JPWO2014148392A1 - 光発電装置 - Google Patents
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 477
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 445
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 339
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 215
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims abstract description 146
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 140
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 124
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 76
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 76
- 238000007733 ion plating Methods 0.000 claims description 37
- 229910021426 porous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000010248 power generation Methods 0.000 abstract description 61
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 45
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 33
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 30
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 28
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 28
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 28
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 27
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 27
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 21
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 21
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 21
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 21
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 18
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 18
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 15
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 15
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 15
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 15
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 15
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 15
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 15
- 238000001771 vacuum deposition Methods 0.000 description 15
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 12
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 12
- 241001422033 Thestylus Species 0.000 description 9
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 9
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 9
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 9
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 7
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 7
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 6
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 6
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 6
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 6
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 6
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 6
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 6
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 6
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 6
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 4
- 229910000577 Silicon-germanium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 3
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 3
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 239000005431 greenhouse gas Substances 0.000 description 3
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 3
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 3
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 3
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 3
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007645 offset printing Methods 0.000 description 3
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 3
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 3
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 3
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 3
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
- H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
- H01L31/0376—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including amorphous semiconductors
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- H01L31/02002—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations
- H01L31/02005—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
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- H01L31/0201—Arrangements for conducting electric current to or from the device in operations for device characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells or solar cell modules comprising specially adapted module bus-bar structures
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Abstract
Description
多層状の光発電素子と、該光発電素子の一方の面上に積層される第1の集電部材及び他方の面上に積層される第2の集電部材とを備え、
前記光発電素子が、n型結晶半導体基板と、該n型結晶半導体基板の前記第1の集電部材側にこの順で積層される第1の真性非晶質系シリコン薄膜、p型非晶質系シリコン薄膜及び第1の透明導電膜と、前記n型結晶半導体基板の前記第2の集電部材側にこの順で積層されるn型非晶質系シリコン薄膜及び第2の透明導電膜とを有する光発電装置において、前記p型非晶質系シリコン薄膜の膜厚が6nm未満であり、
前記第1の透明導電膜表面における前記第1の集電部材の非積層領域の最大幅が2mm未満である。
図1(A)、(B)に示すように、本発明の第1の実施の形態に係る光発電装置10は、光発電素子11と第1の集電部材12及び第2の集電部材13とを備えている。第1の集電部材12は光発電素子11の一方の面上(図1における上側)に積層されている。第2の集電部材13は光発電素子11の他方の面上(図1における下側)に積層されている。
図4に示すように、本発明の第2の実施の形態に係る光発電装置30は、光発電素子31と光発電素子31の上面及び下面にそれぞれ積層される第1の集電部材32及び第2の集電部材33を有している。光発電素子31は、n型結晶半導体基板34と、n型結晶半導体基板34の第1の集電部材32側にこの順に積層される第1の真性非晶質系シリコン薄膜35、p型非晶質系シリコン薄膜36及び第1の透明導電膜37と、n型結晶半導体基板34の第2の集電部材33側にこの順に積層されるn型非晶質系シリコン薄膜39及び第2の透明導電膜40とを備える層構造体である。光発電素子31は、第2の真性非晶質系シリコン薄膜を有さないこと以外は、図1の光発電素子11と同様である。すなわち、n型結晶半導体基板34、第1の真性非晶質系シリコン薄膜35、p型非晶質系シリコン薄膜36、第1の透明導電膜37、n型非晶質系シリコン薄膜39及び第2の透明導電膜40の形状、材質、成膜方法等は、それぞれ図1のn型結晶半導体基板14、第1の真性非晶質系シリコン薄膜15、p型非晶質系シリコン薄膜16、第1の透明導電膜17、n型非晶質系シリコン薄膜19及び第2の透明導電膜20と同様であるので詳しい説明を省略する。
本発明は前記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲でその構成を変更することもできる。例えば、図1の形状の光発電装置において、第2の集電部材は、バスバー電極とフィンガー電極とからなる構造ではなく、略全面(実質的に全面)に導電性材料が積層された金属膜からなる構造とすることもできる。この金属膜を形成する導電性材料としては、Ag、Al、Cu、Ni、Cr等の公知の金属やこれらの合金を挙げることができるが、赤外領域の波長において反射率が高いAgを用いることが好ましい。この金属膜の膜厚は、例えば100nm以上1000nm以下とすることができ、コスト低減のためには500nm未満とすることがさらに好ましい。前記金属膜は、真空蒸着法、スパッタ法等により成膜することができる。このようにすることで、第2の集電部材側の集電効率を高めることができる。この場合、第1の集電部材側が光入射面として用いられる。
Cz法で作製されたn型単結晶シリコン基板の一側に、第1の真性非晶質系シリコン薄膜、p型非晶質系シリコン薄膜及び第1の透明導電膜をこの順に積層した。第1の真性非晶質系シリコン薄膜は化学気相成長法により膜厚7nmに、p型非晶質系シリコン薄膜は化学気相成長法により膜厚5nmに、第1の透明導電膜はイオンプレーティング法により成膜した。
また、n型単結晶シリコン基板の他側に、第2の真性非晶質系シリコン薄膜、n型非晶質系シリコン薄膜及び第2の透明導電膜をこの順に積層した。第2の真性非晶質系シリコン薄膜は化学気相成長法により膜厚7nmに、n型非晶質系シリコン薄膜は化学気相成長法により膜厚5nmに、第2の透明導電膜はイオンプレーティング法により成膜した。第1及び第2の透明導電膜を構成する透明電極材料としては、IWOを用いた。
