JPWO2014203649A1 - 無電解金属めっきのブリッジ防止液およびこれを用いたプリント配線板の製造方法 - Google Patents
無電解金属めっきのブリッジ防止液およびこれを用いたプリント配線板の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2014203649A1 JPWO2014203649A1 JP2015522655A JP2015522655A JPWO2014203649A1 JP WO2014203649 A1 JPWO2014203649 A1 JP WO2014203649A1 JP 2015522655 A JP2015522655 A JP 2015522655A JP 2015522655 A JP2015522655 A JP 2015522655A JP WO2014203649 A1 JPWO2014203649 A1 JP WO2014203649A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- plating
- wiring board
- electroless
- bridging
- liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000007747 plating Methods 0.000 title claims abstract description 81
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 44
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 21
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 74
- 230000002265 prevention Effects 0.000 claims abstract description 49
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 39
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 39
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 23
- 229920006295 polythiol Polymers 0.000 claims abstract description 17
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 89
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 82
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 claims description 65
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 50
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 50
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 50
- UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N aminothiocarboxamide Natural products NC(N)=S UMGDCJDMYOKAJW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 33
- -1 dithiol compounds Chemical class 0.000 claims description 28
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 25
- XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N Urea Natural products NC(N)=O XSQUKJJJFZCRTK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 230000003405 preventing effect Effects 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 10
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 8
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 claims description 7
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 7
- VYMPLPIFKRHAAC-UHFFFAOYSA-N 1,2-ethanedithiol Chemical compound SCCS VYMPLPIFKRHAAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- PGTWZHXOSWQKCY-UHFFFAOYSA-N 1,8-Octanedithiol Chemical compound SCCCCCCCCS PGTWZHXOSWQKCY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HCZMHWVFVZAHCR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-sulfanylethoxy)ethoxy]ethanethiol Chemical compound SCCOCCOCCS HCZMHWVFVZAHCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- YGKHJWTVMIMEPQ-UHFFFAOYSA-N 1,2-propanedithiol Chemical compound CC(S)CS YGKHJWTVMIMEPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- IMQFZQVZKBIPCQ-UHFFFAOYSA-N 2,2-bis(3-sulfanylpropanoyloxymethyl)butyl 3-sulfanylpropanoate Chemical compound SCCC(=O)OCC(CC)(COC(=O)CCS)COC(=O)CCS IMQFZQVZKBIPCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- TWWSEEHCVDRRRI-UHFFFAOYSA-N 2,3-Butanedithiol Chemical compound CC(S)C(C)S TWWSEEHCVDRRRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SMTOKHQOVJRXLK-UHFFFAOYSA-N butane-1,4-dithiol Chemical compound SCCCCS SMTOKHQOVJRXLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- RQPNXPWEGVCPCX-UHFFFAOYSA-N 3-sulfanylbutanoic acid Chemical compound CC(S)CC(O)=O RQPNXPWEGVCPCX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VTLHIRNKQSFSJS-UHFFFAOYSA-N [3-(3-sulfanylbutanoyloxy)-2,2-bis(3-sulfanylbutanoyloxymethyl)propyl] 3-sulfanylbutanoate Chemical compound CC(S)CC(=O)OCC(COC(=O)CC(C)S)(COC(=O)CC(C)S)COC(=O)CC(C)S VTLHIRNKQSFSJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- JOBBTVPTPXRUBP-UHFFFAOYSA-N [3-(3-sulfanylpropanoyloxy)-2,2-bis(3-sulfanylpropanoyloxymethyl)propyl] 3-sulfanylpropanoate Chemical compound SCCC(=O)OCC(COC(=O)CCS)(COC(=O)CCS)COC(=O)CCS JOBBTVPTPXRUBP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- VHJLVAABSRFDPM-ZXZARUISSA-N dithioerythritol Chemical compound SC[C@H](O)[C@H](O)CS VHJLVAABSRFDPM-ZXZARUISSA-N 0.000 claims description 2
- AWYFNIZYMPNGAI-UHFFFAOYSA-N ethylenebis(dithiocarbamic acid) Chemical compound SC(=S)NCCNC(S)=S AWYFNIZYMPNGAI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 125000000383 tetramethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:2] 0.000 claims description 2
- QZQIWEZRSIPYCU-UHFFFAOYSA-N trithiole Chemical class S1SC=CS1 QZQIWEZRSIPYCU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- WQABCVAJNWAXTE-UHFFFAOYSA-N dimercaprol Chemical compound OCC(S)CS WQABCVAJNWAXTE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 150000004662 dithiols Chemical class 0.000 claims 1
- 239000001294 propane Substances 0.000 claims 1
- NZARHKBYDXFVPP-UHFFFAOYSA-N tetrathiolane Chemical class C1SSSS1 NZARHKBYDXFVPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 abstract description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N Methanesulfonic acid Chemical compound CS(O)(=O)=O AFVFQIVMOAPDHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 22
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 20
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 17
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 16
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229940098779 methanesulfonic acid Drugs 0.000 description 12
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 9
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 8
- KQJQICVXLJTWQD-UHFFFAOYSA-N N-Methylthiourea Chemical compound CNC(N)=S KQJQICVXLJTWQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XGEGHDBEHXKFPX-UHFFFAOYSA-N N-methylthiourea Natural products CNC(N)=O XGEGHDBEHXKFPX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 5
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 5
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N Divinylene sulfide Natural products C=1C=CSC=1 YTPLMLYBLZKORZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 4
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000003449 preventive effect Effects 0.000 description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 4
- 150000003585 thioureas Chemical class 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 239000003093 cationic surfactant Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002736 nonionic surfactant Substances 0.000 description 3
- 235000005985 organic acids Nutrition 0.000 description 3
- 239000002244 precipitate Substances 0.000 description 3
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 1,3-benzothiazole-2-thiol Chemical compound C1=CC=C2SC(S)=NC2=C1 YXIWHUQXZSMYRE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N D-gluconic acid Chemical compound OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-SQOUGZDYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N Fumaric acid Chemical compound OC(=O)\C=C\C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-OWOJBTEDSA-N 0.000 description 2
- AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N Glycolic acid Chemical compound OCC(O)=O AEMRFAOFKBGASW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IPCRBOOJBPETMF-UHFFFAOYSA-N N-acetylthiourea Chemical compound CC(=O)NC(N)=S IPCRBOOJBPETMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000005215 alkyl ethers Chemical class 0.000 description 2
- 239000002280 amphoteric surfactant Substances 0.000 description 2
- 239000003945 anionic surfactant Substances 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- SUMDYPCJJOFFON-UHFFFAOYSA-N isethionic acid Chemical compound OCCS(O)(=O)=O SUMDYPCJJOFFON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229940116298 l- malic acid Drugs 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- ZJLMKPKYJBQJNH-UHFFFAOYSA-N propane-1,3-dithiol Chemical compound SCCCS ZJLMKPKYJBQJNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 2
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N trans-butenedioic acid Natural products OC(=O)C=CC(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N (S)-malic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-REOHCLBHSA-N 0.000 description 1
- JAEZSIYNWDWMMN-UHFFFAOYSA-N 1,1,3-trimethylthiourea Chemical compound CNC(=S)N(C)C JAEZSIYNWDWMMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YLMXNQPOOVZIHK-UHFFFAOYSA-N 1,3-bis[3-(dimethylamino)propyl]thiourea Chemical compound CN(C)CCCNC(=S)NCCCN(C)C YLMXNQPOOVZIHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VUVPNTYTOUGMDG-UHFFFAOYSA-N 1-(2-hydroxyethyl)-3-prop-2-enylthiourea Chemical compound OCCNC(=S)NCC=C VUVPNTYTOUGMDG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 1-methylsulfonylpiperidin-4-one Chemical compound CS(=O)(=O)N1CCC(=O)CC1 RTBFRGCFXZNCOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRXFTOUYGXMRRU-UHFFFAOYSA-N 3h-1,3-benzothiazole-2-thione;sodium Chemical compound [Na].C1=CC=C2SC(=S)NC2=C1 KRXFTOUYGXMRRU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PTVZQOAHCSKAAS-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-3-thiosemicarbazide Chemical compound CNC(=S)NN PTVZQOAHCSKAAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M Bisulfite Chemical compound OS([O-])=O LSNNMFCWUKXFEE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N D-gluconic acid Natural products OCC(O)C(O)C(O)C(O)C(O)=O RGHNJXZEOKUKBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N Dextrotartaric acid Chemical compound OC(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C(O)=O FEWJPZIEWOKRBE-JCYAYHJZSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLCDUOXHFNUCKK-UHFFFAOYSA-N N,N'-Dimethylthiourea Chemical compound CNC(=S)NC VLCDUOXHFNUCKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KFFQABQEJATQAT-UHFFFAOYSA-N N,N'-dibutylthiourea Chemical compound CCCCNC(=S)NCCCC KFFQABQEJATQAT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FLVIGYVXZHLUHP-UHFFFAOYSA-N N,N'-diethylthiourea Chemical compound CCNC(=S)NCC FLVIGYVXZHLUHP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FCSHMCFRCYZTRQ-UHFFFAOYSA-N N,N'-diphenylthiourea Chemical compound C=1C=CC=CC=1NC(=S)NC1=CC=CC=C1 FCSHMCFRCYZTRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FULZLIGZKMKICU-UHFFFAOYSA-N N-phenylthiourea Chemical compound NC(=S)NC1=CC=CC=C1 FULZLIGZKMKICU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M Propionate Chemical compound CCC([O-])=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- NWXOYVBJNOQJHX-UHFFFAOYSA-N SC(CO)CS.C(CCCCCCCS)S Chemical compound SC(CO)CS.C(CCCCCCCS)S NWXOYVBJNOQJHX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N Succinic acid Natural products OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N Tartaric acid Natural products [H+].[H+].[O-]C(=O)C(O)C(O)C([O-])=O FEWJPZIEWOKRBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N Tert-Butanol Chemical compound CC(C)(C)O DKGAVHZHDRPRBM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MNOILHPDHOHILI-UHFFFAOYSA-N Tetramethylthiourea Chemical compound CN(C)C(=S)N(C)C MNOILHPDHOHILI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 235000011054 acetic acid Nutrition 0.000 description 1
- KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N acetic acid trimethyl ester Natural products COC(C)=O KXKVLQRXCPHEJC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 1
- HTKFORQRBXIQHD-UHFFFAOYSA-N allylthiourea Chemical compound NC(=S)NCC=C HTKFORQRBXIQHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N alpha-hydroxysuccinic acid Natural products OC(=O)C(O)CC(O)=O BJEPYKJPYRNKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N anhydrous glutaric acid Natural products OC(=O)CCCC(O)=O JFCQEDHGNNZCLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N aqua regia Chemical compound Cl.O[N+]([O-])=O QZPSXPBJTPJTSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N butane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCCS(O)(=O)=O QDHFHIQKOVNCNC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BRXCDHOLJPJLLT-UHFFFAOYSA-N butane-2-sulfonic acid Chemical compound CCC(C)S(O)(=O)=O BRXCDHOLJPJLLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N butanedioic acid Chemical compound O[14C](=O)CC[14C](O)=O KDYFGRWQOYBRFD-NUQCWPJISA-N 0.000 description 1
- 229920006317 cationic polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 235000015165 citric acid Nutrition 0.000 description 1
- UFULAYFCSOUIOV-UHFFFAOYSA-N cysteamine Chemical compound NCCS UFULAYFCSOUIOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005238 degreasing Methods 0.000 description 1
- OKGXJRGLYVRVNE-UHFFFAOYSA-N diaminomethylidenethiourea Chemical compound NC(N)=NC(N)=S OKGXJRGLYVRVNE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 1
- CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M ethanesulfonate Chemical compound CCS([O-])(=O)=O CCIVGXIOQKPBKL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000001530 fumaric acid Substances 0.000 description 1
- 239000000174 gluconic acid Substances 0.000 description 1
- 235000012208 gluconic acid Nutrition 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229940045996 isethionic acid Drugs 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N maleic acid Chemical compound OC(=O)\C=C/C(O)=O VZCYOOQTPOCHFL-UPHRSURJSA-N 0.000 description 1
- 239000011976 maleic acid Substances 0.000 description 1
- 239000001630 malic acid Substances 0.000 description 1
- 229940099690 malic acid Drugs 0.000 description 1
- 235000011090 malic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960003151 mercaptamine Drugs 0.000 description 1
- LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N n'-hydroxy-2-propan-2-ylsulfonylethanimidamide Chemical compound CC(C)S(=O)(=O)CC(N)=NO LNOPIUAQISRISI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DQMWMUMCNOJLSI-UHFFFAOYSA-N n-carbamothioylbenzamide Chemical compound NC(=S)NC(=O)C1=CC=CC=C1 DQMWMUMCNOJLSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002825 nitriles Chemical class 0.000 description 1
- 150000005440 nitrobenzoic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- RJQRCOMHVBLQIH-UHFFFAOYSA-M pentane-1-sulfonate Chemical compound CCCCCS([O-])(=O)=O RJQRCOMHVBLQIH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 1
- KCXFHTAICRTXLI-UHFFFAOYSA-N propane-1-sulfonic acid Chemical compound CCCS(O)(=O)=O KCXFHTAICRTXLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HNDXKIMMSFCCFW-UHFFFAOYSA-N propane-2-sulphonic acid Chemical compound CC(C)S(O)(=O)=O HNDXKIMMSFCCFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- VLDHWMAJBNWALQ-UHFFFAOYSA-M sodium;1,3-benzothiazol-3-ide-2-thione Chemical compound [Na+].C1=CC=C2SC([S-])=NC2=C1 VLDHWMAJBNWALQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 description 1
- 239000011975 tartaric acid Substances 0.000 description 1
- 235000002906 tartaric acid Nutrition 0.000 description 1
- YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N tetrahydrofuran Natural products C=1C=COC=1 YLQBMQCUIZJEEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Chemical compound CC(N)=S YUKQRDCYNOVPGJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N thioacetamide Natural products CC(N)=O DLFVBJFMPXGRIB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000003396 thiol group Chemical group [H]S* 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/1803—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces
- C23C18/1824—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by chemical pretreatment
- C23C18/1837—Multistep pretreatment
- C23C18/1844—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/1601—Process or apparatus
- C23C18/1633—Process of electroless plating
- C23C18/1646—Characteristics of the product obtained
- C23C18/165—Multilayered product
- C23C18/1653—Two or more layers with at least one layer obtained by electroless plating and one layer obtained by electroplating
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Chemically Coating (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
Abstract
Description
(1)ポリチオール化合物を含有することを特徴とする無電解金属めっきのブリッジ防止液。
(2)配線基板の樹脂上に金属析出触媒を付与後、無電解銅めっきを行い、その後電気銅めっきを行い、次いで不要な銅皮膜をエッチングすることにより回路パターンを形成した後、上記無電解金属めっきのブリッジ防止液を作用させ、更にその回路上に無電解金属めっきを行うことを特徴とするプリント配線板のブリッジ防止方法。
(3)配線基板の樹脂上に金属析出触媒を付与後、無電解銅めっきを行い、その後電気銅めっきを行い、次いで不要な銅皮膜をエッチングすることにより回路パターンを形成し、その回路上に無電解金属めっきを行うプリント配線板の製造方法において、前記エッチングと無電解金属めっき工程の間に、配線基板の樹脂上に上記無電解金属めっきのブリッジ防止液を作用させることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
(4)配線基板の樹脂上に金属析出触媒を付与後、無電解銅めっきを行い、その後電気銅めっきを行い、次いで不要な銅皮膜をエッチングすることにより回路パターンを形成し、その回路上に無電解金属めっきを行うプリント配線板の製造方法において、前記エッチングと無電解金属めっき工程の間に、配線基板の樹脂上に金属析出触媒の除去液を作用させた後、更に上記無電解金属めっきのブリッジ防止液を作用させることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
(5)チオ尿素化合物を含有することを特徴とする金属析出触媒の除去液。
(6)金属析出触媒が付着した樹脂に、上記金属析出触媒の除去液を作用させることを特徴とする樹脂に付着した金属析出触媒の除去方法。
<本発明防止液>
(組成1)
1,2−エタンジチオール:0.1〜100g/L、好ましくは0.2〜50g/L
エタノール:1〜800g/L、好ましくは2〜500g/L
(組成2)
1,8−オクタンジチオール:0.1〜100g/L、好ましくは0.2〜50g/L
2−プロパノール:1〜800g/L、好ましくは2〜500g/L
(組成3)
3,6−ジオキサ−1,8−オクタンジチオール:0.1〜100g/L、好ましくは0.2〜50g/L
2−プロパノール:1〜800g/L、好ましくは2〜500g/L
<金属析出触媒の除去液>
(組成1)
チオ尿素:1〜140g/L、好ましくは10〜100g/L
硫酸:5〜700g/L、好ましくは10〜600g/L
(組成2)
N−メチルチオ尿素:1〜100g/L、好ましくは10〜70g/L
メタンスルホン酸:5〜700g/L、好ましくは10〜600g/L
(組成3)
チオ尿素:1〜140g/L、好ましくは10〜100g/L
硫酸:5〜700g/L、好ましくは10〜600g/L
リンゴ酸:5〜400g/L、好ましくは10〜300g/L
<金属析出触媒の除去液を含有する本発明防止液>
(組成1)
1,2−エタンジチオール:0.1〜100g/L、好ましくは0.2〜50g/L
エタノール:1〜800g/L、好ましくは2〜500g/L
チオ尿素:1〜140g/L、好ましくは10〜100g/L
硫酸:5〜700g/L、好ましくは10〜600g/L
(組成2)
1,8−オクタンジチオール:0.1〜100g/L、好ましくは0.2〜50g/L
2−プロパノール:1〜800g/L、好ましくは2〜500g/L
N−メチルチオ尿素:1〜100g/L、好ましくは10〜70g/L
メタンスルホン酸:5〜700g/L、好ましくは10〜600g/L
(組成3)
1,8−オクタンジチオール:0.1〜100g/L、好ましくは0.2〜50g/L
2−プロパノール:1〜800g/L、好ましくは2〜500g/L
チオ尿素:1〜140g/L、好ましくは10〜100g/L
硫酸:5〜700g/L、好ましくは10〜600g/L
リンゴ酸:5〜400g/L、好ましくは10〜300g/L
ブリッジ防止液の調製:
1,2−エタンジチオール2g/Lおよびエタノール100g/Lを含有する水溶液を調製し、これをブリッジ防止液とした。
ブリッジ防止液の調製:
1,8−オクタンジチオール2g/Lおよびエタノール100g/Lを含有する水溶液を調製し、これをブリッジ防止液とした。
ブリッジ防止液の調製:
3,6−ジオキサ−1,8−オクタンジチオール2g/Lおよびエタノール100g/Lを含有する水溶液を調製し、これをブリッジ防止液とした。
ブリッジ防止液の調製:
トリメチロールプロパントリス(3−メルカプトプロピオナート)2g/Lおよびエタノール100g/Lを含有する水溶液を調製し、これをブリッジ防止液とした。
ブリッジ防止液の調製:
2−メルカプトベンゾチアゾールナトリウム5g/Lおよび水酸化ナトリウム5g/Lを含有する水溶液を調製し、これをブリッジ防止液とした。
ブリッジ防止液の調製:
メルカプトエチルアミン10g/Lおよびエタノール100g/Lを含有する水溶液を調製し、これをブリッジ防止液とした。
ブリッジ防止試験:
実施例1〜4および比較例1〜2で調製したブリッジ防止液を用いて下記の方法により銅配線腐食性、触媒除去性およびブリッジ防止性を評価した。これらの結果を表1に示した。なお、下記の方法においてブリッジ防止液は50℃に加温したものを用い、処理(浸漬)時間は1分間である。
大きさ5×5cmのエポキシ樹脂製の基材に、無電解銅めっきを約0.3μm形成した。その後セミアディティブ法によりエポキシ樹脂製の基材上に、銅配線高さ約20μm、ライン/スペース(L/S)=20/20(μm)の銅配線パターンを形成し、これを試験片とした。この試験片を各ブリッジ防止液で処理後、銅配線の状態を走査型電子顕微鏡(SEM)で観察し、処理前の試験片と比較して以下の評価基準で評価した。
(評価) (内容)
◎ : 変化なし
○ : ほぼ変化なし
△ : やや腐食あり
× : 腐食あり
大きさ5×10cmのエポキシ樹脂製の基材に、以下の工程で無電解銅めっきを約0.3μm形成し、その後、7%硫酸、2%過酸化水素の水溶液に浸漬して無電解銅めっき皮膜を剥離し、エポキシ樹脂製の基材上に触媒が残存した状態のものを作製し、これを試験片とした。この試験片を各ブリッジ防止液で処理後、パラジウム残留量を測定し、未処理の試験片とのパラジウム残留量の差を、パラジウム除去率として算出し評価した。パラジウム残留量の測定は、試験片を、37質量%塩酸と68質量%硝酸を3:1の容量比で混合し作製した王水約50mLに5分間浸漬して、その王水を100mLメスフラスコにサンプリングし、次に試験片をイオン交換水で洗浄し、その洗浄水も100mLメスフラスコにサンプリングして、最後に100mLに正確にメスアップした水溶液中のパラジウム濃度を、原子吸光分析装置(AA240FS;Varian社製)により分析した。
クリーナー/コンディショナー(PB−117S)50℃、5分
↓
水洗
↓
ソフトエッチング(PB−228)30℃、2分
↓
水洗
↓
プリディップ(塩酸)30℃、1分
↓
パラジウム触媒付与(PB−318)30℃、5分
↓
アクセラレーター(PB−445)30℃、5分
↓
水洗
↓
無電解銅めっき(PB−503F)30℃、15分
(塩酸以外の薬品は何れも(株)JCU製)
エポキシ樹脂製の基材をセミアディティブ法により処理し、銅配線高さ約20μm、ライン/スペース(L/S)=15/15、20/20、25/25、30/30(μm)の3種類の銅配線パターンを有する試験片を作成した。この試験片を各ブリッジ防止液で処理後、これらの各試験片に対し、下記工程の無電解ニッケルめっきを施した。各試験片のパターン間のめっき析出状態を調べ、下記評価基準により評価した。また、ブリッジ防止液に浸漬しなかった試験片についても同様にめっき析出状態を調べ、同様に評価した。更に無電解ニッケルめっきの膜厚を測定した。
酸性脱脂(PB−242D)、45℃、5分
↓
水洗
↓
ソフトエッチ(SC−300)、30℃、1分
↓
水洗
↓
触媒付与(PB−305)、30℃、3分
↓
水洗
↓
無電解ニッケルめっき(PB−606)、80℃、20分
(硫酸以外の薬品は何れも(株)JCU製)
(評価) (内容)
◎ : ほとんど析出がない
○ : 部分的に析出がある(短絡はなし)
× : 析出が多い(短絡がある)
××: 全面的に析出がある
ブリッジ防止液の調製:
実施例1のブリッジ防止液に、更に、チオ尿素60g/Lおよびメタンスルホン酸200g/Lを含有させたブリッジ防止液を調製した。
ブリッジ防止液の調製:
実施例2のブリッジ防止液に、更に、N−メチルチオ尿素70g/Lおよびメタンスルホン酸600g/Lを含有させたブリッジ防止液を調製した。
ブリッジ防止液の調製:
実施例3のブリッジ防止液に、更に、N−メチルチオ尿素70g/Lおよびメタンスルホン酸600g/Lを含有させたブリッジ防止液を調製した。
ブリッジ防止液の調製:
実施例4のブリッジ防止液に、更に、チオ尿素60g/Lおよびメタンスルホン酸400g/Lを含有させたブリッジ防止液を調製した。
ブリッジ防止液の調製:
チオ尿素60g/Lおよびメタンスルホン酸200g/Lを含有する水溶液を調製し、これをブリッジ防止液とした。
ブリッジ防止液の調製:
比較例1のブリッジ防止液に、更に、チオ尿素60g/Lおよびメタンスルホン酸200g/Lを含有させたブリッジ防止液を調製した。
ブリッジ防止液の調製:
比較例2のブリッジ防止液に、更に、チオ尿素60g/Lおよびメタンスルホン酸200g/Lを含有させたブリッジ防止液を調製した。
ブリッジ防止試験:
実施例5〜8および比較例3〜5で調製したブリッジ防止液を用いて試験例1と同様にして銅配線腐食性、触媒除去性およびブリッジ防止性を評価した。これらの結果を表2に示した。
金属析出触媒の除去液の調製:
塩酸300g/Lおよび硝酸30g/Lを含有する水溶液を調製し、これを金属析出触媒の除去液とした。
金属析出触媒の除去液の調製:
チオ尿素60g/Lおよびメタンスルホン酸200g/Lを含有する水溶液を調製し、これを金属析出触媒の除去液とした。
金属析出触媒の除去液の調製:
N−メチルチオ尿素70g/Lおよびメタンスルホン酸600g/Lを含有する水溶液を調製し、これを金属析出触媒の除去液とした。
ブリッジ防止液の調製:
2−メルカプトベンゾチアゾールナトリウム5g/Lおよびエタノール100g/Lを含有する水溶液を調製し、これをブリッジ防止液とした。
ブリッジ防止試験:
実施例1〜3および比較例6で調製したブリッジ防止液と、実施例9〜11で調製した金属析出触媒の除去液を用いて試験例1と同様にして銅配線腐食性、触媒除去性およびブリッジ防止性を評価した。なお、金属析出触媒の除去液を用いた処理は、ブリッジ防止液を用いた処理の前に行った。また、この処理には、金属析出触媒の除去液を50℃に加温したものを用い、処理(浸漬)時間は1分間である。これらの結果を表3に示した。
以 上
Claims (14)
- ポリチオール化合物を含有することを特徴とする無電解金属めっきのブリッジ防止液。
- ポリチオール化合物が、ジチオール化合物、トリチオール化合物およびテトラチオール化合物から選ばれる1種または2種以上である請求項1記載の無電解金属めっきのブリッジ防止液。
- ジチオール化合物が、3,6−ジオキサ−1,8−オクタンジチオール、1,8−オクタンジチオール、2,3−ブタンジチオール、1,4−ブタンジチオール、1,2−プロパンジチオール、1,3−プロパンジチオール、1,2−エタンジチオール、2,3−ジメルカプト−1−プロパノール、ジチオエリトリトール、ビス(3−メルカプトブタン酸)テトラメチレンおよびエチレンビス(ジチオカルバミン酸)から選ばれる1種または2種以上である請求項2記載の無電解金属めっきのブリッジ防止液。
- トリチオール化合物が、トリメチロールプロパントリス(3−メルカプトプロピオナート)である請求項2記載の無電解金属めっきのブリッジ防止液。
- テトラチオール化合物が、ペンタエリトリトールテトラ(3−メルカプトプロピオナート)およびペンタエリトリトールテトラキス(3‐メルカプトブチラート)から選ばれる1種または2種以上である請求項2記載の無電解金属めっきのブリッジ防止液。
- 更に、有機溶媒を含有するものである請求項1〜5の何れかに記載の無電解金属めっきのブリッジ防止液。
- 更に、金属析出触媒の除去液を含有するものである請求項1〜6の何れかに記載の無電解金属めっきのブリッジ防止液。
- 金属析出触媒の除去液が、チオ尿素化合物、有機酸および無機酸から選ばれる1種または2種以上である請求項7記載の無電解金属めっきのブリッジ防止液。
- 配線基板の樹脂上に金属析出触媒を付与後、無電解銅めっきを行い、その後電気銅めっきを行い、次いで不要な銅皮膜をエッチングすることにより回路パターンを形成した後、請求項1〜8の何れかに記載の無電解金属めっきのブリッジ防止液を作用させ、更にその回路上に無電解金属めっきを行うことを特徴とするプリント配線板のブリッジ防止方法。
- 配線基板の樹脂上に金属析出触媒を付与後、無電解銅めっきを行い、その後電気銅めっきを行い、次いで不要な銅皮膜をエッチングすることにより回路パターンを形成し、その回路上に無電解金属めっきを行うプリント配線板の製造方法において、前記エッチングと無電解金属めっき工程の間に、配線基板の樹脂上に請求項1〜8の何れかに記載の無電解金属めっきのブリッジ防止液を作用させることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
- 配線基板の樹脂上に金属析出触媒を付与後、無電解銅めっきを行い、その後電気銅めっきを行い、次いで不要な銅皮膜をエッチングすることにより回路パターンを形成し、その回路上に無電解金属めっきを行うプリント配線板の製造方法において、前記エッチングと無電解金属めっき工程の間に、配線基板の樹脂上に金属析出触媒の除去液を作用させた後、更に請求項1〜8の何れかに記載の無電解金属めっきのブリッジ防止液を作用させることを特徴とするプリント配線板の製造方法。
- チオ尿素化合物を含有することを特徴とする金属析出触媒の除去液。
- 更に、有機酸および無機酸から選ばれる1種または2種以上を含有するものである請求項12記載の金属析出触媒の除去液。
- 金属析出触媒が付着した樹脂に、請求項12または13に記載の金属析出触媒の除去液を作用させることを特徴とする樹脂に付着した金属析出触媒の除去方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013127319 | 2013-06-18 | ||
JP2013127319 | 2013-06-18 | ||
PCT/JP2014/062551 WO2014203649A1 (ja) | 2013-06-18 | 2014-05-12 | 無電解金属めっきのブリッジ防止液およびこれを用いたプリント配線板の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2014203649A1 true JPWO2014203649A1 (ja) | 2017-02-23 |
JP6290206B2 JP6290206B2 (ja) | 2018-03-07 |
Family
ID=52104391
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2015522655A Active JP6290206B2 (ja) | 2013-06-18 | 2014-05-12 | 無電解金属めっきのブリッジ防止液およびこれを用いたプリント配線板の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6290206B2 (ja) |
KR (1) | KR20160021107A (ja) |
CN (1) | CN105264114A (ja) |
TW (1) | TWI586831B (ja) |
WO (1) | WO2014203649A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6429079B2 (ja) * | 2015-02-12 | 2018-11-28 | メック株式会社 | エッチング液及びエッチング方法 |
EP3059277B2 (en) * | 2015-02-23 | 2022-03-30 | MacDermid Enthone Inc. | Inhibitor composition for racks when using chrome free etches in a plating on plastics process |
JP2018076560A (ja) * | 2016-11-10 | 2018-05-17 | 株式会社Jcu | 無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒の除去液およびその用途 |
TW201930647A (zh) | 2017-12-22 | 2019-08-01 | 德商德國艾托特克公司 | 用於選擇性移除鈀之方法及處理組合物 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006316305A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 絶縁性配線基板の製造方法 |
JP2008106354A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-05-08 | Mec Kk | 金属除去液及びこれを用いた金属除去方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0613214B2 (ja) | 1990-09-04 | 1994-02-23 | 東伸工業株式会社 | 自動スクリーン捺染機におけるスクリーンの自動位置決め設定方法及び装置 |
JP2893998B2 (ja) | 1991-05-29 | 1999-05-24 | 日本電気株式会社 | ディジタル信号切替器 |
JP4351079B2 (ja) * | 2004-01-28 | 2009-10-28 | 荏原ユージライト株式会社 | 無電解金属めっきのブリッジ防止液およびこれを用いたプリント配線板の製造方法 |
JP5135572B2 (ja) * | 2005-10-29 | 2013-02-06 | 国立大学法人岩手大学 | 有機薄膜トランジスタ装置及びその製造方法並びに金属薄膜の形成方法 |
JP4820989B2 (ja) * | 2005-11-10 | 2011-11-24 | 国立大学法人岩手大学 | 電鋳金型の製造方法 |
TW200831710A (en) * | 2006-09-25 | 2008-08-01 | Mec Co Ltd | Metal removing solution and metal removing method using the same |
JP5620678B2 (ja) * | 2007-10-23 | 2014-11-05 | 宇部エクシモ株式会社 | 金属皮膜形成方法及び導電性粒子 |
US8974869B2 (en) * | 2010-01-26 | 2015-03-10 | Robert Hamilton | Method for improving plating on non-conductive substrates |
-
2014
- 2014-05-12 JP JP2015522655A patent/JP6290206B2/ja active Active
- 2014-05-12 KR KR1020157034594A patent/KR20160021107A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-05-12 CN CN201480032250.1A patent/CN105264114A/zh active Pending
- 2014-05-12 WO PCT/JP2014/062551 patent/WO2014203649A1/ja active Application Filing
- 2014-05-29 TW TW103118810A patent/TWI586831B/zh active
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006316305A (ja) * | 2005-05-11 | 2006-11-24 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 絶縁性配線基板の製造方法 |
JP2008106354A (ja) * | 2006-09-25 | 2008-05-08 | Mec Kk | 金属除去液及びこれを用いた金属除去方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20160021107A (ko) | 2016-02-24 |
TW201522705A (zh) | 2015-06-16 |
TWI586831B (zh) | 2017-06-11 |
WO2014203649A1 (ja) | 2014-12-24 |
JP6290206B2 (ja) | 2018-03-07 |
CN105264114A (zh) | 2016-01-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR101728654B1 (ko) | 무전해 도금을 위한 전처리 방법 | |
JP4445960B2 (ja) | 銅表面をエッチングするための溶液を製造する方法と銅表面に金属を堆積させる方法 | |
KR102428185B1 (ko) | 기판의 표면 상에 대한 금속 또는 금속 합금의 활성화를 포함하는 이의 전착 방법 | |
JP6290206B2 (ja) | 無電解金属めっきのブリッジ防止液およびこれを用いたプリント配線板の製造方法 | |
JP5398549B2 (ja) | 銅または銅合金用のエッチング液、エッチング前処理液およびエッチング方法 | |
CN107635676B (zh) | 无电镀敷的预处理方法 | |
KR100927068B1 (ko) | 에칭액과 보급액 및 이것을 사용한 도체 패턴의 형성 방법 | |
TW201235508A (en) | Autocatalytic plating bath composition for deposition of tin and tin alloys | |
JP2006316350A (ja) | 無電解ニッケルめっき用前処理液および無電解ニッケルめっきの前処理方法 | |
TWI444505B (zh) | 供銅及銅合金微蝕刻之組合物及方法 | |
JP5278725B2 (ja) | 接続端子の製造方法とその接続端子を用いた半導体チップ搭載用基板の製造方法 | |
JP2009117637A (ja) | 接続端子とその接続端子を用いた半導体チップ搭載用基板及び半導体チップ搭載用基板の製造方法並びに無電解めっきの前処理方法、無電解めっき方法 | |
KR20190068046A (ko) | 이온성 액체 전해질을 이용한 무전해 주석도금액 | |
JP4113846B2 (ja) | 樹脂表面に付着した金属析出触媒の除去液および除去方法ならびにこれを用いたプリント配線板の製造方法 | |
JP2018076560A (ja) | 無電解銅めっきおよび無電解銅めっきの析出に用いられた触媒の除去液およびその用途 | |
WO2011099597A1 (ja) | プリント配線板の製造方法 | |
JP4351079B2 (ja) | 無電解金属めっきのブリッジ防止液およびこれを用いたプリント配線板の製造方法 | |
TWI614370B (zh) | 用於無電電鍍之預處理方法 | |
TW202413722A (zh) | 銅晶種層去除用銅蝕刻液 | |
JP4797777B2 (ja) | 無電解ニッケルめっき用前処理液、無電解ニッケルめっきの前処理方法無電解ニッケルめっき方法、並びに、プリント配線板及び半導体チップ搭載用基板の製造方法 | |
CN116949437A (zh) | 一种铜表面化学镀银溶液及其制备方法和使用方法以及银镀层 | |
TW202424267A (zh) | 蝕刻液組、蝕刻方法以及導體圖案之形成方法 | |
WO2019122055A1 (en) | A method and treatment composition for selective removal of palladium | |
KR20210075151A (ko) | 표면 처리액 및 니켈 함유 재료의 표면 처리 방법 | |
KR20110012241A (ko) | 에칭 공정에서의 세정 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20161212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20171114 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171226 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20171226 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20180123 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20180207 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6290206 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |