JPWO2013054883A1 - 研摩材スラリー及び研摩方法 - Google Patents
研摩材スラリー及び研摩方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2013054883A1 JPWO2013054883A1 JP2013538588A JP2013538588A JPWO2013054883A1 JP WO2013054883 A1 JPWO2013054883 A1 JP WO2013054883A1 JP 2013538588 A JP2013538588 A JP 2013538588A JP 2013538588 A JP2013538588 A JP 2013538588A JP WO2013054883 A1 JPWO2013054883 A1 JP WO2013054883A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- abrasive slurry
- slurry
- abrasive
- manganate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 95
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract description 86
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 5
- AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L hydroxy(oxo)manganese;manganese Chemical compound [Mn].O[Mn]=O.O[Mn]=O AMWRITDGCCNYAT-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 48
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims abstract description 34
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 30
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 21
- LBSANEJBGMCTBH-UHFFFAOYSA-N manganate Chemical compound [O-][Mn]([O-])(=O)=O LBSANEJBGMCTBH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 16
- -1 manganate ions Chemical class 0.000 claims abstract description 16
- NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N manganese dioxide Chemical compound O=[Mn]=O NUJOXMJBOLGQSY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 claims abstract description 7
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 abstract description 14
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 17
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 12
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 6
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 6
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 6
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 6
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 3
- GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N manganese(iii) oxide Chemical compound O=[Mn]O[Mn]=O GEYXPJBPASPPLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004438 BET method Methods 0.000 description 1
- 238000005169 Debye-Scherrer Methods 0.000 description 1
- 229910015643 LiMn 2 O 4 Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N Trioxochromium Chemical compound O=[Cr](=O)=O WGLPBDUCMAPZCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000003929 acidic solution Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229910000423 chromium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000001186 cumulative effect Effects 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- QHGJSLXSVXVKHZ-UHFFFAOYSA-N dilithium;dioxido(dioxo)manganese Chemical compound [Li+].[Li+].[O-][Mn]([O-])(=O)=O QHGJSLXSVXVKHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000004255 ion exchange chromatography Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001437 manganese ion Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 1
- 230000002441 reversible effect Effects 0.000 description 1
- 238000000790 scattering method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000001132 ultrasonic dispersion Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
