电场的像素电极以及对置电极(共用电极)形成于有源矩阵基板1。
图2是有源矩阵基板1的简要结构图。有源矩阵基板1具有多个栅极布线11和多个源极布线12。有源矩阵基板1具有由栅极布线11和源极布线12划分出的多个像素，形成有多个像素的区域成为有源矩阵基板1的显示区域R0。
在有源矩阵基板1中，在于显示区域R0的外侧的区域(边框区域)设置的端子部Ta(Ta1、Ta2)分别连接有源极驱动器21以及栅极驱动器22。另外，在有源矩阵基板1中，在设置于边框区域的端子部Ta(Ta3)连接有用于对源极驱动器21以及栅极驱动器22供给控制信号的控制电路30。
源极驱动器21经由端子部Ta1而与各源极布线12连接，并基于来自控制电路30的控制信号，对各源极布线12供给与图像数据对应的电压信号(数据信号)。栅极驱动器22经由端子部Ta2而与各栅极布线11连接，并基于来自控制电路30的控制信号，对各栅极布线11依次供给电压信号(栅极信号)并扫描栅极布线11。
图3是表示形成于有源矩阵基板1的对置电极51的配置的一个例子的示意图。对置电极51形成于有源矩阵基板1的液晶层3侧的面。如图3所示，对置电极51是矩形形状，且在有源矩阵基板1上以矩阵状配置有多个。对置电极51分别是例如1边为数mm的近似正方形。此外，该图中虽省略图示，但在对置电极51形成有用于在与像素电极之间产生横向电场的窄缝(例如数μm宽度)。
在有源矩阵基板1中，在设置于边框区域的端子部Ta(Ta4)连接有控制器50。控制器50进行用于显示图像的图像显示控制，并且进行用于检测触摸位置的触摸位置检测控制。
控制器50与各对置电极51之间通过在Y轴方向上延伸的信号线52连接。即，与对置电极51的数量相同的数量的信号线52形成在有源矩阵基板1上。
对置电极51与像素电极成对，在图像显示控制时使用并且在触摸位置检测控制时使用。
对置电极51在与邻接的对置电极51等之间形成有寄生电容，但若人的手指等接触显示画面，则由于在与人的手指等之间形成有电容，所以静电电容增加。在触摸位置检测控制时，控制器50经由信号线52而将用于检测触摸位置的触摸驱动信号向对置电极51供给，并经由信号线52来接收触摸检测信号。由此，检测对置电极51的位置的静电电容的变化，从而检测触摸位置。即，信号线52作为触摸驱动信号以及触摸检测信号的收发用的线发挥功能。
图4是将有源矩阵基板1的局部区域放大的示意图。如图4所示，多个像素电极61以矩阵状配置。另外，图4中省略，但作为显示控制元件(开关元件)的TFT(Thin FilmTransistor：薄膜晶体管)与像素电极61对应而以矩阵状配置。此外，在对置电极51设置有多个窄缝51a。
在像素电极61的周围设置有栅极布线11以及源极布线12。栅极布线11沿X轴方向延伸，并沿着Y轴方向以规定的间隔设置有多个。源极布线12沿Y轴方向延伸，并沿着X轴方向以规定的间隔设置有多个。即，栅极布线11以及源极布线12以格子状形成，在由栅极布线11以及源极布线12划分出的区域设置有像素电极61。TFT的栅电极连接于栅极布线11，TFT的源电极和漏电极的一方连接于源极布线12，另一方连接于像素电极61。
在对置基板2(参照图1)以与像素电极61分别对应的方式设置有RGB三色的彩色滤光片。由此，像素电极61分别作为RGB中任一颜色的子像素发挥功能。
如图4所示，沿Y轴方向延伸的信号线52配置为在有源矩阵基板1的法线方向上一部分与沿Y轴方向延伸的源极布线12重叠。具体而言，信号线52设置于比源极布线12靠上层，俯视时信号线52与源极布线12局部重叠。
此外，在图4中，白圈35表示对置电极51与信号线52连接的位置。
图5是配置有TFT的区域，且信号线52与对置电极51连接的区域(以下，信号线连接区域)的有源矩阵基板1的剖视图。如图5所示，在玻璃基板40之上设置有作为显示控制元件的TFT42。TFT42包括栅电极42a、半导体膜42b、源电极42c以及漏电极42d。
TFT42的栅电极42a形成在玻璃基板40上。栅电极42a例如由钛(Ti)以及铜(Cu)的层叠膜形成。栅极绝缘膜43以覆盖栅电极42a的方式形成。栅极绝缘膜43例如由氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)构成。
在栅极绝缘膜43之上形成有半导体膜42b。半导体膜42b例如是氧化物半导体膜，也可以包含In、Ga以及Zn中的至少1种金属元素。在本实施方式中，半导体膜42b例如包括In-Ga-Zn-O系的半导体。此处，In-Ga-Zn-O系的半导体是In(铟)、Ga(镓)、Zn(锌)的三元系氧化物，In、Ga以及Zn的比例(组成比)未特别限定，例如包括In：Ga：Zn＝2：2：1，In：Ga：Zn＝1：1：1，In：Ga：Zn＝1：1：2等。
源电极42c以及漏电极42d设置为在半导体膜42b之上相互分离。源电极42c以及漏电极42d例如由钛(Ti)以及铜(Cu)的层叠膜形成。
无机绝缘膜44以覆盖源电极42c以及漏电极42d的方式形成。无机绝缘膜44例如由氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)等无机材料构成。
在无机绝缘膜44之上形成有有机绝缘膜(平坦化膜)45。有机绝缘膜45例如由聚甲基丙烯酸甲酯树脂(PMMA)等丙烯酸系有机树脂材料等构成。通过形成有机绝缘膜(平坦化膜)45，从而能够抑制以TFT部分的凹凸为起因而产生的液晶分子的取向混乱。另外，能够减少栅极布线11、源极布线12与像素电极61之间的寄生电容。此外，也能够省略有机绝缘膜45。
在有机绝缘膜45之上形成有信号线52。信号线52由例如铜(Cu)、钛(Ti)、钼(Mo)、铝(Al)、镁(Mg)、钴(Co)、铬(Cr)、钨(W)的任一个或者它们的混合物构成。
另外，在有机绝缘膜45之上形成有第一绝缘膜461。第一绝缘膜461以覆盖信号线52的一部分的方式形成。第一绝缘膜461由例如氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)构成。
在漏电极42d之上，形成有贯通第一绝缘膜461和无机绝缘膜44的开口CH。在第一绝缘膜461之上且在不与信号线52重叠的位置以经由开口CH而与漏电极42d接触的方式形成有像素电极61。像素电极61为透明电极，例如由ITO(Indium Tin Oxide)、ZnO(ZincOxide)、IZO(Indium Zinc Oxide)、IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide)、ITZO(Indium TinZinc Oxide)等材料构成。
另外，在第一绝缘膜461与像素电极61之上形成有第二绝缘膜462(第二绝缘层)。第二绝缘膜462例如由氮化硅(SiNx)、二氧化硅(SiO2)构成。在信号线52之上，设置有贯通第二绝缘膜462与第一绝缘膜461的开口CH0。对于信号线连接区域而言，在第一绝缘膜461和第二绝缘膜462设置有开口CH0，但在信号线52与对置电极51未连接的部分未设置有开口CH0。
在第二绝缘膜462之上，以在开口CH0与信号线52接触的方式形成有对置电极51。对置电极51是透明电极，且例如由ITO、ZnO、IZO、IGZO、ITZO等材料构成。
图6是本实施方式的端子部Ta的剖视图。在本实施方式中，分别连接有源极驱动器21、栅极驱动器22、控制电路30以及控制器50的端子部Ta(Ta1、Ta2、Ta3、Ta4)的结构共用。
如图6所示，端子部Ta在玻璃基板40之上形成有第一金属膜71。第一金属膜71是在形成栅极布线11(参照图2)、TFT42的栅电极42a(参照图5)时使用的金属膜。
