JPWO2009078249A1 - 放電ランプ - Google Patents

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Abstract

放電空間内に電極を持たない誘電体バリア放電ランプ又は容量結合型高周波放電ランプにおいて、高電圧を印加しても沿面放電が発生しないようにすることを目的とする。石英製放電容器1の管壁内部に、帯状の箔電極3を放電容器1埋め込む。放電容器1は、石英製放電容器1の軸の両側で、箔電極3が対向するように配置する。箔電極3の断面形状がハの字状になるように配置してもよい。単管型の石英製放電容器1内に、誘電体バリア放電や容量結合型高周波放電によってエキシマ分子が形成される放電ガスを封入する。

Description

本発明は主として産業用のランプであって、誘電体バリア放電ランプ、容量結合型高周波放電ランプに関するものである。例えば、紫外線光源としてのエキシマランプ、低圧水銀ランプなどに関する。
例えば上記産業用の紫外線光源の一つとして、172nmの発光波長を持つキセノンエキシマランプがあり、基板洗浄などで良く用いられている。エキシマランプでは二重管構造のランプがよく用いられている。これらのランプは、いずれも発光部は軸方向に長い管状をしている。このようなランプとして、特許文献1などがあり、たとえば、Xeガスを封入したエキシマランプは液晶パネル用基板のドライ洗浄等によく用いられている。この場合、被照射対象物の基板は一定速度でコンベア上を移動しており、ランプは基板の少し上方にコンベアの流れ方向と直交する方向に設置されている。一度に被照射対象物の幅全体を照射しながら、基板が一定速度で移動するため、基板全体にわたって均一に処理することができる。一方、例えば半導体プロセスの分野においても、その各工程において、紫外光を用いて半導体ウエハ表面の加工、改質等を行うことが多い。このため、キセノンのエキシマからの発光である172nm、クリプトンと塩素のエキシマからの発光である222nm、水銀共鳴線である254nmなどの紫外光が多く用いられている。また、二重管構造でなく、単管の放電容器の両側面に電極を配置した蛍光ランプも考案されている。このランプでは使用時の沿面放電を防止し、安全性を高める目的で、ガラスバルブ又はセラミックス等の耐熱性部材にて形成した被覆層を具備している。以下に、これに関連する従来技術の例をいくつかあげる。
特許文献1に開示された二重管方式の「誘電体バリア放電ランプ」は、内側管の内側面に片方の電極を形成し、外側管の外側面に他方の電極を形成していた。この両方の電極の間に数kVの高周波電圧を印加すると、内側管と外側管の間の放電空間で誘電体バリア放電が発生する。電極間に数kVという高電圧を印加することから両電極間で、放電容器表面を伝わって沿面放電が発生する恐れがある。放電容器の両端から電極端までの距離を十分にとるか、放電容器端に絶縁性の物質を付加することにより、沿面放電を阻止できる。従来のエキシマランプでは上記したような二重管構造の管状ランプがよく用いられ、一般的である。
特許文献2に開示された「希ガス放電灯」は、外壁電極の絶縁保護をして、沿面放電や感電事故を防止したものである。図5(b)に示すように、内壁に蛍光体膜を塗布した管状ガラスバルブの中に、キセノンガスを主成分とする希ガスを封入する。ガラスバルブの外壁に、ガラスバルブのほぼ全長に亘って、一対の帯状電極を配置する。帯状電極を含めたガラスバルブ上に、シリコンレジン等の絶縁性被膜を塗布する。さらに、この絶縁性被膜上に、熱収縮性絶縁チューブを被せる。
特許文献3に開示された「希ガス放電灯」は、外壁電極を絶縁保護して、沿面放電を防止したものである。図5(c)に示すように、内壁に蛍光体膜を塗布した管状ガラスバルブの中に、キセノンガスを主成分とする希ガスを封入する。ガラスバルブの外壁に、一対の帯状電極を配設する。ガラスバルブの表面上に、シリコンレジンの透明な絶縁被膜を形成する。更にこの上から、ポリエステルの熱収縮樹脂チューブを被せる。このようにして、帯状電極を2重に絶縁して保護する。
特許文献4に開示された「蛍光ランプ」は、外部電極に印加される高電圧に対する安全性を高めたものである。図5(d)に示すように、ガラスバルブよりなる外囲器の内面には、アパーチャー部が形成されるように、発光層が被着されている。この外囲器の外面には、軸方向に沿って、アルミテープよりなる外部電極が、対向するように固定されている。この外部電極の端部には、外部回路との接続用のリードが接続されている。外囲器の外面には、外部電極の主要部分が被覆されるように、ガラスバルブよりなる被覆層が形成されている。
特許文献5に開示された「蛍光放電管」は、絶縁被膜で外部放電を防止し、補助バルブで機械的強度を高めたものである。図5(e)に示すように、内部に希ガスを封入した硝子バルブの筒体外面に、対向する一対の外部電極を、軸方向に沿って帯状に設ける。筒体の外面全域を絶縁被膜で覆う。硝子バルブに補助バルブを外装して、絶縁被膜を補助バルブで覆って、絶縁被膜を保護する。この蛍光放電管をファクシミリ等の機器内に設置しても、飛散するカーボン粉末等が絶縁被膜に付着することはなく、外部放電を防止できる。