- H01L21/30625—With simultaneous mechanical treatment, e.g. mechanico-chemical polishing
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
- B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
- C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1409—Abrasive particles per se
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
- C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02527—Carbon, e.g. diamond-like carbon
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/16—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only elements of Group IV of the Periodic Table
- H01L29/1608—Silicon carbide
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/12—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/20—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed including, apart from doping materials or other impurities, only AIIIBV compounds
- H01L29/2003—Nitride compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Abstract
本発明は、炭化ケイ素や窒化ガリウム等の高硬度材料も、高い研摩速度で研摩可能な研摩材スラリーを提供する。本発明は、酸化マンガン粒子とマンガン酸イオンとを含有したスラリーからなり、モース硬度で硬度８以上の高硬度材料を研摩するための研摩材スラリーである。本発明は、スラリー中の酸化マンガン粒子が１．０質量％以上であることが好ましく、酸化マンガンが二酸化マンガンであることが好ましく、マンガン酸イオンが過マンガン酸イオンであることが好ましい。本発明の研摩材スラリーによれば、炭化ケイ素や窒化ガリウム等の高硬度の難削材も、高速に平滑研摩が可能となる。
Description
本発明は、高硬度材料を研摩するための研摩材スラリーに関し、特に炭化ケイ素や窒化ガリウム等の高硬度材料を、高速かつ平滑に研摩できる研摩技術に関する。
半導体デバイスのうち、いわゆるパワーデバイスと呼ばれる電力用半導体素子においては、高耐圧化や大電流化の目的で、基板として従来用いられてきたシリコンに代えて、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ダイヤモンド等を用いることが提案されている。これら炭化ケイ素等からなる基板は、シリコン基板と比較して大きなバンドギャップを持つため、より高い電圧に耐えられるものとなる。炭化ケイ素や窒化ガリウム等からなる基板が高耐圧な特性を有するのは、炭化ケイ素等を構成する原子の原子配列が、シリコンに比べて密であることに由来すると考えられる。
一方、炭化ケイ素や窒化ガリウム等からなる基板は、特に硬度が高いため、従来より用いられてきた研摩材では、ほとんど研摩できないという問題を有している。炭化ケイ素等は、上述のように原子配列が密であることから、特に硬度の高いものとなり、その硬度は、モース硬度で炭化ケイ素や窒化ガリウムは約９、ダイヤモンドは１０という高硬度材料である。これら高硬度材料を研摩するには、研摩粒子としても、ダイヤモンド、酸化アルミニウム等、硬度の高い材料が用いられてきた。しかし、ダイヤモンド等を用いて研摩すると、メカニカルな研摩のみが進行し、そのことに起因して基板中に欠陥や歪みが生じやすくなり、デバイスの信頼性に欠けるおそれがある。このような傾向は、基板の硬度が高いほど、より強調されるものとなる。
上記問題に対応すべく、炭化ケイ素や窒化ガリウムのような高硬度材料の研摩材料として、酸化ケイ素や酸化アルミニウム等の研摩粒子に、過酸化水素、オゾン、過マンガン酸等の酸化性溶液を添加したものが提案されている（特許文献１〜３）。また、酸化クロムと共に粉末又は液体の酸化剤を用いることで、研摩力を高めた研摩材料（特許文献４）や、特定形状の研摩粒子を用いることで、酸化性溶液を添加することなく研摩力を高めた研摩材料も提案されている（特許文献５）。そして、研摩粒子や酸化剤として、適用し得る材料を提案したものもある（特許文献６、７、８）。さらに、高硬度材料の研摩処理のために、酸化ケイ素や炭化ケイ素の研摩粒子にコーティング等により二酸化マンガンを最表層に配したものも提案されている（特許文献９）。
上記のように、多数の研摩材料が提案されているが、炭化ケイ素や窒化ガリウム等の高硬度材料は極めて難削であり、これら研摩材料を用いた場合でも、その研摩速度は、従来基板として用いられているシリコン等と比較して非常に遅いものであった。また、特許文献９のように、コーティング等により二酸化マンガンを最表層に配した砥粒に過マンガン酸を添加して研摩処理する場合、モース硬度６以下の砥粒を用いると高硬度材料を効率よく研摩処理できるものの、スラリーの研摩能力の経時劣化が避けられない。特に、長時間の使用、即ちスラリーを循環して連続使用する場合には不向きであることが指摘されている。かかる背景のもと、本発明は、高硬度材料であっても、高い研摩速度で、かつ平滑に研摩可能な研摩材スラリーであって、研摩材スラリーを容易に製造でき、スラリーの循環連続使用が可能な研摩材スラリーを提供するものである。
上記課題を解決する本発明は、酸化マンガン粒子とマンガン酸イオンとを含有したスラリーからなり、スラリー中のマンガン酸イオンが０．１質量％以上であり、モース硬度で硬度８以上の高硬度材料を研摩するための研摩材スラリーに関する。本発明の研摩材スラリーのように、固体状の酸化マンガン粒子と、スラリー中にマンガン酸イオンが共存すると、炭化ケイ素や窒化ガリウム等の高硬度部材を研摩する場合にも、高い研摩力を発揮するものとなる。ここで、本発明における「モース硬度」は、１〜１０までの１０段階に設定された標準物質を基準とし、傷つきやすさの指標として表された硬さの基準をいう。モース硬度で硬度８以上の高硬度材料としては、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ダイヤモンド等が挙げられる。
