JPWO2010007863A1 - マイクロ波プラズマ処理装置、及び冷却ジャケットの製造方法 - Google Patents
マイクロ波プラズマ処理装置、及び冷却ジャケットの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2010007863A1 JPWO2010007863A1 JP2010520814A JP2010520814A JPWO2010007863A1 JP WO2010007863 A1 JPWO2010007863 A1 JP WO2010007863A1 JP 2010520814 A JP2010520814 A JP 2010520814A JP 2010520814 A JP2010520814 A JP 2010520814A JP WO2010007863 A1 JPWO2010007863 A1 JP WO2010007863A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cooling
- cooling jacket
- slow wave
- wave plate
- microwave
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05H—PLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
- H05H1/00—Generating plasma; Handling plasma
- H05H1/24—Generating plasma
- H05H1/46—Generating plasma using applied electromagnetic fields, e.g. high frequency or microwave energy
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
- H01J37/32192—Microwave generated discharge
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
- H01J37/32431—Constructional details of the reactor
- H01J37/32458—Vessel
- H01J37/32522—Temperature
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Plasma Technology (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
Description
Claims (11)
- 内部に被処理基板を支持する支持台を有する処理容器と、
前記処理容器に結合された排気系と、
前記処理容器上に、前記支持台上の前記被処理基板に対面するように設けられたマイクロ波透過窓と、
前記処理容器にプラズマ生成用ガスを供給するガス供給部と、
前記処理容器上に設けられたマイクロ波アンテナとを具え、
前記マイクロ波アンテナは、冷媒を流通させるための流通孔が形成されてなる冷却部を含む冷却ジャケット、この冷却ジャケットと対向するようにして設けられた遅波板、及びこの遅波板の、前記冷却ジャケットが設けられた側の主面と相対向する側の主面上に形成されたスロット板とを有し、
前記遅波板と前記冷却ジャケットの前記冷却部とが隣接されてなることを特徴とする、マイクロ波プラズマ処理装置。 - 前記冷却ジャケットと前記遅波板とが接合されていることを特徴とする、請求項1に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記冷却ジャケットのジャケット構成材料の線膨張係数が前記遅波板の構成材料の線膨張係数と実質的に同一であることを特徴とする、請求項1又は2に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記ジャケット構成材料はAl−SiCであり、前記構成材料はアルミナであることを特徴とする、請求項3に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記マイクロ波アンテナは、前記冷却ジャケットの、前記遅波板と相対向する側の主面上に形成した板材を含むことを特徴とする、請求項1〜4のいずれか一に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 前記板材はアルミナからなることを特徴とする、請求項5に記載のマイクロ波プラズマ処理装置。
- 冷媒を流通させるための流通孔が形成されてなる冷却部本体と、前記流通孔を密閉する蓋体とからなる冷却ジャケットの製造方法であって、
前記冷却部本体と前記蓋体とは熱拡散接合によって接合することを特徴とする、冷却ジャケットの製造方法。 - 前記冷却部本体の接合面上に第1の接合材料を配置し、前記蓋体の接合面上に第2の接合材料を配置することを特徴とする、請求項7に記載の冷却ジャケットの製造方法。
- 前記冷却部本体の接合面及び前記蓋体の接合面間にロー材を介在させて前記熱拡散接合により、前記冷却部本体及び前記蓋体を接合することを特徴とする、請求項8に記載の冷却ジャケットの製造方法。
- 前記第1の接合材料及び前記第2の接合材料は、それぞれ前記冷却部本体及び前記蓋体の構成材料の一部が前記冷却部本体及び蓋体の前記接合面上に露出してなることを特徴とする、請求項8又は9に記載の冷却ジャケットの製造方法。
- 前記冷却部本体及び前記蓋体はAl−SiCからなり、前記第1の接合材料及び前記第2の接合材料はAlであることを特徴とする、請求項8〜10のいずれか一に記載の冷却ジャケットの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2010520814A JP5411136B2 (ja) | 2008-07-15 | 2009-06-24 | マイクロ波プラズマ処理装置、及び冷却ジャケットの製造方法 |
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008183972 | 2008-07-15 | ||
JP2008183972 | 2008-07-15 | ||
PCT/JP2009/061477 WO2010007863A1 (ja) | 2008-07-15 | 2009-06-24 | マイクロ波プラズマ処理装置、及び冷却ジャケットの製造方法 |
JP2010520814A JP5411136B2 (ja) | 2008-07-15 | 2009-06-24 | マイクロ波プラズマ処理装置、及び冷却ジャケットの製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013170920A Division JP2013251574A (ja) | 2008-07-15 | 2013-08-21 | マイクロ波プラズマ処理装置、及び冷却ジャケットの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2010007863A1 true JPWO2010007863A1 (ja) | 2012-01-05 |
JP5411136B2 JP5411136B2 (ja) | 2014-02-12 |
Family
ID=41550271
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2010520814A Expired - Fee Related JP5411136B2 (ja) | 2008-07-15 | 2009-06-24 | マイクロ波プラズマ処理装置、及び冷却ジャケットの製造方法 |
JP2013170920A Pending JP2013251574A (ja) | 2008-07-15 | 2013-08-21 | マイクロ波プラズマ処理装置、及び冷却ジャケットの製造方法 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2013170920A Pending JP2013251574A (ja) | 2008-07-15 | 2013-08-21 | マイクロ波プラズマ処理装置、及び冷却ジャケットの製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8242405B2 (ja) |
JP (2) | JP5411136B2 (ja) |
KR (1) | KR101235027B1 (ja) |
TW (1) | TW201012316A (ja) |
WO (1) | WO2010007863A1 (ja) |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2010118549A (ja) * | 2008-11-13 | 2010-05-27 | Tokyo Electron Ltd | プラズマエッチング方法及びプラズマエッチング装置 |
US9006625B2 (en) * | 2010-01-29 | 2015-04-14 | Lg Chem, Ltd. | Method for forming conductive patterns using microwave |
JP5762708B2 (ja) * | 2010-09-16 | 2015-08-12 | 国立大学法人名古屋大学 | プラズマ生成装置、プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法 |
JP2015018687A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置、スロットアンテナ及び半導体装置 |
JP2015018686A (ja) * | 2013-07-10 | 2015-01-29 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置、スロットアンテナ及び半導体装置 |
JP2019012656A (ja) * | 2017-06-30 | 2019-01-24 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ発生ユニット及びプラズマ処理装置 |
JP7067913B2 (ja) * | 2017-12-13 | 2022-05-16 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JPWO2020129863A1 (ja) * | 2018-12-21 | 2021-11-25 | 日本発條株式会社 | 接合方法および接合体 |
KR20210144512A (ko) | 2020-05-22 | 2021-11-30 | 삼성에스디에스 주식회사 | 컨텐츠 공동 편집 방법 및 그 시스템 |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH08148478A (ja) * | 1994-09-20 | 1996-06-07 | Mitsubishi Electric Corp | プラズマエッチング装置およびその方法 |
JPH0963793A (ja) | 1995-08-25 | 1997-03-07 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ処理装置 |
JP4173212B2 (ja) | 1997-10-08 | 2008-10-29 | 東京エレクトロン株式会社 | 保持装置及び保持装置を装着した処理装置 |
EP0908923B1 (en) * | 1997-10-10 | 2003-04-02 | European Community | Apparatus to produce large inductive plasma for plasma processing |
JPH11323549A (ja) * | 1998-05-14 | 1999-11-26 | Nhk Spring Co Ltd | 基板保持装置 |
JP2000058520A (ja) * | 1998-08-17 | 2000-02-25 | Sony Corp | 基体載置ステージ及びその製造方法、並びに、基体処理方法 |
JP4437350B2 (ja) * | 1999-11-22 | 2010-03-24 | 東京エレクトロン株式会社 | 反応容器及びそれを備えるプラズマ処理装置 |
JP4747404B2 (ja) | 2000-09-04 | 2011-08-17 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP3643525B2 (ja) | 2000-09-08 | 2005-04-27 | 株式会社東芝 | インバータ装置 |
JP2002151582A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-24 | Taiheiyo Cement Corp | 双極型静電チャック |
JP4690368B2 (ja) * | 2000-12-28 | 2011-06-01 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板加熱装置および基板加熱方法 |
JP4402860B2 (ja) * | 2001-03-28 | 2010-01-20 | 忠弘 大見 | プラズマ処理装置 |
JP2004095783A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Kyocera Corp | 真空容器 |
JP4563729B2 (ja) * | 2003-09-04 | 2010-10-13 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
JP2006244891A (ja) * | 2005-03-04 | 2006-09-14 | Tokyo Electron Ltd | マイクロ波プラズマ処理装置 |
JP4624856B2 (ja) * | 2005-05-30 | 2011-02-02 | 東京エレクトロン株式会社 | プラズマ処理装置 |
CN101147244B (zh) * | 2005-07-28 | 2010-05-19 | 东京毅力科创株式会社 | 基板处理方法和基板处理装置 |
JP2007103702A (ja) * | 2005-10-05 | 2007-04-19 | Seiko Epson Corp | 熱交換器、熱交換器の製造方法、液冷システム、光源装置、プロジェクタ、電子デバイスユニット、電子機器 |
JP2007149831A (ja) * | 2005-11-25 | 2007-06-14 | Tokyo Electron Ltd | 接合方法及び接合ユニット |
JP4844167B2 (ja) * | 2006-02-24 | 2011-12-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 冷却ブロック及びプラズマ処理装置 |
JP2007335346A (ja) | 2006-06-19 | 2007-12-27 | Tokyo Electron Ltd | マイクロ波導入装置及びプラズマ処理装置 |
JP5283835B2 (ja) * | 2006-07-06 | 2013-09-04 | 東京エレクトロン株式会社 | マイクロ波プラズマ処理装置及びマイクロ波プラズマ処理装置用ゲートバルブ |
JP5037883B2 (ja) * | 2006-09-13 | 2012-10-03 | 電気化学工業株式会社 | 放熱部品及びその製造方法 |
JP2008124424A (ja) * | 2006-10-16 | 2008-05-29 | Tokyo Electron Ltd | プラズマ成膜装置及びプラズマ成膜方法 |
-
2009
- 2009-06-24 US US13/054,014 patent/US8242405B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-24 KR KR1020107028060A patent/KR101235027B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2009-06-24 JP JP2010520814A patent/JP5411136B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-06-24 WO PCT/JP2009/061477 patent/WO2010007863A1/ja active Application Filing
- 2009-07-14 TW TW098123666A patent/TW201012316A/zh unknown
-
2013
- 2013-08-21 JP JP2013170920A patent/JP2013251574A/ja active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20110010635A (ko) | 2011-02-01 |
US8242405B2 (en) | 2012-08-14 |
JP5411136B2 (ja) | 2014-02-12 |
KR101235027B1 (ko) | 2013-02-21 |
TW201012316A (en) | 2010-03-16 |
WO2010007863A1 (ja) | 2010-01-21 |
US20110121058A1 (en) | 2011-05-26 |
JP2013251574A (ja) | 2013-12-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5411136B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置、及び冷却ジャケットの製造方法 | |
JP5179476B2 (ja) | 成膜装置 | |
JP4593652B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置 | |
KR101304408B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
KR100270425B1 (ko) | 플라스마처리장치 | |
JP3549739B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
KR100762052B1 (ko) | 플라즈마 처리 장치 | |
JP5189999B2 (ja) | マイクロ波プラズマ処理装置、及びマイクロ波プラズマ処理装置のマイクロ波給電方法 | |
JP2007005705A (ja) | 処理ガス供給構造およびプラズマ処理装置 | |
TW201936014A (zh) | 電漿處理裝置 | |
KR101256850B1 (ko) | 마이크로파 플라즈마 처리 장치 | |
TWI779052B (zh) | 供電構件及基板處理裝置 | |
TW201119521A (en) | Microwave plasma processing apparatus, dielectric board provided with slot board for microwave plasma processing apparatus, and method for manufacturing dielectric board | |
JP2008243827A (ja) | プラズマ処理方法 | |
JP2006319192A (ja) | 電極および該電極を用いたプラズマプロセス装置 | |
WO2010016423A1 (ja) | 誘電体窓、誘電体窓の製造方法、およびプラズマ処理装置 | |
JP5264559B2 (ja) | サセプタ及びプラズマ処理装置 | |
JP4632316B2 (ja) | プラズマ処理装置 | |
WO2023102730A1 (zh) | 一种微波等离子体化学气相沉积设备及微波系统 | |
WO2022264922A1 (ja) | プラズマ処理装置用部材 | |
JPWO2010016414A1 (ja) | マイクロ波プラズマ発生装置およびマイクロ波プラズマ処理装置 | |
JP2003332305A (ja) | プラズマ処理装置 | |
JP2009231558A (ja) | プラズマ処理装置とガス供給部材およびその製造方法 | |
JP2003045854A (ja) | プラズマ処理方法及び装置 | |
JP2016189264A (ja) | 高周波窓構造体及び高周波デバイス |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130430 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130527 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130702 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130821 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20131008 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20131107 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5411136 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |