JPWO2016199926A1 - ポリイミド前駆体組成物、及びポリイミド組成物 - Google Patents

ポリイミド前駆体組成物、及びポリイミド組成物 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2016199926A1
JPWO2016199926A1 JP2017523736A JP2017523736A JPWO2016199926A1 JP WO2016199926 A1 JPWO2016199926 A1 JP WO2016199926A1 JP 2017523736 A JP2017523736 A JP 2017523736A JP 2017523736 A JP2017523736 A JP 2017523736A JP WO2016199926 A1 JPWO2016199926 A1 JP WO2016199926A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
polyimide
polyimide precursor
group
film
aromatic ring
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2017523736A
Other languages
English (en)
Other versions
JP6919564B2 (ja
Inventor
卓也 岡
卓也 岡
幸徳 小濱
幸徳 小濱
亮一 高澤
亮一 高澤
久野 信治
信治 久野
健 川岸
健 川岸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Ube Corp
Original Assignee
Ube Industries Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Ube Industries Ltd filed Critical Ube Industries Ltd
Publication of JPWO2016199926A1 publication Critical patent/JPWO2016199926A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP6919564B2 publication Critical patent/JP6919564B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B17/00Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres
    • B32B17/06Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material
    • B32B17/10Layered products essentially comprising sheet glass, or glass, slag, or like fibres comprising glass as the main or only constituent of a layer, next to another layer of a specific material of synthetic resin
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/28Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42
    • B32B27/281Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising synthetic resins not wholly covered by any one of the sub-groups B32B27/30 - B32B27/42 comprising polyimides
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B27/00Layered products comprising a layer of synthetic resin
    • B32B27/34Layered products comprising a layer of synthetic resin comprising polyamides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1042Copolyimides derived from at least two different tetracarboxylic compounds or two different diamino compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/1075Partially aromatic polyimides
    • C08G73/1078Partially aromatic polyimides wholly aromatic in the diamino moiety
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G73/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule, not provided for in groups C08G12/00 - C08G71/00
    • C08G73/06Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain of the macromolecule
    • C08G73/10Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08G73/14Polyamide-imides
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/24Acids; Salts thereof
    • C08K3/26Carbonates; Bicarbonates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L79/00Compositions of macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen with or without oxygen or carbon only, not provided for in groups C08L61/00 - C08L77/00
    • C08L79/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C08L79/08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09DCOATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
    • C09D179/00Coating compositions based on macromolecular compounds obtained by reactions forming in the main chain of the macromolecule a linkage containing nitrogen, with or without oxygen, or carbon only, not provided for in groups C09D161/00 - C09D177/00
    • C09D179/04Polycondensates having nitrogen-containing heterocyclic rings in the main chain; Polyhydrazides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • C09D179/08Polyimides; Polyester-imides; Polyamide-imides; Polyamide acids or similar polyimide precursors
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/12Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates
    • H01L23/14Mountings, e.g. non-detachable insulating substrates characterised by the material or its electrical properties
    • H01L23/145Organic substrates, e.g. plastic
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
    • H01L23/4985Flexible insulating substrates
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1218Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition or structure of the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1292Multistep manufacturing methods using liquid deposition, e.g. printing
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03926Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0271Arrangements for reducing stress or warp in rigid printed circuit boards, e.g. caused by loads, vibrations or differences in thermal expansion
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0277Bendability or stretchability details
    • H05K1/028Bending or folding regions of flexible printed circuits
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/032Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0346Organic insulating material consisting of one material containing N
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/0353Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/0353Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement
    • H05K1/0373Organic insulating material consisting of two or more materials, e.g. two or more polymers, polymer + filler, + reinforcement containing additives, e.g. fillers
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2307/00Properties of the layers or laminate
    • B32B2307/70Other properties
    • B32B2307/724Permeability to gases, adsorption
    • B32B2307/7242Non-permeable
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00Electrical equipment
    • B32B2457/12Photovoltaic modules
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00Electrical equipment
    • B32B2457/20Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00Electrical equipment
    • B32B2457/20Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B32B2457/208Touch screens
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/20Oxides; Hydroxides
    • C08K3/22Oxides; Hydroxides of metals
    • C08K2003/2206Oxides; Hydroxides of metals of calcium, strontium or barium
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/24Acids; Salts thereof
    • C08K3/26Carbonates; Bicarbonates
    • C08K2003/262Alkali metal carbonates
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/24Acids; Salts thereof
    • C08K3/26Carbonates; Bicarbonates
    • C08K2003/265Calcium, strontium or barium carbonate
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04102Flexible digitiser, i.e. constructional details for allowing the whole digitising part of a device to be flexed or rolled like a sheet of paper
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0104Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0108Transparent
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0137Materials
    • H05K2201/0154Polyimide

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Wood Science & Technology (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Organic Insulating Materials (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本発明は、ポリイミド前駆体と光学異方性を有する微粒子とを含むポリイミド前駆体組成物、及び、ポリイミドと光学異方性を有する微粒子とを含むポリイミド組成物に関する。

Description

本発明は、厚み方向及び面内方向の位相差(レタデーション)が小さく、透明性、機械的特性、または耐熱性等の特性にも優れるポリイミド組成物、及びその前駆体組成物に関する。また、本発明は、厚み方向及び面内方向の位相差が小さく、透明性、機械的特性、または耐熱性等の特性にも優れるポリイミドフィルム、及び基板等にも関する。
近年、高度情報化社会の到来に伴い、光通信分野の光ファイバーや光導波路等、表示装置分野の液晶配向膜やカラーフィルター用保護膜等の光学材料の開発が進んでいる。特に表示装置分野で、ガラス基板の代替として軽量でフレキシブル性に優れたプラスチック基板の検討や、曲げたり丸めたりすることが可能なディスプレイの開発が盛んに行われている。このため、その様な用途に用いることができる、より高性能の光学材料が求められている。
芳香族ポリイミドは、分子内共役や電荷移動錯体の形成により、本質的に黄褐色に着色する。このため着色を抑制する手段として、例えば分子内へのフッ素原子の導入、主鎖への屈曲性の付与、側鎖として嵩高い基の導入などによって、分子内共役や電荷移動錯体の形成を阻害して、透明性を発現させる方法が提案されている(例えば、特許文献1)。
また、原理的に電荷移動錯体を形成しない半脂環式または全脂環式ポリイミドを用いることにより透明性を発現させる方法も提案されている(例えば、特許文献2〜5)。
しかしながら、用途によっては、特に表示装置などの分野においては、透明性が高いことに加え、厚み方向及び面内方向の位相差(レタデーション)を低下させることが望まれている。位相差が大きいフィルムを透過することで、色が正しく表示されない、色のにじみや視野角が狭くなるといった問題が起こることがある。そのため、特に表示装置などの分野においては、位相差が小さいポリイミドフィルムが求められている。
一方、特許文献6には、結合鎖の配向によって生じた配向複屈折性を有する透明な高分子樹脂(具体的には、ポリスチレン、ポリフェニレンオキサイド、ポリカーボネート、ポリビニルクロライド、ポリメチルメタクリレート、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレン)と、前記高分子樹脂中に分散した、特定の製造方法によって製造された炭酸ストロンチウムの微粒子とを含み、前記炭酸ストロンチウムの微粒子は、前記高分子樹脂内で前記高分子樹脂の配向複屈折性を減殺するように統計的に配向している、非複屈折性光学樹脂材料が開示されている。より具体的には、特許文献6に記載されている非複屈折性光学樹脂材料では、ポリマーフィルム中に針状結晶である炭酸ストロンチウムの微粒子を添加し、ポリマーフィルムを熱延伸することにより、炭酸ストロンチウムの微粒子を熱延伸方向に沿って統計的に配向させている。あるいは、ポリマーペレット中に炭酸ストロンチウムの棒状結晶微粒子を添加し、このポリマーペレットを射出成形法や押出成形法に使用し、ポリマー溶融時の流動によって炭酸ストロンチウムの微粒子を配向させている。
特許文献7、特許文献8には、複屈折性を有する高分子樹脂に分散させて複屈折性を低減させるために用いられる、配向複屈折性を有する炭酸ストロンチウムの微粒子が開示されている。
また、特許文献9には、光学異方性を有する微粒子(具体的には、炭酸ストロンチウム微粒子)に対し分散剤(具体的には、リン酸エステル分散剤)5重量%以上を添加し、溶媒中に分散させた微粒子分散液に透明性高分子(具体的には、ポリカーボネート、N−メチルマレイミド・イソブテン共重合体)を溶解し、得られた微粒子分散高分子溶液を溶液流延法により成膜し、フィルム化する光学フィルムの製造方法が開示されている。
特許文献10には、特定の構造を有するポリイミドを含んでなる熱可塑性高分子フィルムを延伸し、位相差フィルムを得ることを特徴とする位相差フィルムの製造方法が開示されている。
特表2010−538103号公報 特開2012−41529号公報 国際公開第2014/046064号 特開2009−286706号公報 特開2014−92775号公報 特開2004−35347号公報 特開2006−21987号公報 特開2014−80360号公報 特開2007−140011号公報 特開2006−3715号公報
本発明は、容易に製造可能で、厚み方向及び面内方向の位相差が小さく、透明性、機械的特性、または耐熱性等にも優れるポリイミド組成物、及びその前駆体組成物を提供することを目的とする。また、本発明は、厚み方向及び面内方向の位相差が小さく、透明性、機械的特性、または耐熱性等にも優れるポリイミド組成物が得られるワニス、並びに、厚み方向及び面内方向の位相差が小さく、透明性、機械的特性、または耐熱性等にも優れるポリイミドフィルム、及び基板を提供することも目的とする。
本発明は、以下の各項に関する。
1. ポリイミド前駆体(A1)と、光学異方性を有する微粒子(B)とを含むことを特徴とするポリイミド前駆体組成物。
2. 前記ポリイミド前駆体(A1)が、下記化学式(1)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含むことを特徴とする前記項1に記載のポリイミド前駆体組成物。
Figure 2016199926

(式中、Xは芳香族環または脂環構造を有する4価の基であり、Yは芳香族環または脂環構造を有する2価の基であり、R、Rはそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、または炭素数3〜9のアルキルシリル基である。)
3. Xが脂環構造を有する4価の基であり、Yが脂環構造を有する2価の基である化学式(1)で表される繰り返し単位の含有量が、全繰り返し単位に対して、50モル%以下であることを特徴とする前記項2に記載のポリイミド前駆体組成物。
4. 化学式(1)中のXが芳香族環を有する4価の基であり、Yが芳香族環を有する2価の基であることを特徴とする前記項2に記載のポリイミド前駆体組成物。
5. 化学式(1)中のXが脂環構造を有する4価の基であり、Yが芳香族環を有する2価の基であることを特徴とする前記項2に記載のポリイミド前駆体組成物。
6. 化学式(1)中のXが芳香族環を有する4価の基であり、Yが脂環構造を有する2価の基であることを特徴とする前記項2に記載のポリイミド前駆体組成物。
7. 前記光学異方性を有する微粒子(B)が、炭酸ストロンチウムであることを特徴とする前記項1〜6のいずれかに記載のポリイミド前駆体組成物。
8. ポリイミド(A2)と、光学異方性を有する微粒子(B)とを含むことを特徴とするポリイミド組成物。
9. 前記ポリイミド(A2)が、下記化学式(7)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含むことを特徴とする前記項8に記載のポリイミド組成物。
Figure 2016199926

(式中、Xは芳香族環または脂環構造を有する4価の基であり、Yは芳香族環または脂環構造を有する2価の基である。)
10. 前記項1〜7のいずれかに記載のポリイミド前駆体組成物から得られることを特徴とするポリイミド組成物。
11. 前記項1〜7のいずれかに記載のポリイミド前駆体組成物から得られるポリイミド組成物、又は前記項8〜9のいずれかに記載のポリイミド組成物からなることを特徴とするポリイミドフィルム。
12. 前記項11記載のポリイミドフィルムと、少なくとも1層のガラス層を有することを特徴とするポリイミドフィルム積層体。
13. 前記項11記載のポリイミドフィルムと、少なくとも1層のガスバリヤ層を有することを特徴とするポリイミドフィルム積層体。
14. 前記項11記載のポリイミドフィルムと、少なくとも1層の薄膜トランジスタを有することを特徴とするポリイミドフィルム積層体。
15. 前記項11記載のポリイミドフィルムと、少なくとも1層の導電層を有すること特徴とする前記項12または13に記載のポリイミドフィルム積層体。
16. ポリイミド前駆体(A1)又はポリイミド(A2)と、光学異方性を有する微粒子(B)と、溶媒とを含むことを特徴とするワニス。
17. 前記項16に記載のワニスを用いて得られたことを特徴とするポリイミド組成物。
18. 前記項16に記載のワニスを用いて得られたことを特徴とするポリイミドフィルム。
19. 前記項1〜7のいずれかに記載のポリイミド前駆体組成物から得られるポリイミド組成物、又は前記項8〜9のいずれかに記載のポリイミド組成物を含むことを特徴とするディスプレイ用、タッチパネル用、または太陽電池用のフィルム(例えば、基板など)。
20. 前記項1〜7のいずれかに記載のポリイミド前駆体組成物から得られるポリイミド組成物、又は前記項8〜9のいずれかに記載のポリイミド組成物を含むことを特徴とする表示デバイス、センサーデバイス、光電変換デバイス、または光学デバイス。
21. 下記化学式(8)で表される繰り返し単位を含むポリアミック酸(A3)で表面処理された光学異方性を有する微粒子粉末。
Figure 2016199926

(式中、Xは芳香族環または脂環構造を有する4価の基であり、Yは芳香族環または脂環構造を有する2価の基である。ただし、式中のカルボキシル基(−COOH)は、塩基と塩を形成していてもよい。)
22. 下記化学式(8)で表される繰り返し単位を含むポリアミック酸(A3)と、光学異方性を有する微粒子(B)と、溶媒(C)とを含む微粒子分散液。
Figure 2016199926

(式中、Xは芳香族環または脂環構造を有する4価の基であり、Yは芳香族環または脂環構造を有する2価の基である。ただし、式中のカルボキシル基(−COOH)は、塩基と塩を形成していてもよい。)
本発明によって、容易に製造可能で、厚み方向及び面内方向の位相差が小さく、透明性、機械的特性、または耐熱性等にも優れるポリイミド組成物、及びその前駆体組成物を提供することができる。
また、本発明によって、厚み方向及び面内方向の位相差が小さく、透明性、機械的特性、または耐熱性等にも優れるポリイミド組成物が得られるワニス(ポリイミド前駆体溶液組成物、ポリイミド溶液組成物)を提供することができる。
さらに、本発明によって、厚み方向及び面内方向の位相差が小さく、透明性、機械的特性、または耐熱性等にも優れるポリイミドフィルム、及び基板を提供することができる。本発明のポリイミド前駆体組成物から得られるポリイミド組成物、または本発明のポリイミド組成物は、優れた特性を有するため、ディスプレイ用、タッチパネル用、太陽電池用などの基板を形成するために好適に用いることができる。本発明のポリイミド前駆体組成物から得られるポリイミド組成物、または本発明のポリイミド組成物は、その他のデバイス(半導体装置など)においても、基板用途に好適に用いることができ、さらに、各種ディスプレイ等の表示デバイス、タッチパネル等のセンサーデバイス、太陽電池等の光電変換デバイスや、その他の光学デバイス等において、基板以外に、カバーフィルム、カラーフィルター用途等にも好適に用いることができる。
本発明においては、ポリイミド組成物のフィルムを熱延伸する、あるいは、ポリイミド組成物を溶融して射出成形や押出成形すること等により炭酸ストロンチウム等の光学異方性を有する針状または棒状の微粒子を一方向に配向させなくても、すなわち、特別な微粒子の配向処理なしで、単に、ポリイミド組成物の製造に用いるワニス(すなわち、ポリイミド前駆体溶液組成物、ポリイミド溶液組成物)に光学異方性を有する微粒子を添加することで、容易に、面内方向の位相差のみならず、厚み方向の位相差も低下させることができる。また、延伸、射出成形法や押出成形法では、ポリマーの延伸や成型等外部応力によってポリマー分子とともに炭酸ストロンチウム等の光学異方性を有する微粒子を配向させているが、このような成形加工では、厳密にポリマーの流動性を制御することや、均一なポリマー流動を実現することが困難なため、ポリマー分子、及び光学異方性を有する微粒子の配向を厳密に制御することが難しく、良質な光学フィルムを得ることが困難である。これに対して、特に前記化学式(1)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を、好ましくは全繰り返し単位に対して70モル%以上含むポリイミド前駆体、前記化学式(7)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を、好ましくは全繰り返し単位に対して70モル%以上含むポリイミドを用いる本発明においては、延伸等の特別な操作をすることなく、光学異方性を有する微粒子を効率的に配向させることができ、良質な光学フィルムを容易に製造できる。特にポリイミド前駆体(ポリアミック酸)と光学異方性を有する微粒子とを含むポリイミド前駆体組成物をイミド化する場合、イミド化反応時に水分子が脱離し、分子鎖配向が進み、それに伴い、光学異方性を有する微粒子をより効果的に、より良好に配向させることが可能である。そのため、上記以外のポリイミド前駆体をイミド化する場合でも、得られるポリイミド組成物の厚み方向及び面内方向の位相差を低下させることができるが、上記の組成のポリイミド前駆体の場合、その効果が大きく、好ましい。
本発明のポリイミドフィルム/基材積層体、もしくはポリイミドフィルムは、例えば前述のポリイミド前駆体組成物、及び前述のポリイミド組成物(例えば、ポリイミドが溶解している溶液の組成物)を原料として、好適に得られる。
また、本発明によって、ポリイミド組成物、及びその前駆体組成物に好適に用いることができる表面処理された光学異方性を有する微粒子粉末、および、光学異方性を有する微粒子と、溶媒とを含む微粒子分散液を提供することができる。
本発明のポリイミド前駆体組成物は、ポリイミド前駆体(A1)と、光学異方性を有する微粒子(B)とを含む。ポリイミド前駆体(A1)は、例えば、下記化学式(1)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含むものである。
Figure 2016199926

(式中、Xは芳香族環または脂環構造を有する4価の基であり、Yは芳香族環または脂環構造を有する2価の基であり、R、Rはそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、または炭素数3〜9のアルキルシリル基である。)
ただし、ポリイミド前駆体(A1)は、イミド化が一部進行した、イミド構造の繰り返し単位を含む、部分イミド化ポリアミド酸等であってもよい。
本発明のポリイミド組成物は、ポリイミド(A2)と、光学異方性を有する微粒子(B)とを含む。ポリイミド(A2)は、例えば、下記化学式(7)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含むものである。
Figure 2016199926

(式中、Xは芳香族環または脂環構造を有する4価の基であり、Yは芳香族環または脂環構造を有する2価の基である。)
以下、本発明のポリイミド前駆体組成物に用いるポリイミド前駆体(A1)、本発明のポリイミド組成物に用いるポリイミド(A2)、並びに、本発明のポリイミド前駆体組成物、及び本発明のポリイミド組成物に用いる光学異方性を有する微粒子(B)について詳細に説明する。
<ポリイミド前駆体(A1)>
ポリイミド前駆体(A1)は、例えば、前記化学式(1)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含むものである。
特に限定されるわけではないが、得られるポリイミド組成物が耐熱性に優れるため、ポリイミド前駆体(A1)の化学式(1)中のXが芳香族環を有する4価の基であり、Yが芳香族環を有する2価の基であることが好ましい。また、得られるポリイミド組成物が耐熱性に優れると同時に透明性に優れるため、Xが脂環構造を有する4価の基であり、Yが芳香族環を有する2価の基であることが好ましい。また、得られるポリイミド組成物が耐熱性に優れると同時に寸法安定性に優れるため、Xが芳香族環を有する4価の基であり、Yが脂環構造を有する2価の基であることが好ましい。
得られるポリイミド組成物の特性、例えば、透明性、機械的特性、または耐熱性等の点から、Xが脂環構造を有する4価の基であり、Yが脂環構造を有する2価の基である化学式(1)で表される繰り返し単位の含有量は、全繰り返し単位に対して、好ましくは50モル%以下、より好ましくは30モル%以下または30モル%未満、より好ましくは10モル%以下であることが好ましい。
ある実施態様においては、ポリイミド前駆体(A1)は、Xが芳香族環を有する4価の基であり、Yが芳香族環を有する2価の基である前記化学式(1)の繰り返し単位の1種以上の含有量が、合計で、全繰り返し単位に対して、好ましくは50モル%以上、より好ましくは70モル%以上、より好ましくは80モル%以上、さらに好ましくは90モル%以上、特に好ましくは100モル%であることが好ましい。この実施態様において、特に高透明性のポリイミド組成物が求められる場合は、ポリイミド前駆体(A1)はフッ素原子を含有することが好ましい。すなわち、ポリイミド前駆体(A1)は、Xがフッ素原子を含有する芳香族環を有する4価の基である前記化学式(1)の繰り返し単位および/またはYがフッ素原子を含有する芳香族環を有する2価の基である前記化学式(1)の繰り返し単位の1種以上を含むことが好ましい。
ある実施態様においては、ポリイミド前駆体(A1)は、Xが脂環構造を有する4価の基であり、Yが芳香族環を有する2価の基である前記化学式(1)の繰り返し単位の1種以上の含有量が、合計で、全繰り返し単位に対して、好ましくは50モル%以上、より好ましくは70モル%以上、より好ましくは80モル%以上、さらに好ましくは90モル%以上、特に好ましくは100モル%であることが好ましい。
ある実施態様においては、ポリイミド前駆体(A1)は、Xが芳香族環を有する4価の基であり、Yが脂環構造を有する2価の基である前記化学式(1)の繰り返し単位の1種以上の含有量が、合計で、全繰り返し単位に対して、好ましくは50モル%以上、より好ましくは70モル%以上、より好ましくは80モル%以上、さらに好ましくは90モル%以上、特に好ましくは100モル%であることが好ましい。
の芳香族環を有する4価の基としては、炭素数が6〜40の芳香族環を有する4価の基が好ましい。
芳香族環を有する4価の基としては、例えば、下記のものが挙げられる。
Figure 2016199926

(式中、Zは直接結合、または、下記の2価の基:
Figure 2016199926

のいずれかである。ただし、式中のZは、2価の有機基である。)
としては、具体的には、炭素数2〜24の脂肪族炭化水素基、炭素数6〜24の芳香族炭化水素基が挙げられる。
芳香族環を有する4価の基としては、得られるポリイミド組成物の高耐熱性と高透明性を両立できるので、下記のものが特に好ましい。
Figure 2016199926

(式中、Zは直接結合、または、へキサフルオロイソプロピリデン結合である。)
ここで、得られるポリイミド組成物の高耐熱性、高透明性、低線熱膨張係数を両立できるので、Zは直接結合であることがより好ましい。
が芳香族環を有する4価の基である化学式(1)の繰り返し単位を与えるテトラカルボン酸成分としては、例えば、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、4−(2,5−ジオキソテトラヒドロフラン−3−イル)−1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−1,2−ジカルボン酸、ピロメリット酸、3,3’,4,4’−ベンゾフェノンテトラカルボン酸、3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸、2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸、4,4’−オキシジフタル酸、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)スルホン、m−ターフェニル−3,4,3’,4’−テトラカルボン酸、p−ターフェニル−3,4,3’,4’−テトラカルボン酸、ビスカルボキシフェニルジメチルシラン、ビスジカルボキシフェノキシジフェニルスルフィド、スルホニルジフタル酸や、これらのテトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸シリルエステル、テトラカルボン酸エステル、テトラカルボン酸クロライド等の誘導体が挙げられる。Xがフッ素原子を含有する芳香族環を有する4価の基である化学式(1)の繰り返し単位を与えるテトラカルボン酸成分としては、例えば、2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンや、これのテトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸シリルエステル、テトラカルボン酸エステル、テトラカルボン酸クロライド等の誘導体が挙げられる。テトラカルボン酸成分は、単独で使用してもよく、また複数種を組み合わせて使用することもできる。
の脂環構造を有する4価の基としては、炭素数が4〜40の脂環構造を有する4価の基が好ましく、少なくとも一つの脂肪族4〜12員環、より好ましくは脂肪族4員環または脂肪族6員環を有することがより好ましい。
さらに、Xの脂環構造を有する4価の基としては、耐熱性と透明性を両立できることから、化学構造中に少なくとも一つの脂肪族6員環を有し、且つ、芳香族環を有さないことが好ましい。X(脂環構造を有する4価の基)中の6員環は複数であってよく、複数の6員環が二つ以上の共通の炭素原子によって構成されていても構わない。また、6員環は、環を構成する(6員環の内部の)炭素原子同士が結合して更に環を形成した架橋環型であっても構わない。
(脂環構造を有する4価の基)は、対称性が高い6員環構造を有するものが、高分子鎖の密なパッキングが可能となり、ポリイミドの耐溶剤性、耐熱性、機械強度に優れるため好ましい。さらに、X(脂環構造を有する4価の基)においては、複数の6員環が二つ以上の共通の炭素原子によって構成されていること、及び6員環が環を構成する炭素原子同士が結合して更に環を形成していることが、ポリイミドの良好な耐熱性、耐溶剤性、低線膨張係数を達成し易いのでより好ましい。
好ましい脂肪族4員環または脂肪族6員環を有する4価の基としては、下記のものが挙げられる。
Figure 2016199926

(式中、R31〜R36は、それぞれ独立に直接結合、または、2価の有機基である。R41〜R47は、それぞれ独立に 式:−CH−、−CH=CH−、−CHCH−、−O−、−S−で表される基よりなる群から選択される1種を示す。)
31、R32、R33、R34、R35、R36としては、具体的には、直接結合、または、炭素数1〜6の脂肪族炭化水素基、または、酸素原子(−O−)、硫黄原子(−S−)、カルボニル結合、エステル結合、アミド結合が挙げられる。
脂環構造を有する4価の基としては、得られるポリイミドの高耐熱性、高透明性、低線熱膨張係数を両立できるので、下記のものが特に好ましい。
Figure 2016199926
が脂環構造を有する4価の基である化学式(1)の繰り返し単位を与えるテトラカルボン酸成分としては、例えば、1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸、イソプロピリデンジフェノキシビスフタル酸、シクロヘキサン−1,2,4,5−テトラカルボン酸、[1,1’−ビ(シクロヘキサン)]−3,3’,4,4’−テトラカルボン酸、[1,1’−ビ(シクロヘキサン)]−2,3,3’,4’−テトラカルボン酸、[1,1’−ビ(シクロヘキサン)]−2,2’,3,3’−テトラカルボン酸、4,4’−メチレンビス(シクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸)、4,4’−(プロパン−2,2−ジイル)ビス(シクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸)、4,4’−オキシビス(シクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸)、4,4’−チオビス(シクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸)、4,4’−スルホニルビス(シクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸)、4,4’−(ジメチルシランジイル)ビス(シクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸)、4,4’−(テトラフルオロプロパン−2,2−ジイル)ビス(シクロヘキサン−1,2−ジカルボン酸)、オクタヒドロペンタレン−1,3,4,6−テトラカルボン酸、ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2,3,5,6−テトラカルボン酸、6−(カルボキシメチル)ビシクロ[2.2.1]ヘプタン−2,3,5−トリカルボン酸、ビシクロ[2.2.2]オクタン−2,3,5,6−テトラカルボン酸、ビシクロ[2.2.2]オクタ−5−エン−2,3,7,8−テトラカルボン酸、トリシクロ[4.2.2.02,5]デカン−3,4,7,8−テトラカルボン酸、トリシクロ[4.2.2.02,5]デカ−7−エン−3,4,9,10−テトラカルボン酸、9−オキサトリシクロ[4.2.1.02,5]ノナン−3,4,7,8−テトラカルボン酸、ノルボルナン−2−スピロ−α−シクロペンタノン−α’−スピロ−2’’−ノルボルナン5,5’’,6,6’’−テトラカルボン酸、(4arH,8acH)−デカヒドロ−1t,4t:5c,8c−ジメタノナフタレン−2c,3c,6c,7c−テトラカルボン酸、(4arH,8acH)−デカヒドロ−1t,4t:5c,8c−ジメタノナフタレン−2t,3t,6c,7c−テトラカルボン酸や、これらのテトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸シリルエステル、テトラカルボン酸エステル、テトラカルボン酸クロライド等の誘導体が挙げられる。テトラカルボン酸成分は、単独で使用してもよく、また複数種を組み合わせて使用することもできる。
の芳香族環を有する2価の基としては、炭素数が6〜40、更に好ましくは炭素数が6〜20の芳香族環を有する2価の基が好ましい。
芳香族環を有する2価の基としては、例えば、下記のものが挙げられる。
Figure 2016199926

(式中、Wは直接結合、または、2価の有機基であり、n11〜n13は、それぞれ独立に0〜4の整数を表し、R51、R52、R53は、それぞれ独立に炭素数1〜6のアルキル基、ハロゲン基、水酸基、カルボキシル基、またはトリフルオロメチル基である。)
としては、具体的には、下記の式(5)で表される2価の基、下記の式(6)で表される2価の基が挙げられる。
Figure 2016199926

(式(6)中のR61〜R68は、それぞれ独立に前記式(5)で表される2価の基のいずれかを表す。)
ここで、得られるポリイミドの高耐熱性、高透明性、低線熱膨張係数を両立できるので、Wは、直接結合、または 式:−NHCO−、−CONH−、−COO−、−OCO−で表される基よりなる群から選択される1種であることが特に好ましい。また、Wが、R61〜R68が直接結合、または 式:−NHCO−、−CONH−、−COO−、−OCO−で表される基よりなる群から選択される1種である前記式(5)で表される2価の基のいずれかであることも特に好ましい。
が芳香族環を有する2価の基である化学式(1)の繰り返し単位を与えるジアミン成分としては、例えば、p−フェニレンジアミン、m−フェニレンジアミン、ベンジジン、3,3’−ジアミノ−ビフェニル、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、3,3’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、m−トリジン、4,4’−ジアミノベンズアニリド、3,4’−ジアミノベンズアニリド、N,N’−ビス(4−アミノフェニル)テレフタルアミド、N,N’−p−フェニレンビス(p−アミノベンズアミド)、4−アミノフェノキシ−4−ジアミノベンゾエート、ビス(4−アミノフェニル)テレフタレート、ビフェニル−4,4’−ジカルボン酸ビス(4−アミノフェニル)エステル、p−フェニレンビス(p−アミノベンゾエート)、ビス(4−アミノフェニル)−[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジカルボキシレート、[1,1’−ビフェニル]−4,4’−ジイル ビス(4−アミノベンゾエート)、4,4’−オキシジアニリン、3,4’−オキシジアニリン、3,3’−オキシジアニリン、p−メチレンビス(フェニレンジアミン)、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4’−ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、2,2−ビス(4−(4−アミノフェノキシ)フェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−アミノフェニル)スルホン、3,3’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、3,3’−ビス((アミノフェノキシ)フェニル)プロパン、2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパン、ビス(4−(4−アミノフェノキシ)ジフェニル)スルホン、ビス(4−(3−アミノフェノキシ)ジフェニル)スルホン、オクタフルオロベンジジン、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジクロロ−4,4’−ジアミノビフェニル、3,3’−ジフルオロ−4,4’−ジアミノビフェニル、2,4−ビス(4−アミノアニリノ)−6−アミノ−1,3,5−トリアジン、2,4−ビス(4−アミノアニリノ)−6−メチルアミノ−1,3,5−トリアジン、2,4−ビス(4−アミノアニリノ)−6−エチルアミノ−1,3,5−トリアジン、2,4−ビス(4−アミノアニリノ)−6−アニリノ−1,3,5−トリアジンが挙げられる。Yがフッ素原子を含有する芳香族環を有する2価の基である化学式(1)の繰り返し単位を与えるジアミン成分としては、例えば、2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、3,3’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン、2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,2−ビス(4−アミノフェニル)ヘキサフルオロプロパン、2,2’−ビス(3−アミノ−4−ヒドロキシフェニル)ヘキサフルオロプロパンが挙げられる。ジアミン成分は、単独で使用してもよく、また複数種を組み合わせて使用することもできる。
の脂環構造を有する2価の基としては、炭素数が4〜40の脂環構造を有する2価の基が好ましく、少なくとも一つの脂肪族4〜12員環、より好ましくは脂肪族6員環を有することが更に好ましい。
脂環構造を有する2価の基としては、例えば、下記のものが挙げられる。
Figure 2016199926

(式中、V、Vは、それぞれ独立に直接結合、または、2価の有機基であり、n21〜n26は、それぞれ独立に0〜4の整数を表し、R81〜R86は、それぞれ独立に炭素数1〜6のアルキル基、ハロゲン基、水酸基、カルボキシル基、またはトリフルオロメチル基であり、R91、R92、R93は、それぞれ独立に 式:−CH−、−CH=CH−、−CHCH−、−O−、−S−で表される基よりなる群から選択される1種である。)
、Vとしては、具体的には、前記の式(5)で表される2価の基が挙げられる。
脂環構造を有する2価の基としては、得られるポリイミドの高耐熱性、低線熱膨張係数を両立できるので、下記のものが特に好ましい。
Figure 2016199926
脂環構造を有する2価の基としては、中でも、下記のものが好ましい。
Figure 2016199926
が脂環構造を有する2価の基である化学式(1)の繰り返し単位を与えるジアミン成分としては、例えば、1,4−ジアミノシクロへキサン、1,4−ジアミノ−2−メチルシクロヘキサン、1,4−ジアミノ−2−エチルシクロヘキサン、1,4−ジアミノ−2−n−プロピルシクロヘキサン、1,4−ジアミノ−2−イソプロピルシクロヘキサン、1,4−ジアミノ−2−n−ブチルシクロヘキサン、1,4−ジアミノ−2−イソブチルシクロヘキサン、1,4−ジアミノ−2−sec−ブチルシクロヘキサン、1,4−ジアミノ−2−tert−ブチルシクロヘキサン、1,2−ジアミノシクロへキサン、1,3−ジアミノシクロブタン、1,4−ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、1,3−ビス(アミノメチル)シクロヘキサン、ジアミノビシクロヘプタン、ジアミノメチルビシクロヘプタン、ジアミノオキシビシクロヘプタン、ジアミノメチルオキシビシクロヘプタン、イソホロンジアミン、ジアミノトリシクロデカン、ジアミノメチルトリシクロデカン、ビス(アミノシクロへキシル)メタン、ビス(アミノシクロヘキシル)イソプロピリデン、6,6’−ビス(3−アミノフェノキシ)−3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインダン、6,6’−ビス(4−アミノフェノキシ)−3,3,3’,3’−テトラメチル−1,1’−スピロビインダンが挙げられる。ジアミン成分は、単独で使用してもよく、また複数種を組み合わせて使用することもできる。
前記化学式(1)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含むポリイミド前駆体(A1)は、前記化学式(1)で表される繰り返し単位以外の、他の繰り返し単位を含むことができる。
他の繰り返し単位を与えるテトラカルボン酸成分およびジアミン成分としては、特に限定されず、他の公知の脂肪族テトラカルボン酸類、公知の脂肪族ジアミン類いずれも使用することができる。他のテトラカルボン酸成分も、単独で使用してもよく、また複数種を組み合わせて使用することもできる。他のジアミン成分も、単独で使用してもよく、また複数種を組み合わせて使用することもできる。
前記化学式(1)で表される繰り返し単位以外の、他の繰り返し単位の含有量は、全繰り返し単位に対して、好ましくは30モル%以下または30モル%未満、より好ましくは20モル%以下、さらに好ましくは10モル%以下であることが好ましい。
ポリイミド前駆体(A1)の前記化学式(1)において、R、Rはそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6、好ましくは炭素数1〜3のアルキル基、または炭素数3〜9のアルキルシリル基のいずれかである。R及びRが水素である場合、ポリイミドの製造が容易である傾向がある。
及びRは、後述する製造方法によって、その官能基の種類、及び、官能基の導入率を変化させることができる。
本発明のポリイミド前駆体(A1)(前記化学式(1)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含むポリイミド前駆体)は、R及びRが取る化学構造によって、
1)ポリアミド酸(R及びRが水素)、
2)ポリアミド酸エステル(R及びRの少なくとも一部がアルキル基)、
3)4)ポリアミド酸シリルエステル(R及びRの少なくとも一部がアルキルシリル基)、
に分類することができる。そして、本発明のポリイミド前駆体(A1)は、この分類ごとに、以下の製造方法により容易に製造することができる。ただし、本発明のポリイミド前駆体(A1)の製造方法は、以下の製造方法に限定されるものではない。
1)ポリアミド酸
本発明のポリイミド前駆体(A1)は、溶媒中でテトラカルボン酸成分としてのテトラカルボン酸二無水物とジアミン成分とを略等モル、好ましくはテトラカルボン酸成分に対するジアミン成分のモル比[ジアミン成分のモル数/テトラカルボン酸成分のモル数]が好ましくは0.90〜1.10、より好ましくは0.95〜1.05の割合で、例えば120℃以下の比較的低温度でイミド化を抑制しながら反応することによって、ポリイミド前駆体溶液組成物として好適に得ることができる。
限定するものではないが、より具体的には、有機溶剤または水にジアミンを溶解し、この溶液に攪拌しながら、テトラカルボン酸二無水物を徐々に添加し、0〜120℃、好ましくは5〜80℃の範囲で1〜72時間攪拌することで、ポリイミド前駆体が得られる。80℃以上で反応させる場合、分子量が重合時の温度履歴に依存して変動し、また熱によりイミド化が進行することから、ポリイミド前駆体を安定して製造できなくなる可能性がある。上記製造方法でのジアミンとテトラカルボン酸二無水物の添加順序は、ポリイミド前駆体の分子量が上がりやすいため、好ましい。また、上記製造方法のジアミンとテトラカルボン酸二無水物の添加順序を逆にすることも可能であり、析出物が低減することから、好ましい。溶媒として水を使用する場合は、1,2−ジメチルイミダゾール等のイミダゾール類、あるいはトリエチルアミン等の塩基を、生成するポリアミック酸(ポリイミド前駆体)のカルボキシル基に対して、好ましくは0.8倍当量以上の量で、添加することが好ましい。
2)ポリアミド酸エステル
テトラカルボン酸二無水物を任意のアルコールと反応させ、ジエステルジカルボン酸を得た後、塩素化試薬(チオニルクロライド、オキサリルクロライドなど)と反応させ、ジエステルジカルボン酸クロライドを得る。このジエステルジカルボン酸クロライドとジアミンを−20〜120℃、好ましくは−5〜80℃の範囲で1〜72時間攪拌することで、ポリイミド前駆体が得られる。80℃以上で反応させる場合、分子量が重合時の温度履歴に依存して変動し、また熱によりイミド化が進行することから、ポリイミド前駆体を安定して製造できなくなる可能性がある。また、ジエステルジカルボン酸とジアミンを、リン系縮合剤や、カルボジイミド縮合剤などを用いて脱水縮合することでも、簡便にポリイミド前駆体が得られる。
この方法で得られるポリイミド前駆体は、安定なため、水やアルコールなどの溶剤を加えて再沈殿などの精製を行うこともできる。
3)ポリアミド酸シリルエステル(間接法)
あらかじめ、ジアミンとシリル化剤を反応させ、シリル化されたジアミンを得る。必要に応じて、蒸留等により、シリル化されたジアミンの精製を行う。そして、脱水された溶剤中にシリル化されたジアミンを溶解させておき、攪拌しながら、テトラカルボン酸二無水物を徐々に添加し、0〜120℃、好ましくは5〜80℃の範囲で1〜72時間攪拌することで、ポリイミド前駆体が得られる。80℃以上で反応させる場合、分子量が重合時の温度履歴に依存して変動し、また熱によりイミド化が進行することから、ポリイミド前駆体を安定して製造できなくなる可能性がある。
4)ポリアミド酸シリルエステル(直接法)
1)の方法で得られたポリアミド酸溶液とシリル化剤を混合し、0〜120℃、好ましくは5〜80℃の範囲で1〜72時間攪拌することで、ポリイミド前駆体が得られる。80℃以上で反応させる場合、分子量が重合時の温度履歴に依存して変動し、また熱によりイミド化が進行することから、ポリイミド前駆体を安定して製造できなくなる可能性がある。
3)の方法、及び4)の方法で用いるシリル化剤として、塩素を含有しないシリル化剤を用いることは、シリル化されたポリアミド酸、もしくは、得られたポリイミドを精製する必要がないため、好適である。塩素原子を含まないシリル化剤としては、N,O−ビス(トリメチルシリル)トリフルオロアセトアミド、N,O−ビス(トリメチルシリル)アセトアミド、ヘキサメチルジシラザンが挙げられる。フッ素原子を含まず低コストであることから、N,O−ビス(トリメチルシリル)アセトアミド、ヘキサメチルジシラザンが特に好ましい。
また、3)の方法のジアミンのシリル化反応には、反応を促進するために、ピリジン、ピペリジン、トリエチルアミンなどのアミン系触媒を用いることができる。この触媒はポリイミド前駆体の重合触媒として、そのまま使用することができる。
ポリイミド前駆体(A1)を調製する際に使用する溶媒(C)は、水や、例えばN,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、ジメチルスルホキシド等の非プロトン性溶媒が好ましく、原料モノマー成分と生成するポリイミド前駆体が溶解すれば、どんな種類の溶媒であっても問題はなく使用できるので、特にその構造には限定されない。溶媒として、水や、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチルピロリドン等のアミド溶媒、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、ε−カプロラクトン、α−メチル−γ−ブチロラクトン等の環状エステル溶媒、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート溶媒、トリエチレングリコール等のグリコール系溶媒、m−クレゾール、p−クレゾール、3−クロロフェノール、4−クロロフェノール等のフェノール系溶媒、アセトフェノン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、スルホラン、ジメチルスルホキシドなどが好ましく採用される。さらに、その他の一般的な有機溶剤、即ちフェノール、o−クレゾール、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソブチル、プロピレングリコールメチルアセテート、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、2−メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジエトキシエタン、ジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロへキサノン、メチルエチルケトン、アセトン、ブタノール、エタノール、キシレン、トルエン、クロルベンゼン、ターペン、ミネラルスピリット、石油ナフサ系溶媒なども使用できる。なお、溶媒は、複数種を組み合わせて使用することもできる。
ポリイミド前駆体(A1)の対数粘度は、特に限定されないが、30℃での濃度0.5g/dLのN,N−ジメチルアセトアミド溶液における対数粘度が0.2dL/g以上、より好ましくは0.3dL/g以上、特に好ましくは0.4dL/g以上であることが好ましい。対数粘度が0.2dL/g以上では、ポリイミド前駆体の分子量が高く、得られるポリイミドの機械強度や耐熱性に優れる。
<ポリイミド(A2)>
ポリイミド(A2)は、特に限定されるわけではないが、ポリイミド前駆体(A1)から得られ、例えば、前記化学式(7)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含むものである。
化学式(7)は化学式(1)に対応するもので、XはXに対応し、YはYに対応する。化学式(7)中のX、Yとしては、化学式(1)中のX、Yと同様のものが挙げられ、好ましいものも同様である。
特に限定されるわけではないが、耐熱性に優れるため、ポリイミド(A2)の化学式(7)中のXが芳香族環を有する4価の基であり、Yが芳香族環を有する2価の基であることが好ましい。また、耐熱性に優れると同時に透明性に優れるため、Xが脂環構造を有する4価の基であり、Yが芳香族環を有する2価の基であることが好ましい。また、耐熱性に優れると同時に寸法安定性に優れるため、Xが芳香族環を有する4価の基であり、Yが脂環構造を有する2価の基であることが好ましい。
厚み方向及び面内方向の位相差が小さく、且つ、透明性、機械的特性、または耐熱性等の特性にも優れるポリイミド組成物を得るためには、ポリイミド(A2)は、好ましくはフッ素原子を含有する、芳香族テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミンとから得られるポリイミド、または、脂環式テトラカルボン酸成分と芳香族ジアミンとから得られるポリイミド、または、芳香族テトラカルボン酸成分と脂環式ジアミンとから得られるポリイミドであることが好ましい。なお、テトラカルボン酸成分には、テトラカルボン酸と、テトラカルボン酸二無水物、テトラカルボン酸シリルエステル、テトラカルボン酸エステル、テトラカルボン酸クロライド等のテトラカルボン酸誘導体が含まれる。
ポリイミド組成物の特性、例えば、透明性、機械的特性、または耐熱性等の点から、Xが脂環構造を有する4価の基であり、Yが脂環構造を有する2価の基である化学式(7)で表される繰り返し単位の含有量は、全繰り返し単位に対して、好ましくは50モル%以下、より好ましくは30モル%以下または30モル%未満、より好ましくは10モル%以下であることが好ましい。
ある実施態様においては、ポリイミド(A2)は、Xが芳香族環を有する4価の基であり、Yが芳香族環を有する2価の基である前記化学式(7)の繰り返し単位の1種以上の含有量が、合計で、全繰り返し単位に対して、好ましくは50モル%以上、より好ましくは70モル%以上、より好ましくは80モル%以上、さらに好ましくは90モル%以上、特に好ましくは100モル%であることが好ましい。この実施態様において、特に高透明性が求められる場合は、ポリイミド(A2)はフッ素原子を含有することが好ましい。すなわち、ポリイミド(A2)は、Xがフッ素原子を含有する芳香族環を有する4価の基である前記化学式(7)の繰り返し単位および/またはYがフッ素原子を含有する芳香族環を有する2価の基である前記化学式(7)の繰り返し単位の1種以上を含むことが好ましい。
ある実施態様においては、ポリイミド(A2)は、Xが脂環構造を有する4価の基であり、Yが芳香族環を有する2価の基である前記化学式(7)の繰り返し単位の1種以上の含有量が、合計で、全繰り返し単位に対して、好ましくは50モル%以上、より好ましくは70モル%以上、より好ましくは80モル%以上、さらに好ましくは90モル%以上、特に好ましくは100モル%であることが好ましい。
ある実施態様においては、ポリイミド(A2)は、Xが芳香族環を有する4価の基であり、Yが脂環構造を有する2価の基である前記化学式(7)の繰り返し単位の1種以上の含有量が、合計で、全繰り返し単位に対して、好ましくは50モル%以上、より好ましくは70モル%以上、より好ましくは80モル%以上、さらに好ましくは90モル%以上、特に好ましくは100モル%であることが好ましい。
前記化学式(7)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含むポリイミド(A2)は、前記化学式(7)で表される繰り返し単位以外の、他の繰り返し単位1種以上を含むことができる。
前記化学式(7)で表される繰り返し単位以外の、他の繰り返し単位の含有量は、全繰り返し単位に対して、好ましくは30モル%以下または30モル%未満、より好ましくは20モル%以下、さらに好ましくは10モル%以下であることが好ましい。
本発明のポリイミド(A2)は、本発明のポリイミド前駆体(A1)をイミド化する(すなわち、ポリイミド前駆体(A1)を脱水閉環反応する)ことで製造することができる。イミド化の方法は特に限定されず、公知の熱イミド化、または化学イミド化の方法を好適に適用することができる。ポリイミド(A2)の製造方法については、本発明のポリイミド組成物の製造方法として後述する。
<光学異方性を有する微粒子(B)>
光学異方性を有する微粒子(B)は、光学異方性を有するものであれば特に限定されず使用することができる。
光学異方性を有する微粒子(B)は、例えば、炭酸塩であることが好ましい。より具体的には、光学異方性を有する微粒子(B)は、炭酸ストロンチウム、炭酸カルシウム、炭酸マグネシウム、炭酸コバルト、炭酸マンガンよりなる群から選択される1種以上の微粒子であることが好ましく、炭酸ストロンチウムであることがより好ましい。
炭酸塩の形態(結晶構造)としては、アラゴナイト、カルサイト、バテライト、及びアモルファスなどが挙げられる。
本発明においては、光学異方性を有する微粒子(B)は、針状または棒状などの異方性の形状を有することが好ましく、微細な針状または棒状の炭酸塩であることがより好ましく、微細な針状または棒状の炭酸ストロンチウムであることが特に好ましい。
光学異方性を有する微粒子(B)は、平均アスペクト比が1.5以上であることが好ましく、2以上であることがより好ましく、2.2以上であることが特に好ましい。平均アスペクト比の上限は、特に限定されないが、一般に5程度である。なお、アスペクト比は、微粒子(B)の長さと直径との比(長さ/径)で示される。
光学異方性を有する微粒子(B)は、得られるポリイミド組成物の透明性等の点から、長径の平均長さが100nm以下であることが好ましく、70nm以下であることがより好ましく、30〜40nmであることが特に好ましい。
本発明において、光学異方性を有する微粒子(B)は、長径の長さが200nm以上の針状粒子の含有率が個数基準で5%以下であることが好ましく、3%以下であることがより好ましく、1%以下であることがより好ましく、0%であることが特に好ましい。
炭酸ストロンチウム微粒子等の光学異方性を有する微粒子(B)は、表面処理剤で表面処理されているものであってもよい。
本発明においては、例えば、特開2014−80360号公報に記載の表面処理剤で表面処理されている光学異方性を有する微粒子(B)、すなわち、粒子の表面が、側鎖にポリオキシアルキレン基を有するポリカルボン酸もしくはその無水物と、ポリオキシアルキレン基及び炭化水素基を有するアミンとで処理されている光学異方性を有する微粒子(B)を好適に使用することができる。なお、特定の形状の針状炭酸ストロンチウム粒子に限らず、任意の光学異方性を有する微粒子(B)を特開2014−80360号公報に記載の方法により表面処理して、特開2014−80360号公報に記載の表面処理剤で表面処理されている光学異方性を有する微粒子(B)を得ることができる。ただし、特開2014−80360号公報に記載の特定の形状の針状炭酸ストロンチウム粒子を表面処理したものが特に好ましい。
ある実施態様においては、光学異方性を有する微粒子(B)の表面処理剤は、官能基としてカルボン酸を有することが好ましく、ポリアミック酸であることが特に好ましい。以下、本発明のポリアミック酸で表面処理されている光学異方性を有する微粒子粉末について詳細に説明する。
<ポリアミック酸で表面処理された光学異方性を有する微粒子粉末>
本発明のある実施態様においては、用いる炭酸ストロンチウム微粒子等の光学異方性を有する微粒子(B)は、下記化学式(8)で表される繰り返し単位を含むポリアミック酸(A3)で表面処理されている光学異方性を有する微粒子粉末であることが好ましい。
Figure 2016199926

(式中、Xは芳香族環または脂環構造を有する4価の基であり、Yは芳香族環または脂環構造を有する2価の基である。ただし、式中のカルボキシル基(−COOH)は、塩基と塩を形成していてもよい。)
ここでの化学式(8)で表される繰り返し単位を含むポリアミック酸(A3)は、特に限定されるわけではないが、ポリアミド酸であるポリイミド前駆体(A1)(化学式(1)中のR及びRが水素である前記化学式(1)で表される繰り返し単位を含むポリイミド前駆体)であることが好ましい。化学式(8)は化学式(1)に対応するもので、XはXに対応し、YはYに対応する。化学式(8)中のX、Yとしては、化学式(1)中のX、Yと同様のものが挙げられ、好ましいものも同様である。
化学式(8)のカルボキシル基と塩を形成する塩基としては、例えば、アミン類、アルカリ金属水酸化物、アルカリ土類金属水酸化物等が挙げられる。その後の熱処理等で揮発することから、アミン類が好ましく、3級アミンがより好ましく、環構造を有する3級アミンが特に好ましい。さらに、イミド化の触媒として効果があることから、ピリジン、イミダゾール誘導体が好ましく、イミダゾール誘導体がより好ましい。
前記化学式(3)で表される繰り返し単位を含むポリアミック酸(A3)で表面処理された光学異方性を有する微粒子粉末は、例えば、以下のようにして得ることができる。
まず、ポリイミド前駆体(A1)の製造方法の「1)ポリアミド酸」の製造方法と同様にして、溶媒中でテトラカルボン酸成分としてのテトラカルボン酸二無水物とジアミン成分とを略等モル、好ましくはテトラカルボン酸成分に対するジアミン成分のモル比[ジアミン成分のモル数/テトラカルボン酸成分のモル数]が好ましくは0.90〜1.10、より好ましくは0.95〜1.05の割合で、例えば120℃以下の比較的低温度でイミド化を抑制しながら反応することによって、ポリアミック酸(ポリアミド酸)(A3)の溶液を得る。テトラカルボン酸成分とジアミン成分との合計量は、溶媒とテトラカルボン酸成分とジアミン成分との合計量に対して、5質量%以上、好ましくは10質量%以上、より好ましくは15質量%以上の割合であることが好適である。なお、通常は、テトラカルボン酸成分とジアミン成分との合計量は、溶媒とテトラカルボン酸成分とジアミン成分との合計量に対して、60質量%以下、好ましくは50質量%以下であることが好適である。
ここでポリアミック酸(A3)の溶液を調製する際に使用する溶媒としては、ポリアミック酸(A3)が溶解すれば特に限定されず、どんな種類の溶媒であっても問題なく使用できる。ここで使用する溶媒としては、例えば、前記のポリイミド前駆体(A1)を調製する際に使用する溶媒(C)と同じものが挙げられるが、後記の理由から、溶剤として水を用いることが好ましい。
次に、光学異方性を有する微粒子(B)、またはその分散液(スラリー)と、得られたポリアミック酸(A3)の溶液とを、例えば、0〜120℃で、0.1〜72時間混合して、ポリアミック酸で表面処理された光学異方性を有する微粒子(B)が分散した分散液(スラリー)を得る。特に限定されないが、光学異方性を有する微粒子(B)の分散性に優れるため、ポリアミック酸(A3)の添加量は、光学異方性を有する微粒子(B)100重量部に対して、0.5重量部以上、好ましくは1重量部以上、より好ましくは3重量部以上、特に好ましくは5重量部以上が好ましい。一方、分散時ポリアミック酸の加水分解等が最小限となるため、ポリアミック酸(A3)の添加量は、光学異方性を有する微粒子(B)100重量部に対して、50重量部以下、好ましくは30重量部以下、より好ましくは25重量部以下、特に好ましくは15重量部以下が好ましい。光学異方性を有する微粒子(B)へ、ポリアミック酸(A3)の溶液を加え、分散させる方法は、特に限定されず、公知の分散方法いずれも好適に適用することができる。
光学異方性を有する微粒子(B)の分散液を用いる場合、その分散液の溶媒としては、ポリアミック酸(A3)が溶解すれば特に限定されず、どんな種類の溶媒であっても問題なく使用できる。分散液の溶媒としては、例えば、前記のポリイミド前駆体(A1)を調製する際に使用する溶媒と同じもの(ポリアミック酸の溶液の溶媒と同じもの)が挙げられるが、溶剤として水を用いることが好ましい。なお、光学異方性を有する微粒子(B)の分散液の溶媒は、ポリアミック酸(A3)の溶液の溶媒と同じであっても、異なっていてもよい。
ここで使用する溶媒、すなわちポリアミック酸(A3)の溶液の溶媒と光学異方性を有する微粒子(B)の分散液の溶媒の双方の溶媒は水であれば、ポリアミック酸(A3)で表面処理された光学異方性を有する微粒子(B)は製造上で水のスラリーとして得られるため、溶媒置換等の操作が簡略化できることから、好ましい。
ここで、光学異方性を有する微粒子(B)を溶媒、またはポリアミック酸(A3)の溶液中で効率よく分散するために通常の一般的な分散剤を併用してもよいが、通常、得られるポリイミド組成物の透明性等の点から、分散剤として、ポリアミック酸(A3)のみを使用することが好ましい。
このようにしてポリアミック酸(A3)の溶液に光学異方性を有する微粒子(B)を混合・分散させて表面処理を行った後、公知の方法で乾燥することにより、例えば、分散液(スラリー)を空気、窒素または真空中で、50〜120℃、0.1〜12時間、加熱して乾燥することにより、ポリアミック酸(A3)で表面処理されている光学異方性を有する微粒子粉末を得ることができる。
また、本発明においては、ポリアミック酸(A3)の溶液に光学異方性を有する微粒子(B)を分散させた分散液(スラリー)、すなわち、前記化学式(8)で表される繰り返し単位を含むポリアミック酸(A3)と光学異方性を有する微粒子(B)と溶媒とを含む本発明の微粒子分散液を、乾燥させることなく、そのまま、ポリイミド前駆体組成物またはポリイミド組成物の製造に使用することもできる。
<ポリアミック酸と、光学異方性を有する微粒子と、溶媒とを含む微粒子分散液>
本発明のある実施態様においては、用いる光学異方性を有する微粒子(B)の分散液は、前記化学式(8)で表される繰り返し単位を含むポリアミック酸(A3)と、光学異方性を有する微粒子(B)と、溶媒とを含む微粒子分散液であることが好ましい。
ポリアミック酸(A3)としては、光学異方性を有する微粒子(B)の表面処理剤として挙げた前記化学式(8)で表される繰り返し単位を含むポリアミック酸(A3)が好ましい。
この本発明の微粒子分散液は、前記のポリアミック酸(A3)で表面処理されている光学異方性を有する微粒子粉末(B)の製造方法と同様にして、ポリアミック酸(A3)の溶液を調製し、光学異方性を有する微粒子(B)またはその分散液(スラリー)と、得られたポリアミック酸(A3)の溶液とを混合することで得ることができる。
また、単離した前記のポリアミック酸(A3)で表面処理された光学異方性を有する微粒子粉末(B)を溶媒に分散させた分散液も、分散剤としてポリアミック酸(A3)を含む光学異方性を有する微粒子(B)の本発明の微粒子分散液となる。光学異方性を有する微粒子(B)を溶媒に分散させる方法は、特に限定されず、公知の分散方法いずれも好適に適用することができる。
この本発明の微粒子分散液のポリアミック酸の含有量は、特に限定されないが、光学異方性を有する微粒子(B)100重量部に対して、0.5〜50重量部、より好ましくは1〜30重量部、更に好ましくは3〜25重量部、特に好ましくは5〜15重量部であることが好適である。
次に、前記のポリイミド前駆体(A1)と前記の光学異方性を有する微粒子(B)とを含む本発明のポリイミド前駆体組成物、及び、前記のポリイミド(A2)と前記の光学異方性を有する微粒子(B)とを含む本発明のポリイミド組成物について詳細に説明する。
<ポリイミド前駆体組成物、及びポリイミド組成物>
本発明のポリイミド前駆体組成物は、少なくとも1種のポリイミド前駆体(A1)と、少なくとも1種の光学異方性を有する微粒子(B)とを含むものである。本発明のポリイミド組成物は、少なくとも1種のポリイミド(A2)と、少なくとも1種の光学異方性を有する微粒子(B)とを含むものである。ポリイミドに光学異方性を有する微粒子(B)を加えることにより、ポリイミド本来の特性を保ちつつ、厚み方向及び面内方向の位相差を低下させることができる。
本発明のポリイミド前駆体組成物、及び本発明のポリイミド組成物の光学異方性を有する微粒子(B)の含有量は、特に限定されないが、ポリイミド前駆体(A1)またはポリイミド(A2)のポリマー固形分 100重量部に対して、好ましくは1重量部以上、より好ましくは5重量部以上、更に好ましくは10重量部以上、特に好ましくは20重量部以上である。この範囲であれば、得られるポリイミド組成物の厚み方向及び面内方向の位相差(レタデーション)が十分に低下する。一方、本発明のポリイミド前駆体組成物、及び本発明のポリイミド組成物の光学異方性を有する微粒子(B)の含有量は、特に限定されないが、ポリイミド前駆体(A1)またはポリイミド(A2)のポリマー固形分 100重量部に対して、好ましくは60重量部以下、より好ましくは40重量部以下、更に好ましくは20重量部以下である。この範囲であれば、得られるポリイミド組成物が耐熱性や透明性等の特性に優れる。
なお、本発明のポリイミド前駆体組成物、及び本発明のポリイミド組成物の光学異方性を有する微粒子(B)の含有量は、公知の組成分析方法より求めることができる。また、製造過程の光学異方性を有する微粒子(B)の添加量から、その含有量を求めることもできる。
本発明のポリイミド前駆体組成物は、通常、ポリイミド前駆体(A1)と、光学異方性を有する微粒子(B)と、溶媒(C)とを含む。また、ある実施態様においては、本発明のポリイミド組成物は、ポリイミド(A2)と、光学異方性を有する微粒子(B)と、溶媒(C)とを含む。この実施態様においては、ポリイミド(A2)が溶媒(C)に可溶であることが好ましい。ポリイミド前駆体(A1)またはポリイミド(A2)と、光学異方性を有する微粒子(B)と、溶媒(C)とを含むポリイミド前駆体組成物、またはポリイミド組成物を、本発明のワニスとも言う。
ポリイミド前駆体を含む本発明のワニス(本発明のポリイミド前駆体組成物)に用いる溶媒(C)としては、ポリイミド前駆体が溶解すれば問題はなく、特にその構造は限定されない。一方、ポリイミドを含む本発明のワニス(ポリイミドのワニス)に用いる溶媒(C)としては、ポリイミドが溶解すれば問題はなく、特にその構造は限定されない。溶媒として、水や、N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロリドン等のアミド溶媒、γ−ブチロラクトン、γ−バレロラクトン、δ−バレロラクトン、γ−カプロラクトン、ε−カプロラクトン、α−メチル−γ−ブチロラクトン等の環状エステル溶媒、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネート等のカーボネート溶媒、トリエチレングリコール等のグリコール系溶媒、m−クレゾール、p−クレゾール、3−クロロフェノール、4−クロロフェノール等のフェノール系溶媒、アセトフェノン、1,3−ジメチル−2−イミダゾリジノン、スルホラン、ジメチルスルホキシドなどが好ましく採用される。さらに、その他の一般的な有機溶剤、即ちフェノール、o−クレゾール、酢酸ブチル、酢酸エチル、酢酸イソブチル、プロピレングリコールメチルアセテート、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、2−メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、テトラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジエトキシエタン、ジブチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、メチルイソブチルケトン、ジイソブチルケトン、シクロペンタノン、シクロへキサノン、メチルエチルケトン、アセトン、ブタノール、エタノール、キシレン、トルエン、クロルベンゼン、ターペン、ミネラルスピリット、石油ナフサ系溶媒なども使用できる。また、これらを複数種組み合わせて使用することもできる。なお、本発明のワニスの溶媒は、ポリイミド前駆体(A1)またはポリイミド(A2)を調製する際に使用した溶媒、及び光学異方性を有する微粒子(B)の分散液の溶媒(分散媒)をそのまま使用することができる。
本発明のワニスにおいて、テトラカルボン酸成分とジアミン成分との合計量は、溶媒とテトラカルボン酸成分とジアミン成分との合計量に対して、5質量%以上、好ましくは10質量%以上、より好ましくは15質量%以上の割合であることが好適である。なお、通常は、テトラカルボン酸成分とジアミン成分との合計量は、溶媒とテトラカルボン酸成分とジアミン成分との合計量に対して、60質量%以下、好ましくは50質量%以下であることが好適である。この濃度(テトラカルボン酸成分とジアミン成分との合計量)は、ポリイミド前駆体またはポリイミドに起因する固形分濃度にほぼ近似される濃度であるが、この濃度が低すぎると、例えばポリイミドフィルムを製造する際に得られるポリイミドフィルムの膜厚の制御が難しくなることがある。
本発明のポリイミド前駆体のワニスにおいて、ポリイミド前駆体の対数粘度は、特に限定されないが、30℃での濃度0.5g/dLのN,N−ジメチルアセトアミド溶液における対数粘度が0.2dL/g以上、より好ましくは0.3dL/g以上、特に好ましくは0.4dL/g以上であることが好ましい。対数粘度が0.2dL/g以上では、ポリイミド前駆体の分子量が高く、得られるポリイミドの機械強度や耐熱性に優れる。
本発明のポリイミドのワニスにおいて、ポリイミドの対数粘度は、特に限定されないが、30℃での濃度0.5g/dLのN,N−ジメチルアセトアミド溶液における対数粘度が0.2dL/g以上、より好ましくは0.4dL/g以上、特に好ましくは0.5dL/g以上であることが好ましい。対数粘度が0.2dL/g以上では、得られるポリイミドの機械強度や耐熱性に優れる。
本発明のワニスの粘度(回転粘度)は、特に限定されないが、E型回転粘度計を用い、温度25℃、せん断速度20sec−1で測定した回転粘度が、0.01〜1000Pa・secが好ましく、0.1〜100Pa・secがより好ましい。また、必要に応じて、チキソ性を付与することもできる。上記範囲の粘度では、コーティングや製膜を行う際、ハンドリングしやすく、また、はじきが抑制され、レベリング性に優れるため、良好な被膜が得られる。
本発明のポリイミド前駆体を含むワニスは、必要に応じて、化学イミド化剤(無水酢酸などの酸無水物や、ピリジン、イソキノリンなどのアミン化合物)、酸化防止剤、フィラー(シリカ等の無機粒子など)、染料、顔料、シランカップリング剤などのカップリング剤、プライマー、難燃材、消泡剤、レベリング剤、レオロジーコントロール剤(流動補助剤)、剥離剤などを含有することができる。
本発明のポリイミドを含むワニスは、必要に応じて、酸化防止剤、フィラー(シリカ等の無機粒子など)、染料、顔料、シランカップリング剤などのカップリング剤、プライマー、難燃材、消泡剤、レベリング剤、レオロジーコントロール剤(流動補助剤)、剥離剤などを含有することができる。
本発明のワニスである本発明のポリイミド前駆体組成物は、前記のポリイミド前駆体(A1)の製造方法により得られたポリイミド前駆体溶液または溶液組成物に、光学異方性を有する微粒子(B)または光学異方性を有する微粒子(B)の分散液を加えて混合することで調製することができる。特に限定されるわけではないが、光学異方性を有する微粒子(B)の分散性に優れるため、溶媒にテトラカルボン酸成分(テトラカルボン酸二無水物等)とジアミン成分を加え、さらに光学異方性を有する微粒子(B)または光学異方性を有する微粒子(B)の分散液を加えて混合し、溶媒中に光学異方性を有する微粒子(B)を分散させ、光学異方性を有する微粒子(B)の存在下で、テトラカルボン酸成分とジアミン成分とを反応させて、本発明のポリイミド前駆体組成物を調製することも好ましい。さらに、用いる光学異方性を有する微粒子(B)は、例えば、前記化学式(8)で表される繰り返し単位を含むポリアミック酸等の表面処理剤で表面処理されたものが好ましい。また、必要に応じて、溶媒を除去または加えてもよく、光学異方性を有する微粒子(B)以外の所望の成分を添加してもよい。
ポリイミドを含む本発明のワニス(ポリイミド(A2)と光学異方性を有する微粒子(B)と溶媒とを含む組成物)は、本発明のポリイミド前駆体組成物から、ワニス中のポリイミド前駆体をイミド化する(すなわち、ポリイミド前駆体を脱水閉環反応する)ことで調製することができる。イミド化の方法は特に限定されず、公知の熱イミド化、または化学イミド化の方法を好適に適用することができる。また、溶媒中でテトラカルボン酸成分(テトラカルボン酸二無水物等)とジアミン成分とを反応させてポリイミド溶液または溶液組成物を得た後、これに光学異方性を有する微粒子(B)または光学異方性を有する微粒子(B)の分散液を加えて混合して、本発明のポリイミドを含むワニスを調製することもできる。この場合も、光学異方性を有する微粒子(B)は、例えば、前記化学式(8)で表される繰り返し単位を含むポリアミック酸等の表面処理剤で表面処理されたものであってもよい。また、必要に応じて、溶媒を除去または加えてもよく、光学異方性を有する微粒子(B)以外の所望の成分を添加してもよい。
本発明のポリイミド(A2)を含むワニスの製造方法において、限定するものではないが、例えば、熱イミド化の場合、前記の方法で得られたポリイミド前駆体(A1)の溶液または溶液組成物を80〜230℃、好ましくは120〜200℃の範囲で1〜24時間攪拌することで、ポリイミド(A2)を含む溶液または溶液組成物が得られる。イミド化に伴い生成される水などの副生物を除去するために、バブリングを行ったり、トルエンなどの共沸溶媒を添加してイミド化を行ってもよい。また、得られたポリイミド溶液を水やメタノールなどの貧溶媒に滴下し、再沈殿、乾燥させ、再び溶解可能な溶媒に溶解させることでもポリイミド溶液が得られ、このポリイミド溶液を用いて本発明のポリイミドを含むワニスを調製することもできる。
本発明のワニスである本発明のポリイミド前駆体組成物、または、ポリイミドを含む本発明のワニスの製造に使用する光学異方性を有する微粒子(B)の分散液の溶媒(分散媒)としては、ポリイミド前駆体またはポリイミドが溶解すれば特に限定されず、どんな種類の溶媒であっても問題なく使用できる。光学異方性を有する微粒子(B)の分散液の溶媒としては、例えば、前記のポリイミド前駆体(A1)を調製する際に使用する溶媒と同じものが挙げられる。なお、光学異方性を有する微粒子(B)の分散液の溶媒は、ポリイミド前駆体溶液またはポリイミド溶液の溶媒と同じであっても異なっていてもよい。また、溶媒は、複数種を組み合わせて使用することもできる。
光学異方性を有する微粒子(B)の分散液は、光学異方性を有する微粒子(B)を溶媒中で効率よく分散し、安定的な微粒子分散液とするために1種または複数種の分散剤を含むものであってもよい。
前述のように、分散剤としては、特に限定されないが、官能基としてカルボン酸を有するものが好ましく、ポリアミック酸であることが特に好ましい。ポリアミック酸としては、光学異方性を有する微粒子(B)の表面処理剤として挙げた前記化学式(8)で表される繰り返し単位を含むポリアミック酸が好ましい。すなわち、前記化学式(8)で表される繰り返し単位を含むポリアミック酸(A3)と、光学異方性を有する微粒子(B)と、溶媒とを含む微粒子分散液(本発明の微粒子分散液)を、光学異方性を有する微粒子(B)の分散液として好適に用いることができる。
光学異方性を有する微粒子(B)の分散液が分散剤としてポリアミック酸を含む場合、ポリアミック酸の含有量は、特に限定されないが、光学異方性を有する微粒子(B)100重量部に対して、0.5〜50重量部、より好ましくは1〜30重量部、更に好ましくは3〜25重量部であることが好適である。なお、この分散剤としてのポリアミック酸もポリイミドに転化するため、前記のポリイミド組成物の光学異方性を有する微粒子(B)の含有量は、分散剤としてのポリアミック酸から転化したポリイミドもポリイミド(A2)として含めて算出される。
また、前述のように、特開2014−80360号公報に記載の針状炭酸ストロンチウム微粉末の表面処理剤、すなわち、側鎖にポリオキシアルキレン基を有するポリカルボン酸もしくはその無水物と、ポリオキシアルキレン基及び炭化水素基を有するアミンも、光学異方性を有する微粒子(B)の分散液の分散剤として好適に用いることができる。なお、本発明においても、ポリカルボン酸もしくはその無水物の添加量、及びアミンの添加量は、特開2014−80360号公報に記載の量が好ましい。
その他の一般的な分散剤を用いることもできるが、本発明のある実施態様においては、得られるポリイミド組成物の透明性等の点から、一般的に使用されている分散剤は使用しないことが好ましい。なお、ポリアミック酸等以外の一般的に使用されている分散剤の添加量は、特に限定されないが、通常、光学異方性を有する微粒子(B)100重量部に対して、10重量部以下であることが好ましい。
光学異方性を有する微粒子(B)を溶媒に分散させる方法は、特に限定されず、公知の分散方法いずれも好適に適用することができる。分散には、例えば、ボールミル、ジェットミル、ビーズミル、インペラー分散機、薄膜旋回ミキサー等を用いることが好ましい。また、ポリイミド前駆体溶液またはポリイミド溶液と光学異方性を有する微粒子(B)の分散液を混合する方法も、特に限定されず、公知の混合方法いずれも好適に適用することができる。
本発明のポリイミド組成物は、ポリイミド(A2)と光学異方性を有する微粒子(B)とを含むものであり、ポリイミド前駆体(A1)と光学異方性を有する微粒子(B)とを含む本発明のポリイミド前駆体組成物から得ることができる。より具体的には、本発明のポリイミド前駆体組成物を加熱等して、ポリイミド前駆体をイミド化する(すなわち、ポリイミド前駆体を脱水閉環反応する)ことで本発明のポリイミド組成物を得ることができる。イミド化の方法は特に限定されず、公知の熱イミド化、または化学イミド化の方法を好適に適用することができる。
例えば、本発明のポリイミド前駆体組成物(ポリイミド前駆体のワニス)を基材上に流延し、この基材上のポリイミド前駆体組成物を、例えば100〜500℃、好ましくは200〜500℃、より好ましくは250〜450℃程度の温度で加熱処理して、溶媒を除去、ポリイミド前駆体をイミド化することにより、ポリイミドフィルム等のポリイミド組成物を好適に製造することができる。なお、加熱プロファイルは特に限定されず、適宜選択することができる。
また、本発明のポリイミド前駆体組成物(ポリイミド前駆体のワニス)を基材上に流延し、好ましくは180℃以下の温度範囲で乾燥して、基材上にポリイミド前駆体組成物の膜を形成し、得られたポリイミド前駆体組成物の膜を基材上から剥離して、その膜の端部を固定した状態で、あるいは膜の端部を固定せずに、例えば100〜500℃、好ましくは200〜500℃、より好ましくは250〜450℃程度の温度で加熱処理して、ポリイミド前駆体をイミド化することによっても、ポリイミドフィルム等のポリイミド組成物を好適に製造することができる。
また、ポリイミドフィルム等の本発明のポリイミド組成物(溶媒を含まないポリイミド組成物)は、ポリイミドを含む本発明のワニス(ポリイミド(A2)と光学異方性を有する微粒子(B)と溶媒とを含む組成物)を加熱等して、溶媒を除去することでも得ることができる。
例えば、ポリイミドを含む本発明のワニスを基材上に流延し、例えば80〜500℃、好ましくは100〜500℃、より好ましくは150〜450℃程度の温度で加熱処理して、溶媒を除去することにより、ポリイミドフィルム等のポリイミド組成物を好適に製造することができる。なお、この場合も、加熱プロファイルは特に限定されず、適宜選択することができる。
より具体的な本発明のポリイミド組成物(ポリイミドフィルム/基材積層体、もしくはポリイミドフィルム)の製造方法の一例については、後述する。
本発明においては、前述のように、ポリイミド組成物のフィルムを熱延伸する、あるいは、ポリイミド組成物を溶融して射出成形や押出成形すること等により炭酸ストロンチウム等の光学異方性を有する針状または棒状の微粒子を一方向に配向させなくても、すなわち、特別な微粒子の配向処理なしで、上記の製造方法のように、ワニス(ポリイミド前駆体溶液組成物、ポリイミド溶液組成物)に光学異方性を有する微粒子を添加することで、容易に、面内方向の位相差のみならず、厚み方向の位相差も低下させることができる。
本発明のポリイミド組成物(光学異方性を有する微粒子含有ポリイミド)の形態は、フィルム、ポリイミドフィルムと他の基材との積層体、コーティング膜、粉末、ビーズ、成型体、発泡体などを好適に挙げることができる。
本発明のポリイミド前駆体組成物から得られるポリイミド組成物、及び本発明のポリイミド組成物は、特に限定されないが、厚さ5μm〜250μmのフィルム、好ましくは厚さ10μmのフィルムにしたときの100℃から250℃までの線熱膨張係数が、好ましくは60ppm/K以下、より好ましくは50ppm/K以下であることができる。線熱膨張係数が大きいと、金属などの導体との線熱膨張係数の差が大きく、回路基板を形成する際に反りが増大するなどの不具合が生じることがある。
本発明のポリイミド前駆体組成物から得られるポリイミド組成物、及び本発明のポリイミド組成物は、特に限定されないが、厚さ5μm〜250μmのフィルム、好ましくは厚さ10μmのフィルムでの全光透過率(波長380nm〜780nmの平均光透過率)が、好ましくは68%以上、より好ましくは70%以上、より好ましくは75%以上、特に好ましくは80%以上であることができる。ディスプレイ用途等で使用する場合、全光透過率が低いと光源を強くする必要があり、エネルギーがかかるといった問題等を生じることがある。
本発明のポリイミド前駆体組成物から得られるポリイミド組成物、及び本発明のポリイミド組成物は、特に限定されないが、ポリイミドフィルムの耐熱性の指標である5%重量減少温度が、好ましくは400℃以上、より好ましくは430℃以上、さらに好ましくは450℃以上であることができる。ポリイミド上にトランジスタを形成する等で、ポリイミド上にガスバリア膜等を形成する場合、耐熱性が低いと、ポリイミドとバリア膜との間で、ポリイミドの分解に伴うアウトガスにより膨れが生じることがある。
本発明のポリイミド前駆体組成物から得られるポリイミド組成物、及び本発明のポリイミド組成物は、特に限定されないが、厚さ5μm〜250μmのフィルム、好ましくは厚さ10μmのフィルムでのポリイミドフィルムの厚み方向位相差が、好ましくは1000nm以下、より好ましくは800nm以下、さらに好ましくは700nm以下、特に好ましくは680nm以下であることができる。光学フィルムの中でも特に高性能が求められる用途では、ポリイミドフィルムの厚み方向位相差が、好ましくは75nm以下であることが好ましい場合がある。厚み方向の位相差が大きいと、透過光の色が正しく表示されない、色のにじみや視野角が狭くなるといった問題が起こることがある。ポリイミドフィルムの面内方向位相差は、好ましくは100nm以下、より好ましくは50nm以下、さらに好ましくは10nm以下、さらに好ましくは5nm以下であることができる。光学フィルムの中でも特に高性能が求められる用途では、ポリイミドフィルムの面内方向位相差が、好ましくは4nm以下、より好ましくは3nm以下であることが好ましい場合がある。
なお、本発明のポリイミド前駆体組成物から得られるポリイミド組成物、または本発明のポリイミド組成物からなるフィルムは、用途にもよるが、フィルムの厚みとしては、好ましくは0.1μm〜250μm、より好ましくは1μm〜150μm、さらに好ましくは1μm〜50μm、特に好ましくは1μm〜30μmである。ポリイミドフィルムを光が透過する用途に使用する場合、ポリイミドフィルムが厚すぎると光透過率が低くなる恐れがある。
本発明のポリイミド前駆体組成物から得られるポリイミド組成物、及び本発明のポリイミド組成物は、例えば、ディスプレイ用透明基板、タッチパネル用透明基板、或いは太陽電池用基板の用途において、また、その他の光学デバイスや半導体装置用の基板の用途において、好適に用いることができる。
以下では、本発明のポリイミド前駆体組成物(ポリイミド前駆体のワニス)を用いた、ポリイミドフィルム/基材積層体、もしくはポリイミドフィルムの製造方法の一例について述べる。ただし、以下の方法に限定されるものではない。
例えばセラミック(ガラス、シリコン、アルミナなど)、金属(銅、アルミニウム、ステンレスなど)、耐熱プラスチックフィルム(ポリイミドフィルムなど)等の基材に、本発明のワニス(ポリイミド前駆体組成物)を流延し、真空中、窒素等の不活性ガス中、或いは空気中で、熱風もしくは赤外線を用いて、20〜180℃、好ましくは20〜150℃の温度範囲で乾燥する。次いで、得られたポリイミド前駆体フィルムを基材上で、もしくはポリイミド前駆体フィルムを基材上から剥離し、そのフィルムの端部を固定した状態で、真空中、窒素等の不活性ガス中、或いは空気中で、熱風もしくは赤外線を用い、例えば200〜500℃、より好ましくは250〜450℃程度の温度で加熱イミド化することでポリイミドフィルム/基材積層体、もしくはポリイミドフィルムを製造することができる。なお、得られるポリイミドフィルムが酸化劣化するのを防ぐため、加熱イミド化は、真空中、或いは不活性ガス中で行うことが望ましい。加熱イミド化の温度が高すぎなければ空気中で行なっても差し支えない。ここでのポリイミドフィルム(ポリイミドフィルム/基材積層体の場合は、ポリイミドフィルム層)の厚さは、以後の工程の搬送性のため、好ましくは1〜250μm、より好ましくは1〜150μmである。
また、ポリイミド前駆体のイミド化反応は、前記のような加熱処理による加熱イミド化に代えて、ポリイミド前駆体をピリジンやトリエチルアミン等の3級アミン存在下、無水酢酸等の脱水環化試薬を含有する溶液に浸漬するなどの化学的処理によって行うことも可能である。また、これらの脱水環化試薬をあらかじめ、ワニス(ポリイミド前駆体組成物)中に投入・攪拌し、それを基材上に流延・乾燥することで、部分的にイミド化したポリイミド前駆体を作製することもでき、これを更に前記のような加熱処理することで、ポリイミドフィルム/基材積層体、もしくはポリイミドフィルムを得ることができる。
この様にして得られたポリイミドフィルム/基材積層体、もしくはポリイミドフィルムは、その片面もしくは両面に導電性層を形成することによって、フレキシブルな導電性基板を得ることができる。
フレキシブルな導電性基板は、例えば次の方法によって得ることができる。すなわち、第一の方法としては、ポリイミドフィルム/基材積層体を基材からポリイミドフィルムを剥離せずに、そのポリイミドフィルム表面に、スパッタ、蒸着、印刷などによって、導電性物質(金属もしくは金属酸化物、導電性有機物、導電性炭素など)の導電層を形成させ、導電性層/ポリイミドフィルム/基材の導電性積層体を製造する。その後必要に応じて、基材より導電性層/ポリイミドフィルム積層体を剥離することによって、導電性層/ポリイミドフィルム積層体からなる透明でフレキシブルな導電性基板を得ることができる。
第二の方法としては、ポリイミドフィルム/基材積層体の基材からポリイミドフィルムを剥離して、ポリイミドフィルムを得、そのポリイミドフィルム表面に、導電性物質(金属もしくは金属酸化物、導電性有機物、導電性炭素など)の導電層を、第一の方法と同様にして形成させ、導電性層/ポリイミドフィルム積層体、または導電性層/ポリイミドフィルム/導電性層積層体からなる透明でフレキシブルな導電性基板を得ることができる。
なお、第一、第二の方法において、必要に応じて、ポリイミドフィルムの表面に導電層を形成する前に、スパッタ、蒸着やゲル−ゾル法などによって、水蒸気、酸素などのガスバリヤ層、光調整層などの無機層を形成しても構わない。ここで、ガスバリヤ層は、例えば、ポリイミドフィルムより酸素および/または水蒸気等の透過度が小さい層であれば限定されず、例えば、無機層、有機層、または無機/有機ハイブリット層であり、好ましくは、酸化珪素、酸化アルミニウム、炭化珪素、酸化炭化珪素、炭化窒化珪素、窒化珪素、窒化酸化珪素等の無機酸化物膜である。ガスバリヤ層は、1種類の組成のみで構成されてもよいし、2種類以上の組成を混合させた膜であってもよい。
また、導電層は、フォトリソグラフィ法や各種印刷法、インクジェット法などの方法によって、回路が好適に形成される。
このようにして得られる本発明の基板は、本発明のポリイミド前駆体組成物から得られるポリイミド組成物、または本発明のポリイミド組成物によって構成されたポリイミドフィルムの表面に、必要に応じてガスバリヤ層や無機層を介し、導電層の回路を有するものである。この基板は、フレキシブルであり、例えば、ディスプレイ用、タッチパネル用、または太陽電池用の基板として好適に用いることができる。
すなわち、この基板に、蒸着、各種印刷法、或いはインクジェット法などによって、さらにトランジスタ(ここで半導体に使用される材料としては、例えば、アモルファスシリコン、低温ポリシリコン、ZnO、SnO、IGZO等の酸化物半導体や、有機半導体が挙げられる。)が形成されてフレキシブル薄膜トランジスタが製造され、そして、表示デバイス用の液晶素子、EL素子、光電素子として好適に用いられる。
なお、上記の製造方法において、基材としてガラスを用いた場合、ポリイミドフィルムと、少なくとも1層のガラス層を有するポリイミドフィルム積層体が、製造工程において得られる。また、ガスバリヤ層を形成した場合は、ポリイミドフィルムと、少なくとも1層のガスバリヤ層(例えば、ポリイミドフィルムより酸素透過度が小さい無機層、有機層、または無機/有機ハイブリット層)を有するポリイミドフィルム積層体が、製造工程において得られる。これらの積層体は、本発明のポリイミドフィルム積層体の一形態である。また、薄膜トランジスタ(無機トランジスタ、または有機トランジスタ)を形成した積層体、すなわち、ポリイミドフィルムと、少なくとも1層の薄膜トランジスタを有するポリイミドフィルム積層体、及び、導電層を形成した積層体、すなわち、ポリイミドフィルムと、少なくとも1層の導電層を有するポリイミドフィルム積層体も、本発明のポリイミドフィルム積層体の一形態である。
本発明のポリイミド前駆体組成物から得られるポリイミド組成物、及び本発明のポリイミド組成物は、また、例えば、有機ELディスプレイ、液晶ディスプレイ、電気泳動ディスプレイ、プラズマディスプレイ、プラズマアドレス液晶ディスプレイ、無機ELディスプレイ、電界放出ディスプレイ、又は表面電界ディスプレイ等の表示デバイス、タッチパネル等のセンサーデバイス、太陽電池等の光電変換デバイス、光導波路等の光学デバイスや、その他半導体装置にも好適に用いることができる。
以下、実施例及び比較例によって本発明を更に説明する。尚、本発明は以下の実施例に限定されるものではない。
以下の各例において評価は次の方法で行った。
<ポリイミドフィルムの評価>
[フィルムの面内方向位相差(R)、厚み方向位相差(Rth)]
膜厚10μmのポリイミドフィルムを試験片とし、王子計測器社製 位相差測定装置(KOBRA−WR)を用い、R、Rthを測定した。Rth入射角を40°としてフィルムの位相差測定を行った。得られた位相差より、膜厚10μmのフィルムの厚み方向の位相差を求めた。
[全光線透過率]
紫外可視分光光度計/V−650DS(日本分光製)を用いて、膜厚10μmのポリイミドフィルムの全光透過率(380nm〜780nmにおける平均透過率)における光透過率を測定した。
[引張弾性率、破断点伸度、破断点強度]
ポリイミドフィルムをIEC−540(S)規格のダンベル形状に打ち抜いて試験片(幅:4mm)とし、ORIENTEC社製TENSILONを用いて、チャック間長30mm、引張速度2mm/分で、初期の引張弾性率、破断点伸度、破断点強度を測定した。
[線熱膨張係数(CTE)]
ポリイミドフィルムを幅4mmの短冊状に切り取って試験片とし、TMA/SS6100 (エスアイアイ・ナノテクノロジー株式会社製)を用い、チャック間長15mm、荷重2g、昇温速度20℃/分で500℃まで昇温した。得られたTMA曲線から、100℃から250℃までの線熱膨張係数を求めた。
[5%重量減少温度]
ポリイミドフィルムを試験片とし、TAインスツルメント社製 熱重量測定装置(Q5000IR)を用い、窒素気流中、昇温速度10℃/分で25℃から600℃まで昇温した。得られた重量曲線から、5%重量減少温度を求めた。
以下の各例で使用した原材料の略称、純度等は、次のとおりである。
[ジアミン成分]
BAPB: 4,4’−ビス(4−アミノフェノキシ)ビフェニル〔純度:99.93%(HPLC分析)〕
PPD: p−フェニレンジアミン〔純度:99.9%(GC分析)〕
DABAN: 4,4’−ジアミノベンズアニリド〔純度:99.90%(GC分析)〕
1,4−tra−DACH:トランス−1,4−ジアミノシクロヘキサン〔純度:99.1%(GC分析)〕
4,4’−ODA: 4,4’−オキシジアニリン〔純度:99.9%(GC分析)〕
TFMB: 2,2’−ビス(トリフルオロメチル)ベンジジン〔純度:99.83%(GC分析)〕
m−TD: 2,2’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェニル〔純度:99.85%(GC分析)〕
[テトラカルボン酸成分]
CpODA: ノルボルナン−2−スピロ−α−シクロペンタノン−α’−スピロ−2’’−ノルボルナン−5,5’’,6,6’’−テトラカルボン酸二無水物
s−BPDA: 3,3’,4,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物〔純度99.9%(H−NMR分析)〕
a−BPDA: 2,3,3’,4’−ビフェニルテトラカルボン酸二無水物〔純度99.6%(H−NMR分析)〕
H−PMDA: 1R,2S,4S,5R−シクロヘキサンテトラカルボン酸二無水物〔純度:99.9%(GC分析)〕
6FDA: 4,4’−(2,2−ヘキサフルオロイソプロピレン)ジフタル酸二無水物〔純度:99.77%(H−NMR分析)〕
CBDA: 1,2,3,4−シクロブタンテトラカルボン酸二無水物〔純度:99.9%(GC分析)〕
[溶媒]
NMP: N−メチル−2−ピロリドン
水: 純水
[炭酸ストロンチウム分散液]
炭酸ストロンチウム分散液(1): 炭酸ストロンチウム分散液(1)として、特開2014−80360号公報に記載の炭酸ストロンチウムを用いた分散液(溶媒:NMP)を用意した。分散液(1)は、炭酸ストロンチウムの含有量:10質量%、平均長径36.7nm、平均アスペクト比2.3、長径200nm以上の粒子の含有率 0%であった。
炭酸ストロンチウム分散液(2): 炭酸ストロンチウムを、分散剤を使用せず、公知の分散方法にてNMPに分散した。分散液(2)は、炭酸ストロンチウムの含有量:10質量%、平均長径36.7nm、平均アスペクト比2.3、長径200nm以上の粒子の含有率 0%であった。
炭酸ストロンチウム分散液(3): 炭酸ストロンチウム分散液(3)として、特開2014−80360号公報に記載の炭酸ストロンチウムを用いた分散液(溶媒:水)を用意した。分散液(3)(水スラリー)は、炭酸ストロンチウムの含有量:5.5質量%、平均長径31.7nm、平均アスペクト比2.4、長径200nm以上の粒子の含有率0%であった。
なお、炭酸ストロンチウムの平均長径、平均アスペクト比、長径200nm以上の粒子の含有率(個数基準)は、SEM像より画像解析により求めた。
〔実施例S−1〕
窒素ガスで置換した反応容器中にDABAN 9.09g(0.04モル)とPPD 5.41g(0.05モル)とBAPB 3.68g(0.01モル)を入れ、N−メチル−2−ピロリドンを、仕込みモノマー総質量(ジアミン成分とカルボン酸成分の総和)が 10質量%となる量の509.58gを加え、室温で1時間攪拌した。この溶液にCpODA 38.44g(0.10モル)を徐々に加えた。室温で12時間撹拌し、均一で粘稠なポリイミド前駆体(ポリアミック酸)溶液を得た。得られたポリイミド前駆体溶液 10gと炭酸ストロンチウム分散液(2) 40gをフリッチュ社の遊星型ボールミル(プレミアムラインP−7)を用いて、0.3mmのZrO 50gを用いて、90分間処理し、炭酸ストロンチウム分散液(4)を得た。
〔実施例S−2〕
窒素ガスで置換した反応容器中に1,4−tra−DACH 11.42g(0.100モル)を入れ、水を仕込みモノマー総質量(ジアミン成分とカルボン酸成分の総和)が 15質量%となる量の231.37gを加え、室温で1時間攪拌した。この溶液に1,2−ジメチルイミダゾール 21.15g(0.220モル)を加え、室温で1時間攪拌した。この溶液にs−BPDA 28.67g(0.0975モル)とa−BPDA 0.74g(0.0025モル)を徐々に加えた。室温で12時間撹拌し、均一で粘稠なポリイミド前駆体(ポリアミック酸)溶液を得た。得られたポリイミド前駆体溶液 15gを分散剤として使用し、炭酸ストロンチウム分散液(3) 300gを分散させ、炭酸ストロンチウム分散液(5)(粒子径D50 79nm、D90 130nm、レーザ回折粒度分布測定装置測定)を得た。
表1−1に実施例、比較例で使用したテトラカルボン酸成分、表1−2に実施例、比較例で使用したジアミン成分の構造式を記す。
Figure 2016199926
Figure 2016199926
〔実施例1〕
窒素ガスで置換した反応容器中にDABAN 0.91g(0.004モル)とPPD 0.54g(0.005モル)とBAPB 0.37g(0.001モル)を入れ、N−メチル−2−ピロリドンを、仕込みモノマー総質量(ジアミン成分とカルボン酸成分の総和)が 19質量%となる量の24.13gを加え、室温で1時間攪拌した。この溶液にCpODA 3.84g(0.010モル)を徐々に加えた。室温で12時間撹拌し、均一で粘稠なポリイミド前駆体溶液を得た。得られたポリイミド前駆体溶液に炭酸ストロンチウム分散液(1) 5.66gを加え、室温で1時間攪拌した。
ポリイミド前駆体溶液をガラス基板に塗布し、窒素雰囲気下(酸素濃度200ppm以下)、そのままガラス基板上で室温から410℃まで加熱して熱的にイミド化を行い、無色透明なポリイミドフィルム/ガラス積層体を得た。次いで、得られたポリイミドフィルム/ガラス積層体を水に浸漬した後剥離し、乾燥して、膜厚が約10μmのポリイミドフィルムを得た。
このポリイミドフィルムの特性を測定した結果を表2−1に示す。
〔実施例2〕
窒素ガスで置換した反応容器中に炭酸ストロンチウム分散液(1) 2.83gとN−メチル−2−ピロリドン 25.08gを加え、室温で1時間攪拌した。この溶液にDABAN 0.91g(0.004モル)とPPD 0.54g(0.005モル)とBAPB 0.37g(0.001モル)を入れ、室温で1時間攪拌した。この溶液にCpODA 3.84g(0.010モル)を徐々に加えた。室温で12時間撹拌し、粘稠なポリイミド前駆体溶液を得た。
ポリイミド前駆体溶液をガラス基板に塗布し、窒素雰囲気下(酸素濃度200ppm以下)、そのままガラス基板上で室温から410℃まで加熱して熱的にイミド化を行い、無色透明なポリイミドフィルム/ガラス積層体を得た。次いで、得られたポリイミドフィルム/ガラス積層体を水に浸漬した後剥離し、乾燥して、膜厚が約10μmのポリイミドフィルムを得た。
このポリイミドフィルムの特性を測定した結果を表2−1に示す。
〔実施例3〕
窒素ガスで置換した反応容器中に炭酸ストロンチウム分散液(1) 11.32gとN−メチル−2−ピロリドン 17.44gを加え、室温で1時間攪拌した。この溶液にDABAN 0.91g(0.004モル)とPPD 0.54g(0.005モル)とBAPB 0.37g(0.001モル)を入れ、室温で1時間攪拌した。この溶液にCpODA 3.84g(0.010モル)を徐々に加えた。室温で12時間撹拌し、粘稠なポリイミド前駆体溶液を得た。
ポリイミド前駆体溶液をガラス基板に塗布し、窒素雰囲気下(酸素濃度200ppm以下)、そのままガラス基板上で室温から410℃まで加熱して熱的にイミド化を行い、無色透明なポリイミドフィルム/ガラス積層体を得た。次いで、得られたポリイミドフィルム/ガラス積層体を水に浸漬した後剥離し、乾燥して、膜厚が約10μmのポリイミドフィルムを得た。
このポリイミドフィルムの特性を測定した結果を表2−1に示す。
〔実施例4〕
窒素ガスで置換した反応容器中に炭酸ストロンチウム分散液(1) 28.3gとN−メチル−2−ピロリドン 2.16gを加え、室温で1時間攪拌した。この溶液にDABAN 0.91g(0.004モル)とPPD 0.54g(0.005モル)とBAPB 0.37g(0.001モル)を入れ、室温で1時間攪拌した。この溶液にCpODA 3.84g(0.010モル)を徐々に加えた。室温で12時間撹拌し、粘稠なポリイミド前駆体溶液を得た。
ポリイミド前駆体溶液をガラス基板に塗布し、窒素雰囲気下(酸素濃度200ppm以下)、そのままガラス基板上で室温から410℃まで加熱して熱的にイミド化を行い、無色透明なポリイミドフィルム/ガラス積層体を得た。次いで、得られたポリイミドフィルム/ガラス積層体を水に浸漬した後剥離し、乾燥して、膜厚が約10μmのポリイミドフィルムを得た。
このポリイミドフィルムの特性を測定した結果を表2−1に示す。
〔実施例5〕
窒素ガスで置換した反応容器中に炭酸ストロンチウム分散液(2) 2.83gとN−メチル−2−ピロリドン 25.08gを加え、室温で1時間攪拌した。この溶液にDABAN 0.91g(0.004モル)とPPD 0.54g(0.005モル)とBAPB 0.37g(0.001モル)を入れ、室温で1時間攪拌した。この溶液にCpODA 3.84g(0.010モル)を徐々に加えた。室温で12時間撹拌し、粘稠なポリイミド前駆体溶液を得た。
ポリイミド前駆体溶液をガラス基板に塗布し、窒素雰囲気下(酸素濃度200ppm以下)、そのままガラス基板上で室温から410℃まで加熱して熱的にイミド化を行い、無色透明なポリイミドフィルム/ガラス積層体を得た。次いで、得られたポリイミドフィルム/ガラス積層体を水に浸漬した後剥離し、乾燥して、膜厚が約10μmのポリイミドフィルムを得た。
このポリイミドフィルムの特性を測定した結果を表2−1に示す。
〔実施例6〕
窒素ガスで置換した反応容器中にDABAN 0.91g(0.004モル)とPPD 0.54g(0.005モル)とBAPB 0.37g(0.001モル)を入れ、N−メチル−2−ピロリドンを、仕込みモノマー総質量(ジアミン成分とカルボン酸成分の総和)が 19質量%となる量の24.13gを加え、室温で1時間攪拌した。この溶液にCpODA 3.84g(0.010モル)を徐々に加えた。室温で12時間撹拌し、均一で粘稠なポリイミド前駆体溶液を得た。得られたポリイミド前駆体溶液に炭酸ストロンチウム分散液(4)を 7.08gを加え、室温で1時間攪拌した。
ポリイミド前駆体溶液をガラス基板に塗布し、窒素雰囲気下(酸素濃度200ppm以下)、そのままガラス基板上で室温から410℃まで加熱して熱的にイミド化を行い、無色透明なポリイミドフィルム/ガラス積層体を得た。次いで、得られたポリイミドフィルム/ガラス積層体を水に浸漬した後剥離し、乾燥して、膜厚が約10μmのポリイミドフィルムを得た。
このポリイミドフィルムの特性を測定した結果を表2−1に示す。
〔実施例7〕
窒素ガスで置換した反応容器中に炭酸ストロンチウム分散液(4) 7.08gとN−メチル−2−ピロリドン 24.13gを加え、室温で1時間攪拌した。この溶液にDABAN 0.91g(0.004モル)とPPD 0.54g(0.005モル)とBAPB 0.37g(0.001モル)を入れ、室温で1時間攪拌した。この溶液にCpODA 3.84g(0.010モル)を徐々に加えた。室温で12時間撹拌し、粘稠なポリイミド前駆体溶液を得た。
ポリイミド前駆体溶液をガラス基板に塗布し、窒素雰囲気下(酸素濃度200ppm以下)、そのままガラス基板上で室温から410℃まで加熱して熱的にイミド化を行い、無色透明なポリイミドフィルム/ガラス積層体を得た。次いで、得られたポリイミドフィルム/ガラス積層体を水に浸漬した後剥離し、乾燥して、膜厚が約10μmのポリイミドフィルムを得た。
このポリイミドフィルムの特性を測定した結果を表2−1に示す。
〔比較例1〕
窒素ガスで置換した反応容器中にDABAN 0.91g(0.004モル)とPPD 0.54g(0.005モル)とBAPB 0.37g(0.001モル)を入れ、N−メチル−2−ピロリドンを、仕込みモノマー総質量(ジアミン成分とカルボン酸成分の総和)が 19質量%となる量の24.13gを加え、室温で1時間攪拌した。この溶液にCpODA 3.84g(0.010モル)を徐々に加えた。室温で12時間撹拌し、均一で粘稠なポリイミド前駆体溶液を得た。
ポリイミド前駆体溶液をガラス基板に塗布し、窒素雰囲気下(酸素濃度200ppm以下)、そのままガラス基板上で室温から410℃まで加熱して熱的にイミド化を行い、無色透明なポリイミドフィルム/ガラス積層体を得た。次いで、得られたポリイミドフィルム/ガラス積層体を水に浸漬した後剥離し、乾燥して、膜厚が約10μmのポリイミドフィルムを得た。
このポリイミドフィルムの特性を測定した結果を表2−1に示す。
〔実施例8〕
窒素ガスで置換した反応容器中に炭酸ストロンチウム分散液(5) 5.1gと水 18.54g と1,2−ジメチルイミダゾール 2.11g(0.0220モル)を加え、室温で1時間攪拌した。この溶液に1,4−tra−DACH 1.14g(0.0100モル)を入れ、室温で1時間攪拌した。この溶液にs−BPDA 2.87g(0.00975モル)とa−BPDA 0.07g(0.00025モル)を徐々に加えた。室温で12時間撹拌し、粘稠なポリイミド前駆体溶液を得た。
ポリイミド前駆体溶液をガラス基板に塗布し、窒素雰囲気下(酸素濃度200ppm以下)、そのままガラス基板上で室温から350℃まで加熱して熱的にイミド化を行い、無色透明なポリイミドフィルム/ガラス積層体を得た。次いで、得られたポリイミドフィルム/ガラス積層体を水に浸漬した後剥離し、乾燥して、膜厚が約10μmのポリイミドフィルムを得た。
このポリイミドフィルムの特性を測定した結果を表2−2に示す。
〔比較例2〕
窒素ガスで置換した反応容器中に1,4−tra−DACH 11.42g(0.100モル)を入れ、水を仕込みモノマー総質量(ジアミン成分とカルボン酸成分の総和)が 15質量%となる量の231.37gを加え、室温で1時間攪拌した。この溶液に1,2−ジメチルイミダゾール 21.15g(0.220モル)を加え、室温で1時間攪拌した。この溶液にs−BPDA 28.67g(0.0975モル)とa−BPDA 0.74g(0.0025モル)を徐々に加えた。50℃で12時間撹拌し、均一で粘稠なポリイミド前駆体溶液を得た。
ポリイミド前駆体溶液をガラス基板に塗布し、窒素雰囲気下(酸素濃度200ppm以下)、そのままガラス基板上で室温から350℃まで加熱して熱的にイミド化を行い、無色透明なポリイミドフィルム/ガラス積層体を得た。次いで、得られたポリイミドフィルム/ガラス積層体を水に浸漬した後剥離し、乾燥して、膜厚が約10μmのポリイミドフィルムを得た。
このポリイミドフィルムの特性を測定した結果を表2−2に示す。
〔実施例9〕
窒素ガスで置換した反応容器中に4,4’−ODA 20.02g(0.100モル)を入れ、N,N−ジメチルアセトアミドを、仕込みモノマー総質量(ジアミン成分とカルボン酸成分の総和)が 17質量%となる量の207.21gを加え、室温で1時間攪拌した。この溶液にPMDA−HS 22.41g(0.100ミリモル)を徐々に加えた。室温で12時間撹拌した。この溶液にトルエン30g加え、180℃で8時間加熱し、イミド化を行った。この溶液を大量の水に再沈殿させ、ろ過、乾燥した。得られた固体(ポリイミド) 10gをN−メチル−2−ピロリドン 40gに加え、室温で3時間攪拌し、均一で粘稠なポリイミド溶液を得た。この溶液に炭酸ストロンチウム分散液(2) 5.0gを加え、室温で1時間攪拌し、ポリイミド溶液を得た。
ポリイミド溶液をガラス基板に塗布し、窒素雰囲気下(酸素濃度200ppm以下)、そのままガラス基板上で室温から350℃まで加熱して熱的にイミド化を行い、無色透明なポリイミドフィルム/ガラス積層体を得た。次いで、得られたポリイミドフィルム/ガラス積層体を水に浸漬した後剥離し、乾燥して、膜厚が約10μmのポリイミドフィルムを得た。
このポリイミドフィルムの特性を測定した結果を表2−2に示す。
〔実施例10〕
窒素ガスで置換した反応容器中に4,4’−ODA 20.02g(0.100モル)を入れ、N,N−ジメチルアセトアミドを、仕込みモノマー総質量(ジアミン成分とカルボン酸成分の総和)が 17質量%となる量の207.21gを加え、室温で1時間攪拌した。この溶液にPMDA−HS 22.41g(0.100ミリモル)を徐々に加えた。室温で12時間撹拌した。この溶液にトルエン30g加え、180℃で8時間加熱し、イミド化を行った。この溶液を大量の水に再沈殿させ、ろ過、乾燥した。得られた固体(ポリイミド) 10gをN−メチル−2−ピロリドン 25gに加え、室温で3時間攪拌し、均一で粘稠なポリイミド溶液を得た。この溶液に炭酸ストロンチウム分散液(2) 20.0gを加え、室温で1時間攪拌し、ポリイミド溶液を得た。
ポリイミド溶液をガラス基板に塗布し、窒素雰囲気下(酸素濃度200ppm以下)、そのままガラス基板上で室温から350℃まで加熱して熱的にイミド化を行い、無色透明なポリイミドフィルム/ガラス積層体を得た。次いで、得られたポリイミドフィルム/ガラス積層体を水に浸漬した後剥離し、乾燥して、膜厚が約10μmのポリイミドフィルムを得た。
このポリイミドフィルムの特性を測定した結果を表2−2に示す。
〔比較例3〕
窒素ガスで置換した反応容器中に4,4’−ODA 20.02g(0.100モル)を入れ、N,N−ジメチルアセトアミドを、仕込みモノマー総質量(ジアミン成分とカルボン酸成分の総和)が 17質量%となる量の207.21gを加え、室温で1時間攪拌した。この溶液にPMDA−HS 22.41g(0.100ミリモル)を徐々に加えた。室温で12時間撹拌した。この溶液にトルエン30g加え、180℃で8時間加熱し、イミド化を行った。この溶液を大量の水に再沈殿させ、ろ過、乾燥した。得られた固体(ポリイミド) 10gをN−メチル−2−ピロリドン 40gに加え、室温で3時間攪拌し、均一で粘稠なポリイミド溶液を得た。
ポリイミド溶液をガラス基板に塗布し、窒素雰囲気下(酸素濃度200ppm以下)、そのままガラス基板上で室温から350℃まで加熱して熱的にイミド化を行い、無色透明なポリイミドフィルム/ガラス積層体を得た。次いで、得られたポリイミドフィルム/ガラス積層体を水に浸漬した後剥離し、乾燥して、膜厚が約10μmのポリイミドフィルムを得た。
このポリイミドフィルムの特性を測定した結果を表2−2に示す。
〔実施例11〕
窒素ガスで置換した反応容器中に炭酸ストロンチウム分散液(1) 7.20gとN−メチル−2−ピロリドン 22.30gを加え、室温で1時間攪拌した。窒素ガスで置換した反応容器中にTFMB 3.20g(0.010モル)を入れ、室温で1時間攪拌した。この溶液にs−BPDA 0.88g(0.0030モル)と6FDA 3.11(0.0070モル)を徐々に加えた。室温で12時間撹拌した。この溶液に1,2−ジメチルイミダゾール 0.96g(0.010モル)を加え、室温で1時間攪拌し、均一で粘稠なポリイミド前駆体溶液を得た。
ポリイミド前駆体溶液をガラス基板に塗布し、窒素雰囲気下(酸素濃度200ppm以下)、そのままガラス基板上で室温から350℃まで加熱して熱的にイミド化を行い、無色透明なポリイミドフィルム/ガラス積層体を得た。次いで、得られたポリイミドフィルム/ガラス積層体を水に浸漬した後剥離し、乾燥して、膜厚が約10μmのポリイミドフィルムを得た。
このポリイミドフィルムの特性を測定した結果を表2−2に示す。
〔比較例4〕
窒素ガスで置換した反応容器中にTFMB 32.02g(0.100モル)を入れ、N−メチル−2−ピロリドンを、仕込みモノマー総質量(ジアミン成分とカルボン酸成分の総和)が 20質量%となる量の287.79gを加え、室温で1時間攪拌した。この溶液にs−BPDA 8.83g(0.030モル)と6FDA 31.10(0.070モル)を徐々に加えた。室温で12時間撹拌した。この溶液に1,2−ジメチルイミダゾール 0.96g(0.010モル)を加え、室温で1時間攪拌し、均一で粘稠なポリイミド前駆体溶液を得た。
ポリイミド前駆体溶液をガラス基板に塗布し、窒素雰囲気下(酸素濃度200ppm以下)、そのままガラス基板上で室温から350℃まで加熱して熱的にイミド化を行い、無色透明なポリイミドフィルム/ガラス積層体を得た。次いで、得られたポリイミドフィルム/ガラス積層体を水に浸漬した後剥離し、乾燥して、膜厚が約10μmのポリイミドフィルムを得た。
このポリイミドフィルムの特性を測定した結果を表2−2に示す。
〔実施例12〕
窒素ガスで置換した反応容器中に炭酸ストロンチウム分散液(1) 2.13gとN−メチル−2−ピロリドン 31.24gを加え、室温で1時間攪拌した。この溶液にm−TD 2.12g(0.01モル)を入れ、室温で1時間攪拌した。この溶液にCpODA 0.38g(0.001モル)とCBDA 1.76g(0.009モル)を徐々に加えた。室温で12時間撹拌した。この溶液に1,2−ジメチルイミダゾール 0.10g(0.001モル)を加え、室温で1時間攪拌し、粘稠なポリイミド前駆体溶液を得た。
ポリイミド前駆体溶液を最終的な膜厚が約80umになるようにガラス基板に塗布し、80℃のホットプレート上で予備乾燥を行った。得られたフィルムをガラス基板上から剥離し、ピンテンターに上下の2辺のみ固定し、窒素雰囲気下(酸素濃度200ppm以下)、で室温から260℃まで加熱して熱的にイミド化を行い、無色透明なポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドフィルムの膜厚は約80μmであった。
このポリイミドフィルムの特性を測定した結果を表2−2に示す。
〔比較例5〕
窒素ガスで置換した反応容器中にm−TD 2.12g(0.010モル)を入れ、DMAcを、仕込みモノマー総質量(ジアミン成分とカルボン酸成分の総和)が 12質量%となる量の31.24gを加え、室温で1時間攪拌した。この溶液にCBDA 1.76g(0.009モル)とCpODA 0.38g(0.001モル)を徐々に加えた。室温で12時間撹拌した。この溶液に、1,2−ジメチルイミダゾール 0.1g(0.001モル)を加え、室温で1時間攪拌し均一で粘稠なポリイミド前駆体溶液を得た。
ポリイミド前駆体溶液を最終的な膜厚が約80umになるようにガラス基板に塗布し、80℃のホットプレート上で予備乾燥を行った。得られたフィルムをガラス基板上から剥離し、ピンテンターに上下の2辺のみ固定し、窒素雰囲気下(酸素濃度200ppm以下)、で室温から260℃まで加熱して熱的にイミド化を行い、無色透明なポリイミドフィルムを得た。得られたポリイミドフィルムの膜厚は約80μmであった。
このポリイミドフィルムの特性を測定した結果を表2−2に示す。
Figure 2016199926
Figure 2016199926
本発明によって、容易に製造可能で、厚み方向及び面内方向の位相差が小さく、透明性、機械的特性、または耐熱性等にも優れるポリイミド組成物、及びその前駆体組成物を提供することができる。このポリイミド組成物は、透明性、機械的特性、または耐熱性等に優れ、且つ厚み方向及び面内方向の位相差が小さいので、特にディスプレイ用、タッチパネル用、太陽電池用などの基板を形成するために好適に用いることができる。

Claims (19)

  1. ポリイミド前駆体(A1)と、光学異方性を有する微粒子(B)とを含むことを特徴とするポリイミド前駆体組成物。
  2. 前記ポリイミド前駆体(A1)が、下記化学式(1)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項1に記載のポリイミド前駆体組成物。
    Figure 2016199926

    (式中、Xは芳香族環または脂環構造を有する4価の基であり、Yは芳香族環または脂環構造を有する2価の基であり、R、Rはそれぞれ独立に水素、炭素数1〜6のアルキル基、または炭素数3〜9のアルキルシリル基である。)
  3. が脂環構造を有する4価の基であり、Yが脂環構造を有する2価の基である化学式(1)で表される繰り返し単位の含有量が、全繰り返し単位に対して、50モル%以下であることを特徴とする請求項2に記載のポリイミド前駆体組成物。
  4. 化学式(1)中のXが芳香族環を有する4価の基であり、Yが芳香族環を有する2価の基であることを特徴とする請求項2に記載のポリイミド前駆体組成物。
  5. 化学式(1)中のXが脂環構造を有する4価の基であり、Yが芳香族環を有する2価の基であることを特徴とする請求項2に記載のポリイミド前駆体組成物。
  6. 化学式(1)中のXが芳香族環を有する4価の基であり、Yが脂環構造を有する2価の基であることを特徴とする請求項2に記載のポリイミド前駆体組成物。
  7. 前記光学異方性を有する微粒子(B)が、炭酸ストロンチウムであることを特徴とする請求項1〜6のいずれかに記載のポリイミド前駆体組成物。
  8. ポリイミド(A2)と、光学異方性を有する微粒子(B)とを含むことを特徴とするポリイミド組成物。
  9. 前記ポリイミド(A2)が、下記化学式(7)で表される繰り返し単位の少なくとも1種を含むことを特徴とする請求項8に記載のポリイミド組成物。
    Figure 2016199926