このように本発明の研摩材スラリーが高い研摩力を発揮するのは、様々な酸化数を取り得る金属元素の酸化性粒子とその酸化性粒子を構成する金属元素と同一の金属元素で構成される更に酸化力の高いイオンとがスラリー中に共存することで、その金属原子の酸化数揺動により、スラリー中の酸化性粒子とイオンとの間で、研摩される物質の微視的・化学的な表面状態に対してより好適な研摩特性を発揮する形態に変態する可逆反応が促進されるためと考えられる。そして、本発明者等は、この酸化数揺動を起こす金属元素としてマンガンに着目し、酸化マンガン粒子とマンガン酸イオンとを同時に用いた場合、特に高い研摩力を発揮する研摩材スラリーになることを見出し、本発明に想到したものである。
本発明の研摩材スラリーにおいて、酸化マンガン粒子としては、酸化マンガン(ＩＩ) ＭｎＯ、三酸化二マンガン(ＩＩＩ) Ｍｎ２Ｏ３、二酸化マンガン（ＩＶ） ＭｎＯ２、四酸化三マンガン Ｍｎ３Ｏ４等を適用することができ、特に酸化力が高い二酸化マンガンが好適である。また、マンガン酸イオンとしては、ＭｎＯ４ −、ＭｎＯ４ ２−、ＭｎＯ４ ３−、ＭｎＯ４ ６−等を適用することができ、特に高い酸化性能を持つ過マンガン酸イオン(ＭｎＯ４ −)が好適である。研摩材スラリー中に、二酸化マンガン(ＭｎＯ２)と過マンガン酸イオン(ＭｎＯ４ −)の両方を含む場合、特に研摩力の高いものとなる。
本発明の研摩材スラリー中のマンガン酸イオンは０．１質量％以上である。５．０質量％以上になっても使用初期の研摩力のさらなる向上は見られない一方、３．０質量％を超えるとスラリーの循環連続使用の能力が低下する傾向となる。そのため、本発明の研摩材スラリー中のマンガン酸イオンは０．１質量％〜３．０質量％であることが好ましい。ここで、研摩材スラリー中における、マンガン酸イオンの含有量は、イオンクロマトグラフ法や吸光光度分析法により測定できる。
また、研摩材スラリー中の酸化マンガン粒子は１．０質量％以上であることが好ましく、２．０質量％以上が特に好ましい。かかる研摩材スラリーは、特に研摩力の高いものとなる。また、研摩材スラリーの取り扱い上、好適な流動性を確保するため、３５質量％以下であることが好ましく、１０質量％以下であることが特に好ましい。
本発明においては、研摩材スラリーにおける、酸化マンガンに対するマンガン酸イオンのモル濃度比が０．０１以上が好ましく、より好ましくは０．２以上の割合である。酸化マンガンのモル濃度とは、研摩粒子である各酸化マンガン粒子重量を、対応する分子量を用いて物質量換算した後、溶媒重量で除算し、モル濃度として算出したものである。マンガン酸イオンに対しても、マンガン酸イオン供給物質に対して上記酸化マンガンのモル濃度と同様に算出した。
研摩材スラリーは、中性からアルカリ性、すなわち、ｐＨ５．５以上であることが好ましく、さらにはｐＨ７以上が好ましい。より好ましくはｐＨ５．５〜ｐＨ１０．５であり、さらにはｐＨ７〜１０であることが最も好ましい。本発明の研摩材スラリーに含まれるマンガン酸イオンは、一般に酸性溶液中で高い酸化性能を発揮することが知られているが、その一方、マンガン酸イオンと共に共存する酸化マンガン粒子は、酸性では分散状態を維持しにくく凝集し易い傾向となり、凝集した粒子により研摩対象にキズをつけることもあるためである。また、高アルカリ性ではマンガン酸イオンが速やかに酸化マンガンに還元されてしまうため、高い酸化性能を発揮することができなくなる傾向となる。
本発明の研摩材スラリーは、モース硬度で硬度８以上の高硬度材料を研摩する場合に有効なものである。そして、本発明の研摩材スラリーを繰り返し使用した場合であっても長時間の研摩処理が可能となる。本発明の研摩材スラリーは、従来のように酸化性液体の分解による研摩作用ではなく、酸化マンガン粒子からのマンガンイオンとマンガン酸イオンとの平衡による作用が継続されて、研摩処理が行われることに特徴がある。このため、従来のように１回のみ（かけ流し）での研摩材スラリーの使用のみならず、繰り返し（循環）で使用しても長時間にわたって、高い面精度の研摩処理を維持できる。
以上のように、本発明の研摩材スラリーは、モース硬度で硬度８以上の高硬度材料、例えば、炭化ケイ素、窒化ガリウム、ダイヤモンド等の研摩に好適であり、特に炭化ケイ素の研摩に最適である。
本発明の研摩材スラリーによれば、炭化ケイ素や窒化ガリウム等の高硬度の難削材も、高速に平滑研摩が可能となる。
以下、本発明における最良の実施形態について説明する。
［実施例１］
研摩材スラリーの作製：電解ＭｎＯ２(三井金属鉱業社製)の微粒粉末(Ｄ５０ ０．３０μｍ、比表面積４８．７ｍ２／ｇ、結晶子径２．０ｎｍ、種類γ−ＭｎＯ２、以下に示す実施例２〜１０、比較例１及び２についても同じ微粒粉末を研摩粒子として使用)２０ｇと純水９８０ｇを混合し、これにＫＭｎＯ４(和光純薬社製)９．８ｇを加えて撹拌し、研摩材スラリーを作製した。尚、平均粒径Ｄ５０はレーザー回折・散乱法粒子径分布における体積基準の積算分立における５０％径のことである。この平均粒径Ｄ５０の測定は、測定前に酸化物粒子の分散を行うために超音波分散処理を３分間実施し、レーザー回折・散乱法粒子径分布測定装置（（株）堀場製作所製：ＬＡ−９２０）を使用して測定した。また、結晶子径は、シェラー法による測定により得た数値である。また、比表面積はＢＥＴ法による測定により得た数値である。
研摩材スラリーの作製：電解ＭｎＯ２(三井金属鉱業社製)の微粒粉末(Ｄ５０ ０．３０μｍ、比表面積４８．７ｍ２／ｇ、結晶子径２．０ｎｍ、種類γ−ＭｎＯ２、以下に示す実施例２〜１０、比較例１及び２についても同じ微粒粉末を研摩粒子として使用)２０ｇと純水９８０ｇを混合し、これにＫＭｎＯ４(和光純薬社製)９．８ｇを加えて撹拌し、研摩材スラリーを作製した。尚、平均粒径Ｄ５０はレーザー回折・散乱法粒子径分布における体積基準の積算分立における５０％径のことである。この平均粒径Ｄ５０の測定は、測定前に酸化物粒子の分散を行うために超音波分散処理を３分間実施し、レーザー回折・散乱法粒子径分布測定装置（（株）堀場製作所製：ＬＡ−９２０）を使用して測定した。また、結晶子径は、シェラー法による測定により得た数値である。また、比表面積はＢＥＴ法による測定により得た数値である。
研摩試験：上記研摩材スラリーを用いて、以下の手順で研摩を行った。研摩対象は直径２インチまたは３インチのラッピングされた４Ｈ−ＳｉＣ基板を用いた。研摩は基板のＳｉ面に対して行った。研摩装置として、エム・エー・ティー社製片面研摩機ＢＣ−１５を用いた。定盤に取り付ける研摩パッドには、ニッタ・ハース社製ＳＵＢＡ＃６００を用いた。定盤の回転数は６０ｒｐｍ、外周部速度は７１６３ｃｍ／ｍｉｎに設定した。またキャリア回転数は６０ｒｐｍ、外周部速度は９６１ｃｍ／ｍｉｎに設定した。また、研摩時の荷重は２００ｇｆ／ｃｍ２とした。研摩材スラリー液の供給量は２００ｍＬ／ｍｉｎとした。なお、研摩時間は３時間とした。
研摩性能評価：研摩後の評価は、以下のように行った。研摩前後の表面粗さＲａ（ＪＩＳ Ｂ０６０１）は、原子間力顕微鏡「Ｄｉｍｅｎｔｉｏｎ３１００」（Ｄｉｇｉｔａｌ Ｉｎｓｔｒｕｍｅｎｔｓ社製）により該基板の表面を測定し、同社のソフトウエア「Ｎａｎｏｓｃｏｐｅ ５Ｖ」を用いて測定結果を解析することで求めた。測定条件は、測定範囲＝１０μｍ×１０μｍ、測定点５１２×５１２ポイント、スキャンレート＝１Ｈｚとした。また、研摩前後の基板の質量差とＳｉＣの密度（３．１０ｇ／ｃｍ３）とから研摩レート(ｎｍ／ｍｉｎ)を算出した。この評価結果を表１に示す。
［実施例２］
ＫＭｎＯ４の添加量を２９．４ｇとした以外は、実施例１と同様の操作を行った。評価結果を表１に示す。
ＫＭｎＯ４の添加量を２９．４ｇとした以外は、実施例１と同様の操作を行った。評価結果を表１に示す。
［実施例３］
ＫＭｎＯ４の添加量を５８．８ｇとした以外は実施例１と同様の操作を行った。評価結果を表１に示す。
ＫＭｎＯ４の添加量を５８．８ｇとした以外は実施例１と同様の操作を行った。評価結果を表１に示す。
［実施例４］
電解ＭｎＯ２の微粒粉末４０ｇと純水９６０ｇを混合し、これにＫＭｎＯ４ ９．６ｇを加えて撹拌し、研摩材スラリーを作製した。この研摩材スラリーを用いて、実施例１と同じ研摩評価を行った。結果を表１に示す。
電解ＭｎＯ２の微粒粉末４０ｇと純水９６０ｇを混合し、これにＫＭｎＯ４ ９．６ｇを加えて撹拌し、研摩材スラリーを作製した。この研摩材スラリーを用いて、実施例１と同じ研摩評価を行った。結果を表１に示す。
［実施例５］
ＫＭｎＯ４の添加量を２８．８ｇとした以外は実施例４と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
ＫＭｎＯ４の添加量を２８．８ｇとした以外は実施例４と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
［実施例６］
ＫＭｎＯ４の添加量を５７．６ｇとした以外は実施例４と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
ＫＭｎＯ４の添加量を５７．６ｇとした以外は実施例４と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
［実施例７］
電解ＭｎＯ２の微粒粉末１００ｇと純水９００ｇを混合し、これにＫＭｎＯ４ ９．０ｇを加えて撹拌し、研摩材スラリーを作製した。この研摩材スラリーを用いて、実施例１と同じ研摩評価を行った。結果を表1に示す。
電解ＭｎＯ２の微粒粉末１００ｇと純水９００ｇを混合し、これにＫＭｎＯ４ ９．０ｇを加えて撹拌し、研摩材スラリーを作製した。この研摩材スラリーを用いて、実施例１と同じ研摩評価を行った。結果を表1に示す。
［実施例８］
ＫＭｎＯ４の添加量を２７．０ｇとした以外は実施例７と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
ＫＭｎＯ４の添加量を２７．０ｇとした以外は実施例７と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
［実施例９］
ＫＭｎＯ４の添加量を５４．０ｇとした以外は実施例７と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
ＫＭｎＯ４の添加量を５４．０ｇとした以外は実施例７と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
［実施例１０］
ＫＭｎＯ４の代わりに、ＮａＭｎＯ４を１８０ｇ添加した以外は実施例７と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
ＫＭｎＯ４の代わりに、ＮａＭｎＯ４を１８０ｇ添加した以外は実施例７と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
［実施例１１］
ＫＭｎＯ４の添加量を４．９ｇとした以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
ＫＭｎＯ４の添加量を４．９ｇとした以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
［実施例１２］
ＫＭｎＯ４の添加量を７．３５ｇとした以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
ＫＭｎＯ４の添加量を７．３５ｇとした以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
［実施例１３］
ＫＭｎＯ４の添加量を９．８ｇとした以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
ＫＭｎＯ４の添加量を９．８ｇとした以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
［実施例１４］
ＫＭｎＯ４の添加量を１４．７ｇとした以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
ＫＭｎＯ４の添加量を１４．７ｇとした以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
［実施例１５］
ＫＭｎＯ４の添加量を１９．６ｇとした以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
ＫＭｎＯ４の添加量を１９．６ｇとした以外は実施例１と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
［実施例１６］
電解ＭｎＯ２の微粒粉末２００ｇと純水８００ｇを混合し、これにＫＭｎＯ４ ４．０ｇを加えて撹拌し、研摩材スラリーを作製した。この研摩材スラリーを用いて、実施例１と同じ研摩評価を行った。結果を表1に示す。
電解ＭｎＯ２の微粒粉末２００ｇと純水８００ｇを混合し、これにＫＭｎＯ４ ４．０ｇを加えて撹拌し、研摩材スラリーを作製した。この研摩材スラリーを用いて、実施例１と同じ研摩評価を行った。結果を表1に示す。
［実施例１７］
この実施例１７では、マンガン酸リチウム（ＬｉＭｎ２Ｏ４）（三井金属鉱業社製）を濃度０．１ＮのＨＮＯ３溶液中にて、９５℃、１２０分間酸洗することで得た、λ−ＭｎＯ２の微粒粉末(Ｄ５０ ０．７２μｍ、比表面積１６．０ｍ２／ｇ、結晶子径 ７０ ｎｍ)を研摩粒子とした。このλ−ＭｎＯ２２０ｇと純水９８０ｇを混合し、これにＫＭｎＯ４(和光純薬社製)２９．４ｇを加えて撹拌し、研摩材スラリーを作製した。この研摩材スラリーを用い、実施例１と同様の研摩評価を行った。結果を表１に示す。
この実施例１７では、マンガン酸リチウム（ＬｉＭｎ２Ｏ４）（三井金属鉱業社製）を濃度０．１ＮのＨＮＯ３溶液中にて、９５℃、１２０分間酸洗することで得た、λ−ＭｎＯ２の微粒粉末(Ｄ５０ ０．７２μｍ、比表面積１６．０ｍ２／ｇ、結晶子径 ７０ ｎｍ)を研摩粒子とした。このλ−ＭｎＯ２２０ｇと純水９８０ｇを混合し、これにＫＭｎＯ４(和光純薬社製)２９．４ｇを加えて撹拌し、研摩材スラリーを作製した。この研摩材スラリーを用い、実施例１と同様の研摩評価を行った。結果を表１に示す。
［実施例１８］
この実施例１８では、実施例１と同じ電解ＭｎＯ２の微粒粉末を８００℃にて焼成処理して生成されたＭｎ２Ｏ３(Ｄ５０ １．７７μｍ、比表面積４．０ｍ２／ｇ、結晶子径９．７ｎｍ)を研摩粒子とした。このＭｎ２Ｏ３微粒粉末２０ｇと純水９８０ｇを混合し、これにＫＭｎＯ４２９．４ｇを加えて撹拌し、研摩材スラリーを作製した。この研摩材スラリーを用いて、実施例１と同じ研摩評価を行った。結果を表１に示す。
この実施例１８では、実施例１と同じ電解ＭｎＯ２の微粒粉末を８００℃にて焼成処理して生成されたＭｎ２Ｏ３(Ｄ５０ １．７７μｍ、比表面積４．０ｍ２／ｇ、結晶子径９．７ｎｍ)を研摩粒子とした。このＭｎ２Ｏ３微粒粉末２０ｇと純水９８０ｇを混合し、これにＫＭｎＯ４２９．４ｇを加えて撹拌し、研摩材スラリーを作製した。この研摩材スラリーを用いて、実施例１と同じ研摩評価を行った。結果を表１に示す。
［実施例１９］
この実施例１９では、Ｍｎ３Ｏ4(三井金属鉱業社製)の微粒粉末(Ｄ５０ １．０４μｍ、比表面積４．９ｍ２／ｇ、結晶子径９．６ｎｍ)２０ｇと純水９８０ｇを混合し、これにＫＭｎＯ４２９．４ｇを加えて撹拌し、研摩材スラリーを作製した。この研摩材スラリーを用いて、実施例１と同じ研摩評価を行った。結果を表１に示す。
この実施例１９では、Ｍｎ３Ｏ4(三井金属鉱業社製)の微粒粉末(Ｄ５０ １．０４μｍ、比表面積４．９ｍ２／ｇ、結晶子径９．６ｎｍ)２０ｇと純水９８０ｇを混合し、これにＫＭｎＯ４２９．４ｇを加えて撹拌し、研摩材スラリーを作製した。この研摩材スラリーを用いて、実施例１と同じ研摩評価を行った。結果を表１に示す。
［比較例１］
電解ＭｎＯ２の微粒粉末４０ｇと純水９６０ｇを混合し、研摩材スラリーを作製した。この研摩材スラリーを用いて、実施例１と同じ研摩評価を行った。結果を表１に示す。
電解ＭｎＯ２の微粒粉末４０ｇと純水９６０ｇを混合し、研摩材スラリーを作製した。この研摩材スラリーを用いて、実施例１と同じ研摩評価を行った。結果を表１に示す。
［比較例２］
電解ＭｎＯ２の微粒粉末１５０ｇと純水８５０ｇを混合し、研摩材スラリーを作製した。この研摩材スラリーを用いて、実施例１と同じ研摩評価を行った。結果を表１に示す。
電解ＭｎＯ２の微粒粉末１５０ｇと純水８５０ｇを混合し、研摩材スラリーを作製した。この研摩材スラリーを用いて、実施例１と同じ研摩評価を行った。結果を表１に示す。
［比較例３］
コロイダルシリカの微粒粉末１００ｇと純水９００ｇを混合し、研摩材スラリーを作製した。この研摩材スラリーを用いて、実施例１と同じ研摩評価を行った。結果を表１に示す。
コロイダルシリカの微粒粉末１００ｇと純水９００ｇを混合し、研摩材スラリーを作製した。この研摩材スラリーを用いて、実施例１と同じ研摩評価を行った。結果を表１に示す。
［比較例４］
コロイダルシリカの微粒粉末１００ｇと純水９００ｇを混合し、これにＫＭｎＯ４ ９．０ｇを加えて撹拌し、研摩材スラリーを作製した。この研摩材スラリーを用いて、実施例１と同じ研摩評価を行った。結果を表１に示す。
コロイダルシリカの微粒粉末１００ｇと純水９００ｇを混合し、これにＫＭｎＯ４ ９．０ｇを加えて撹拌し、研摩材スラリーを作製した。この研摩材スラリーを用いて、実施例１と同じ研摩評価を行った。結果を表１に示す。
［比較例５］
ＫＭｎＯ４の添加量を０．８ｇとした以外は実施例１６と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
ＫＭｎＯ４の添加量を０．８ｇとした以外は実施例１６と同様の操作を行った。結果を表１に示す。
表１において、Ａ値は上記段落００１２に記載した算出方法により求めたマンガン酸イオン濃度、Ｂ値は酸化マンガン粒子のモル濃度である。表１の結果より、酸化マンガン粒子とマンガン酸イオンとを含有する実施例の研摩材スラリーを用いて４Ｈ−ＳｉＣ基板を研摩した場合、比較例３、４のコロイダルシリカの研摩粒子に比べ、研摩レートが非常に高く、高い面精度を実現できることが判明した。
また、表１に示した研摩粒子がＭｎＯ２の結果（実施例１〜１６、比較例５）について、そのマンガン酸イオン濃度又はＡ／Ｂ値と、研摩レートとの関係を調べた。図１には、マンガン酸イオン濃度と研摩レートとの相関を調べたグラフを示しており、図２には、Ａ／Ｂ値と研摩レートとの相関を調べたグラフを示す。図１及び図２において、●マークが比較例５の結果で、◆マークが実施例１〜１６の結果である。
図１のグラフより、研摩レートを２ｎｍ/ｍｉｎ以上とするには、マンガン酸イオン濃度が０．１質量％以上必要であることが、また研摩レートを６ｎｍ/ｍｉｎ以上とするには、マンガン酸イオン濃度が０．３質量％以上必要であることが判った。また、図２のグラフより、Ａ／Ｂ値は０．０１以上であると研摩レートが２ｎｍ/ｍｉｎ以上と高くなり、また、研摩レート８ｎｍ/ｍｉｎ以上とするにはＡ／Ｂ値は０．２以上であることが必要であることが判明した。また、Ａ／Ｂ値が４．０を超えても研摩レートのさらなる向上は見られなかった。研摩粒子が異なる実施例１７及び１８、１９の場合においてもマンガン酸イオン濃度とＡ／Ｂ値による研摩レートの挙動は同様であった。
次に、研摩材スラリーを循環使用をして研摩処理を行った結果について説明する。評価した研摩材スラリーは、実施例１、実施例３、実施例１２、比較例４である。
評価方法は、各研摩材スラリー１ｋｇを用いて直径２インチのラッピングされた４Ｈ−ＳｉＣ基板５或いは１０枚を用いて各基板を２時間で連続的にＳｉ面の研摩を行った(合計１０時間或いは２０時間研摩)。研摩条件は上記実施例１の研摩評価と同じである。また、研摩材スラリーは２００ｍＬ／ｍｉｎで循環使用した。表２にその結果を示す。
表２に示すように、実施例１と比較例４との１０時間の研摩処理の結果より、循環して繰り返し使用しても、実施例１の研摩材スラリーでは研摩レートの低下は非常に小さいことが判明した。これに対して、比較例４の研摩材スラリーでは、循環して繰り返し使用をすると、１０時間の繰り返し研摩処理の間に研摩レートが大きく低下し、安定した面精度を得ることもできなかった。
また、実施例３、実施例１２の結果から、マンガン酸イオン濃度が高くなると、時間経過ととともに研摩レートが低下する傾向が見られた。このことから、長時間の使用においては、マンガン酸イオン濃度は４．０質量％以下であることが特に好ましいことが分かった。また、Ａ／Ｂ値については１．５以下であることが特に好ましいことが判明した。
本発明によれば、炭化ケイ素や窒化ガリウム等の高硬度の難削材を高速に平滑研摩でき、連続した研摩処理も可能となるので、高硬度の難削材の効率的な研摩処理が実現できる。
Claims (11)
- 酸化マンガン粒子とマンガン酸イオンとを含有したスラリーからなり、スラリー中のマンガン酸イオンが０．１質量％以上であり、モース硬度で硬度８以上の高硬度材料を研摩するための研摩材スラリー。
- スラリー中の酸化マンガン粒子が１．０質量％以上である請求項１記載の研摩材スラリー。
- 酸化マンガンが二酸化マンガンである請求項１または請求項２に記載の研摩材スラリー。
- マンガン酸イオンが過マンガン酸イオンである請求項１〜３のいずれか記載の研摩材スラリー。
- 高硬度材料が炭化ケイ素である請求項１〜４のいずれか記載の研摩材スラリー。
- スラリーのｐＨが５．５以上である請求項１〜５のいずれか記載の研摩材スラリー。
- スラリー中のマンガン酸イオンは０．１質量％以上４．０質量％以下である請求項１〜６のいずれか記載の研摩材スラリー。
- 酸化マンガンに対するマンガン酸イオンのモル濃度比が０．０１以上１．５以下である請求項１〜７のいずれか記載の研摩材スラリー。
- 酸化マンガンに対するマンガン酸イオンのモル濃度比が０．２以上１．５以下である請求項１〜８のいずれか記載の研摩材スラリー。
- 請求項１〜請求項９いずれかに記載の研摩材スラリーを用いて、モース硬度で硬度８以上の高硬度材料を研摩する研摩方法。
- 研摩材スラリーを繰り返し使用して研摩する請求項１０記載の研摩方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2013538588A JPWO2013054883A1 (ja) | 2011-10-13 | 2012-10-12 | 研摩材スラリー及び研摩方法 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2011225625 | 2011-10-13 | ||
| JP2011225625 | 2011-10-13 | ||
| JP2012018931 | 2012-01-31 | ||
| JP2012018931 | 2012-01-31 | ||
| JP2013538588A JPWO2013054883A1 (ja) | 2011-10-13 | 2012-10-12 | 研摩材スラリー及び研摩方法 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016226583A Division JP6348560B2 (ja) | 2011-10-13 | 2016-11-22 | 研摩材スラリー及び研摩方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPWO2013054883A1 true JPWO2013054883A1 (ja) | 2015-03-30 |
Family
ID=48081929
Family Applications (2)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2013538588A Pending JPWO2013054883A1 (ja) | 2011-10-13 | 2012-10-12 | 研摩材スラリー及び研摩方法 |
| JP2016226583A Active JP6348560B2 (ja) | 2011-10-13 | 2016-11-22 | 研摩材スラリー及び研摩方法 |
Family Applications After (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2016226583A Active JP6348560B2 (ja) | 2011-10-13 | 2016-11-22 | 研摩材スラリー及び研摩方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9318339B2 (ja) |
| EP (1) | EP2767568B1 (ja) |
| JP (2) | JPWO2013054883A1 (ja) |
| CN (1) | CN103890127B (ja) |
| WO (1) | WO2013054883A1 (ja) |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2013161049A1 (ja) | 2012-04-27 | 2013-10-31 | 三井金属鉱業株式会社 | ＳｉＣ単結晶基板 |
| JP6611485B2 (ja) | 2014-11-07 | 2019-11-27 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨方法およびポリシング用組成物 |
| CN107109191B (zh) * | 2014-11-07 | 2022-03-15 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物 |
| JP6768717B2 (ja) * | 2016-02-09 | 2020-10-14 | 三井金属鉱業株式会社 | 研摩スラリー及び研摩材 |
| JP6301571B1 (ja) * | 2016-06-08 | 2018-03-28 | 三井金属鉱業株式会社 | 研摩液及び研摩物の製造方法 |
| EP3561857B1 (en) * | 2016-12-22 | 2021-06-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Polishing liquid and polishing method |
| US11339309B2 (en) | 2016-12-22 | 2022-05-24 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | Polishing liquid and polishing method |
| US11078380B2 (en) | 2017-07-10 | 2021-08-03 | Entegris, Inc. | Hard abrasive particle-free polishing of hard materials |
| JP7414062B2 (ja) * | 2019-03-27 | 2024-01-16 | Ａｇｃ株式会社 | 酸化ガリウム基板の製造方法 |
| CN118043427A (zh) * | 2021-09-30 | 2024-05-14 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物 |
| WO2023054385A1 (ja) * | 2021-09-30 | 2023-04-06 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| JPWO2024004750A1 (ja) * | 2022-06-27 | 2024-01-04 | ||
| WO2024004752A1 (ja) * | 2022-06-27 | 2024-01-04 | 三井金属鉱業株式会社 | ＳｉＣ基板の製造方法、及びＳｉＣ基板研磨用研磨材スラリー |
| JPWO2024004751A1 (ja) * | 2022-06-27 | 2024-01-04 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008068390A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Noritake Co Ltd | 結晶材料の研磨加工方法 |
| JP2009238891A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Hitachi Metals Ltd | ＳｉＣ単結晶基板の製造方法 |
| WO2010120784A1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-10-21 | Sinmat, Inc. | Chemical mechanical polishing of silicon carbide comprising surfaces |
| JP2011122102A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Kyushu Univ | 炭化珪素の研磨液及びその研磨方法 |
| JP2014522098A (ja) * | 2011-03-28 | 2014-08-28 | シンマット，インコーポレーテッド | Ｉｉｉ族窒化物表面の化学機械研磨方法 |
Family Cites Families (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6270395B1 (en) | 1998-09-24 | 2001-08-07 | Alliedsignal, Inc. | Oxidizing polishing slurries for low dielectric constant materials |
| JP2000160138A (ja) | 1998-12-01 | 2000-06-13 | Fujimi Inc | 研磨用組成物 |
| JP4028163B2 (ja) | 1999-11-16 | 2007-12-26 | 株式会社デンソー | メカノケミカル研磨方法及びメカノケミカル研磨装置 |
| US6332831B1 (en) * | 2000-04-06 | 2001-12-25 | Fujimi America Inc. | Polishing composition and method for producing a memory hard disk |
| EP1295682B1 (en) * | 2000-05-31 | 2007-10-24 | JSR Corporation | Abrasive material |
| US20030119316A1 (en) * | 2001-12-21 | 2003-06-26 | Micron Technology, Inc. | Methods for planarization of group VIII metal-containing surfaces using oxidizing agents |
| US6884723B2 (en) * | 2001-12-21 | 2005-04-26 | Micron Technology, Inc. | Methods for planarization of group VIII metal-containing surfaces using complexing agents |
| JP4187497B2 (ja) * | 2002-01-25 | 2008-11-26 | Ｊｓｒ株式会社 | 半導体基板の化学機械研磨方法 |
| US6918820B2 (en) * | 2003-04-11 | 2005-07-19 | Eastman Kodak Company | Polishing compositions comprising polymeric cores having inorganic surface particles and method of use |
| JP4792802B2 (ja) * | 2005-04-26 | 2011-10-12 | 住友電気工業株式会社 | Ｉｉｉ族窒化物結晶の表面処理方法 |
| JP2007088379A (ja) * | 2005-09-26 | 2007-04-05 | Fujifilm Corp | 水系研磨液、及び、化学機械的研磨方法 |
| KR20070088245A (ko) * | 2006-02-24 | 2007-08-29 | 후지필름 가부시키가이샤 | 금속용 연마액 |
| US7998866B2 (en) | 2006-09-05 | 2011-08-16 | Cabot Microelectronics Corporation | Silicon carbide polishing method utilizing water-soluble oxidizers |
| JP2008192930A (ja) * | 2007-02-06 | 2008-08-21 | Fujifilm Corp | 金属研磨用組成物及びそれを用いた化学的機械的研磨方法 |
| JP5317436B2 (ja) * | 2007-06-26 | 2013-10-16 | 富士フイルム株式会社 | 金属用研磨液及びそれを用いた研磨方法 |
| JP2009081200A (ja) * | 2007-09-25 | 2009-04-16 | Fujifilm Corp | 研磨液 |
| JP2009272380A (ja) * | 2008-05-01 | 2009-11-19 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Ｉｉｉ族窒化物結晶およびその表面処理方法、ｉｉｉ族窒化物積層体およびその製造方法、ならびにｉｉｉ族窒化物半導体デバイスおよびその製造方法 |
| CN101608098B (zh) * | 2008-06-20 | 2013-06-12 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种用于金属化学机械抛光的抛光浆料及其用途 |
| CN101684393B (zh) * | 2008-09-26 | 2014-02-26 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光浆料 |
| JP4333820B1 (ja) * | 2009-01-19 | 2009-09-16 | 住友電気工業株式会社 | 化合物半導体基板 |
| JP5267177B2 (ja) | 2009-02-04 | 2013-08-21 | 日立金属株式会社 | 炭化珪素単結晶基板の製造方法 |
| JP5909845B2 (ja) * | 2009-08-24 | 2016-04-27 | 東ソー株式会社 | 電解二酸化マンガン及びその製造方法並びにその用途 |
| JP4940289B2 (ja) | 2009-12-11 | 2012-05-30 | 三井金属鉱業株式会社 | 研摩材 |
-
2012
- 2012-10-12 CN CN201280050088.7A patent/CN103890127B/zh active Active
- 2012-10-12 JP JP2013538588A patent/JPWO2013054883A1/ja active Pending
- 2012-10-12 WO PCT/JP2012/076446 patent/WO2013054883A1/ja active Application Filing
- 2012-10-12 US US14/347,637 patent/US9318339B2/en active Active
- 2012-10-12 EP EP12839614.0A patent/EP2767568B1/en active Active
-
2016
- 2016-11-22 JP JP2016226583A patent/JP6348560B2/ja active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008068390A (ja) * | 2006-09-15 | 2008-03-27 | Noritake Co Ltd | 結晶材料の研磨加工方法 |
| JP2009238891A (ja) * | 2008-03-26 | 2009-10-15 | Hitachi Metals Ltd | ＳｉＣ単結晶基板の製造方法 |
| WO2010120784A1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-10-21 | Sinmat, Inc. | Chemical mechanical polishing of silicon carbide comprising surfaces |
| JP2011122102A (ja) * | 2009-12-11 | 2011-06-23 | Kyushu Univ | 炭化珪素の研磨液及びその研磨方法 |
| JP2014522098A (ja) * | 2011-03-28 | 2014-08-28 | シンマット，インコーポレーテッド | Ｉｉｉ族窒化物表面の化学機械研磨方法 |
Non-Patent Citations (2)
| Title |
|---|
| 長谷川正ら: "ＳｉＣ基板の精密加工／ＣＭＰプロセスへの酸化マンガン系スラリーの適用", 日本機械学会九州支部講演論文集, vol. 63, JPN6012048891, 2010, pages 95 - 96, ISSN: 0003319187 * |
| 長谷川正ら: "酸化マンガン系スラリーを用いたＳｉＣ単結晶基板の精密加工 −密閉型加工環境コントロールＣＭＰ装置によ", 精密工学会大会学術講演会講演論文集, vol. 2011, JPN6012048895, 11 March 2011 (2011-03-11), pages 375 - 376, ISSN: 0003319186 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140242750A1 (en) | 2014-08-28 |
| CN103890127A (zh) | 2014-06-25 |
| WO2013054883A1 (ja) | 2013-04-18 |
| JP2017071787A (ja) | 2017-04-13 |
| EP2767568A1 (en) | 2014-08-20 |
| EP2767568A4 (en) | 2015-10-07 |
| CN103890127B (zh) | 2015-09-09 |
| US9318339B2 (en) | 2016-04-19 |
| EP2767568B1 (en) | 2018-12-05 |
| JP6348560B2 (ja) | 2018-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP6348560B2 (ja) | 研摩材スラリー及び研摩方法 | |
| JP6694674B2 (ja) | 研磨方法およびポリシング用組成物 | |
| JP6846339B2 (ja) | 軟質コア複合粒子による硬質基板の研磨 | |
| JP5300864B2 (ja) | 酸化セリウム及びコロイド状二酸化ケイ素を含有する分散液 | |
| US20100163785A1 (en) | Dispersion comprising cerium oxide, silicon dioxide and amino acid | |
| EP2121860B1 (en) | Dispersion comprising cerium oxide and colloidal silicon dioxide | |
| JP6744295B2 (ja) | 研摩材および研摩スラリー | |
| JP2000160138A (ja) | 研磨用組成物 | |
| Chen et al. | The effect of surface polarity on the CMP behavior of 6H-SiC substrates | |
| JP2024514473A (ja) | 化学機械平坦化（ｃｍｐ）のための懸濁液とそれを用いる方法 | |
| CN114410226A (zh) | 一种抛光液及其制备方法和应用 | |
| TW201739893A (zh) | 研磨用組成物 | |
| WO2013161591A1 (ja) | ＳｉＣ単結晶基板 | |
| Zhang et al. | Synthesis of Al2O3@ MnO2 composite abrasives and their chemical mechanical polishing performance on silicon carbide (SiC) | |
| TW201504412A (zh) | 化學機械拋光（ｃｍｐ）組成物 | |
| Cui et al. | Unveiling the synergistic interaction: Investigating the enhanced mechanism of 4H–SiC chemical mechanical polishing with the addition of sodium silicate and manganese dioxide | |
| TW201942320A (zh) | 研磨用組合物 | |
| JP2013077661A (ja) | 化合物半導体基板の表面研磨方法 | |
| TW201219518A (en) | A chemical mechanical polishing (CMP) composition comprising a specific heteropolyacid | |
| WO2013179926A1 (ja) | 研摩材スラリー | |
| JP4159679B2 (ja) | 研磨用組成物 | |
| CN117120564A (zh) | 用于化学机械平坦化(cmp)的悬浮液和使用所述悬浮液的方法 | |
| Ramanathan et al. | High Selectivity Slurries for STI CMP | |
| JP2013163228A (ja) | 研摩材 | |
| JP2013082048A (ja) | 研摩材 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20150527 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150610 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20160518 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20160711 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20160824 |
|
| A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20161122 |
|
| A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20161205 |
|
| A912 | Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912 Effective date: 20170106 |