JPWO2008090780A1 - 液晶性化合物、液晶組成物および液晶表示素子 - Google Patents

Abstract

熱、光などに対する安定性を有し、広い温度範囲で液晶相を示し、粘度が小さく、適切な光学異方性、大きな誘電率異方性、他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する液晶性化合物を提供する。適切な光学異方性と誘電率異方性を有し、しきい値電圧が低く、ネマチック相の上限温度が高く、下限温度が低い液晶組成物を提供する。応答時間が短く、消費電力および駆動電圧が小さく、大きなコントラストを有し、広い温度範囲で使用可能である液晶表示素子を提供する。例えば、トランス−４’−［３，５−ジフルオロ−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）フェニル］−トランス−４−プロピルビシクロヘキシルのように、側鎖にトリフルオロプロペニル基またはトリフルオロプロピニル基を有するハロゲノベンゼン誘導体を液晶性化合物とする。この誘導体である化合物を含有する液晶組成物とする。この液晶組成物を用いる液晶表示素子とする。

Description

本発明は液晶表示素子用の材料として有用な新規液晶性化合物およびこの化合物を含有する液晶組成物に関する。詳しくは低い粘性、他の液晶性化合物との良好な相溶性を持ち、加えて適切な大きさの屈折率異方性値および誘電率異方性値を有し、液晶表示素子に使用した場合には急峻な電気光学特性を得ることができる新規液晶性化合物、およびこの化合物を含有する液晶組成物、ならびにこの液晶組成物を含有する液晶表示素子に関する。

液晶表示素子において、液晶の動作モードに基づいた分類は、ＰＣ（phase change）、ＴＮ（twisted nematic）、ＳＴＮ（super twisted nematic）、ＢＴＮ（Bistable twisted nematic）、ＥＣＢ（electrically controlled birefringence）、ＯＣＢ（opticallycompensated bend）、ＩＰＳ（in-plane switching）、ＶＡ（vertical alignment）などである。素子の駆動方式に基づいた分類は、ＰＭ（passive matrix）とＡＭ（active matrix）である。ＰＭ（passive matrix）はスタティック（static）とマルチプレックス（multiplex）などに分類され、ＡＭはＴＦＴ（thin film transistor）、ＭＩＭ（metalinsulator metal）などに分類される。

これらの液晶表示素子は、適切な物性を有する液晶組成物を含有する。液晶表示素子の特性を向上させるには、この液晶組成物が適切な物性を有するのが好ましい。液晶組成物の成分である液晶性化合物に必要な一般的物性は、次のとおりである。
（１）化学的に安定であること、および物理的に安定であること、
（２）高い透明点（液晶相−等方相の相転移温度）を有すること、
（３）液晶相（ネマチック相、スメクチック相等）の下限温度、特にネマチック相の下限温度が低いこと、
（４）粘度が小さいこと、
（５）適切な光学異方性を有すること、
（６）適切な誘電率異方性を有すること、
（７）他の液晶性化合物との相溶性に優れること、
である。

（１）のように化学的、物理的に安定な液晶性化合物を含む組成物を表示素子に用いると、電圧保持率を高くすることができる。
また、（２）および（３）のように、高い透明点、あるいは液晶相の低い下限温度を有する液晶性化合物を含む組成物ではネマチック相の温度範囲を広げることが可能となり、幅広い温度領域で表示素子として使用することが可能となる。

さらに、（４）のように粘度の小さい化合物を含む組成物を表示素子として用いると応答速度を向上することができ、（５）のように適切な光学異方性を有する化合物を含む組成物を用いた表示素子の場合は、表示素子のコントラストの向上を図ることができる。

加えて、液晶性化合物が大きな誘電率異方性を有する場合には、この化合物を含む液晶組成物のしきい値電圧を低くすることができ、表示素子の駆動電圧を低くし、消費電力も小さくすることができる。

液晶性化合物は、単一の化合物では発揮することが困難な特性を発現させるために、他の多くの液晶性化合物と混合して調製した組成物として用いることが一般的である。したがって、表示素子に用いる液晶性化合物は、（７）のように、他の液晶性化合物等との相溶性が良好であることが好ましい。

従来、ＴＮ、ＳＴＮ、ＴＦＴなどの液晶表示素子に好適に用いられることができる液晶性化合物として、側鎖にトリフルオロアルキル基、トリフルオロアルケニル基およびトリフルオロアルキニル基を有する化合物が種々合成されており、そのうちのいくつかは実用的に用いられている。

例えば、特許文献１には側鎖にトリフルオロアルキル基を有する化合物として、式（Ｓ−１）の化合物が示されている。しかし、化合物（Ｓ−１）はそれを液晶組成物にしたときの誘電率異方性が小さい。

また、特許文献１、２および３には、側鎖にトリフルオロアルケニル基を有する化合物として、式（Ｓ−２）〜（Ｓ−４）の化合物が示されている。しかし、いずれの化合物もそれを液晶組成物にしたとき、誘電率異方性は十分に大きくない。また、化合物（Ｓ−３）は熱や光に対する安定性が十分ではない。さらに化合物（Ｓ−４）は、液晶組成物にしたときの透明点が低い。

また、特許文献１には、側鎖にトリフルオロアルキニル基を有する化合物として、式（Ｓ−５）の化合物が示されている。しかし、この化合物もそれを液晶組成物にしたときの誘電率異方性は十分に大きくない。

さらに、特許文献４には、スチレン骨格を有する化合物として、式（Ｓ−６）の化合物が示されている。しかし、化合物（Ｓ−６）は、それを液晶組成物にしたときの誘電率異方性が大きくない。

さらに、特許文献５には、フッ素置換されたスチレン骨格を有する化合物として、式（Ｓ−７）の化合物が示されている。しかし、化合物（Ｓ−７）は液晶性を示す範囲（メソフェース範囲）が狭く、それを液晶組成物にしたときの透明点が低い。

特許文献６および特許文献７には、トリフルオロベンゼン誘導体として、式（Ｓ−８）、（Ｓ−９）および（Ｓ−１０）の化合物が示されている。しかし、いずれの化合物も液晶性を示す範囲（メソフェース範囲）が狭く、それを液晶組成物にしたときの透明点が低く、誘電率異方性が十分に大きくない。

その他、特許文献８〜１１および非特許文献１〜６には、トリフルオロアルケニル基またはトリフルオロアルキニル基の構築方法またはそれらを前駆体として利用した反応が記載されている。しかし、いずれも液晶性化合物として利用を目的としたものでは無く、そのような化合物構造および特性の開示も無い。

国際公開第９０／０１３６１０号パンフレット 特開平７−１３８１９６号公報 特開２００５−２９８４６６号公報 特開平１０−９５９７７号公報 国際公開第９２／０２１７３４号パンフレット 特開平２−２３３６２６号公報 国際公開第９１／０１３８５０号パンフレット 特開昭５８−９２６２７号公報 国際公開第２００４／０５８７２３号パンフレット 特開昭５７−５４１２４号公報 国際公開第９０／０９９７２号パンフレット Chemistry Letters (2005), 34 (12), 1700-1701 Tetrahedron (2004), 60 (51), 11695-11700 Tetrahedron (2003), 59 (38), 7571-7580 Synthesis (1981), (5), 365-366 Bulletin of the Chemical Society of Japan (1999), 72 (4), 805-819 Bulletin of the Chemical Society of Japan (1989), 62 (4), 1352-1354

本発明の目的の一つは、熱、光などに対する安定性を有し、広い温度範囲で液晶相（ネマチック相またはスメクチック相）を示し、粘度が小さく、適切な光学異方性、大きな誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する液晶性化合物を提供することである。

本発明の別の目的は、この液晶性化合物を含有していて、熱、光などに対する安定性を有し、粘度が小さく、適切な光学異方性、および適切な誘電率異方性を有し、しきい値電圧が低く、さらに、ネマチック相の上限温度（ネマチック相−等方相の相転移温度）が高く、ネマチック相の下限温度が低い、液晶組成物を提供することである。

本発明の別の目的は、この液晶組成物を含有していて、応答時間が短く、消費電力および駆動電圧が小さく、大きなコントラストを有し、広い温度範囲で使用可能である、液晶表示素子を提供することである。

本発明者は前記課題を解決するために鋭意検討した結果、側鎖にトリフルオロプロペニル基、またはトリフルオロプロピニル基を有するハロゲノベンゼン誘導体が、大きな誘電率異方性値、低い粘性、高い化学的安定性、広い液晶相温度範囲、および適切な屈折率異方性値を持つこと、特に大きな誘電率異方性値を有することを見出した。さらにこの誘導体である化合物を含有する液晶組成物を用いると、透明点を高くすることができ、急峻な電気光学特性、短い応答時間、広い動作温度範囲および駆動電力が小さい液晶表示素子を作製できることを見出した。従って、この化合物は液晶表示素子、特に現在広く利用されているＴＮ、ＳＴＮ、ＴＦＴなどのモードの液晶表示素子に好適であることを見出し、本発明を完成するに至ったものである。

本発明は下記の項１から項３１などである。
１． 式（１）で表される化合物。

式中、Ｒは水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数１〜１１のアルコキシ、または炭素数２〜１１のアルケニルオキシであり；
環Ａ¹、環Ａ^２および環Ａ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、または１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり、これらの環において水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³は独立して、単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−（ＣＨ₂）₄−、−（ＣＨ₂）₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）_２−、または−（ＣＨ₂）_２ＣＨ＝ＣＨ−であり；
Ｌ^１およびＬ^２は独立して、水素またはハロゲンであり、Ｌ^１およびＬ^２の少なくとも一方はハロゲンであり；
Ｗは−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であり；
ｎおよびｍは独立して０〜２の整数であり、ｎとｍの和は０〜３の整数である。

２． 環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³が独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンである、項１に記載の化合物。

３． Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³が独立して、単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、または−ＣＦ＝ＣＦ−である、項２に記載の化合物。

４． 式（１−１）で表される化合物。

式中、Ｒは水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または炭素数１〜１１のアルコキシであり；
環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；
Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³は独立して、単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、または−ＣＦ＝ＣＦ−であり；
Ｗは−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であり；
Ｌ^１は水素、フッ素または塩素であり；
ｎおよびｍは独立して０〜２の整数であり、ｎとｍの和は０〜３の整数である。

５． 環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³が独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンである、項４に記載の化合物。

６． 環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³のうち少なくとも１つが１，３−ジオキサン−２，５−ジイルである、項４に記載の化合物。
７． 環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³のうち少なくとも１つがテトラヒドロピラン−２，５−ジイルである、項４に記載の化合物。

８． 環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³のうち少なくとも１つがピリミジン−２，５−ジイルである、項４に記載の化合物。
９． Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³が独立して、単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、または−ＣＨ₂Ｏ−である、項５に記載の化合物。
１０． Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³が単結合である、項５に記載の化合物。

１１． 式（１−２）〜（１−１０）のいずれか１つで表される化合物。

式中、Ｒａは独立して、水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または炭素数１〜１１のアルコキシであり；
Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³は独立して、単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、または−ＣＦ₂Ｏ−であり；
Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５およびＸ^６は独立して水素またはフッ素であり；
Ｗは独立して−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−である。

１２． 式（１−２）〜（１−１０）において、Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³が単結合である項１１に記載の化合物。
１３． 式（１−２）〜（１−１０）においてＸ^１がフッ素であり、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５およびＸ^６が水素である項１２に記載の化合物。
１４． 式（１−２）〜（１−１０）においてＸ^１およびＸ^２がフッ素であり、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５およびＸ^６が水素である項１２に記載の化合物。

１５． 式（１−２）〜（１−１０）においてＸ^１およびＸ^３がフッ素であり、Ｘ^２、Ｘ^４、Ｘ^５およびＸ^６が水素である項１２に記載の化合物。
１６． 式（１−２）〜（１−１０）においてＸ^１、Ｘ^２およびＸ^３がフッ素であり、Ｘ^４、Ｘ^５およびＸ^６が水素である項１２に記載の化合物。

１７． 式（１−２）〜（１−１０）において、Ｗが−ＣＨ＝ＣＨ−である項１２に記載の化合物。
１８． 項１〜１７のいずれか１項に記載の化合物を少なくとも１つ含有する液晶組成物。

１９． 式（２）、（３）および（４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項１８に記載の液晶組成物。

式中、Ｒ^１は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｍ^１は独立して、フッ素、塩素、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＨＦ₂、−ＣＦ₃、−ＣＨＦ₂、−ＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₂ＣＨＦ₂、または−ＯＣＦ₂ＣＨＦＣＦ₃であり；
環Ｂ^１、環Ｂ^２および環Ｂ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；
Ｚ⁴およびＺ⁵は独立して、−（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₄−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または単結合であり；
Ｌ³およびＬ⁴は独立して水素またはフッ素である。

２０． 式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項１８に記載の液晶組成物。

式中、Ｒ^２は炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０アルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
Ｍ^２は−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；
環Ｃ^１、環Ｃ^２および環Ｃ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；
Ｚ⁶は−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−または単結合であり；
Ｌ⁵およびＬ⁶は独立して水素またはフッ素であり；
ｑは０〜２の整数であり、ｒは０または１である。

２１． 式（６）、（７）、（８）、（９）および（１０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項１８に記載の液晶組成物。

式中、Ｒ^３およびＲ^４は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
環Ｄ^１および環Ｄ^２は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，４−シクロヘキセニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；
Ｚ⁷およびＺ⁸は独立して、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−、または単結合であり；
Ｌ⁸およびＬ⁹は独立して、塩素またはフッ素である。

２２． 式（１１）、（１２）および（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項１８に記載の液晶組成物。

式中、Ｒ^５およびＲ^６は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そのうちのアルキルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
環Ｅ^１、環Ｅ^２および環Ｅ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；
Ｚ⁹およびＺ¹⁰は独立して、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または単結合であり、Ｚ¹¹は−ＣＯＯ−、または単結合である。

２３． 項２０記載の式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項１９に記載の液晶組成物。
２４． 項２２記載の式（１１）、（１２）および（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項１９に記載の液晶組成物。

２５． 項２２記載の式（１１）、（１２）および（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項２０に記載の液晶組成物。
２６． 項２２記載の式（１１）、（１２）および（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、項２１に記載の液晶組成物。

２７． 少なくとも１つの光学活性化合物をさらに含有する項１８〜２６のいずれか１項に記載の液晶組成物。
２８． 少なくとも１つの酸化防止剤および／または紫外線吸収剤を含有する項１８〜２７のいずれか１項に記載の液晶組成物。
２９． 項１８〜２８のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。

本発明の化合物は、液晶性化合物に必要な一般的物性、熱、光などに対する安定性、小さな粘度、適切な大きさの光学異方性、大きな誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する。本発明の液晶組成物は、これらの化合物の少なくとも一つを含有し、そしてネマチック相の高い上限温度、ネマチック相の低い下限温度、小さな粘度、適切な大きさの光学異方性、および低いしきい値電圧を有する。本発明の液晶表示素子は、この組成物を含有し、そして使用できる広い温度範囲、短い応答時間、小さな消費電力、大きなコントラスト比、および低い駆動電圧を有する。そのため、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＥＣＢモード、ＯＣＢモード、ＩＰＳモード、ＶＡモードなどの表示モードの液晶表示素子に好適に使用することができる。

この明細書における用語の使い方は次のとおりである。液晶性化合物は、ネマチック相、スメクチック相などの液晶相を有する化合物および液晶相を有しないが液晶組成物の成分として有用な化合物の総称である。液晶性化合物、液晶組成物、液晶表示素子をそれぞれ化合物、組成物、素子と略すことがある。液晶表示素子は液晶表示パネルおよび液晶表示モジュールの総称である。ネマチック相の上限温度はネマチック相−等方相の相転移温度であり、そして単に上限温度と略すことがある。ネマチック相の下限温度を単に下限温度と略すことがある。式（１）で表わされる化合物を化合物（１）と略すことがある。この略記は式（２）などで表される化合物にも適用することがある。式（１）から式（１３）において、六角形で囲んだＡ¹、Ｂ¹、Ｃ¹、Ｄ¹、Ｅ¹などの記号はそれぞれ環Ａ¹、環Ｂ¹、環Ｃ¹、環Ｄ¹、環Ｅ¹などに対応する。百分率で表した化合物の量は組成物の全質量に基づいた質量百分率（質量％）である。以下に本発明をさらに説明する。

第一に、本発明の化合物（１）をさらに具体的に説明する。以下、本発明をさらに具体的に説明する。なお、以下説明中では、特に断りのない限り、百分率で表した化合物の量は組成物の全質量に基づいた質量百分率（質量％）を意味する。

〔液晶性化合物（ａ）〕
本発明の液晶性化合物（ａ）は、下記式（１）で示される構造を有する（以下、これら化合物を「化合物（１）」ともいう。）。

式（１）中、Ｒは水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数１〜１１のアルコキシ、または炭素数２〜１１のアルケニルオキシである。

環Ａ¹、環Ａ^２および環Ａ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、または１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり、これらの環において水素はハロゲンで置き換えられてもよい。

Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³は独立して、単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−（ＣＨ₂）₄−、−（ＣＨ₂）₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）₂−、または−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨ−である。

Ｌ^１およびＬ^２は独立して、水素またはハロゲンであり、Ｌ^１およびＬ^２の少なくとも一方はハロゲンである。
Ｗは−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−である。
ｎおよびｍは独立して０〜２の整数であり、ｎとｍの和は０〜３の整数である。

化合物（１）は、上述のように、３位と５位のいずれかの、または全ての水素がハロゲンで置き換えられ、４位の水素がトリフルオロプロペニルまたはトリフルオロプロピニルで置き換えられたベンゼン環を有する。このような構造を有することで、広い温度範囲で液晶相を示し、小さな粘度、適切な光学異方性、適切な誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を示す。特に、ネマチック相の上限温度が高く、誘電率異方性が大きい点で特に優れている。

化合物（１）のＲ、環Ａ^１〜環Ａ^３およびＺ^１〜Ｚ^３を適切に選択することによって、光学異方性、誘電率異方性などの物性を任意に調整することが可能である。化合物（１）における好ましいＲ、環Ａ^１、環Ａ^２、環Ａ^３、Ｚ^１、Ｚ^２、およびＺ^３とそれらの種類が、化合物（１）の物性に与える効果を以下に説明する。

化合物（１）において、Ｒが直鎖であるときは液晶相の温度範囲が広くそして粘度が小さい。Ｒが分岐鎖であるときは他の液晶性化合物との相溶性がよい。Ｒが光学活性基である化合物は、キラルドーパントとして有用である。この化合物を組成物に添加することによって、素子に発生するリバース・ツイスト・ドメイン（Reverse twisted domain）を防止することができる。Ｒが光学活性基でない化合物は組成物の成分として有用である。Ｒがアルケニルであるとき、好ましい立体配置は二重結合の位置に依存する。好ましい立体配置を有するアルケニル化合物は、高い上限温度または液晶相の広い温度範囲を有する。アルケニルの好ましい立体配置と、上限温度または液晶相の温度範囲との関係について、Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 109およびMol. Cryst. Liq. Cryst., 1985, 131, 327に詳細な説明がある。

式（１）中、Ｒは水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数１〜１１のアルコキシ、または炭素数２〜１１のアルケニルオキシである。ここでアルケニルは、アルキルにおいて任意の−（ＣＨ_２）_２−が−ＣＨ＝ＣＨ−などで置き換えられた基であり、一例で示す。ＣＨ_３（ＣＨ_２）_３−において任意の−（ＣＨ_２）_２−を−ＣＨ＝ＣＨ−で置き換えられた基の例は、Ｈ_２Ｃ＝ＣＨ−（ＣＨ_２）_２−、ＣＨ_３−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２−などである。このように「任意の」語は、「区別なく選択された少なくとも一つの」を意味する。化合物の安定性を考慮して、二重結合が隣接したＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−よりも、二重結合が隣接しないＣＨ_２＝ＣＨ−ＣＨ_２−ＣＨ_２−ＣＨ＝ＣＨ−の方が好ましい。

アルケニルにおける−ＣＨ＝ＣＨ−の好ましい立体配置は、二重結合の位置に依存する。−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３および−（ＣＨ_２）_４ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７のような奇数位に二重結合をもつアルケニルにおいてはトランス配置が好ましい。−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、および−（ＣＨ_２）_５ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３のような偶数位に二重結合をもつアルケニルにおいてはシス配置が好ましい。

式（１）中のＲにおけるアルキルの例としては、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−Ｃ_４Ｈ_９、−Ｃ_５Ｈ_１１、−Ｃ_６Ｈ_１３、−Ｃ_７Ｈ_１５、−Ｃ_８Ｈ_１７、−Ｃ_９Ｈ_１９、−Ｃ_１０Ｈ_２１などを挙げることができる。
アルケニルの例としては、−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨ_２、−（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_５ＣＨ＝ＣＨ_２などを挙げることができる。

アルコキシの例としては、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣ_３Ｈ_７、−ＯＣ_４Ｈ_９、−ＯＣ_５Ｈ_１１、−ＯＣ_６Ｈ_１３、−ＯＣ_７Ｈ_１５、−ＯＣ_８Ｈ_１７、−ＯＣ_９Ｈ_１９などを挙げることができる。
アルケニルオキシの例としては、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＯＣ_３Ｈ_６ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣ_３Ｈ_６ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７などを挙げることができる。

好ましいＲの例は、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−Ｃ_４Ｈ_９、−Ｃ_５Ｈ_１１、−Ｃ_６Ｈ_１３、−Ｃ_７Ｈ_１５、−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−ＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣ_２Ｈ_５、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_３ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、−ＯＣ_３Ｈ_７、−ＯＣ_４Ｈ_９、−ＯＣ_５Ｈ_１１、−ＯＣ_６Ｈ_１３、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣ_２Ｈ_４ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＯＣ_３Ｈ_６ＣＨ＝ＣＨ_２、および−ＯＣ_３Ｈ_６ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３である。

より好ましいＲの例は、−ＣＨ_３、−Ｃ_２Ｈ_５、−Ｃ_３Ｈ_７、−Ｃ_４Ｈ_９、−Ｃ_５Ｈ_１１、−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＯＣＨ₃、−ＯＣ₂Ｈ₅、−ＯＣ₃Ｈ₇、−ＯＣ₄Ｈ₉、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＯＣＨ_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、および−ＯＣ_３Ｈ_６ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３である。

最も好ましいＲの例は、−ＣＨ₃、−Ｃ₂Ｈ₅、−Ｃ₃Ｈ₇、−Ｃ₄Ｈ₉、−Ｃ₅Ｈ₁₁、−ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨ_２、−ＣＨ＝ＣＨＣ_３Ｈ_７、−（ＣＨ_２）_２ＣＨ＝ＣＨＣＨ_３、−ＯＣ_２Ｈ_５、および−ＯＣ_４Ｈ_９である。

式（１）中、環Ａ¹、環Ａ^２および環Ａ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、または１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり、これらの環において水素はハロゲンで置き換えられてもよい。

好ましい環Ａ¹、環Ａ^２および環Ａ^３の例は、下記の環（１５−１）〜（１５−３６）などである。より好ましい環Ａ¹、環Ａ^２および環Ａ^３の例は、環（１５−１）、（１５−３）、（１５−５）、（１５−８）、（１５−１０）、（１５−１１）、（１５−１８）、（１５−２３）、（１５−２８）、（１５−２９）、（１５−３０）、（１５−３２）、（１５−３３）、（１５−３４）、（１５−３５）、および（１５−３６）である。

最も好ましい環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³の例は、環（１５−１）、（１５−８）、（１５−１０）、および（１５−１１）である。

環（１５−１）〜（１５−５）および（１５−３３）〜（１５−３６）には立体異性体としてトランス体とシス体が存在するが、上限温度を高くできるといった観点からトランス体が好ましい。

環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³のいずれかまたは全てが、環（１５−５）、（１５−１０）、（１５−１１）、（１５−１６）、（１５−１８）、（１５−３０）、または（１５−３５）であるときは誘電率異方性が大きい。

環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³のいずれかまたは全てが、任意の水素がハロゲンで置き換えられてもよい１，４−フェニレン、ピリミジン−２，５−ジイルまたはピリジン−２，５−ジイルであるときは光学異方性が大きい。環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³のいずれかまたは全てが、１，４−シクロヘキシレン、１，４−シクロヘキセニレンまたは１，３−ジオキサン−２，５−ジイルであるときは光学異方性が小さい。

少なくとも二つの環が１，４−シクロヘキシレンであるときは、上限温度が高く、光学異方性が小さく、そして粘度が小さい。少なくとも一つの環が１，４−フェニレンのときは、光学異方性が比較的大きく、そして配向秩序パラメーター（orientational order parameter）が大きい。少なくとも二つの環が１，４−フェニレンであるときは、光学異方性が大きく、液晶相の温度範囲が広く、そして上限温度が高い。

式（１）中、Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³は独立して、単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−（ＣＨ₂）₄−、−（ＣＨ₂）₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）₂−、または−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨ−である。

好ましいＺ¹、Ｚ²およびＺ³は、単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、および−Ｃ≡Ｃ−である。

さらに好ましいＺ¹、Ｚ²およびＺ³は、単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ₂Ｏ−、および−ＣＦ₂Ｏ−である。

最も好ましいＺ¹、Ｚ²およびＺ³は、単結合である。

Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³のいずれかまたは全てが単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−（ＣＨ₂）₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂（ＣＨ₂）₂−、または−（ＣＨ₂）₄−であるときは粘度が小さい。結合基のいずれかまたは全てが単結合、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、または−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは粘度がより小さい。結合基のいずれかまたは全てが単結合または−（ＣＨ₂）₂−であるときは耐熱性または耐光性に優れる。結合基のいずれかまたは全てが−ＣＨ＝ＣＨ−であるときは液晶相の温度範囲が広く、そして弾性定数比Ｋ₃₃／Ｋ₁₁（Ｋ₃₃：ベンド弾性定数、Ｋ₁₁：スプレイ弾性定数）が大きい。結合基のいずれかまたは全てが−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）₂−、または−（ＣＨ₂）₂ＣＨ＝ＣＨ−のときは光学異方性が大きい。

−ＣＨ＝ＣＨ−のような２重結合の立体配置は、メソフェース範囲を広くし、上限温度を高くできるといった観点からトランス体が好ましい。

式（１）中、Ｌ^１およびＬ^２は独立して、水素またはハロゲンであり、Ｌ^１およびＬ^２の少なくとも一方はハロゲンである。Ｌ¹およびＬ²のいずれかまたは全てがハロゲンであることにより誘電率異方性を大きくすることができる。ハロゲンとしてはフッ素、塩素および臭素が上げられるが、誘電率の点でフッ素および塩素が好ましく、安定性の点ではフッ素が好ましい。Ｌ¹およびＬ²のいずれかがフッ素である場合は、粘度が上昇することなく、誘電率異方性がより大きく、安定性が高くなるため好ましい。Ｌ¹およびＬ²の全てがフッ素である場合は、粘度が上昇することなく、誘電率異方性がさらにより大きく、安定性がより高くなるため、より好ましい。

式（１）中、ｎおよびｍは独立して０〜２の整数であり、ｎとｍの和は０〜３の整数であるが、ｎとｍの和が０または１であるときは粘度が小さく、ｎとｍの和が１または２であるときは上限温度が高い。

以上のように、末端基、環構造および結合基の種類、環の数を適当に選択することにより目的の物性を有する化合物を得ることができる。したがって、化合物（１）はＰＣ、ＴＮ、ＳＴＮ、ＥＣＢ、ＯＣＢ、ＩＰＳ、ＶＡなどの素子に用いられる組成物の成分として有用である。

化合物（１）の好ましい例は、下記に示した式（１−１）である。このような構造を有することで、広い温度範囲で液晶相を示し、高い透明点、小さな粘度、大きな光学異方性、大きな誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を示す。

式中、Ｒは水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または炭素数１〜１１のアルコキシであり；
環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³が独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；
Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³は独立して、単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、または−ＣＦ＝ＣＦ−であり；
Ｗは−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であり；
Ｌ^１は水素、フッ素または塩素であり；
ｎおよびｍは独立して０〜２の整数であり、ｎとｍの和は０〜３の整数である。

式（１−１）中、Ｒが水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または炭素数１〜１１のアルコキシである場合は、安定性の面で好ましく、水素、炭素数１〜１２のアルキルの場合は安定性の面でより好ましい。

式（１−１）中、環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³のうちいずれかまたは全てが１，４−シクロヘキシレンである化合物は安定性に優れ、幅広い液晶相を有し、透明点が高く、粘度が小さい点で特に好ましい。さらに光学異方性が小さいため、セルギャップが大きい素子に有効である。

式（１−１）中、環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³のうちいずれかまたは全てが１，４−フェニレンである化合物は安定性に優れ、透明点が高く、粘度が小さい点で特に好ましい。さらに光学異方性が大きいため、セルギャップが小さい素子に有効である。

式（１−１）中、環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³のうちいずれかまたは全てが１，４−シクロヘキセニレンである化合物は幅広い液晶相を有し、透明点が高く、粘度が小さい点で特に好ましい。

式（１−１）中、環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³のうち、少なくとも１つが１，３−ジオキサン−２，５−ジイルである化合物は誘電率異方性が大きい点で特に好ましい。

式（１−１）中、環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³のうち少なくとも１つがテトラヒドロピラン−２，５−ジイルである化合物は誘電率異方性が大きく、他の液晶性化合物との相溶性に優れる点で特に好ましい。

式（１−１）中、環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³のうち少なくとも１つがピリミジン−２，５−ジイルである化合物は光学異方性が大きいため、セルギャップが小さい素子に有効である。

式（１−１）中、環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³のうちいずれかまたは全てがフッ素で置換された１，４−フェニレンである化合物は、他の液晶性化合物との相溶性に優れている点で特に好ましい。さらに光学異方性が大きいため、セルギャップが小さい素子に有効である。

化合物（１）のより好ましい例は、下記の化合物（１−２）〜（１−１０）である。このような構造を有することで、安定性により優れ、広い温度範囲でより広い液晶相を示し、粘度が大きくなることなく、より高い透明点、適切な光学異方性、より大きな誘電率異方性、および他の液晶性化合物との優れた相溶性を示す。

式中、Ｒは独立して、水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または炭素数１〜１１のアルコキシであり；
Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³は独立して、単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、または−ＣＦ₂Ｏ−であり；
Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５およびＸ^６は独立して水素またはフッ素であり；
Ｗは独立して−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−である。

化合物（１−２）〜（１−１０）の中でも、Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³が全て単結合である化合物の安定性、広い温度範囲での液晶相、より高い透明点、大きな誘電率異方性といった面で優れている。

化合物（１−２）〜（１−１０）の中でも、Ｘ^１がフッ素であり、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５およびＸ^６が水素である化合物、Ｘ^１およびＸ^２がフッ素であり、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５およびＸ^６が水素である化合物、Ｘ^１およびＸ^３がフッ素であり、Ｘ^２、Ｘ^４、Ｘ^５およびＸ^６が水素である化合物、およびＸ^１、Ｘ^２およびＸ^３がフッ素であり、Ｘ^４、Ｘ^５およびＸ^６が水素である化合物は、誘電率異方性が大きく、他の液晶性化合物との相溶性が良いといった面で特に優れている。

化合物（１−２）〜（１−１０）の中でも、Ｗが−ＣＨ＝ＣＨ−である化合物は透明点が高く、他の液晶性化合物との相溶性が良いといった面で特に優れている。

この明細書において構造が明らかにされた化合物（１）は有機合成化学における手法を適切に組み合わせることにより合成することができる。出発物に目的の末端基、環構造および結合基を導入する方法は、オーガニックシンセシス（Organic Syntheses, John Wiley & Sons, Inc）、オーガニック・リアクションズ（Organic Reactions, John Wiley & Sons, Inc）、コンプリヘンシブ・オーガニック・シンセシス（Comprehensive Organic Synthesis, Pergamon Press）、新実験化学講座（丸善）などの成書に記載されている。

＜結合基Ｚ^１、Ｚ^２またはＺ^３の形成＞
結合基Ｚ^１、Ｚ^２またはＺ^３を形成する方法の一例を示す。結合基を形成するスキームを以下示す。このスキームにおいて、ＭＳＧ^１またはＭＳＧ^２は１価の有機基である。スキームで用いた複数のＭＳＧ^１（またはＭＳＧ^２）は、同一であってもよいし、または異なってもよい。化合物（１Ａ）〜（１Ｋ）は液晶性化合物（１）に相当する。

＜２重結合の生成 その１＞
一価の有機基ＭＳＧ^２を有する有機ハロゲン化合物（ａ１）とマグネシウムとを反応させ、グリニャール試薬を調製する。この調製したグリニャール試薬と、アルデヒド誘導体（ａ４）もしくは（ａ５）とを反応させることにより、対応するアルコール誘導体を合成する。ついで、ｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒を用いて、得られたアルコール誘導体の脱水反応を行うことにより、対応する２重結合を有する化合物（１Ａ）もしくは（１Ｂ）を合成することができる。

＜２重結合の生成 その２＞
有機ハロゲン化合物（ａ１）を、ブチルリチウム、もしくはマグネシウムで処理して得られた化合物を、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）などのホルムアミドと反応させて、アルデヒド（ａ６）を得る。ついで、得られたアルデヒド（ａ６）と、ホスホニウム塩（ａ７）、または（ａ８）をカリウムｔ−ブトキシド（ｔ−ＢｕＯＫ）等の塩基で処理して得られるリンイリドとを反応させ、対応する２重結合を有する化合物（１Ａ）、または（１Ｂ）を合成することができる。なお、上記反応では、反応条件によってシス体が生成する場合もあるので、トランス体を得る必要がある場合には、必要に応じて公知の方法によりシス体をトランス体に異性化する。

＜単結合の生成 その１＞
有機ハロゲン化合物（ａ１）とマグネシウムとを反応させ、グリニャール試薬を調製する。この調製したグリニャール試薬と、シクロヘキサノン誘導体（ａ２）とを反応させることにより、対応するアルコール誘導体を合成する。ついで、ｐ−トルエンスルホン酸等の酸触媒を用いて、得られたアルコール誘導体の脱水反応を行うことにより、対応する２重結合を有する化合物（ａ３）を合成する。得られた化合物（ａ３）をＲａｎｅｙ−Ｎｉのような触媒の存在下で水素化することにより、化合物（１Ｃ）を合成することができる。なお、シクロヘキサノン誘導体（ａ２）は、例えば、特開昭５９−７１２２号に記載の方法に従い合成することができる。

＜単結合の生成 その２＞
一価の有機基ＭＳＧ^１を有する有機ハロゲン化合物（ａ９）を、ブチルリチウム、もしくはマグネシウムで処理して得られた化合物を、ホウ酸トリメチルなどのホウ酸エステルと反応させ、塩酸等の酸で加水分解することによりジヒドロキシボラン誘導体（ａ１０）を得る。ついで、得られた（ａ１０）と有機ハロゲン化合物（ａ１）とを、例えば、炭酸塩水溶液とテトラキス（トリフェニルホスフィン）パラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_４）とからなる触媒の存在下で反応させることにより、化合物（１Ｆ）を合成すことができる。

また、有機ハロゲン化合物（ａ９）にブチルリチウムを反応させ、さらに塩化亜鉛を反応させた後、得られた化合物を、例えば、ビストリフェニルホスフィンジクロロパラジウム（Ｐｄ（ＰＰｈ_３）_２Ｃｌ_２）触媒の存在下で化合物（ａ１）と反応させることにより、化合物（１Ｆ）を合成することもできる。

＜−（ＣＨ_２）_２−の生成＞
化合物（１Ａ）を炭素担持パラジウム（Ｐｄ／Ｃ）のような触媒の存在下で水素化することにより、化合物（１Ｄ）を合成することができる。

＜−（ＣＨ_２）_４−の生成＞
化合物（１Ｂ）をＰｄ／Ｃのような触媒の存在下で水素化することにより、化合物（１Ｅ）を合成することができる。

＜−ＣＨ_２Ｏ−または−ＯＣＨ_２−の生成＞
ジヒドロキシボラン誘導体（ａ１０）を過酸化水素等の酸化剤により酸化し、アルコール誘導体（ａ１１）を得る。別途、アルデヒド誘導体（ａ６）を水素化ホウ素ナトリウムなどの還元剤で還元して化合物（ａ１２）を得る。得られた化合物（ａ１２）を臭化水素酸等でハロゲン化して有機ハロゲン化合物（ａ１３）を得る。このようにして得られた化合物（ａ１１）と化合物（ａ１３）とを炭酸カリウムなどの存在下反応させることにより化合物（１Ｇ）を合成することができる。

＜−ＣＯＯ−と−ＯＣＯ−の生成 ＞
化合物（ａ９）にｎ−ブチルリチウムを、続いて二酸化炭素を反応させてカルボン酸誘導体（ａ１４）を得る。カルボン酸誘導体（ａ１４）と、化合物（ａ１１）と同様の手法で得られるアルコール誘導体（ａ１５）とをＤＣＣ（１，３−ジシクロヘキシルカルボジイミド）とＤＭＡＰ（４−ジメチルアミノピリジン）の存在下で脱水させて−ＣＯＯ−を有する化合物（１Ｈ）を合成することができる。この方法によって−ＯＣＯ−を有する化合物も合成することができる。

＜−ＣＦ₂Ｏ−と−ＯＣＦ₂−の生成＞
化合物（１Ｈ）をローソン試薬のような硫黄化剤で処理して化合物（ａ１６）を得る。化合物（ａ１６）をフッ化水素ピリジン錯体とＮＢＳ（Ｎ−ブロモスクシンイミド）でフッ素化し、−ＣＦ₂Ｏ−を有する化合物（１Ｉ）を合成することができる。M. Kuroboshi et al., Chem. Lett., 1992，827.を参照。化合物（１Ｉ）は化合物（ａ１６）を（ジエチルアミノ）サルファートリフルオリド（ＤＡＳＴ）でフッ素化しても合成される。W. H. Bunnelle et al., J. Org. Chem. 1990, 55, 768.を参照。この方法によって−ＯＣＦ₂−を有する化合物も合成する。Peer. Kirsch et al., Anbew. Chem. Int. Ed. 2001, 40, 1480.に記載の方法によってこれらの結合基を生成させることも可能である。

＜−Ｃ≡Ｃ−の生成＞
Ｐｄ（Ｐｈ_３Ｐ）_２Ｃｌ_２とハロゲン化銅との触媒存在下、化合物（ａ９）に２−メチル−３−ブチン−２−オールを反応させたのち、塩基性条件下で脱保護して化合物（ａ１７）を得る。Ｐｄ（Ｐｈ_３Ｐ）_２Ｃｌ_２とハロゲン化銅との触媒存在下、化合物（ａ１７）に化合物（ａ１）を反応させて、化合物（１Ｊ）を合成することができる。

＜−ＣＦ＝ＣＦ−の生成＞
化合物（ａ９）をブチルリチウムで処理した後、テトラフルオロエチレンを反応させて化合物（ａ１８）を得る。化合物（ａ１）をブチルリチウムで処理した後、化合物（ａ１８）とを反応させて化合物（１Ｋ）を合成することができる。

〔液晶性化合物（ａ）の製造方法〕
以下、液晶性化合物（ａ）、すなわち式（１）で示されＷが−ＣＨ＝ＣＨ−である液晶性化合物（ｂ６）の製造例を示す。ただし、下記反応経路においてＲ、環Ａ¹、環Ａ²、環Ａ³、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｌ¹、Ｌ²、ｎ、およびｍは前記と同一の意味を示す。

エチルジフェニルホスフィナイト（ｂ１）と１，１，１−トリフルオロ−２−ヨードエタン（ｂ２）を反応させることで、２，２，２−トリフルオロエチルジフェニルホスフィンオキサイド（ｂ３）を得る。別途、化合物（ｂ４）をブチルリチウムでリチオ化し、それとＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を反応させることでアルデヒド誘導体（ｂ５）を得る。化合物（ｂ３）と化合物（ｂ５）をテトラブチルアンモニウムフルオリド（ＴＢＡＦ）の存在下、反応させることで本発明の液晶性化合物（ａ）の一例であるトリフルオロプロペニル基を有する化合物（ｂ６）を製造することができる。

さらに、液晶性化合物（ａ）、すなわち式（１）で示され、Ｗが−Ｃ≡Ｃ−である液晶性化合物（ｂ９）の製造例を示す。ただし、下記反応経路においてＲ、環Ａ¹、環Ａ²、環Ａ³、Ｚ¹、Ｚ²、Ｚ³、Ｌ¹、Ｌ²、ｎ、およびｍは前記と同一の意味を示す。

四臭化炭素（ＣＢｒ_４）とトリフェニルホスフィン（Ｐｈ_３Ｐ）によりアルデヒド誘導体（ｂ５）をスチレン誘導体（ｂ７）へ転換する。得られた化合物（ｂ７）をｔ−ＢｕＯＫ等の塩基により脱臭化水素することで化合物（ｂ８）を得る。ヨウ化銅とフッ化カリウムの存在下、化合物（ｂ８）とトリメチル（トリフルオロメチル）シランとを反応させることで本発明の液晶性化合物（ａ）の一例であるトリフルオロプロピニル基を有する化合物（ｂ９）を製造することができる。

第二に、本発明の組成物をさらに説明する。この組成物の成分は化合物（１）から選ばれた２種類以上の複数の化合物のみであってもよい。好ましい組成物は化合物（１）から選択された少なくとも一つの化合物を１〜９９％の割合で含有する。この組成物は、さらに、化合物（２）〜（１３）の群から選択された成分を含有することができる。組成物を調製するときには、化合物（１）の誘電率異方性を考慮して成分を選択する。

誘電率異方性が正に大きい化合物（１）を含有する好ましい組成物は次のとおりである。この好ましい組成物は化合物（２）、（３）および（４）の群から選択された少なくとも一つの化合物を含有する。別の好ましい組成物は、化合物（５）の群から選択された少なくとも一つの化合物を含有する。別の好ましい組成物は、このような二つの群のそれぞれから選択された少なくとも二つの化合物を含有する。これらの組成物は、液晶相の温度範囲、粘度、光学異方性、誘電率異方性、しきい値電圧などを調整する目的で、化合物（１１）、（１２）および（１３）の群から選択された少なくとも一つの化合物をさらに含有してもよい。これらの組成物は、物性をさらに調整する目的で、化合物（６）〜（１０）の群から選択された少なくとも一つの化合物をさらに含有してもよい。これらの組成物は、ＡＭ−ＴＮ素子、ＳＴＮ素子などに適合させる目的で、その他の液晶性化合物、添加物などの化合物をさらに含有してもよい。

別の好ましい組成物は化合物（１１）、（１２）および（１３）の群から選択された少なくとも一つの化合物を含有する。この組成物は、物性をさらに調整する目的で、化合物（２）、（３）および（４）の群から選択された少なくとも一つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物は、ＡＭ−ＴＮ素子、ＳＴＮ素子などに適合させる目的で、その他の液晶性化合物、添加物などの化合物をさらに含有してもよい。

別の好ましい組成物は化合物（１１）、（１２）および（１３）の群から選択された少なくとも一つの化合物を含有する。この組成物は、物性をさらに調整する目的で、化合物（５）の群から選択された少なくとも一つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物は、ＡＭ−ＴＮ素子、ＳＴＮ素子などに適合させる目的で、その他の液晶性化合物、添加物などの化合物をさらに含有してもよい。

別の好ましい組成物は、化合物（６）〜（１０）の群から選択された少なくとも一つの化合物を含有する。この組成物は、化合物（１１）、（１２）および（１３）の群から選択された少なくとも一つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物は、物性をさらに調整する目的で、化合物（２）〜（５）の群から選択された少なくとも一つの化合物をさらに含有してもよい。この組成物は、ＶＡ素子などに適合させる目的で、その他の液晶性化合物、添加物などの化合物をさらに含有してもよい。

化合物（２）、（３）および（４）は、誘電率異方性が正に大きいので、ＡＭ−ＴＮ素子用の組成物に主として用いられる。この組成物において、これらの化合物の割合は１〜９９％の範囲である。好ましい割合は１０〜９７％の範囲である。より好ましい割合は２０〜６０％の範囲である。この組成物に化合物（１１）、（１２）または（１３）をさらに添加する場合、この化合物の好ましい割合は６０％以下である。より好ましい割合は４０％以下である。

化合物（５）は、誘電率異方性が正に非常に大きいので、ＳＴＮ素子用の組成物に主として用いられる。この組成物において、これらの化合物の割合は１〜９９％の範囲である。好ましい割合は１０〜９７％の範囲である。より好ましい割合は４０〜９５％の範囲である。この組成物に化合物（１１）、（１２）または（１３）をさらに添加する場合、この化合物の好ましい割合は６０％以下である。より好ましい割合は４０％以下である。

化合物（６）〜（１０）は、誘電率異方性が負であるので、ＶＡ素子用の組成物に主として用いられる。これらの化合物の好ましい割合は８０％以下である。より好ましい割合は４０〜８０％である。この組成物に化合物（１１）、（１２）または（１３）をさらに添加する場合、この化合物の好ましい割合は６０％以下である。より好ましい割合は４０％以下である。

化合物（１１）、（１２）および（１３）の誘電率異方性は小さい。化合物（１１）は粘度または光学異方性を調整する目的で主に使用される。化合物（１２）および（１３）は上限温度を上げて液晶相の温度範囲を広げる、または光学異方性を調整する目的で使用される。化合物（１１）、（１２）および（１３）の割合を増加させると組成物のしきい値電圧が高くなり、粘度が小さくなる。したがって、組成物のしきい値電圧の要求値を満たすかぎり多くの割合として使用してもよい。

好ましい化合物（２）として化合物（２−１）〜（２−１６）が挙げられ、好ましい化合物（３）としては化合物（３−１）〜（３−１１２）が挙げられ、好ましい化合物（４）としては化合物（４−１）〜（４−５２）が挙げられ、好ましい化合物（５）としては化合物（５−１）〜（５−６２）が挙げられ、好ましい化合物（６）としては化合物（６−１）〜（６−６）が挙げられ、好ましい化合物（７）としては化合物（７−１）〜（７−１６）が挙げられ、好ましい化合物（８）としては化合物（８−１）〜（８−３）が挙げられ、好ましい化合物（９）としては化合物（９−１）〜（９−３）が挙げられ、好ましい化合物（１０）としては化合物（１０−１）〜（１０−３）が挙げられ、好ましい化合物（１１）としては化合物（１１−１）〜（１１−１１）が挙げられ、好ましい化合物（１２）としては化合物（１２−１）〜（１２−１８）が挙げられ、好ましい化合物（１３）としては化合物（１３−１）〜（１３−６）が挙げられる。
これらの化合物において、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３、Ｒ^４、Ｒ^５、Ｒ^６、Ｍ^１、およびＭ^２の記号の意味は、化合物（２）〜（１３）におけるこれらの記号の意味と同一である。

本発明の組成物は公知の方法によって調製される。例えば、成分である化合物を混合し、加熱によって互いに溶解させる。組成物に適当な添加物を加えて組成物の物性を調整してもよい。このような添加物は当業者によく知られている。メロシアニン、スチリル、アゾ、アゾメチン、アゾキシ、キノフタロン、アントラキノン、テトラジンなどの化合物である二色性色素を添加してＧＨ素子用の組成物を調製してもよい。一方、液晶のらせん構造を誘起して必要なねじれ角を与える目的でキラルドーパントが添加される。キラルドーパントの例は、例えば、下記の光学活性化合物（Ｏｐ−１）〜（Ｏｐ−１３）である。

キラルドーパントを組成物に添加してねじれのピッチを調整する。ＴＮ素子およびＴＮ−ＴＦＴ素子用の好ましいピッチは４０〜２００μｍの範囲である。ＳＴＮ素子用の好ましいピッチは６〜２０μｍの範囲である。ＢＴＮ素子用の好ましいピッチは１．５〜４μｍの範囲である。ＰＣ素子用の組成物にはキラルドーパントを比較的多量に添加する。ピッチの温度依存性を調整する目的で少なくとも二つのキラルドーパントを添加してもよい。

また本発明に係る液晶組成物には、さらに、消泡剤、紫外線吸収剤、酸化防止剤等の添加物を添加してもよい。

消泡剤を本発明に係る液晶組成物に添加した場合には、液晶組成物の運搬中、あるいは該液晶組成物から液晶表示素子を製造工程中で、発泡を抑制することが可能となる。

紫外線吸収剤、あるいは酸化防止剤を本発明に係る液晶組成物に添加した場合には、液晶組成物や該液晶組成物を含む液晶表示素子の劣化を防止することが可能となる。例えば酸化防止剤は、液晶組成物を加熱したときに比抵抗値の低下を抑制することが可能である。

紫外線吸収剤としては、ベンゾフェノン系紫外線吸収剤、ベンゾエート系紫外線吸収剤、トリアゾール系紫外線吸収剤などを挙げることができる。
ベンゾフェノン系紫外線吸収剤の例は、２−ヒドロキシ−４−ｎ−オクトキシベンゾフェノンである。

ベンゾエート系紫外線吸収剤の例は、２，４−ジ−ｔ−ブチルフェニル−３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシベンゾエートである。
トリアゾール系紫外線吸収剤の例は、２−（２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）ベンゾトリアゾール、２−［２−ヒドロキシ−３−（３，４，５，６−テトラヒドロキシフタルイミド−メチル）−５−メチルフェニル］ベンゾトリアゾール、および２−（３−ｔ−ブチル−２−ヒドロキシ−５−メチルフェニル）−５−クロロベンゾトリアゾールである。

酸化防止剤としては、フェノール系酸化防止剤、有機硫黄系酸化防止剤などを挙げることができる。

フェノール系酸化防止剤の例は、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−メチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−エチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−プロピルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ブチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ペンチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ヘキシルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ヘプチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−オクチルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ノニルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−デシルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ウンデシルフェノール、２，
６−ジ−ｔ−ブチル−４−ドデシルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−トリデシルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−テトラデシルフェノール、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−ペンタデシルフェノール、２，２’−メチレンビス（６−ｔ−ブチルー４−メチルフェノール）、４，４’−ブチリデンビス（６−ｔ−ブチル−３−メチルフェノール）、２，６−ジ−ｔ−ブチル−４−（２−オクタデシルオキシカルボニル）エチルフェノール、およびペンタエリスリトールテトラキス［３−（３，５−ジ−ｔ−ブチル−４−ヒドロキシフェニル）プロピオネート］である。

有機硫黄系酸化防止剤の例は、ジラウリル−３，３’−チオプロピオネート、ジミリスチル−３，３’−チオプロピオネート、ジステアリル−３，３’−チオプロピオネート、ペンタエリスリトールテトラキス（３−ラウリルチオプロピオネート）、および２−メルカプトベンズイミダゾールである。

紫外線吸収剤、酸化防止剤などに代表される添加物の添加量は、本発明の目的を損なわず、かつ添加物を添加する目的を達成できる量の範囲で添加して用いることができる。

例えば、紫外線吸収剤、あるいは酸化防止剤を添加する場合には、その添加割合は、本発明に係る液晶組成物の全質量に基づいて、通常１０ｐｐｍ〜５００ｐｐｍの範囲、好ましくは３０〜３００ｐｐｍの範囲、より好ましくは４０〜２００ｐｐｍの範囲である。

〔液晶組成物の製造方法〕
本発明に係る液晶組成物は、例えば、各成分を構成する化合物が液体の場合には、それぞれの化合物を混合し振とうさせることにより、また固体を含む場合には、それぞれの化合物を混合し、加熱溶解によってお互い液体にしてから振とうさせることにより調製することができる。また、本発明に係る液晶組成物はその他の公知の方法により調製することも可能である。

〔液晶表示素子〕
本発明に係る液晶組成物は、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＯＣＢモード等の動作モードを有し、ＡＭ方式で駆動する液晶表示素子だけでなく、ＰＣモード、ＴＮモード、ＳＴＮモード、ＯＣＢモード、ＶＡモード、ＩＰＳモード等の動作モードを有しパッシブマトリクス（ＰＭ）方式で駆動する液晶表示素子にも使用することができる。

これらＡＭ方式、およびＰＭ方式の液晶表示素子は、反射型、透過型、半透過型、いずれの液晶ディスプレイ等にも適用ができる。
また、本発明に係る液晶組成物は、導電剤を添加させた液晶組成物を用いたＤＳ（dynamic scattering）モード素子や、液晶組成物をマイクロカプセル化して作製したＮＣＡＰ（nematic curvilinear aligned phase）素子や、液晶組成物中に三次元の網目状高分子を形成させたＰＤ（polymer dispersed）素子、例えばＰＮ（polymer network）素子にも使用できる。

なお、ＴＮモード、ＶＡモード等で駆動する液晶表示素子においては、電場の方向は、液晶層に対して垂直である。一方、ＩＰＳモード等で駆動する液晶表示素子においては、電場の方向は、液晶層に対して平行である。なお、ＶＡモードで駆動する液晶表示素子の構造は、K. Ohmuro, S. Kataoka, T. Sasaki and Y. Koike, SID '97 Digest of Technical Papers, 28, 845 (1997)に報告されており、ＩＰＳモードで駆動する液晶表示素子の構造は、国際公開９１／１０９３６号パンフレット（ファミリー：ＵＳ５５７６８６７）に報告されている。

〔液晶性化合物（ａ）の実施例〕
以下、実施例により本発明をさらに詳しく説明するが、本発明はこれら実施例によっては制限されない。なお特に断りのない限り、「％」は「質量％」を意味する。

得られた化合物は、¹Ｈ−ＮＭＲ分析で得られる核磁気共鳴スペクトル、ガスクロマトグラフィー（ＧＣ）分析で得られるガスクロマトグラムなどにより同定したので、まず分析方法について説明をする。

¹Ｈ−ＮＭＲ分析：測定装置は、ＤＲＸ−５００（ブルカーバイオスピン（株）社製）を用いた。測定は、実施例等で製造したサンプルを、ＣＤＣｌ₃等のサンプルが可溶な重水素化溶媒に溶解し、室温で、５００ＭＨｚ、積算回数２４回の条件で行った。なお、得られた核磁気共鳴スペクトルの説明において、ｓはシングレット、ｄはダブレット、ｔはトリプレット、ｑはカルテット、ｍはマルチプレットであることを意味する。また、化学シフトδ値のゼロ点の基準物質としてはテトラメチルシラン（ＴＭＳ）を用いた。

ＧＣ分析：測定装置は、島津製作所製のＧＣ−１４Ｂ型ガスクロマトグラフを用いた。カラムは、島津製作所製のキャピラリーカラムＣＢＰ１−Ｍ２５−０２５（長さ２５ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）；固定液相はジメチルポリシロキサン；無極性）を用いた。キャリアーガスとしてはヘリウムを用い、流量は１ｍｌ／分に調整した。試料気化室の温度を３００℃、検出器（ＦＩＤ）部分の温度を３００℃に設定した。

試料はトルエンに溶解して、１質量％の溶液となるように調製し、得られた溶液１μｌを試料気化室に注入した。
記録計としては島津製作所製のＣ−Ｒ６Ａ型Chromatopac、またはその同等品を用いた。得られたガスクロマトグラムには、成分化合物に対応するピークの保持時間およびピークの面積値が示されている。

なお、試料の希釈溶媒としては、例えば、クロロホルム、ヘキサンを用いてもよい。また、カラムとしては、Agilent Technologies Inc.製のキャピラリカラムＤＢ−１（長さ３０ｍ、内径０．２５ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Agilent Technologies Inc.製のＨＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、Restek Corporation製のＲｔｘ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）、SGE International Pty.Ltd製のＢＰ−１（長さ３０ｍ、内径０．３２ｍｍ、膜厚０．２５μｍ）などを用いてもよい。

ガスクロマトグラムにおけるピークの面積比は成分化合物の割合に相当する。一般には、分析サンプルの成分化合物の質量％は、分析サンプルの各ピークの面積％と完全に同一ではないが、本発明において上述したカラムを用いる場合には、実質的に補正係数は１であるので、分析サンプル中の成分化合物の質量％は、分析サンプル中の各ピークの面積％とほぼ対応している。成分の液晶性化合物における補正係数に大きな差異がないからである。ガスクロクロマトグラムにより液晶組成物中の液晶性化合物の組成比をより正確に求めるには、ガスクロマトグラムによる内部標準法を用いる。一定量正確に秤量された各液晶性化合物成分（被検成分）と基準となる液晶性化合物（基準物質）を同時にガスクロ測定して、得られた被検成分のピークと基準物質のピークとの面積比の相対強度をあらかじめ算出する。基準物質に対する各成分のピーク面積の相対強度を用いて補正すると、液晶組成物中の液晶性化合物の組成比をガスクロ分析からより正確に求めることができる。

〔液晶性化合物等の物性値の測定試料〕
液晶性化合物の物性値を測定する試料としては、化合物そのものを試料とする場合、化合物を母液晶と混合して試料とする場合の２種類がある。

化合物を母液晶と混合した試料を用いる後者の場合には、以下の方法で測定を行う。まず、得られた液晶性化合物１５質量％と母液晶８５質量％とを混合して試料を作製する。そして、得られた試料の測定値から、下記式に示す式に示す外挿法にしたがって、外挿値を計算する。この外挿値をこの化合物の物性値とする。

〈外挿値〉＝（１００×〈試料の測定値〉−〈母液晶の質量％〉×〈母液晶の測定値〉）／〈液晶性化合物の質量％〉
液晶性化合物と母液晶との割合がこの割合であっても、スメクチック相、または結晶が２５℃で析出する場合には、液晶性化合物と母液晶との割合を１０質量％：９０質量％、５質量％：９５質量％、１質量％：９９質量％の順に変更をしていき、スメクチック相、または結晶が２５℃で析出しなくなった組成で試料の物性値を測定し上記式にしたがって外挿値を求めて、これを液晶性化合物の物性値とする。

測定に用いる母液晶としては様々な種類が存在するが、例えば、母液晶Ａの組成（質量％）は以下のとおりである。
母液晶Ａ：

〔液晶性化合物等の物性値の測定方法〕
物性値の測定は後述する方法で行った。これら測定方法の多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。また、測定に用いたＴＮ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。

測定値のうち、液晶性化合物そのものを試料とした場合は、得られた値を実験データとして記載した。液晶性化合物と母液晶との混合物を試料として用いた場合は、外挿法で得られた値を実験データとして記載した。

相構造および相転移温度（℃）：以下（１）、および（２）の方法で測定を行った。
（１）偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に化合物を置き、３℃／分の速度で加熱しながら相状態とその変化を偏光顕微鏡で観察し、液晶相の種類を特定した。
（２）パーキンエルマー社製走査熱量計ＤＳＣ−７システム、またはＤｉａｍｏｎｄ ＤＳＣシステムを用いて、３℃／分速度で昇降温し、試料の相変化に伴う吸熱ピーク、または発熱ピークの開始点を外挿により求め（ｏｎ ｓｅｔ）、相転移温度を決定した。

以下、結晶はＣと表し、さらに結晶の区別がつく場合は、それぞれＣ₁またはＣ₂と表した。また、スメクチック相はＳ、ネマチック相はＮと表した。液体（アイソトロピック）はＩｓｏと表した。スメクチック相の中で、スメクチックＢ相、またはスメクチックＡ相の区別がつく場合は、それぞれＳ_B、またはＳ_Aと表した。相転移温度の表記として、例えば、「Ｃ ５０．０ Ｎ １００．０ Ｉｓｏ」とは、結晶からネマチック相への相転移温度（ＣＮ）が５０．０℃であり、ネマチック相から液体への相転移温度（ＮＩ）が１００．０℃であることを示す。他の表記も同様である。

ネマチック相の上限温度（Ｔ_ＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレート（メトラー社ＦＰ−５２型ホットステージ）に、試料（液晶性化合物と母液晶との混合物）を置き、１℃／分の速度で加熱しながら偏光顕微鏡を観察した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度をネマチック相の上限温度とした。以下、ネマチック相の上限温度を、単に「上限温度」と略すことがある。

低温相溶性：母液晶と液晶性化合物とを、液晶性化合物が、２０質量％、１５質量％、１０質量％、５質量％、３質量％、および１質量％の量となるように混合した試料を作製し、試料をガラス瓶に入れる。このガラス瓶を、−１０℃または−２０℃のフリーザー中に一定期間保管したあと、結晶もしくはスメクチック相が析出しているかどうか観察をした。

粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：液晶性化合物と母液晶との混合物をＥ型回転粘度計を用いて測定した。

光学異方性（屈折率異方性；２５℃で測定；Δｎ）：測定は、２５℃の温度下で、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビングしたあと、試料（液晶性化合物と母液晶との混合物）を主プリズムに滴下した。屈折率（ｎ‖）は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率（ｎ⊥）は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性（Δｎ）の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥の式から計算した。

誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：２枚のガラス基板の間隔（ギャップ）が約９μｍ、ツイスト角が８０度の液晶セルに試料（液晶性化合物と母液晶との混合物）を入れた。このセルに２０ボルトを印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。０．５ボルトを印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。

トランス−４’−［３，５−ジフルオロ−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）フェニル］−トランス−４−プロピルビシクロヘキシル（Ｎｏ．２．２３）の合成

第１工程
アルゴン雰囲気の反応器へエチルジフェニルホスフィナイト（ｂ１） ２０．０ｇと１，１，１−トリフルオロ−２−ヨードエタン（ｂ２） ３６．５ｇとを加え、室温で４日間攪拌した。得られた混合物を酢酸エチルを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにトルエンとヘプタンの混合溶媒（体積比 トルエン：ヘプタン＝１：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、２，２，２−トリフルオロエチルジフェニルホスフィンオキサイド（ｂ３） １２．６ｇを得た。化合物（ｂ１）からの収率は５１．２％であった。

第２工程
窒素雰囲気下の反応器へ、良く乾燥させたマグネシウム １１．５ｇとＴＨＦ １００ｍｌとを加えて、５２℃まで加熱した。そこへ、ＴＨＦ ３００ｍｌに溶解した１−ブロモ−３，５−ジフルオロベンゼン（Ｔ１） ９１．３ｇを、４３℃から４８℃の温度範囲でゆっくり滴下し、さらに１２０分攪拌した。続いて、ＴＨＦ １００ｍｌに溶解したトランス−４’−プロピルビシクロヘキシル−４−オン（Ｔ２）１００．０ｇを、３５℃から４５℃の温度範囲でゆっくり滴下し、さらに３０分攪拌した。得られた反応混合物を３０℃まで冷却した後、０℃に冷却した１Ｎ 塩酸 ９００ｍｌとトルエン ８００ｍｌとが入った容器中に添加して混合した。その後、静置して、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、２Ｎ 水酸化ナトリウム水溶液、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、４−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−４’−プロピルビシクロヘキシル−４−オール（Ｔ３） １４２．０ｇを得た。得られた化合物（Ｔ３）は黄色固形物であった。

第３工程
化合物（Ｔ３） １３１．０ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ＴｓＯＨ） ２．６ｇおよびトルエン ４００ｍｌを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら２時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水 ３００ｍｌとトルエン ２００ｍｌとを加え混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、２Ｎ 水酸化ナトリウム水溶液、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣をヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらに酢酸エチルとヘプタンの混合溶媒（体積比 酢酸エチル：ヘプタン＝１：３）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−４’−プロピルビシクロヘキシル−３−エン（Ｔ４）８７．４ｇを得た。化合物（Ｔ２）からの収率は６６．２％であった。

第４工程
化合物（Ｔ４） ６２．９ｇ、トルエン １８０ｍｌ、ソルミックスＡ−１１ （日本アルコール販売株式会社製） １８０ｍｌおよびラネーニッケル ３．０ｇを混合し、水素雰囲気下、４８時間攪拌した。ラネーニッケルを濾別後、得られた濾液を減圧下、濃縮した。得られた残渣をヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにソルミックスＡ−１１とヘプタンの混合溶媒（体積比 ソルミックスＡ−１１：ヘプタン＝１：２）からの再結晶により精製し、乾燥させ、トランス−４’−（３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−４−プロピルビシクロヘキシル（５）４０．９ｇを得た。化合物（Ｔ４）からの収率は６４．６％であった。

第５工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ４） ９．０ｇとＴＨＦ ６０ｍｌを混合し、−６５℃まで冷却した。その後、１．６Ｍ ｎ−ブチルリチウム，ｎ−ヘキサン溶液 ２１．１ｍｌを−６５℃〜−５５℃の温度範囲で滴下し、さらに−７０℃で９０分攪拌した。続いて、ＤＭＦ ４．１ｇを−６０〜−５２℃の温度範囲で滴下し、さらに−１０℃で３０分攪拌した。その後、反応液を０℃の冷却した１Ｎ 塩酸 １００ｍｌとトルエン ２００ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し得られた残渣をヘプタンからの再結晶により精製し、乾燥させ、２，６−ジフルオロ−トランス−４−（トランス−４’−プロピルビシクロヘキシル−４−イル）ベンズアルデヒド（Ｔ６）９．５ｇを得た。化合物（Ｔ５）からの収率は８７．６％であった。

第６工程
窒素雰囲気下、反応器へモレキュラシーブス４Ａ（ＭＳ４Ａ） ６１．６ｇと１．０Ｍ テトラブチルアンモニウムフルオリド ＴＨＦ溶液（ＴＢＡＦ） ７７．２ｇとを加え、室温にて２０時間攪拌した。その後、化合物（Ｔ６） ３．２ｇおよび化合物（ｂ３）４．４ｇを溶解したＴＨＦ溶液 １００ｍｌを２０℃から２７℃の温度範囲で滴下し、さらに室温にて１時間攪拌した。得られた反応液からＭＳ４Ａを濾別し、濾液に水 ５００ｍｌとトルエン ３００ｍｌとを加え混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、淡黄色固体 ４．３ｇを得た。得られた残渣をヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、さらにソルミックスＡ−１１とヘプタンの混合溶媒（体積比 ソルミックスＡ−１１：ヘプタン＝１：２）からの再結晶により精製し、乾燥させ、トランス−４’−［３，５−ジフルオロ−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）フェニル］−トランス−４−プロピルビシクロヘキシル（Ｎｏ．２．２３）１．７ｇを得た。化合物（Ｔ６）からの収率は４８．１％であった。

得られた化合物（Ｎｏ． ２．２３）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度 ：Ｃ １０６．９ Ｎ １７０．６ Ｉｓｏ 。

¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、トランス−４’−［３，５−ジフルオロ−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）フェニル］−トランス−４−プロピルビシクロヘキシルであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．２１−７．１７（ｍ，１Ｈ），６．６９（ｄ，２Ｈ），６．５４−６．４７（ｍ，１Ｈ），２．４３（ｔｔ，１Ｈ），１．９１−１．８４（ｍ，４Ｈ）、１．７８−１．７１（ｍ，４Ｈ），１．４０−１．２３（ｍ，４Ｈ），１．１９−０．９５（ｍ，９Ｈ），０．８９−０．８２（ｍ，５Ｈ）．

液晶性化合物（Ｎｏ． ２．２３）の物性
前述した母液晶Ａとして記載された５つの化合物を混合し、ネマチック相を有する母液晶Ａを調製した。この母液晶ｉの物性は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝７１．７℃；光学異方性（Δｎ）＝０．１３７；誘電率異方性（Δε）＝１１．０。

母液晶Ａ ８５質量％と、実施例１で得られたトランス−４’−［３，５−ジフルオロ−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）フェニル］−トランス−４−プロピルビシクロヘキシル（Ｎｏ．２．２３）の１５質量％とからなる液晶組成物Ｂを調製した。得られた液晶組成物Ｂの物性値を測定し、測定値を外挿することで液晶性化合物（Ｎｏ． ２．２３）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１２７．０℃；光学異方性（Δｎ）＝０．１５０；誘電率異方性（Δε）＝１９．４。
このことから液晶性化合物（Ｎｏ． ２．２３）は、上限温度（Ｔ_ＮＩ）が高く、光学異方性（Δｎ）が大きく、誘電率異方性（Δε）が大きい化合物であることがわかった。

３，５，２’−トリフルオロ−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）ビフェニル（Ｎｏ．２．４７）の合成

第１工程
窒素雰囲気下の反応器へ、良く乾燥させたマグネシウム １２．６ｇとＴＨＦ １００ｍｌとを加えて、４８℃まで加熱した。そこへ、ＴＨＦ ５００ｍｌに溶解した化合物（Ｔ１） １００．０ｇを、４５℃から５５℃の温度範囲でゆっくり滴下し、さらに１２０分攪拌した。別の反応器へ、ＴＨＦ ３００ｍｌとホウ酸トリメチル ８０．８ｇとを加え、−７０℃で攪拌した。その中へ先に得られたグリニャール試薬のＴＨＦ溶液を−７０℃から−６０℃の温度範囲でゆっくり滴下し、さらに０℃で１２０分攪拌した。得られた反応混合物を０℃に冷却した１Ｎ 塩酸 ３０００ｍｌと酢酸エチル ３０００ｍｌとが入った容器中に注ぎ込み、混合した。その後、静置して、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、３，５−ジフルオロフェニルボロン酸（Ｔ７） ５２．５ｇを得た。得られた化合物（Ｔ７）は黄色固形物であった。

第２工程
窒素雰囲気下の反応器へ、良く乾燥させたマグネシウム ２０．８ｇとＴＨＦ ２００ｍｌとを加えて、５５℃まで加熱した。そこへ、ＴＨＦ ４００ｍｌに溶解した１−ブロモ−３−フルオロベンゼン（Ｔ８） １４９．８ｇを、４７℃から５８℃の温度範囲でゆっくり滴下し、さらに６０分攪拌した。その後、ＴＨＦ １００ｍｌに溶解した４−プロピルシクロヘキサノン（Ｔ９）１００．０ｇを、５５℃から５９℃の温度範囲でゆっくり滴下し、さらに３０分攪拌した。得られた反応混合物を３０℃まで冷却した後、０℃に冷却した１Ｎ 塩酸 ２０００ｍｌとトルエン １５００ｍｌとが入った容器中に注ぎ込み、混合した。その後、静置して、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、２Ｎ 水酸化ナトリウム水溶液、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、１−（３−フルオロフェニル）−４−プロピルシクロヘキサノール（Ｔ１０） １７１．６ｇを得た。

第３工程
化合物（Ｔ１０） １７１．６ｇ、ｐ−トルエンスルホン酸（ｐ−ＴｓＯＨ） ２．０ｇおよびトルエン ８００ｍｌを混合し、この混合物を、留出する水を抜きながら２時間加熱還流させた。反応混合物を３０℃まで冷却した後、得られた液に水 ７００ｍｌとトルエン ２００ｍｌとを加え、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、２Ｎ 水酸化ナトリウム水溶液、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣をヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、１−フルオロ−３−（４−プロピルシクロヘキサ−１−エニル）ベンゼン（Ｔ１１）１０８．０ｇを得た。化合物（Ｔ９）からの収率は６９．４％であった。

第４工程
化合物（Ｔ１１） １０８．０ｇ、トルエン ３００ｍｌ、ソルミックスＡ−１１ ３００ｍｌおよび５％Ｐｄ／Ｃ ２．０ｇを混合し、水素雰囲気下、２４時間攪拌した。５％Ｐｄ／Ｃを濾別後、得られた濾液を減圧下、濃縮した。得られた残渣をヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、無色透明の液体 １０６．５ｇを得た。その液体１０６．５ｇと１，２−ジクロロエタン（ＥＤＣ） ４００ｍｌとを混合し、１０℃で攪拌した。その中へ塩化アルミニウム １９．３ｇを加え、６０分攪拌した。反応混合液を１Ｎ 塩酸 １０００ｍｌとＥＤＣ ４００ｍｌとが入った容器に注ぎ込み、混合した。その後、静置して、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水、２Ｎ 水酸化ナトリウム水溶液、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣をヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、１−フルオロ−３−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼン（Ｔ１２）７６．５ｇを得た。化合物（Ｔ１１）からの収率は７０．３％であった。

第５工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ１１） ７６．５ｇとＴＨＦ ５００ｍｌを混合し、−７３℃まで冷却した。その後、１．０Ｍ ｓｅｃ−ブチルリチウム，シクロヘキヘキサン, ｎ−ヘキサン溶液 ３８２ｍｌを−７３℃〜−６５℃の温度範囲で滴下し、さらに−７０℃で１２０分攪拌した。続いて、ＴＨＦ ２００ｍｌに溶解したヨウ素 １１４．６ｇを−７５℃〜−５８℃の温度範囲で滴下し、さらに−１０℃で６０分攪拌した。その後、反応液を０℃に冷却した水 １５００ｍｌとトルエン １０００ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、５％チオ硫酸ナトリウム水溶液、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し、残渣をヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、２−フルオロ−１−ヨード−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ベンゼン（Ｔ１３）６３．８ｇを得た。化合物（Ｔ１２）からの収率は５３．０％であった。

第６工程
窒素雰囲気下、反応器へ化合物（Ｔ１３） ５０．０ｇ、炭酸カリウム ３９．９ｇ、５％Ｐｄ／Ｃ ０．６ｇおよびソルミックスＡ−１１ ２００ｍｌを加え、６３℃で攪拌した。そこへソルミックスＡ−１１ １００ｍｌに溶解した化合物（Ｔ７）を６３℃から７３℃の温度範囲で滴下し、さらに２時間加熱還流させた。反応液を２５℃まで冷却後、炭酸カリウムおよび５％Ｐｄ／Ｃを濾別し、濾液にトルエン ５００ｍｌと水５００ｍｌを加え、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し、残渣をヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにソルミックスＡ−１１とヘプタンの混合溶媒（体積比 ソルミックスＡ−１１：ヘプタン＝１：２）からの再結晶により精製し、乾燥させ、２，３’，５’− トリフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ビフェニル（Ｔ１４）３５．３ｇを得た。化合物（Ｔ１３）からの収率は７３．６％であった。

得られた化合物（Ｔ１４）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ ６０．２ Ｉｓｏ 。

第７工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ１４） １５．０ｇとＴＨＦ １００ｍｌを混合し、−６５℃まで冷却した。その後、１．６Ｍ ｎ−ブチルリチウム，ｎ−ヘキサン溶液 ３４．５ｍｌを−６５℃〜−５５℃の温度範囲で滴下し、さらに−６５℃で６０分攪拌した。続いて、ＤＭＦ ６．６ｇを−６０〜−５５℃の温度範囲で滴下し、さらに０℃で６０分攪拌した。得られた反応混合物を０℃に冷却した１Ｎ 塩酸 ２００ｍｌとトルエン ２００ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し得られた残渣をヘプタンとＴＨＦの混合溶媒（体積比 ヘプタン：ＴＨＦ＝３：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、３，５，２’ −トリフルオロ−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ビフェニル−４−カルボアルデヒド（Ｔ１５）１０．６ｇを得た。化合物（Ｔ１４）からの収率は６５．３％であった。

得られた化合物（Ｔ１５）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ １１３．７ Ｉｓｏ 。

第８工程
窒素雰囲気下、反応器へモレキュラシーブス４Ａ（ＭＳ４Ａ） １１２．４ｇと１．０Ｍ テトラブチルアンモニウムフルオリド ＴＨＦ溶液（ＴＢＡＦ） １４０ｍｌとを加え、室温にて２０時間攪拌した。その後、化合物（Ｔ１５） ５．１ｇおよび化合物（ｂ３）６．０ｇを溶解したＴＨＦ溶液 ９０ｍｌを１０℃から１７℃の温度範囲で滴下し、さらに室温にて１時間攪拌した。得られた反応混合物からＭＳ４Ａを濾別し、濾液に水 ５００ｍｌとトルエン ５００ｍｌとを加え混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、得られた残渣をヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにソルミックスＡ−１１とヘプタンの混合溶媒（体積比 ソルミックスＡ−１１：ヘプタン＝１：２）からの再結晶により精製し、乾燥させ、３，５，２’−トリフルオロ−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）ビフェニル（Ｎｏ．２．４７）３．１ｇを得た。化合物（Ｔ１５）からの収率は５１．６％であった。

得られた化合物（Ｎｏ． ２．４７）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ_１ ４５．８ Ｃ_２ ８２．３ Ｎ １２３．８ Ｉｓｏ 。

¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、３，５，２’−トリフルオロ−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）ビフェニルであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．３３（ｔ，１Ｈ）、７．２４（ｄｄ，１Ｈ），６．１７（ｄ，２Ｈ）、７．０９−７．０１（ｍ，２Ｈ）６．６３−６．５６（ｍ，１Ｈ），２．５３−２．４８（ｍ，１Ｈ），１．９３−１．８７（ｍ，４Ｈ）、１．５４−１．２０（ｍ，７Ｈ）、１．１０−１．０１（ｍ，２Ｈ），０．９０（ｔ，３Ｈ）．

母液晶Ａ ８５質量％と、実施例３で得られた３，５，２’−トリフルオロ−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）ビフェニル（Ｎｏ．２．４７）の１５質量％とからなる液晶組成物Ｃを調製した。得られた液晶組成物Ｃの物性値を測定し、測定値を外挿することで液晶性化合物（Ｎｏ． ２．４７）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝９４．４℃；光学異方性（Δｎ）＝０．１９０；誘電率異方性（Δε）＝２４．３。
このことから液晶性化合物（Ｎｏ． ２．４７）は、上限温度（Ｔ_ＮＩ）が高く、光学異方性（Δｎ）が大きく、誘電率異方性（Δε）が大きい化合物であることがわかった。

３，５，２’−トリフルオロ−４’’−プロピル−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｎｏ．２．１０８）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、反応器へ４−プロピルフェニルボロン酸（Ｔ１６） ２００．０ｇ、１−ブロモ−３−フルオロベンゼン（Ｔ８） １７７．８ｇ、炭酸カリウム ２８１．９ｇ、Ｐｄ（Ｐｈ_３Ｐ）_２Ｃｌ_２ ７．２ｇ、トルエン ６００ｍｌおよびソルミックスＡ−１１ ６００ｍｌを加え、２時間加熱還流させた。反応液を２５℃まで冷却後、水 ２０００ｍｌおよびトルエン１０００ｍｌへ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し、残渣をヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにソルミックスＡ−１１からの再結晶により精製し、乾燥させ、３−フルオロ−４’−プロピルビフェニル（Ｔ１７）１７５．５ｇを得た。化合物（Ｔ８）からの収率は８０．３％であった。

第２工程
窒素雰囲気下の反応器へ、化合物（Ｔ１７）とＴＨＦ １０００ｍｌとを加えて、−７１℃まで冷却した。そこへ、１．０Ｍ ｓｅｃ−ブチルリチウム， シクロヘキサン，ｎ−ヘキサン溶液 １０００ｍｌを−７１℃から−６２℃の温度範囲で滴下し、さらに１２０分攪拌した。続いてホウ酸トリメチル １２７．６ｇを−７０℃から−５９℃の温度範囲で滴下し、さらに１８０分攪拌した。得られた反応混合物を０℃に戻した後、０℃に冷却した１Ｎ 塩酸 ３０００ｍｌと酢酸エチル ３０００ｍｌとが入った容器中に注ぎ込み、混合した。その後、静置して、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、食塩水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、フェニルボロン酸誘導体（Ｔ１８） １１５．９ｇを得た。

第３工程
窒素雰囲気下、反応器へ１−ブロモ−３，５−ジフルオロベンゼン（Ｔ１） ７４．８ｇ、炭酸カリウム １０７．１ｇ、Ｐｄ（Ｐｈ_３Ｐ）_２Ｃｌ_２ １．４ｇおよびソルミックスＡ−１１ ４００ｍｌを加え、６０℃で攪拌した。そこへソルミックスＡ−１１ ５００ｍｌに溶解した化合物（Ｔ１８）を６３℃から６５℃の温度範囲で滴下し、さらに２時間加熱還流させた。反応液を２５℃まで冷却後、トルエン １０００ｍｌと水１０００ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し、残渣をヘプタンとトルエンの混合溶媒（体積比 ヘプタン：トルエン＝４：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにソルミックスＡ−１１とヘプタンの混合溶媒（体積比 ソルミックスＡ−１１：ヘプタン＝１：２）からの再結晶により精製し、乾燥させ、３，５，２’− トリフルオロ−４’’−プロピル−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｔ１９）７２．７ｇを得た。化合物（Ｔ１８）からの収率は５７．５％であった。

得られた化合物（Ｔ１９）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ ５７．７ Ｓ_Ａ ６２．４ Ｉｓｏ 。

第４工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ１９） ２６．１ｇとＴＨＦ ２００ｍｌを混合し、−７０℃まで冷却した。その後、１．６Ｍ ｎ−ブチルリチウム，ｎ−ヘキサン溶液 ６０ｍｌを−７０℃から−６３℃の温度範囲で滴下し、さらに−６５℃で１２０分攪拌した。続いてＤＭＦ １１．７ｇを−６５〜−５５℃の温度範囲で滴下し、さらに０℃で６０分攪拌した。その後、０℃に冷却した１Ｎ 塩酸 ４００ｍｌとトルエン ３００ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し得られた残渣をヘプタンとＴＨＦの混合溶媒（体積比 ヘプタン：ＴＨＦ＝１：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、３，５，２’− トリフルオロ−４’’−プロピル−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル−４−カルボアルデヒド（Ｔ２０）１９．５ｇを得た。化合物（Ｔ１９）からの収率は６８．９％であった。

第５工程
窒素雰囲気下、反応器へモレキュラシーブス４Ａ（ＭＳ４Ａ） １１６．４ｇと１．０Ｍ テトラブチルアンモニウムフルオリド ＴＨＦ溶液（ＴＢＡＦ） １４５ｍｌとを加え、室温にて２０時間攪拌した。その後、化合物（Ｔ２０） ５．２ｇおよび化合物（ｂ３）６．０ｇを溶解したＴＨＦ溶液 ９０ｍｌを５℃から１０℃の温度範囲で滴下し、さらに室温にて１時間攪拌した。得られた反応混合液からＭＳ４Ａを濾別し、濾液に水 ５００ｍｌとトルエン ５００ｍｌとを加え混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、続いて、減圧下、溶媒を留去した。得られた残渣をヘプタンとトルエンの混合溶媒（体積比 ヘプタン：トルエン＝４：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにソルミックスＡ−１１と酢酸エチルの混合溶媒（体積比 ソルミックスＡ−１１：酢酸エチル＝１：２）からの再結晶により精製し、乾燥させ、３，５，２’−トリフルオロ−４’’−プロピル−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｎｏ．２．１０８）３．８ｇを得た。化合物（Ｔ２０）からの収率は６２．２％であった。

得られた化合物（Ｎｏ． ２．１０８）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ ８８．０ Ｓ_Ａ １５５．４ Ｉｓｏ 。

¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、３，５，２’−トリフルオロ−４’’−プロピル−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニルであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．５３（ｄ，２Ｈ）、７．５０−７．４６（ｍ，２Ｈ）、７．４２−７．４０（ｍ，１Ｈ）、７．２９（ｄ，２Ｈ），７．２６−７．２２（ｍ，３Ｈ）、６．６６−６．５８（ｍ，１Ｈ）、２．６５（ｔ，２Ｈ）、１．７３−１．６５（ｍ，２Ｈ）、０．９８（ｔ，３Ｈ）．

母液晶Ａ ８５質量％と、実施例５で得られた３，５，２’−トリフルオロ−４’’−プロピル−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｎｏ．２．１０８）の１５質量％とからなる液晶組成物Ｄを調製した。得られた液晶組成物Ｄの物性値を測定し、測定値を外挿することで液晶性化合物（Ｎｏ． ２．１０８）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝９９．７℃；光学異方性（Δｎ）＝０．２７０；誘電率異方性（Δε）＝３０．３。
このことから液晶性化合物（Ｎｏ． ２．１０８）は、上限温度（Ｔ_ＮＩ）が高く、光学異方性（Δｎ）が大きく、誘電率異方性（Δε）が大きい化合物であることがわかった。

３，２’−ジフルオロ−４’’−プロピル−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｎｏ．２．８８）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、反応器へフェニルボロン酸誘導体（Ｔ１８） ２２．９ｇ、４−ブロモ−２−フルオロベンズアルデヒド（Ｔ２１） １５．０ｇ、炭酸カリウム ５．１ｇ、炭酸ナトリウム １１．８ｇ、５％Ｐｄ／Ｃ ０．３ｇ、トルエン ６０ｍｌおよびイソプロピルアルコール（ＩＰＡ） ６０ｍｌを加え、９時間加熱還流させた。反応液を２５℃まで冷却後、トルエン １００ｍｌと水１００ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し、残渣をトルエンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにＴＨＦとヘプタンの混合溶媒（体積比 ＴＨＦ：ヘプタン＝１：２）からの再結晶により精製し、乾燥させ、３，２’− ジフルオロ−４’’−プロピル−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル−４−カルボアルデヒド（Ｔ２２） １９．９ｇを得た。化合物（Ｔ２１）からの収率は８０．１％であった。

第２工程
窒素雰囲気下、反応器へモレキュラシーブス４Ａ（ＭＳ４Ａ） ２２．０ｇと１．０Ｍ テトラブチルアンモニウムフルオリド ＴＨＦ溶液（ＴＢＡＦ） ４４．０ｍｌとを加え、室温にて１３時間攪拌した。その後、化合物（Ｔ２２） ５．０ｇおよび化合物（ｂ３）５．１ｇを溶解したＴＨＦ溶液 ５０ｍｌを２０℃から２５℃の温度範囲で滴下し、さらに室温にて１時間攪拌した。得られた反応混合液からＭＳ４Ａを濾別し、濾液に水 ２００ｍｌとトルエン ２００ｍｌとを加え混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、続いて、減圧下、溶媒を留去した。得られた残渣をヘプタンとトルエンの混合溶媒（体積比 ヘプタン：トルエン＝４：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにソルミックスＡ−１１とトルエンの混合溶媒（体積比 ソルミックスＡ−１１：トルエン＝２：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、３，２’−ジフルオロ−４’’−プロピル−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｎｏ．２．８８）１．７ｇを得た。化合物（Ｔ２２）からの収率は２８．８％であった。

得られた化合物（Ｎｏ． ２．８８）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ ７６．９ Ｓ_Ａ １８４．２ Ｉｓｏ 。

¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、３，２’−ジフルオロ−４’’−プロピル−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニルであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．５３−７．３７（ｍ，８Ｈ）、７．３２−７．２７（ｍ，３Ｈ）、６．４２−６．３５（ｍ，１Ｈ）、２．６５（ｔ，２Ｈ）、１．７３−１．６６（ｍ，２Ｈ）、０．９８（ｔ，３Ｈ）．

母液晶Ａ ８５質量％と、実施例７で得られた３，２’−ジフルオロ−４’’−プロピル−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｎｏ．２．８８）の１５質量％とからなる液晶組成物Ｅを調製した。得られた液晶組成物Ｅの物性値を測定し、測定値を外挿することで液晶性化合物（Ｎｏ． ２．８８）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝１０１．７℃；光学異方性（Δｎ）＝０．２７７；誘電率異方性（Δε）＝２３．２。
このことから液晶性化合物（Ｎｏ． ２．８８）は、上限温度（Ｔ_ＮＩ）が高く、光学異方性（Δｎ）が大きく、誘電率異方性（Δε）が大きい化合物であることがわかった。

３，５−ジフルオロ−４’−プロピル−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）ビフェニル（Ｎｏ．１．６３）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、反応器へ４−プロピルフェニルボロン酸（Ｔ１６） １００．０ｇ、１−ブロモ−２，３−ジフルオロベンゼン（Ｔ２３） ９８．１ｇ、炭酸カリウム １４０．４ｇ、Ｐｄ（Ｐｈ_３Ｐ）_２Ｃｌ_２ ３．６ｇ、トルエン ３００ｍｌおよびソルミックスＡ−１１ ３００ｍｌを加え、２時間加熱還流させた。反応液を２５℃まで冷却後、水 １０００ｍｌおよびトルエン５００ｍｌへ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し、残渣をヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、３，５−ジフルオロ−４’−プロピルビフェニル（Ｔ２４）１０１．０ｇを得た。化合物（Ｔ２３）からの収率は８５．６％であった。

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ２４） ３０．０ｇとＴＨＦ １５０ｍｌを混合し、−７０℃まで冷却した。その後、１．６Ｍ ｎ−ブチルリチウム，ｎ−ヘキサン溶液 ８４ｍｌを−７０℃から−６０℃の温度範囲で滴下し、さらに−７０℃で１２０分攪拌した。続いてＤＭＦ １４．２ｇを−７０〜−６０℃の温度範囲で滴下し、さらに−３０℃で６０分攪拌した。その後、０℃に冷却した１Ｎ 塩酸 ３００ｍｌとトルエン ２００ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し得られた残渣をヘプタンからの再結晶により精製し、乾燥させ、３，５− ジフルオロ−４’−プロピルビフェニル−４−カルボアルデヒド（Ｔ２５）３１．８ｇを得た。化合物（Ｔ２４）からの収率は９４．８％であった。

第３工程
窒素雰囲気下、反応器へモレキュラシーブス４Ａ（ＭＳ４Ａ） ５０．０ｇと１．０Ｍ テトラブチルアンモニウムフルオリド ＴＨＦ溶液（ＴＢＡＦ） ７７ｍｌとを加え、室温にて２０時間攪拌した。その後、化合物（Ｔ２５） ５．０ｇおよび化合物（ｂ３）６．６ｇを溶解したＴＨＦ溶液 ５０ｍｌを２０℃から２５℃の温度範囲で滴下し、さらに室温にて１時間攪拌した。得られた反応混合液からＭＳ４Ａを濾別し、濾液に水 ２００ｍｌと酢酸エチル ２００ｍｌとを加え混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、続いて、減圧下、溶媒を留去した。得られた残渣をヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにソルミックスＡ−１１からの再結晶により精製し、乾燥させ、３，５−ジフルオロ−４’−プロピル−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）ビフェニル（Ｎｏ．１．６３）３．９ｇを得た。化合物（Ｔ２５）からの収率は６１．６％であった。

得られた化合物（Ｎｏ． １．６３）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ ４０．６ Ｉｓｏ 。

¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、３，５−ジフルオロ−４’−プロピル−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）ビフェニルであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．４７（ｄ，２Ｈ）、７．２８−７．２２（ｍ，３Ｈ）、７．１９−７．１５（ｍ，２Ｈ）、６．６１−６．５４（ｍ，１Ｈ）、２．６４（ｔ，２Ｈ）、１．７２−１．６４（ｍ，２Ｈ）、０．９７（ｔ，３Ｈ）．

母液晶Ａ ８５質量％と、実施例９で得られた３，５−ジフルオロ−４’−プロピル−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）ビフェニル（Ｎｏ．１．６３）の１５質量％とからなる液晶組成物Ｆを調製した。得られた液晶組成物Ｆの物性値を測定し、測定値を外挿することで液晶性化合物（Ｎｏ． １．６３）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝−２２．３℃；光学異方性（Δｎ）＝０．１５７；誘電率異方性（Δε）＝２１．７。
このことから液晶性化合物（Ｎｏ． １．６３）は、誘電率異方性（Δε）が大きい化合物であることがわかった。

３，５，２’−トリフルオロ−４’’−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｎｏ．３．１３）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、反応器へ１−ヨード−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゼン（Ｔ２６） ５０．０ｇ、３−フルオロフェニルボロン酸（Ｔ２７） ２１．５ｇ、炭酸カリウム ５８．０ｇ、Ｐｄ（Ｐｈ_３Ｐ）_２Ｃｌ_２ ２．９５ｇ、水 ２００ｍｌ、トルエン ２００ｍｌおよびソルミックスＡ−１１ ２００ｍｌを加え、８時間加熱還流させた。反応液を２５℃まで冷却後、水 １０００ｍｌおよびトルエン５００ｍｌへ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し、残渣をヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらに酢酸エチルとソルミックスＡ−１１との混合溶媒（体積比 酢酸エチル：ソルミックスＡ−１１＝１：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、３−フルオロ−４’−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニル（Ｔ２８）３７．３ｇを得た。化合物（Ｔ２６）からの収率は８２．０％であった。

第２工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ２８） ３７．３ｇとＴＨＦ ５００ｍｌを混合し、−７０℃まで冷却した。その後、１．０２Ｍ ｓｅｃ−ブチルリチウム，シクロヘキサン溶液 １３５ｍｌを−７０℃から−６０℃の温度範囲で滴下し、さらに−７０℃で１８０分攪拌した。続いてヨウ素 ３７．８ｇを溶解したＴＨＦ溶液 ２５０ｍｌを−７０〜−６０℃の温度範囲で滴下し、さらに−３０℃で６０分攪拌した。その後、０℃に冷却した水 １０００ｍｌとトルエン ７５０ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和チオ硫酸ナトリウム水溶液および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し得られた残渣をヘプタンとトルエンの混合溶媒（体積比 ヘプタン：トルエン＝３：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらに酢酸エチルとソルミックスＡ−１１との混合溶媒（体積比 酢酸エチル：ソルミックスＡ−１１＝１：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、３−フルオロ−４−ヨード−４’−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ビフェニル（Ｔ２９）４５．１ｇを得た。化合物（Ｔ２８）からの収率は８７％であった。

第３工程
窒素雰囲気下、反応器へ化合物（Ｔ２９） ３０．０ｇ、化合物（Ｔ７） １１．６ｇ、炭酸カリウム ２７．６ｇ、５％Ｐｄ／Ｃ ０．２８ｇ、水 ２００ｍｌ、トルエン ２００ｍｌおよびソルミックスＡ−１１ ２００ｍｌを加え、１１時間加熱還流させた。反応液を２５℃まで冷却後、水 １０００ｍｌおよびトルエン５００ｍｌへ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し、残渣をヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらに酢酸エチルとソルミックスＡ−１１との混合溶媒（体積比 酢酸エチル：ソルミックスＡ−１１＝１：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、３，５，２’−トリフルオロ−４’’−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｔ３０）２４．９ｇを得た。化合物（Ｔ２９）からの収率は８６％であった。

第４工程
窒素雰囲気下、化合物（Ｔ３０） １０．０ｇとＴＨＦ ２５０ｍｌを混合し、−７０℃まで冷却した。その後、１．５７Ｍ ｎ−ブチルリチウム，ヘキサン溶液 １６ｍｌを−７０℃から−６０℃の温度範囲で滴下し、さらに−７０℃で６０分攪拌した。続いてＤＭＦ ３．４ｇを溶解したＴＨＦ溶液 ２５ｍｌを−７０〜−６０℃の温度範囲で滴下し、さらに−６０℃で６０分攪拌した。その後、０℃に冷却した１Ｎ 塩酸 ６００ｍｌとトルエン ３００ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し得られた残渣をトルエンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにトルエンとヘプタンとの混合溶媒（体積比 トルエン：ヘプタン＝１：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、３，５，２’−トリフルオロ−４’’−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル−４−カルボアルデヒド（Ｔ３１）７．６ｇを得た。化合物（Ｔ３０）からの収率は７２％であった。

第５工程
窒素雰囲気下、反応器へモレキュラシーブス４Ａ（ＭＳ４Ａ） ９４．４ｇと１．０Ｍ テトラブチルアンモニウムフルオリド ＴＨＦ溶液（ＴＢＡＦ） １１８ｍｌとを加え、室温にて２０時間攪拌した。その後、化合物（Ｔ３１） ５．５ｇおよび化合物（ｂ３）５．１ｇを溶解したＴＨＦ溶液 ２００ｍｌを２０℃から２５℃の温度範囲で滴下し、さらに室温にて１時間攪拌した。得られた反応混合液からＭＳ４Ａを濾別し、濾液に水 ５００ｍｌとトルエン ５００ｍｌとを加え混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、水、飽和重曹水、および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、続いて、減圧下、溶媒を留去した。得られた残渣をヘプタンを展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにソルミックスＡ−１１とヘプタンとの混合溶媒（体積比 ソルミックスＡ−１１：ヘプタン＝１：１）からの再結晶により精製し、乾燥させ、３，５，２’−トリフルオロ−４’’−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｎｏ．３．１３）２．６ｇを得た。化合物（Ｔ３１）からの収率は４１％であった。

得られた化合物（Ｎｏ． ３．１３）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ ９７．４ Ｎ ２９２．０ Ｉｓｏ 。

¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、３，５，２’−トリフルオロ−４’’−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニルであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．５４（ｄ，２Ｈ）、７．５０−７．４６（ｍ，２Ｈ）、７．４０（ｄ，１Ｈ）、７．３２（ｄ，２Ｈ）、７．２９−７．２３（ｍ，３Ｈ）、６．６６−６．５８（ｍ，１Ｈ）、２．５２（ｔｔ，１Ｈ）、１．９１（ｔ，４Ｈ）、１．５３−１．４６（ｍ，２Ｈ）、１．３３−１．２２（ｍ，９Ｈ）、１．０９（ｔ，２Ｈ）、０．９０（ｔ，３Ｈ）．

母液晶Ａ ８５質量％と、実施例１１で得られた３，５，２’−トリフルオロ−４’’−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｎｏ．３．１３）の１５質量％とからなる液晶組成物Ｇを調製した。得られた液晶組成物Ｇの物性値を測定し、測定値を外挿することで液晶性化合物（Ｎｏ． ３．１３）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝２０７．０℃；光学異方性（Δｎ）＝０．２７０；誘電率異方性（Δε）＝１７．７。
このことから液晶性化合物（Ｎｏ． ３．１３）は、上限温度（Ｔ_ＮＩ）が非常に高く、光学異方性（Δｎ）が大きく、誘電率異方性（Δε）が大きい化合物であることがわかった。

３，５，２’−トリフルオロ−４’’−プロピル−４−（３，３，３−トリフルオロプロピニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｎｏ．５．４７）の合成

第１工程
窒素雰囲気下、反応器へ化合物（Ｔ２０） １３．０ｇ、トリフェニルホスフィン ２３．１ｇおよびＥＤＣ １３０ｍｌを加え、０℃で攪拌した。そこへＥＤＣ ３０ｍｌに溶解した四臭化炭素 １４．６ｇを０℃〜５℃の温度範囲で滴下し、さらに５℃にて６０分攪拌した。続いてアセトン ２０ｍｌを０℃〜１０℃の温度範囲で滴下し、さらに続いて、水 ２００ｍｌを０℃〜１０℃の温度範囲で滴下した。得られた反応液から有機層を分取して、飽和重曹水および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し、残渣をヘプタンとトルエンとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：トルエン＝１：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製し、乾燥させ、４−（２，２−ジブロモビニル）−３，５，２’−トリフルオロ−４’’−プロピル−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｔ３２）１６．９ｇを得た。化合物（Ｔ２０）からの収率は９０．２％であった。

第２工程
窒素雰囲気下の反応器へ、化合物（Ｔ３２）１６．０ｇ、ヘプタン ２０ｍｌおよびトルエン ２００ｍｌとを加えて、０℃で攪拌した。そこへ、カリウムｔ−ブトキシド ３．９ｇを０℃〜５℃の温度範囲で３回に分けて加え、さらに５℃にて６０分攪拌した。得られた反応液を０℃の水 ２００ｍｌへ注ぎ込み、混合した。その後、静置して、有機層と水層とに分離させ抽出操作を行った。得られた有機層を分取し、水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。その後、減圧下、溶媒を留去し、残渣をヘプタンとトルエンとの混合溶媒（体積比 ヘプタン：トルエン＝１：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにソルミックスＡ−１１と酢酸エチルの混合溶媒（体積比 ソルミックスＡ−１１：酢酸エチル＝１：２）からの再結晶により精製し、乾燥させ、４−ブロモエチニル−３，５，２’− トリフルオロ−４’’−プロピル−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｔ３３）１１．４ｇを得た。化合物（Ｔ３２）からの収率は８４．７％であった。

第３工程
窒素雰囲気下、反応器へヨウ化銅（Ｉ） ６．０ｇ、フッ化カリウム １．５ｇおよびＤＭＦ ５０ｍｌを加え、室温で攪拌した。そこへトリメチル（トリフルオロメチル）シラン ８．９ｇを加え、さらに６０分攪拌した。続いて、ＮＭＰ ５０ｍｌに溶解した化合物（Ｔ３３）９．０ｇを２０℃〜２５℃の温度範囲で滴下し、さらに室温で２０時間攪拌した。得られた反応混合液を、０℃に冷却した水 ３００ｍｌとトルエン ３００ｍｌの混合液へ注ぎ込み、混合した。その後、静置して有機層と水層の２層に分離させて、有機層への抽出操作を行った。得られた有機層を分取して、５％アンモニア水溶液、水、０．５Ｎ 塩酸、飽和重曹水および水で洗浄し、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。得られた溶液を減圧下、濃縮し、残渣をヘプタンとトルエンの混合溶媒（体積比 ヘプタン：トルエン＝４：１）を展開溶媒、シリカゲルを充填剤として用いたカラムクロマトグラフィーによる分取操作で精製した。さらにソルミックスＡ−１１と酢酸エチルの混合溶媒（体積比 ソルミックスＡ−１１：酢酸エチル＝１：２）からの再結晶により精製し、乾燥させ、３，５，２’−トリフルオロ−４’’−プロピル−４−（３，３，３−トリフルオロプロピニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｎｏ．５．４７）０．８３ｇを得た。化合物（Ｔ３３）からの収率は９．５％であった。

得られた化合物（Ｎｏ． ５．４７）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ １１９．５ Ｓ_Ａ １２５．３ Ｉｓｏ 。

¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、３，５，２’−トリフルオロ−４’’−プロピル−４−（３，３，３−トリフルオロプロピニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニルであることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．５３（ｄ，２Ｈ）、７．５０−７．４６（ｍ，２Ｈ）、７．４３−７．４０（ｍ，１Ｈ）、７．３０−７．２５（ｍ，４Ｈ）、２．６５（ｍ，２Ｈ）、１．７３−１．６５（ｍ，２Ｈ）、０．９８（ｔ，３Ｈ）．

母液晶Ａ ９５質量％と、実施例１３で得られた３，５，２’−トリフルオロ−４’’−プロピル−４−（３，３，３−トリフルオロプロピニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｎｏ．５．４７）の５質量％とからなる液晶組成物Ｈを調製した。得られた液晶組成物Ｈの物性値を測定し、測定値を外挿することで液晶性化合物（Ｎｏ． ５．４７）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_ＮＩ）＝８５．７℃；光学異方性（Δｎ）＝０．２７７；誘電率異方性（Δε）＝３１．６。
このことから液晶性化合物（Ｎｏ． ５．４７）は、上限温度（Ｔ_ＮＩ）が高く、光学異方性（Δｎ）が大きく、誘電率異方性（Δε）が大きい化合物であることがわかった。

実施例１、３、５、７、９、１１、および１３に記載した合成方法と同様の方法により以下に示す化合物（Ｎｏ． １．１）〜（Ｎｏ． １．１２４）、（Ｎｏ． ２．１）〜（Ｎｏ． ２．２４２）、（Ｎｏ． ３．１）〜（Ｎｏ．３．１２６）、（Ｎｏ． ４．１〜４．１１２）、（Ｎｏ． ５．１）〜（Ｎｏ．５．２２８）、および（Ｎｏ． ６．１）〜（Ｎｏ． ６．１２６）を合成することができる。付記したデータは前記した手法に従い、求めた値である。相転移温度は化合物自体の測定値である。上限温度（Ｔ_NI）、誘電率異方性（Δε）、および光学異方性（Δｎ）は、実施例２、４、６、８、１０、１２および１４に記載したように化合物を母液晶（Ａ）に混合した試料の測定値を、外挿法に従って換算した外挿値である。

なお、３，５，２’−トリフルオロ−４’’−ペンチル−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｎｏ．２．１１０）は化合物（Ｔ１６）の代わりに４−ペンチルフェニルボロン酸（Ｔ３４）を出発原料とし、実施例５に示した手法により合成した。

¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、３，５，２’−トリフルオロ−４’’−ペンチル−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｎｏ．２．１１０）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．５３（ｄ，２Ｈ）、７．５０−７．４５（ｍ，２Ｈ）、７．４２−７．３９（ｍ，１Ｈ）、７．２８（ｄ，２Ｈ），７．２５−７．２２（ｍ，３Ｈ）、６．６５−６．５８（ｍ，１Ｈ）、２．６６（ｔ，２Ｈ）、１．６９−１．６３（ｍ，２Ｈ）、１．４０−１．３２（ｍ，４Ｈ）、０．９１（ｔ，３Ｈ）．

また、３，５，２’，２’’−テトラフルオロ−４’’−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｎｏ．３．１５）は化合物（Ｔ２６）の代わりに２−フルオロ−１−ヨード−４−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）ベンゼン（Ｔ３５）を出発原料とし、実施例１１に示した手法により合成した。

¹Ｈ−ＮＭＲ分析の化学シフトδ（ｐｐｍ）は以下の通りであり、得られた化合物が、３，５，２’，２’’−テトラフルオロ−４’’−（トランス−４−ペンチルシクロヘキシル）−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｎｏ．３．１５）であることが同定できた。なお、測定溶媒はＣＤＣｌ₃である。

化学シフトδ（ｐｐｍ）；７．５０−７．３６（ｍ，４Ｈ）、７．２８−７．２３（ｍ，３Ｈ）、７．１２（ｄ，１Ｈ）、７．０６（ｄ，１Ｈ）、６．６４−６．５８（ｍ，１Ｈ）、２．５２（ｔｔ，１Ｈ）、１．９２（ｔ，４Ｈ）、１．５１−１．４３（ｍ，２Ｈ）、１．３５−１．２２（ｍ，９Ｈ）、１．１１−１．０７（ｍ，２Ｈ）、０．９０（ｔ，３Ｈ）．

〔比較例１〕
比較例としてトリフルオロアルキル基を有するトランス−４’−［ ３，５−ジフルオロ−４−（３，３，３−トリフルオロプロピル）フェニル］−トランス−４−プロピルビシクロヘキシル（Ｓ−１１）を合成した。

得られた比較例化合物（Ｓ−１１）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ_１ ４９．６ Ｃ_２ ７９．７ Ｎ １２０．９ Ｉｓｏ 。

母液晶Ａ ８５質量％と、比較例化合物（Ｓ−１１）の１５質量％とからなる液晶組成物Ｉを調製した。得られた液晶組成物 Ｉの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｓ−１１）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝９１．０℃；光学異方性（Δｎ）＝０．０９０；誘電率異方性（Δε）＝１３．４。

比較例化合物（Ｓ−１１）と実施例１および２に示した本発明の液晶性化合物（Ｎｏ．２．２３）とを比較すると、液晶性化合物（Ｎｏ．２．２３）の方が液晶相の温度範囲が広く、高い透明点、大きな光学異方性および大きな誘電率異方性を有する点で優れていることが分かった。

〔比較例２〕
比較例としてパーフルオロプロペニリル基を有するトランス−４’−（ ３，５−ジフルオロ−４−ペンタフルオロプロペニルフェニル）−トランス−４−プロピルビシクロヘキシル（Ｓ−１２）を合成した。

得られた比較例化合物（Ｓ−１２）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ ７２．６ Ｓｍ ９７．１ Ｎ １５５．８ Ｉｓｏ 。

母液晶Ａ ８５質量％と、比較例化合物（Ｓ−１２）の１５質量％とからなる液晶組成物Ｊを調製した。得られた液晶組成物 Ｊの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｓ−１２）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝１０３．０℃；光学異方性（Δｎ）＝０．１１０；誘電率異方性（Δε）＝１７．５。

比較例化合物（Ｓ−１２）と実施例１および２に示した本発明の液晶性化合物（Ｎｏ．２．２３）とを比較すると、液晶性化合物（Ｎｏ．２．２３）の方がネマチック相の温度範囲が広く、高い透明点、大きな光学異方性および大きな誘電率異方性を有する優れた化合物であることが分かった。

〔比較例３〕
比較例として特許文献６および７に記載された化合物であるトランス−４’−（ ３，４，５−トリフルオロフェニル）−トランス−４−プロピルビシクロヘキシル（Ｓ−８）を合成した。

得られた比較例化合物（Ｓ−８）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ ６４．３ Ｎ ９３．９ Ｉｓｏ 。

母液晶Ａ ８５質量％と、比較例化合物（Ｓ−８）の１５質量％とからなる液晶組成物Ｋを調製した。得られた液晶組成物 Ｋの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｓ−８）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝７６．４℃；光学異方性（Δｎ）＝０．０７９；誘電率異方性（Δε）＝１１．０。

比較例化合物（Ｓ−８）と実施例１および２に示した本発明の液晶性化合物（Ｎｏ．２．２３）とを比較すると、液晶性化合物（Ｎｏ．２．２３）の方が液晶相の温度範囲が広く、高い透明点、大きな光学異方性および大きな誘電率異方性を有する優れた化合物であることが分かった。

〔比較例４〕
比較例としてトリフルオロプロペニル基で置換されていないトランス−４’−（ ３，５−ジフルオロフェニル）−トランス−４−プロピルビシクロヘキシル（Ｔ５）を合成した。

得られた比較例化合物（Ｔ５）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ ５８．２ Ｎ ８７．５ Ｉｓｏ。

母液晶Ａ ８５質量％と、比較例化合物（Ｔ５）の１５質量％とからなる液晶組成物Ｌを調製した。得られた液晶組成物 Ｌの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｔ５）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝６９．７℃；光学異方性（Δｎ）＝０．０８４；誘電率異方性（Δε）＝２．９０。

比較例化合物（Ｔ５）と実施例１および２に示した本発明の液晶性化合物（Ｎｏ．２．２３）とを比較すると、液晶性化合物（Ｎｏ．２．２３）の方が液晶相の温度範囲が広く、高い透明点、大きな光学異方性および大きな誘電率異方性を有する優れた化合物であることが分かった。

〔比較例５〕
比較例としてトリフルオロプロペニル基で置換されているが側方位にフッ素が置換されていないトランス−４−プロピル−トランス−４’−［（４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）フェニル）］ビシクロヘキシル（Ｓ−１３）を合成した。

得られた比較例化合物（Ｓ−１３）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ １２５．０ Ｎ １８２．８ Ｉｓｏ。

母液晶Ａ ８５質量％と、比較例化合物（Ｓ−１３）の１５質量％とからなる液晶組成物Ｍを調製した。得られた液晶組成物 Ｍの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｓ−１３）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
光学異方性（Δｎ）＝０．１４７；誘電率異方性（Δε）＝１０．７。

比較例化合物（Ｓ−１３）と実施例１および２に示した本発明の液晶性化合物（Ｎｏ．２．２３）とを比較すると、液晶性化合物（Ｎｏ．２．２３）の方が液晶相の温度範囲が広く、大きな誘電率異方性を有する点で優れていることが分かった。

〔比較例６〕
比較例として特許文献１に記載された化合物（Ｓ−１）に酷似した化合物であるトランス−４−プロピル−トランス−４’−［（４−（３，３，３−トリフルオロプロピル）フェニル）］ビシクロヘキシル（Ｓ−１４）を合成した。

得られた比較例化合物（Ｓ−１４）の相転移温度は以下の通りであり、スメクチックＢ相を有するのみであった。
相転移温度：Ｃ ７０．２ Ｓ_Ｂ １７９．０ Ｉｓｏ。

母液晶Ａ ８５質量％と、比較例化合物（Ｓ−１４）の１５質量％とからなる液晶組成物Ｎを調製した。得られた液晶組成物 Ｎの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｓ−１４）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝１２３．７℃；光学異方性（Δｎ）＝０．０９７；誘電率異方性（Δε）＝５．０。

比較例化合物（Ｓ−１４）と実施例１および２に示した本発明の液晶性化合物（Ｎｏ．２．２３）とを比較すると、液晶性化合物（Ｎｏ．２．２３）の方がネマチック相を有している点、高い透明点、大きな光学異方性および大きな誘電率異方性を有する点で優れていることが分かった。

〔比較例７〕
比較例として特許文献４に記載された化合物（Ｓ−６）に酷似した化合物であるトランス−４’−（４−プロペニルフェニル）−トランス−４−プロピルビシクロヘキシル（Ｓ−１５）を合成した。

得られた比較例化合物（Ｓ−１５）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ_１ ６４．０ Ｃ_２ ７５．０ Ｃ_３ ８７．３ Ｓ_Ｂ １１９．２ Ｎ ２６５．４ Ｉｓｏ。

母液晶Ａ ８５質量％と、比較例化合物（Ｓ−１５）の１５質量％とからなる液晶組成物Ｏを調製した。得られた液晶組成物 Ｏの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｓ−１５）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
光学異方性（Δｎ）＝０．１７７；誘電率異方性（Δε）＝３．６。

比較例化合物（Ｓ−１５）と実施例１および２に示した本発明の液晶性化合物（Ｎｏ．２．２３）とを比較すると、液晶性化合物（Ｎｏ．２．２３）の方がネマチック相の下限温度が低い点、および大きな誘電率異方性を有する点で優れていることが分かった。

〔比較例８〕
比較例としてトリフルオロアルキル基で置換されている３，５，２’−トリフルオロ−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）−４−（３，３，３−トリフルオロプロピル）ビフェニル（Ｓ−１６）を合成した。

得られた比較例化合物（Ｓ−１６）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ ７３．８ （Ｎ ６９．７） Ｉｓｏ 。

母液晶Ａ ８５質量％と、比較例化合物（Ｓ−１６）の１５質量％とからなる液晶組成物Ｐを調製した。得られた液晶組成物 Ｐの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｓ−１６）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝５７．７℃；光学異方性（Δｎ）＝０．１２４；誘電率異方性（Δε）＝１６．９。

比較例化合物（Ｓ−１６）と実施例３および４に示した本発明の液晶性化合物（Ｎｏ．２．４７）とを比較すると、液晶性化合物（Ｎｏ．２．４７）の方が液晶相の温度範囲が広く、高い透明点、大きな光学異方性および大きな誘電率異方性を有する点で優れていることが分かった。

〔比較例９〕
比較例として特許文献６および７に記載された化合物である３，４，５，２’−テトラフルオロ−４’−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ビフェニル（Ｓ−９）を合成した。

得られた比較例化合物（Ｓ−９）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ ６２．９ Ｉｓｏ 。

母液晶Ａ ８５質量％と、比較例化合物（Ｓ−９）の１５質量％とからなる液晶組成物Ｑを調製した。得られた液晶組成物 Ｑの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｓ−９）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝２８．４℃；光学異方性（Δｎ）＝０．１１０；誘電率異方性（Δε）＝１７．０。

比較例化合物（Ｓ−９）と実施例３および４に示した本発明の液晶性化合物（Ｎｏ．２．４７）とを比較すると、液晶性化合物（Ｎｏ．２．４７）の方が液晶相の温度範囲が広く、高い透明点、大きな光学異方性および大きな誘電率異方性を有する点で優れていることが分かった。

〔比較例１０〕
比較例としてトリフルオロプロペニル基の置換されていない２，３’，５’−テトラフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）ビフェニル（Ｔ１４）を合成した。

得られた比較例化合物（Ｔ１４）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ ６０．２ Ｉｓｏ 。

母液晶Ａ ８５質量％と、比較例化合物（Ｔ１４）の１５質量％とからなる液晶組成物Ｒを調製した。得られた液晶組成物 Ｒの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｔ１４）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝２５．０℃；光学異方性（Δｎ）＝０．１２４；誘電率異方性（Δε）＝６．９。

比較例化合物（Ｔ１４）と実施例３および４に示した本発明の液晶性化合物（Ｎｏ．２．４７）とを比較すると、液晶性化合物（Ｎｏ．２．４７）の方が液晶相の温度範囲が広く、高い透明点、大きな光学異方性および大きな誘電率異方性を有する点で優れていることが分かった。

〔比較例１１〕
比較例としてトリフルオロアルキル基の置換されている化合物である３，５，２’−トリフルオロ−４’’−プロピル−４−（３，３，３−トリフルオロプロピル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｓ−１７）を合成した。

得られた比較例化合物（Ｓ−１７）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ ７９．５ Ｓ_Ａ １２５．８ Ｉｓｏ 。

母液晶Ａ ８５質量％と、比較例化合物（Ｓ−１７）の１５質量％とからなる液晶組成物Ｓを調製した。得られた液晶組成物 Ｓの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｓ−１７）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝６７．０℃；光学異方性（Δｎ）＝０．１９７；誘電率異方性（Δε）＝２１．６。

比較例化合物（Ｓ−１７）と実施例５、６、１３および１４に示した本発明の液晶性化合物（Ｎｏ．２．１０８）および（Ｎｏ． ５．４７）とを比較すると、液晶性化合物（Ｎｏ．２．１０８）および（Ｎｏ． ５．４７）の方が、高い透明点、大きな光学異方性および大きな誘電率異方性を有する点で優れていることが分かった。

〔比較例１２〕
比較例として特許文献６および７に記載された化合物である３，４，５，２’−テトラフルオロ−４’’−プロピル−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｓ−１８）を合成した。

得られた比較例化合物（Ｓ−１８）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ ６３．３ Ｉｓｏ 。

母液晶Ａ ８５質量％と、比較例化合物（Ｓ−１８）の１５質量％とからなる液晶組成物Ｔを調製した。得られた液晶組成物 Ｔの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｓ−１８）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝３７．０℃；光学異方性（Δｎ）＝０．１８４；誘電率異方性（Δε）＝２１．７。

比較例化合物（Ｓ−１８）と実施例５、６、１３および１４に示した本発明の液晶性化合物（Ｎｏ．２．１０８）および（Ｎｏ． ５．４７）とを比較すると、液晶性化合物（Ｎｏ．２．１０８）および（Ｎｏ． ５．４７）の方が、液晶相の温度範囲が広く、高い透明点、大きな光学異方性および大きな誘電率異方性を有する点で優れていることが分かった。

〔比較例１３〕
比較例としてトリフルオロプロペニル基、またはトリフルオロプロピニル基で置換されていない３，５，２’−トリフルオロ−４’’−プロピル−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｔ１９）を合成した。

得られた比較例化合物（Ｔ１９）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ ５７．７ Ｓ_Ａ ６２．４ Ｉｓｏ 。

母液晶Ａ ８５質量％と、比較例化合物（Ｔ１９）の１５質量％とからなる液晶組成物Ｕを調製した。得られた液晶組成物 Ｕの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｔ１９）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝２７．０℃；光学異方性（Δｎ）＝０．１９７；誘電率異方性（Δε）＝９．０。

比較例化合物（Ｔ１９）と実施例５、６、１３および１４に示した本発明の液晶性化合物（Ｎｏ．２．１０８）および（Ｎｏ． ５．４７）とを比較すると、液晶性化合物（Ｎｏ．２．１０８）および（Ｎｏ． ５．４７）の方が、液晶相の温度範囲が広く、高い透明点、大きな光学異方性および大きな誘電率異方性を有する点で優れていることが分かった。

〔比較例１４〕
比較例としてトリフルオロプロペニル基で置換されているが側方位にフッ素が置換されていない化合物である２’−フルオロ−４’’−プロピル−４−（３，３，３−トリフルオロプロペニル）−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｓ−１９）を合成した。

得られた比較例化合物（Ｓ−１９）の相転移温度は以下の通りであった。
相転移温度：Ｃ １０２．９ Ｓ_Ｅ １２９．８ Ｓ_Ａ ２１８．８ Ｉｓｏ 。

母液晶Ａ ９５質量％と、比較例化合物（Ｓ−１９）の５質量％とからなる液晶組成物Ｖを調製した。得られた液晶組成物 Ｖの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｓ−１９）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
上限温度（Ｔ_NI）＝１１７．７℃；光学異方性（Δｎ）＝０．２７７；誘電率異方性（Δε）＝１５．９。

比較例化合物（Ｓ−１９）と実施例５、６、７および８に示した本発明の液晶性化合物（Ｎｏ．２．１０８）、および液晶性化合物（Ｎｏ．２．８８）とを比較すると、液晶性化合物（Ｎｏ．２．１０８）および液晶性化合物（Ｎｏ．２．８８）の方が、液晶相の下限温度が低い点、および大きな誘電率異方性を有する点で優れていることが分かった。

〔比較例１５〕
比較例としてプロペニル基で置換されている化合物である３，５，２’−トリフルオロ−４’’−ペンチル−４−プロペニル−［１，１’；４’，１’’］ターフェニル（Ｓ−２０）を合成した。

母液晶Ａ ８５質量％と、比較例化合物（Ｓ−２０）の１５質量％とからなる液晶組成物Ｗを調製した。得られた液晶組成物 Ｗの物性値を測定し、測定値を外挿することで比較例化合物（Ｓ−２０）の物性の外挿値を算出した。その値は以下のとおりであった。
誘電率異方性（Δε）＝７．６。

比較例化合物（Ｓ−２０）と実施例１５に示した本発明の液晶性化合物（Ｎｏ．２．１１０）とを比較すると、液晶性化合物（Ｎｏ．２．１１０）の方が、大きな誘電率異方性を有する点で優れていることが分かった。

低温相溶性を確認するために、母液晶Ａと液晶性化合物（Ｎｏ．２．８８）を、液晶性化合物（Ｎｏ．２．８８）が、１５質量％、１０質量％、５質量％、および３質量％の量となるように混合した試料を作製し、試料をガラス瓶に入れた。このガラス瓶を、−２０℃のフリーザー中に３０日間保管したあと、結晶もしくはスメクチック相が析出しているかどうか観察をした。その結果、１５質量％で混合した試料は結晶が析出していたが、１０質量％で混合した試料はネマチック相のままであり、結晶は析出していなかった。

低温相溶性を確認するために、母液晶Ａと液晶性化合物（Ｎｏ．２．１０８）を、液晶性化合物（Ｎｏ．２．１０８）が、１５質量％、１０質量％、５質量％、および３質量％の量となるように混合した試料を作製し、試料をガラス瓶に入れた。このガラス瓶を、−２０℃のフリーザー中に３０日間保管したあと、結晶もしくはスメクチック相が析出しているかどうか観察をした。その結果、１５質量％で混合した試料はネマチック相のままであり、結晶は析出していなかった。

〔比較例１６〕
低温相溶性を確認するために、母液晶Ａと比較例化合物（Ｓ−１９）を、比較例化合物（Ｓ−１９）が、１５質量％、１０質量％、５質量％、および３質量％の量となるように混合した試料を作製し、試料をガラス瓶に入れた。このガラス瓶を、−２０℃のフリーザー中に３０日間保管したあと、結晶もしくはスメクチック相が析出しているかどうか観察をした。その結果、５質量％で混合した試料は結晶が析出していたが、３質量％で混合した試料はネマチック相のままであり、結晶は析出していなかった。

比較例化合物（Ｓ−１９）と実施例１６，および１７に示した本発明の液晶性化合物（Ｎｏ．２．８８）、および液晶性化合物（Ｎｏ．１０８）を比較すると、液晶性化合物（Ｎｏ．２．８８）、および液晶性化合物（Ｎｏ．１０８）の方が低温相溶性の面で優れていることが分かった。

さらに本発明の代表的な組成物を組成物例１〜１４にまとめた。最初に、組成物の成分である化合物とその量（質量％）を示した。化合物は表１の取り決めに従い、左末端基、結合基、環構造、および右末端基の記号によって表示した。１，４−シクロヘキシレンおよび１，３−ジオキサン−２，５−ジイルの立体配置はトランスである。末端基の記号がない場合は、末端基が水素であることを意味する。次に組成物の物性値を示した。ここでの物性値は測定値そのままの値である。

特性値の測定は下記の方法にしたがって行うことができる。それらの多くは、日本電子機械工業会規格（Standard of Electric Industries Association of Japan）ＥＩＡＪ・ＥＤ−２５２１Ａに記載された方法、またはこれを修飾した方法である。測定に用いたＴＮ素子には、ＴＦＴを取り付けなかった。

ネマチック相の上限温度（ＮＩ；℃）：偏光顕微鏡を備えた融点測定装置のホットプレートに試料を置き、１℃／分の速度で加熱した。試料の一部がネマチック相から等方性液体に変化したときの温度を測定した。ネマチック相の上限温度を「上限温度」と略すことがある。

ネマチック相の下限温度（Ｔ_C；℃）：ネマチック相を有する試料を０℃、−１０℃、−２０℃、−３０℃、および−４０℃のフリーザー中に１０日間保管したあと、液晶相を観察した。例えば、試料が−２０℃ではネマチック相のままであり、−３０℃では結晶（またはスメクチック相）に変化したとき、Ｔ_Cを≦−２０℃と記載する。ネマチック相の下限温度を「下限温度」と略すことがある。

粘度（η；２０℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：測定にはＥ型回転粘度計を用いた。

回転粘度（γ１；２５℃で測定；ｍＰａ・ｓ）：
１）誘電率異方性が正である試料：測定はM. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995) に記載された方法に従った。ツイスト角が０°であり、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が５μｍであるＴＮ素子に試料を入れた。ＴＮ素子に１６ボルトから１９．５ボルトの範囲で０．５ボルト毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算で必要な誘電率異方性の値は、この回転粘度の測定で使用した素子にて、下記の誘電率異方性の測定方法で求めた。

２）誘電率異方性が負である試料：測定はM. Imai et al., Molecular Crystals and Liquid Crystals, Vol. 259, 37 (1995) に記載された方法に従った。２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）が２０μｍのＶＡ素子に試料を入れた。この素子に３０ボルトから５０ボルトの範囲で１ボルト毎に段階的に印加した。０．２秒の無印加のあと、ただ１つの矩形波（矩形パルス；０．２秒）と無印加（２秒）の条件で印加を繰り返した。この印加によって発生した過渡電流（transient current）のピーク電流（peak current）とピーク時間（peak time）を測定した。これらの測定値とM. Imaiらの論文、４０頁の計算式（８）とから回転粘度の値を得た。この計算に必要な誘電率異方性は、下記の誘電率異方性で測定した値を用いた。

光学異方性（屈折率異方性；Δｎ；２５℃で測定）：測定は、波長５８９ｎｍの光を用い、接眼鏡に偏光板を取り付けたアッベ屈折計により行なった。主プリズムの表面を一方向にラビング（rubbing）したあと、試料を主プリズムに滴下した。屈折率（ｎ‖）は偏光の方向がラビングの方向と平行であるときに測定した。屈折率（ｎ⊥）は偏光の方向がラビングの方向と垂直であるときに測定した。光学異方性の値は、Δｎ＝ｎ‖−ｎ⊥、の式から計算した。試料が組成物のときはこの方法によって光学異方性を測定した。試料が化合物のときは、化合物を適切な組成物に混合したあと光学異方性を測定した。化合物の光学異方性は外挿値である。

誘電率異方性（Δε；２５℃で測定）：試料が化合物のときは、化合物を適切な組成物に混合したあと誘電率異方性を測定した。化合物の誘電率異方性は外挿値である。
１）誘電率異方性が正である組成物：２枚のガラス基板の間隔（ギャップ）が約９μｍ、ツイスト角が８０度の液晶セルに試料を入れた。このセルに２０ボルトを印加して、液晶分子の長軸方向における誘電率（ε‖）を測定した。０．５ボルトを印加して、液晶分子の短軸方向における誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。

２）誘電率異方性が負である組成物：ホメオトロピック配向に処理した液晶セルに試料を入れ、０．５ボルトを印加して誘電率（ε‖）を測定した。ホモジニアス配向に処理した液晶セルに試料を入れ、０．５ボルトを印加して誘電率（ε⊥）を測定した。誘電率異方性の値は、Δε＝ε‖−ε⊥、の式から計算した。

しきい値電圧（Ｖｔｈ；２５℃で測定；Ｖ）：試料が化合物のときは、化合物を適切な組成物に混合したあとしきい値電圧を測定した。化合物のしきい値電圧は外挿値である。１）誘電率異方性が正である組成物：２枚のガラス基板の間隔（ギャップ）が（０．５／Δｎ）μｍであり、ツイスト角が８０度である、ノーマリーホワイトモード（normally white mode）の液晶表示素子に試料を入れた。Δｎは上記の方法で測定した光学異方性の値である。この素子に周波数が３２Ｈｚである矩形波を印加した。矩形波の電圧を上昇させ、素子を通過する光の透過率が９０％になったときの電圧の値を測定した。

２）誘電率異方性が負である組成物：２枚のガラス基板の間隔（ギャップ）が約９μｍであり、ホメオトロピック配向に処理したノーマリーブラックモード（normally black mode）の液晶表示素子に試料を入れた。この素子に周波数が３２Ｈｚである矩形波を印加した。矩形波の電圧を上昇させ、素子を通過する光の透過率１０％になったときの電圧の値を測定した。

電圧保持率（ＶＨＲ；２５℃で測定；％）：測定に用いたＴＮ素子はポリイミド配向膜を有し、そして２枚のガラス基板の間隔（セルギャップ）は６μｍである。この素子は試料を入れたあと紫外線によって重合する接着剤で密閉した。このＴＮ素子にパルス電圧（５Ｖで６０マイクロ秒）を印加して充電した。減衰する電圧を高速電圧計で１６．７ミリ秒のあいだ測定し、単位周期における電圧曲線と横軸との間の面積Ａを求めた。面積Ｂは減衰しなかったときの面積である。電圧保持率は面積Ｂに対する面積Ａの百分率である。

らせんピッチ（２０℃で測定；μｍ）：らせんピッチの測定には、カノのくさび型セル法を用いた。カノのくさび型セルに試料を注入し、セルから観察されるディスクリネーションラインの間隔（ａ；単位はμｍ）を測定した。らせんピッチ（Ｐ）は、式Ｐ＝２・ａ・ｔａｎθから算出した。θは、くさび型セルにおける２枚のガラス板の間の角度である。

成分または液晶性化合物の割合（百分率）は、液晶性化合物の全質量に基づいた質量百分率（質量％）である。組成物は、液晶性化合物などの成分の質量を測定してから混合することによって調製される。したがって、成分の質量％を算出するのは容易である。

［組成例１］
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＶＣＦ３ ５％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＶＣＦ３ ５％
２−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ４％
４−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ １２％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ １３％
３−ＨＢ−Ｏ２ ７％
３−ＨＨ−４ ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ ３％
３−ＨＨＢ−１ ４％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ ４％
３−ＨＢＥＢ−Ｆ ４％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ７％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ７％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ ４％
３−ＨＢ（Ｆ）ＴＢ−２ ５％
ＮＩ＝９２．９℃；Δｎ＝０．１４９；Δε＝２８．１；Ｖｔｈ＝１．０９Ｖ．

［組成例２］
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＶＣＦ３ ４％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＶＣＦ３ ４％
２−ＨＢ−Ｃ ５％
３−ＨＢ−Ｃ １２％
３−ＨＢ−Ｏ２ １５％
２−ＢＴＢ−１ ３％
３−ＨＨＢ−Ｆ ４％
３−ＨＨＢ−１ ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ ５％
３−ＨＨＢ−３ ６％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ４％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ４％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
ＮＩ＝９６．８℃；Δｎ＝０．１１３；Δε＝６．９；Ｖｔｈ＝２．１４Ｖ．

［組成例３］
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＴＣＦ３ ３％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＴＣＦ３ ５％
３−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ８％
３−ＨＢ−Ｃ ８％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ ８％
１Ｖ−ＨＢ−Ｃ ８％
３−ＨＢ−Ｏ２ ３％
３−ＨＨ−２Ｖ １３％
３−ＨＨ−２Ｖ１ ７％
Ｖ２−ＨＨＢ−１ ８％
３−ＨＨＢ−１ ５％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ７％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ６％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ６％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ ５％
ＮＩ＝９３．８℃；Δｎ＝０．１４６；Δε＝１０．７；Ｖｔｈ＝１．６８Ｖ．

［組成例４］
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＶＣＦ３ ６％
５−ＢＥＢ（Ｆ）−Ｃ ５％
Ｖ−ＨＢ−Ｃ １１％
５−ＰｙＢ−Ｃ ６％
４−ＢＢ−３ ６％
３−ＨＨ−２Ｖ １０％
５−ＨＨ−Ｖ １１％
Ｖ−ＨＨＢ−１ ７％
Ｖ２−ＨＨＢ−１ １４％
３−ＨＨＢ−１ ９％
１Ｖ２−ＨＢＢ−２ １０％
３−ＨＨＥＢＨ−３ ５％

［組成例５］
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＶＣＦ３ ４％
３−Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＶＣＦ３ ４％
１Ｖ２−ＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｃ ６％
３−ＨＢ−Ｃ １８％
２−ＢＴＢ−１ １０％
５−ＨＨ−ＶＦＦ ２２％
３−ＨＨＢ−１ ４％
ＶＦＦ−ＨＨＢ−１ ８％
ＶＦＦ２−ＨＨＢ−１ １１％
３−Ｈ２ＢＴＢ−２ ５％
３−Ｈ２ＢＴＢ−３ ４％
３−Ｈ２ＢＴＢ−４ ４％

［組成例６］
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＶＣＦ３ ４％
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＶＣＦ３ ４％
５−ＨＢ−ＣＬ １６％
３−ＨＨ−４ １２％
３−ＨＨ−５ ４％
３−ＨＨＢ−Ｆ ４％
３−ＨＨＢ−ＣＬ ３％
４−ＨＨＢ−ＣＬ ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
４−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
７−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２％
４−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
４−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
ＮＩ＝１１４．３℃；Δｎ＝０．１０３；Δε＝５．４；Ｖｔｈ＝２．１９Ｖ．
組成例６の組成物１００質量部に光学活性化合物（Ｏｐ−０５）を０．２５質量部添加したときのピッチは６０．５μｍであった。

［組成例７］
３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＶＣＦ３ ８％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−ＶＣＦ３ ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ９％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １６％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １５％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
５−ＨＨＥＢＢ−Ｆ ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−４ ４％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ４％

［組成例８］
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＴＣＦ３ ５％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＴＣＦ３ ５％
５−ＨＢ−Ｆ １２％
６−ＨＢ−Ｆ ９％
７−ＨＢ−Ｆ ７％
２−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ７％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ７％
４−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ７％
５−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ５％
３−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３ ４％
５−ＨＨ２Ｂ−ＯＣＦ３ ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ２Ｈ ４％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＯＣＦ３ ５％
３−ＨＨ２Ｂ（Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＢＢＨ−３ ３％
３−ＨＢ（Ｆ）ＢＨ−３ ３％

［組成例９］
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）２Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＶＣＦ３ １５％
５−ＨＢ−ＣＬ １１％
３−ＨＨ−４ ８％
３−ＨＨＢ−１ ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ８％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
５−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
２−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％

［組成例１０］
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−ＶＣＦ３ １５％
３−ＨＢ−ＣＬ ６％
５−ＨＢ−ＣＬ ４％
３−ＨＨＢ−ＯＣＦ３ ５％
３−Ｈ２ＨＢ−ＯＣＦ３ ５％
５−Ｈ４ＨＢ−ＯＣＦ３ ５％
Ｖ−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
３−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３ ８％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＣＦ３ １０％
５−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−Ｈ４ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
２−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
３−Ｈ２ＢＢ（Ｆ）−Ｆ ５％
３−ＨＢＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％

［組成例１１］
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＥＢ（Ｆ，Ｆ）−ＶＣＦ３ １０％
５−ＨＢ−ＣＬ １７％
７−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＨ−４ １０％
３−ＨＨ−５ ５％
３−ＨＢ−Ｏ２ ６％
３−ＨＨＢ−１ ８％
３−ＨＨＢ−Ｏ１ ５％
２−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
５−ＨＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
４−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％

［組成例１２］
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＶＣＦ３ ４％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＶＣＦ３ ４％
５−ＨＢ−ＣＬ ３％
７−ＨＢ（Ｆ）−Ｆ ７％
３−ＨＨ−４ ９％
３−ＨＨ−ＥＭｅ １５％
３−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
５−ＨＨＥＢ−Ｆ ８％
３−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
４−ＨＨＥＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
４−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＨＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ６％
２−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％
３−Ｈ２ＧＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ５％
５−ＧＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％

［組成例１３］
３−ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−ＶＣＦ３ ５％
３−ＨＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＶＣＦ３ ５％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＶＣＦ３ ５％
３−ＨＨ−４ ８％
３−ＨＨＢ−１ ６％
３−ＨＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １０％
３−Ｈ２ＨＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ９％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ １５％
３−ＢＢ（Ｆ，Ｆ）ＸＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ２０％
１Ｏ１−ＨＢＢＨ−５ ７％
２−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ３％
３−ＨＨ２ＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ４％

［組成例１４］
３−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＶＣＦ３ ４％
５−ＢＢ（Ｆ）Ｂ（Ｆ，Ｆ）−ＴＣＦ３ ４％
５−ＨＢ−ＣＬ １３％
３−ＨＢ−Ｏ２ １０％
３−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ ８％
５−ＰｙＢ（Ｆ）−Ｆ １０％
３−ＨＢＢ（Ｆ，Ｆ）−Ｆ ７％
３−ＰｙＢＢ−Ｆ ８％
４−ＰｙＢＢ−Ｆ ８％
５−ＰｙＢＢ−Ｆ ８％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−２ １０％
５−ＨＢＢ（Ｆ）Ｂ−３ １０％

光などに対する安定性を有し、広い温度範囲で液晶相を示し、粘度が小さく、適切な光学異方性、大きな誘電率異方性、他の液晶性化合物との優れた相溶性を有する液晶性化合物を得られたので、この化合物を含有する液晶組成物を用いることによって、応答時間が短く、消費電力および駆動電圧が小さく、大きなコントラストを有し、広い温度範囲で使用可能である、液晶表示素子に利用できる。

Claims (29)

1. 式（１）で表される化合物。
   

   

   
   式中、Ｒは水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、炭素数１〜１１のアルコキシ、または炭素数２〜１１のアルケニルオキシであり；
   環Ａ¹、環Ａ^２および環Ａ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、または１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイルであり、これらの環において水素はハロゲンで置き換えられてもよく；
   Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³は独立して、単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、−ＣＦ＝ＣＦ−、−（ＣＨ₂）₄−、−（ＣＨ₂）₂ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ（ＣＨ₂）_２−、または−（ＣＨ₂）_２ＣＨ＝ＣＨ−であり；
   Ｌ^１およびＬ^２は独立して、水素またはハロゲンであり、Ｌ^１およびＬ^２の少なくとも一方はハロゲンであり；
   Ｗは−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であり；
   ｎおよびｍは独立して０〜２の整数であり、ｎとｍの和は０〜３の整数である。
2. 環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³が独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンである、請求項１に記載の化合物。
3. Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³が独立して、単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、または−ＣＦ＝ＣＦ−である、請求項２に記載の化合物。
4. 式（１−１）で表される化合物。
   

   

   
   式中、Ｒは水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または炭素数１〜１１のアルコキシであり；
   環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，４−シクロヘキセニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；
   Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³は独立して、単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ₂Ｏ−、−ＯＣＨ₂−、または−ＣＦ＝ＣＦ−であり；
   Ｗは−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−であり；
   Ｌ^１は水素、フッ素または塩素であり；
   ｎおよびｍは独立して、０〜２の整数であり、ｎとｍの和は０〜３の整数である。
5. 環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³が独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンである、請求項４に記載の化合物。
6. 環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³のうち少なくとも１つが１，３−ジオキサン−２，５−ジイルである、請求項４に記載の化合物。
7. 環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³のうち少なくとも１つがテトラヒドロピラン−２，５−ジイルである、請求項４に記載の化合物。
8. 環Ａ¹、環Ａ²および環Ａ³のうち少なくとも１つがピリミジン−２，５−ジイルである、請求項４に記載の化合物。
9. Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³が独立して、単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、または−ＣＨ₂Ｏ−である、請求項５に記載の化合物。
10. Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³が単結合である、請求項５に記載の化合物。
11. 式（１−２）〜（１−１０）のいずれか１つで表される化合物。
    
    

    

    式中、Ｒａは独立して、水素、炭素数１〜１２のアルキル、炭素数２〜１２のアルケニル、または炭素数１〜１１のアルコキシであり；
    Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³は独立して、単結合、−ＣＨ₂ＣＨ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＯＯ−、または−ＣＦ₂Ｏ−であり；
    Ｘ^１、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５およびＸ^６は独立して水素またはフッ素であり；
    Ｗは独立して−ＣＨ＝ＣＨ−または−Ｃ≡Ｃ−である。
12. 式（１−２）〜（１−１０）において、Ｚ¹、Ｚ²およびＺ³が単結合である請求項１１に記載の化合物。
13. 式（１−２）〜（１−１０）においてＸ^１がフッ素であり、Ｘ^２、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５およびＸ^６が水素である請求項１２に記載の化合物。
14. 式（１−２）〜（１−１０）においてＸ^１およびＸ^２がフッ素であり、Ｘ^３、Ｘ^４、Ｘ^５およびＸ^６が水素である請求項１２に記載の化合物。
15. 式（１−２）〜（１−１０）においてＸ^１およびＸ^３がフッ素であり、Ｘ^２、Ｘ^４、Ｘ^５およびＸ^６が水素である請求項１２に記載の化合物。
16. 式（１−２）〜（１−１０）においてＸ^１、Ｘ^２およびＸ^３がフッ素であり、Ｘ^４、Ｘ^５およびＸ^６が水素である請求項１２に記載の化合物。
17. 式（１−２）〜（１−１０）において、Ｗが−ＣＨ＝ＣＨ−である請求項１２に記載の化合物。
18. 請求項１〜１７のいずれか１項に記載の化合物を少なくとも１つ含有する液晶組成物。
19. 式（２）、（３）および（４）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項１８に記載の液晶組成物。
    

    

    
    式中、Ｒ^１は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
    Ｍ^１は独立して、フッ素、塩素、−ＯＣＦ₃、−ＯＣＨＦ₂、−ＣＦ₃、−ＣＨＦ₂、−ＣＨ₂Ｆ、−ＯＣＦ₂ＣＨＦ₂、または−ＯＣＦ₂ＣＨＦＣＦ₃であり；
    環Ｂ^１、環Ｂ^２および環Ｂ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；
    Ｚ⁴およびＺ⁵は独立して、−（ＣＨ₂）₂−、−（ＣＨ₂）₄−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または単結合であり；
    Ｌ³およびＬ⁴は独立して水素またはフッ素である。
20. 式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項１８に記載の液晶組成物。
    

    

    
    式中、Ｒ^２は炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０アルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
    Ｍ^２は−Ｃ≡Ｎまたは−Ｃ≡Ｃ−Ｃ≡Ｎであり；
    環Ｃ^１、環Ｃ^２および環Ｃ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，３−ジオキサン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；
    Ｚ⁶は−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＯＯ−、−ＣＦ₂Ｏ−、−ＯＣＦ₂−、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＨ_２Ｏ−または単結合であり；
    Ｌ⁵およびＬ⁶は独立して水素またはフッ素であり；
    ｑは０〜２の整数であり、ｒは０または１である。
21. 式（６）、（７）、（８）、（９）および（１０）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項１８に記載の液晶組成物。
    

    

    
    式中、Ｒ^３およびＲ^４は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、アルキルおよびアルケニルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
    環Ｄ^１および環Ｄ^２は独立して、１，４−シクロヘキシレン、１，４−フェニレン、１，４−シクロヘキセニレン、テトラヒドロピラン−２，５−ジイル、デカヒドロナフタレン−２，６−ジイル、または任意の水素がフッ素で置き換えられた１，４−フェニレンであり；
    Ｚ⁷およびＺ⁸は独立して、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＯＯ−、−ＣＨ_２Ｏ−、−ＯＣＨ_２−、−ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２−、−（ＣＨ_２）_２ＣＦ_２Ｏ−、−ＯＣＦ_２（ＣＨ_２）_２−、または単結合であり；
    Ｌ⁸およびＬ⁹は独立して、塩素またはフッ素である。
22. 式（１１）、（１２）および（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項１８に記載の液晶組成物。
    
    

    

    
    式中、Ｒ^５およびＲ^６は独立して、炭素数１〜１０のアルキルまたは炭素数２〜１０のアルケニルであり、そのうちのアルキルにおいて任意の水素はフッ素で置き換えられてもよく、任意の−ＣＨ₂−は−Ｏ−で置き換えられてもよく；
    環Ｅ^１、環Ｅ^２および環Ｅ^３は独立して、１，４−シクロヘキシレン、ピリミジン−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、または２，５−ジフルオロ−１，４−フェニレンであり；
    Ｚ⁹およびＺ¹⁰は独立して、−Ｃ≡Ｃ−、−ＣＯＯ−、−（ＣＨ₂）₂−、−ＣＨ＝ＣＨ−、または単結合であり、Ｚ¹¹は−ＣＯＯ−、または単結合である。
23. 請求項２０記載の式（５）で表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項１９に記載の液晶組成物。
24. 請求項２２記載の式（１１）、（１２）および（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項１９に記載の液晶組成物。
25. 請求項２２記載の式（１１）、（１２）および（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項２０に記載の液晶組成物。
26. 請求項２２記載の式（１１）、（１２）および（１３）のそれぞれで表される化合物の群から選択される少なくとも１つの化合物をさらに含有する、請求項２１に記載の液晶組成物。
27. 少なくとも１つの光学活性化合物をさらに含有する請求項１８〜２６のいずれか１項に記載の液晶組成物。
28. 少なくとも１つの酸化防止剤および／または紫外線吸収剤を含有する請求項１８〜２７のいずれか１項に記載の液晶組成物。
29. 請求項１８〜２８のいずれか１項に記載の液晶組成物を含有する液晶表示素子。