JP2009198215A - 磁気センサ - Google Patents
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Abstract
【課題】磁気特性の温度補償を容易に行うことができ、温度が変化しても出力電圧に影響を及ぼすことが無く、電気抵抗の抵抗値を制御することができ、さらには、加工性が良く、歩留まりを向上させることができる磁気センサを提供する。
【解決手段】感磁部の両端部に電極を設けてなる磁気抵抗素子を4個、電極部を介してブリッジを構成し、このブリッジのうち一方の対向する電極部間に直流電圧を印加し、他方の対向する電極部間の抵抗値の変化から磁界の変化を検出する磁気センサにおいて、これらの磁気抵抗素子のうち少なくとも一つの磁気抵抗素子11は、強磁性薄膜からなる曲率半径rの半円状の感磁部12と、この半円状の感磁部12の両端部にそれぞれ設けられた導電性薄膜からなる電極13、14とにより構成されている。
【選択図】図1
【解決手段】感磁部の両端部に電極を設けてなる磁気抵抗素子を4個、電極部を介してブリッジを構成し、このブリッジのうち一方の対向する電極部間に直流電圧を印加し、他方の対向する電極部間の抵抗値の変化から磁界の変化を検出する磁気センサにおいて、これらの磁気抵抗素子のうち少なくとも一つの磁気抵抗素子11は、強磁性薄膜からなる曲率半径rの半円状の感磁部12と、この半円状の感磁部12の両端部にそれぞれ設けられた導電性薄膜からなる電極13、14とにより構成されている。
【選択図】図1
Description
本発明は、磁気センサに関し、更に詳しくは、小型化が可能であり、かつ良好な温度特性を有する磁気センサに関するものである。
従来の磁気センサとしては、例えば、図6に示すような磁気検出回路が知られている。
この磁気検出回路1は、帯状の強磁性金属からなる感磁部2を複数本互いに平行に配置し、これらの感磁部2の両端部を電極3により交互に接続してつづら折り状とした磁気抵抗素子4a〜4dを同一平面上の回転対称となる位置に配置してブリッジを構成している。
この磁気検出回路1では、このブリッジのうち一方の対向する電極3a、3b間に定電圧電源等を用いて直流電圧(Vcc)を印加し、他方の対向する電極3c、3d間の抵抗値の変化を電圧変化に変換し、この電圧変化から磁気抵抗素子4a〜4dに作用している磁界の変化を検出するようになっている。
この磁気検出回路1は、帯状の強磁性金属からなる感磁部2を複数本互いに平行に配置し、これらの感磁部2の両端部を電極3により交互に接続してつづら折り状とした磁気抵抗素子4a〜4dを同一平面上の回転対称となる位置に配置してブリッジを構成している。
この磁気検出回路1では、このブリッジのうち一方の対向する電極3a、3b間に定電圧電源等を用いて直流電圧(Vcc)を印加し、他方の対向する電極3c、3d間の抵抗値の変化を電圧変化に変換し、この電圧変化から磁気抵抗素子4a〜4dに作用している磁界の変化を検出するようになっている。
図7は、この磁気検出回路1のブリッジ回路を示す回路図であり、一方の検出素子である磁気抵抗素子4aとリファレンス素子である磁気抵抗素子4dとの接続点に設けられた電極3cにおける電圧は、比較回路5のプラス側に入力され、他方の検出素子である磁気抵抗素子4cとリファレンス素子である磁気抵抗素子4bとの接続点に設けられた電極3dにおける電圧は、比較回路5のマイナス側に入力される。このとき、磁気検出回路1に磁界が印加されると、磁気抵抗素子4a〜4dのバランスが崩れ、電極3c、3d間の電位差が一定以上の値になると、比較回路5の出力が反転されることとなる。
ところで、従来の磁気センサにおいては、温度変化により磁気特性が著しく変化するために、温度補償用の回路が別途必要になってくる。
このような磁気センサとしては、例えば、Ni−Cr合金の薄膜抵抗体をつづら折りに形成して、比較回路の入力電圧(基準電圧)を調整する磁気センサが提案されている(特許文献1)。この磁気センサでは、Ni−Cr合金が低温から常温まで磁気抵抗効果を示さないために、外部磁界が変化しても基準電圧が変化しないという点で優れている。
また、例えば、温度補償回路として磁気抵抗素子と同一の薄膜材料を使用し、この磁気抵抗素子と同様のつづら折りとした磁気センサが提案されている(特許文献2)。この磁気センサでは、温度補償回路の配線幅を4μm以下とすることにより、外部磁界による基準電圧の変化を抑制することができ、したがって、外部磁界の変化の影響を受けることなく、温度補償することができる。
特公平7−69408号公報
特許第2980125号公報
このような磁気センサとしては、例えば、Ni−Cr合金の薄膜抵抗体をつづら折りに形成して、比較回路の入力電圧(基準電圧)を調整する磁気センサが提案されている(特許文献1)。この磁気センサでは、Ni−Cr合金が低温から常温まで磁気抵抗効果を示さないために、外部磁界が変化しても基準電圧が変化しないという点で優れている。
また、例えば、温度補償回路として磁気抵抗素子と同一の薄膜材料を使用し、この磁気抵抗素子と同様のつづら折りとした磁気センサが提案されている(特許文献2)。この磁気センサでは、温度補償回路の配線幅を4μm以下とすることにより、外部磁界による基準電圧の変化を抑制することができ、したがって、外部磁界の変化の影響を受けることなく、温度補償することができる。
ところで、従来のNi−Cr合金の薄膜抵抗体を用いた磁気センサでは、基準電圧発生器の両方の抵抗値を一致させることができるものの、磁気抵抗素子同士の特性がばらついた場合には、特性の調整が難しくなってしまうという問題点があった。
Ni−Cr合金の薄膜抵抗体は、温度が変化した場合においても基準電圧が変化することはないが、磁気抵抗素子の材質によっては、Ni−Cr合金との抵抗温度係数が大きく異なるために、検出する磁界が異なってしまうという問題点があった。
Ni−Cr合金の薄膜抵抗体は、温度が変化した場合においても基準電圧が変化することはないが、磁気抵抗素子の材質によっては、Ni−Cr合金との抵抗温度係数が大きく異なるために、検出する磁界が異なってしまうという問題点があった。
図8は、磁界(H)の変化に対する磁気抵抗素子の抵抗値(R)変化を示す図であり、図中、Aは温度が変化する前の磁気抵抗素子の抵抗値変化を示し、Bは温度が変化した後の磁気抵抗素子の抵抗値変化を示す。
このように、磁気抵抗素子の温度が上昇すると磁気抵抗素子の抵抗値も上昇し、図中Bに示すような外部磁場依存性を有することとなる。
よって、図7のブリッジ回路においては、比較回路の一方の側の入力電圧は、図9に示すように、温度が上がると図中CからDへと変化する。
一方、ある磁界の強さで比較回路の出力を反転させるように基準電圧発生器を調整し、比較回路の他方の入力電圧をVthとしたとすると、この入力電圧Vthは温度によって変わらない。したがって、例えば、開閉スイッチのように、ある一定の磁界の強度で出力を反転させるようなアプリケーションでは、高温になった場合に、正しい磁界の強さで反転させることができなくなってしまうという問題点があった。
このように、磁気抵抗素子の温度が上昇すると磁気抵抗素子の抵抗値も上昇し、図中Bに示すような外部磁場依存性を有することとなる。
よって、図7のブリッジ回路においては、比較回路の一方の側の入力電圧は、図9に示すように、温度が上がると図中CからDへと変化する。
一方、ある磁界の強さで比較回路の出力を反転させるように基準電圧発生器を調整し、比較回路の他方の入力電圧をVthとしたとすると、この入力電圧Vthは温度によって変わらない。したがって、例えば、開閉スイッチのように、ある一定の磁界の強度で出力を反転させるようなアプリケーションでは、高温になった場合に、正しい磁界の強さで反転させることができなくなってしまうという問題点があった。
一方、従来の磁気抵抗素子と同一の薄膜材料からなる温度補償回路を有する磁気センサでは、例えば、温度補償回路を得るためにウエットエッチングにより所定のパターンに加工する場合、サイドエッチングの制御が難しく、特に、幅が4μm以下の配線の加工を行う場合、再現性及び面内均一性が悪く、歩留まりが低下してしまうという問題点があった。
また、温度補償回路を得るためにドライエッチングにより所定のパターンに加工する場合、テトラフルオロカーボン(CF4)やテトラクロロカーボン(CCl4)等の腐食性の強いガスを使用しなければならず、装置が大掛かりなものになってしまうという問題点、及び面内均一性を確保することが難しく、歩留まりが低下してしまうという問題点があった。
