JPWO2008143301A1 - パターン形成方法及びそれに用いる樹脂組成物 - Google Patents

パターン形成方法及びそれに用いる樹脂組成物 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2008143301A1
JPWO2008143301A1 JP2009515265A JP2009515265A JPWO2008143301A1 JP WO2008143301 A1 JPWO2008143301 A1 JP WO2008143301A1 JP 2009515265 A JP2009515265 A JP 2009515265A JP 2009515265 A JP2009515265 A JP 2009515265A JP WO2008143301 A1 JPWO2008143301 A1 JP WO2008143301A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
group
pattern
resin composition
carbon atoms
methyl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009515265A
Other languages
English (en)
Japanese (ja)
Inventor
中村 敦
敦 中村
下川 努
努 下川
高橋 純一
純一 高橋
毅由 安陪
毅由 安陪
永井 智樹
智樹 永井
友洋 柿澤
友洋 柿澤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Publication of JPWO2008143301A1 publication Critical patent/JPWO2008143301A1/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/0035Multiple processes, e.g. applying a further resist layer on an already in a previously step, processed pattern or textured surface
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • G03F7/0392Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition
    • G03F7/0397Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists the macromolecular compound being present in a chemically amplified positive photoresist composition the macromolecular compound having an alicyclic moiety in a side chain
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/40Treatment after imagewise removal, e.g. baking
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10PGENERIC PROCESSES OR APPARATUS FOR THE MANUFACTURE OR TREATMENT OF DEVICES COVERED BY CLASS H10
    • H10P76/00Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography
    • H10P76/20Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials
    • H10P76/204Manufacture or treatment of masks on semiconductor bodies, e.g. by lithography or photolithography of masks comprising organic materials of organic photoresist masks
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106Binder containing

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Addition Polymer Or Copolymer, Post-Treatments, Or Chemical Modifications (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
JP2009515265A 2007-05-23 2008-05-21 パターン形成方法及びそれに用いる樹脂組成物 Pending JPWO2008143301A1 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2007136669 2007-05-23
JP2007136669 2007-05-23
JP2007246847 2007-09-25
JP2007246847 2007-09-25
PCT/JP2008/059386 WO2008143301A1 (ja) 2007-05-23 2008-05-21 パターン形成方法及びそれに用いる樹脂組成物

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012000692A Division JP2012108529A (ja) 2007-05-23 2012-01-05 感放射線性樹脂組成物

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPWO2008143301A1 true JPWO2008143301A1 (ja) 2010-08-12

Family

ID=40031995

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009515265A Pending JPWO2008143301A1 (ja) 2007-05-23 2008-05-21 パターン形成方法及びそれに用いる樹脂組成物
JP2012000692A Pending JP2012108529A (ja) 2007-05-23 2012-01-05 感放射線性樹脂組成物
JP2014220794A Pending JP2015062072A (ja) 2007-05-23 2014-10-29 感放射線性樹脂組成物

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2012000692A Pending JP2012108529A (ja) 2007-05-23 2012-01-05 感放射線性樹脂組成物
JP2014220794A Pending JP2015062072A (ja) 2007-05-23 2014-10-29 感放射線性樹脂組成物

Country Status (5)

Country Link
US (3) US8211624B2 (https=)
JP (3) JPWO2008143301A1 (https=)
KR (3) KR20120032024A (https=)
TW (2) TW200905399A (https=)
WO (1) WO2008143301A1 (https=)

Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5018307B2 (ja) * 2006-09-26 2012-09-05 富士通株式会社 レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法
TWI452444B (zh) * 2008-07-14 2014-09-11 Jsr股份有限公司 光阻圖型不溶化樹脂組成物及使用其之光阻圖型形成方法
JP5251985B2 (ja) * 2008-09-19 2013-07-31 Jsr株式会社 レジストパターンコーティング剤及びレジストパターン形成方法
JP2010271686A (ja) * 2009-04-24 2010-12-02 Jsr Corp 感放射線性樹脂組成物
KR101729350B1 (ko) 2009-06-16 2017-04-21 제이에스알 가부시끼가이샤 감방사선성 수지 조성물
JP5698923B2 (ja) * 2009-06-26 2015-04-08 ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. 自己整合型スペーサー多重パターニング方法
TWI474378B (zh) * 2009-06-26 2015-02-21 羅門哈斯電子材料有限公司 形成電子裝置的方法
KR20110043466A (ko) * 2009-10-21 2011-04-27 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 포토레지스트 패턴의 제조방법
JP5753351B2 (ja) * 2009-11-19 2015-07-22 ローム アンド ハース エレクトロニック マテリアルズ エルエルシーRohm and Haas Electronic Materials LLC 電子デバイスを形成する方法
JP4982582B2 (ja) * 2010-03-31 2012-07-25 株式会社東芝 マスクの製造方法
JPWO2011125686A1 (ja) * 2010-03-31 2013-07-08 Jsr株式会社 感放射線性樹脂組成物及び重合体
JP5741589B2 (ja) * 2010-09-08 2015-07-01 三菱瓦斯化学株式会社 微細構造体のパターン倒壊抑制用処理液及びこれを用いた微細構造体の製造方法
US20130213894A1 (en) * 2012-02-17 2013-08-22 Jsr Corporation Cleaning method of immersion liquid, immersion liquid cleaning composition, and substrate
JP5914241B2 (ja) * 2012-08-07 2016-05-11 株式会社ダイセル 高分子化合物の製造方法、高分子化合物、及びフォトレジスト用樹脂組成物
CN102832168A (zh) * 2012-09-11 2012-12-19 上海华力微电子有限公司 一种沟槽优先铜互连制作方法
CN103197513A (zh) * 2013-03-15 2013-07-10 上海华力微电子有限公司 防止光刻胶在湿法刻蚀中产生缺陷的工艺方法
US9360758B2 (en) * 2013-12-06 2016-06-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Semiconductor device process filter and method
JP6531397B2 (ja) * 2014-03-07 2019-06-19 Jsr株式会社 パターン形成方法及びこれに用いられる組成物
CN104698745B (zh) * 2015-02-11 2019-04-12 广州中国科学院先进技术研究所 一种尺寸可控制的纳米块制作方法
JP2016148777A (ja) * 2015-02-12 2016-08-18 アーゼッド・エレクトロニック・マテリアルズ(ルクセンブルグ)ソシエテ・ア・レスポンサビリテ・リミテ 下層膜形成用組成物、およびそれを用いた下層膜の形成方法
WO2017065207A1 (ja) * 2015-10-16 2017-04-20 東京応化工業株式会社 レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
TWI696891B (zh) * 2015-12-09 2020-06-21 日商住友化學股份有限公司 光阻組成物及光阻圖案之製造方法
US10691023B2 (en) * 2017-08-24 2020-06-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Method for performing lithography process with post treatment
JP7257142B2 (ja) * 2018-12-27 2023-04-13 東京応化工業株式会社 化学増幅型感光性組成物、感光性ドライフィルム、パターン化されたレジスト膜の製造方法、鋳型付き基板の製造方法及びめっき造形物の製造方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0471222A (ja) * 1990-07-12 1992-03-05 Oki Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
JPH0588375A (ja) * 1991-09-27 1993-04-09 Oki Electric Ind Co Ltd レジストパタンの形成方法
JPH07326562A (ja) * 1994-06-01 1995-12-12 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk 微細パターンの形成方法
WO2005116776A1 (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Jsr Corporation 微細パターン形成用樹脂組成物および微細パターン形成方法
JP2006307179A (ja) * 2005-03-29 2006-11-09 Jsr Corp 重合体
JP2008083537A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd パターン形成方法及び被覆膜形成用材料
JP2008268742A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Fujifilm Corp パターン形成用表面処理剤、及び該処理剤を用いたパターン形成方法

Family Cites Families (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2937248B2 (ja) 1992-02-18 1999-08-23 日本電信電話株式会社 ポジ型レジスト材料
JP3747566B2 (ja) 1997-04-23 2006-02-22 株式会社ニコン 液浸型露光装置
JP3950584B2 (ja) * 1999-06-29 2007-08-01 Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 水溶性樹脂組成物
EP1136885B1 (en) * 2000-03-22 2007-05-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemically amplified positive resist composition and patterning method
JP4475372B2 (ja) * 2000-03-22 2010-06-09 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
EP1179750B1 (en) * 2000-08-08 2012-07-25 FUJIFILM Corporation Positive photosensitive composition and method for producing a precision integrated circuit element using the same
US6664022B1 (en) * 2000-08-25 2003-12-16 Shipley Company, L.L.C. Photoacid generators and photoresists comprising same
JP4288445B2 (ja) * 2000-10-23 2009-07-01 信越化学工業株式会社 新規オニウム塩及びレジスト材料用光酸発生剤並びにレジスト材料及びパターン形成方法
JP2003020335A (ja) * 2001-05-01 2003-01-24 Jsr Corp ポリシロキサンおよび感放射線性樹脂組成物
US7192681B2 (en) * 2001-07-05 2007-03-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Positive photosensitive composition
JP4190168B2 (ja) * 2001-07-06 2008-12-03 富士フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
JP2003156848A (ja) * 2001-11-22 2003-05-30 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型感光性組成物
JP4000469B2 (ja) * 2002-03-22 2007-10-31 信越化学工業株式会社 化学増幅レジスト材料用の光酸発生剤、並びにそれを用いたレジスト材料及びパターン形成方法
US6916591B2 (en) * 2002-03-22 2005-07-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photoacid generators, chemically amplified resist compositions, and patterning process
KR100955006B1 (ko) * 2002-04-26 2010-04-27 후지필름 가부시키가이샤 포지티브 레지스트 조성물
TWI284779B (en) * 2002-06-07 2007-08-01 Fujifilm Corp Photosensitive resin composition
JP3760952B2 (ja) * 2003-01-22 2006-03-29 Jsr株式会社 スルホニウム塩化合物、感放射線性酸発生剤およびポジ型感放射線性樹脂組成物
US7279265B2 (en) * 2003-03-27 2007-10-09 Fujifilm Corporation Positive resist composition and pattern formation method using the same
JP4533639B2 (ja) * 2003-07-22 2010-09-01 富士フイルム株式会社 感刺激性組成物、化合物及び該感刺激性組成物を用いたパターン形成方法
JP4092572B2 (ja) * 2003-08-07 2008-05-28 信越化学工業株式会社 レジスト用重合体、レジスト材料及びパターン形成方法
JP4398783B2 (ja) * 2003-09-03 2010-01-13 信越化学工業株式会社 高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
JP4365236B2 (ja) * 2004-02-20 2009-11-18 富士フイルム株式会社 液浸露光用レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP2005234451A (ja) * 2004-02-23 2005-09-02 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
JP4485241B2 (ja) * 2004-04-09 2010-06-16 Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 水溶性樹脂組成物およびそれを用いたパターン形成方法
JP4722417B2 (ja) * 2004-06-18 2011-07-13 東京応化工業株式会社 化合物、高分子化合物、ポジ型レジスト組成物およびレジストパターン形成方法
JP4200936B2 (ja) * 2004-04-28 2008-12-24 Jsr株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP4511383B2 (ja) * 2005-02-23 2010-07-28 富士フイルム株式会社 ポジ型レジスト組成物及びそれを用いたパターン形成方法
TWI392969B (zh) * 2005-03-22 2013-04-11 Fujifilm Corp 正型光阻組成物及使用它之圖案形成方法
JP2007041231A (ja) * 2005-08-02 2007-02-15 Jsr Corp ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP4830442B2 (ja) * 2005-10-19 2011-12-07 Jsr株式会社 ポジ型感放射線性樹脂組成物
TWI477909B (zh) * 2006-01-24 2015-03-21 Fujifilm Corp 正型感光性組成物及使用它之圖案形成方法
KR100876783B1 (ko) * 2007-01-05 2009-01-09 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자의 미세 패턴 형성 방법
JP5233985B2 (ja) * 2007-02-26 2013-07-10 Jsr株式会社 微細パターン形成用樹脂組成物及び微細パターン形成方法
WO2008114644A1 (ja) * 2007-03-16 2008-09-25 Jsr Corporation レジストパターン形成方法及びそれに用いるレジストパターン不溶化樹脂組成物
JP4973876B2 (ja) * 2007-08-22 2012-07-11 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びこれに用いるパターン表面コート材
TWI505046B (zh) * 2008-01-24 2015-10-21 Jsr股份有限公司 光阻圖型之形成方法及微細化光阻圖型之樹脂組成物
JP2009271259A (ja) * 2008-05-02 2009-11-19 Fujifilm Corp レジストパターン用表面処理剤および該表面処理剤を用いたレジストパターン形成方法
JP5208573B2 (ja) * 2008-05-06 2013-06-12 サンアプロ株式会社 スルホニウム塩、光酸発生剤、光硬化性組成物及びこの硬化体
JP5071688B2 (ja) * 2009-02-18 2012-11-14 信越化学工業株式会社 パターン形成方法及びレジスト変性用組成物
JP5556765B2 (ja) * 2011-08-05 2014-07-23 信越化学工業株式会社 ArF液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP5678864B2 (ja) * 2011-10-26 2015-03-04 信越化学工業株式会社 ArF液浸露光用化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0471222A (ja) * 1990-07-12 1992-03-05 Oki Electric Ind Co Ltd パターン形成方法
JPH0588375A (ja) * 1991-09-27 1993-04-09 Oki Electric Ind Co Ltd レジストパタンの形成方法
JPH07326562A (ja) * 1994-06-01 1995-12-12 Ryoden Semiconductor Syst Eng Kk 微細パターンの形成方法
WO2005116776A1 (ja) * 2004-05-26 2005-12-08 Jsr Corporation 微細パターン形成用樹脂組成物および微細パターン形成方法
JP2006307179A (ja) * 2005-03-29 2006-11-09 Jsr Corp 重合体
JP2008083537A (ja) * 2006-09-28 2008-04-10 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd パターン形成方法及び被覆膜形成用材料
JP2008268742A (ja) * 2007-04-24 2008-11-06 Fujifilm Corp パターン形成用表面処理剤、及び該処理剤を用いたパターン形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20100190104A1 (en) 2010-07-29
TW201300943A (zh) 2013-01-01
KR101597366B1 (ko) 2016-02-24
KR20120032024A (ko) 2012-04-04
TWI476518B (zh) 2015-03-11
US20120156621A1 (en) 2012-06-21
US8211624B2 (en) 2012-07-03
KR20100017727A (ko) 2010-02-16
US20140363773A1 (en) 2014-12-11
WO2008143301A1 (ja) 2008-11-27
JP2015062072A (ja) 2015-04-02
JP2012108529A (ja) 2012-06-07
TW200905399A (en) 2009-02-01
KR20140095541A (ko) 2014-08-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101597366B1 (ko) 패턴 형성 방법 및 그 방법에 사용하는 수지 조성물
JP4877388B2 (ja) ポジ型感放射線性組成物およびそれを用いたレジストパターン形成方法
JPWO2008114644A1 (ja) レジストパターン形成方法及びそれに用いるレジストパターン不溶化樹脂組成物
JP4877306B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP4872691B2 (ja) レジストパターン形成方法
JP5251985B2 (ja) レジストパターンコーティング剤及びレジストパターン形成方法
JP5051240B2 (ja) パターン形成方法
JPWO2010007976A1 (ja) レジストパターン不溶化樹脂組成物及びそれを用いるレジストパターン形成方法
JP5141458B2 (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物及びそれを用いたレジストパターン形成方法
JP4985944B2 (ja) ポジ型感放射線性樹脂組成物
JP5077137B2 (ja) レジストパターン形成方法及びそれに用いるポジ型感放射線性樹脂組成物
JP2010250263A (ja) レジストパターン形成方法及びそれに用いるレジストパターン不溶化樹脂組成物
JP2011033884A (ja) レジストパターンコーティング剤及びレジストパターン形成方法
JP5444668B2 (ja) レジストパターン形成方法
JP5299031B2 (ja) 感放射線性樹脂組成物
JP5381006B2 (ja) レジストパターン形成方法
KR20100039881A (ko) 감방사선성 수지 조성물
JP5206508B2 (ja) レジストパターンコーティング剤及びそれを用いたレジストパターン形成方法
JP2008225412A (ja) 液浸露光用感放射線性樹脂組成物

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20110225

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20120731

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20130115