JPWO2016208687A1 - 磁歪式センサ、磁性構造体およびその製造方法、ならびに、磁歪式センサを備えたモータ駆動ユニットおよび電動アシスト付き自転車 - Google Patents

磁歪式センサ、磁性構造体およびその製造方法、ならびに、磁歪式センサを備えたモータ駆動ユニットおよび電動アシスト付き自転車 Download PDF

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Abstract

複数の磁歪列部を有する磁歪部を備えた磁歪式センサにおいて、前記磁歪部に寸法上の制約がある中でも、感度向上を図ることが可能な構成を得る。トルクセンサ1は、基材21の外周面21s上に形成された磁歪膜2を備える。磁歪膜2は、列状に延びる複数の磁歪列部2aを有する。複数の磁歪列部2aのうち少なくとも一部は、該一部を含む磁歪列部2aをその延伸方向と直交する断面で見て、基材21の外周面21sに平行な方向において、最も長い部分の長さが、前記一部を含む磁歪列部2aと基材21の外周面21sとの接触部分2fの長さよりも大きく、且つ、前記接触部分2fと、前記磁歪列部2aの隣りの磁歪列部2aと基材21の外周面21sとの接触部分2fとの間隔Dよりも大きい。

Description

本発明は、磁歪式センサ、磁性構造体およびその製造方法、ならびに、磁歪式センサを備えたモータ駆動ユニットおよび電動アシスト付き自転車に関する。
一般に、トルクや荷重を検知するために、磁歪式センサが用いられている。多くの磁歪式センサでは、トルクまたは荷重が作用する部材(基材)の外周面に、磁歪材料を含む磁歪部が形成されている。このような構成を有する磁歪式センサでは、磁歪部が形成された基材を囲むように、コイルが配置されている。
上述の構成により、磁歪式センサにおいて、磁歪部が形成された基材に力が作用した場合に、磁歪部の磁歪材料の透磁率が変化する。よって、磁歪部を囲むように配置されたコイルのインピーダンスが変化する。磁歪式センサは、前記コイルのインピーダンスの変化を検出することにより、トルクや荷重を検知する。
特許文献1には、Fe−Niの2元型合金からなる磁歪材料を利用したトルクセンサが開示されている。この文献に開示されている構成では、比透磁率と磁歪定数とが好適になるようにFe−Niの組成を決定することにより、センサ感度の向上を図っている。
特許文献2には、基材上に磁歪部を形成する方法が開示されている。この方法では、マスキング部材によって基材の所定部分をマスキングした状態で、該基材をめっき液中に浸漬する。その後、めっき液中に電流を流すことによって、基材のうちマスキングされていない部分にめっき膜(磁歪部)が形成される。特許文献2に開示されている磁歪部は、平行に形成された複数の列状部分(磁歪列部)を有する。
特開2007−93244号公報 特許第4936969号公報
上述の特許文献1に開示されている構成のように、トルクや荷重を精度良く検出するためには、磁歪式センサの感度向上が求められている。
ところで、上述の特許文献2に開示されている構成のように、磁歪式センサが、平行に形成された複数の磁歪列部を有する構成の場合、磁歪式センサの感度を向上するために、前記磁歪列部の数を増やすことが考えられる。
しかしながら、基材上の限られた範囲に形成された磁歪部において、前記磁歪列部の数を増やすことは、寸法上の制約により、限界がある。
以上より、本発明では、複数の磁歪列部を有する磁歪部を備えた磁歪式センサにおいて、前記磁歪部に寸法上の制約がある中でも、感度向上を図ることが可能な構成を得る。
磁歪式センサの感度を向上するためには、磁歪部で生じる透磁率の変化をコイルによって検出する際に、より検出しやすくする必要がある。そのためには、磁歪列部の数を増やすことにより、透磁率の変化を検出しやすくすることが考えられる。しかしながら、限られた範囲内に形成された磁歪部内に形成可能な磁歪列部の数には限界がある。
これに対し、発明者らによる鋭意検討の結果、磁歪部の表面積を大きくすることにより、磁歪列部の数を増やすことと同等の効果が得られることが分かった。すなわち、磁歪部の表面積を大きくすることにより、該磁歪部の透磁率を広範囲で変化させることができる。これにより、コイルによって、磁歪部の透磁率の変化を容易に検出することができる。
以上の知見に基づいて、磁歪式センサについて本発明者らは、以下のような構成に想到した。
本発明の一実施形態に係る磁歪式センサは、軸線に沿って延びる筒状または柱状の基材と、前記基材の外周面上に形成された磁歪部とを備える。前記磁歪部は、列状に延びる複数の磁歪列部を有する。前記複数の磁歪列部のうち少なくとも一部は、該一部を含む磁歪列部をその延伸方向と直交する断面で見て、前記基材の外周面に平行な方向において、最も長い部分の長さが、前記一部を含む磁歪列部と前記基材の外周面との接触部分の長さよりも大きく、且つ、前記接触部分と、前記磁歪列部の隣りの磁歪列部と前記基材の外周面との接触部分との間隔よりも大きい。
本発明の一実施形態に係る磁歪式センサによれば、磁歪部に寸法上の制約がある中でも、感度向上を図ることができる。
本発明の一実施形態に係るトルクセンサの概略構成を示す部分断面図である。 図1に示すトルクセンサに含まれる磁性構造体の概略構成を示す外観図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体の一例の概略構成を示す断面図である。 磁歪列部を断面矩形状にした場合の概略構成を示す断面図である。 (a)および(b)は、図14に示す磁性構造体の製造方法を模式的に示す断面図である。 図2に示す磁性構造体の他の一例を示す断面図である。 図2に示す磁性構造体の他の一例を示す断面図である。 図2に示す磁性構造体の他の一例を示す断面図である。 図1に示すトルクセンサにおいて、コイルのインピーダンス変化を電圧に変換する回路の概略構成を示す図である。 図1に示すトルクセンサを備えた電動アシスト付き自転車の概略構成を示す図である。 図21に示す電動アシスト付き自転車におけるモータ駆動ユニットの概略構成を示すブロック図である。 本発明の一実施例に係るトルクセンサにおいて、磁性構造体の被覆率(横軸)と該トルクセンサの感度(縦軸)との関係を示すグラフである。 本発明の一実施例に係るトルクセンサにおいて、磁性構造体の磁歪膜パターンの長さL/幅W(横軸)とトルクセンサの感度(縦軸)との関係を示すグラフである。 本発明の一実施例に係るトルクセンサにおいて、磁性構造体における磁歪膜の端部の高さH/磁歪膜の最大膜厚H(横軸)と、トルクセンサの感度(縦軸)との関係を示すグラフである。
以下、図面を参照して本発明の実施形態を詳細に説明する。なお、以下の説明において、各図中の構成部材の寸法は、実際の構成部材の寸法及び各構成部材の寸法比率等を忠実に表したものではない。
1.磁歪式センサ
1.1.磁歪式センサの構成
図1は、本発明の一実施形態に係る磁歪式センサの概略構成を示す部分断面図である。以下の説明では、磁歪式センサの一例として、図示しない回転軸に取り付けられた基材21に作用するトルクを検知するための磁歪式トルクセンサ(以下、単に「トルクセンサ」と表記する場合もある。)1について説明する。なお、図1では、説明のために、トルクセンサ1の構成を模式的に示す。
図1に示すように、トルクセンサ1は、磁歪膜2(磁歪部)を有する磁性構造体20と、コイル3,4を有する検出ユニット30とを備える。磁性構造体20は、軸線Aに沿って延びる円筒状に形成されている。磁性構造体20は、図示しない回転軸の外周面上に配置されている。
図2は、磁性構造体20の概略構成を示す図である。磁性構造体20は、軸線Aに沿って延びる(すなわち、軸線方向に延びる)円筒状の基材21と、磁歪膜2とを有する。磁性構造体20の詳しい構成は、後述する。図2に示すように、磁歪膜2は、円筒状の基材21の外周面21s上に設けられている。磁歪膜2は、詳しい構成については後述するが、複数の磁歪列部2aを有する。
図3は、磁性構造体20に形成された磁歪膜2を、軸線A(図1参照)に直交する方向から見た場合の図である。図3に示す磁歪膜2のパターンは、一例である。磁歪膜2は、図3に示すように、長さL=(L+L)(図3に示す例ではL=L)および幅Wの磁歪列部2aを複数、有する。複数の磁歪列部2aは、軸線Aに直交する方向から見て、軸線Aに対して交差する方向に延びている。図3において、隣り合う磁歪列部2aの間隔を、間隔(interspace)Iとして表す。
磁歪膜2は、基材21の軸線方向に並ぶ2つの領域2b,2cを有する。2つの領域2b,2cに跨って、複数の磁歪列部2aが形成されている。一方の領域における磁歪列部2aと、他方の領域における磁歪列部2aとは、前記軸線方向において、磁歪膜2の中心線を挟んで対称に設けられている。すなわち、磁歪膜2の磁歪列部2aは、軸線Aに直交する方向から見て(図3に示す状態で)、V字状に形成されている。
磁歪膜2の磁歪列部2aを上述のような構成にすることで、回転軸を介して基材21にねじりトルクが入力された場合、磁歪膜2における領域2bの磁歪列部2aには、その延伸方向に引張方向または圧縮方向のいずれか一方の力が入力される。磁歪膜2における領域2cの磁歪列部2aには、その延伸方向に引張方向または圧縮方向のうち他方の力が入力される。これにより、磁歪膜2の領域2b,2cの磁歪列部2aでは、透磁率が変化する。
検出ユニット30は、2つの円筒状のコイル3,4と、ヨーク5とを有する。図1に示すように、コイル3,4は、磁性構造体20を囲むように配置されている。図1の例では、コイル3,4は、磁性構造体20に対して前記軸線方向に並んで配置されている。具体的には、図1に示すように、コイル3は、磁歪膜2の一方の領域2bを囲むとともに、コイル4は、磁歪膜2の他方の領域2cを囲むように、磁性構造体20に対して配置されている。ヨーク5は、コイル3,4を配置するための凹部を有する。コイル3,4は、筒状のヨーク5の内側に配置されている。
コイル3,4は、図20に示すように交流電源6に接続されることにより、コイル3,4の周囲に交流磁場を発生する。コイル3,4、ヨーク5および基材21は、磁気回路を構成する。また、コイル3,4は、図20に示すようにトルク検出用回路7にも接続されている。
図20は、トルクセンサ1に含まれる電子回路の構成の一例を示す図である。トルクセンサ1に含まれる電子回路として、図20に示す回路構成が広く知られている。図20に示す回路は、交流電源6と、トルク検出用回路7とを有する。交流電源6は、コイル3,4に交流電圧を印加する。トルク検出用回路7は、コイル3,4に生じる電圧を検出することにより、基材21に生じているトルクを検出する。トルク検出回路7は、コイル3,4にそれぞれ生じる電圧の差分Voutを求めた後、図示しない演算回路によって、該差分Voutに基づいて基材21に生じているトルクを求める。なお、トルクセンサ1に含まれる電子回路は、図20に示す構成に限定されない。
既述のとおり、回転軸を介して基材21にねじりトルクが入力された場合、トルクセンサ1における磁歪膜2の領域2b,2cにおける磁歪列部2aには、その延伸方向に引張り方向または圧縮方向の力が入力される。よって、磁歪膜2の領域2b,2cでは、磁歪列部2aに生じる透磁率の変化が異なる。このような透磁率の変化の違いは、トルク検出用回路7において、コイル3,4に生じる電圧の違いとして検出される。したがって、トルク検出用回路7によって、基材21に入力されたねじりトルクを検出することができる。
より具体的には、基材21にトルクが作用したとき、磁歪膜2における領域2b,2cのうち一方の領域の磁歪列部2aに引張応力が生じるため、該磁歪列部2aの透磁率は増大する。他方の領域の磁歪列部2aには圧縮応力が作用するため、該磁歪列部2aの透磁率は減少する。その結果、2つのコイル3,4のインピーダンスに差が生じる。このインピーダンスの差によって生じるコイル3,4の電圧差が、基材21に作用したトルクに応じた値として、トルク検出用回路7によって検出される。図20において、トルクがゼロのときのVoutをVとし、定格トルクが入力されたときのVoutをVとした場合、V−Vがトルクセンサ1の出力範囲である。
なお、図1に示すトルクセンサ1中の各構成部材の配置は一例である。コイル3,4およびヨーク5の数や配置等は、図1に示す構成に限定されず、当業者が適宜変更することができる。
1.2.磁歪列部の形状
図3に示す磁歪膜2の磁歪列部2aの長さL/幅Wは、下記式(2)を満たす。磁歪列部2aは、磁歪膜2の領域2bでは、軸線Aに直交する方向から見て、軸線Aに対して交差する第1の方向に延びている。磁歪列部2aは、磁歪膜2の領域2cでは、軸線Aに直交する方向から見て、前記第1の方向と交差する第2の方向に延びている。すなわち、磁歪列部2aは、基材21の軸線方向において、磁歪膜2の中央部分に、角度θで折れ曲がった曲部Zを有する。磁歪列部2aは、下記式(1)で定義される被覆率が30%以上95%以下である。
図3に示す例では、磁歪列部2aは、軸線Aに直交する方向から見て、磁歪膜2の領域2bにおいて、磁歪膜2における前記軸線方向の端部Xから、軸線Aと交差して磁歪膜2における前記軸線方向の中央部(磁歪列部2aの曲部(bending portion)Z)に向かって延びている。磁歪膜2の領域2bにおける磁歪列部2aの延伸方向が上述の第1方向に相当する。また、磁歪列部2aは、軸線Aに直交する方向から見て、磁歪膜2の領域2cにおいて、前記第1の方向と角度θをなす方向に、すなわち、磁歪膜2における前記軸線方向の中央部(磁歪列部2aの曲部Z)から、軸線Aと交差して磁歪膜2における前記軸線方向のもう一方の端部Yに向かって延びている。磁歪膜2の領域2cにおける磁歪列部2aの延伸方向が上述の第2方向に相当する。
上述のように、図3は、磁歪列部2aが曲部Zを有する磁歪膜2の例を示している。ここで、曲部Zは、磁歪列部2aにおける第1の部分2m(領域2bの磁歪列部2a)と第2の部分2n(領域2cの磁歪列部2a)との交点である。すなわち、図3に示す磁歪膜2では、1本の磁歪列部2aは、磁歪膜2における前記軸線方向の一方の端部Xから曲部Zまで延びる第1の部分2mと、曲部Zから磁歪膜2における前記軸線方向の他方の端部Yまで延びる第2の部分2nとを有する。
被覆率=基材21の外周面21sにおいて磁歪膜2と接する領域の面積/基材21の外周面21sの総面積(%)・・・(1)
30≦長さL/幅W≦120 ・・・(2)
図3に示す磁歪膜2において、磁歪列部2aの長さL/幅Wは、第1の部分2mにおける磁歪列部2aの長さ/幅と、第2の部分2nにおける磁歪列部2aの長さ/幅との和である。第1の部分2mにおける磁歪列部2aの長さ/幅は、(図3に示す磁歪列部2aの端部Xから曲部Zまでの距離L)/(第1の部分2mにおける磁歪列部2aの幅)によって求められる。第2の部分2nにおける磁歪列部2aの長さ/幅は、(図3に示す磁歪列部2aの曲部Zから端部Yまでの距離L)/(第2の部分2nにおける磁歪列部2aの幅)によって求められる。
上記式(1)で規定される被覆率が上記の範囲(30%以上95%以下)にあることにより、良好な感度を有するトルクセンサ1を実現することができる。すなわち、上記式(1)において、被覆率が30%以上の場合には、トルクセンサ1において十分な感度が得られる。前記被覆率が95%以下の場合には、磁歪膜2の形状にばらつきが生じにくい。よって、前記被覆率が95%以下の場合には、隣り合う磁歪列部2a同士で接触する部位が生じないため、トルクセンサ1は十分な感度が得られる。前記被覆率は、好ましくは50%以上である。前記被覆率は、より好ましくは60%以上である。前記被覆率は、93%以下が好ましい。また、前記被覆率は、90%以下がより好ましい。前記被覆率は、85%以下がさらに好ましい。
また、前記長さL/幅Wが上記式(2)の範囲内にあることにより、良好な感度を有するトルクセンサ1を得ることができる。上記式(2)において、前記長さL/幅Wが30以上の場合、トルクセンサ1は十分な感度が得られる。前記長さL/幅Wが120以下の場合には、磁歪膜2の製造を容易に行うことができる。前記長さL/幅Wは、好ましくは95未満である。前記長さL/幅Wは、より好ましくは85未満である。前記長さL/幅Wは、好ましくは43以上である。前記長さL/幅Wは、より好ましくは53以上である。前記長さL/幅Wは、さらに好ましくは75以上である。
また、感度をより高めるという観点から、磁歪列部2aが曲部Zを有する場合、磁歪列部2aの曲部Zにおいて、前記第1の方向と前記第2の方向とのなす角度(図3におけるθ、換言すると、第1の部分2mと第2の部分2nとのなす角度)が60°以上120°以下であることが好ましい。前記角度は、80°以上であることがより好ましい。前記角度は、100°以下であることが好ましい。なお、磁歪列部2aが曲部を有さない場合(例えば図12に示す磁歪膜902の磁歪列部902a)でも同様に、第1の部分2mと第2の部分2nとのなす角度が上述した範囲内であれば、トルクセンサ1の感度をより高めることができる。
また、トルクセンサ1の感度をさらに高めるという観点から、磁歪列部2aにおいて、図3に示すように、基材21の軸線Aに対して直交する方向から見て、軸線Aと前記第1の方向とのなす角度θの絶対値が30°以上60°以下が好ましい(より好ましくは角度θが±45°)。基材21と前記第2の方向とのなす角度θの絶対値は、30°以上60°以下(より好ましくは角度θが±45°)が好ましい。
図3に示す磁歪膜2は、隣り合う磁歪列部2aにおける前記軸線方向の端部同士を連結する連結部26をさらに含む。図3に示す磁歪膜2では、連結部26が、磁歪列部2aにおける前記軸線方向の両端部にそれぞれ設けられている。複数の磁歪列部2aを連結する連結部26が磁歪膜2に設けられていることにより、複数の磁歪列部2aが基材21から剥離しにくくなる。よって、磁歪膜2の強度を向上することができる。
1.3.磁歪膜のパターンの具体例
図4ないし図12は、図2に示す磁性構造体20の磁歪膜2における磁歪列部2aの他の例を示す図である。
図4に示す磁歪膜102は、図3に示す磁歪膜2とは、磁歪列部102aにおける第1の部分102mと第2の部分102nとのなす角度θが異なる。より具体的には、図4に示す磁歪膜102では、角度θが90°超(かつ180°未満)である。
なお、図4において、符号120は、磁性構造体である。符号126は、連結部である。
図5に示す磁歪膜202には、図3に示す磁歪膜2と同様に、隣り合う磁歪列部202aの端部同士を連結する連結部226が、磁歪列部202aにおける前記軸線方向の両方の端部にそれぞれ設けられている。また、磁歪膜202には、隣り合う磁歪列部202aの曲部Z同士を連結する連結部226が設けられている。図5に示す磁歪膜202では、隣り合う磁歪列部202aの曲部Z同士を連結する連結部226が設けられていることにより、複数の磁歪列部202aを含む磁歪膜202の強度がより高められている。
なお、図5において、符号220は、磁性構造体である。符号202mは、磁歪列部202aにおける第1の部分である。符号202nは、磁歪列部202aにおける第2の部分である。
図6に示す磁歪膜302を構成するパターン302aでは、図5に示す磁歪膜202と同様に、隣り合う磁歪列部2aにおける前記軸線方向の端部同士を連結する連結部326が、磁歪列部302aにおける前記軸線方向の両端部、および、曲部Z同士をそれぞれ連結している。磁歪膜302には、隣り合う磁歪列部302aを、第1の部分302mにおける前記軸線方向の中央部同士、および、第2の部分302nにおける前記軸線方向の中央部同士をそれぞれ連結する連結部326がさらに設けられている。図6に示す磁歪膜302では、隣り合う磁歪列部302aにおける第1の部分302m同士または第2の部分302n同士を連結する連結部326が設けられていることにより、磁歪膜302の強度がさらに高められている。
なお、図6において、符号320は、磁性構造体である。
図7に示すように、隣り合う磁歪列部402a同士を連結する連結部426のうち、前記軸線方向の端部同士を連結する連結部426以外の連結部426は、複数の磁歪列部402aのうち一部のみを連結してもよい。
なお、図7において、符号420は、磁性構造体である。符号402は、磁歪膜である。符号402aは、磁歪列部である。符号402mは、磁歪列部402aにおける第1の部分である。符号402nは、磁歪列部402aにおける第2の部分である。
また、図8に示すように、磁歪膜502には連結部が設けられていなくてもよい。また、図9に示すように、磁歪膜602は、基材の外周面の一部のみに設けられた複数の磁歪列部602aを有していてもよい。また、図10に示すように、磁歪膜702における隣り合う磁歪列部702aの間隔が均一でなくてもよい。また、図11に示すように、磁歪膜802における複数の磁歪列部802aの幅Wが均一でなくてもよい。なお、図11に示すように、磁歪膜802が、幅Wが異なる複数の磁歪列部802aを有する場合、上記式(2)で規定される長さL/幅Wは、各磁歪列部802aの長さL/幅Wの平均値を表す。
なお、図8において、符号520は、磁性構造体である。符号502aは、磁歪列部である。符号502mは、磁歪列部502aにおける第1の部分である。符号502nは、磁歪列部502aにおける第2の部分である。
図9において、符号626は、連結部である。図10において、符号720は、磁性構造体である。符号726は、連結部である。図11において、符号826は、連結部である。
図12に示す磁歪膜902は、図3に示す磁歪膜2の変形例の一つである。図12に示す磁歪膜902では、図2に示す磁歪列部2aの曲部Zの代わりに隙間27を設けることにより、第1の部分902mと第2の部分902nとを分離させている。図12に示す磁歪膜902では、磁歪列部902aが途中で途切れるため、図3ないし図11に示す構成に比べて、反磁界係数が増大する。これにより、トルクセンサの感度は、図3に示す磁歪膜の構成に比べて、若干低くなる。
なお、図12に示す磁歪列部902aにおいて、上記式(2)の長さL/幅Wは、(前記軸線方向において、第1の部分902mにおける一方の端部Xから他方の端部Xまでの距離)/(第1の部分902mにおける磁歪列部902aの幅)、または、(前記軸線方向において、第2の部分902nにおける一方の端部Yから他方の端部Yまでの距離)/(第2の部分2nにおける磁歪列部902aの幅)を表す。
図12において、符号920は、磁性構造体である。符号926は、連結部である。
図13に示す磁歪膜1002は、前記軸線方向における曲部Zの位置が図3に示す磁歪膜2とは異なる。より具体的には、図3に示す磁歪膜2では、磁歪列部2aを構成する第1の部分2mの長さLと第2の部分2nの長さLとが等しい。また、図3に示す磁歪膜2では、前記軸線方向において、磁歪膜2の中心線を挟んで磁歪列部2aが線対称の形状を有する。これに対し、図13に示す磁歪膜1002では、第1の部分1002mの長さと第2の部分1002nの長さとが異なる(図13では、第1の部分1002mの長さが第2の部分1002nの長さよりも長い場合を示す)。第1の部分1002mと第2の部分1002nとの長さの比率は、0.5以上で2以下が好ましい。
図13において、符号1020は、磁性構造体である。符号1026は、連結部である。
1.4.磁性構造体の断面