    (式中、Xは芳香族環または脂環構造を有する4価の基であり、Yは芳香族環または脂環構造を有する2価の基である。)
  10. 請求項1〜7のいずれかに記載のポリイミド前駆体組成物から得られることを特徴とするポリイミド組成物。
  11. 請求項1〜7のいずれかに記載のポリイミド前駆体組成物から得られるポリイミド組成物、又は請求項8〜9のいずれかに記載のポリイミド組成物からなることを特徴とするポリイミドフィルム。
  12. 請求項11記載のポリイミドフィルムと、少なくとも1層のガラス層を有することを特徴とするポリイミドフィルム積層体。
  13. 請求項11記載のポリイミドフィルムと、少なくとも1層のガスバリヤ層を有することを特徴とするポリイミドフィルム積層体。
  14. 請求項11記載のポリイミドフィルムと、少なくとも1層の薄膜トランジスタを有することを特徴とするポリイミドフィルム積層体。
  15. 請求項11記載のポリイミドフィルムと、少なくとも1層の導電層を有すること特徴とする請求項12または13に記載のポリイミドフィルム積層体。
  16. 請求項1〜7のいずれかに記載のポリイミド前駆体組成物から得られるポリイミド組成物、又は請求項8〜9のいずれかに記載のポリイミド組成物を含むことを特徴とするディスプレイ用、タッチパネル用、または太陽電池用のフィルム。
  17. 請求項1〜7のいずれかに記載のポリイミド前駆体組成物から得られるポリイミド組成物、又は請求項8〜9のいずれかに記載のポリイミド組成物を含むことを特徴とする表示デバイス、センサーデバイス、光電変換デバイス、または光学デバイス。
  18. 下記化学式(8)で表される繰り返し単位を含むポリアミック酸(A3)で表面処理された光学異方性を有する微粒子粉末。
    Figure 2016199926

    (式中、Xは芳香族環または脂環構造を有する4価の基であり、Yは芳香族環または脂環構造を有する2価の基である。ただし、式中のカルボキシル基(−COOH)は、塩基と塩を形成していてもよい。)
  19. 下記化学式(8)で表される繰り返し単位を含むポリアミック酸(A3)と、光学異方性を有する微粒子(B)と、溶媒(C)とを含む微粒子分散液。
    Figure 2016199926

    (式中、Xは芳香族環または脂環構造を有する4価の基であり、Yは芳香族環または脂環構造を有する2価の基である。ただし、式中のカルボキシル基(−COOH)は、塩基と塩を形成していてもよい。)
JP2017523736A 2015-06-12 2016-06-10 ポリイミド前駆体組成物、及びポリイミド組成物 Active JP6919564B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2015119719 2015-06-12
JP2015119719 2015-06-12
PCT/JP2016/067453 WO2016199926A1 (ja) 2015-06-12 2016-06-10 ポリイミド前駆体組成物、及びポリイミド組成物

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2016199926A1 true JPWO2016199926A1 (ja) 2018-04-05
JP6919564B2 JP6919564B2 (ja) 2021-08-18

Family

ID=57503249

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017523736A Active JP6919564B2 (ja) 2015-06-12 2016-06-10 ポリイミド前駆体組成物、及びポリイミド組成物

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20180171077A1 (ja)
JP (1) JP6919564B2 (ja)
KR (1) KR20180018667A (ja)
CN (1) CN107849352B (ja)
TW (1) TWI772260B (ja)
WO (1) WO2016199926A1 (ja)

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6672667B2 (ja) * 2015-09-24 2020-03-25 富士ゼロックス株式会社 ポリイミド前駆体組成物、ポリイミド前駆体組成物の製造方法、及びポリイミド成形体の製造方法。
US20190092913A1 (en) * 2016-03-03 2019-03-28 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Polyimide film, method for producing polyimide film, and polyimide precursor resin composition
TWI609897B (zh) * 2017-02-15 2018-01-01 律勝科技股份有限公司 聚醯亞胺樹脂及其製造方法與薄膜
JP6926566B2 (ja) * 2017-03-23 2021-08-25 宇部興産株式会社 ポリイミドフィルムとハードコート層とを含む積層体
JP7088173B2 (ja) * 2017-04-10 2022-06-21 大日本印刷株式会社 フレキシブルディスプレイ用表面材
JP2019027623A (ja) * 2017-07-26 2019-02-21 株式会社Screenホールディングス 加熱装置および加熱方法
JP7196384B2 (ja) * 2017-09-06 2022-12-27 大日本印刷株式会社 ポリイミドフィルム、光学フィルムおよび画像表示装置
KR102264420B1 (ko) 2017-11-03 2021-06-11 주식회사 엘지화학 디스플레이 기판용 폴리이미드 필름
JP7371621B2 (ja) * 2018-04-10 2023-10-31 三菱瓦斯化学株式会社 ポリイミド樹脂、ポリイミドワニス及びポリイミドフィルム
KR102147342B1 (ko) * 2019-09-30 2020-08-24 에스케이이노베이션 주식회사 폴리이미드계 필름 및 이를 이용한 윈도우 커버 필름
WO2022133722A1 (zh) * 2020-12-22 2022-06-30 宁波长阳科技股份有限公司 聚酰亚胺材料及其制备方法和应用
CN114213790A (zh) * 2021-12-31 2022-03-22 南京清研新材料研究院有限公司 一种光配向聚酰亚胺组合物及其制备工艺

Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000080271A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Unitika Ltd 誘電体ペースト及びそれから得られる誘電体膜
JP2003315541A (ja) * 2002-04-23 2003-11-06 Nitto Denko Corp 複屈折性フィルムの製造方法、光学補償偏光板及び表示装置
JP2004035347A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Japan Science & Technology Corp 炭酸ストロンチウムの製造方法、非複屈折性光学樹脂材料並びに光学素子
JP2005156863A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Tosoh Corp ディスプレイ用光学フィルム
JP2007140011A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Tosoh Corp 光学フィルムの製造方法
JP2008101176A (ja) * 2005-11-10 2008-05-01 Fujifilm Corp 組成物及び該組成物からなるフィルム、偏光板保護フィルム、光学補償フィルムならびに液晶表示装置
JP2008274043A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 Asahi Kasei Corp 膜及びその製造方法
JP2008280404A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Fujifilm Corp 組成物、フィルム、及びレターデーション制御剤
JP2008280403A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Fujifilm Corp 組成物及び該組成物からなるフィルム、偏光板保護フィルム、光学補償フィルムならびに液晶表示装置
WO2011129311A1 (ja) * 2010-04-12 2011-10-20 日東電工株式会社 粒子、粒子分散液、粒子分散樹脂組成物、その製造方法、樹脂成形体、その製造方法、触媒粒子、触媒液、触媒組成物、触媒成形体、チタン錯体、酸化チタン粒子およびその製造方法
JP2013182053A (ja) * 2012-02-29 2013-09-12 Tosoh Corp 位相差フィルムの製造方法
WO2015080158A1 (ja) * 2013-11-27 2015-06-04 宇部興産株式会社 ポリイミド前駆体組成物、ポリイミドの製造方法、ポリイミド、ポリイミドフィルム、及び基板

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1180350A (ja) * 1997-09-12 1999-03-26 Hitachi Chem Co Ltd 光部品用ポリイミド及びこれを用いた光部品
JP2008003358A (ja) * 2006-06-23 2008-01-10 Konica Minolta Holdings Inc 光学フィルムの製造方法、光学フィルム及び光学素子
TWI491649B (zh) * 2007-04-13 2015-07-11 Ube Industries Polyimide film with smoothness
TWI435902B (zh) * 2007-08-20 2014-05-01 Kolon Inc 聚亞醯胺膜
EP2218754B1 (en) * 2007-11-30 2018-06-20 Mitsui Chemicals, Inc. Polyimide composite material and film of the same
JP5612953B2 (ja) * 2010-04-12 2014-10-22 日東電工株式会社 粒子、粒子分散液、粒子分散樹脂組成物および樹脂成形体
JP6158020B2 (ja) * 2012-09-28 2017-07-05 宇部マテリアルズ株式会社 針状炭酸ストロンチウム微粉末

Patent Citations (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000080271A (ja) * 1998-09-04 2000-03-21 Unitika Ltd 誘電体ペースト及びそれから得られる誘電体膜
JP2003315541A (ja) * 2002-04-23 2003-11-06 Nitto Denko Corp 複屈折性フィルムの製造方法、光学補償偏光板及び表示装置
JP2004035347A (ja) * 2002-07-04 2004-02-05 Japan Science & Technology Corp 炭酸ストロンチウムの製造方法、非複屈折性光学樹脂材料並びに光学素子
JP2005156863A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Tosoh Corp ディスプレイ用光学フィルム
JP2008101176A (ja) * 2005-11-10 2008-05-01 Fujifilm Corp 組成物及び該組成物からなるフィルム、偏光板保護フィルム、光学補償フィルムならびに液晶表示装置
JP2007140011A (ja) * 2005-11-17 2007-06-07 Tosoh Corp 光学フィルムの製造方法
JP2008274043A (ja) * 2007-04-26 2008-11-13 Asahi Kasei Corp 膜及びその製造方法
JP2008280404A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Fujifilm Corp 組成物、フィルム、及びレターデーション制御剤
JP2008280403A (ja) * 2007-05-09 2008-11-20 Fujifilm Corp 組成物及び該組成物からなるフィルム、偏光板保護フィルム、光学補償フィルムならびに液晶表示装置
WO2011129311A1 (ja) * 2010-04-12 2011-10-20 日東電工株式会社 粒子、粒子分散液、粒子分散樹脂組成物、その製造方法、樹脂成形体、その製造方法、触媒粒子、触媒液、触媒組成物、触媒成形体、チタン錯体、酸化チタン粒子およびその製造方法
JP2013182053A (ja) * 2012-02-29 2013-09-12 Tosoh Corp 位相差フィルムの製造方法
WO2015080158A1 (ja) * 2013-11-27 2015-06-04 宇部興産株式会社 ポリイミド前駆体組成物、ポリイミドの製造方法、ポリイミド、ポリイミドフィルム、及び基板

Also Published As

Publication number Publication date
CN107849352B (zh) 2021-05-28
US20180171077A1 (en) 2018-06-21
TWI772260B (zh) 2022-08-01
KR20180018667A (ko) 2018-02-21
JP6919564B2 (ja) 2021-08-18
TW201710321A (zh) 2017-03-16
WO2016199926A1 (ja) 2016-12-15
CN107849352A (zh) 2018-03-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6919564B2 (ja) ポリイミド前駆体組成物、及びポリイミド組成物
JP6531812B2 (ja) ポリイミド前駆体及びポリイミド
KR102073449B1 (ko) 폴리이미드 전구체, 폴리이미드, 폴리이미드 필름, 바니시, 및 기판
JP6485358B2 (ja) ポリイミド前駆体組成物、ポリイミドの製造方法、ポリイミド、ポリイミドフィルム、及び基板
JP6283954B2 (ja) ポリイミド前駆体、ポリイミド、ワニス、ポリイミドフィルム、及び基板
JP6607193B2 (ja) ポリイミド前駆体、ポリイミド、及びポリイミドフィルム
JPWO2017115818A1 (ja) ポリイミド材料、その製造方法およびその製造に用いられるポリイミド前駆体組成物
KR20170072929A (ko) 폴리이미드 필름, 폴리이미드 전구체 및 폴리이미드
US10174166B2 (en) Polyimide precursor, polyimide, varnish, polyimide film, and substrate
JP7047852B2 (ja) ポリイミド前駆体、ポリイミド、ポリイミドフィルム、ワニス、及び基板
JPWO2015053312A1 (ja) ポリイミド前駆体、ポリイミド、ポリイミドフィルム、ワニス、及び基板

Legal Events

Date Code Title Description
RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20180525

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20190409

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200121

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20200323

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20200804

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20201002

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20210224

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210423

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20210622

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20210705

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 6919564

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350