JPWO2014046040A1 - スパッタリングターゲット - Google Patents
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- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 60
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 23
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 230000010354 integration Effects 0.000 claims abstract description 7
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 6
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910020599 Co 3 O 4 Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 abstract description 31
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 abstract description 9
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 79
- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 description 30
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 21
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 15
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 12
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 12
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 11
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 9
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 7
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 7
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 7
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 7
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 6
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 6
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 5
- 239000003302 ferromagnetic material Substances 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 3
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000004663 powder metallurgy Methods 0.000 description 3
- 230000008569 process Effects 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 3
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 2
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 2
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 2
- 239000004570 mortar (masonry) Substances 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 1
- 238000001513 hot isostatic pressing Methods 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000006249 magnetic particle Substances 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- 238000010298 pulverizing process Methods 0.000 description 1
- 239000003870 refractory metal Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/34—Gas-filled discharge tubes operating with cathodic sputtering
- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
- H01J37/3429—Plural materials
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
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- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
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- C23C14/3414—Metallurgical or chemical aspects of target preparation, e.g. casting, powder metallurgy
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- G—PHYSICS
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- H—ELECTRICITY
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- H01J37/3411—Constructional aspects of the reactor
- H01J37/3414—Targets
- H01J37/3426—Material
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- H01J2237/00—Discharge tubes exposing object to beam, e.g. for analysis treatment, etching, imaging
- H01J2237/32—Processing objects by plasma generation
- H01J2237/33—Processing objects by plasma generation characterised by the type of processing
- H01J2237/332—Coating
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Organic Chemistry (AREA)
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- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
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Abstract
Ｃｏを含有する金属マトリックス相と、粒子を形成して分散して存在する６〜２５ｍｏｌ％の酸化物の相（以下、「酸化物相」という。）から構成されるスパッタリングターゲットであって、ＸＲＤの単一ピークの中で最も高いピークの積分幅が０．７以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。スパッタリング時の初期パーティクルの発生を抑制してバーンイン時間を低減するとともに、スパッタする際に安定した放電が得られる非磁性材粒子分散型スパッタリングターゲットを提供する。【選択図】 なし
Description
本発明は、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特に垂直磁気記録方式を採用したハードディスクの磁気記録層の成膜に使用されるスパッタリングターゲットに関し、初期パーティクルが少なく、スパッタする際に安定した放電が得られる非磁性材粒子分散型スパッタリングターゲットに関する。
ハードディスクドライブに代表される磁気記録の分野では、記録を担う磁性薄膜の材料として、強磁性金属であるＣｏ、Ｆｅ、あるいはＮｉをベースとした材料が用いられている。例えば、面内磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層には、Ｃｏを主成分とするＣｏ−Ｃｒ系やＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の強磁性合金が用いられてきた。
また、近年実用化された垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層には、Ｃｏを主成分とするＣｏ−Ｃｒ系又はＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の強磁性合金と非磁性の無機物からなる複合材料が多く用いられている。
また、近年実用化された垂直磁気記録方式を採用するハードディスクの記録層には、Ｃｏを主成分とするＣｏ−Ｃｒ系又はＣｏ−Ｃｒ−Ｐｔ系の強磁性合金と非磁性の無機物からなる複合材料が多く用いられている。
そしてハードディスクなどの磁気記録媒体の磁性薄膜は、生産性の高さから、上記の材料を成分とする強磁性材スパッタリングターゲットをスパッタリングして作製されることが多い。
このような強磁性材スパッタリングターゲットの作製方法としては、溶解法や粉末冶金法が考えられる。どちらの手法で作製するかは、要求される特性によるので一概には言えないが、垂直磁気記録方式のハードディスクの記録層に使用される、強磁性合金と非磁性の無機物粒子からなるスパッタリングターゲットは、一般に粉末冶金法によって作製されている。これは無機物粒子を合金素地中に均一に分散させる必要があるため、溶解法では作製することが困難だからである。
例えば、Ｃｏ粉末とＣｒ粉末とＴｉＯ２粉末とＳｉＯ２粉末を混合して得られた混合粉末とＣｏ球形粉末を遊星運動型ミキサーで混合し、この混合粉をホットプレスにより成形し磁気記録媒体用スパッタリングターゲットを得る方法が提案されている（特許文献１）。
この場合のターゲット組織は、無機物粒子が分散した金属素地である相（Ａ）の中に、周囲の組織より透磁率が高い球形の金属相（Ｂ）を有している様子が見える（特許文献１の図１）。このような組織は、漏洩磁束向上の点では優れているが、スパッタ時のパーティクルの発生抑制の点からは、やや問題があると言える。
一般に、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔなどの金属とＳｉＯ２などの酸化物を含有する磁性材ターゲットの場合、ターゲット表面に露出する酸化物相が機械加工により、欠けやむしれなどダメージを受けていると、スパッタリング時にパーティクル発生が増加するという問題があった。それを解決するために、従来は表面粗さが小さくなる加工方法が多く用いられていた。
酸化物を含有しない単元素からなるスパッタリングターゲットの場合には、初期パーティクル低減のために加工歪みを非機械加工（エッチング等）により除去する方法がある。しかし、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔなどの合金からなり、さらにＳｉＯ２などの酸化物を含有する磁性材ターゲットの場合は、うまくエッチングが進まない問題があるため、単元素のターゲット製造と同様の表面粗さの改善を行うことはできなかった。
従来技術を見ると、特許文献２には、スパッタリングターゲットの表面粗さＲａ≦１．０μｍ、汚染物質である主成分および合金成分以外の高融点金属元素ならびにＳｉ、Ａｌ、Ｃｏ、Ｎｉ、Ｂの総量を５００ｐｐｍ以下、表面の水素含有量を５０ｐｐｍ以下、加工変質層の厚さを５０μｍ以下とするスパッタリングターゲットであり、必要により特にダイアモンドバイトを用いて精密切削し該ターゲットを製造する技術が開示され、これによりスパッタリングにより基板に形成した膜の厚さの均一化を図るとともに、スパッタリング時におけるノジュールの生成を抑制してパーティクルの発生を抑える技術が開示されている。この場合には、酸化物からなる非磁性粒子の存在がないので、表面加工が容易であり、パーティクルの抑止効果は、比較的容易である。しかし、本願発明の企図する発明には利用できないという問題がある。
特許文献３には、ＣｏおよびＰｔを含むマトリックス相と、金属酸化物相とからなるスパッタリングターゲットであって、透磁率が６〜１５、相対密度が９０％以上である磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
また、前記スパッタリングターゲットの表面を走査型分析電子顕微鏡で観察した際における、前記マトリックス相が形成する粒子の平均粒径、および前記金属酸化物相が形成する粒子の平均粒径がともに０．０５μｍ以上７．０μｍ未満であり、かつ前記マトリックス相が形成する粒子の平均粒径が、前記金属酸化物相が形成する粒子の平均粒径よりも大きい前記磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
さらに、Ｘ線回折分析において、式（Ｉ）で表されるＸ 線回折ピーク強度比が０．７〜１．０である前記磁気記録膜用スパッタリングターゲット、が開示されている。
この場合の式（Ｉ）で示されるＸ線回折ピーク強度比というのは、Ｃｏの［００２］面のＸ線回折ピーク強度を（［１０３］面のＸ線回折ピーク強度＋［００２］面のＸ線回折ピーク強度）で除した比を示すもので、本願発明の企図する発明には利用できない。
また、前記スパッタリングターゲットの表面を走査型分析電子顕微鏡で観察した際における、前記マトリックス相が形成する粒子の平均粒径、および前記金属酸化物相が形成する粒子の平均粒径がともに０．０５μｍ以上７．０μｍ未満であり、かつ前記マトリックス相が形成する粒子の平均粒径が、前記金属酸化物相が形成する粒子の平均粒径よりも大きい前記磁気記録膜用スパッタリングターゲット。
さらに、Ｘ線回折分析において、式（Ｉ）で表されるＸ 線回折ピーク強度比が０．７〜１．０である前記磁気記録膜用スパッタリングターゲット、が開示されている。
この場合の式（Ｉ）で示されるＸ線回折ピーク強度比というのは、Ｃｏの［００２］面のＸ線回折ピーク強度を（［１０３］面のＸ線回折ピーク強度＋［００２］面のＸ線回折ピーク強度）で除した比を示すもので、本願発明の企図する発明には利用できない。
特許文献４には、表面変形層を除去して、スパッタリング時のバーンイン時間の短縮を実現する、スパッタリングターゲット表面を処理する方法であって、前記ターゲット表面を粘弾性研磨媒体(VEAM)と接触させ、前記ターゲット表面と前記媒体との間に相対運動を行わせることによって、前記ターゲット表面を押出しホーンポリッシュすること、を特徴とする方法が開示されている。これには、表面変形層を除去するという狙いはあるが、この場合のターゲット材は、いずれも金属材料であり、酸化物からなる非磁性粒子の存在がないので、表面加工が容易であり、パーティクルの抑止効果は比較的容易である。しかし、酸化物からなる非磁性粒子が存在する発明には利用できないという問題がある。
上記の通り、Ｃｏ、Ｃｒ、Ｐｔなどの金属とＳｉＯ２などの酸化物を含有する磁性材ターゲットの場合、ターゲット表面に露出する酸化物相が機械加工により、欠けやむしれなどダメージを受けていると、スパッタリング時にパーティクル発生が増加するという問題があり、またこの機械加工が原因となる酸化物相の欠けやむしれを解決できたとしても、表面加工に伴う残留歪がターゲットに存在し、これもパーティクル発生の原因となった。しかし、この残留加工歪の把握が十分でないために、表面加工方法及び加工の精度に影響を与え、パーティクル発生の根本的解決に至らなかった。
上記の課題を解決するために、本発明者らは鋭意研究を行った結果、スパッタリングターゲットの残留加工歪を低減させ、ターゲットの残留加工歪をＸＲＤで調査し、ＸＲＤの単一ピークの中で最も高いピークの積分幅を一定限以下になるようにすることにより、スパッタリング時の初期パーティクルの発生を抑制してバーンイン時間を大きく低減することが可能となり、スパッタする際に安定した放電が得られる非磁性材粒子分散型スパッタリングターゲットを提供することができることを見出した。
このような知見に基づき、本発明は、
１）Ｃｏを含有する金属マトリックス相と、粒子を形成して分散して存在する６〜２５ｍｏｌ％の酸化物の相（以下、「酸化物相」という。）から構成されるスパッタリングターゲットであって、ＸＲＤの単一ピークの中で最も高いピークの積分幅が０．７以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット、を提供する。
１）Ｃｏを含有する金属マトリックス相と、粒子を形成して分散して存在する６〜２５ｍｏｌ％の酸化物の相（以下、「酸化物相」という。）から構成されるスパッタリングターゲットであって、ＸＲＤの単一ピークの中で最も高いピークの積分幅が０．７以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット、を提供する。
また、本発明は、
２）金属マトリックス相が、Ｃｒが５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏ及び不可避的不純物であることを特徴とする上記１）記載のスパッタリングターゲット、を提供する。
２）金属マトリックス相が、Ｃｒが５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏ及び不可避的不純物であることを特徴とする上記１）記載のスパッタリングターゲット、を提供する。
さらに、本発明は、
３）金属マトリックス相が、Ｃｒが５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏ及び不可避的不純物であることを特徴とする上記１）記載のスパッタリングターゲット、を提供する。
３）金属マトリックス相が、Ｃｒが５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏ及び不可避的不純物であることを特徴とする上記１）記載のスパッタリングターゲット、を提供する。
さらに、本発明は、
４）酸化物相が、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ５Ｏ９、Ｂ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４から選択した一種以上の酸化物からなり、これらを５〜２５ｍｏｌ％含有することを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット、を提供する。
４）酸化物相が、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ５Ｏ９、Ｂ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４から選択した一種以上の酸化物からなり、これらを５〜２５ｍｏｌ％含有することを特徴とする上記１）〜３）のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット、を提供する。
さらに、本発明は、
５）金属マトリックス相が、Ｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選択した１元素以上を、０．５ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％含有することを特徴とする上記１）〜４）のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット、を提供する。
５）金属マトリックス相が、Ｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選択した１元素以上を、０．５ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％含有することを特徴とする上記１）〜４）のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット、を提供する。
以上により、本発明は、スパッタリング時の初期パーティクルの発生を抑制してバーンイン時間を大きく低減することが可能となり、スパッタする際に安定した放電が得られる非磁性材粒子分散型スパッタリングターゲットを提供することができる。また、これによりターゲットライフが長くなり、低コストで磁性体薄膜を製造することが可能になる。さらに、スパッタリングにより形成した膜の品質を著しく向上できる効果を有する。
本発明のスパッタリングターゲットを構成する成分は、Ｃｏを含有する金属マトリックス相と、粒子を形成して分散して存在する６〜２５ｍｏｌ％の酸化物の相（以下、「酸化物相」という。）から構成される。そして、ＸＲＤの単一ピークの中で最も高いピークの積分幅が０．７以下であることを特徴とする。これは、残留加工歪の低減化の指標となるものである。これにより、残留加工歪の低減化が可能であるため、残留加工歪に起因する初期パーティクルの発生が少なく、バーンイン時間を大きく低減することが可能となる。
金属マトリックス相としては、Ｃｒが５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏ及び不可避的不純物であるスパッタリングターゲット及びＣｒが５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏ及び不可避的不純物であるスパッタリングターゲットが代表的組成であり、本願発明はこれらを包含する。
これらのスパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特に垂直磁気記録方式を採用したハードディスクの磁気記録層の成膜に使用される強磁性材スパッタリングターゲットである。
これらのスパッタリングターゲットは、磁気記録媒体の磁性体薄膜、特に垂直磁気記録方式を採用したハードディスクの磁気記録層の成膜に使用される強磁性材スパッタリングターゲットである。
前記酸化物相としては、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ５Ｏ９、Ｂ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４から選択した一種以上の酸化物からなる。本願発明のターゲットは、これらを５〜２５ｍｏｌ％含有する。後述の実施例では、これらに一部の例を示すが、いずれも酸化物として、ほぼ等価の機能を有するものである。
さらに、本発明のスパッタリングターゲットは、金属マトリックス相として、Ｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選択した１元素以上を、０．５ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％含有させることができる。これらは磁気記録媒体としての特性を向上させるために、必要に応じて添加される元素である。配合割合は、上記範囲内で展開ができるが、いずれも有効な磁気記録媒体としての特性を維持することができる。
本発明の強磁性材スパッタリングターゲットは、粉末冶金法によって作製される。まず各金属元素の粉末と、さらに必要に応じて添加金属元素の粉末を用意する。これらの粉末は最大粒径が２０μｍ以下のものを用いることが望ましい。また、各金属元素の粉末の代わりにこれら金属の合金粉末を用意してもよいが、その場合も最大粒径が２０μｍ以下とすることが望ましい。
一方、小さ過ぎると、酸化が促進されて成分組成が範囲内に入らないなどの問題があるため、０．１μｍ以上とすることがさらに望ましい。そして、これらの金属粉末を所望の組成になるように秤量し、ボールミル等の公知の手法を用いて粉砕を兼ねて混合する。無機物粉末を添加する場合は、この段階で金属粉末と混合すればよい。
無機物粉末として酸化物粉末を用意するが、酸化物粉末は最大粒径が５μｍ以下のものを用いることが望ましい。一方、小さ過ぎると凝集しやすくなるため、０．１μｍ以上のものを用いることがさらに望ましい。
無機物粉末として酸化物粉末を用意するが、酸化物粉末は最大粒径が５μｍ以下のものを用いることが望ましい。一方、小さ過ぎると凝集しやすくなるため、０．１μｍ以上のものを用いることがさらに望ましい。
Ｃｏ原料の一部として、Ｃｏ粗粒又はＣｏアトマイズ粉を使用する。このとき、酸化物は２５ｍｏｌ％を超えないように、Ｃｏ粗粒又はＣｏアトマイズ粉の混合割合を調整する。直径が５０〜１５０μｍの範囲にあるＣｏアトマイズ粉末を用意し、アトライタを用いて、Ｃｏアトマイズ粉と上記の混合粉末とを粉砕・混合する。ここで、混合装置としては、ボールミル、乳鉢などを使用することができるが、ボールミルなどの強力な混合方法を用いることが望ましい。
または、用意したＣｏアトマイズ粉末を個別で粉砕して、直径が５０〜３００μｍの範囲にあるＣｏ粗粉を作製し、上記の混合粉末と混合することができる。混合装置としては、ボールミル、ニューグラマシン（攪拌機）、ミキサー、乳鉢などが好ましい。また、混合中の酸化の問題を考慮すると、不活性ガス雰囲気中あるいは真空中で混合することが好ましい。
このようにして得られた粉末を、真空ホットプレス装置を用いて成型・焼結し、所望の形状へ切削加工することで、本発明の強磁性材スパッタリングターゲットを作製する。
また、成型・焼結は、ホットプレスに限らず、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度はターゲットが十分緻密化する温度域のうち最も低い温度に設定するのが好ましい。ターゲットの組成にもよるが、多くの場合、８００〜１２００°Ｃの温度範囲にある。焼結温度を低めに抑えることによって、焼結体の結晶成長を抑制することができるからである。また、焼結時の圧力は３００〜５００ｋｇ／ｃｍ２であることが好ましい。
また、成型・焼結は、ホットプレスに限らず、プラズマ放電焼結法、熱間静水圧焼結法を使用することもできる。焼結時の保持温度はターゲットが十分緻密化する温度域のうち最も低い温度に設定するのが好ましい。ターゲットの組成にもよるが、多くの場合、８００〜１２００°Ｃの温度範囲にある。焼結温度を低めに抑えることによって、焼結体の結晶成長を抑制することができるからである。また、焼結時の圧力は３００〜５００ｋｇ／ｃｍ２であることが好ましい。
残留加工歪を除去することが重要であり、旋盤加工後に、ロータリー平面研削加工、そして砥粒による研磨加工（仕上げ加工）を行う。これらの加工による評価は、ＸＲＤのピークを観察して行う。そして、ＸＲＤの単一ピークの中で最も高いピークの積分幅が０．７以下となるようにする。
前記ターゲットのＸ 線回折により測定される結晶面の積分幅は、その結晶面に含まれる内部歪みを反映しており、これはターゲット製造時の塑性加工や、ターゲットを切削等の機械加工を行う時の加工歪みによって発生する。積分幅が大きいほど残留歪みが大きくなる。
この最終的な評価は、原材料の種類と表面加工に依存するので、ある程度の試行錯誤を繰り返して、目標を達成できるようにする。一旦、表面加工プロセスが確定すると、ＸＲＤの単一ピークの中で最も高いピークの積分幅が０．７以下となる条件を定常的に獲得できる。これらは、本願発明を明確に把握すれば、当業者が容易になし得る条件と言える。
前記ターゲットのＸ 線回折により測定される結晶面の積分幅は、その結晶面に含まれる内部歪みを反映しており、これはターゲット製造時の塑性加工や、ターゲットを切削等の機械加工を行う時の加工歪みによって発生する。積分幅が大きいほど残留歪みが大きくなる。
この最終的な評価は、原材料の種類と表面加工に依存するので、ある程度の試行錯誤を繰り返して、目標を達成できるようにする。一旦、表面加工プロセスが確定すると、ＸＲＤの単一ピークの中で最も高いピークの積分幅が０．７以下となる条件を定常的に獲得できる。これらは、本願発明を明確に把握すれば、当業者が容易になし得る条件と言える。
以下、実施例および比較例に基づいて説明する。なお、本実施例はあくまで一例であり、この例によって何ら制限されるものではない。すなわち、本発明は特許請求の範囲によってのみ制限されるものであり、本発明に含まれる実施例以外の種々の変形を包含するものである。
（実施例１）
原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０〜３００μｍの範囲にあるＣｏ粗粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が６２Ｃｏ−１５Ｃｒ−１５Ｐｔ−８ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏ粗粉を秤量した。
原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、直径が５０〜３００μｍの範囲にあるＣｏ粗粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が６２Ｃｏ−１５Ｃｒ−１５Ｐｔ−８ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｏ粗粉を秤量した。
次に、Ｃｏ粉末とＣｒ粉末とＰｔ粉末とＳｉＯ２粉末を、粉砕媒体のジルコニアボールと共に容量１０リットルのボールミルポットに封入し、２０時間回転させて混合した。さらに、得られた混合粉末とＣｏ粗粉をアトライタに投入して、粉砕・混合した。
この混合粉をカーボン製の型に充填し、真空雰囲気中、温度１１００°Ｃ、保持時間２時間、加圧力３０ＭＰａの条件のもとホットプレスして、焼結体を得た。さらにこれを旋盤で切削加工し、この後ロータリー平面研削加工して、直径が１８０ｍｍ、厚さが５ｍｍの円盤状のターゲットを得た。仕上げ加工量は５０μｍとした。これらの工程と仕上げ方法と仕上げ加工量を表１に示す。
このターゲット表面に残っている残留歪みを推定するためにＸＲＤ測定を行ったところ、単一のピークの中で最大である５０°ピークの積分幅は０．６であった。次に、このターゲットを用いてスパッタリングした。０．４ｋＷｈスパッタリングした時点（バーンイン）で、パーティクル数がバックグラウンドレベル（５個）以下に減少し、良好な結果となった。以上の結果を、表１に示す。
バーンイン（時間）を行っている間は生産を始められないため、バーンインの時間は短ければ短いほど良い。通常、１．０ｋＷｈ以下となることが望ましい。以下の実施例及び比較例においても同様である。
バーンイン（時間）を行っている間は生産を始められないため、バーンインの時間は短ければ短いほど良い。通常、１．０ｋＷｈ以下となることが望ましい。以下の実施例及び比較例においても同様である。
（比較例１）
実施例１同様にして、組成が６２Ｃｏ−１５Ｃｒ−１５Ｐｔ−８ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるターゲット材料を作製した。但し、機械加工方法は旋盤加工の後、平面研削加工仕上げで作製した。仕上げ加工量は、２５μｍであった。このターゲット表面に残っている残留歪みを推定するためにＸＲＤ測定を行ったところ、単一のピークの中で最大である５０°ピークの積分幅は１．２であり、本願発明の範囲を超えていた。このターゲットをスパッタリングした結果を表１に示す。２．５ｋＷｈスパッタリングしても、パーティクル数がバックグラウンドレベル（５個）以下に減少しなかった。
実施例１同様にして、組成が６２Ｃｏ−１５Ｃｒ−１５Ｐｔ−８ＳｉＯ２（ｍｏｌ％）となるターゲット材料を作製した。但し、機械加工方法は旋盤加工の後、平面研削加工仕上げで作製した。仕上げ加工量は、２５μｍであった。このターゲット表面に残っている残留歪みを推定するためにＸＲＤ測定を行ったところ、単一のピークの中で最大である５０°ピークの積分幅は１．２であり、本願発明の範囲を超えていた。このターゲットをスパッタリングした結果を表１に示す。２．５ｋＷｈスパッタリングしても、パーティクル数がバックグラウンドレベル（５個）以下に減少しなかった。
（比較例２）
実施例１と同じ組成のターゲット材料を、機械加工方法は旋盤加工の後、研磨仕上げで作製した。仕上げ加工量は１μｍであった。このターゲット表面に残っている残留歪みを推定するためにＸＲＤ測定を行ったところ、単一のピークの中で最大である５０°ピークの積分幅は０．８であり、本願発明の範囲を超えていた。このターゲットをスパッタリングした結果を表１に示す。１．４ｋＷｈスパッタリングした時点でパーティクル数がバックグラウンドレベル（５個）以下に減少したが、実施例１に比べてバーンイン時間は長くなった。
実施例１と同じ組成のターゲット材料を、機械加工方法は旋盤加工の後、研磨仕上げで作製した。仕上げ加工量は１μｍであった。このターゲット表面に残っている残留歪みを推定するためにＸＲＤ測定を行ったところ、単一のピークの中で最大である５０°ピークの積分幅は０．８であり、本願発明の範囲を超えていた。このターゲットをスパッタリングした結果を表１に示す。１．４ｋＷｈスパッタリングした時点でパーティクル数がバックグラウンドレベル（５個）以下に減少したが、実施例１に比べてバーンイン時間は長くなった。
（比較例３）
実施例１と同じ組成のターゲット材を、機械加工方法は旋盤加工の後、平面研削加工を行ってから研磨仕上げで作製した。仕上げ加工量は２５μｍ（平面研削）＋１μｍ（研磨）であった。ＸＲＤ測定の結果、単一のピークの中で最大である５０°ピークの積分幅は０．８であり、本願発明の範囲を超えていた。
このターゲットをスパッタリングした結果、１．３ｋＷｈスパッタリングした時点でパーティクル数がバックグラウンドレベル（５個）以下に減少したが、実施例１に比べてバーンイン時間は長くなった。
実施例１と同じ組成のターゲット材を、機械加工方法は旋盤加工の後、平面研削加工を行ってから研磨仕上げで作製した。仕上げ加工量は２５μｍ（平面研削）＋１μｍ（研磨）であった。ＸＲＤ測定の結果、単一のピークの中で最大である５０°ピークの積分幅は０．８であり、本願発明の範囲を超えていた。
このターゲットをスパッタリングした結果、１．３ｋＷｈスパッタリングした時点でパーティクル数がバックグラウンドレベル（５個）以下に減少したが、実施例１に比べてバーンイン時間は長くなった。
（実施例２）
原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、直径が５０〜３００μｍの範囲にあるＣｏ粗粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が５４Ｃｏ−２０Ｃｒ−１５Ｐｔ−５ＴｉＯ２−６ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末、Ｃｏ粗粉を秤量した。以下、実施例１と同様にしてターゲット材を作製した。
原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、直径が５０〜３００μｍの範囲にあるＣｏ粗粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が５４Ｃｏ−２０Ｃｒ−１５Ｐｔ−５ＴｉＯ２−６ＣｏＯ（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＣｏＯ粉末、Ｃｏ粗粉を秤量した。以下、実施例１と同様にしてターゲット材を作製した。
機械加工方法は、旋盤加工の後、平面研削加工で５０μｍ切削することにより作製した。仕上げ加工量は５０μｍであった。このターゲット表面に残っている残留歪みを推定するためにＸＲＤ測定を行ったところ、単一のピークの中で最大である５０°ピークの積分幅は０．７であった。
このターゲットをスパッタリングした結果、０．８ｋＷｈスパッタリングした時点でパーティクル数がバックグラウンドレベル（５個）以下に減少し、良好な結果となった。以上の結果を、同様に表１に示す。
このターゲットをスパッタリングした結果、０．８ｋＷｈスパッタリングした時点でパーティクル数がバックグラウンドレベル（５個）以下に減少し、良好な結果となった。以上の結果を、同様に表１に示す。
（比較例４）
実施例２と同じ組成のターゲット材を、機械加工方法は、旋盤加工の後、平面研削加工で２５μｍ切削することにより作製した。ＸＲＤ測定の結果、単一のピークの中で最大である５０°ピークの積分幅は１．１であり、本願発明の範囲を超えていた。
このターゲットをスパッタリングした結果、２．３ｋＷｈスパッタリングした時点でパーティクル数がバックグラウンドレベル（５個）以下に減少したが、実施例２に比べてバーンイン時間は長くなった。以上の結果を、同様に表１に示す。
実施例２と同じ組成のターゲット材を、機械加工方法は、旋盤加工の後、平面研削加工で２５μｍ切削することにより作製した。ＸＲＤ測定の結果、単一のピークの中で最大である５０°ピークの積分幅は１．１であり、本願発明の範囲を超えていた。
このターゲットをスパッタリングした結果、２．３ｋＷｈスパッタリングした時点でパーティクル数がバックグラウンドレベル（５個）以下に減少したが、実施例２に比べてバーンイン時間は長くなった。以上の結果を、同様に表１に示す。
（実施例３）
原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、直径が５０〜３００μｍの範囲にあるＣｏ粗粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が６１Ｃｏ−１５Ｃｒ−１５Ｐｔ−３ＴｉＯ２−３ＳｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末、Ｃｏ粗粉を秤量した。以下、実施例１と同様にしてターゲット材を作製した。
原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＰｔ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＳｉＯ２粉末、平均粒径１μｍのＣｒ２Ｏ３粉末、直径が５０〜３００μｍの範囲にあるＣｏ粗粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が６１Ｃｏ−１５Ｃｒ−１５Ｐｔ−３ＴｉＯ２−３ＳｉＯ２−３Ｃｒ２Ｏ３（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、Ｐｔ粉末、ＴｉＯ２粉末、ＳｉＯ２粉末、Ｃｒ２Ｏ３粉末、Ｃｏ粗粉を秤量した。以下、実施例１と同様にしてターゲット材を作製した。
機械加工方法は旋盤加工の後、平面研削加工を行いさらに研磨仕上げで作製した。仕上げ加工量は２５μｍ（平面研削）＋１μｍ（研磨）であった。このターゲット表面に残っている残留歪みを推定するためにＸＲＤ測定を行ったところ、単一のピークの中で最大である５０°ピークの積分幅は０．７であった。
このターゲットをスパッタリングした結果、０．９ｋＷｈスパッタリングした時点でパーティクル数がバックグラウンドレベル（５個）以下に減少し、良好な結果となった。以上の結果を、同様に表１に示す。
このターゲットをスパッタリングした結果、０．９ｋＷｈスパッタリングした時点でパーティクル数がバックグラウンドレベル（５個）以下に減少し、良好な結果となった。以上の結果を、同様に表１に示す。
（比較例５）
実施例３と同じ組成のターゲット材を、機械加工方法は旋盤加工の後、平面研削加工のみで作製した。ＸＲＤ測定の結果、単一のピークの中で最大である５０°ピークの積分幅は１．３であり、本願発明の範囲を超えていた。
このターゲットをスパッタリングした結果、２．８ｋＷｈスパッタリングした時点でパーティクル数がバックグラウンドレベル（５個）以下に減少したが、実施例３に比べてバーンイン時間は長くなった。以上の結果を、同様に表１に示す。
実施例３と同じ組成のターゲット材を、機械加工方法は旋盤加工の後、平面研削加工のみで作製した。ＸＲＤ測定の結果、単一のピークの中で最大である５０°ピークの積分幅は１．３であり、本願発明の範囲を超えていた。
このターゲットをスパッタリングした結果、２．８ｋＷｈスパッタリングした時点でパーティクル数がバックグラウンドレベル（５個）以下に減少したが、実施例３に比べてバーンイン時間は長くなった。以上の結果を、同様に表１に示す。
（実施例４）
原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、直径が５０〜３００μｍの範囲にあるＣｏ粗粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が６０Ｃｏ−３０Ｃｒ−１０ＴｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、ＴｉＯ２粉末、Ｃｏ粗粉を秤量した。以下、実施例１と同様にしてターゲット材を作製した。
原料粉末として、平均粒径３μｍのＣｏ粉末、平均粒径５μｍのＣｒ粉末、平均粒径１μｍのＴｉＯ２粉末、直径が５０〜３００μｍの範囲にあるＣｏ粗粉を用意した。これらの粉末をターゲットの組成が６０Ｃｏ−３０Ｃｒ−１０ＴｉＯ２（ｍｏｌ％）となるように、Ｃｏ粉末、Ｃｒ粉末、ＴｉＯ２粉末、Ｃｏ粗粉を秤量した。以下、実施例１と同様にしてターゲット材を作製した。
機械加工方法は旋盤加工の後、研磨仕上げで作製した。仕上げ加工量は１μｍであった。このターゲット表面に残っている残留歪みを推定するためにＸＲＤ測定を行ったところ、単一のピークの中で最大である５０°ピークの積分幅は０．６であった。これは、本願発明の条件を満たしていた。
このターゲットをスパッタリングした結果、０．７ｋＷｈスパッタリングした時点でパーティクル数がバックグラウンドレベル（５個）以下に減少し、良好な結果が得られた。以上の結果を、同様に表１に示す。
このターゲットをスパッタリングした結果、０．７ｋＷｈスパッタリングした時点でパーティクル数がバックグラウンドレベル（５個）以下に減少し、良好な結果が得られた。以上の結果を、同様に表１に示す。
（比較例６）
実施例３と同じ組成のターゲットを、機械加工方法は旋盤加工の後、平面研削加工で作製した。仕上げ加工量は、２５μｍであった。ＸＲＤ測定の結果、単一のピークの中で最大である５０°ピークの積分幅は１．２であり、本願発明の範囲を超えていた。
このターゲットをスパッタリングした結果、１．３ｋＷｈスパッタリングした時点でパーティクル数がバックグラウンドレベル（５個）以下に減少し、実施例４に比べてバーンイン時間は長くなった。以上の結果を、同様に表１に示す。
実施例３と同じ組成のターゲットを、機械加工方法は旋盤加工の後、平面研削加工で作製した。仕上げ加工量は、２５μｍであった。ＸＲＤ測定の結果、単一のピークの中で最大である５０°ピークの積分幅は１．２であり、本願発明の範囲を超えていた。
このターゲットをスパッタリングした結果、１．３ｋＷｈスパッタリングした時点でパーティクル数がバックグラウンドレベル（５個）以下に減少し、実施例４に比べてバーンイン時間は長くなった。以上の結果を、同様に表１に示す。
以上の実施例には、金属マトリックス相が、Ｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選択した１元素以上を、０．５ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％含有させることは示していないが、これらの元素は磁性材としての特性を向上させるもので、ＸＲＤ測定のメインピークの積分幅を大きく変動させるものではなく、これらの添加の場合も本願実施例と同様な結果が得られることを確認している。
さらに、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ５Ｏ９、Ｂ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４から選択した一種以上の酸化物の添加についても、実施例以外に示す酸化物の添加についても、実施例と同様な結果が得られていることを確認している。
さらに、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ５Ｏ９、Ｂ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４から選択した一種以上の酸化物の添加についても、実施例以外に示す酸化物の添加についても、実施例と同様な結果が得られていることを確認している。
本発明は、スパッタリング時の初期パーティクルの発生を抑制してバーンイン時間を大きく低減するとともに、スパッタする際に安定した放電が得られる非磁性材粒子分散型スパッタリングターゲットを提供する。ターゲットライフが長くなり、低コストで磁性体薄膜を製造することが可能になる。さらに、スパッタリングにより形成した膜の品質を著しく向上できる。磁気記録媒体の磁性体薄膜、特にハードディスクドライブ記録層の成膜に使用される強磁性材スパッタリングターゲットとして有用である。
Claims (5)
- Ｃｏを含有する金属マトリックス相と、粒子を形成して分散して存在する６〜２５ｍｏｌ％の酸化物の相（以下、「酸化物相」という。）から構成されるスパッタリングターゲットであって、ＸＲＤの単一ピークの中で最も高いピークの積分幅が０．７以下であることを特徴とするスパッタリングターゲット。
- 金属マトリックス相が、Ｃｒが５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏ及び不可避的不純物であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
- 金属マトリックス相が、Ｃｒが５ｍｏｌ％以上４０ｍｏｌ％以下、Ｐｔが５ｍｏｌ％以上３０ｍｏｌ％以下、残余がＣｏ及び不可避的不純物であることを特徴とする請求項１記載のスパッタリングターゲット。
- 酸化物相が、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔｉ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｔａ２Ｏ５、Ｔｉ５Ｏ９、Ｂ２Ｏ３、ＣｏＯ、Ｃｏ３Ｏ４から選択した一種以上の酸化物からなり、これらを５〜２５ｍｏｌ％含有することを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
- 金属マトリックス相が、Ｂ、Ｔｉ、Ｖ、Ｍｎ、Ｚｒ、Ｎｂ、Ｒｕ、Ｍｏ、Ｔａ、Ｗから選択した１元素以上を、０．５ｍｏｌ％〜１０ｍｏｌ％含有することを特徴とする請求項１〜４のいずれか一項に記載のスパッタリングターゲット。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012204332 | 2012-09-18 | ||
| JP2012204332 | 2012-09-18 | ||
| PCT/JP2013/074840 WO2014046040A1 (ja) | 2012-09-18 | 2013-09-13 | スパッタリングターゲット |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP5960251B2 JP5960251B2 (ja) | 2016-08-02 |
| JPWO2014046040A1 true JPWO2014046040A1 (ja) | 2016-08-18 |
Family
ID=50341353
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2014512965A Active JP5960251B2 (ja) | 2012-09-18 | 2013-09-13 | スパッタリングターゲット |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20150170890A1 (ja) |
| JP (1) | JP5960251B2 (ja) |
| CN (2) | CN112695273A (ja) |
| MY (1) | MY165736A (ja) |
| SG (1) | SG11201407011UA (ja) |
| TW (1) | TWI601839B (ja) |
| WO (1) | WO2014046040A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| SG185767A1 (en) | 2010-07-29 | 2013-01-30 | Jx Nippon Mining & Metals Corp | Sputtering target for magnetic recording film and process for producing same |
| WO2012086300A1 (ja) | 2010-12-21 | 2012-06-28 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 磁気記録膜用スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
| JP5646757B2 (ja) * | 2012-01-25 | 2014-12-24 | Jx日鉱日石金属株式会社 | 強磁性材スパッタリングターゲット |
| JP6504605B2 (ja) * | 2015-11-27 | 2019-04-24 | 田中貴金属工業株式会社 | スパッタリングターゲット |
| TWI671418B (zh) * | 2017-09-21 | 2019-09-11 | 日商Ｊｘ金屬股份有限公司 | 濺鍍靶、積層膜之製造方法、積層膜及磁記錄媒體 |
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- 2013-09-13 WO PCT/JP2013/074840 patent/WO2014046040A1/ja active Application Filing
- 2013-09-13 CN CN202011397506.2A patent/CN112695273A/zh active Pending
- 2013-09-13 CN CN201380031894.4A patent/CN104379801A/zh active Pending
- 2013-09-13 US US14/402,024 patent/US20150170890A1/en not_active Abandoned
- 2013-09-13 JP JP2014512965A patent/JP5960251B2/ja active Active
- 2013-09-13 SG SG11201407011UA patent/SG11201407011UA/en unknown
- 2013-09-13 MY MYPI2014703787A patent/MY165736A/en unknown
- 2013-09-16 TW TW102133475A patent/TWI601839B/zh active
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5960251B2 (ja) | 2016-08-02 |
| MY165736A (en) | 2018-04-20 |
| US20150170890A1 (en) | 2015-06-18 |
| TWI601839B (zh) | 2017-10-11 |
| SG11201407011UA (en) | 2014-11-27 |
| CN112695273A (zh) | 2021-04-23 |
| WO2014046040A1 (ja) | 2014-03-27 |
| TW201425618A (zh) | 2014-07-01 |
| CN104379801A (zh) | 2015-02-25 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160126 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
| R350 | Written notification of registration of transfer |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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