このようにして得られた光発電素子の両面にそれぞれ、集電部材として、平行な複数のバスバー電極と、このバスバー電極にそれぞれ直交する複数のフィンガー電極を形成した。この集電部材は、銀ペーストを用いて印刷により形成した。なお、p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)及びn型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔は、それぞれ以下の通りとした。このようにして、実施例1〜3及び比較例1、2の光発電装置を得た。フィンガー電極の幅は、50μm以上100μm未満とした。
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:2mm
比較例2:p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)の間隔:2mm
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:1.5mm
実施例1:p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)の間隔:1.5mm
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:2mm
実施例2:p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)の間隔:1.5mm
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:2.5mm
実施例3:p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)の間隔:1.5mm
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:3.0mm
p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)及びn型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔並びにp型非晶質系シリコン薄膜の膜厚を以下の通りとしたこと以外は、実施例1等と同様にして実施例4の光発電装置を得た。
p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)の間隔:1mm
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:2mm
p型非晶質系シリコン薄膜の膜厚(p layer thickness):1nm〜8nmの間で変化させた。なお、6nm以上は比較例である。
p型非晶質系シリコン薄膜側の第1の集電部材を、真空蒸着法により成膜して、100nmの厚みを有し、かつ表面の略全面を覆うようにして設けられたAgの金属膜とし、n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔並びにp型非晶質系シリコン薄膜の膜厚を以下の通りとし、n型非晶質系シリコン薄膜側に真性非晶質系シリコン薄膜は積層していないこと以外は、実施例1等と同様にして実施例5の光発電装置(図4に示す形状の光発電装置)を得た。
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:2mm
p型非晶質系シリコン薄膜の膜厚(p layer thickness):1nm〜8nmの間で変化させた。なお、6nm以上は比較例である。
比較例3:光閉じ込めのための凹凸加工が行われていない平滑なガラス基板上にイオンプレーティング法を用いてIWO膜:100nmを形成した。
比較例4:光閉じ込めのための凹凸加工が行われていない平滑なガラス基板上に、順にCVD法を用いてi型非晶質系シリコン薄膜:7nmとp型非晶質系シリコン薄膜:5nmとイオンプレーティング法を用いてIWO膜:100nmを形成した。
比較例5:光閉じ込めのための凹凸加工が行われていない平滑なガラス基板上に、順にCVD法を用いてi型非晶質系シリコン薄膜:7nmとn型非晶質系シリコン薄膜:5nmとイオンプレーティング法を用いてIWO膜:100nmを形成した。
比較例6:光閉じ込めのための凹凸加工が行われていない平滑なn型単結晶シリコン基板(200μm、1〜2Ωcm)上にイオンプレーティング法を用いてIWO膜:100nmを形成した。
比較例7:光閉じ込めのための凹凸加工が行われていない平滑なn型単結晶シリコン基板(200μm、1〜2Ωcm)上に、順にCVD法を用いてi型非晶質系シリコン薄膜:7nmとp型非晶質系シリコン薄膜:5nmとイオンプレーティング法を用いてIWO膜:100nmを形成した。
参考例1:光閉じ込めのための凹凸加工が行われていない平滑なn型単結晶シリコン基板(200μm、1〜2Ωcm)上に、順にCVD法を用いてi型非晶質系シリコン薄膜:7nmとn型非晶質系シリコン薄膜:5nmとイオンプレーティング法を用いてIWO膜:100nmを形成した。
各試験膜におけるシート抵抗の測定結果を表1に示す。
エピタキシャル成長法によって作製されたn型単結晶シリコン基板(厚さ150μm)を使用し、この基板に対するサーマルドナーキラーアニーリング工程を省いたこと以外は、実施例5と同様にして、実施例6の光発電素子を得た。なお、p型非晶質系シリコン薄膜の膜厚は5nmとした。サーマルドナーキラーアニーリング工程とは、n型単結晶シリコン基板中のサーマルドナーを除去する手法であり、低温プロセスのヘテロ接合素子では特に重要である。Cz法で作製されたn型単結晶シリコン基板を用いた他の実施例及び比較例においては、このサーマルドナーキラーアニーリング工程を行っている。この工程を省くことで更に製造コストの低減が図られる。得られた実施例6の光発電素子の最大出力(Pmax)は5.27W、フィルファクター(FF)は81%であった。
0.3〜6Ωcmの比抵抗を有するn型単結晶シリコン基板(Cz法)を用いて、実施例5と同様の方法で、光発電素子を得た。なお、p型非晶質系シリコン薄膜の膜厚は5nmとした。得られた各光発電素子のFF(曲線因子)とPmax(最大出力)の測定結果を図7(A)、(B)に示す。図7(A)に示されるように、比抵抗の増大とともにn層非晶質系シリコン薄膜形成面側の実効的な横方向の抵抗が増大し、FF(曲線因子)が減少する。図7(B)に示されるように、Pmax(最大出力)は、比抵抗の減少に伴うFF向上のメリットとバルクライフタイム減少のデメリットが競合するため、0.5〜5Ωcmの範囲が良好で、1〜3Ωcmの範囲が特に良好である。エピタキシャル基板は酸素欠陥が極めて少なく、ドーピングレベルでのみ比抵抗をコントロールできるため、この良好な範囲を精度よく狙うことができる。
多層状の光発電素子と、該光発電素子の一方の面上に積層される第1の集電部材及び他方の面上に積層される第2の集電部材とを備え、
前記光発電素子が、n型結晶半導体基板と、該n型結晶半導体基板の前記第1の集電部材側にこの順で積層される第1の真性非晶質系シリコン薄膜、p型非晶質系シリコン薄膜及び第1の透明導電膜と、前記n型結晶半導体基板の前記第2の集電部材側にこの順で積層されるn型非晶質系シリコン薄膜及び第2の透明導電膜とを有する光発電装置において、
