JPWO2015155822A1

JPWO2015155822A1 - 半導体発光素子用の光測定装置

Info

Publication number: JPWO2015155822A1
Application number: JP2016512500A
Authority: JP
Inventors: 尊嗣新野; 望月　学; 望月　　学; 昭一藤森
Original assignee: Pioneer Corp; Pioneer FA Corp
Current assignee: Pioneer Corp; Pioneer FA Corp
Priority date: 2014-04-07
Filing date: 2014-04-07
Publication date: 2017-04-13
Anticipated expiration: 2034-04-07
Also published as: WO2015155822A1; TW201538935A; TWI567369B; JP6277265B2

Abstract

確実に半導体発光素子に通電し、半導体発光素子の発光量を正確に、かつ安定に測定することが可能な半導体発光素子用の光測定装置を提供する。半導体発光素子用の光測定装置１００は、ＬＥＤ２０Ａに電力を供給するプローブ３００と、ＬＥＤから発光された光の光量を測定する光測定部１２０と、プローブ３００を備える吸着基礎部２００と、を備え、吸着基礎部２００が、ＬＥＤを吸引する。

Description

本発明は、ＬＥＤなどの半導体発光素子からの光を測定する光測定装置に関する。

ＬＥＤなどの半導体発光素子の検査には、カメラによる外観検査や積分球内で発光させ、その光を測定する検査などがある。光測定として、特許文献１には、配光強度分布を測定するために、光を複数の方向から同時に測定する技術が開示されている。また、特許文献２には、積分球を用いて全発光量を測定する技術が開示されている。

特開２００５―１７２６６５号公報特開２００８―７６１２６号公報

特許文献１，2のいずれの技術においても、半導体発光素子が所定の位置に置かれ、電圧をかけることで発光する。この発光の際、半導体発光素子に電圧をかける電極と半導体発光素子の電極が通電する程度に接触している必要がある。

しかしながら、例えば、いくつかの検査を流れ作業で行い、スピードと効率が求められるようなインデックスタイプの検査システムにおいては、インデックス動作時に発生する加速度や遠心力により半導体素子が移動してしまい、半導体発光素子の電極と通電用の電極の接触が不十分となる場合がある。このため、安定的に通電を行うことができず、正確な測定ができない可能性がある。これはスピードと効率への要求に対して、測定のための台への半導体発光素子の載置の安定性や精度が不十分であることも影響していると考えられる。

本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、その目的の一例は、確実に半導体発光素子に通電し、半導体発光素子の発光量を正確に、かつ安定に測定することが可能な半導体発光素子用の光測定装置を提供することにある。

本発明の半導体発光素子用の光測定装置は、半導体発光素子に電力を供給するプローブと、半導体発光素子から発光された光の発光量を測定する光測定部と、プローブを備える吸着基礎部と、を備え、吸着基礎部が、半導体発光素子を吸引する。

本発明の実施形態における半導体発光素子用の光測定装置が適用されるＬＥＤ検査システムの全体概略図である。本発明の第１実施形態における半導体発光素子用の光測定装置の構成を模式的に示す図である。本発明の第１実施形態における半導体発光素子用の光測定装置の一部拡大側面図（Ａ）と一部拡大断面図（Ｂ）である。本発明の第１実施形態における半導体発光素子用の光測定装置を上側から見た一部拡大図（Ａ）と下側から見た一部拡大図（Ｂ）である。本発明の第１実施形態における半導体発光素子用の光測定装置に使用するプローブの一部拡大断面図である。本発明の第１実施形態における半導体発光素子用の光測定装置にＬＥＤを載せたときの一部拡大側面図である。本発明の他の実施形態における半導体発光素子用の光測定装置の構成を模式的に示す図である。本発明の他の実施形態における半導体発光素子用の光測定装置にＬＥＤを吸着させたときの一部拡大側面図である。本発明の第２実施形態における半導体発光素子用の光測定装置にＬＥＤを載せたときの一部拡大側面図である。本発明の第３実施形態における半導体発光素子用の光測定装置の一部拡大側面図である。本発明の第４実施形態における半導体発光素子用の光測定装置にＬＥＤを載せたときの一部拡大側面図である。本発明の第４実施形態における半導体発光素子用の光測定装置を上側から見た一部拡大図である。