図14は、図1に示す磁性構造体20の断面を模式的に示す。図14に示す断面は、磁歪列部2aにおいて延伸方向と直交する面で磁性構造体20を切断することにより得られる断面である。より具体的には、図14に示す断面は、磁歪列部2aを第1の方向(図2における磁歪膜2の端部Xから曲部Zに向かう方向)と垂直な面で切断した場合の断面(図3のC−C線に沿って紙面と垂直方向に切断した断面)である。図14に示すように、磁性構造体20は、円筒状の基材21と、該基材21の外周面21sに設けられた磁歪膜2とを含む。なお、図14における「M」は、図3の「W」に相当する。
1.4.1.磁歪膜
磁歪膜2は、磁性体材料を含む材料によって構成されている。前記磁性体材料は、強磁性体材料が好ましい。具体的には、前記磁生体材料は、例えば、Ni、Fe、Co、およびCrから選ばれる少なくとも1種の金属を含むことが好ましい。高い透磁率および高い磁歪効果が得られるという観点から、前記磁性体材料は、Feと、Ni、CoおよびCrから選ばれる少なくとも1種とを含むことがより好ましい。また、磁歪膜2は、Al、Ti、Ge、Mo、Ag、Cu等の金属、または、Si、B、S、C、O、N等の非金属材料をさらに含んでいてもよい。
例えば、磁歪膜2がFeを含む場合、より高い透磁率およびより高い磁歪効果を得る観点から、磁歪膜2中のFeの含有量は、20質量%以上40質量%以下であることが好ましい。Feの含有量は、23質量%以上であることがより好ましい。Feの含有量は、26質量%以上であることがさらに好ましい。Feの含有量は、36質量%以下であることがより好ましい。Feの含有量は、33質量%以下であることがさらに好ましい。Fe以外の金属(Ni、CoおよびCrから選ばれる少なくとも1種)の含有量の合計は、60質量%以上80質量%以下であることが好ましい。Fe以外の金属の含有量の合計は、64質量%以上であることがより好ましい。Fe以外の金属の含有量の合計は、67質量%以上であることがさらに好ましい。Fe以外の金属の含有量の合計は、77質量%以下であることがより好ましい。Fe以外の金属の含有量の合計は、74質量%以下であることがさらに好ましい。
なお、磁歪膜2がFeおよびNiを含む場合において、Niの含有量は、60質量%以上80質量%以下であることが好ましい。Niの含有量は、64質量%以上であることがより好ましい。Niの含有量は、67質量%以上であることがさらに好ましい。Niの含有量は、77質量%以下であることがより好ましい。Niの含有量は、74質量%以下であることがさらに好ましい。
また、磁歪膜2がSを含む場合、磁歪膜2中のSの含有量は、0.03質量%以上0.12質量%以下であることが好ましい。Sの含有量は、0.04質量%以上0.10質量%以下であることがより好ましい。Sの含有量は、0.05質量%以上0.09質量%以下であることがさらに好ましい。
磁歪膜2の最大膜厚H(磁歪膜2が基材21と接する面(基材21の外周面21s)から、基材21の径方向外方に向かって磁歪膜2が最も突出する位置までの距離)は、20μm以上200μm以下である。最大膜厚Hは、40μm以上であることが好ましい。最大膜厚Hは、60μm以上であることがより好ましい。最大膜厚Hは、140μm以下であることが好ましい。最大膜厚Hは、100μm以下であることがより好ましい。
磁歪膜2の磁歪列部2aは、その延伸方向に直交する断面で見て、基材21の径方向と直交する方向(基材21の外周面21sに平行な方向)において、基材21の径方向外方側に、磁歪列部2aにおける基材21側の部分の長さよりも長い部分を有する。具体的には、磁歪列部2aは、基材21上に形成された本体部分から、基材21の径方向と直交する方向の一方及び他方にそれぞれ突出する突出部2eを有する。磁歪列部2aが突出部2eを有することにより、磁歪列部2aの表面積が増大する。
なお、この場合、磁歪列部2aと基材21との接触面と、突出部2eの突出方向とのなす角度θは、鋭角(90°未満)が好ましい。この場合、センサの感度をより向上する観点から、角度θは、0°を超え45°以下であることがより好ましい。角度θは、30°以下であることがさらに好ましい。
磁歪膜2の磁歪列部2aは、上述のような突出部2eを有することにより、図14に示す断面において、基材21の外周面21sから、基材21の径方向(磁歪列部2aの厚み方向)に所定距離の位置における幅Mが、磁歪膜2と基材21の外周面21sとの接触部分2fの幅Nよりも長い。
すなわち、磁歪膜2における複数の磁歪列部2aは、該磁歪列部2aをその延伸方向と直交する断面(図14に示す断面)で見て、基材21の径方向と直交する方向において、最も長い部分の長さ(前記所定距離の位置における長さM、以下、最大幅寸法Mという)が、磁歪膜2と基材21の外周面21sとの接触部分2fの長さNよりも大きい。前記最大幅寸法Mは、隣り合う磁歪列部2aの間隔Dよりも大きい。隣り合う磁歪列部2aの間隔Dは、磁歪列部2aと基材21との接触部分2fと、その隣りの磁歪列部2aと基材21との接触部分2fとの間隔を意味する。
磁歪膜2において、上述のような形状を有する磁歪列部2aを形成することにより、トルクセンサ1の感度を高めることができる。すなわち、磁歪膜2は、磁歪列部2aを延伸方向と直交する断面で見て、磁歪列部2aの最大幅寸法Mが、隣り合う磁歪列部2aの間隔Dよりも大きい。このような構成では、磁歪列部2a同士の間隔Dは、比較的狭い。このように隣り合う磁歪列部2aの間隔Dが狭い場合において、磁歪列部2aにおける最大幅寸法Mを、磁歪膜2と基材21の外周面21sとの接触部分2fの長さNよりも大きくすることにより、磁歪列部2aの表面積、すなわち磁歪膜2の表面積を増加させることができる。磁歪膜2の表面積を増加させることにより、磁歪膜2の透磁率を広範囲で変化させることができる。これにより、磁歪膜2に力が加わった際の透磁率の変化を容易に検出することができる。したがって、トルクセンサ1の感度を向上することができる。
換言すれば、上述の構成により、上記式(1)で規定される被覆率や上記式(2)で規定される長さL/幅Wの値を変えずに、トルクセンサ1の感度を高めることができる。
また、磁歪列部2aは、基材21の外周面21sとの接触部分2fと、隣りの磁歪列部2aにおける基材21の外周面21sとの接触部分2fとの間隔Dが、突出部2eが前記隣りの磁歪列部2aに向かって突出する長さと、該隣りの磁歪列部2aの突出部2eが前記磁歪列部2aに向かって突出する長さとの和よりも大きい。
これにより、隣り合う磁歪列部2aにおいて、突出部2e同士が接触することを防止することができる。
また、磁歪列部2aは、図14に示す断面で見て、最大幅寸法Mが、磁歪列部2aの厚み方向における高さ(最大膜厚)Hよりも大きい。これにより、磁歪列部2aは、厚み方向よりも基材21の径方向と直交する方向(基材21の外周面21sに平行な方向)に長い扁平状に形成される。よって、磁歪列部2aの表面積をより大きくすることができる。したがって、磁歪膜2に力が加わった際の透磁率の変化をより容易に検出することができる。
また、図14に示す断面において、センサの感度をより高める観点から、磁歪列部2aの最大膜厚Hと、磁歪列部2aの端部mにおける高さ(磁歪列部2aと基材21との接触面から突出部2eの先端までの距離、すなわち、基材21の外周面21sから、最大幅寸法Mの位置までの高さ)Hとの比H/Hが1未満である。H/Hは、好ましくは、0.8以下である。H/Hは、より好ましくは、0.5以下である。H/Hは、さらに好ましくは、0.3以下である。一方、H/Hは、0.015以上が好ましい。
磁歪列部2aを、H/Hが上述の範囲になるように形成することにより、磁歪列部2aの表面積をより大きくすることができる。したがって、磁歪膜2に力が加わった際の透磁率の変化をより容易に検出することができる。
なお、H/Hを0.5以下にすることにより、すなわち、磁歪列部2aの最大膜厚Hの半分の高さを、基材21の外周面21sから最大幅寸法Mの位置までの高さ以上にすることにより、磁歪列部2aの厚み方向において、基材21の外周面21sとの接触部分2fよりも幅寸法が大きい部分を、広い範囲に設けることができる。よって、磁歪列部2aの表面積をさらに大きくすることができる。したがって、磁歪膜2に力が加わった際の透磁率の変化をさらに容易に検出することができる。
図17、図18および図19は、いずれも、磁性構造体の他の一例を、図2と同様の断面で示した図(磁歪列部2aの延伸方向と直交する面で切断して得られる断面)である。図17、図18および図19では、基材21の外周面21sと、磁歪列部2002a,3002a,4002aにおける突出部2002e,3002e,4002eの突出方向とのなす角度θ、および、比H/Hが、図14に示す例とはそれぞれ異なる場合(θがそれぞれ20°、5°、3°、比H/Hが0.5、0.2、0.1)を示している。
なお、図15に示すように、磁歪列部5002aが矩形状の断面を有する場合(磁歪列部5002aが突出部2eを有さない場合)、磁歪列部5002aの表面積は、図14、図17ないし19の断面を有する磁歪列部2002a,3002a,4002aと比べて小さい。よって、トルクセンサの感度は、図14、図17ないし19の断面を有する磁歪列部2002a,3002a,4002aと比べて劣る。
1.4.2.基材
基材21は、磁歪膜2と異なる成分の材料、例えば、磁歪膜2よりも透磁率が低い材料によって構成されている。基材21は、磁性体材料によって構成されるのが好ましく、Fe、Ni、Co、Cr等の強磁性体材料によって構成されるのがより好ましい。なお、基材21は、Al、Ti、Ge、Mo、Ag、Cu等の金属や、Si、B、S、C、O、N等の非金属材料を含んでいてもよい。
1.4.3.レジスト層
磁性構造体20は、磁歪膜2の表面に設けられたレジスト層をさらに含んでいてもよい。この場合、レジスト層の膜厚は45μm以下が好ましい。
1.5.磁性構造体の製造方法
図16の(a)および(b)は、磁性構造体20の製造方法を説明するための図である。なお、図16は、磁性構造体20の製造過程において、基材21、磁歪膜2、レジスト層91等を、図14と同じ面で切断して示す断面図である。
磁性構造体20は、基材21の外周面21sに、所定のパターンのレジスト層91を形成する工程と、レジスト層91が設けられた基材21の外周面21sに、磁歪膜2を形成する工程と、を含む。以下、磁性構造体20の製造方法について具体的に説明する。
まず、図16(a)に示すように、基材21の外周面21s上に所定のパターンのレジスト層91を形成する。このレジスト層91は、図1、図2、図3ないし12に示す磁歪列部2aを形成するために用いられる。レジスト層91は、例えば、水転写、スクリーン印刷などの公知の方法で形成することができる。レジスト層91の膜厚は、例えば3μm以上45μm以下である。また、磁歪列部2aに突出部2eが形成されるように、基材21の外周面21sとレジスト層91の端部とのなす角θは鈍角(90°を超える)であることが好ましい。
次に、図16(b)に示すように、レジスト層91が設けられた基材21の表面上に磁歪膜2を形成する。その際、磁歪膜2の高さHが、レジスト層91の高さHよりも高くなるように磁歪膜2を形成する。磁歪膜2の成膜は、例えば、スパッタリング法、CVD法、めっき法等の公知の方法を採用することができる。次いで、所定の温度(例えば300℃以上1,000℃以下)にて所定時間(例えば1分間以上48時間以下)熱処理を行うことが好ましい。以上により、図14に示す磁歪膜2を有する磁性構造体20が得られる。
本実施形態に係る製造方法によれば、レジスト層91を基材21の表面に形成した後、磁歪膜2を成膜し、熱処理することにより、感度が良好な磁性構造体20を簡便な方法でかつ短い工程にて得ることができる。また、これにより、磁性構造体20の製造コストの低減を図ることができる。
2.電動アシスト付き自転車
本発明の一実施形態に係る電動アシスト付き自転車(例えば、二輪車、三輪車または四輪車)は、上記実施形態に係るトルクセンサ1を備える。本実施形態に係る電動アシスト付き自転車10では、例えば、搭乗者がペダルを踏むことによって生じるトルクをトルクセンサ1が検出する。電動アシスト付き自転車10では、トルクセンサ1によって検出したトルクの値に基づいて、電動モータの駆動が制御される。
図21は、本発明の電動アシスト車両の一例である電動アシスト付き自転車10の概略構成を示す図である。図21において、左右、前後、上下とはそれぞれ、電動アシスト付き自転車10のサドル34に搭乗者71がそのハンドル77に向かって着座した状態を基準とした左右、前後、上下を意味する。
図21に示すように、電動アシスト付き自転車10はフレーム12を含む。フレーム12は、ヘッドパイプ14、上部パイプ16、フロントパイプ18、シートパイプ70、一対のリヤパイプ72および一対の下部パイプ74を含む。上部パイプ16は、ヘッドパイプ14から後方かつ水平方向に延びる。フロントパイプ18は、ヘッドパイプ14から後方斜め下方向へ延びる。シートパイプ70は、上部パイプ16の後端部とフロントパイプ18の後端部とを連結する。一対のリヤパイプ72は、上部パイプ16とシートパイプ70との接続部から後方且つ下方向に斜めに延びている。一対の下部パイプ74は、フロントパイプ18とシートパイプ70との接続部から後方に向かって水平方向に延びている。一対のリヤパイプ72の後端部と一対の下部パイプ74の後端部とは、それぞれ接続されている。
ヘッドパイプ14内には、車両の進行方向変更用のステアリング軸76がヘッドパイプ14に沿うように設けられている。このステアリング軸76は、ヘッドパイプ14内で回転可能である。ステアリング軸76の上端にはハンドル77が取り付けられている。ステアリング軸76の下端には左右一対のフロントフォーク80が取り付けられている。フロントフォーク80の下端には、前輪82が取り付けられている。前輪82は、フロントフォーク80によって支持された前輪82の中心軸を中心に回転可能である。シートパイプ70の上端部にはサドル34が設けられている。シートパイプ70には、後方に延びるように荷台36が固定されている。
フロントパイプ18とシートパイプ70との接続部には、モータ駆動ユニット38が配置されている。図22に、電動アシスト付き自転車10のモータ駆動ユニット38の概略構成を示す。モータ駆動ユニット38は、上記実施形態に係るトルクセンサ1を含む。より具体的には、図22に示すように、モータ駆動ユニット38は、クランク軸40、駆動スプロケット42、クランク角センサ44およびトルクセンサ1、電動モータ48およびコントローラ50を含む。モータ駆動ユニット38は、電動アシスト付き自転車ではない自転車に取り付け可能に構成されていてもよいし、既存の電動アシスト付き自転車のモータ駆動ユニットと交換可能に構成されていてもよい。
図21に示すように、クランク軸40には、クランク52を介してペダル54が取り付けられている。また、クランク軸40の外周面には駆動スプロケット42(図22参照)が取り付けられている。駆動スプロケット42は、無端状のチェーン56を介して後輪スプロケット58に連結されている。後輪スプロケット58には、回転軸60を介して後輪62が取り付けられている。後輪62は回転軸60を中心として回転可能である。
図示しないが、クランク角センサ44およびトルクセンサ1は、クランク軸40の近傍に配置されている。クランク角センサ44は、ペダル54の操作によって回転するクランク軸40の回転角度であるクランク角θを検出する。トルクセンサ1は、クランク軸40に加わるトルクであるクランクトルクτを検出する。電動モータ48は、駆動スプロケット42に与える補助駆動力を発生する。
コントローラ50は、CPU64およびメモリ66を含む。CPU64は、必要な演算を行い、電動モータ48および電動アシスト付き自転車10の動作を制御する。記憶手段であるメモリ66は、例えばEEPROMからなり、電動アシスト付き自転車10の動作を制御するためのプログラムやデータおよび演算データ等を格納する。メモリ66は、アシストパターンを格納する。
シートパイプ70には、電動モータ48に電力を供給するための電池(例えば、ニッケル(Ni)−カドミウム(Cd)電池等の二次電池)からなるバッテリ68が取り付けられている。コントローラ50のCPU64には、クランク角センサ44から出力されるクランク角θおよびトルクセンサ1から出力されるクランクトルクτが入力される。これらのデータは、メモリ66に格納される。
CPU64は、クランク角θおよびクランクトルクτに基づいて、電動モータ48で発生させる補助駆動力を制御する。
本実施形態に係る電動アシスト付き自転車10は、トルクを高感度で精度良く検出することができる上記実施形態に係るトルクセンサ1を備えているため、安定した走行が可能である。
(実施形態の効果)
本実施形態では、トルクセンサ1は、軸線Aに沿って延びる筒状の基材21と、基材21の外周面21s上に形成された磁歪膜2とを備える。磁歪膜2は、列状に延びる複数の磁歪列部2aを有する。複数の磁歪列部2aのうち少なくとも一部は、該一部を含む磁歪列部2aをその延伸方向と直交する断面で見て、基材21の外周面21sに平行な方向において、最も長い部分の長さMが、前記一部を含む磁歪列部2aと基材21の外周面21sとの接触部分2fの長さNよりも大きく、且つ、前記接触部分2fと、前記磁歪列部2aの隣りの磁歪列部2aと基材21の外周面21sとの接触部分2fとの間隔D(磁歪列部2a同士の間隔D)よりも大きい。
上述の構成では、磁歪列部2aは、その延伸方向と直交する断面で見て、基材21の外周面21sに平行な方向に最も長い部分の長さMが、隣り合う磁歪列部2aとの間隔Dよりも大きい。そのため、磁歪列部2a同士の間隔Dは、比較的狭い。このように隣り合う磁歪列部2aの間隔Dが狭い構成において、前記最も長い部分の長さMを、磁歪列部2aと基材21の外周面21sとの接触部分2fの長さNよりも大きくすることで、磁歪列部2aの表面積を増大させることができる。よって、磁歪膜2に力が加わった際の透磁率の変化を容易に検出することができる。これにより、磁歪膜2に寸法上の制約がある中で、トルクセンサ1の感度向上を図ることができる。
複数の磁歪列部2aのうち前記少なくとも一部は、該一部を含む前記磁歪列部2aをその延伸方向と直交する断面で見て、前記最も長い部分の長さMが、磁歪列部2aの最大膜厚Hよりも大きい。
これにより、複数の磁歪列部2aのうち少なくとも一部は、該一部を含む磁歪列部2aをその延伸方向と直交する断面で見て、磁歪列部2aの厚み方向よりも基材21の外周面21sに平行な方向に長い扁平状に形成される。よって、磁歪列部2aの表面積をより大きくすることができる。したがって、磁歪膜2に力が加わった際の透磁率の変化をより容易に検出することができる。これにより、磁歪膜2に寸法上の制約がある中で、トルクセンサ1の感度をより向上することができる。
複数の磁歪列部2aのうち前記少なくとも一部は、該一部を含む磁歪列部2aをその延伸方向と直交する断面で見て、磁歪列部2aの最大膜厚Hが、基材21の外周面21sから基材21における前記最も長い部分までの前記厚み方向の高さHよりも大きい。
これにより、複数の磁歪列部2aのうち少なくとも一部に、該一部を含む磁歪列部2aをその延伸方向と直交する断面で見て、基材21の外周面21sとの接触部分2fよりも幅寸法が大きい部分を形成することができる。よって、基材21の外周面21sとの接触部分2fよりも幅寸法が大きい部分がない磁歪列部に比べて、磁歪列部の表面積を大きくすることができる。したがって、磁歪膜2に力が加わった際の透磁率の変化を容易に検出することができる。これにより、磁歪膜2に寸法上の制約がある中で、トルクセンサ1の感度を向上することができる。
複数の磁歪列部2aのうち前記少なくとも一部は、該一部を含む磁歪列部2aをその延伸方向と直交する断面で見て、磁歪列部2aの最大膜厚Mの半分は、基材21の外周面21sから基材21における前記最も長い部分までの前記厚み方向の高さH以上である。
これにより、複数の磁歪列部2aのうち少なくとも一部に、該一部を含む磁歪列部2aをその延伸方向と直交する断面で見て、基材21の外周面21sに平行な方向に最も長い部分を、磁歪列部2aの厚み方向により広い範囲に形成することができる。よって、磁歪列部の表面積をより大きくすることができる。したがって、磁歪膜2に力が加わった際の透磁率の変化をより容易に検出することができる。
複数の磁歪列部2aのうち前記少なくとも一部は、該一部を含む磁歪列部2aをその延伸方向と直交する断面で見て、前記接触部分2fと、隣りの磁歪列部2aと基材21の外表面21sとの接触部分2fとの間隔Dが、基材21の外周面21sに平行な方向において、前記最も長い部分が前記接触部分2fに対して前記隣りの磁歪列部2aに向かって突出する長さと、前記隣りの磁歪列部2aにおいて最も長い部分が該隣りの磁歪列部2aと基材21との接触部分2fに対して前記磁歪列部2aに向かって突出する長さとの和よりも大きい。
これにより、隣り合う磁歪列部2aにおいて、前記最も長い部分同士が接触することを防止できる。
磁歪膜2は、複数の磁歪列部2aを連結する連結部26を有する。これにより、磁歪列部2aが基材21から剥離しにくくなる。よって、磁歪膜2の強度向上を図れる。
トルクセンサ1は、磁歪膜2を囲むように配置されたコイル3,4をさらに備える。これにより、磁歪膜2で生じた透磁率の変化を、コイル3,4のインピーダンスの変化によって検出することができる。
コイル3,4は、軸線Aに沿って、複数並んで配置されている。複数のコイル3,4によって、磁歪膜2における透磁率の変化をより確実に検出することができる。したがって、トルクセンサ1の検出精度を向上することができる。
(その他の実施形態)
以上、本発明の実施の形態を説明したが、上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。
前記実施形態では、磁歪式センサの一例としてトルクセンサ1に、本実施形態の構成を適用した場合について説明した。しかしながら、磁歪膜を有するセンサであれば、荷重センサなどの他のセンサに、本実施形態の構成を適用してもよい。同様に、電動アシスト付き自転車に用いるトルクセンサに限らず、他の用途のセンサに、本実施形態の構成を適用してもよい。
前記実施形態では、基材21は円筒状である。しかしながら、基材21は、筒状または柱状であれば、どのような断面形状を有していてもよい。
前記実施形態では、磁歪膜2の磁歪列部2aは、列状に延びている。しかしながら、島状に形成した複数の島状磁歪部のうち少なくとも一部を接続して列状に形成してもよい。また、複数の磁歪列部2aは、互いに接触しなければ、平行でなくてもよい。
前記実施形態では、磁歪膜2における複数の磁歪列部2aが、その延伸方向に亘って、図14に示す断面と同じ断面を有する。しかしながら、磁歪列部2aの断面は、磁歪列部2aの延伸方向の一部で異なっていてもよい。また、複数の磁歪列部2aが、すべて同じ断面形状を有していなくてもよい。
前記実施形態では、磁歪列部2aは、その延伸方向に直交する断面で見て、基材21の外周面21sに平行な方向の一方及び他方にそれぞれ突出する突出部2eを有する。しかしながら、磁歪列部2aは、基材21の外周面21sに平行な方向の一方または他方に突出する突出部を有していてもよい。
前記実施形態では、磁歪列部2aは、その延伸方向と直交する断面で見て、基材21の外周面21sに平行な方向において最も長い部分の長さMが、磁歪列部2aの最大膜厚Hよりも大きい。しかしながら、磁歪列部2aは、前記最も長い部分の長さMが、最大膜厚H以下であってもよい。
前記実施形態では、磁歪列部2aは、その延伸方向と直交する断面で見て、磁歪列部2aの最大膜厚Hの半分が、基材21の外周面21sから基材21における前記最も長い部分までの前記厚み方向の高さH以上である。しかしながら、磁歪列部2aは、最大膜厚Mの半分が、前記高さHよりも小さくてもよい。
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明は下記実施例に限定されない。
(実施例1)
図16に示す製造方法において、めっき法により、図3に示す磁歪列部2aおよび図14に示す断面を有する磁歪膜2が形成された磁性構造体20を得た。めっきは、硫酸ニッケル、塩化ニッケル、硫酸鉄(II)、ホウ酸等を用いた公知のNi−Fe合金浴(ワット浴)によって行った。めっき条件は、pH3、浴温55℃、電流密度5〜20A/dmとした。また、基材21を周方向に3回転/分で回転させながらめっきを行うことにより、得られるめっき膜(磁歪膜2)の膜厚の均一性を確保した。また、得られた磁歪膜2は、500℃で1時間、窒素雰囲気下で熱処理された。
上述の方法により得られた磁性構造体20は、磁歪列部2aの断面(図14)の最大膜厚Hが85μm、幅Mが460μm、基材21との接触面の長さNが260μm、被覆率が17%、30%、52%、70%、79%(図23)、磁歪列部2aの長さL/幅Wが12、25、32、36、43、54、64、75、84、95、120(図24)であった。磁歪列部2aにおいて、第1の方向と第2の方向とがなす角度θ(図3参照)は、90°であった。図3に示すように基材21の軸線Aと第1の方向とのなす角度θは、45°であった。図3に示すように基材21の軸線Aと第2の方向とのなす角度θは、45°であった。隣り合う磁歪列部2a同士の間隔Iは、200μmであった。なお、磁歪膜2を製造するために用いたレジスト層91の厚さは、20μmであった。
製造した磁歪膜2は、Fe−Ni合金であった。磁歪膜2中のFe濃度は30質量%、Ni濃度は70質量%であった。基材21の材質は、SCM435(JIS G4053)であった。本実施例で得られた磁性構造体20を用いて、図1の構成を有するトルクセンサ1を製造した。
なお、トルクセンサ1の感度は、トルクセンサ1を図20に示す回路に接続して、80Nmのトルクを印加することにより、測定した。前記回路において、抵抗R1およびR2は、いずれも15Ωの抵抗値を有する抵抗器である。コイルC1およびC2は、いずれも、直径0.2mmの絶縁皮膜付き銅線を124回巻くことによって構成されている。
図23は、本実施例に係るトルクセンサ1における、磁性構造体20の被覆率(横軸)とトルクセンサ1の感度(縦軸)との関係を示すグラフである。図23によれば、被覆率が30%以上95%以下の場合、感度が良好であることが理解できる。
図24は、本実施例に係るトルクセンサ1における、磁性構造体20の磁歪膜パターン2aの長さL/幅W(横軸)とトルクセンサ1の感度(縦軸)との関係(被覆率:70%の場合)を示すグラフである。図24によれば、長さL/幅Wが30未満になると、感度が大きく低下することが理解できる。
図25は、本実施例に係るトルクセンサ1における、磁性構造体20における磁歪膜2の端部の高さH/磁歪膜2の最大膜厚H(横軸)と、トルクセンサ1の感度(縦軸)との関係を示すグラフである。ここでは、磁歪膜2の最大膜厚Hを85μmとし、レジスト層21の膜厚を3〜45μmの間で変えることにより、磁歪膜2の端部の高さHおよび角度θが異なる(H/Hがそれぞれ0.09(角度θ:2°)、0.12(角度θ:3°)、0.24(角度θ:5°)、0.53(角度θ:15°))複数のトルクセンサ1を製造した。図25によれば、H/Hが小さいほど、トルクセンサ1の感度が良好であることが理解できる。
(実施例2)
磁歪膜2を図5〜11,13に記載されたパターンとした以外は、実施例1と同様の方法にて、図5〜11,13に示す磁歪列部および図14に示す断面を有する磁性構造体をそれぞれ得た。本実施例に係る磁性構造体を備えたトルクセンサは、実施例1に係るトルクセンサ1と同等の感度を有していた。
(実施例3)
磁歪膜2を図12に記載されたパターンとした以外は、実施例1と同様の方法にて、図12に示す磁歪列部および図14に示す断面を有する磁性構造体をそれぞれ得た。本実施例に係る磁性構造体を備えたトルクセンサは、実施例1に係るトルクセンサ1よりも若干感度が劣るものの、良好な感度を有していた。
(実施例4)
磁歪膜2を形成するためのレジスト層91の厚みを50μmとし、磁歪膜2の厚みを45μmとした以外は、実施例1と同様の方法にて、図3に示す磁歪列部2aおよび図15に示す断面を有する磁性構造体を得た。本実施例に係る磁性構造体を備えたトルクセンサは、実施例1に係るトルクセンサ1と比較して、感度は1/3程度であった。
本発明は、例えば電動アシスト付き自転車などに用いられる磁歪式センサに利用可能である。
本発明の一実施形態に係るトルクセンサの概略構成を示す部分断面図である。 図1に示すトルクセンサに含まれる磁性構造体の概略構成を示す外観図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体における磁歪膜のパターンの一例を示す図である。 図2に示す磁性構造体の一例の概略構成を示す断面図である。 磁歪列部を断面矩形状にした場合の概略構成を示す断面図である。 (a)および(b)は、図14に示す磁性構造体の製造方法を模式的に示す断面図である。 図2に示す磁性構造体の他の一例を示す断面図である。 図2に示す磁性構造体の他の一例を示す断面図である。 図2に示す磁性構造体の他の一例を示す断面図である。 図1に示すトルクセンサにおいて、コイルのインピーダンス変化を電圧に変換する回路の概略構成を示す図である。 図1に示すトルクセンサを備えた電動アシスト付き自転車の概略構成を示す図である。 図21に示す電動アシスト付き自転車におけるモータ駆動ユニットの概略構成を示すブロック図である。 本発明の一実施例に係るトルクセンサにおいて、磁性構造体の被覆率(横軸)と該トルクセンサの感度(縦軸)との関係を示すグラフである。 本発明の一実施例に係るトルクセンサにおいて、磁性構造体の磁歪列部の長さL/幅W(横軸)とトルクセンサの感度(縦軸)との関係を示すグラフである。 本発明の一実施例に係るトルクセンサにおいて、磁性構造体における磁歪膜の端部の高さH1/磁歪膜の最大膜厚H(横軸)と、トルクセンサの感度(縦軸)との関係を示すグラフである。
図3は、磁性構造体20に形成された磁歪膜2を、軸線A(図1参照)に直交する方向から見た場合の図である。図3に示す磁歪膜2のパターンは、一例である。磁歪膜2は、図3に示すように、長さL=(L1+L2)(図3に示す例ではL1=L2)および幅Wの磁歪列部2aを複数、有する。複数の磁歪列部2aは、軸線Aに直交する方向から見て、軸線Aに対して交差する方向に延びている。磁歪列部2aが延びる方向を、磁歪列部2aの延伸方向と呼ぶ。図3において、隣り合う磁歪列部2aの間隔を、間隔(interspace)Iとして表す。
図6に示す磁歪膜302を構成する磁歪列部302aでは、図5に示す磁歪膜202と同様に、隣り合う磁歪列部302aにおける前記軸線方向の端部同士を連結する連結部326が、磁歪列部302aにおける前記軸線方向の両端部、および、曲部Z同士をそれぞれ連結している。磁歪膜302には、隣り合う磁歪列部302aを、第1の部分302mにおける前記軸線方向の中央部同士、および、第2の部分302nにおける前記軸線方向の中央部同士をそれぞれ連結する連結部326がさらに設けられている。図6に示す磁歪膜302では、隣り合う磁歪列部302aにおける第1の部分302m同士または第2の部分302n同士を連結する連結部326が設けられていることにより、磁歪膜302の強度がさらに高められている。
なお、図12に示す磁歪列部902aにおいて、上記式(2)の長さL/幅Wは、(前記軸線方向において、第1の部分902mにおける一方の端部X1から他方の端部X2までの距離)/(第1の部分902mにおける磁歪列部902aの幅)、または、(前記軸線方向において、第2の部分902nにおける一方の端部Y1から他方の端部Y2までの距離)/(第2の部分902nにおける磁歪列部902aの幅)を表す。
図17、図18および図19は、いずれも、磁性構造体の他の一例を、図14と同様の断面で示した図(磁歪列部2aの延伸方向と直交する面で切断して得られる断面)である。図17、図18および図19では、基材21の外周面21sと、磁歪列部2002a,3002a,4002aにおける突出部2002e,3002e,4002eの突出方向とのなす角度θe、および、比H1/Hが、図14に示す例とはそれぞれ異なる場合(θeがそれぞれ20°、5°、3°、比H1/Hが0.5、0.2、0.1)を示している。
なお、図15に示すように、磁歪列部5002aが矩形状の断面を有する場合(磁歪列部5002aが突出部2eを有さない場合)、磁歪列部5002aの表面積は、図14、図17ないし19の断面を有する磁歪列部2a,2002a,3002a,4002aと比べて小さい。よって、トルクセンサの感度は、図14、図17ないし19の断面を有する磁歪列部2a,2002a,3002a,4002aと比べて劣る。
1.5.磁性構造体の製造方法
図16の(a)および(b)は、磁性構造体20の製造方法を説明するための図である。なお、図16の(a)および(b)は、磁性構造体20の製造過程において、基材21、磁歪膜2、レジスト層91等を、図14と同じ面で切断して示す断面図である。
複数の磁歪列部2aのうち前記少なくとも一部は、該一部を含む磁歪列部2aをその延伸方向と直交する断面で見て、磁歪列部2aの最大膜厚Hが、基材21の外周面21sから磁歪列部2aにおける前記最も長い部分までの前記厚み方向の高さH1よりも大きい。
複数の磁歪列部2aのうち前記少なくとも一部は、該一部を含む磁歪列部2aをその延伸方向と直交する断面で見て、磁歪列部2aの最大膜厚の半分は、基材21の外周面21sから磁歪列部2aにおける前記最も長い部分までの前記厚み方向の高さH1以上である。
前記実施形態では、磁歪列部2aは、その延伸方向と直交する断面で見て、磁歪列部2aの最大膜厚Hの半分が、基材21の外周面21sから磁歪列部2aにおける前記最も長い部分までの前記厚み方向の高さH1以上である。しかしながら、磁歪列部2aは、最大膜厚の半分が、前記高さH1よりも小さくてもよい。
図24は、本実施例に係るトルクセンサ1における、磁性構造体20の磁歪列部2aの長さL/幅W(横軸)とトルクセンサ1の感度(縦軸)との関係(被覆率:70%の場合)を示すグラフである。図24によれば、長さL/幅Wが30未満になると、感度が大きく低下することが理解できる。
図25は、本実施例に係るトルクセンサ1における、磁性構造体20における磁歪膜2の端部の高さH1/磁歪膜2の最大膜厚H(横軸)と、トルクセンサ1の感度(縦軸)との関係を示すグラフである。ここでは、磁歪膜2の最大膜厚Hを85μmとし、レジスト層91の膜厚を3〜45μmの間で変えることにより、磁歪膜2の端部の高さH1および角度θeが異なる(H1/Hがそれぞれ0.09(角度θe:2°)、0.12(角度θe:3°)、0.24(角度θe:5°)、0.53(角度θe:15°))複数のトルクセンサ1を製造した。図25によれば、H1/Hが小さいほど、トルクセンサ1の感度が良好であることが理解できる。

Claims (13)

  1. 軸線に沿って延びる筒状または柱状の基材と、
    前記基材の外周面上に形成された磁歪部とを備え、
    前記磁歪部は、列状に延びる複数の磁歪列部を有し、
    前記複数の磁歪列部のうち少なくとも一部は、該一部を含む磁歪列部をその延伸方向と直交する断面で見て、前記基材の外周面に平行な方向において、最も長い部分の長さが、前記一部を含む磁歪列部と前記基材の外周面との接触部分の長さよりも大きく、且つ、前記接触部分と、前記磁歪列部の隣りの磁歪列部と前記基材の外周面との接触部分との間隔よりも大きい、磁歪式センサ。
  2. 請求項1に記載の磁歪式センサにおいて、
    前記複数の磁歪列部のうち前記少なくとも一部は、該一部を含む前記磁歪列部をその延伸方向と直交する断面で見て、前記最も長い部分の長さが、前記磁歪列部の厚み方向における高さよりも大きい、磁歪式センサ。
  3. 請求項1または2に記載の磁歪式センサにおいて、
    前記複数の磁歪列部のうち前記少なくとも一部は、該一部を含む前記磁歪列部をその延伸方向と直交する断面で見て、前記磁歪列部の厚み方向における高さが、前記基材の外周面から前記基材における前記最も長い部分までの前記厚み方向の高さよりも大きい、磁歪式センサ。
  4. 請求項3に記載の磁歪式センサにおいて、
    前記複数の磁歪列部のうち前記少なくとも一部は、該一部を含む前記磁歪列部をその延伸方向と直交する断面で見て、前記磁歪列部の厚み方向における高さの半分は、前記基材の外周面から前記基材における前記最も長い部分までの前記厚み方向の高さ以上である、磁歪式センサ。
  5. 請求項1から4のいずれか一つに記載の磁歪式センサにおいて、
    前記複数の磁歪列部のうち前記少なくとも一部は、該一部を含む前記磁歪列部をその延伸方向と直交する断面で見て、前記接触部分と、隣りの磁歪列部と前記基材の外表面との接触部分との間隔が、前記基材の外周面に平行な方向において、前記最も長い部分が前記接触部分に対して前記隣りの磁歪列部に向かって突出する長さと、前記隣りの磁歪列部において最も長い部分が該隣りの磁歪列部と前記基材との接触部分に対して前記磁歪列部に向かって突出する長さとの和よりも大きい、磁歪式センサ。
  6. 請求項1から5のいずれか一つに記載の磁歪式センサにおいて、
    前記磁歪部は、前記複数の磁歪列部を連結する連結部を有する、磁歪式センサ。
  7. 請求項1から6のいずれか一つに記載の磁歪式センサにおいて、
    前記磁歪部を囲むように配置されたコイルをさらに備える、磁歪式センサ。
  8. 請求項7に記載の磁歪式センサにおいて、
    前記コイルは、前記軸線に沿って、複数並んで配置されている、磁歪式センサ。
  9. 請求項1から8のいずれか一つに記載の磁歪式センサにおいて、
    前記磁歪部は、強磁性体材料によって構成されている、磁歪式センサ。
  10. 軸線に沿って延びる筒状または柱状の基材と、
    前記基材の外周面上に形成された磁歪部とを備え、
    前記磁歪部は、列状に延びる複数の磁歪列部を有し、
    前記複数の磁歪列部のうち少なくとも一部は、該一部を含む磁歪列部をその延伸方向と直交する断面で見て、前記基材の外周面に平行な方向において、最も長い部分の長さが、前記一部を含む磁歪列部と前記基材の外周面との接触部分の長さよりも大きく、且つ、前記接触部分と、前記磁歪列部の隣りの磁歪列部と前記基材の外周面との接触部分との間隔よりも大きい、磁性構造体。
  11. 請求項10に記載の磁性構造体の製造方法であって、
    前記基材の外周面上に、所定のパターンを有するレジスト層を形成する工程と、
    前記レジスト層が設けられた前記基材の外周面上に、前記磁歪部を形成する工程とを有する、磁性構造体の製造方法。
  12. 請求項1から9のいずれか一つに記載の磁歪式センサを備えた、モータ駆動ユニット。
  13. 請求項1から9のいずれか一つに記載の磁歪式センサを備えた、電動アシスト付き自転車。
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