さらに、配線の幅を4μm以下とした場合、表面抵抗が高くなるために消費電力も大きくなってしまうという問題点があった。
また、温度補償回路を得るためにドライエッチングにより所定のパターンに加工する場合、テトラフルオロカーボン(CF4)やテトラクロロカーボン(CCl4)等の腐食性の強いガスを使用しなければならず、装置が大掛かりなものになってしまうという問題点、及び面内均一性を確保することが難しく、歩留まりが低下してしまうという問題点があった。
さらに、配線の幅を4μm以下とした場合、表面抵抗が高くなるために消費電力も大きくなってしまうという問題点があった。
本発明は、上記の課題を解決するためになされたものであって、磁気特性の温度補償を容易に行うことができ、温度が変化しても出力電圧に影響を及ぼすことが無く、電気抵抗の抵抗値を制御することができ、さらには、加工性が良く、歩留まりを向上させることができる磁気センサを提供することを目的とする。
本発明の請求項1に係る磁気センサは、感磁部の両端部に電極を設けてなる磁気抵抗素子を4個、電極部を介してブリッジを構成し、このブリッジのうち一方の対向する電極部間に直流電圧を印加し、他方の対向する電極部間の抵抗値の変化から磁界の変化を検出する磁気センサにおいて、これらの磁気抵抗素子のうち少なくとも一つの磁気抵抗素子の感磁部は、同一平面内に形成された半円状または円形状の感磁部であることを特徴とする。
本発明の請求項2に係る磁気センサは、請求項1記載の磁気センサにおいて、前記半円状の感磁部を、半径が異なる複数の半円状の感磁部とし、これら複数の感磁部を中心が同一となるように配置し、これら複数の感磁部同士をその両端部にて交互に接続してつづら折り状の感磁部としたことを特徴とする。
本発明の請求項3に係る磁気センサは、請求項2記載の磁気センサにおいて、前記つづら折り状の感磁部を複数個、対向して配置したことを特徴とする。
本発明の請求項4に係る磁気センサは、請求項1記載の磁気センサにおいて、4個の前記磁気抵抗素子を、互いに独立した二対の磁気抵抗素子とし、この二対の磁気抵抗素子のうち少なくとも一対の磁気抵抗素子の感磁部を、同一平面内に形成された半円状または円形状の感磁部としたことを特徴とする。
本発明の請求項5に係る磁気センサは、感磁部の両端部に電極を設けてなる磁気抵抗素子を4個、電極部を介してブリッジを構成し、このブリッジのうち一方の対向する電極部間に直流電圧を印加し、他方の対向する電極部間の抵抗値の変化から磁界の変化を検出する磁気センサにおいて、前記ブリッジに、同一平面内に形成された半円状または円形状の感磁部を接続してなることを特徴とする。
本発明の請求項6に係る磁気センサは、請求項5記載の磁気センサにおいて、前記半円状の感磁部を、半径が異なる複数の半円状の感磁部とし、これら複数の感磁部を中心が同一となるように配置し、これら複数の感磁部同士をその両端部にて交互に接続してつづら折り状の感磁部としたことを特徴とする。
本発明によれば、ブリッジを構成する磁気抵抗素子のうち互いに対向する少なくとも一対の磁気抵抗素子の感磁部を、同一平面内に形成された半円状または円形状の感磁部としたので、外部磁場に依存すること無く、磁気特性の温度補償を行うことができる。したがって、温度補償の容易な磁気センサを実現することができる。
また、外部磁場に依存すること無く、磁気特性の調整を行うことができる。したがって、温度が変化した場合においても出力電圧が変化しない磁気センサを実現することができる。
また、電気抵抗の抵抗値を制御することができるので、消費電力を小さくすることができる。
さらに、感磁部の加工性が向上するので、歩留まりを向上させることができる。
また、電気抵抗の抵抗値を制御することができるので、消費電力を小さくすることができる。
さらに、感磁部の加工性が向上するので、歩留まりを向上させることができる。
本発明の磁気センサを実施するための最良の形態について説明する。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
なお、この形態は、発明の趣旨をより良く理解させるために具体的に説明するものであり、特に指定のない限り、本発明を限定するものではない。
「第1の実施形態」
図1は、本発明の第1の実施形態の磁気センサの磁気抵抗素子を示す平面図、図2は同磁気抵抗素子に電流を流したときの様子を示す模式図である。
この磁気センサは、感磁部の両端部に電極を設けてなる磁気抵抗素子を4個、電極部を介してブリッジを構成し、このブリッジのうち一方の対向する電極部間に直流電圧を印加し、他方の対向する電極部間の抵抗値の変化から磁界の変化を検出するもので、このブリッジを構成する磁気抵抗素子11は、強磁性薄膜からなる曲率半径rの半円状の感磁部12と、この半円状の感磁部12の両端部にそれぞれ設けられた導電性薄膜からなる電極13、14とにより構成されている。
図1は、本発明の第1の実施形態の磁気センサの磁気抵抗素子を示す平面図、図2は同磁気抵抗素子に電流を流したときの様子を示す模式図である。
この磁気センサは、感磁部の両端部に電極を設けてなる磁気抵抗素子を4個、電極部を介してブリッジを構成し、このブリッジのうち一方の対向する電極部間に直流電圧を印加し、他方の対向する電極部間の抵抗値の変化から磁界の変化を検出するもので、このブリッジを構成する磁気抵抗素子11は、強磁性薄膜からなる曲率半径rの半円状の感磁部12と、この半円状の感磁部12の両端部にそれぞれ設けられた導電性薄膜からなる電極13、14とにより構成されている。
ここでは、この半円状の感磁部12の配線幅をw、膜厚をtとし、便宜上、座標軸を図2中x、yのようにとる。また、この磁気抵抗素子11に電流Iを流したときの外部磁場Hとx軸の成す角をα、x軸と成す角θとなる曲率半径r上の点Aにおいて、電流Iと外部磁場Hの成す角をβとする。このとき、βは、幾何学的な関係から、
と表される。
一方、磁気抵抗材料において、電流Iに対して磁場Hの成す角をθとすると、この磁気抵抗材料の抵抗率ρ(θ)は、
と表される。
よって、式(1)と式(2)により、点Aにおける抵抗率ρ(θ)は、
と表される。
よって、式(1)と式(2)により、点Aにおける抵抗率ρ(θ)は、
また、磁気抵抗材料における磁気抵抗効果を考慮した抵抗Rは、
と表される。
よって、式(3)と式(4)により、点Aにおける磁気抵抗効果を考慮した抵抗Rは、次のように表される。
すなわち、この磁気抵抗素子11の半円状の感磁部12における磁気抵抗効果を考慮した抵抗Rは、外部磁場Hの方向に依存しないことが分かる。
よって、式(3)と式(4)により、点Aにおける磁気抵抗効果を考慮した抵抗Rは、次のように表される。
以上により、磁気抵抗素子11によれば、この特性を利用することにより磁気検出素子と同一の磁性材料を利用することができ、したがって、同じ温度特性を有する薄膜抵抗素子を利用することができる。
また、この抵抗率ρ(θ)にはΔρの項も含まれているので、外部磁場Hの変化に起因する温度特性をある程度考慮することができる。つまり、磁気抵抗素子11の半円状の感磁部12のパターン設計により、温度特性を合わせ込むことができるようになる。
また、この抵抗率ρ(θ)にはΔρの項も含まれているので、外部磁場Hの変化に起因する温度特性をある程度考慮することができる。つまり、磁気抵抗素子11の半円状の感磁部12のパターン設計により、温度特性を合わせ込むことができるようになる。
また、この半円状の感磁部12には、配線幅wを4μm以下にしなければいけないという制限がないので、エッチング工程にて容易にパターニングを行うことができる。したがって、磁気抵抗素子11の面内均一性及び製造時の製品歩留まりを向上させることができる。
なお、本実施形態の磁気センサでは、ブリッジを構成する磁気抵抗素子11を、曲率半径rの半円状の感磁部12と、この半円状の感磁部12の両端部に設けられた電極13、14とにより構成したが、この半円状の感磁部12を円形状に曲げて半径r’の円形状の感磁部とし、この感磁部の両端部の電極を互いに平行とした構成としてもよい。
なお、本実施形態の磁気センサでは、ブリッジを構成する磁気抵抗素子11を、曲率半径rの半円状の感磁部12と、この半円状の感磁部12の両端部に設けられた電極13、14とにより構成したが、この半円状の感磁部12を円形状に曲げて半径r’の円形状の感磁部とし、この感磁部の両端部の電極を互いに平行とした構成としてもよい。
「第2の実施形態」
図3は、本発明の第2の実施形態の磁気センサを示す平面図であり、図6に示す従来の磁気検出回路1の下段側の電極3dに、本実施形態の半円素子である磁気検出素子21を接続した例である。
図3は、本発明の第2の実施形態の磁気センサを示す平面図であり、図6に示す従来の磁気検出回路1の下段側の電極3dに、本実施形態の半円素子である磁気検出素子21を接続した例である。
この磁気検出素子21は、強磁性薄膜からなる半径が異なる複数の半円状の感磁部22a〜22h(図3では8個)が中心が同一となるように同一平面上に配置され、これら感磁部22a〜22h同士は、その両端部にて導電性薄膜からなる電極23、24により交互に接続され、つづら折り状の感磁部22とされている。
この磁気検出素子21には、さらに、これら感磁部22a〜22hの一端部側に出力特性調整用パッド25が設けられ、これら感磁部22a〜22hの一端部の電極24により接続されていない部分にはヒューズ回路26が接続されている。
この磁気検出素子21には、さらに、これら感磁部22a〜22hの一端部側に出力特性調整用パッド25が設けられ、これら感磁部22a〜22hの一端部の電極24により接続されていない部分にはヒューズ回路26が接続されている。
この磁気センサによれば、複数のヒューズ回路26のうち所定の場所のヒューズ回路26を、出力特性調整用パッド25を介して大電流を流して焼き切ることにより、出力の調整を行うことができる。したがって、特性調整を行いながらも、優れた温度特性を有することができる。
「第3の実施形態」
図4は、本発明の第3の実施形態の磁気センサを示す平面図であり、一対の磁気検出素子21a、21bが同一平面上にて互いに対向するように配置され、これら磁気検出素子21a、21b間に磁気抵抗素子4a、4cが互いに対向するように配置され、これら磁気検出素子21a、21b及び磁気抵抗素子4a、4cは導電性薄膜からなる電極31a〜31dにより接続され、フルブリッジ回路が構成されている。
図4は、本発明の第3の実施形態の磁気センサを示す平面図であり、一対の磁気検出素子21a、21bが同一平面上にて互いに対向するように配置され、これら磁気検出素子21a、21b間に磁気抵抗素子4a、4cが互いに対向するように配置され、これら磁気検出素子21a、21b及び磁気抵抗素子4a、4cは導電性薄膜からなる電極31a〜31dにより接続され、フルブリッジ回路が構成されている。
磁気検出素子21a、21bは、強磁性薄膜からなる半径が異なる複数の半円状の感磁部22a〜22g(図4では7個)が中心が同一となるように同一平面上に配置され、これら感磁部22a〜22g同士は、その両端部にて導電性薄膜からなる電極23、24により交互に接続され、つづら折り状の感磁部22とされている。
この磁気センサでは、電極31a、31c間に定電圧電源等を用いて直流電圧(Vcc)を印加し、他方の対向する電極31b、31d間の抵抗値の変化を、電極31bにおける電圧(Vout1)と電極31dにおける電圧(Vout2)との電圧変化(Vout1−Vout2)に変換し、この電圧変化から磁気検出素子21a、21bに作用している磁界の変化を検出するようになっている。
この磁気センサによれば、半円素子である磁気検出素子21a、21bを用いてフルブリッジ回路を構成したので、温度補償に優れているばかりでなく、センサ全体の占有面積を狭くすることができ、さらなる小型化を図ることができる。
「第4の実施形態」
図5は、本発明の第4の実施形態の磁気センサを示す平面図であり、ハーフブリッジ回路である磁気検出回路41と、磁気検出素子42とが、同一平面上に互いに独立に設けられている。
図5は、本発明の第4の実施形態の磁気センサを示す平面図であり、ハーフブリッジ回路である磁気検出回路41と、磁気検出素子42とが、同一平面上に互いに独立に設けられている。
磁気検出回路41は、磁気抵抗素子4a、4d同士が電極3cにより接続され、磁気抵抗素子4aには電極3aが、磁気抵抗素子4dには電極3bが、それぞれ接続されている。磁気抵抗素子4a、4dの構成は、図6の磁気抵抗素子4a、4dの構成と全く同様である。
磁気検出素子42は、一対の素子43a、43bが互いに対向するように配置され、素子43a、43bの一端部同士は電極44により接続され、素子43aの他端部は電極45を介して比較回路(図示略)に、素子43bの他端部は電極46に、それぞれ接続されている。
磁気検出素子42は、一対の素子43a、43bが互いに対向するように配置され、素子43a、43bの一端部同士は電極44により接続され、素子43aの他端部は電極45を介して比較回路(図示略)に、素子43bの他端部は電極46に、それぞれ接続されている。
素子43a、43bは、半径が異なる複数の半円状の感磁部22a〜22d(図5では4個)が中心が同一となるように同一平面上に配置され、これら感磁部22a〜22d同士がその両端部にて電極23、24により交互に接続され、つづら折り状の感磁部22とされている。
この磁気センサでは、素子43aを電極45を介して比較回路に接続することにより、この比較回路には直流電圧(Vcc)の1/2の電圧が入力することとなる。この電圧値は、外部磁場によらず、また、温度変化による抵抗値変化も磁気検出回路41と同一となるので、温度補償に優れている。
1…磁気検出回路、2…感磁部、3…電極、4a〜4d…磁気抵抗素子、5…比較回路、11…磁気抵抗素子、12…感磁部、13、14…電極、21、21a、21b…磁気検出素子、22…つづら折り状の感磁部、22a〜22h…感磁部、23、24…電極、25…出力特性調整用パッド、26…ヒューズ回路、31a〜31d…電極、41…磁気検出回路、42…磁気検出素子、43a、43b…素子、44〜46…電極。
Claims (6)
- 感磁部の両端部に電極を設けてなる磁気抵抗素子を4個、電極部を介してブリッジを構成し、このブリッジのうち一方の対向する電極部間に直流電圧を印加し、他方の対向する電極部間の抵抗値の変化から磁界の変化を検出する磁気センサにおいて、
これらの磁気抵抗素子のうち少なくとも一つの磁気抵抗素子の感磁部は、同一平面内に形成された半円状または円形状の感磁部であることを特徴とする磁気センサ。 - 前記半円状の感磁部を、半径が異なる複数の半円状の感磁部とし、これら複数の感磁部を中心が同一となるように配置し、これら複数の感磁部同士をその両端部にて交互に接続してつづら折り状の感磁部としたことを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
- 前記つづら折り状の感磁部を複数個、対向して配置したことを特徴とする請求項2記載の磁気センサ。
- 4個の前記磁気抵抗素子を、互いに独立した二対の磁気抵抗素子とし、この二対の磁気抵抗素子のうち少なくとも一対の磁気抵抗素子の感磁部を、同一平面内に形成された半円状または円形状の感磁部としたことを特徴とする請求項1記載の磁気センサ。
- 感磁部の両端部に電極を設けてなる磁気抵抗素子を4個、電極部を介してブリッジを構成し、このブリッジのうち一方の対向する電極部間に直流電圧を印加し、他方の対向する電極部間の抵抗値の変化から磁界の変化を検出する磁気センサにおいて、
前記ブリッジに、同一平面内に形成された半円状または円形状の感磁部を接続してなることを特徴とする磁気センサ。 - 前記半円状の感磁部を、半径が異なる複数の半円状の感磁部とし、これら複数の感磁部を中心が同一となるように配置し、これら複数の感磁部同士をその両端部にて交互に接続してつづら折り状の感磁部としたことを特徴とする請求項5記載の磁気センサ。
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WO2019221132A1 (ja) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | 株式会社東海理化電機製作所 | 磁気センサ装置 |
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2008
- 2008-02-19 JP JP2008037738A patent/JP2009198215A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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WO2013190950A1 (ja) * | 2012-06-21 | 2013-12-27 | 株式会社村田製作所 | 磁気センサ |
WO2019221132A1 (ja) * | 2018-05-18 | 2019-11-21 | 株式会社東海理化電機製作所 | 磁気センサ装置 |
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