＜実施形態＞
以下、本発明の実施形態を、図１を用いて詳細に説明する。
図１は、本発明の実施形態における半導体発光素子用の光測定装置が適用されるＬＥＤ（Light Emitting Diode）検査システム１の全体概略図である。

図１で示したＬＥＤ検査システム１は、インデックスタイプのＬＥＤ検査システム１であり、ＬＥＤ検査システム１を一回りする間に複数の検査工程を経る構造となっている。ＬＥＤ検査システム１は、ＬＥＤを導入するための入口２と、排出するための出口７を備える。導入および排出は、それぞれ導入用アーム３と排出用アーム６によって行われる。また、各検査工程にＬＥＤを移動させるための載置部４を備える。ＬＥＤ検査システム１は、各検査工程での検査のための装置を備える。例えば、カメラ５や光測定装置１００を備える。

ＬＥＤ検査システム１のシステム外に備えられたウェハー１０にはＬＥＤ２０が乗せられている。ＬＥＤ２０は一つずつ、入口２から導入用アーム３によって、ＬＥＤ検査システム１内に導入される。検査対象のＬＥＤ２０Ａは、ＬＥＤ検査システム１内の載置部４に置かれ、反時計回りで各検査工程を経る。例えば、導入用アーム３によって入口２から入って、最初の検査工程は外観検査である。カメラ５によって外観が検査され、その外観写真などの情報は、ＬＥＤ検査システム１の記憶部に格納される。

外観検査の次に、ＬＥＤ２０Ａを載せた載置部４は積分球１１０の中に入り、電圧がかけられる。通電によるＬＥＤ２０Ａの発光によって、ＬＥＤ２０Ａの発光量が測定される。

このように次々とＬＥＤ２０に対する検査が行われる。最後に、再び排出用アーム６によって、ＬＥＤ検査システム１の出口７から外のウェハー１０Ａに載置される。このとき、各工程での検査情報に応じてＬＥＤを並ばせるようにしてもよい。例えば、ＬＥＤを発光量のランクで分ける場合には、ＬＥＤ検査システム１の出口側のウェハーに対してランク毎に分けて載置させてもよい。なお、載置によって分けて置かれたＬＥＤのランクに関する情報は、ＬＥＤ検査システム１の記憶部に格納される。このようにして、実装のときなどに効率的に動作をさせることなどに活用可能となる。次に、光測定装置１００による光測定について説明する。

図２は、本発明の第１実施形態における半導体発光素子用の光測定装置１００の構成を模式的に示す図である。本実施形態による光測定装置１００は、積分球１１０と、光測定部１２０とを備える。

積分球１１０は、ＬＥＤ２０Ａから発光される光の測定に用いられるものであり、積分球１１０の内部にＬＥＤ２０Ａを導入するＬＥＤ導入用の開口部１１１と、ＬＥＤ２０Ａからの被測定光を外部へと出射するための出射開口部１１２とを有して構成される。ＬＥＤ２０Ａは、載置部４の上の吸着基礎部２００に載っている。

積分球１１０の出射開口部１１２には、ＬＥＤ２０Ａからの被測定光を光測定部１２０へと導光するライトガイド１２１の入射端部１２１Ａが固定されている。このライトガイド１２１としては、例えばシングルファイバ、またはバンドルファイバを用いることができる。光測定部１２０は、積分球１１０の出射開口部１１２からライトガイド１２１を介して出射されたＬＥＤ２０Ａからの被測定光を測定する。

載置部４にはホース４２を介して吸引ポンプ４１が接続されている。この吸引ポンプ４１を駆動することで、載置部４に載置されたＬＥＤ２０Ａを空気吸入により吸引することで、確実にＬＥＤ２０Ａをプローブと接触させ、通電させる。

図３は、本発明の第１実施形態における半導体発光素子用の光測定装置１００の一部拡大側面図（Ａ）と一部拡大断面図（Ｂ）である。本実施形態では、接触抵抗の影響を小さくするため、ケルビン接続を用いている。このため、電極としてのプローブを４本使用する例で説明する。しかしながら、接触抵抗の影響やケーブルの残留抵抗などを無視できる場合などは、電極を減らした構成においても、本発明を適用することは可能である。

なお、本実施形態における半導体発光素子用の光測定装置１００では、４本のプローブを備えるが、図３（Ａ）、（Ｂ）では、４本のプローブのうち、２本のプローブが見える位置での側面図および一部拡大断面図を示している。図３において、紙面上の上側を上とする。なお本実施形態において、形状を説明する便宜上、吸着基礎部２００と載置部４を別体として説明するが、一体的に形成されている。従って、載置部は本発明における吸着基礎部でもある。

プローブ３００を備える吸着基礎部２００の上側の面からプローブ３００の一部が突出している。この突出されたプローブ３００の先端に対して、ＬＥＤの電極部が接触する。吸着基礎部２００は、図３（Ｂ）で示すように、吸着基礎部２００の上側面であって、ＬＥＤが載置される側に穴２０１を備える。さらに吸着基礎部２００および載置部４は、吸着基礎部２００および載置部４の内側で、この穴２０１の径よりも大きな径からなる空間を備える。この空間は、円状の壁面２００Ａを備え、下方へ向かっている。この空間から吸着基礎部２００および載置部４の側面側へ横穴２０２が形成されている。

さらに、載置部４の内側には、壁面２００Ａの円状を含み、断面においてさらに大きな面積からなる空間が形成されている。この空間は壁面２００Ｂにより形成されており、四角形形状となっている。

壁面２００Ａの円状と壁面２００Ｂとの境部分には、その断面形状と断面積の差があることから端面２００Ｃが形成される。この端面２００Ｃに接触するように電子基板２１０がネジなどにより取り付けられる。これにより、載置部４の中空の下方側への穴に対して蓋がされたことになる。従って、電子基板２１０を取り付けることで、穴２０１から横穴２０２へ抜ける空気通路が形成される。なお、電子基板２１０の穴２０１側にはプローブ３００が取り付けられており、電子基板２１０の穴２０１とは反対側にはプローブ３００に電力を供給するケーブル３１０が取り付けられている。プローブ３００とケーブル３１０は、電子基板２１０を介して電気的に接続されている。

横穴２０２は、接続治具４３を介してホース４２が接続されている。このホースが吸引ポンプ４１に接続される。次に、穴２０１の形状について説明する。

図４は、本発明の第１実施形態における半導体発光素子用の光測定装置１００の載置部４を上側から見た一部拡大図（Ａ）と下側から見た一部拡大図（Ｂ）である。

図４（Ａ）の光測定装置１００の載置部４を上側から見た一部拡大図で示すように、吸着基礎部２００の中心に、図３で説明した吸着基礎部２００の上側面であって、ＬＥＤが載置される側に穴２０１が形成されている。また、本実施形態における半導体発光素子用の光測定装置１００では、プローブ３００が４本あるため、プローブ３００の先端が吸着基礎部２００から外側へ突出可能なように穴２０１が形成されている。