前記p型非晶質系シリコン薄膜の膜厚が1nm以上5nm以下(但し5nmを除く)であり、
前記第1の透明導電膜表面における前記第1の集電部材が、互いに平行に形成される複数のバスバー電極(I)、及び該バスバー電極(I)に接続され、互いに平行に形成される複数のフィンガー電極(I)を有し、隣り合う前記フィンガー電極(I)の間隔が0.1mm以上2mm未満であり、
前記第2の透明導電膜の表面に設けられた前記第2の集電部材が、互いに平行に形成される複数のバスバー電極(II)、及び該バスバー電極(II)に接続され、互いに平行に形成される複数のフィンガー電極(II)を有し、隣り合う前記フィンガー電極(II)の間隔が2mmより大きく4mm以下とする。
(第1の実施の形態)
図1(A)、(B)に示すように、本発明の第1の実施の形態に係る光発電装置10は、光発電素子11と第1の集電部材12及び第2の集電部材13とを備えている。第1の集電部材12は光発電素子11の一方の面上(図1における上側)に積層されている。第2の集電部材13は光発電素子11の他方の面上(図1における下側)に積層されている。
図4に示すように、本発明の第2の実施の形態に係る光発電装置30は、光発電素子31と光発電素子31の上面及び下面にそれぞれ積層される第1の集電部材32及び第2の集電部材33を有している。光発電素子31は、n型結晶半導体基板34と、n型結晶半導体基板34の第1の集電部材32側にこの順に積層される第1の真性非晶質系シリコン薄膜35、p型非晶質系シリコン薄膜36及び第1の透明導電膜37と、n型結晶半導体基板34の第2の集電部材33側にこの順に積層されるn型非晶質系シリコン薄膜39及び第2の透明導電膜40とを備える層構造体である。光発電素子31は、第2の真性非晶質系シリコン薄膜を有さないこと以外は、図1の光発電素子11と同様である。すなわち、n型結晶半導体基板34、第1の真性非晶質系シリコン薄膜35、p型非晶質系シリコン薄膜36、第1の透明導電膜37、n型非晶質系シリコン薄膜39及び第2の透明導電膜40の形状、材質、成膜方法等は、それぞれ図1のn型結晶半導体基板14、第1の真性非晶質系シリコン薄膜15、p型非晶質系シリコン薄膜16、第1の透明導電膜17、n型非晶質系シリコン薄膜19及び第2の透明導電膜20と同様であるので詳しい説明を省略する。
本発明は前記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲でその構成を変更することもできる。例えば、図1の形状の光発電装置において、第2の集電部材は、バスバー電極とフィンガー電極とからなる構造ではなく、略全面(実質的に全面)に導電性材料が積層された金属膜からなる構造とすることもできる。この金属膜を形成する導電性材料としては、Ag、Al、Cu、Ni、Cr等の公知の金属やこれらの合金を挙げることができるが、赤外領域の波長において反射率が高いAgを用いることが好ましい。この金属膜の膜厚は、例えば100nm以上1000nm以下とすることができ、コスト低減のためには500nm未満とすることがさらに好ましい。前記金属膜は、真空蒸着法、スパッタ法等により成膜することができる。このようにすることで、第2の集電部材側の集電効率を高めることができる。この場合、第1の集電部材側が光入射面として用いられる。
Cz法で作製されたn型単結晶シリコン基板の一側に、第1の真性非晶質系シリコン薄膜、p型非晶質系シリコン薄膜及び第1の透明導電膜をこの順に積層した。第1の真性非晶質系シリコン薄膜は化学気相成長法により膜厚7nmに、p型非晶質系シリコン薄膜は化学気相成長法により膜厚5nmに、第1の透明導電膜はイオンプレーティング法により成膜した。
また、n型単結晶シリコン基板の他側に、第2の真性非晶質系シリコン薄膜、n型非晶質系シリコン薄膜及び第2の透明導電膜をこの順に積層した。第2の真性非晶質系シリコン薄膜は化学気相成長法により膜厚7nmに、n型非晶質系シリコン薄膜は化学気相成長法により膜厚5nmに、第2の透明導電膜はイオンプレーティング法により成膜した。第1及び第2の透明導電膜を構成する透明電極材料としては、IWOを用いた。
このようにして得られた光発電素子の両面にそれぞれ、集電部材として、平行な複数のバスバー電極と、このバスバー電極にそれぞれ直交する複数のフィンガー電極を形成した。この集電部材は、銀ペーストを用いて印刷により形成した。なお、p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)及びn型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔は、それぞれ以下の通りとした。このようにして、実施例1〜3及び比較例1、2の光発電装置を得た。フィンガー電極の幅は、50μm以上100μm未満とした。
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:2mm
比較例2:p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)の間隔:2mm
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:1.5mm
実施例1:p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)の間隔:1.5mm
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:2mm
実施例2:p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)の間隔:1.5mm
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:2.5mm
実施例3:p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)の間隔:1.5mm
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:3.0mm
p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)及びn型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔並びにp型非晶質系シリコン薄膜の膜厚を以下の通りとしたこと以外は、実施例1等と同様にして実施例4の光発電装置を得た。
p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)の間隔:1mm
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:2mm
p型非晶質系シリコン薄膜の膜厚(p layer thickness):1nm〜8
nmの間で変化させた。なお、6nm以上は比較例である。
