JPWO2013005482A1 - 電子部品 - Google Patents

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Abstract

良好な直流重畳特性を得ることができる電子部品を提供することである。積層体(12)は、磁性体層及び非磁性体層(20)が積層されて構成され、かつ、直方体状をなしている。コイル導体(16)は、磁性体層及び非磁性体層(20)と共に積層され、かつ、x軸方向において互いに対向している積層体(12)の端面(S3,S4)を繋いでいる直線状の導体である。z軸方向における端面(S3,S4)の長さ(L2)は、y軸方向における端面(S3,S4)の長さ(L1)よりも小さい。

Description

本発明は、電子部品に関し、より特定的には、コイルを内蔵している電子部品に関する。
従来の電子部品としては、例えば、特許文献1に記載の積層インダクタンス素子が知られている。図8は、積層インダクタンス素子500の積層体502の分解斜視図である。図9は、積層インダクタンス素子500の断面構造図である。
積層インダクタンス素子500は、積層体502、導体パターン504及び外部電極(図示せず)を備えている。積層体502は、複数のフェライトシート506及び非磁性セラミック層507が積層されて構成されており、直方体状をなしている。以下では、積層方向から平面視したときに、積層体502の長手方向の両端に位置する面を端面と呼び、積層体502の短手方向の両端に位置する面を側面と呼ぶ。また、積層体502の積層方向の上側の面を上面と呼び、積層体502の積層方向の下側の面を底面と呼ぶ。
導体パターン504は、積層体502内に設けられており、積層体502の両端面間を直線的に接続している。導体パターン504は、コイルを構成している。また、2つの外部電極(図示せず)はそれぞれ、両端面を覆っており、導体パターン504の両端に接続されている。
以上のように構成された積層インダクタンス素子500の導体パターン504に直交する断面は、図9に示す構造をなしている。より詳細には、導体パターン504の側方には非磁性セラミック層507が設けられている。磁束は、非磁性セラミック層507を通過しにくいため、積層体502の側面から外部に漏れ出す。これにより、積層体502内で磁束が集中しすぎて磁気飽和が発生することが抑制されている。
しかしながら、特許文献1に記載の積層インダクタンス素子500では、良好な直流重畳特性を得ることが困難である。より詳細には、図9に示すように、積層体502の断面は、横長な長方形をなしている。そのため、導体パターン504から積層体502の側面までの距離は比較的に長い。したがって、導体パターン504を周回する磁束は、積層体502の側面から外部に漏れ出しにくい。よって、特許文献1に記載の積層インダクタンス素子500では、積層体502内で磁束が集中しすぎて磁気飽和が発生するおそれがある。磁気飽和が発生すると、積層インダクタンス素子500のインダクタンス値が急激に低下する。以上より、積層インダクタンス素子500では、良好な直流重畳特性を得ることが困難である。
特許第4307822号公報
そこで、本発明の目的は、良好な直流重畳特性を得ることができる電子部品を提供することである。
本発明の一形態に係る電子部品は、第1の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、直方体状をなしている積層体と、前記第1の絶縁体層と共に積層され、かつ、積層方向に直交する第1の方向において互いに対向している前記積層体の2つの端面を繋いでいる直線状のコイル導体と、を備えており、積層方向及び前記第1の方向に直交する第2の方向における前記端面の長さは、積層方向における該端面の長さよりも小さいこと、を特徴とする。
本発明によれば、良好な直流重畳特性を得ることができる。
一実施形態に係る電子部品の外観斜視図である。 図1の電子部品の積層体の分解斜視図である。 図1の電子部品のA−Aにおける断面構造図である。 比較例に係る電子部品の外観斜視図である。 第1の変形例に係る電子部品の断面構造図である。 第2の変形例に係る電子部品の断面構造図である。 第3の変形例に係る電子部品の断面構造図である。 積層インダクタンス素子の積層体の分解斜視図である。 積層インダクタンス素子の断面構造図である。
以下に、本発明の実施形態に係る電子部品について説明する。
(電子部品の構造)
以下に、一実施形態に係る電子部品の構造について図面を参照しながら説明する。図1は、一実施形態に係る電子部品10aの外観斜視図である。図2は、図1の電子部品10aの積層体12の分解斜視図である。図3は、図1の電子部品10aのA−Aにおける断面構造図である。以下では、積層体12の積層方向をy軸方向と定義する。また、y軸方向から平面視したときに、積層体12の長辺が延在している方向をx軸方向と定義し、積層体12の短辺が延在している方向をz軸方向と定義する。x軸方向、y軸方向及びz軸方向は互いに直交している。
電子部品10aは、積層体12、外部電極14(14a,14b)及びコイル導体16を備えている。
積層体12は、直方体状をなしており、側面S1,S2、端面S3,S4、上面S5及び底面S6を有している。側面S1,S2は、積層体12のz軸方向の正方向側及び負方向側の面である。端面S3,S4はそれぞれ、積層体12のx軸方向の負方向側及び正方向側の面である。上面S5は、積層体12のy軸方向の正方向側の面である。底面S6は、積層体12のy軸方向の負方向側の面である。
積層体12は、図2に示すように、磁性体層18a〜18f、非磁性体層20及び磁性体層18g〜18lがy軸方向の正方向側から負方向側へとこの順に並ぶように積層されることにより構成されている。磁性体層18は、磁性体材料からなる長方形状の層である。磁性体材料とは、−55℃以上+125℃以下の温度範囲において、磁性体材料として機能する材料を意味する。非磁性体層20は、磁性体層18(18a〜18l)よりも低い透磁率を有しており、本実施形態では非磁性体材料からなる長方形状の層である。非磁性体材料とは、−55℃以上+125℃以下の温度範囲において、非磁性体材料として機能する材料を意味する。以下では、磁性体層18及び非磁性体層20のz軸方向の正方向側の面を表面と称し、磁性体層18及び非磁性体層20のz軸方向の負方向側の面を裏面と称す。
また、積層体12では、z軸方向における端面S3,S4の長さL2は、図1に示すように、y軸方向における端面S3,S4の長さL1よりも小さい。
コイル導体16は、磁性体層18及び非磁性体層20と共に積層されることにより、積層体12に内蔵されている。コイル導体16は、x軸方向において互いに対向している端面S3,S4を繋いでいる直線状の線状導体であり、非磁性体層20の表面上に設けられている。コイル導体16は、x軸方向に延在しており、AgやCu等を主成分とする導電性ペーストが非磁性体層20の表面に塗布されることにより形成されている。なお、コイル導体16は、金属箔が加工されて形成されてもよいし、丸断面又は平角断面を有する金属線により形成されていてもよい。
また、図3に示すように、コイル導体16は、z軸方向において積層体12内の略中央に設けられている。すなわち、コイル導体16から側面S1までの距離D1と、コイル導体16から側面S2までの距離D2とは、略等しい。
また、図2に示すように、コイル導体16は、y軸方向において積層体12内の略中央に設けられている。すなわち、コイル導体16から上面S5までの距離D3と、コイル導体16から底面S6までの距離D4とは、略等しい。
外部電極14aは、積層体12の端面S3に設けられ、側面S1,S2、上面S5及び底面S6に折り返されている。これにより、外部電極14aは、コイル導体16のx軸方向の負方向側の端部に接続されている。外部電極14aは、例えば、積層体12の端面S3に導電性ペーストが塗布されて形成された銀電極上にSnめっき及びNiめっきが施されて形成されている。
外部電極14bは、積層体12の端面S4に設けられ、側面S1,S2、上面S5及び底面S6に折り返されている。これにより、外部電極14bは、コイル導体16のx軸方向の正方向側の端部に接続されている。外部電極14bは、例えば、積層体12の端面S3に導電性ペーストが塗布されて形成された銀電極上にSnめっき及びNiめっきが施されて形成されている。
以上のように構成された電子部品10aは、回路基板に実装されて用いられる。この際、側面S2は、回路基板への実装時に回路基板に対向する実装面として用いられる。
(電子部品の製造方法)
次に、一実施形態に係る電子部品10aの製造方法について図面を参照しながら説明する。
まず、磁性体層18となるべきセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、酸化第二鉄(Fe23)、酸化亜鉛(ZnO)、酸化ニッケル(NiO)及び酸化銅(CuO)を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を800℃で1時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
このフェライトセラミック粉末に対して、結合剤(酢酸ビニル、水溶性アクリル等)、可塑剤、湿潤材及び分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、セラミックグリーンシートを作製する。セラミックグリーンシートの厚さは、20μm〜25μmである。
次に、非磁性体層20となるべきセラミックグリーンシートを準備する。具体的には、酸化第二鉄(Fe23)、酸化亜鉛(ZnO)及び酸化銅(CuO)を所定の比率で秤量したそれぞれの材料を原材料としてボールミルに投入し、湿式調合を行う。得られた混合物を乾燥してから粉砕し、得られた粉末を800℃で1時間仮焼する。得られた仮焼粉末をボールミルにて湿式粉砕した後、乾燥してから解砕して、フェライトセラミック粉末を得る。
このフェライトセラミック粉末に対して、結合剤(酢酸ビニル、水溶性アクリル等)、可塑剤、湿潤材及び分散剤を加えてボールミルで混合を行い、その後、減圧により脱泡を行う。得られたセラミックスラリーをドクターブレード法により、キャリアシート上にシート状に形成して乾燥させ、セラミックグリーンシートを作製する。セラミックグリーンシートの厚さは、20μm〜25μmである。
次に、非磁性体層20となるべきセラミックグリーンシートの表面上に、導電性材料からなるペーストをスクリーン印刷法やフォトリソグラフィ工法などの方法で塗布することにより、コイル導体16を形成する。導電性材料からなるペーストは、例えば、Agに、ワニス及び溶剤が加えられたものである。
次に、図2に示すように、磁性体層18a〜18fとなるべきセラミックグリーンシート、非磁性体層20となるべきセラミックグリーンシート及び磁性体層18g〜18lとなるべきセラミックグリーンシートをy軸方向の正方向側からこの順に並ぶように積層及び仮圧着する。これにより、未焼成のマザー積層体を得る。この後、未焼成のマザー積層体に対して、静水圧プレスにて本圧着を施す。静水圧プレスの条件は、100MPaの圧力及び45℃の温度である。
次に、マザー積層体を個別の積層体12にカットする。これにより、未焼成の積層体12を得る。更に、未焼成の積層体12に、脱バインダー処理及び焼成を施す。脱バインダー処理は、例えば、低酸素雰囲気中において850℃で2時間の条件で行う。焼成は、例えば、900℃〜930℃で2.5時間の条件で行う。この後、積層体12の表面に、バレル研磨処理を施して、面取りを行う。
次に、Agを主成分とする導電性材料からなる電極ペーストを、積層体12の端面S3,S4に塗布する。そして、塗布した電極ペーストを約800℃の温度で1時間の条件で焼き付ける。これにより、外部電極14となるべき銀電極を形成する。更に、外部電極14となるべき銀電極の表面に、Niめっき/Snめっきを施すことにより、外部電極14を形成する。以上の工程により、電子部品10aが完成する。
(効果)
以上のように構成された電子部品10aによれば、良好な直流重畳特性を得ることができる。より詳細には、特許文献1に記載の積層インダクタンス素子500では、図9に示すように、積層体502の断面は、横長な長方形をなしている。そのため、導体パターン504から積層体502の側面までの距離は比較的に長い。したがって、導体パターン504を周回する磁束は、積層体502の側面から外部に漏れ出しにくい。よって、特許文献1に記載の積層インダクタンス素子500では、積層体502内で磁束が集中しすぎて磁気飽和が発生するおそれがある。磁気飽和が発生すると、積層インダクタンス素子500のインダクタンス値が急激に低下する。以上より、積層インダクタンス素子500では、良好な直流重畳特性を得ることが困難である。
一方、電子部品10aでは、コイル導体16は、磁性体層18及び非磁性体層20と共に積層されることにより、積層体12に内蔵されている。更に、z軸方向における端面S3,S4の長さL2は、y軸方向における端面S3,S4の長さL1よりも小さい。これにより、電子部品10aのコイル導体16から側面S1,S2までの距離D1,D2は、同じサイズの積層インダクタンス素子500の導体パターン504から積層体502の側面までの距離よりも小さくなる。更に、距離D1,D2は、同じサイズの積層インダクタンス素子500の導体パターン504から積層体502の上面及び底面までの距離よりも小さくなる。よって、電子部品10aにおいて側面S1,S2から漏れる磁束の本数は、積層インダクタンス素子500の上面、底面及び側面から漏れる磁束の本数よりも多くなる。よって、電子部品10aでは、磁気飽和の発生が抑制され、良好な直流重畳特性を得ることができる。
また、電子部品10aでは、以下の理由によっても、良好な直流重畳特性を得ることができる。より詳細には、電子部品10aでは、非磁性体層20は、z軸方向に積層体12を横切っており、コイル導体16は、非磁性体層20の表面上に設けられている。更に、y軸方向における端面S3,S4の長さL1がz軸方向における端面S3,S4の長さL2よりも大きい。そのため、コイル導体16から側面S1,S2までの距離D1,D2が小さくなっている。よって、コイル導体16を周回する磁束の多くは、非磁性体層20を通過する際に、側面S1,S2から漏れ出す。その結果、電子部品10aでは、磁気飽和の発生が抑制され、良好な直流重畳特性を得ることができる。
また、電子部品10aでは、側面S2が、回路基板への実装時に回路基板に対向する実装面である。そのため、コイル導体16は、回路基板と主面において対向しない。よって、コイル導体16と回路基板内の配線とが対向する面積が小さい。その結果、電子部品10aにおいて、回路基板との間に発生する浮遊容量が低減される。
(シミュレーション)
本願発明者は、電子部品10aが奏する効果をより明確にするために、以下に説明するコンピュータシミュレーションを行った。図4は、比較例に係る電子部品110の外観斜視図である。なお、電子部品110において、電子部品10aと同じ構成については、電子部品10aの参照符号に100を足した参照符号を付した。
本願発明者は、第1のモデル及び第2のモデルとして、図1に示す電子部品10a及び図4に示す電子部品110を作成した。電子部品10aのサイズと電子部品110のサイズとは同じである。また、コイル導体16の幅とコイル導体116の幅とは同じである。ただし、電子部品10aの積層方向はy軸方向であり、電子部品110の積層方向はz軸方向である。また、電子部品10aでは、コイル導体16は、非磁性体層20上に設けられているのに対して、電子部品110では、コイル導体116は、非磁性体層120にy軸方向の両側から挟まれている。そして、各モデルに1mA、500mA、1000mA、3000mA及び5000mAの電流を流して、インダクタンス値を算出した。更に、1mAの電流を流したときのインダクタンス値に対する、500mA、1000mA、3000mA及び5000mAの電流を流したときのインダクタンス値の減少率を算出した。表1は、シミュレーション結果を示した表である。
Figure 2013005482
表1によれば、第1のモデルの方が、第2のモデルよりも、電流を大きくした場合におけるインダクタンス値の減少率が小さいことが分かる。よって、本シミュレーションによれば、電子部品10aが良好な直流重畳特性を得ることができていることが分かる。
(第1の変形例)
以下に、第1の変形例に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図5は、第1の変形例に係る電子部品10bの断面構造図である。
電子部品10bは、電子部品10aと同じ構造を有している。電子部品10bと電子部品10aとの相違点は、実装面に用いられる面である。より詳細には、電子部品10bでは、底面S6が、回路基板への実装時に回路基板に対向する実装面である。
以上のような電子部品10bにおいても、電子部品10aと同様に、良好な直流重畳特性を得ることができる。
(第2の変形例)
以下に、第2の変形例に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図6は、第2の変形例に係る電子部品10cの断面構造図である。
電子部品10aと電子部品10cとの相違点は、コイル導体16が設けられる位置である。より詳細には、電子部品10aでは、コイル導体16は、非磁性体層20の表面上に設けられている。一方、電子部品10cでは、コイル導体16は、非磁性体層20に埋め込まれている。すなわち、コイル導体16のz軸方向の正方向側及び負方向側には、非磁性体層20が設けられている。そして、コイル導体16のy軸方向の両側には、非磁性体層20が設けられておらず、磁性体層18が設けられている。
以上のような電子部品10cでは、側面S2が、回路基板への実装時に回路基板に対向する実装面である。
前記電子部品10bにおいても、電子部品10aと同様に、良好な直流重畳特性を得ることができる。
(第3の変形例)
以下に、第3の変形例に係る電子部品について図面を参照しながら説明する。図7は、第3の変形例に係る電子部品10dの断面構造図である。
電子部品10dは、電子部品10cと同じ構造を有している。電子部品10dと電子部品10cとの相違点は、実装面に基いられる面である。より詳細には、電子部品10dでは、底面S6が、回路基板への実装時に回路基板に対向する実装面である。
以上のような電子部品10dにおいても、電子部品10a〜10cと同様に、良好な直流重畳特性を得ることができる。
この出願は、2011年7月6日に出願された日本国出願2011−149902号に基づく優先権を主張するものであり、その全体の開示内容が本明細書に参照により組み込まれる。
以上のように、本発明は、電子部品に有用であり、特に、良好な直流重畳特性を得ることができる点において優れている。
S1,S2 側面
S3,S4 端面
S5 上面
S6 底面
10a〜10d 電子部品
12 積層体
14a,14b 外部電極
16 コイル導体
18a〜18l 磁性体層
20 非磁性体層
本発明の第1の形態に係る電子部品は、第1の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、直方体状をなしている積層体と、前記第1の絶縁体層と共に積層され、かつ、積層方向に直交する第1の方向において互いに対向している前記積層体の2つの端面を繋いでいる直線状のコイル導体と、を備えており、積層方向及び前記第1の方向に直交する第2の方向における前記端面の長さは、積層方向における該端面の長さよりも小さ前記積層体は、前記第1の絶縁体層よりも低い透磁率を有する第2の絶縁体層であって、該第1の絶縁体層と共に積層されている第2の絶縁体層を更に含んでおり、前記コイル導体は、前記第2の絶縁体層上に設けられていること、を特徴とする。
本発明の第2の形態に係る電子部品は、第1の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、直方体状をなしている積層体と、前記第1の絶縁体層と共に積層され、かつ、積層方向に直交する第1の方向において互いに対向している前記積層体の2つの端面を繋いでいる直線状のコイル導体と、を備えており、積層方向及び前記第1の方向に直交する第2の方向における前記端面の長さは、積層方向における該端面の長さよりも小さく、前記積層体は、前記第1の絶縁体層よりも低い透磁率を有する第2の絶縁体層であって、該第1の絶縁体層と共に積層されている第2の絶縁体層を更に含んでおり、前記コイル導体は、前記第2の絶縁体層に埋め込まれていること、を特徴とする。

Claims (8)

  1. 第1の絶縁体層が積層されて構成され、かつ、直方体状をなしている積層体と、
    前記第1の絶縁体層と共に積層され、かつ、積層方向に直交する第1の方向において互いに対向している前記積層体の2つの端面を繋いでいる直線状のコイル導体と、
    を備えており、
    積層方向及び前記第1の方向に直交する第2の方向における前記端面の長さは、積層方向における該端面の長さよりも小さいこと、
    を特徴とする電子部品。
  2. 前記積層体は、前記第1の絶縁体層よりも低い透磁率を有する第2の絶縁体層であって、該第1の絶縁体層と共に積層されている第2の絶縁体層を更に含んでおり、
    前記コイル導体は、前記第2の絶縁体層上に設けられていること、
    を特徴とする請求項1に記載の電子部品。
  3. 前記積層体は、前記第1の絶縁体層よりも低い透磁率を有する第2の絶縁体層であって、該第1の絶縁体層と共に積層されている第2の絶縁体層を更に含んでおり、
    前記コイル導体は、前記第2の絶縁体層に埋め込まれていること、
    を特徴とする請求項1に記載の電子部品。
  4. 前記第2の方向の一方側に位置する側面は、回路基板への実装時に該回路基板に対向する実装面であること、
    を特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の電子部品。
  5. 積層方向の一方側に位置する底面は、回路基板への実装時に該回路基板に対向する実装面であること、
    を特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の電子部品。
  6. 前記コイル導体から前記第2の方向の一方側に位置する側面までの距離と、該コイル導体から該第2の方向の他方側に位置する側面までの距離とは、略等しいこと、
    を特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれかに記載の電子部品。
  7. 前記コイル導体から積層方向の一方側に位置する底面までの距離と、該コイル導体から積層方向の他方側に位置する上面までの距離とは、略等しいこと、
    を特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれかに記載の電子部品。
  8. 前記2つの端面のそれぞれに設けられ、かつ、前記コイル導体の両端に接続されている第1の外部電極及び第2の外部電極を、
    更に備えていること、
    を特徴とする請求項1ないし請求項7のいずれかに記載の電子部品。
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