在第一金属膜71之上形成有栅极绝缘膜43，在栅极绝缘膜43设置有开口43a。
以经由开口43a而与第一金属膜71接触的方式在栅极绝缘膜43之上形成有第二金属膜72。第二金属膜72是在形成源极布线12(参照图2)、TFT42的源电极42c以及漏电极42d时使用的金属膜。
在第二金属膜72与栅极绝缘膜43之上形成有无机绝缘膜44，在无机绝缘膜44之上形成有第一绝缘膜461。在无机绝缘膜44和第一绝缘膜461设置有开口CH1。
以经由开口CH1而与第二金属膜72接触的方式在第一绝缘膜461之上形成有第一透明电极膜81。第一透明电极膜81是在形成像素电极61时使用的透明电极膜，但第一透明电极膜81未与像素电极61电连接。
在第一透明电极膜81的一部分和第一绝缘膜461之上形成有第二绝缘膜462。在第二绝缘膜462设置有开口462a。
以经由开口462a而与第一透明电极膜81接触的方式在第二绝缘膜462之上形成有第二透明电极膜82。第二透明电极膜82是在形成对置电极51时使用的透明电极膜，但第二透明电极膜82未与对置电极51电连接。
如上述那样，源极驱动器21经由端子部Ta1而与源极布线12连接，栅极驱动器22经由端子部Ta2而与栅极布线11连接。另外，控制电路30经由端子部Ta3而与源极驱动器21以及栅极驱动器22连接，控制器50经由端子部Ta4而与信号线52连接。与各端子部Ta的第一金属膜或者第二金属膜72相同的金属膜在端子部Ta1与源极布线12之间、端子部Ta2与栅极布线11之间、端子部Ta4与信号线52之间、端子部Ta4与源极驱动器21以及栅极驱动器22之间延长而连接。
也能够通过与端子部Ta的第一金属膜71相同的材料形成栅极布线11，或通过与端子部Ta的第二金属膜72相同的材料形成源极布线12。然而，在使由与布线相同的材料制成的金属膜从端子部Ta延长直至布线的位置的情况下，布线数越多布线的配置越被限制，膜的高度难以均等，因此使用与布线不同的金属膜更加提高配置的自由度。例如，也可以使由与源极布线12相同的材料制成的第二金属膜72延长直至栅极布线11，将栅极布线11与第二金属膜72连接。另外，也可以使由与栅极布线11相同的材料制成的第一金属膜71延长直至源极布线12，将源极布线12与第一金属膜71连接。另外，也可以使端子部Ta的第一金属膜71或者第二金属膜72延长直至信号线52而与信号线52连接。这样，在与布线连接的金属膜由与布线不同的材料制成的情况下，需要将金属膜、与和金属膜连接的布线之间连接的连接部。
图7A是表示将端子部Ta的第二金属膜72、与信号线52之间连接的连接部Ca的剖视图。如图7A所示，连接部Ca在栅极绝缘膜43之上形成有第二金属膜72，在第二金属膜72之上形成有无机绝缘膜44。
在无机绝缘膜44的一部分之上形成有有机绝缘膜45。在有机绝缘膜45之上形成有由与信号线52相同的材料制成的第三金属膜73。此外，在连接部Ca是使端子部Ta的第二金属膜72延长直至信号线52而与信号线52连接的连接部的情况下，第三金属膜73与信号线52连接。
另外，以与无机绝缘膜44、有机绝缘膜45、第三金属膜73的一部分重叠的方式形成有第一绝缘膜461。
在第一绝缘膜461和无机绝缘膜44形成有开口CH1。另外，在第三金属膜73之上，且在第一绝缘膜461形成有开口461a。以经由开口CH1而与第二金属膜72接触，并经由开口461a而与第三金属膜73接触的方式在第一绝缘膜461之上形成有第一透明电极膜81。
并且，在第一绝缘膜461和第一透明电极膜81的一部分之上形成有第二绝缘膜462。而且，在设置于第二绝缘膜462的开口462a，第二透明电极膜82以与第一透明电极膜81接触的方式形成在第二绝缘膜462之上。
这样，在连接部Ca，第二金属膜72经由第一透明电极膜81和第二透明电极膜82而与第三金属膜73连接。换句话说，在使端子部Ta4的第二金属膜72延长直至信号线52的情况下，信号线52(第三金属膜)在连接部Ca经由第一透明电极膜81和第二透明电极膜82而与第二金属膜72连接。由此，信号线52经由连接部Ca和端子部Ta4而与控制器50连接。
此外，在使端子部Ta4的第一金属膜71延长直至信号线52的情况下，除了连接部Ca之外，还需要用于将第一金属膜71与连接部Ca的第二金属膜72连接的连接部。
图7B是表示用于将第一金属膜71与第二金属膜72连接的连接部Cb的剖视图。如图7B所示，在连接部Cb，在玻璃基板40之上形成有第一金属膜71，在第一金属膜71之上设置有栅极绝缘膜43。以经由设置于栅极绝缘膜43的开口43a而与第一金属膜71接触的方式在栅极绝缘膜43之上形成有第二金属膜72。此外，连接部Cb的第一金属膜71与端子部Ta的第一金属膜71连接。另外，连接部Ca的第二金属膜72与连接部Cb的第二金属膜72连接，但上述第二金属膜72与端子部Ta的第二金属膜72未电连接。
在第二金属膜72之上形成有无机绝缘膜44，在无机绝缘膜44之上形成有有机绝缘膜45。另外，在有机绝缘膜45之上形成有第一绝缘膜461，在第一绝缘膜461之上形成有第二绝缘膜462。
因此，在使端子部Ta4的第一金属膜71延长直至信号线52的情况下，第一金属膜71在连接部Cb与第二金属膜72连接，在连接部Ca将第二金属膜72与第三金属膜73连接。由此，信号线52经由连接部Cb、连接部Ca、端子部Ta4而与控制器50连接。
另外，在使端子部Ta1的第一金属膜71延长直至源极布线12的情况下，第一金属膜71在连接部Cb与第二金属膜72连接。此外，该情况下，连接部Cb的第二金属膜72与源极布线12连接，但端子部Ta1的第二金属膜72未与源极布线12连接。由此，源极布线12经由连接部Cb和端子部Ta1而与源极驱动器21连接。
另外，在使端子部Ta2的第二金属膜72延长直至栅极布线11的情况下，第二金属膜72在连接部Cb与第一金属膜71连接。此外，该情况下，连接部Cb的第一金属膜71与栅极布线11连接，但端子部Ta的第一金属膜71未与栅极布线11连接。由此，栅极布线11经由连接部Cb和端子部Ta2而与栅极驱动器22连接。
(制造工序)
图8A～8J是用于对本实施方式的有源矩阵基板1的制造工序进行说明的图。具体而言，图8A～8J示出包括形成有TFT42的区域和信号线连接区域在内的区域A、分别形成有上述的连接部Ca、Cb以及端子部Ta的区域B～D的各制造工序的有源矩阵基板1的剖视图。以下，对各制造工序进行说明。
首先，在玻璃基板40上，例如使包含铜的第一金属膜成膜，进行光刻、湿式蚀刻以及抗蚀剂剥离而对第一金属膜刻画图案。由此，在区域A形成有由第一金属膜构成的栅电极42a，在区域B以及区域D形成有第一金属膜71(参照图8A)。
接下来，以覆盖栅电极42a和第一金属膜71的方式使栅极绝缘膜43成膜。而且，在区域A中，以经由栅极绝缘膜43而与栅电极42a重叠的方式使例如包括In、Ga、Zn以及氧在内的半导体膜成膜。而且，进行光刻以及湿式蚀刻而对半导体膜刻画图案。由此，在区域A中，在栅极绝缘膜43上形成有半导体膜42b(参照图8B)。
接下来，在区域B和区域D中，使用光刻法以及干式蚀刻对栅极绝缘膜43刻画图案。由此，在区域B和区域D且在栅极绝缘膜43形成有开口43a(参照图8C)。
而且，在区域A～D中，在栅极绝缘膜43之上，例如使包含铜的第二金属膜成膜，进行光刻、湿式蚀刻以及抗蚀剂剥离而对第二金属膜刻画图案，其后使无机绝缘膜成膜。由此，在区域A形成有在半导体膜42b之上分离而形成的源电极42c和漏电极42d，以覆盖源电极42c以及漏电极42d的方式形成有无机绝缘膜44。另外，在区域B以及D，且在开口43a，以与第一金属膜71接触的方式形成有第二金属膜72，在第二金属膜72之上形成有无机绝缘膜44。另外，在区域C中，在栅极绝缘膜43之上形成有第二金属膜72，以覆盖第二金属膜72的方式形成有无机绝缘膜44(参照图8D)。
接下来，在无机绝缘膜44之上使用光刻而对有机绝缘膜刻画图案并进行焙烤处理。由此，在区域A以及C中，在无机绝缘膜44之上有机绝缘膜45分离而形成，在区域B中，以与无机绝缘膜44重叠的方式形成有有机绝缘膜45(参照图8E)。
接着，在有机绝缘膜45之上，例如使包含铜的第三金属膜成膜，进行光刻、湿式蚀刻以及抗蚀剂剥离而对第三金属膜刻画图案。由此，在区域A中，在有机绝缘膜45之上形成有信号线52。另外，在区域C中，在有机绝缘膜45之上形成有第三金属膜73(参照图8F)。
接下来，在区域A～C的有机绝缘膜45之上、以及在区域D的无机绝缘膜44之上使第一绝缘膜成膜，进行光刻、干式蚀刻以及抗蚀剂剥离而对第一绝缘膜刻画图案。
由此，在区域A中，在有机绝缘膜45之上形成有第一绝缘膜461，形成有贯通第一绝缘膜461和无机绝缘膜44的开口CH，漏电极42d的表面的一部分露出。在区域B中，以与有机绝缘膜45重叠的方式形成有第一绝缘膜461。在区域C中，在有机绝缘膜45之上形成有第一绝缘膜461，并形成有贯通第一绝缘膜461和无机绝缘膜44的开口CH1、和第一绝缘膜461的开口461a，第二金属膜72和第三金属膜73的表面的一部分露出。另外，在区域D中，在无机绝缘膜44之上形成有第一绝缘膜461，形成有贯通第一绝缘膜461和无机绝缘膜44的开口CH2，第二金属膜72的表面的一部分露出(参照图8G)。
接下来，在第一绝缘膜461之上，例如使ITO等透明电极膜成膜，进行光刻、湿式蚀刻以及抗蚀剂剥离，而对透明电极膜刻画图案。由此，在区域A，以经由开口CH而与漏电极42d接触的方式形成有像素电极61。另外，在区域C，以经由开口CH1而与第二金属膜72接触并经由开口461a而与第三金属膜73接触的方式形成有第一透明电极膜81。另外，在区域D中，以经由开口CH2而与第二金属膜72接触的方式在无机绝缘膜44之上形成有第一透明电极膜81(参照图8H)。
接下来，在区域A～D中，在第一绝缘膜461之上使第二绝缘膜成膜，进行光刻、干式蚀刻以及抗蚀剂剥离，而对第二绝缘膜刻画图案。由此，在区域A中，在第一绝缘膜461和第一透明电极膜81之上形成有第二绝缘膜462，在信号线52之上，形成有贯通第一绝缘膜461和第二绝缘膜462的开口CH0。在区域B以与第一绝缘膜461重叠的方式形成有第二绝缘膜462。另外，在区域C、D中，在第一透明电极膜81与第一绝缘膜461的一部分之上形成有第二绝缘膜462，在第二绝缘膜462形成有开口462a(参照图8I)。
接下来，在区域A～D中，在第二绝缘膜462之上例如使ITO等透明电极膜成膜，进行光刻、湿式蚀刻以及抗蚀剂剥离，对透明电极膜刻画图案。由此，在区域A中，在第二绝缘膜462之上，以经由开口CH0而与信号线52接触的方式形成有对置电极51。另外，在区域C以及D中，在开口462a，以与第一透明电极膜81接触的方式在第二绝缘膜462之上形成有第二透明电极膜82(参照图8J)。
在上述的实施方式中，分别连接有源极驱动器21、栅极驱动器22、控制电路30以及控制器50等的多个驱动电路的各端子部Ta(Ta1～Ta4)具有共用的层结构。因此，与端子部的层结构分别不同的情况相比，能够使端子部的高度大致均等。作为其结果，即使另这些驱动电路压接于各端子部Ta，也能够难以在端子部Ta与驱动电路之间产生连接不良。另外，端子部Ta由于重叠配置有第一金属膜71、第二金属膜72、第一透明电极膜81以及第二透明电极膜82，所以能够实现端子部Ta的低电阻化，并且缩小用于形成端子部Ta的空间。
以上，对本发明的显示装置的一个例子进行了说明，但本发明的显示装置不限定于上述的实施方式的结构，能够成为各种变形结构。以下，对其变形例进行说明。
[变形例1]
对上述的实施方式的端子部Ta具有将第一金属膜71、第二金属膜72、第一透明电极膜81以及第二透明电极膜82依次重叠配置的结构的例子进行了说明，但端子部的结构不限定于此。以下，对与上述的实施方式不同的其他的端子部的构成例进行说明。
(变形例1-1)
图9A是表示本变形例的端子部的一个例子的剖视图。此外，在图9A中，对与实施方式相同的结构标注与实施方式相同的符号。以下，主要对与实施方式的端子部Ta不同的部分进行说明。
如图9A所示，端子部Tb以覆盖第二金属膜72的方式形成有无机绝缘膜44。在无机绝缘膜44之上以经由无机绝缘膜44而与第二金属膜72重叠的方式形成有第三金属膜73。另外，以覆盖无机绝缘膜44和第三金属膜73的一部分的方式形成有第一绝缘膜461，以与第三金属膜73接触的方式在第一绝缘膜461的一部分之上形成有第一透明电极膜81。而且，在第一绝缘膜461与第一透明电极膜81的一部分之上形成有第二绝缘膜462，以与第一透明电极膜81接触的方式在第二绝缘膜462的一部分之上形成有第二透明电极膜82。换句话说，端子部Tb具有将第一金属膜71、第二金属膜72、第三金属膜73、第一透明电极膜81以及第二透明电极膜82依次重叠配置的结构，在具备第三金属膜73这点上与端子部Ta不同。
通过这样构成，从而与端子部Ta同样，能够抑制将源极驱动器21、栅极驱动器22、控制电路30以及控制器50等多个驱动电路与端子部Tb压接时的连接不良，另外能够实现端子部Tb的低电阻化。
此外，端子部Tb由以下的工序形成。以下，主要对与实施方式的各工序不同的工序进行说明。在上述的端子部Ta的图8A～8D的工序后，在图8E的工序中，在区域D的无机绝缘膜44之上使第三金属膜成膜，进行光刻、湿式蚀刻以及抗蚀剂剥离而对第三金属膜刻画图案。由此，在区域D中，在无机绝缘膜44之上形成有第三金属膜73(参照图9B)。
其后，在图8F的工序中，在区域D的第三金属膜73之上使第一绝缘膜成膜，进行光刻、干式蚀刻以及抗蚀剂剥离而对第一绝缘膜刻画图案。由此，在区域D中，在第三金属膜73之上形成有分离配置的第一绝缘膜461(参照图9C)。
接着，在图8G的工序后，在图8H的工序中，在区域D的第一绝缘膜461之上使第一透明电极膜成膜，进行光刻、湿式蚀刻以及抗蚀剂剥离而对第一透明电极膜刻画图案。由此，在区域D中，形成有与第三金属膜73接触的第一透明电极膜81(参照图9D)。其后，通过进行上述的图8I以及8J的工序，从而形成端子部Tb(参照图9A)。
(变形例1-2)
图10是表示与图9A不同的其他的端子部的例子的剖视图。此外，在图10中，对与实施方式相同的结构标注与第一实施方式相同的符号。以下，主要对与实施方式的端子部Ta不同的部分进行说明。
如图10所示，端子部Tc在第二绝缘膜462之上未以与第一透明电极膜81接触的方式设置有第二透明电极膜82这点上与端子部Ta不同。因此，端子部Tc能够通过直至上述的图8A～8I为止的各工序而形成。
该情况下，与端子部Ta相比无法缩小端子部Tc的电阻，但能够将用于与源极驱动器21、栅极驱动器22、控制电路30以及控制器50等的多个驱动电路连接的各端子统一为共用的结构。因此，与端子部Ta同样，能够抑制将多个驱动电路与各端子部Tc压接时的连接不良。
(变形例1-3)
图11A是表示与图9A以及图10不同的端子部的其他例子的剖视图。此外，在图11A中，对与第一实施方式相同的结构标注与第一实施方式相同的符号。以下，主要对与第一实施方式的端子部Ta不同的部分进行说明。
如图11A所示，端子部Td在玻璃基板40之上重叠有栅极绝缘膜43和无机绝缘膜44而形成。另外，在无机绝缘膜44之上形成有第三金属膜73，以无机绝缘膜44与第三金属膜73的一部分重叠的方式形成有第一绝缘膜461。而且，以与第三金属膜73接触的方式在第一绝缘膜461之上形成有第一透明电极膜81，以第一绝缘膜461与第一透明电极膜81的一部分重叠的方式形成有第二绝缘膜462。另外，以与第一透明电极膜81接触的方式在第二绝缘膜462的一部分之上形成有第二透明电极膜82。这样，端子部Td在设置有与第一透明电极膜81接触的第三金属膜73，并具备第一金属膜71以及第二金属膜72这点上与端子部Ta不同。
该情况下，与端子部Ta相比无法缩小端子部Tc的电阻，但能够将用于与控制器50、源极驱动器21、栅极驱动器22连接的各端子统一为共用的结构。因此，与端子部Ta同样，能够抑制将多个驱动电路与各端子部Td压接时的连接不良。
此外，端子部Td由以下的工序形成。以下，主要对与实施方式的各工序不同的工序进行说明。在上述的图8A的工序中，在区域D未形成第一金属膜，在图8B的工序中，在区域D，在玻璃基板40之上使栅极绝缘膜43成膜(参照图11B)。接着，在图8C的工序中，在区域D的栅极绝缘膜43未形成开口43a，在图8D的工序中，在区域D的栅极绝缘膜43之上形成无机绝缘膜44(参照图11C)。
接下来，在图8E的工序中，在区域D的无机绝缘膜44之上使第三金属膜成膜，进行光刻、湿式蚀刻以及抗蚀剂剥离而对第三金属膜刻画图案。由此，在区域D，在无机绝缘膜44之上形成有第三金属膜73(参照图11D)。
而且，在图8F的工序中，在第三金属膜73之上使第一绝缘膜成膜，进行光刻、干式蚀刻以及抗蚀剂剥离而对第一绝缘膜刻画图案。由此，在区域D，形成有在第三金属膜73之上分离配置的第一绝缘膜461(参照图11E)。
接下来，在图8G的工序后，在图8H的工序中，在第一绝缘膜461之上使第一透明电极膜成膜，进行光刻、湿式蚀刻以及抗蚀剂剥离而对第一透明电极膜刻画图案。由此，在区域D，形成有与第三金属膜73接触的第一透明电极膜81(参照图11F)。其后，通过进行上述的图8I以及8J的工序，从而形成端子部Td(参照图11A)。
[变形例2]
在上述的实施方式以及变形例中，也可以在TFT42的源电极42c与漏电极42d之间设置有蚀刻阻挡层。根据该结构，通过形成源电极42c、漏电极42d时的蚀刻，能够防止半导体膜42b受到损伤。
[变形例3]
另外，在上述的实施方式以及变形例中，以底栅型的TFT作为例子进行了说明，但也可以是顶栅型。另外，半导体膜42b不局限于氧化物半导体膜，也可以是非晶体硅膜。
[变形例4]
在上述的实施方式以及变形例中，将具备具有图像显示功能和触摸位置检测功能的有源矩阵基板的带触摸面板显示装置作为例子进行了说明，但有源矩阵基板也可以仅具备图像显示功能。该情况下，也可以未形成有用于检测触摸位置的信号线52、用于将端子部Ta与信号线52连接的连接部Ca。

Claims (10)

1.一种显示装置，其具备有源矩阵基板，所述显示装置的特征在于，
所述有源矩阵基板具备:
栅极布线；
数据布线，其与所述栅极布线交叉配置；
像素电极；
对置电极，其在与所述像素电极之间形成电容；
显示用驱动电路，其用于对所述栅极布线和所述数据布线的至少一方供给控制信号；
信号线，其与所述对置电极连接，并供给触摸检测用的驱动信号；
触摸检测用驱动电路，其供给所述触摸检测用的驱动信号；以及
多个端子，其分别与所述显示用驱动电路和所述触摸检测用驱动电路连接，
所述多个端子具有共用的层结构。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述层结构具备:
由与所述栅极布线相同的材料制成的第一金属膜；
由与所述数据布线相同的材料制成的第二金属膜；
由与所述像素电极相同的材料制成的第一透明电极膜；以及
由与所述对置电极相同的材料制成的第二透明电极膜，
将所述第一金属膜、所述第二金属膜、所述第一透明电极膜以及所述第二透明电极膜依次层叠。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述层结构具备:
由与所述栅极布线相同的材料制成的第一金属膜；
由与所述数据布线相同的材料制成的第二金属膜；
绝缘膜；
由与所述信号线相同的材料制成的第三金属膜；
