JPWO2007105357A1 - 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置 - Google Patents

半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2007105357A1
JPWO2007105357A1 JP2008504983A JP2008504983A JPWO2007105357A1 JP WO2007105357 A1 JPWO2007105357 A1 JP WO2007105357A1 JP 2008504983 A JP2008504983 A JP 2008504983A JP 2008504983 A JP2008504983 A JP 2008504983A JP WO2007105357 A1 JPWO2007105357 A1 JP WO2007105357A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
epoxy resin
general formula
group
resin composition
ratio
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2008504983A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5458573B2 (ja
Inventor
健 鵜川
健 鵜川
洋史 黒田
洋史 黒田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Sumitomo Bakelite Co Ltd filed Critical Sumitomo Bakelite Co Ltd
Priority to JP2008504983A priority Critical patent/JP5458573B2/ja
Publication of JPWO2007105357A1 publication Critical patent/JPWO2007105357A1/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5458573B2 publication Critical patent/JP5458573B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/24—Di-epoxy compounds carbocyclic
    • C08G59/245—Di-epoxy compounds carbocyclic aromatic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08L—COMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L63/00—Compositions of epoxy resins; Compositions of derivatives of epoxy resins
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/20—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the epoxy compounds used
    • C08G59/22—Di-epoxy compounds
    • C08G59/24—Di-epoxy compounds carbocyclic
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G59/00—Polycondensates containing more than one epoxy group per molecule; Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups
    • C08G59/18—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing
    • C08G59/68—Macromolecules obtained by polymerising compounds containing more than one epoxy group per molecule using curing agents or catalysts which react with the epoxy groups ; e.g. general methods of curing characterised by the catalysts used
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/29—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the material, e.g. carbon
    • H01L23/293—Organic, e.g. plastic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Epoxy Resins (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

（Ａ）一般式（１）で表されるエポキシ樹脂において、二核体（一般式（１）において、ｎ＝１である成分）の比率がＧＰＣ面積比で６０％以上、１００％以下であり、かつ二核体中のビス（フェニルメチル）部が２つのフェニルグリシジルエーテルにおけるグリシジルエーテル基の結合位置に対して、ともにパラ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し３５％以上、１００％以下であるエポキシ樹脂と、（Ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基をもつ硬化剤と、（Ｃ）無機充填剤と、（Ｄ）硬化促進剤と、を含み、かつハロゲン化合物及びアンチモン化合物を実質的に含まないことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。（ただし、下記一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一であっても異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは１〜５の整数。Ｇはグリシジル基。）（化１）

Description

本発明は、半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置に関するものである。
従来からダイオード、トランジスタ、集積回路等の電子部品は、主にエポキシ樹脂組成物を用いて封止されている。特に集積回路では、エポキシ樹脂、フェノール樹脂系硬化剤及び溶融シリカ、結晶シリカ等の無機充填剤を配合した耐熱性、耐湿性に優れたエポキシ樹脂組成物が用いられている。ところが近年、電子機器の小型化、軽量化、高性能化の市場動向において、半導体素子の高集積化が年々進み、また半導体装置の表面実装化が促進されるなかで、半導体素子の封止に用いられているエポキシ樹脂組成物への要求は多様化し、益々厳しいものとなってきている。特に半導体装置の表面実装化が一般的になってきている現状では、吸湿した半導体装置が半田リフロー処理時に高温にさらされる。更に、環境負荷物質の撤廃の一環として、鉛を含まない半田への代替が進められており、鉛フリー半田は従来の半田に比べ融点が高いため表面実装時のリフロー温度は、従来よりも２０℃程度高く、２６０℃が必要とされる。その為、半導体装置が従来以上に高い温度にさらされることになり、半導体素子やリードフレームとエポキシ樹脂組成物の硬化物との界面に剥離が発生したり、半導体装置にクラックを生じたりする等、半導体装置の信頼性を大きく損なう不良が生じ易くなっている。
一方、同じく環境への配慮から、従来半導体封止材に難燃剤として使用されてきた臭素含有有機化合物等のハロゲン系難燃剤、及び三酸化二アンチモン、四酸化二アンチモン等のアンチモン化合物の使用を制限する動きがあり、それらに代わる難燃化手法が求められている。半導体封止材の代替難燃化手法として、環境への害が少ない水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム等の金属水酸化物を使用する手法が提案されているが、これらは多量に配合しないと難燃効果が発現せず、しかも充分な難燃性が得られる程度に配合量を増やすとエポキシ樹脂組成物の成形時の流動性、硬化性及び硬化物の機械強度が低下し、前記の鉛フリー半田実装温度域における耐半田リフロー性を低下させるという問題があった。
これらの問題に対して、低吸水性、可撓性、難燃性を有するレジンを用いて耐半田リフロー性と耐燃性を両立させる方法が提案されている（例えば、特許文献１、２又は３参照。）が、近年従来以上に高い耐半田リフロー性が求められると同時に、半導体装置の薄型化、微細配線化もよりいっそう高度なものになってきていることから封止成形時の流動性の向上も求められており、これら全ての要求を満たすことは困難だった。
以上のような状況から、難燃性付与剤を使用することなく高い耐燃性を有し、かつ流動性を損なうことなく、鉛フリー半田にも対応可能な高い耐半田リフロー性を有する半導体封止用樹脂組成物の開発が望まれていた。
特開平１−２７５６１８号公報 特開平５−０９７９６５号公報 特開平５−０９７９６７号公報
本発明は、難燃性付与剤を使用することなく高い耐燃性を有し、かつ流動性を損なうことなく、鉛フリー半田にも対応可能な高い耐半田リフロー性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びその硬化物により半導体素子が封止されている信頼性の高い半導体装置を提供するものである。
本発明は、
［１］ （Ａ）下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂において、二核体（一般式（１）において、ｎ＝１である成分）の比率がＧＰＣ（Gel Permeation Chromatography）面積比で６０％以上、１００％以下であり、かつ二核体中のビス（フェニルメチル）部が２つのフェニルグリシジルエーテルにおけるグリシジルエーテル基の結合位置に対して、ともにパラ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し３５％以上、１００％以下であるエポキシ樹脂と、
（Ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基をもつ硬化剤と、
（Ｃ）無機充填剤と、
（Ｄ）硬化促進剤と、
を含み、かつハロゲン化合物及びアンチモン化合物を実質的に含まないことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
（化１）
Figure 2007105357
（ただし、上記一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一であっても異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは１〜５の整数。Ｇはグリシジル基。）
［２］ 前記（Ａ）成分が、１５０℃におけるＩＣＩ溶融粘度が０．０５ポイズ以上、０．５ポイズ以下であり、かつ軟化点が８０℃以上、１１０℃以下であるエポキシ樹脂であることを特徴とする第［１］項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［３］ 前記（Ａ）成分が、下記一般式（２）で表されるエポキシ樹脂において、二核体（一般式（２）において、ｎ＝１である成分）の比率がＧＰＣ面積比で６０％以上、１００％以下であり、かつ二核体中のビス（フェニルメチル）部が２つのフェニルグリシジルエーテルにおけるグリシジルエーテル基の結合位置に対して、ともにパラ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し３５％以上、１００％以下であるエポキシ樹脂であることを特徴とする第［１］項又は第［２］項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
（化２）
Figure 2007105357
（ただし、上記一般式（２）において、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一であっても異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは１〜５の整数。Ｇはグリシジル基。）
［４］ 前記（Ｄ）硬化促進剤がエポキシ樹脂の硬化反応を促進し得るカチオン部と、前記硬化反応を促進するカチオン部の触媒活性を抑制するシリケートアニオン部とを有する硬化促進剤（ｄ１）を含むことを特徴とする第［１］項ないし第［３］項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
［５］ 前記（ｄ１）成分が下記一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする第［４］項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
（化３）
Figure 2007105357
（ただし、上記一般式（３）において、Ａ１は窒素原子又は燐原子を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環又は複素環を有する有機基或いは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｘ１は、基Ｙ１及びＹ２と結合する有機基である。Ｘ２は、基Ｙ３及びＹ４と結合する有機基である。Ｙ１及びＹ２は、プロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、それらは互いに同一であっても異なっていてもよく、同一分子内の基Ｙ１及びＹ２が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ３及びＹ４は、プロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ３及びＹ４が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ１及びＸ２は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３及びＹ４は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は置換もしくは無置換の芳香環又は置換もしくは無置換の複素環を有する有機基或いは置換もしくは無置換の脂肪族基を表す。）
［６］ 前記（Ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基をもつ硬化剤が下記一般式（４）で表される化合物であることを特徴とする第［１］項ないし第［５］項のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物、
（化４）
Figure 2007105357
［７］ 第［１］項ないし第［６］項のいずれか１項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子及び／又は半導体集積回路が封止されている半導体装置、
である。
本発明は、難燃性付与剤を使用することなく高い耐燃性を有し、かつ流動性を損なうことなく、鉛フリー半田にも対応可能な高い耐半田リフロー性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及びその硬化物により半導体素子が封止されている信頼性の高い半導体装置が得られるものである。
上述した目的、およびその他の目的、特徴および利点は、以下に述べる好適な実施の形態、およびそれに付随する以下の図面によってさらに明らかになる。
本発明に係るエポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置の一例について、断面構造を示した図である。
本発明は、（Ａ）一般式（１）で表されるエポキシ樹脂において、二核体（一般式（１）において、ｎ＝１である成分）の比率がＧＰＣ面積比で６０％以上、１００％以下であり、かつ二核体中のビス（フェニルメチル）部が２つのフェニルグリシジルエーテルにおけるグリシジルエーテル基の結合位置に対して、ともにパラ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し３５％以上、１００％以下であるエポキシ樹脂と、（Ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基をもつ化合物と、（Ｃ）無機充填剤と、（Ｄ）硬化促進剤と、を含むことにより、難燃性付与剤を使用することなく高い耐燃性を有し、かつ流動性を損なうことなく、鉛フリー半田にも対応可能な高い耐半田リフロー性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物が得られるものである。
以下、本発明について詳細に説明する。
本発明で用いられる（Ａ）エポキシ樹脂は、下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂において、二核体（一般式（１）において、ｎ＝１である成分）の比率がＧＰＣ面積比で６０％以上、１００％以下であり、かつ二核体中のビス（フェニルメチル）部が２つのフェニルグリシジルエーテルにおけるグリシジルエーテル基の結合位置に対して、ともにパラ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し３５％以上、１００％以下であるエポキシ樹脂である。ここで、二核体中のビス（フェニルメチル）部が２つのフェニルグリシジルエーテルにおけるグリシジルエーテル基の結合位置に対して、ともにパラ位で配向しているものとは、下記一般式（５）で表される構造のものをいい、より具体的には、下記一般式（６）で表される構造のもの、下記式（７）で表される構造のもの等が挙げられる。
（化１）
Figure 2007105357
（ただし、上記一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一であっても異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは１〜５の整数。Ｇはグリシジル基。）
（化５）
Figure 2007105357
（ただし、上記一般式（５）において、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一であっても異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。Ｇはグリシジル基。）
（化６）
Figure 2007105357
（ただし、上記一般式（６）において、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一であっても異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。Ｇはグリシジル基。）
（化７）
Figure 2007105357
（ただし、上記式（７）において、Ｇはグリシジル基。）
前記一般式（１）で表されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂自体はすでに公知である。しかし、従来市販されているものは二核体含有率が低く（例えば、日本化薬（株）製、ＮＣ−３０００は、一般式（１）において置換基Ｒ１、Ｒ２を有しないものであり、二核体含有率はＧＰＣ面積比で約３０％。）、優れた流動性を得ることが困難であるばかりでなく、例えば耐半田リフロー性の向上のために無機充填剤を高充填化することが難しいため、優れた流動性と耐半田リフロー性とを両立させるには限界があった。この問題に対し従来のビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂より低粘度の結晶性エポキシ樹脂（例えば、ビフェニル型エポキシ樹脂であるジャパンエポキシレジン（株）製のＹＸ−４０００Ｋ等。）を併用した場合、耐燃性が悪化するという問題があった。また、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂の二核体比率を上げた場合、優れた耐燃性を保持しつつ高流動化することは可能だが、エポキシ樹脂の軟化点が下がるため室温付近で固形を維持できず、取扱い性が著しく悪化するという問題があり、二核体含有率は４５％程度が限界であった。
本発明で用いられる（Ａ）エポキシ樹脂は、一般式（１）で表されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂において、二核体をＧＰＣ面積比で６０％以上、１００％以下含むものであるが、二核体中のビス（フェニルメチル）部が２つのフェニルグリシジルエーテルにおけるグリシジルエーテル基の結合位置に対して、ともにパラ位で配向しているものの比率をＮＭＲ面積比で二核体全体に対し３５％以上、１００％以下としているため、結晶性が発現して良好な流動性を付与することができ、かつブロッキング等を起こさずに室温付近でも問題なく取り扱うことができる。また、（Ａ）エポキシ樹脂は、一般式（１）で表されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂において、二核体含有率をＧＰＣ面積比で６０％以上、１００％以下としているため、耐燃性を維持しつつ優れた流動性を得ることができ、かつ硬化物の可撓性が増すため耐半田リフロー性に対しても有利である。更に前述のように無機充填剤の高充填化が可能になり、また、流動性を低下させる傾向があったため従来多量に配合することが困難であったシランカップリング剤等の密着助剤の適用又は増量も可能になるなど、設計の自由度が飛躍的にひろがる。
本発明で用いられる（Ａ）エポキシ樹脂の製造方法については、特に限定するものではないが、例えば、ビス（メトキシメチル）ビフェニルの各異性体又はそれらの混合物とフェノール化合物とを反応させて得られるフェノールノボラック縮合体をエポキシ化する等の方法により得ることができる。また、一般式（１）で表されるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂において、二核体（式（１）において、ｎ＝１である成分）の比率をＧＰＣ面積比で６０％以上、１００％以下含むものとする方法、及び、二核体中のビス（フェニルメチル）部が２つのフェニルグリシジルエーテルにおけるグリシジルエーテル基の結合位置に対して、ともにパラ位で配向しているものの比率をＮＭＲ面積比で二核体全体に対し３５％以上、１００％以下含むものとする方法には、特に困難性はなく、原料、触媒及び反応条件を適宜選択すること等により得ることができる。
本発明で用いられる（Ａ）エポキシ樹脂は、１５０℃におけるＩＣＩ溶融粘度が０．０５ポイズ以上、０．５ポイズ以下が好ましく、より好ましくは０．０５ポイズ以上、０．３ポイズ以下であり、かつ軟化点が８０℃以上、１１０℃以下が好ましく、より好ましくは９０℃以上、１０５℃以下である。ＩＣＩ溶融粘度が上記範囲内であると、良好な流動性を付与することができる。また、軟化点が上記範囲内であると、ブロッキング等を起こさずに室温付近でも問題なく取り扱うことができる。
本発明で用いられる（Ａ）エポキシ樹脂としては、特に限定するものではないが、流動性と耐半田リフロー性の両立、及び量産性の観点から、下記一般式（２）で表されるエポキシ樹脂において、二核体（一般式（２）において、ｎ＝１である成分）の比率がＧＰＣ面積比で６０％以上、１００％以下であり、かつ二核体中のビス（フェニルメチル）部が２つのフェニルグリシジルエーテルにおけるグリシジルエーテル基の結合位置に対して、ともにパラ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し３５％以上、１００％以下であるエポキシ樹脂が好ましい。
（化２）
Figure 2007105357
（ただし、上記一般式（２）において、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一であっても異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは１〜５の整数。Ｇはグリシジル基。）
また本発明では、（Ａ）エポキシ樹脂を用いることによる特徴を損なわない範囲で、他のエポキシ樹脂と併用することができる。併用することができるエポキシ樹脂としては、１分子内にエポキシ基を２個以上有するモノマー、オリゴマー、ポリマー全般であり、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、例えば、フェノールノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラック型エポキシ樹脂、ナフトールノボラック型エポキシ樹脂、ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂、フェニレン骨格、ビフェニル骨格等を有するナフトールアラルキル型エポキシ樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール型エポキシ樹脂、スチルベン型エポキシ樹脂、トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、アルキル変性トリフェノールメタン型エポキシ樹脂、トリアジン核含有エポキシ樹脂等が挙げられ、これらは１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。他のエポキシ樹脂を併用する場合の配合量としては、全エポキシ樹脂に対して、（Ａ）エポキシ樹脂が、７０重量％以上、１００重量％以下であることが好ましい。（Ａ）エポキシ樹脂の配合量が上記範囲内であると、良好な流動性、耐燃性、耐半田リフロー性の全てを満足することが可能となる。
本発明で用いられる（Ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基をもつ硬化剤としては、その分子量、分子構造を特に限定するものではないが、具体例としては、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノール樹脂、テルペン変性フェノール樹脂、トリフェノールメタン型樹脂、フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有するフェノールアラルキル樹脂、硫黄原子含有型フェノール樹脂、ナフトールノボラック樹脂、フェニレン骨格、ビフェニレン骨格等を有するナフトールアラルキル樹脂等が挙げられ、中でも組成物の硬化後の低吸湿性や難燃性などの観点から、一般式（４）で表される化合物が好ましい。これらの硬化剤は１種類を単独で用いても２種類以上を併用してもよい。これらの硬化剤の各成分は、あらかじめ混合して混合硬化剤を調製してから使用しても良いし、エポキシ樹脂組成物の製造時に各種の成分を混合する際にエポキシ樹脂用硬化剤の各成分をそれぞれ別々に添加して同時に混合しても良い。使用される（Ｂ）硬化剤の使用量は、全エポキシ樹脂成分中のエポキシ基１モルに対して、全硬化剤中のフェノール性水酸基が０.５モル以上、２.０モル以下になる量が好ましく、より好ましくは０.８モル以上、１．２モル以下である。また硬化性の点から水酸基当量は９０ｇ／ｅｑ以上、２５０ｇ／ｅｑ以下が好ましい。
（化４）
Figure 2007105357
本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物には、（Ｃ）無機充填剤が配合される。その無機充填剤の種類としては、特に限定するものではないが、例えば、溶融シリカ、結晶性シリカ、ガラス粉、アルミナ、炭酸カルシウムなどが挙げられる。その形状としては、破砕型又は球状である。各種の無機充填剤は、１種類を単独で用いても２種以上併用してもよいが、それらの中では溶融シリカ又は結晶性シリカが好ましい。その使用量は、組成物全体の８５重量％以上、９５重量％以下であることが好ましい。（Ｃ）無機充填剤の使用量を上記範囲内にすることにより、良好な流動性、耐燃性、耐半田リフロー性を得ることができる。
更に十分な硬化物強度を得るために、無機充填剤として予めシランカップリング剤で表面処理した無機充填剤も使用することができる。処理に用いられるシランカップリング剤は、エポキシ基含有シランカップリング剤、アミノ基含有シランカップリング剤、ウレイド基含有シランカップリング剤、メルカプト基含有シランカップリング剤等、特に限定されず、エポキシ樹脂と無機充填剤の界面強度を向上させるものであればよい。これらのなかでも、アミノ基含有シランカップリング剤が好ましく、具体的には、γ−アミノプロピルトリエトキシシラン，Ｎ−フェニル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ，Ｎ−ジエチル−γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、γ−アミノプロピルメチルジエトキシシラン、ｐ−アミノフェニルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルトリメトキシシラン、Ｎ−β（アミノエチル）γ−アミノプロピルメチルジメトキシシラン等が例示できるが、これらに限定されるものではない。
本発明で用いられる（Ｄ）硬化促進剤は、エポキシ樹脂中のエポキシ基と硬化剤中のフェノール性水酸基との硬化反応を促進する化合物である。その具体例としては、有機ホスフィン化合物、ホスホニウム塩、イミダゾール化合物、第三級アミン化合物、ジアザビシクロ化合物等が挙げられる。特に好ましい硬化促進剤は、下記一般式（３）で表される化合物等のシリケート塩が挙げられ、前記の（Ａ）エポキシ樹脂と併用することにより、より高度な流動性、耐燃性、耐半田リフロー性を得ることができる。
（化３）
Figure 2007105357
（ただし、上記一般式（３）において、Ａ１は窒素原子又は燐原子を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環又は複素環を有する有機基或いは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｘ１は、基Ｙ１及びＹ２と結合する有機基である。Ｘ２は、基Ｙ３及びＹ４と結合する有機基である。Ｙ１及びＹ２は、プロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、それらは互いに同一であっても異なっていてもよく、同一分子内の基Ｙ１及びＹ２が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ３及びＹ４は、プロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ３及びＹ４が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ１及びＸ２は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３及びＹ４は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は置換もしくは無置換の芳香環又は置換もしくは無置換の複素環を有する有機基或いは置換もしくは無置換の脂肪族基を表す。）
次にシリケート塩について説明する。
前記シリケート塩は、エポキシ樹脂の硬化反応を促進し得るカチオン部と、該カチオン部の硬化反応を促進する触媒活性を抑制する効果のあるシリケートアニオン部とを有するものであり、エポキシ樹脂組成物の硬化反応温度域（１５０〜２００℃程度）よりも低温領域で前記シリケートアニオン部は解離することがなく、前記カチオン部による硬化反応の促進を抑制させることが可能となるものである。
また、前記シリケートアニオン部は極めて求核性が低く、前記シリケート塩は低温域では容易にエポキシ樹脂と硬化剤との硬化反応を開始、促進しないため、エポキシ樹脂組成部物の流動性や保存安定性に優れた特性を同時に付与することができる。
また、前記シリケートアニオン部は、硬化反応の途中で、例えば、加熱によりキレート結合を切断して解離し、シリケート部位は樹脂中に取り込まれて、カチオン部の硬化促進活性を抑制する機能を失い、遊離したカチオン部が硬化反応を促進するため、優れた流動性と硬化性を同時に付与することができる。従来技術である通常のオニウムボレート塩のように、オニウムカチオンとボレートアニオンの分子内塩又は分子外塩では、極めて低い求核性であるボレートアニオンが、硬化過程において存在し続け、硬化性はより低いものとなる。
前記シリケート塩の構造（形態）としては、アニオン部とカチオン部がイオン結合を形成した単純塩の他に、余剰なアニオン部又はカチオン部が配位することにより形成される錯体、錯塩や、分子化合物などの非共有性結合で形成された化合物なども、硬化性樹脂の硬化反応を促進し得るカチオン部と前記硬化反応を促進する触媒活性を抑制するアニオン部から構成されるものであれば、本発明に含まれる。
前記シリケート塩において、前記カチオン部としては、窒素原子、燐原子、硫黄原子、ヨウ素原子を含むものが挙げられ、触媒活性の点から、窒素カチオン又は燐カチオンを含むものが好ましい。これらのカチオン部としては、硬化性樹脂の硬化促進剤として用いられる、第三ホスフィン、ホスホニウム塩、第三アミン及びアンモニウム塩などを原料として用いることができるが、ホスホニウム塩、アンモニウム塩等のオニウム塩を用いることが好ましい。
次に上記一般式（３）で表される化合物について説明する。
前記一般式（３）で表される化合物において、原子Ａ１は燐原子又は窒素原子であり、原子Ａ１に結合する置換基Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環又は複素環を有する有機基或いは脂肪族基を示し、これらは、互いに同一でも異なっていてもよい。
これらの置換基Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６としては、例えば、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基、ベンジル基、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｎ−オクチル基及びシクロヘキシル基等が挙げられ、反応活性や安定性の点から、フェニル基、メチルフェニル基、メトキシフェニル基、ヒドロキシフェニル基がより好ましい。
また、前記一般式（３）で表される化合物において、式中Ｘ１は、基Ｙ１及びＹ２と結合する有機基である。同様に、式中Ｘ２は、基Ｙ３及びＹ４と結合する有機基である。基Ｙ１及びＹ２はプロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、それらは互いに同一であっても異なっていてもよく、同一分子内の基Ｙ１及びＹ２が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。同様に基Ｙ３及びＹ４はプロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ３及びＹ４が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。有機基Ｘ１及びＸ２は互いに同一でも異なっていてもよく、基Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３及びＹ４は互いに同一であっても異なっていてもよい。
このような一般式（３）で表される化合物中の−Ｙ１−Ｘ１−Ｙ２−及び−Ｙ３−Ｘ２−Ｙ４−で表される基は、２価以上のプロトン供与体が、プロトンを２個放出してなる基で構成されるものであり、２価以上のプロトン供与体としては、例えば、カテコール、ピロガロール、１，２−ジヒドロキシナフタレン、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，２'−ビフェノール、２，２'−ビナフトール、サリチル酸、１−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、３−ヒドロキシ−２−ナフトエ酸、クロラニル酸、タンニン酸、２−ヒドロキシベンジルアルコール、１，２−シクロヘキサンジオール、１，２−プロパンジオール及びグリセリン等を挙げられるが、これらの中でも、カテコール、２，３−ジヒドロキシナフタレン、２，２'−ビフェノール及び３−ヒドロキシー２−ナフトエ酸が、保存安定性や耐湿信頼性の面から、より好ましい。
また、一般式（３）で表される化合物中のＺ１は、置換もしくは無置換の芳香環又は置換もしくは無置換の複素環を有する有機基或いは置換もしくは無置換の脂肪族基を表し、これらの具体的な例としては、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ヘキシル基、オクチル基等の脂肪族炭化水素基や、フェニル基、ベンジル基、ナフチル基及びビフェニル基等の芳香族炭化水素基、グリシジルオキシプロピル基、メルカプトプロピル基、アミノプロピル基、ビニル基等の反応性置換基が挙げられるが、これらの中でも、メチル基、フェニル基、ナフチル基及びビフェニル基が熱安定性の面から、より好ましい。
前記シリケート塩は、従来の硬化促進剤と比較し、硬化促進剤としての特性、特に硬化性及び流動性が極めて優れるものであり、前述の二核体含有率を上げたビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂と併用することにより、より高度な組成物の設計を可能にする。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分を主成分とするが、必要に応じてカルナバワックス等の天然ワックス、ポリエチレンワックス等の合成ワックス、ステアリン酸やステアリン酸亜鉛等の高級脂肪酸及びその金属塩類若しくはパラフィン等の離型剤；カーボンブラック、ベンガラ等の着色剤；ハイドロタルサイト類やマグネシウム、アルミニウム、ビスマス、チタン、ジルコニウムから選ばれる元素の含水酸化物等のイオントラップ剤；シリコーンオイル、ゴム等の低応力添加剤；チアゾリン、ジアゾール、トリアゾール、トリアジン、ピリミジン等の密着付与剤；臭素化エポキシ樹脂や三酸化アンチモン、水酸化アルミニウム、水酸化マグネシウム、ほう酸亜鉛、モリブデン酸亜鉛、フォスファゼン等の難燃剤等の添加剤を適宜配合しても差し支えない。
本発明のエポキシ樹脂組成物は、（Ａ）〜（Ｄ）成分及びその他の添加剤等をミキサー等により室温で均一に混合したもの、さらにその後、加熱ロール、ニーダー、押出機等の混練機で溶融混練し、冷却後粉砕したものなど、必要に応じて適宜分散度や流動性等を調整したものを用いることができる。
本発明のエポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子を封止し、半導体装置を製造するには、前記エポキシ樹脂組成物を用いて、トランスファーモールド、コンプレッションモールド、インジェクションモールド等の成形方法で封止成形すればよい。
封止を行う半導体チップとしては、例えば、集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード、固体撮像素子等で特に限定されるものではなく、半導体装置の形態も特に限定されない。低圧トランスファー成形などの方法で封止された半導体装置は、そのまま、或いは８０〜２００℃の温度で１５秒〜１０時間かけて完全硬化させた後、電子機器等に搭載される。
本発明の半導体装置の形態としては、特に限定されないが、例えば、デュアル・インライン・パッケージ（ＤＩＰ）、プラスチック・リード付きチップ・キャリヤ（ＰＬＣＣ）、クワッド・フラット・パッケージ（ＱＦＰ）、スモール・アウトライン・パッケージ（ＳＯＰ）、スモール・アウトライン・Ｊリード・パッケージ（ＳＯＪ）、薄型スモール・アウトライン・パッケージ（ＴＳＯＰ）、薄型クワッド・フラット・パッケージ（ＴＱＦＰ）、テープ・キャリア・パッケージ（ＴＣＰ）、ボール・グリッド・アレイ（ＢＧＡ）、チップ・サイズ・パッケージ（ＣＳＰ）等が挙げられる。
図１は、本発明に係るエポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置の一例について、断面構造を示した図である。ダイパッド３上に、ダイボンド材硬化体２を介して半導体素子１が固定されている。半導体素子１の電極パッドとリードフレーム５との間は金線４によって接続されている。半導体素子１は、封止用樹脂組成物の硬化体６によって封止されている。
以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこれらに限定されるものではない。配合割合は重量部とする。
ここで一例として、硬化促進剤１の合成方法について示すが、これにより本発明が限定されるものではない。
［硬化促進剤１の合成方法］
メタノール１８００ｇを入れたフラスコに、フェニルトリメトキシシラン２４９．５ｇ、２，３−ジヒドロキシナフタレン３８４．０ｇを加えて溶かし、次に室温攪拌下２８％ナトリウムメトキシド−メタノール溶液２３１．５ｇを滴下した。さらにそこへ予め用意したテトラフェニルホスホニウムブロマイド５０３．０ｇをメタノール６００ｇに溶かした溶液を室温攪拌下滴下すると結晶が析出した。析出した結晶を濾過、水洗、真空乾燥し、桃白色結晶の硬化促進剤１を得た。
実施例１
・エポキシ樹脂１：下記式（８）で表されるエポキシ樹脂において、二核体（ｎ＝１）の比率がＧＰＣ面積比で７０％、かつ二核体中のビス（フェニルメチル）部が２つのフェニルグリシジルエーテルにおけるグリシジルエーテル基の結合位置に対して、ともにパラ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し４０％、ともにオルソ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し１５％、一方がパラ位で配向し、他方がオルソ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し４５％であるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（１５０℃におけるＩＣＩ溶融粘度０．２ポイズ、軟化点９５℃、エポキシ当量２５９）：６．７０重量部
（化８）
Figure 2007105357
・硬化剤１：ビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型樹脂（明和化成（株）製、商品名ＭＥＨ−７８５１ＳＳ、軟化点１０７℃、水酸基当量２０４）：４．８０重量部
・溶融球状シリカ１：（平均粒径２２μｍ、比表面積３．０ｍ２／ｇ）：７２．００重量部
・溶融球状シリカ２：（平均粒径０．５μｍ、比表面積６．０ｍ２／ｇ）：１５．００重量部
・硬化促進剤１：下記式（９）で表される硬化促進剤：０．５０重量部
（化９）
Figure 2007105357
・シランカップリング剤：γ−メルカプトプロピルトリメトキシシラン：０．３０重量部
・カルナバワックス：０．３０重量部
・カーボンブラック：０．４０重量部
をミキサーを用いて混合した後、表面温度が９５℃と２５℃の２本ロールを用いて混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹脂組成物を得た。混練前のエポキシ樹脂、及び上記方法により得られたエポキシ樹脂組成物の特性を以下の方法で評価した。結果を表１に示す。
評価方法
エポキシ樹脂の取扱い性：粉砕後のエポキシ樹脂パウダーを２５℃で２４時間放置し、ブロッキングしているものは×、そうでないものは○とした。ブロッキングが見られるエポキシ樹脂は、生産性を落とすばかりでなく、不均一分散による特性ばらつきを生じるため、工業化できない。
スパイラルフロー：低圧トランスファー成形機（コータキ精機株式会社製、ＫＴＳ−１５）を用いて、ＥＭＭＩ−１−６６に準じたスパイラルフロー測定用の金型に、金型温度１７５℃、注入圧力６．９ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で、上記エポキシ樹脂組成物を注入し、流動長を測定した。単位はｃｍ。
ショアＤ硬度：低圧トランスファー成形機（藤和精機株式会社製、ＴＥＰ−５０−３０）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間１２０秒の条件で、試験片（２０ｍｍ×６ｍｍ×４ｍｍ厚）を上記エポキシ樹脂組成物で成形し、型開き１０秒後に測定したショアＤ硬度の値を硬化性とした。ショアＤ硬度は硬化性の指標であり、数値が８０以上であると成形不良を防止することができる。
金線流れ率：低圧トランスファー成形機（株式会社サイネックス社製、ＹＫＣ）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件で、２０８ピンＱＦＰ（銅フレーム：２８ｍｍ×２８ｍｍ×３．２ｍｍ厚、パッドサイズ：１１ｍｍ×１１ｍｍ、チップサイズ７ｍｍ×７ｍｍ×０．３５ｍｍ厚）を上記エポキシ樹脂組成物で封止成形し、１７５℃、２時間で後硬化した。室温まで冷却後、軟Ｘ線透視装置で観察し、金線の流れ率を（流れ量）／（金線長）の比率で表し、この値が最も大きくなる金線部の値を記した。単位は％。この値が５％を超えると、隣接する金線同士が接触する可能性が高い。
耐燃性：低圧トランスファー成形機（コータキ精機株式会社製、ＫＴＳ−３０）を用いて、成形温度１７５℃、注入圧力９．８Ｍｐａ、硬化時間１２０秒の条件で、試験片（１２７ｍｍ×１２．７ｍｍ、３．２ｍｍ厚及び１．６ｍｍ厚）を上記エポキシ樹脂組成物で成形し、アフターベークとして１７５℃、８時間処理した後、ＵＬ−９４垂直法に準じてΣＦ、Ｆｍａｘを測定し、耐燃性を判定した。
耐半田リフロー性：低圧トランスファー自動成形機（第一精工株式会社製、ＧＰ−ＥＬＦ）を用いて、金型温度１７５℃、注入圧力９．８ＭＰａ、硬化時間９０秒の条件で、１７６ｐＬＱＦＰ（銅フレーム：２４ｍｍ×２４ｍｍ×１．４ｍｍ厚、パッドサイズ：９．５ｍｍ×９．５ｍｍ、チップサイズ：７ｍｍ×７ｍｍ×０．３５ｍｍ厚）を上記エポキシ樹脂組成物で封止成形した後、１７５℃、４時間、後硬化し、各１６個のサンプルを８５℃、相対湿度８５％の環境下で１６８時間処理し、その後ＩＲリフロー（２６０℃）で１０秒間処理した。超音波探傷装置を用いて観察し、内部クラック及び各種界面剥離の有無を調べた。内部クラック又は各種界面の剥離が１つでも見つかったものは不良とし、不良パッケージの個数がｎ個であるとき、ｎ／１６と表示した。
実施例２〜１１、比較例１〜８
表１、２の配合に従い、実施例１と同様にしてエポキシ樹脂組成物を得て、実施例１と同様にして評価した。結果を表１、２に示す。
実施例１以外で用いた原材料を以下に示す。
・エポキシ樹脂２：下記式（８）で表されるエポキシ樹脂において、二核体（ｎ＝１）の比率がＧＰＣ面積比で８５％であり、かつ二核体中のビス（フェニルメチル）部が２つのフェニルグリシジルエーテルにおけるグリシジルエーテル基の結合位置に対して、ともにパラ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し５０％、ともにオルソ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し５％、一方がパラ位で配向し、他方がオルソ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し４５％であるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（１５０℃におけるＩＣＩ溶融粘度０．１ポイズ、軟化点９８℃、エポキシ当量２５０）
・エポキシ樹脂３：下記式（８）で表されるエポキシ樹脂において、二核体（ｎ＝１）の比率がＧＰＣ面積比で３０％であり、かつ二核体中のビス（フェニルメチル）部が２つのフェニルグリシジルエーテルにおけるグリシジルエーテル基の結合位置に対して、ともにパラ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し２５％、ともにオルソ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し３０％、一方がパラ位で配向し、他方がオルソ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し４５％であるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（日本化薬（株）製、ＮＣ３０００、１５０℃におけるＩＣＩ溶融粘度１．１ポイズ、軟化点５８℃、エポキシ当量２７４）
（化８）
Figure 2007105357
・エポキシ樹脂４：下記式（１０）で表されるエポキシ樹脂（軟化点５３℃、エポキシ当量２３６）
（化１０）
Figure 2007105357
・エポキシ樹脂５：ビスフェノールＡ型結晶性エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、ＹＬ６８１０、エポキシ当量１７１、融点４５℃）
・エポキシ樹脂６：ビフェニル型結晶性エポキシ樹脂（ジャパンエポキシレジン（株）製、ＹＸ−４０００Ｋ、エポキシ当量１８５、融点１０５℃）
・エポキシ樹脂７：下記式（８）で表されるエポキシ樹脂において、二核体（ｎ＝１）の比率がＧＰＣ面積比で７０％であり、かつ二核体中のビス（フェニルメチル）部が２つのフェニルグリシジルエーテルにおけるグリシジルエーテル基の結合位置に対して、ともにパラ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し２５％、ともにオルソ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し３０％、一方がパラ位で配向し、他方がオルソ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し４５％であるビフェニレン骨格を有するフェノールアラルキル型エポキシ樹脂（１５０℃におけるＩＣＩ溶融粘度０．２ポイズ、軟化点８１℃、エポキシ当量２５５）
（化８）
Figure 2007105357
・硬化剤２：パラキシレン変性ノボラック型フェノール樹脂（三井化学（株）製、ＸＬＣ−４Ｌ、水酸基当量１６８、軟化点６２℃）
・硬化剤３：フェニレン骨格を有するβ−ナフトール・アラルキル樹脂（東都化成（株）製、ＳＮ−１６０Ｌ、水酸基当量１７８、軟化点６２℃）
・硬化促進剤２：下記式（１１）で表される硬化促進剤
（化１１）
Figure 2007105357
・硬化促進剤３：下記式（１２）で表される硬化促進剤
（化１２）
Figure 2007105357
・硬化促進剤４：下記式（１３）で表される硬化促進剤（式（１３）において、ｍ＝１）
（化１３）
Figure 2007105357
硬化促進剤５：下記式（１４）で表される硬化促進剤
（化１４）
Figure 2007105357
Figure 2007105357
Figure 2007105357
実施例１〜１１は、（Ａ）一般式（１）で表されるエポキシ樹脂において、二核体（一般式（１）において、ｎ＝１である成分）の比率がＧＰＣ面積比で６０％以上、１００％以下であり、かつ二核体中のビス（フェニルメチル）部が２つのフェニルグリシジルエーテルにおけるグリシジルエーテル基の結合位置に対して、ともにパラ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し３５％以上、１００％以下であるエポキシ樹脂を含むものであり、上記（Ａ）のエポキシ樹脂の種類と配合割合、並びに、（Ｂ）硬化剤の種類、（Ｃ）無機充填剤の配合割合及び（Ｄ）硬化促進剤の種類等を変えたものを含むものであるが、いずれにおいても、良好な流動性（スパイラルフロー）、金線流れ率、耐燃性及び耐半田リフロー性が得られた。また、（Ｄ）硬化促進剤として、一般式（３）で表される化合物又は式（１３）で表される硬化促進剤を用いた実施例１〜１０は、硬化性（ショア硬度Ｄ）も良好であった。
一方、本発明の（Ａ）のエポキシ樹脂の代わりに、一般式（１）で表されるエポキシ樹脂ではあるものの、二核体（一般式（１）において、ｎ＝１である成分）の比率がＧＰＣ面積比で６０％未満であり、かつ二核体中のビス（フェニルメチル）部が２つのフェニルグリシジルエーテルにおけるグリシジルエーテル基の結合位置に対して、ともにパラ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し３５％未満であるエポキシ樹脂３を用いた比較例１〜３は、いずれも、それぞれの対応する実施例と比較して（比較例１と実施例１、比較例２と実施例２、比較例３と実施例３）、流動性、金線流れ率及び耐半田リフロー性が劣る結果となった。また、更に、硬化促進剤として硬化促進剤５を用いた比較例４では、低弾性率化効果により耐半田リフロー性は良好となったものの、流動性、金線流れ率が著しく劣る結果となった。また、エポキシ樹脂として、エポキシ樹脂５（ビスフェノールＡ型エポキシ樹脂）やエポキシ樹脂６（ビフェニル型エポキシ樹脂）等の結晶性エポキシ樹脂を併用した比較例５，６では、流動性、金線流れ率は良好となったものの、耐半田リフロー性が著しく劣り、耐燃性も劣る結果となった。更に、（Ｃ）無機充填剤の配合割合を２％増加させた比較例７でも、依然として耐半田リフロー性で劣る結果となっており、耐燃性についても不充分な結果となった。また、本発明の（Ａ）のエポキシ樹脂の代わりに、一般式（１）で表されるエポキシ樹脂であり、二核体（一般式（１）において、ｎ＝１である成分）の比率がＧＰＣ面積比で６０％以上（７０％）ではあるものの、二核体中のビス（フェニルメチル）部が２つのフェニルグリシジルエーテルにおけるグリシジルエーテル基の結合位置に対して、ともにパラ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し３５％未満（２０％）であるエポキシ樹脂７は、粉砕時において、粉砕機内にて溶着が発生し、更に粉砕後の粉末は直ぐにブロッキングを起こしてしまう等、極めて取扱い性が劣ったため、エポキシ樹脂組成物とすることができなかった。
以上のとおり、一般式（１）で表されるエポキシ樹脂ではあっても、二核体の比率、及び二核体中における特定位置へ配向する成分の比率が本発明に規定する数値範囲を満たさないエポキシ樹脂を用いた場合は、硬化促進剤の種類を変更したり、他のエポキシ樹脂と併用したりする等を駆使しても、流動性、金線流れ率、耐燃性及び耐半田リフロー性を同時に満足できるものとすることは困難であり、本発明の（Ａ）一般式（１）で表されるエポキシ樹脂において、二核体（一般式（１）において、ｎ＝１である成分）の比率がＧＰＣ面積比で６０％以上、１００％以下であり、かつ二核体中のビス（フェニルメチル）部が２つのフェニルグリシジルエーテルにおけるグリシジルエーテル基の結合位置に対して、ともにパラ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し３５％以上、１００％以下であるエポキシ樹脂を用いることの有効性が明らかとなった。

Claims (7)

  1. （Ａ）下記一般式（１）で表されるエポキシ樹脂において、二核体（一般式（１）において、ｎ＝１である成分）の比率がＧＰＣ面積比で６０％以上、１００％以下であり、かつ二核体中のビス（フェニルメチル）部が２つのフェニルグリシジルエーテルにおけるグリシジルエーテル基の結合位置に対して、ともにパラ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し３５％以上、１００％以下であるエポキシ樹脂と、
    （Ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基をもつ硬化剤と、
    （Ｃ）無機充填剤と、
    （Ｄ）硬化促進剤と、
    を含み、かつハロゲン化合物及びアンチモン化合物を実質的に含まないことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
    （化１）
    Figure 2007105357
    （ただし、上記一般式（１）において、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一であっても異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは１〜５の整数。Ｇはグリシジル基。）
  2. 前記（Ａ）成分が、１５０℃におけるＩＣＩ溶融粘度が０．０５ポイズ以上、０．５ポイズ以下であり、かつ軟化点が８０℃以上、１１０℃以下であるエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  3. 前記（Ａ）成分が、下記一般式（２）で表されるエポキシ樹脂において、二核体（一般式（２）において、ｎ＝１である成分）の比率がＧＰＣ面積比で６０％以上、１００％以下であり、かつ二核体中のビス（フェニルメチル）部が２つのフェニルグリシジルエーテルにおけるグリシジルエーテル基の結合位置に対して、ともにパラ位で配向しているものの比率がＮＭＲ面積比で二核体全体に対し３５％以上、１００％以下であるエポキシ樹脂であることを特徴とする請求項１又は請求項２に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
    （化２）
    Figure 2007105357
    （ただし、上記一般式（２）において、Ｒ１、Ｒ２は炭素数１〜４のアルキル基で、互いに同一であっても異なっていてもよい。ａは０〜３の整数、ｂは０〜４の整数。ｎは１〜５の整数。Ｇはグリシジル基。）
  4. 前記（Ｄ）硬化促進剤がエポキシ樹脂の硬化反応を促進し得るカチオン部と、前記硬化反応を促進するカチオン部の触媒活性を抑制するシリケートアニオン部とを有する硬化促進剤（ｄ１）を含むことを特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
  5. 前記（ｄ１）成分が下記一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする請求項４に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
    （化３）
    Figure 2007105357
    （ただし、上記一般式（３）において、Ａ１は窒素原子又は燐原子を表す。Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５及びＲ６は、それぞれ、置換もしくは無置換の芳香環又は複素環を有する有機基或いは脂肪族基を表し、互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｘ１は、基Ｙ１及びＹ２と結合する有機基である。Ｘ２は、基Ｙ３及びＹ４と結合する有機基である。Ｙ１及びＹ２は、プロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、それらは互いに同一であっても異なっていてもよく、同一分子内の基Ｙ１及びＹ２が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｙ３及びＹ４は、プロトン供与性置換基がプロトンを放出してなる基であり、同一分子内の基Ｙ３及びＹ４が珪素原子と結合してキレート構造を形成するものである。Ｘ１及びＸ２は互いに同一であっても異なっていてもよく、Ｙ１、Ｙ２、Ｙ３及びＹ４は互いに同一であっても異なっていてもよい。Ｚ１は置換もしくは無置換の芳香環又は置換もしくは無置換の複素環を有する有機基或いは置換もしくは無置換の脂肪族基を表す。）
  6. 前記（Ｂ）１分子中に２個以上のフェノール性水酸基をもつ硬化剤が下記一般式（４）で表される化合物であることを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
    （化４）
    Figure 2007105357
  7. 請求項１ないし請求項６のいずれか１項に記載の半導体封止用エポキシ樹脂組成物の硬化物により半導体素子及び／又は半導体集積回路が封止されている半導体装置。
JP2008504983A 2006-03-07 2007-03-01 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置 Active JP5458573B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008504983A JP5458573B2 (ja) 2006-03-07 2007-03-01 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置

Applications Claiming Priority (6)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006061934 2006-03-07
JP2006061934 2006-03-07
JP2006345051 2006-12-21
JP2006345051 2006-12-21
JP2008504983A JP5458573B2 (ja) 2006-03-07 2007-03-01 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置
PCT/JP2007/000151 WO2007105357A1 (ja) 2006-03-07 2007-03-01 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPWO2007105357A1 true JPWO2007105357A1 (ja) 2009-07-30
JP5458573B2 JP5458573B2 (ja) 2014-04-02

Family

ID=38479794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008504983A Active JP5458573B2 (ja) 2006-03-07 2007-03-01 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置

Country Status (7)

Country Link
US (1) US7671146B2 (ja)
JP (1) JP5458573B2 (ja)
KR (1) KR101076077B1 (ja)
CN (2) CN101384638B (ja)
MY (1) MY144739A (ja)
TW (1) TWI403529B (ja)
WO (1) WO2007105357A1 (ja)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG109590A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-30 Sumitomo Bakelite Co Latent catalyst for epoxy resin, epoxy resin composition, and semiconductor device
JP5142180B2 (ja) * 2006-05-17 2013-02-13 日本化薬株式会社 エポキシ樹脂組成物、およびその硬化物
JP5233710B2 (ja) * 2008-02-12 2013-07-10 三菱瓦斯化学株式会社 樹脂組成物、プリプレグおよび金属箔張り積層板
KR101526645B1 (ko) * 2008-12-25 2015-06-05 스미토모 베이클리트 컴퍼니 리미티드 수지 조성물, 프리프레그, 수지 시트, 금속 부착 적층판, 프린트 배선판, 다층 프린트 배선판 및 반도체 장치
WO2011052157A1 (ja) * 2009-10-26 2011-05-05 住友ベークライト株式会社 半導体封止用樹脂組成物およびこれを用いた半導体装置
CN103180385B (zh) * 2010-10-29 2015-11-25 爱沃特株式会社 树脂组合物、使用该树脂组合物的预浸料及层叠板
CN102558769B (zh) * 2010-12-31 2015-11-25 第一毛织株式会社 用于封装半导体器件的环氧树脂组合物以及由该环氧树脂组合物封装的半导体器件
WO2013080654A1 (ja) * 2011-11-29 2013-06-06 住友ベークライト株式会社 固定用樹脂組成物、ロータ、自動車、及びロータの製造方法
KR101464700B1 (ko) * 2013-03-19 2014-11-27 주식회사 유니플러스 반도체용 에폭시 수지조성물
JP7283984B2 (ja) * 2019-06-10 2023-05-30 サンアプロ株式会社 エポキシ樹脂硬化促進剤およびエポキシ樹脂組成物

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL130773C (ja) * 1964-04-09
US3560394A (en) * 1964-04-09 1971-02-02 Dow Corning Extracoordinate silicon complexes containing a cyclic anhydride of a polycarboxylic organic acid
BE754961A (fr) * 1969-08-19 1971-02-18 Dow Corning Complexes de silicium pentacoordine d'acides alpha hydroxycarboxylique
JPH01275618A (ja) 1988-04-27 1989-11-06 Mitsui Toatsu Chem Inc エポキシ樹脂組成物
JPH0597965A (ja) 1991-10-04 1993-04-20 Mitsui Toatsu Chem Inc エポキシ樹脂組成物
JPH0597967A (ja) 1991-10-09 1993-04-20 Mitsui Toatsu Chem Inc エポキシ樹脂組成物
JP3122834B2 (ja) 1994-09-20 2001-01-09 明和化成株式会社 新規フェノールノボラック縮合体
JP3650637B2 (ja) 1994-10-26 2005-05-25 ジャパンエポキシレジン株式会社 エポキシ樹脂組成物
JPH11140144A (ja) 1997-11-04 1999-05-25 Nippon Kayaku Co Ltd 樹脂組成物及びその硬化物
JP3759672B2 (ja) 1997-12-05 2006-03-29 日本化薬株式会社 樹脂組成物及びその硬化物
JP4544496B2 (ja) * 2000-12-14 2010-09-15 日本化薬株式会社 エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
JP2002338656A (ja) 2001-05-22 2002-11-27 Nippon Kayaku Co Ltd 結晶性エポキシ樹脂、エポキシ樹脂組成物及びその硬化物
JP2003171444A (ja) * 2001-06-05 2003-06-20 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2003213084A (ja) * 2002-01-28 2003-07-30 Sumitomo Bakelite Co Ltd エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4265187B2 (ja) * 2002-09-20 2009-05-20 日立化成工業株式会社 封止用エポキシ樹脂成形材料及び素子を備えた電子部品装置
US7157313B2 (en) * 2003-01-17 2007-01-02 Sumitomo Bakelite Co., Ltd. Epoxy resin composition and semiconductor device using thereof
SG109590A1 (en) * 2003-08-29 2005-03-30 Sumitomo Bakelite Co Latent catalyst for epoxy resin, epoxy resin composition, and semiconductor device
JP4892984B2 (ja) * 2005-01-26 2012-03-07 日立化成工業株式会社 硬化性樹脂組成物及び電子部品装置
JP4720357B2 (ja) * 2005-03-28 2011-07-13 住友ベークライト株式会社 潜伏性触媒の製造方法およびエポキシ樹脂組成物

Also Published As

Publication number Publication date
KR101076077B1 (ko) 2011-10-21
CN102516499B (zh) 2014-07-16
US7671146B2 (en) 2010-03-02
US20070213477A1 (en) 2007-09-13
TWI403529B (zh) 2013-08-01
MY144739A (en) 2011-10-31
WO2007105357A1 (ja) 2007-09-20
CN101384638B (zh) 2012-05-30
KR20080098366A (ko) 2008-11-07
TW200740870A (en) 2007-11-01
CN102516499A (zh) 2012-06-27
CN101384638A (zh) 2009-03-11
JP5458573B2 (ja) 2014-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5458573B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物、及び半導体装置
JP6315368B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2009144107A (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2007002206A (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP6315367B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2006206846A (ja) 半導体封止用樹脂組成物及び半導体装置
JP5070692B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2008031326A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4952283B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2012251048A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2003105059A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2005272739A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2007009166A (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物及び電子部品装置
JP2013234305A (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2005281584A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4687195B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2006104393A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2009173812A (ja) 封止用エポキシ樹脂組成物および半導体装置
JP2006111672A (ja) 半導体封止用樹脂組成物および半導体装置
JP2007045916A (ja) 封止用樹脂組成物および樹脂封止型半導体装置
JP4930145B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4432562B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP4321234B2 (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP5423402B2 (ja) 半導体封止用エポキシ樹脂組成物及び半導体装置
JP2004067774A (ja) エポキシ樹脂組成物及び半導体装置

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20091204

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20121218

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20131015

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20131125

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20131217

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20131230

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Ref document number: 5458573

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150