JP2008102230A - 電気光学装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】第1基板3上に、走査線4、データ線5、トランジスタ及び蓄積容量Csを、画素電極7の周囲に設定された遮光領域内に配置してなる表示装置であって、画素電極7とトランジスタの半導体層とは、データ線5と同層の第1中継電極5aと、コモン配線6と同層の第3中継電極6aとを介して電気的に接続され、コモン配線6は、遮光性を備え、隣り合うデータ線5−5の間で分断され、この分断部分にコモン配線6と分離した状態で第3中継電極6aが形成されている。またデータ線5間で分断されているコモン配線6間が、上部電極14cを介して接続されている。
【選択図】図4
Description
図1は、本発明の表示装置(電気光学装置)1の一例を示す全体部分の断面図である。本実施形態の表示装置1は、第1基板3と、これに対向配置された第2基板100との間に液晶層101を狭持してなる。
図5の平面図、および図6,7の断面図は、本発明の第2実施形態を説明するための図面であり、以下にこれらの図面に基づいて第2実施形態の表示装置の詳しい構成を説明する。尚、図5は、図2に示した走査線4とデータ線5との交差部の2画素部分を拡大して一部を切り欠いた要部概略平面図であり、絶縁膜の図示を省略している。また図6は、図5のA−A’間において各接続孔を適宜通過させた部分の断面図であり、図7は、図5のB−B’間において各接続孔を適宜通過させた部分の断面図である。これらの図面において、第1実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
以下の実施形態においては、蓄積容量Csの構成に付いて説明する。図8は本発明の第3実施形態を説明する断面図であり、蓄積容量Cs部分の断面構造を示している。この図に示すように、蓄積容量Csは、表面が凹凸形状に整形された第1層間絶縁膜11上を覆う状態で、下部電極12c、ゲート絶縁膜13と同一層からなる誘電耐膜、上部電極14cをこの順に積層させた構成であり、容量素子Csの大容量化が図られている。このような構成において、固定電位側の上部電極14cが、ドーピングしたポリシリコンからなる構成であることとする。これにより、凹凸形状の表面を均一な膜厚で覆った上部電極14cを形成することができる。
図9は本発明の第4実施形態を説明する断面図であり、蓄積容量Cs部分の断面構造を示している。この図に示すように、蓄積容量Csを構成する固定電位側の上部電極14cは、ポリシリコンからなる下層14-1と、この上部のタングステン(W)のシリサイド膜からなる上層14-2との積層構造で構成されていることとする。上層14-2については、タングステンのシリサイド膜の他、金属膜や他の金属のシリサイド膜も良い。金属膜であれば、遮光性をより高くすることができるため、遮光膜としての機能を高めることができ、また低抵抗の金属膜を用いることで、配線としての駆動回路の一部に用いることもできる。
図10は本発明の第5実施形態を説明する断面図であり、蓄積容量Cs部分の断面構造を示している。この図に示すように、蓄積容量Csを構成する固定電位側の上部電極14cは、低抵抗の金属膜からなる単層構造であることとする。本金属膜は同一の基板上に形成された周辺回路においての配線として用いることができる。
図11には、上記構成の表示装置1における表示領域3aと周辺回路3bの等価回路図を示す。図2〜図4を参照しつつ図5の等価回路図に基づいて第6実施形態を説明する。これらの図に示すように、隣接する画素の走査線4に平行な方向の蓄積容量Csの固定電位側の電極(ここでは上部電極14c)間の抵抗値Ra51を、表示領域における固定電極層(コモン配線6)の抵抗値Rb(Rb=52a+52b+52c)よりも低い構成とする。
Claims (3)
- 電気光学物質層を介して対向する一対の基板のうち、一方の基板上に、第1の方向に沿って形成された走査線と、前記第1の方向に交差する第2の方向に沿って形成されたデータ線と、前記走査線及び前記データ線の交差部に対応して設けられた画素電極と、前記画素電極をスイッチング制御するトランジスタと、前記画素電極に電気的に接続された蓄積容量と、前記蓄積容量の一方の電極に固定電位を供給する固定電極層とを含む積層構造を有し、前記走査線、前記データ線、前記トランジスタ及び前記蓄積容量を、前記画素電極の周囲に設定された遮光領域内に配置してなる電気光学装置であって、
前記画素電極と前記トランジスタの半導体層とは、前記データ線と同層の下層中継電極と、前記固定電極層と同層の上層中継電極とを介して電気的に接続され、
前記固定電極層は、遮光性を備え、前記第1の方向で隣り合うデータ線の間で分断され、この分断部分に前記固定電極層と分離した状態で前記上層中継電極が形成されていると共に、
前記データ線間で分断されている前記固定電極層間が、当該固定電極層とは異なる導電層を介して接続されている
ことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1記載の電気光学装置において、
前記蓄積容量を構成する電極のうち前記固定電極層に接続されている側の電極が、前記走査線が延在する方向に隣り合う画素間で連続したパターンとして形成されていることにより、当該固定電極層が前記データ線間で接続された状態となっている
ことを特徴とする電気光学装置。 - 請求項1記載の電気光学装置において、
前記蓄積容量を構成する電極のうち前記固定電極層に接続されている側の電極を介して、当該固定電極層がデータ線間で接続された状態となっている
ことを特徴とする電気光学装置。
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CN109375431A (zh) * | 2018-10-26 | 2019-02-22 | 深圳市华星光电技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
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2006
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