由与所述像素电极相同的材料制成的第一透明电极膜；以及
由与所述对置电极相同的材料制成的第二透明电极膜，
将所述第一金属膜、所述第二金属膜、所述绝缘膜、所述第三金属膜、所述第一透明电极膜、以及所述第二透明电极膜依次层叠。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述层结构具备:
由与所述栅极布线相同的材料制成的第一金属膜；
由与所述数据布线相同的材料制成的第二金属膜；以及
由与所述像素电极相同的材料制成的第一透明电极膜，
将所述第一金属膜、所述第二金属膜以及所述第一透明电极膜依次层叠。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征在于，
所述层结构具备:
由与所述信号线相同的材料制成的第三金属膜；
由与所述像素电极相同的材料制成的第一透明电极膜；以及
由与所述对置电极相同的材料制成的第二透明电极膜，
将所述第三金属膜、所述第一透明电极膜以及第二透明电极膜依次层叠。
6.根据权利要求2～5中任一项所述的显示装置，其特征在于，
所述有源矩阵基板在所述信号线与所述对置电极之间还具备第一绝缘膜和第二绝缘膜，
所述层结构包括在所述第一透明电极膜的上层配置有所述第二绝缘膜的部分。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的显示装置，其特征在于，
在所述像素电极与所述数据布线之间还具备有机绝缘膜，
所述层结构不包括所述有机绝缘膜。
8.根据权利要求1～5中任一项所述的显示装置，其特征在于，还具备:
具有彩色滤光片的对置基板；和
设置于所述有源矩阵基板与所述对置基板之间的液晶层。
9.一种有源矩阵基板的制造方法，其为具备:包括栅电极、半导体膜、源电极、以及漏电极的显示控制元件；和用于连接驱动电路的端子部的有源矩阵基板的制造方法，所述制造方法的特征在于，
在所述有源矩阵基板中，在形成所述显示控制元件的显示控制元件区域形成由第一金属膜构成的所述栅电极，并且在形成所述端子部的端子部区域使所述第一金属膜成膜，
在所述显示控制元件区域和所述端子部区域中，以覆盖所述栅电极以及所述第一金属膜的方式使绝缘膜成膜，在所述第一金属膜之上，在所述绝缘膜形成第一开口部，
在所述显示控制元件区域中以经由所述绝缘膜而与所述栅电极重叠的方式形成半导体膜，
在所述显示控制元件区域中的所述半导体膜上形成由第二金属膜构成的源电极以及漏电极，并且在所述端子部区域的所述第一开口部中以与所述第一金属膜接触的方式使所述第二金属膜成膜，
在所述显示控制元件区域的所述源电极以及所述漏电极、和所述端子部区域的所述第二金属膜之上使无机绝缘膜成膜，
在所述显示控制元件区域以及所述端子部区域中，在所述无机绝缘膜上使第一绝缘膜成膜，
在所述显示控制元件区域和所述端子部区域中形成贯通所述无机绝缘膜与所述第一绝缘膜的第二开口部，
以在所述端子部区域的所述第二开口部中与所述漏电极接触、并在所述端子部区域的所述第二开口部中与所述第二金属膜接触的方式，在所述第一绝缘膜上形成第一透明电极膜，
在所述显示控制元件区域和所述端子部区域中，在所述第一绝缘膜和所述第一透明电极膜上使第二绝缘膜成膜，在所述端子部区域的所述第二绝缘膜形成第三开口部，
在所述显示控制元件区域的所述第二绝缘膜上形成由第二透明电极膜构成的对置电极，并且以在所述端子部区域的所述第三开口部中与所述第一透明电极膜接触的方式将所述第二透明电极膜形成在所述第二绝缘膜之上。
10.根据权利要求9所述的制造方法，其特征在于，
在所述显示控制元件区域以及所述端子部区域中使所述无机绝缘膜成膜后，进而在所述无机绝缘膜上使有机绝缘膜成膜，在所述端子部区域中除去所述有机绝缘膜。
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