プローブ３００用の穴は、中心の空気が通る吸引穴２０１Ａを中心に点対称になるように４方向に中心から同じ距離離れて、形成されている。プローブ３００用の穴２０１Ｂ，２０１Ｃ，２０１Ｄ，２０１Ｅと中心の吸引穴２０１Ａとは、別々に形成されていても、一体的に形成されていてもよい。本実施形態では、プローブ３００用の穴２０１Ｂ，２０１Ｃ，２０１Ｄ，２０１Ｅと中心の吸引穴２０１Ａは、一体的に形成されていて、対称性がある４つ葉のクローバーのような形状の穴となっている。

図４（Ｂ）の光測定装置１００の載置部４を下側から見た一部拡大図で示すように、吸着基礎部２００の中心に、図４（Ａ）で説明した穴と同じ穴２０１が形成されている。また、同様に本実施形態における光測定装置１００では、プローブ３００が４本あるため、プローブ３００の先端が吸着基礎部２００から外側へ突出可能なように穴２０１が形成されている。プローブ３００用の穴２０１Ｂ，２０１Ｃ，２０１Ｄ，２０１Ｅと中心の吸引穴２０１Ａは、一体的に形成されていて、対称性がある４つ葉のクローバーのような形状の穴となっている。

穴２０１を囲うように吸着基礎部２００の円状の壁面２００Ａが形成され、さらに壁面２００Ａを囲うように、壁面２００Ａの円状を含み、断面においてさらに大きな面積からなる空間が壁面２００Ｂにより形成されている。壁面２００Ｂにより形成された形状は、四角形形状となっており、さらに四角形形状の角部には丸みをもたせている。この四角形形状とほぼ同じ形状の電子基板２１０を取り付けることで空気路を形成している。電子基板２１０は、空気路を作るために、ある程度の気密性を有するように構成されている。また、その端部は角ばって構成されているため、壁面２００Ｂにより形成された四角形状の角部に丸みを持たせることで、取付け、取外しが容易にできるようにしている。次に本実施形態に使用されるプローブ３００について説明する。

図５は、本発明の第１実施形態における半導体発光素子用の光測定装置に使用するプローブの一部拡大断面図である。本実施形態に使用されるプローブ３００は、プローブ先端部３０１とバネ３０２とプローブ基礎部３０３から構成される。プローブ基礎部３０３がプローブ先端部３０１とバネ３０２の基礎となり、保持している。バネ３０２はプローブ先端部３０１の後端側３０１Ａと、プローブ基礎部３０３の固定側３０３Ａに接触している。バネ３０２は、プローブ基礎部３０３の内側に形成された細長い穴に挿入される。さらに同じ穴に対して、プローブ先端部３０１が挿入される。これにより、プローブ３００のプローブ先端部３０１に対して所定方向から力がかかったときに、その所定方向へ動く。このように構成することで、光測定装置１００においてＬＥＤが吸着基礎部２００に置かれ、吸引されたときに、より確実にプローブ先端部３０１とＬＥＤ側の電極が接触し、通電が可能となる。

図６は、本発明の第１実施形態における半導体発光素子用の光測定装置にＬＥＤを載せたときの一部拡大側面図である。吸引ポンプ４１へのホース４２は省略してある。

吸着基礎部２００の上にＬＥＤ２０Ａを載せた状態を示している。この状態において、ＬＥＤ２０Ａの重さおよび吸引ポンプ４１による空気吸引力により、プローブ先端部３０１が吸引方向に引っこみ、確実にＬＥＤ側の電極２０ＡＰと接触している。ここで、ＬＥＤ２０Ａと吸着基礎部２００の表面は完全に密着してなくてもよく、ある程度、ＬＥＤ２０Ａと吸着基礎部２００の表面の隙間から空気が流れるようになっていてもよい。

図２〜図６で説明した吸着基礎部２００と載置部４、および吸引ポンプ４１とプローブ３００の構成により、確実にプローブ先端部３０１とＬＥＤ側の電極２０ＡＰが接触し、通電が可能となる。具体的には、光測定装置１００で光測定を行う際に、吸引ポンプ４１で空気を引くことで、ホース４２、穴２０１、横穴２０２を通じて、吸着基礎部２００の上に載せられたＬＥＤ２０Ａの下面側を吸引する。これにより、プローブ先端部３０１が吸引方向に動きながら、ＬＥＤ側の電極２０ＡＰと確実に接触する。従って、ＬＥＤ２０Ａの発光が確実に行われ、正確な発光量を測定することが可能になる。

図７は、本発明の他の実施形態における半導体発光素子用の光測定装置の構成を模式的に示す図である。本発明によれば、吸着基礎部および載置部がどのような方向でも積分球に備えることができる。図７では、吸着基礎部および載置部を上側に備えた他の実施形態を示した。

本実施形態による光測定装置１０１は、積分球１１０Ａと、光測定部１２０とを備える。積分球１１０Ａは、ＬＥＤ２０Ａから発光される光の測定に用いられるものである。積分球１１０Ａの内部にＬＥＤ２０Ａを導入するＬＥＤ導入用の開口部１１１Ａを、積分球１１０Ａの上側に備える。また、ＬＥＤ２０Ａからの被測定光を外部へと出射するための出射開口部１１２を備える。ＬＥＤ２０Ａは、吸着基礎部２００に吸着している。

積分球１１０の出射開口部１１２には、図２の光測定部と同様に、ＬＥＤ２０Ａからの被測定光を光測定部１２０へと導光するライトガイド１２１の入射端部１２１Ａが固定されている。このライトガイド１２１としては、例えばシングルファイバ、またはバンドルファイバを用いることができる。光測定部１２０は、積分球１１０の出射開口部１１２からライトガイド１２１を介して出射されたＬＥＤ２０Ａからの被測定光を測定する。

載置部４Ａにはホース４２を介して吸引ポンプ４１が接続されている。この吸引ポンプ４１を駆動することで、空気吸入により吸着基礎部２００の表面にＬＥＤ２０Ａを吸着する。

図８は、本発明の他の実施形態における半導体発光素子用の光測定装置にＬＥＤを吸着させたときの一部拡大側面図である。吸引ポンプ４１へのホース４２は省略してある。

吸着基礎部２００の表面に、ＬＥＤ２０Ａが吸着している状態を示している。この状態において、ＬＥＤ２０Ａの表面が吸引ポンプ４１によって空気吸引される力により、プローブ３００Ａの先端部が吸引方向に引っこみ、確実にＬＥＤ側の電極２０ＡＰとプローブ３００Ａが接触する。

次に、本発明の第２実施形態における半導体発光素子用の光測定装置について説明する。図９は、本発明の第２実施形態における半導体発光素子用の光測定装置にＬＥＤを載せたときの一部拡大側面図である。吸引ポンプ４１へのホース４２は省略してある。吸着基礎部２００と載置部４の形状は、第１実施形態のものとほぼ同じである。ただし、吸引穴の形状が異なる。本実施形態の場合、プローブ３２０が斜めに傾斜した状態でＬＥＤ２０Ａに接触するように設けられるため、吸引穴２０３もプローブ３２０が傾斜した状態を保持できるような形状となっている。

プローブ３２０は、吸着基礎部２００および載置部４の内部であって、プローブ３２０が接触するＬＥＤ２０Ａの表面に対して垂直方向よりも傾いて設けられているため、垂直方向から接触するよりも、より確実にプローブ３２０とＬＥＤ２０Ａが接触し通電する。

次に、本発明の第３実施形態における半導体発光素子用の光測定装置について説明する。図１０は、本発明の第３実施形態における半導体発光素子用の光測定装置の一部拡大側面図である。吸引ポンプ４１へのホース４２は省略してある。吸着基礎部２００と載置部４の形状は、第１実施形態のものとほぼ同じである。ただし、吸引穴の形状が異なる。本実施形態の場合、プローブが吸着基礎部２００の表面に平行に設けられ、ＬＥＤに対して接触するため、吸引穴はＬＥＤよりも小さい穴で良ければどのような形でもよい。例えば、四角形形状のＬＥＤに対して均一に吸引力をかけるには、同じ四角形形状の穴を設けることが好ましい。

図１０（Ａ）は、プローブ３３０が吸着基礎部２００の表面に平行に設けられ、かつ、プローブ３３０のＬＥＤに接触する周辺部位が、表面から離れるように湾曲している状態を示している。プローブ３３０の先端部位になる湾曲部は、吸引穴２０４を塞がないようになっている。

図１０（Ｂ）は、吸着基礎部２００の上部表面に平行に設けられたプローブ３３０の上側からＬＥＤ２０Ａが載せられ、吸引している状態を示している。プローブ３３０の先端部位になる湾曲部は、吸引穴２０４からの空気の吸引により、ＬＥＤ２０Ａが下向きに吸着する力によって、吸着基礎部２００の上部表面に密着する。これにより、ＬＥＤ２０Ａとプローブ３３０が接触し、確実に通電する。ここで、ＬＥＤ２０Ａと吸着基礎部２００の表面は完全に密着してなくてもよく、ある程度、ＬＥＤ２０Ａと吸着基礎部２００の表面の隙間から空気が流れるようになっていてもよい。従って、プローブ３３０がＬＥＤ２０Ａと吸着基礎部２００の表面の間に隙間がないように設ける必要はなく、寧ろ、プローブ３３０によって、ＬＥＤ２０Ａと吸着基礎部２００の表面の間に隙間があってもよい。また、吸引力を変更するために、プローブ３３０の厚さや面積で調整するようにしてもよい。

次に、本発明の第４実施形態における半導体発光素子用の光測定装置について説明する。図１１は、本発明の第４実施形態における半導体発光素子用の光測定装置にＬＥＤを載せたときの一部拡大側面図である。図１２は、本発明の第４実施形態における半導体発光素子用の光測定装置を上側から見た一部拡大図である。吸引ポンプ４１へのホース４２は省略してある。吸着基礎部２００と載置部４の形状は、第１実施形態のものとほぼ同じである。ただし、吸引穴の形状が異なる。本実施形態の場合、プローブ３４０が吸着基礎部２００の表面に平行に設けられ、ＬＥＤ２０Ａに対して接触するため、吸引穴２０５はＬＥＤ２０Ａよりも小さい穴で良ければどのような形でもよい。例えば、四角形形状のＬＥＤに対して均一に吸引力をかけるには、同じ四角形形状の穴を設けることが好ましい。

プローブ３４０は、吸着基礎部２００の表面に平行に設けられ、かつ、プローブ３４０のＬＥＤ２０Ａでの電極２０ＡＰに接触する部位に突起部３４０Ｐを備える。例えば、１本のプローブ３４０に対して、突起部３４０Ｐを２つ備えている。

図１２（Ａ）は、突起部３４０Ｐを備える４本のプローブを示している。これに対し図１２（Ｂ）は、ＬＥＤ２０Ａが載せられた状態を示している。このように、プローブ３４０のＬＥＤ２０Ａでの電極２０ＡＰに接触する部位に突起部３４０Ｐを備え、さらに、吸引穴２０５からの吸引力により、ＬＥＤ２０Ａとプローブ３４０を接触させ、確実に通電させる。ここで、ＬＥＤ２０Ａと吸着基礎部２００の表面は完全に密着してなくてもよく、ある程度、ＬＥＤ２０Ａと吸着基礎部２００の表面の隙間から空気が流れるようになっていてもよい。従って、プローブ３４０のＬＥＤ２０Ａと吸着基礎部２００の表面の間に隙間がないように設ける必要はなく、寧ろ、プローブ３４０によって、ＬＥＤ２０Ａと吸着基礎部２００の表面の間に隙間があってもよい。また、吸引力を変更するために、プローブ３４０の厚さや面積、突起部３４０Ｐの大きさで調整するようにしてもよい。

＜定義等＞
ＬＥＤは、本発明における半導体発光素子の一例である。つまり、半導体発光素子とは、光を発光する素子であればどのようなものであっても良い。ここで、光は可視光に限定されるものではなく、例えば、赤外線、紫外線等であってよい。

１ＬＥＤ検査システム
２入口
３導入用アーム
４，４Ａ載置部
５カメラ
６排出用アーム
７出口
１０，１０Ａウェハー
２０ＡＰ電極
４１吸引ポンプ
４２ホース
４３接続治具
１００，１０１光測定装置
１１０，１１０Ａ積分球
１１１，１１１Ａ開口部
１１２出射開口部
１２０光測定部
１２１ライトガイド
１２１Ａ入射端部
２００吸着基礎部
２００Ａ，２００Ｂ壁面
２００Ｃ端面
２０１Ａ，２０３，２０４，２０５吸引穴
２０１，２０１Ｂ，２０１Ｃ，２０１Ｄ，２０１Ｅ穴
２０２横穴
２１０電子基板
３００，３００Ａ，３１０，３２０，３３０，３４０プローブ
３０１プローブ先端部
３０２バネ
３０３プローブ基礎部
３０３Ａ固定側
３４０Ｐ突起部

本発明の半導体発光素子用の光測定装置は、半導体発光素子に電力を供給するプローブと、前記半導体発光素子から発光された光の発光量を測定する光測定部と、前記プローブが内部に固定して設けられた吸着基礎部と、を備え、前記プローブの先端が、前記半導体発光素子に接触する面から一部表出しており、前記吸着基礎部が、前記半導体発光素子に接触する面に前記半導体発光素子を吸引する吸引穴を備え、前記半導体発光素子を吸引して前記半導体発光素子を前記プローブに接触させることにより前記プローブを変形させた状態で通電する。

Claims

半導体発光素子に電力を供給するプローブと、
前記半導体発光素子から発光された光の発光量を測定する光測定部と、
前記プローブを備える吸着基礎部と、を備え、
前記吸着基礎部が、前記半導体発光素子を吸引する
半導体発光素子用の光測定装置。
前記吸着基礎部が、前記半導体発光素子に接触する面に前記半導体発光素子を吸引する吸引穴を備える
請求項１に記載の半導体発光素子用の光測定装置。
前記吸着基礎部が、前記半導体発光素子を吸引することで、前記半導体発光素子と前記吸着基礎部の前記プローブとが接触し、通電する
請求項２に記載の半導体発光素子用の光測定装置。
前記吸引穴が、前記吸着基礎部の外部の吸引ポンプと繋がっている
請求項２に記載の半導体発光素子用の光測定装置。
前記プローブが、前記吸着基礎部の内部であって、前記半導体発光素子に接触する面に対して垂直方向に設けられ、かつ前記プローブの先端が前記面から一部表出している
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光素子用の光測定装置。
前記プローブが、前記吸着基礎部の内部であって、前記半導体発光素子に接触する面に対して垂直方向よりも傾いて設けられ、かつ前記プローブの先端が前記面から一部表出している
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光素子用の光測定装置。
前記プローブが、前記吸着基礎部の前記半導体発光素子に接触する表面に平行に設けられている
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光素子用の光測定装置。
前記プローブが、前記吸着基礎部の前記半導体発光素子に接触する表面に平行に設けられ、かつ前記プローブの前記半導体発光素子に接触する周辺部位が、前記表面から離れるように湾曲している
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光素子用の光測定装置。
前記プローブが、前記吸着基礎部の前記半導体発光素子に接触する表面に平行に設けられ、かつ前記プローブの前記半導体発光素子に接触する部位に突起部を備える
請求項１〜４のいずれか１項に記載の半導体発光素子用の光測定装置。