特許文献6に開示された「蛍光ランプ」は、ガラスバルブ面上の外部電極間の絶縁抵抗が、湿気の付着によって低下することを防止したものである。図5(f)に示すように、管状のガラスバルブの内面に、蛍光体被膜を形成する。バルブの管軸方向に沿って、バルブ外面に、透光性を有する一対の外部電極を形成する。バルブ内に、放電媒体を封入する。湿気の付着し易いガラスバルブの絶縁低下を防ぎ、両外部電極間の短絡を防ぐために、ガラスバルブ外面の一対の外部電極間には、シリコンレジンなどからなる電気絶縁層を形成する。電気絶縁層は、外部電極間のみならず、バルブの全周に亘り形成してもよい。全周に形成すれば、電極間が絶縁されるとともに、電極にリード線を接続するものでは、強固な固着が可能となる。バルブの全周に亘る場合は、ポリエチレンなどの熱収縮性チューブを被せてもよい。
特許公報第3170952号 特開平04-087249号公報 特開平04-112449号公報 実開平05-090803号公報 特開平07-272691号公報 特開平09-092227号公報
しかしながら、エキシマ発光させるためには封入圧力を高くし、特に印加電圧を高くしなければならず、単なる絶縁性物質で被覆するという程度の対策では、信頼性が全く低いことがわかった。例え、被覆層をガラスで構成し、過熱して密着したとしても放電容器と被覆層との極わずかな隙間を通って絶縁破壊が生じる可能性があるためである。
アルミ箔等を電極として使用する場合はアルミ箔の融点が低いため加熱しても十分に温度が上げられず、したがって、電極形状にあわせて隙間無く被覆することは難しかった。また、放電容器と被覆層との熱膨張係数に違いがあると、ランプの点滅による熱履歴によって応力が生じて、界面で極わずかな隙間が徐々に生じてきて、絶縁破壊に至る恐れがあった。ガラス材の溶射等によって被着させる場合にも、気泡や隙間ができ、この気泡や隙間を通して絶縁破壊する恐れがあった。これらのために、従来の単管の放電容器を用いたランプでは十分な高電圧を印加できず、放射出力の低いランプしか実現できなかった。
本発明の目的は、高い放射出力を得るために十分な高電圧を印加しても、沿面放電が発生せず、信頼性の高い外部電極型放電ランプを提供することである。
上記の課題を解決するために、本発明では、誘電体バリア放電や容量結合型高周波放電によってエキシマ分子が形成される放電ガスが封入された石英製の管状の放電容器と、放電容器の両側の管壁内部に軸方向に平行に対向して放電容器に埋設された箔電極とを具備する放電ランプの放電容器であって、箔電極は、放電容器の円筒状側面に沿って対称的に埋設されているか、放電容器の円筒状側面に沿ってハの字状断面となるように埋設されているか、平行平板状であり、対称的に埋設されているか、平板状であり、ハの字状断面となるように埋設されている。
また、放電容器の管壁内部に軸方向に放電容器に埋設された箔電極と、放電容器の外側円筒面に軸方向に設けられた外部電極とを具備する放電ランプの放電容器であって、箔電極は、放電容器の円筒状側面に沿って埋設されているか、平板状である。放電容器の外部に、金属板または多層誘電体膜の光反射部材を設けた。
また、放電容器の管壁内部に軸方向に放電容器に埋設された箔電極と、放電容器の管壁内部に軸方向に放電容器に埋設された網状電極。あるいは、放電容器の外側円筒面に軸方向に網状電極を設けた。箔電極は、放電容器の円筒状側面に沿って埋設されているか、平板状である。箔電極は、モリブデンとタンタルとタングステンのいずれかを主成分とする箔である。
また、各電極のそれぞれの給電線は、互いに軸方向の反対側に配置されている。放電ガスは、希ガスまたは希ガスとハロゲンガスとの混合ガスである。放電容器の軸方向の一端部に、光取り出し口を設けた。
上記のように構成したことにより、確実に沿面放電が防止できるので、信頼性の高いランプが実現できる。また、印加電圧を十分高くすることができるので、放射出力の高いランプが実現できるようになる。また、単管でも構成できるため、小型で細く、安価なランプが実現できる。
以下、本発明を実施するための最良の形態について、図1〜図4を参照しながら詳細に説明する。
本発明の実施例1は、箔電極を、放電容器の両側の管壁内部に軸方向に平行に対向させて放電容器に埋設した放電ランプである。
図1は、本発明の実施例1における放電ランプの概念図である。図1(a)は、放電ランプの軸方向の断面図である。図1(b)は、放電ランプの径方向の断面図である。図1(c)は、反射部材を備えた放電ランプの径方向の断面図である。図1(d)は、ハの字状断面の電極を備えた放電ランプの径方向の断面図である。図1(e)は、軸方向の光取り出し口を備えた放電ランプの径方向の断面図である。図1(f)、(g)は、放電ランプの製造方法を示す径方向の断面図である。
図1において、石英製放電容器1は、石英製の単管である。単に、放電容器ともいう。楕円形状や四角形状や六角形状などの多角形等でもよい。放電容器は必ずしも石英製である必要はない。代表として、石英製の管状の放電容器とするが、同様な特性の他の材質のものも含むことを意味する。キセノンと塩素との混合ガスを封入して308nmの光を放射する誘電体バリア放電ランプでは、放電容器として硬質ガラス製容器を使うことができる。放電容器のガラスの脆化保護やガラスと封入ガスとの反応防止のために、適宜、放電容器の表面にアルミナ膜やチタニア膜やマグネシア膜などの保護膜を形成する。封入ガスにハロゲンを含む場合は、フッ化マグネシウム膜等を形成する。
放電空間2は、放電容器の内部の放電空間である。放電空間内に電極は無い。放電空間には、キセノンガスや、クリプトンガスと塩素との混合ガスが封入されている。放電空間内に封入するガスは、エキシマ光を発生するガスとする。または、水銀の特性紫外線である波長254nmや185nmの紫外線を発生するガスとする。その他の適当な封入物を選ぶことにより、それに対応した波長の光を得ることができる。代表として、エキシマ分子が形成される放電ガスとするが、同様に発光する他の放電ガスも含むことを意味する。
箔電極3は、帯状の箔電極である。軸に対称に上方と下方に対向するように放電容器1の壁の内部に埋め込まれている。箔電極3は、モリブデン箔でできている。モリブデン箔の一方の端は、放電容器1の外部に取り出されている。他の端は、完全に放電容器壁の内部に埋め込まれて終端している。箔電極3の外部への電気的接続のため、端が外部にまで延びているが、取り出し場所はそれぞれ反対側である。モリブデン棒等を電気的に接続して外部に取り出してもよい。箔電極3は、モリブデン箔以外の同様な材質のものでもよい。反射部材4は、光を反射させる部材である。放電ランプの使用目的によっては、無くてもよい。出射窓6は、軸方向に光を取り出す窓である。
上記のように構成された本発明の実施例1における放電ランプの機能と動作を説明する。最初に、図1(a)、(b)を参照しながら、放電ランプの機能の概要を説明する。石英製の管状の放電容器1の両側の管壁内部に、軸方向に平行に対向させて、箔電極3を放電容器1に埋設する。箔電極3は、放電容器1の円筒状側面に沿って対称的に埋設されている。箔電極3は、モリブデンかタンタルかタングステンかを主成分とする箔である。各箔電極3のそれぞれの給電線は、互いに軸方向の反対側に配置されている。誘電体バリア放電や容量結合型高周波放電によってエキシマ分子が形成される放電ガスを、放電容器1に封入する。放電ガスは、希ガスまたは希ガスとハロゲンガスとの混合ガスである。
箔電極3間に高周波電圧を印加すると、誘電体バリア放電が発生する。この時発生するキセノンのエキシマ光(波長172nm)は、箔電極3間から取り出すことができる。放電ガスがクリプトンと塩素の場合は、波長222nmのエキシマ光が取り出される。また、封入物を水銀と始動用のアルゴンガスとすると、低圧水銀の高周波放電をして、波長254nmや185nmの水銀特有の紫外光を得ることもできる。この時は、点灯中の水銀蒸気圧を最適に保つため、最冷部を適温に冷却するように制御する。この放電ランプを複数用いて、広い範囲を照射するようにできる。
次に、図1(c)を参照しながら、光反射部材を設けた放電ランプを説明する。放電容器1の上方の外表面に、反射部材7を設ける。反射部材7は、酸化シリコンと酸化チタンの多層膜からなり、蒸着で形成する。単なる金属板でもよい。図1(b)の構成では、光の取り出し方向は、対向する箔電極3と直角方向になる。そのうちの一方(上方)に出射する光を、反射部材7により反対方向に取り出して、下方の放射照度を向上させる。
次に、図1(d)を参照しながら、ハの字状断面の箔電極をもつ放電ランプを説明する。放電容器1の円筒状側面に沿って、ハの字状断面となるように、箔電極3を埋設する。箔電極3の位置が、放電容器1の中心軸より上方に位置している。このため、箔電極3の間隔が、上側は狭くなっていて下側が広くなっている。放電発生領域は対向電極間にあるので、中心より上方寄りに放電が発生する。箔電極3が上方に寄っているため、箔電極3自身によって光がさえぎられることが少なく、放電により発生する光が下方に効率よく取り出され、強い放射出力を得ることができる。
次に、図1(e)を参照しながら、軸方向に光を取り出す放電ランプを説明する。放電容器1の軸方向の一端部に、光取り出し口を設ける。放電容器1の一方の端部が出射窓6になり、箔電極3,3間で発光した光が、軸方向に取り出される。このため、出射光は、軸方向に長い放電領域での発光が重なって、強い光が得られる。また、箔電極3による遮光に関係なく光を取り出せる。
次に、図1(f)、(g)を参照しながら、放電ランプの製作方法を説明する。図1(f)に示すように、放電容器1の製造のために、径の異なる2本の石英管を用意する。細い石英管を太い石英管に挿入して重ねあわせ、それらの間にモリブデン箔を挿入する。太い石英管と細い石英管の隙間を減圧状態にしながら、外側から加熱する。太い石英管は変形して、細い石英管に密着する。さらに加熱すると、モリブデン箔以外の部分で完全に溶着される。2本の石英管は一体となって、図1(g)に示すように、放電容器1が形成される。モリブデン箔は、放電容器1の壁中に埋め込まれた形となり、放電空間2以外での沿面放電などが防止できる。
上記のように、本発明の実施例1では、箔電極を、放電容器の両側の管壁内部に軸方向に平行に対向させて放電容器に埋設して構成したので、沿面放電を確実に防止でき、信頼性の高いランプが実現できる。また、印加電圧を十分高くすることができるので、放射出力の高いランプで実現できるようになる。また、単管でも構成できるため、小型で細く、安価なランプが実現できる。
本発明の実施例2は、箔電極を、放電容器の管壁内部に軸方向に放電容器に埋設し、放電容器の外側円筒面に軸方向に外部電極を設けた放電ランプである。
図2は、本発明の実施例2における放電ランプの概念図である。図2(a)は、放電ランプの軸方向の断面図である。図2(b)は、放電ランプの径方向の断面図である。図2(c)は、反射部材を備えた放電ランプの径方向の断面図である。図2(d)は、ハの字状断面の電極を備えた放電ランプの径方向の断面図である。図2(e)は、軸方向の光取り出し口を備えた放電ランプの径方向の断面図である。図2(f)、(g)は、放電ランプの製造方法を示す径方向の断面図である。図2において、外部電極7は、放電容器の外側円筒面に軸方向に設けた電極である。その他の基本的な構成は、実施例1と同様である。実施例1と同じ部分については、説明を省略する。
上記のように構成された本発明の実施例2における放電ランプの機能と動作を説明する。最初に、図2(a)、(b)を参照しながら、放電ランプの機能の概要を説明する。石英製の管状の放電容器1の管壁内部に、箔電極3を放電容器1に埋設する。外部電極7を、放電容器1の外側円筒面に軸方向に設ける。
次に、図2(c)〜(e)を参照しながら、放電ランプの変形例を説明する。図2(c)は、光反射部材を設けた放電ランプである。放電容器1の上方の外表面に、反射部材7を設ける。図2(d)は、ハの字状断面の電極をもつ放電ランプである。放電容器1の円筒状側面に沿って、ハの字状断面となるように、箔電極3を埋設し、外部電極7を設ける。図2(e)は、軸方向に光を取り出す放電ランプである。放電容器1の軸方向の一端部に、光取り出し口を設ける。
次に、図2(f)、(g)を参照しながら、放電ランプの製作方法を説明する。放電容器1の製造のために、径の異なる2本の石英管を用意する。図2(f)に示すように、細い石英管を太い石英管に挿入して重ねあわせ、それらの間にモリブデン箔を挿入する。太い石英管と細い石英管の隙間を減圧状態にしながら、外側から加熱する。太い石英管は変形して、細い石英管に密着する。さらに加熱すると、モリブデン箔以外の部分で完全に溶着される。2本の石英管は一体となって、図2(g)に示すように、放電容器1が形成される。モリブデン箔は、放電容器1の壁中に埋め込まれた形となり、放電空間2以外での沿面放電などが防止できる。
上記のように、本発明の実施例2では、箔電極を、放電容器の管壁内部に軸方向に放電容器に対して隙間なく埋設し、放電容器の外側円筒面に軸方向に外部電極を設けた構成としたので、沿面放電を確実に防止でき、信頼性の高いランプが実現できる。また、印加電圧を十分高くすることができるので、放射出力の高いランプで実現できるようになる。また、単管でも構成できるため、小型で細く、安価なランプが実現できる。
本発明の実施例3は、平板状の箔電極を、放電容器の両側の管壁内部に軸方向に平行に対向させて放電容器に埋設した放電ランプである。
図3は、本発明の実施例3における放電ランプの概念図である。図3(a)は、放電ランプの軸方向の断面図である。図3(b)は、放電ランプの径方向の段面図である。図3(c)は、反射部材を備えた放電ランプの径方向の断面図である。図3(d)は、ハの字状断面の電極と反射部材を備えた放電ランプの径方向の断面図である。図3(e)は、軸方向の光取り出し口を備えた放電ランプの径方向の断面図である。基本的な構成は、実施例1と同様であるので、実施例1と同じ部分については、説明を省略する。
上記のように構成された本発明の実施例3における放電ランプの機能と動作を説明する。最初に、図3(a)、(b)を参照しながら、放電ランプの機能の概要を説明する。石英製の管状の放電容器1の管壁内部に、箔電極3を放電容器1に埋設する。箔電極3は、平行平板状であり、対称的に埋設されている。金属箔とランプ内面との厚みbが薄くなっている。厚みbを薄くするには、次のようにして製作すればよい。径の異なる石英管を重ねて、それらの間に箔を挿入して製作する時に、内側の管の両側面をあらかじめ平らに削っておく。平らに削ってあることにより、金属箔が移動することを防ぎ、放電容器に対して所望な位置に金属箔を封着することができる。また、平らに削ってあることにより、内側の管の強度が弱くなるので、元の管(金属箔以外の部分)の厚みaは太くしておくのが良い。厚みbを薄く構成すると、電極間に印加された外部電圧のうち放電空間にかかる電圧部分が大きくなる。このため、同じ光出力を得るための外部印加電圧を低くすることができる。
次に、図3(c)を参照しながら、光反射部材を設けた放電ランプを説明する。放電容器1の上方の外表面に、反射部材7を設ける。反射部材7は、酸化シリコンと酸化チタンの多層膜からなり、蒸着で形成する。単なる金属板でもよい。図1(b)の構成では、光の取り出し方向は、対向する箔電極3と直角方向になる。そのうちの一方(上方)に出射する光を、反射部材7により反対方向に取り出して、下方の放射照度を向上させる。
次に、図3(d)を参照しながら、平板状でハの字状断面の箔電極を用いる例を説明する。ハの字状断面となるように、箔電極3を放電容器1に埋設する。箔電極3が放電容器1の中心軸より上方にあるため、箔電極3の間隔が上側では狭くなっていて下側では広くなっている。箔電極3が上方に寄っているため、箔電極3自身によって光がさえぎられることが少なく、放電により発生する光が下方に効率よく取り出され、強い放射出力を得ることができる。必要に応じて反射部材4を設ける。
次に、図3(e)を参照しながら、軸方向に光を取り出す放電ランプを説明する。放電容器1の軸方向の一端部に、光取り出し口を設ける。放電容器1の一方の端部が出射窓6になり、箔電極3,3間で発光した光が、軸方向に取り出される。このため、出射光は、軸方向に長い放電領域での発光が重なって、強い光が得られる。また、箔電極3による遮光に関係なく光を取り出せる。
上記のように、本発明の実施例3では、平板状の箔電極を、放電容器の両側の管壁内部に軸方向に平行に対向させて放電容器に埋設した構成としたので、沿面放電を確実に防止でき、信頼性の高いランプが実現できる。また、印加電圧を十分高くすることができるので、放射出力の高いランプで実現できるようになる。また、単管でも構成できるため、小型で細く、安価なランプが実現できる。
本発明の実施例4は、箔電極を、放電容器の管壁内部に軸方向に放電容器に埋設し、放電容器の外側円筒面に、網状電極を軸方向に設けた放電ランプである。
図4は、本発明の実施例4における放電ランプの概念図である。図4(a)は、放電容器外部に網状電極を備えた放電ランプの径方向の断面図である。図4(b)は、放電容器内部に、平板状の箔電極と網状電極を備えた放電ランプの径方向の断面図である。図4(c)は、放電容器内部に平板状の箔電極を備え、放電容器外部に網状電極を備えた放電ランプの径方向の断面図である。図4(d)は、平面型ランプの例である。図4において、網状電極5は、網状の電極である。基本的な構成は、実施例1と同様であるので、実施例1と同じ部分については、説明を省略する。
上記のように構成された本発明の実施例4における放電ランプの機能と動作を説明する。最初に、図4(a)を参照しながら、放電ランプの機能の概要を説明する。石英製の管状の放電容器1の管壁内部に、放電容器1より箔電極3を放電容器1に埋設する。この例では、一方の箔電極3のみが、放電容器1の壁内に埋め込まれている。金属製の網状電極5は、箔電極3と対になる電極である。網状電極5は、放電容器1に導電性物質を網状に直接印刷して形成してもよい。網状電極5は通常、接地電極である。箔電極3に、高周波の高電圧が印加される。箔電極3を2つ用いるものでは、箔電極3での遮光により、発光の一部が外部に取り出されない。網状電極5を用いるものでは、遮光される光の割合が大幅に減少するので、照射光量が多くて発光効率の高い放電ランプが実現できる。
次に、図4(b)を参照しながら、放電ランプの変形例を説明する。石英製の管状の放電容器1の管壁内部に、平板型の箔電極3を放電容器1埋設する。放電容器1の管壁内部に網状電極5を、放電容器1に埋設する。電極間に印加された外部電圧のうち、放電空間にかかる電圧部分が大きくなるので、同じ光出力を得るために外部から電極に印加する電圧を低くすることができる。
次に、図4(c)を参照しながら、放電ランプの別の変形例を説明する。石英製の管状の放電容器1の管壁内部に、平板型の箔電極3を放電容器1に埋設する。箔電極3と対になる金属製の網状電極5を、放電容器1の外側に設ける。電極間に印加された外部電圧のうち、放電空間にかかる電圧部分が大きくなるので、同じ光出力を得るために外部から電極に印加する電圧を低くすることができる。図4(d)は、平面型ランプとした例である。
上記のように、本発明の実施例4では、箔電極を、放電容器の管壁内部に軸方向に放電容器に埋設し、放電容器の外側円筒面に、網状電極を軸方向に設けた構成としたので、沿面放電を確実に防止でき、信頼性の高いランプが実現できる。また、印加電圧を十分高くすることができるので、放射出力の高いランプで実現できるようになる。また、単管でも構成できるため、小型で細く、安価なランプが実現できる。
本発明の放電ランプは、産業用の紫外線光源として最適である。
本発明の実施例1における放電ランプの概念図である。 本発明の実施例2における放電ランプの概念図である。 本発明の実施例3における放電ランプの概念図である。 本発明の実施例4における放電ランプの概念図である。 従来の放電ランプの概念図である。
符号の説明
1 石英製放電容器
2 放電空間
3 箔電極
4 反射部材
5 網状電極
6 出射窓
7 外部電極

Claims (11)

  1. 放電容器内に放電ガスが封入され、上記放電容器の対向する両側面に電極を配置し、少なくとも片側の電極が放電容器の管壁内部に埋設されていることを特徴とする放電ランプ。
  2. 上記放電容器内で、誘電体バリア放電または容量結合型高周波放電によってエキシマ分子が形成されることを特徴とする請求項1に記載の放電ランプ。
  3. 上記放電容器の一部が少なくとも石英であることを特徴とする請求項1または2に記載の放電ランプ。
  4. 上記対向配置された電極の内、放電容器管壁の内部に設置された電極はモリブデン、タンタル、タングステンのいずれかの単体、もしくはそれらの一つを主成分とする箔であることを特徴とする請求項1から3のいずれかに記載の放電ランプ。
  5. 管状放電容器で、上記対向配置され、放電容器管壁の内部に埋設された両方の電極は、軸方向に細長く、電力を供給する給電線が反対方向に配置されたことを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の放電ランプ。
  6. 上記放電ガスを、希ガス、または希ガスとハロゲンガスとの混合ガスとしたことを特徴とする請求項1から請求項5のいずれかに記載の放電ランプ。
  7. 対向配置した電極間の放電空間から、電極を結ぶ方向と直交する二つの光取り出し方向のうち、一方の光取出し部分に光反射部材を配置したことを特徴とする請求項1から請求項6のいずれかに記載の放電ランプ。
  8. 上記光反射部材を放電容器の外部に設置し、上記光反射部材が、金属板、もしくは母材に多層誘電体膜を蒸着したものであることを特徴とする請求項7に記載の放電ランプ。
  9. 上記光反射部材として、放電容器の外表面に金属膜もしくは多層誘電体膜を蒸着したことを特徴とする請求項7に記載の放電ランプ。
  10. 上記対向配置された電極のうち、一つが放電容器管壁の内部に埋設され、他の電極が放電容器外部に設置されていることを特徴とする請求項1から9のいずれかに記載の放電ランプ。
  11. 上記放電容器外部に設置された電極がメッシュ状金属であることを特徴とする請求項10に記載の放電ランプ。
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Families Citing this family (344)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
JP5144475B2 (ja) * 2008-11-17 2013-02-13 株式会社オーク製作所 エキシマランプ
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
TWI483287B (zh) * 2010-06-04 2015-05-01 Access Business Group Int Llc 感應耦合介電質屏障放電燈
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9558931B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Asm Ip Holding B.V. System and method for gas-phase sulfur passivation of a semiconductor surface
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US9324811B2 (en) 2012-09-26 2016-04-26 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including a tensile-stressed silicon arsenic layer and methods of forming same
US20140099798A1 (en) * 2012-10-05 2014-04-10 Asm Ip Holding B.V. UV-Curing Apparatus Provided With Wavelength-Tuned Excimer Lamp and Method of Processing Semiconductor Substrate Using Same
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US9447498B2 (en) 2014-03-18 2016-09-20 Asm Ip Holding B.V. Method for performing uniform processing in gas system-sharing multiple reaction chambers
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9404587B2 (en) 2014-04-24 2016-08-02 ASM IP Holding B.V Lockout tagout for semiconductor vacuum valve
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
JP6541362B2 (ja) * 2015-02-09 2019-07-10 株式会社オーク製作所 エキシマランプ
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
CN105070640A (zh) * 2015-07-30 2015-11-18 安徽中杰信息科技有限公司 真空无极紫外灯的激发方式
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
JP6537418B2 (ja) * 2015-09-14 2019-07-03 株式会社オーク製作所 紫外線照射装置
JP6573513B2 (ja) * 2015-09-14 2019-09-11 株式会社オーク製作所 紫外線照射装置および放電ランプ
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9905420B2 (en) 2015-12-01 2018-02-27 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming silicon germanium tin films and structures and devices including the films
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
US10381226B2 (en) 2016-07-27 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of processing substrate
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
JP6800678B2 (ja) * 2016-09-29 2020-12-16 株式会社オーク製作所 放電ランプおよび放電ランプ装置
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
TWI779134B (zh) 2017-11-27 2022-10-01 荷蘭商Asm智慧財產控股私人有限公司 用於儲存晶圓匣的儲存裝置及批爐總成
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
US11482412B2 (en) 2018-01-19 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a gap-fill layer by plasma-assisted deposition
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN111699278B (zh) 2018-02-14 2023-05-16 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
TWI816783B (zh) 2018-05-11 2023-10-01 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
US11492703B2 (en) 2018-06-27 2022-11-08 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
CN112292477A (zh) 2018-06-27 2021-01-29 Asm Ip私人控股有限公司 用于形成含金属的材料的循环沉积方法及包含含金属的材料的膜和结构
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Asm 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136677A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
US11447864B2 (en) 2019-04-19 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
TWI724418B (zh) * 2019-05-09 2021-04-11 崇翌科技股份有限公司 準分子燈
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
CN112242296A (zh) 2019-07-19 2021-01-19 Asm Ip私人控股有限公司 形成拓扑受控的无定形碳聚合物膜的方法
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CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
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USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
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US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
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US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
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CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー.ブイ. 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
JP2021109175A (ja) 2020-01-06 2021-08-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー ガス供給アセンブリ、その構成要素、およびこれを含む反応器システム
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
TW202129068A (zh) 2020-01-20 2021-08-01 荷蘭商Asm Ip控股公司 形成薄膜之方法及修飾薄膜表面之方法
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Asm Ip控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
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US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
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US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
WO2022115275A1 (en) 2020-11-24 2022-06-02 Mattson Technology, Inc. Arc lamp with forming gas for thermal processing systems
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Asm Ip私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3082638B2 (ja) * 1995-10-02 2000-08-28 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプ
DE19718395C1 (de) * 1997-04-30 1998-10-29 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Leuchtstofflampe und Verfahren zu ihrem Betrieb
DE10133326A1 (de) * 2001-07-10 2003-01-23 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Dielektrische Barrieren-Entladungslampe mit Zündhilfe
JP2003036987A (ja) * 2001-07-24 2003-02-07 Harison Toshiba Lighting Corp 放電ランプ点灯装置、機器および画像形成装置
DE10140356A1 (de) * 2001-08-17 2003-02-27 Patent Treuhand Ges Fuer Elektrische Gluehlampen Mbh Röhrförmige Entladungslampe mit Zündhilfe
US6946794B2 (en) * 2001-11-22 2005-09-20 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light source device and image reader
JP3680789B2 (ja) * 2001-12-04 2005-08-10 ウシオ電機株式会社 誘電体バリア放電ランプ
JP3889987B2 (ja) * 2002-04-19 2007-03-07 パナソニック フォト・ライティング 株式会社 放電灯装置及びバックライト
JP2004349181A (ja) * 2003-05-23 2004-12-09 Harison Toshiba Lighting Corp 誘電体バリヤ放電ランプ装置および紫外線照射装置
TWI288945B (en) * 2003-03-12 2007-10-21 Harison Toshiba Lighting Corp Dielectric barrier discharge lamp tube and UV illumination device
DE10336088A1 (de) * 2003-08-06 2005-03-03 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH UV-Strahler mit rohrförmigem Entladungsgefäß
DE102004008747A1 (de) * 2004-02-23 2005-09-08 Patent-Treuhand-Gesellschaft für elektrische Glühlampen mbH Dielektrische Barriere-Entladungslampe
TWI258163B (en) * 2004-04-07 2006-07-11 Gs Yuasa Corp Dielectric barrier electric discharge lamp
JP2005332701A (ja) * 2004-05-20 2005-12-02 Ushio Inc 光源装置
US7446477B2 (en) * 2004-07-06 2008-11-04 General Electric Company Dielectric barrier discharge lamp with electrodes in hexagonal arrangement

Also Published As

Publication number Publication date
JP5307029B2 (ja) 2013-10-02
TW200931485A (en) 2009-07-16
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US20100259152A1 (en) 2010-10-14
WO2009078249A1 (ja) 2009-06-25

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