p型非晶質系シリコン薄膜側の第1の集電部材を、真空蒸着法により成膜して、100nmの厚みを有し、かつ表面の略全面を覆うようにして設けられたAgの金属膜とし、n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔並びにp型非晶質系シリコン薄膜の膜厚を以下の通りとし、n型非晶質系シリコン薄膜側に真性非晶質系シリコン薄膜は積層していないこと以外は、実施例1等と同様にして実施例5の光発電装置(図4に示す形状の光発電装置)を得た。
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:2mm
p型非晶質系シリコン薄膜の膜厚(p layer thickness):1nm〜8nmの間で変化させた。なお、6nm以上は比較例である。
比較例3:光閉じ込めのための凹凸加工が行われていない平滑なガラス基板上にイオンプレーティング法を用いてIWO膜:100nmを形成した。
比較例4:光閉じ込めのための凹凸加工が行われていない平滑なガラス基板上に、順にCVD法を用いてi型非晶質系シリコン薄膜:7nmとp型非晶質系シリコン薄膜:5nmとイオンプレーティング法を用いてIWO膜:100nmを形成した。
比較例5:光閉じ込めのための凹凸加工が行われていない平滑なガラス基板上に、順にCVD法を用いてi型非晶質系シリコン薄膜:7nmとn型非晶質系シリコン薄膜:5nmとイオンプレーティング法を用いてIWO膜:100nmを形成した。
比較例6:光閉じ込めのための凹凸加工が行われていない平滑なn型単結晶シリコン基板(200μm、1〜2Ωcm)上にイオンプレーティング法を用いてIWO膜:100nmを形成した。
比較例7:光閉じ込めのための凹凸加工が行われていない平滑なn型単結晶シリコン基板(200μm、1〜2Ωcm)上に、順にCVD法を用いてi型非晶質系シリコン薄膜:7nmとp型非晶質系シリコン薄膜:5nmとイオンプレーティング法を用いてIWO膜:100nmを形成した。
参考例1:光閉じ込めのための凹凸加工が行われていない平滑なn型単結晶シリコン基板(200μm、1〜2Ωcm)上に、順にCVD法を用いてi型非晶質系シリコン薄膜:7nmとn型非晶質系シリコン薄膜:5nmとイオンプレーティング法を用いてIWO膜:100nmを形成した。
各試験膜におけるシート抵抗の測定結果を表1に示す。
エピタキシャル成長法によって作製されたn型単結晶シリコン基板(厚さ150μm)を使用し、この基板に対するサーマルドナーキラーアニーリング工程を省いたこと以外は、実施例5と同様にして、実施例6の光発電素子を得た。なお、p型非晶質系シリコン薄膜の膜厚は5nmとした。サーマルドナーキラーアニーリング工程とは、n型単結晶シリコン基板中のサーマルドナーを除去する手法であり、低温プロセスのヘテロ接合素子では特に重要である。Cz法で作製されたn型単結晶シリコン基板を用いた他の実施例及び比較例においては、このサーマルドナーキラーアニーリング工程を行っている。この工程を省くことで更に製造コストの低減が図られる。得られた実施例6の光発電素子の最大出力(Pmax)は5.27W、フィルファクター(FF)は81%であった。
0.3〜6Ωcmの比抵抗を有するn型単結晶シリコン基板(Cz法)を用いて、実施例5と同様の方法で、光発電素子を得た。なお、p型非晶質系シリコン薄膜の膜厚は5nmとした。得られた各光発電素子のFF(曲線因子)とPmax(最大出力)の測定結果を図7(A)、(B)に示す。図7(A)に示されるように、比抵抗の増大とともにn層非晶質系シリコン薄膜形成面側の実効的な横方向の抵抗が増大し、FF(曲線因子)が減少する。図7(B)に示されるように、Pmax(最大出力)は、比抵抗の減少に伴うFF向上のメリットとバルクライフタイム減少のデメリットが競合するため、0.5〜5Ωcmの範囲が良好で、1〜3Ωcmの範囲が特に良好である。エピタキシャル基板は酸素欠陥が極めて少なく、ドーピングレベルでのみ比抵抗をコントロールできるため、この良好な範囲を精度よく狙うことができる。
多層状の光発電素子と、該光発電素子の一方の面上に積層される第1の集電部材及び他方の面上に積層される第2の集電部材とを備え、
前記光発電素子が、n型結晶半導体基板と、該n型結晶半導体基板の前記第1の集電部材側にこの順で積層される第1の真性非晶質系シリコン薄膜、p型非晶質系シリコン薄膜及び第1の透明導電膜と、前記n型結晶半導体基板の前記第2の集電部材側にこの順で積層されるn型非晶質系シリコン薄膜及び第2の透明導電膜とを有し、
前記第1の透明導電膜表面における前記第1の集電部材が、互いに平行に形成される複数のバスバー電極(I)、及び該バスバー電極(I)に接続され、互いに平行に形成される複数のフィンガー電極(I)を有し、
前記第2の透明導電膜の表面に設けられた前記第2の集電部材が、互いに平行に形成される複数のバスバー電極(II)、及び該バスバー電極(II)に接続され、互いに平行に形成される複数のフィンガー電極(II)を有する光発電装置において、
前記p型非晶質系シリコン薄膜の膜厚を1nm以上5nm以下(但し5nmを除く)にすると共に、隣り合う前記フィンガー電極(I)の間隔を0.1mm以上2mm未満とし、
更に、前記n型非晶質系シリコン薄膜の膜厚を3nm以上10nm以下にして、隣り合う前記フィンガー電極(II)の間隔を2mmより大きく4mm以下とする。
(第1の実施の形態)
図1(A)、(B)に示すように、本発明の第1の実施の形態に係る光発電装置10は、光発電素子11と第1の集電部材12及び第2の集電部材13とを備えている。第1の集電部材12は光発電素子11の一方の面上(図1における上側)に積層されている。第2の集電部材13は光発電素子11の他方の面上(図1における下側)に積層されている。
図4に示すように、本発明の第2の実施の形態に係る光発電装置30は、光発電素子31と光発電素子31の上面及び下面にそれぞれ積層される第1の集電部材32及び第2の集電部材33を有している。光発電素子31は、n型結晶半導体基板34と、n型結晶半導体基板34の第1の集電部材32側にこの順に積層される第1の真性非晶質系シリコン薄膜35、p型非晶質系シリコン薄膜36及び第1の透明導電膜37と、n型結晶半導体基板34の第2の集電部材33側にこの順に積層されるn型非晶質系シリコン薄膜39及び第2の透明導電膜40とを備える層構造体である。光発電素子31は、第2の真性非晶質系シリコン薄膜を有さないこと以外は、図1の光発電素子11と同様である。すなわち、n型結晶半導体基板34、第1の真性非晶質系シリコン薄膜35、p型非晶質系シリコン薄膜36、第1の透明導電膜37、n型非晶質系シリコン薄膜39及び第2の透明導電膜40の形状、材質、成膜方法等は、それぞれ図1のn型結晶半導体基板14、第1の真性非晶質系シリコン薄膜15、p型非晶質系シリコン薄膜16、第1の透明導電膜17、n型非晶質系シリコン薄膜19及び第2の透明導電膜20と同様であるので詳しい説明を省略する。
本発明は前記した実施の形態に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲でその構成を変更することもできる。例えば、図1の形状の光発電装置において、第2の集電部材は、バスバー電極とフィンガー電極とからなる構造ではなく、略全面(実質的に全面)に導電性材料が積層された金属膜からなる構造とすることもできる。この金属膜を形成する導電性材料としては、Ag、Al、Cu、Ni、Cr等の公知の金属やこれらの合金を挙げることができるが、赤外領域の波長において反射率が高いAgを用いることが好ましい。この金属膜の膜厚は、例えば100nm以上1000nm以下とすることができ、コスト低減のためには500nm未満とすることがさらに好ましい。前記金属膜は、真空蒸着法、スパッタ法等により成膜することができる。このようにすることで、第2の集電部材側の集電効率を高めることができる。この場合、第1の集電部材側が光入射面として用いられる。
Cz法で作製されたn型単結晶シリコン基板の一側に、第1の真性非晶質系シリコン薄膜、p型非晶質系シリコン薄膜及び第1の透明導電膜をこの順に積層した。第1の真性非晶質系シリコン薄膜は化学気相成長法により膜厚7nmに、p型非晶質系シリコン薄膜は化学気相成長法により膜厚5nmに、第1の透明導電膜はイオンプレーティング法により成膜した。
また、n型単結晶シリコン基板の他側に、第2の真性非晶質系シリコン薄膜、n型非晶質系シリコン薄膜及び第2の透明導電膜をこの順に積層した。第2の真性非晶質系シリコン薄膜は化学気相成長法により膜厚7nmに、n型非晶質系シリコン薄膜は化学気相成長法により膜厚5nmに、第2の透明導電膜はイオンプレーティング法により成膜した。第1及び第2の透明導電膜を構成する透明電極材料としては、IWOを用いた。
このようにして得られた光発電素子の両面にそれぞれ、集電部材として、平行な複数のバスバー電極と、このバスバー電極にそれぞれ直交する複数のフィンガー電極を形成した。この集電部材は、銀ペーストを用いて印刷により形成した。なお、p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)及びn型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔は、それぞれ以下の通りとした。このようにして、実施例1〜3及び比較例1、2の光発電装置を得た。フィンガー電極の幅は、50μm以上100μm未満とした。
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:2mm
比較例2:p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)の間隔:2mm
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:1.5mm
実施例1:p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)の間隔:1.5mm
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:2mm
実施例2:p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)の間隔:1.5mm
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:2.5mm
実施例3:p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)の間隔:1.5mm
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:3.0mm
p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)及びn型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔並びにp型非晶質系シリコン薄膜の膜厚を以下の通りとしたこと以外は、実施例1等と同様にして実施例4の光発電装置を得た。
p型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(I)の間隔:1mm
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:2mm
p型非晶質系シリコン薄膜の膜厚(p layer thickness):1nm〜8
nmの間で変化させた。なお、6nm以上は比較例である。
p型非晶質系シリコン薄膜側の第1の集電部材を、真空蒸着法により成膜して、100nmの厚みを有し、かつ表面の略全面を覆うようにして設けられたAgの金属膜とし、n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔並びにp型非晶質系シリコン薄膜の膜厚を以下の通りとし、n型非晶質系シリコン薄膜側に真性非晶質系シリコン薄膜は積層していないこと以外は、実施例1等と同様にして実施例5の光発電装置(図4に示す形状の光発電装置)を得た。
n型非晶質系シリコン薄膜側のフィンガー電極(II)の間隔:2mm
p型非晶質系シリコン薄膜の膜厚(p layer thickness):1nm〜8nmの間で変化させた。なお、6nm以上は比較例である。
比較例3:光閉じ込めのための凹凸加工が行われていない平滑なガラス基板上にイオンプレーティング法を用いてIWO膜:100nmを形成した。
比較例4:光閉じ込めのための凹凸加工が行われていない平滑なガラス基板上に、順にCVD法を用いてi型非晶質系シリコン薄膜:7nmとp型非晶質系シリコン薄膜:5nmとイオンプレーティング法を用いてIWO膜:100nmを形成した。
比較例5:光閉じ込めのための凹凸加工が行われていない平滑なガラス基板上に、順にCVD法を用いてi型非晶質系シリコン薄膜:7nmとn型非晶質系シリコン薄膜:5nmとイオンプレーティング法を用いてIWO膜:100nmを形成した。
比較例6:光閉じ込めのための凹凸加工が行われていない平滑なn型単結晶シリコン基板(200μm、1〜2Ωcm)上にイオンプレーティング法を用いてIWO膜:100nmを形成した。
比較例7:光閉じ込めのための凹凸加工が行われていない平滑なn型単結晶シリコン基板(200μm、1〜2Ωcm)上に、順にCVD法を用いてi型非晶質系シリコン薄膜:7nmとp型非晶質系シリコン薄膜:5nmとイオンプレーティング法を用いてIWO膜:100nmを形成した。
参考例1:光閉じ込めのための凹凸加工が行われていない平滑なn型単結晶シリコン基板(200μm、1〜2Ωcm)上に、順にCVD法を用いてi型非晶質系シリコン薄膜:7nmとn型非晶質系シリコン薄膜:5nmとイオンプレーティング法を用いてIWO膜:100nmを形成した。
各試験膜におけるシート抵抗の測定結果を表1に示す。
エピタキシャル成長法によって作製されたn型単結晶シリコン基板(厚さ150μm)を使用し、この基板に対するサーマルドナーキラーアニーリング工程を省いたこと以外は、実施例5と同様にして、実施例6の光発電素子を得た。なお、p型非晶質系シリコン薄膜の膜厚は5nmとした。サーマルドナーキラーアニーリング工程とは、n型単結晶シリコン基板中のサーマルドナーを除去する手法であり、低温プロセスのヘテロ接合素子では特に重要である。Cz法で作製されたn型単結晶シリコン基板を用いた他の実施例及び比較例においては、このサーマルドナーキラーアニーリング工程を行っている。この工程を省くことで更に製造コストの低減が図られる。得られた実施例6の光発電素子の最大出力(Pmax)は5.27W、フィルファクター(FF)は81%であった。
0.3〜6Ωcmの比抵抗を有するn型単結晶シリコン基板(Cz法)を用いて、実施例5と同様の方法で、光発電素子を得た。なお、p型非晶質系シリコン薄膜の膜厚は5nmとした。得られた各光発電素子のFF(曲線因子)とPmax(最大出力)の測定結果を図7(A)、(B)に示す。図7(A)に示されるように、比抵抗の増大とともにn層非晶質系シリコン薄膜形成面側の実効的な横方向の抵抗が増大し、FF(曲線因子)が減少する。図7(B)に示されるように、Pmax(最大出力)は、比抵抗の減少に伴うFF向上のメリットとバルクライフタイム減少のデメリットが競合するため、0.5〜5Ωcmの範囲が良好で、1〜3Ωcmの範囲が特に良好である。エピタキシャル基板は酸素欠陥が極めて少なく、ドーピングレベルでのみ比抵抗をコントロールできるため、この良好な範囲を精度よく狙うことができる。
Claims (14)
- 多層状の光発電素子と、該光発電素子の一方の面上に積層される第1の集電部材及び他方の面上に積層される第2の集電部材とを備え、
前記光発電素子が、n型結晶半導体基板と、該n型結晶半導体基板の前記第1の集電部材側にこの順で積層される第1の真性非晶質系シリコン薄膜、p型非晶質系シリコン薄膜及び第1の透明導電膜と、前記n型結晶半導体基板の前記第2の集電部材側にこの順で積層されるn型非晶質系シリコン薄膜及び第2の透明導電膜とを有する光発電装置において、前記p型非晶質系シリコン薄膜の膜厚が6nm未満であり、
前記第1の透明導電膜表面における前記第1の集電部材の非積層領域の最大幅が2mm未満であることを特徴とする光発電装置。 - 請求項1記載の光発電装置において、前記第1の透明導電膜がイオンプレーティング法により形成されていることを特徴とする光発電装置。
- 請求項1又は2記載の光発電装置において、前記p型非晶質系シリコン薄膜の膜厚が1nm以上であることを特徴とする光発電装置。
- 請求項1〜3のいずれか1項に記載の光発電装置において、前記第2の集電部材が、互いに平行に形成される複数のバスバー電極(II)、及び該バスバー電極(II)に接続され、互いに平行に形成される複数のフィンガー電極(II)を有し、
前記フィンガー電極(II)の間隔が2mmより大きいことを特徴とする光発電装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の光発電装置において、前記第1の集電部材が、互いに平行に形成される複数のバスバー電極(I)、及び該バスバー電極(I)に接続され、互いに平行に形成される複数のフィンガー電極(I)を有し、
前記フィンガー電極(I)の間隔が前記非積層領域の最大幅となることを特徴とする光発電装置。 - 請求項1〜4のいずれか1項に記載の光発電装置において、前記第1の集電部材が金属膜であることを特徴とする光発電装置。
- 請求項6記載の光発電装置において、前記金属膜の膜厚が100nm以上500nm未満であることを特徴とする光発電装置。
- 請求項1〜7のいずれか1項に記載の光発電装置において、前記第2の集電部材側が光入射面として用いられることを特徴とする光発電装置。
- 請求項1〜5のいずれか1項に記載の光発電装置において、前記第1の集電部材側が光入射面として用いられることを特徴とする光発電装置。
- 請求項1〜9のいずれか1項に記載の光発電装置において、前記n型結晶半導体基板と前記n型非晶質系シリコン薄膜との間に積層される第2の真性非晶質系シリコン薄膜を有することを特徴とする光発電装置。
- 請求項1〜10のいずれか1項に記載の光発電装置において、前記n型結晶半導体基板がエピタキシャル成長法によって作製されていることを特徴とする光発電装置。
- 請求項1〜11のいずれか1項に記載の光発電装置において、前記n型結晶半導体基板の比抵抗が0.5Ωcm以上5Ωcm以下であることを特徴とする光発電装置。
- 請求項1〜12のいずれか1項に記載の光発電装置において、前記n型結晶半導体基板の厚さが50μm以上200μm以下であることを特徴とする光発電装置。
- 請求項13記載の光発電装置において、前記n型結晶半導体基板の厚さが80μm以上150μm以下であることを特徴とする光発電装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2014527413A JP5755372B2 (ja) | 2013-03-19 | 2014-03-14 | 光発電装置 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2013056713 | 2013-03-19 | ||
JP2013056713 | 2013-03-19 | ||
JP2014527413A JP5755372B2 (ja) | 2013-03-19 | 2014-03-14 | 光発電装置 |
PCT/JP2014/056939 WO2014148392A1 (ja) | 2013-03-19 | 2014-03-14 | 光発電装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP5755372B2 JP5755372B2 (ja) | 2015-07-29 |
JPWO2014148392A1 true JPWO2014148392A1 (ja) | 2017-02-16 |
Family
ID=51580076
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2014527413A Expired - Fee Related JP5755372B2 (ja) | 2013-03-19 | 2014-03-14 | 光発電装置 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20160300967A1 (ja) |
EP (1) | EP2978028A4 (ja) |
JP (1) | JP5755372B2 (ja) |
KR (1) | KR20150132545A (ja) |
CN (1) | CN105103307B (ja) |
AU (1) | AU2014239715A1 (ja) |
TW (1) | TW201448245A (ja) |
WO (1) | WO2014148392A1 (ja) |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016084299A1 (ja) * | 2014-11-28 | 2016-06-02 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 太陽電池セル及び太陽電池モジュール |
JP6476015B2 (ja) * | 2015-03-06 | 2019-02-27 | シャープ株式会社 | 光電変換素子およびその製造方法 |
CN107634111A (zh) * | 2016-07-15 | 2018-01-26 | 新日光能源科技股份有限公司 | 太阳能电池 |
JP7064823B2 (ja) * | 2016-08-31 | 2022-05-11 | 株式会社マテリアル・コンセプト | 太陽電池及びその製造方法 |
TWI617041B (zh) * | 2016-12-02 | 2018-03-01 | 財團法人金屬工業研究發展中心 | 矽基異質接面太陽能電池及其製造方法 |
KR101799580B1 (ko) | 2016-12-16 | 2017-11-20 | 엘지전자 주식회사 | 이종 접합 태양전지 |
KR102459719B1 (ko) * | 2017-06-14 | 2022-10-27 | 상라오 징코 솔라 테크놀러지 디벨롭먼트 컴퍼니, 리미티드 | 태양 전지, 태양전지 모듈과 그 제조 방법 |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2573498B1 (fr) | 1984-11-21 | 1987-02-27 | Bendix France | Frein a disque |
JP2001274427A (ja) * | 2000-03-28 | 2001-10-05 | Sanyo Electric Co Ltd | 光起電力素子及びその製造方法 |
US7619159B1 (en) * | 2002-05-17 | 2009-11-17 | Ugur Ortabasi | Integrating sphere photovoltaic receiver (powersphere) for laser light to electric power conversion |
JP4229858B2 (ja) * | 2004-03-16 | 2009-02-25 | 三洋電機株式会社 | 光電変換装置 |
US20070235077A1 (en) * | 2006-03-27 | 2007-10-11 | Kyocera Corporation | Solar Cell Module and Manufacturing Process Thereof |
WO2008045511A2 (en) * | 2006-10-11 | 2008-04-17 | Gamma Solar | Photovoltaic solar module comprising bifacial solar cells |
JP5526461B2 (ja) * | 2007-03-19 | 2014-06-18 | 三洋電機株式会社 | 光起電力装置 |
US8048754B2 (en) * | 2008-09-29 | 2011-11-01 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Method for manufacturing SOI substrate and method for manufacturing single crystal semiconductor layer |
JP5384224B2 (ja) * | 2009-06-29 | 2014-01-08 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池 |
JP5031007B2 (ja) * | 2009-09-07 | 2012-09-19 | 三洋電機株式会社 | 光起電力素子 |
WO2011034141A1 (ja) * | 2009-09-18 | 2011-03-24 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池、太陽電池モジュールおよび太陽電池システム |
JP5535709B2 (ja) * | 2010-03-19 | 2014-07-02 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池、その太陽電池を用いた太陽電池モジュール及び太陽電池の製造方法 |
JP5379767B2 (ja) * | 2010-09-02 | 2013-12-25 | PVG Solutions株式会社 | 太陽電池セルおよびその製造方法 |
JP5269014B2 (ja) * | 2010-09-08 | 2013-08-21 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池モジュール |
JP2012158273A (ja) * | 2011-02-02 | 2012-08-23 | Panasonic Corp | 太陽電池を搭載した自転車 |
-
2014
- 2014-03-14 CN CN201480017109.4A patent/CN105103307B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2014-03-14 JP JP2014527413A patent/JP5755372B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2014-03-14 EP EP14769613.2A patent/EP2978028A4/en not_active Withdrawn
- 2014-03-14 KR KR1020157029978A patent/KR20150132545A/ko not_active Application Discontinuation
- 2014-03-14 WO PCT/JP2014/056939 patent/WO2014148392A1/ja active Application Filing
- 2014-03-14 US US14/777,800 patent/US20160300967A1/en not_active Abandoned
- 2014-03-14 AU AU2014239715A patent/AU2014239715A1/en not_active Abandoned
- 2014-03-18 TW TW103110139A patent/TW201448245A/zh unknown
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160300967A1 (en) | 2016-10-13 |
WO2014148392A1 (ja) | 2014-09-25 |
KR20150132545A (ko) | 2015-11-25 |
TW201448245A (zh) | 2014-12-16 |
EP2978028A4 (en) | 2016-10-26 |
AU2014239715A1 (en) | 2015-11-05 |
EP2978028A1 (en) | 2016-01-27 |
JP5755372B2 (ja) | 2015-07-29 |
CN105103307B (zh) | 2017-05-24 |
CN105103307A (zh) | 2015-11-25 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20150512 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20150526 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5755372 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |