JPWO2006106764A1 - 伝送線路 - Google Patents
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Abstract
Description
上記第1の回転方向と逆方向である第2の回転方向に湾曲するように形成され、上記面において上記第1の信号導体と電気的に直列に接続して配置された第2の信号導体とを備え、
少なくとも上記第1の信号導体の一部及び上記第2の信号導体の一部を含んで、伝送線路全体における信号の伝送方向に対して反転された方向に信号が伝送される伝送方向反転部が構成された一本の伝送線路を提供する。
本発明の一の実施形態にかかる伝送線路2の模式平面図を図1に示す。図1に示すように、伝送線路2は、誘電体基板1の表面に形成された1本の信号導体3と、誘電体基板1の裏面に形成された接地導体層5とを備えている。また、信号導体3は、後述する回転方向反転構造7という大略螺旋形状の回転構造を有する信号導体部分を備えている。まず、このような伝送線路2が有する回転方向反転構造7の詳細な構造の説明、並びに当該構造により得られる不要輻射抑制の原理について、具体的に説明する。
上記第1の回転方向と逆方向である第2の回転方向に湾曲するように形成され、上記面において上記第1の信号導体と電気的に直列に接続して配置された第2の信号導体とを備え、
少なくとも上記第1の信号導体の一部及び上記第2の信号導体の一部を含んで、伝送線路全体における信号の伝送方向に対して反転された方向に信号が伝送される伝送方向反転部が構成された一本の伝送線路を提供する。
本発明の一の実施形態にかかる伝送線路2の模式平面図を図1に示す。図1に示すように、伝送線路2は、誘電体基板1の表面に形成された1本の信号導体3と、誘電体基板1の裏面に形成された接地導体層5とを備えている。また、信号導体3は、後述する回転方向反転構造7という大略螺旋形状の回転構造を有する信号導体部分を備えている。まず、このような伝送線路2が有する回転方向反転構造7の詳細な構造の説明、並びに当該構造により得られる不要輻射抑制の原理について、具体的に説明する。
次に、本実施形態の伝送線路についてのいくつかの実施例について以下に説明する。
上記第1の回転方向と逆方向である第2の回転方向に湾曲するように形成され、上記面において上記第1の信号導体と電気的に直列に接続して配置された第2の信号導体とを備え、
少なくとも上記第1の信号導体の一部及び上記第2の信号導体の一部を含んで、伝送線路全体における信号の伝送方向に対して反転された方向に信号が伝送される伝送方向反転部を含んで構成された回転方向反転構造が、上記信号の伝送方向に対して複数直列に接続されて構成された一本の伝送線路を提供する。
Claims (15)
- 誘電体又は半導体により形成された基板の一方の面に配置され、当該面内における第1の回転方向に湾曲するように形成された第1の信号導体と、
上記第1の回転方向と逆方向である第2の回転方向に湾曲するように形成され、上記面において上記第1の信号導体と電気的に直列に接続して配置された第2の信号導体とを備え、
少なくとも上記第1の信号導体の一部及び上記第2の信号導体の一部を含んで、伝送線路全体における信号の伝送方向に対して反転された方向に信号が伝送される伝送方向反転部が構成された一本の伝送線路。 - 上記第1の信号導体と上記第2の信号導体における上記それぞれの湾曲の形状が円弧形状である請求項1に記載の伝送線路。
- 上記第1の信号導体と上記第2の信号導体との接続部の中心に対して、当該第1の信号導体と当該第2の信号導体とが点対称に配置される請求項1に記載の伝送線路。
- 上記第1の信号導体及び上記第2の信号導体のそれぞれは、180度以上の回転角度を有する上記湾曲形状を備える請求項1に記載の伝送線路。
- 上記伝送方向反転部は、上記伝送線路全体における信号の伝送方向に対して、90度を超える角度を有する方向をその信号の伝送方向とする請求項1に記載の伝送線路。
- 上記伝送方向反転部は、上記伝送線路全体における信号の伝送方向に対して、180度の角度を有する方向をその信号の伝送方向とする請求項5に記載の伝送線路。
- 上記第1の信号導体と上記第2の信号導体とを電気的に接続する第3の信号導体をさらに備え、上記第3の信号導体を含んで、上記伝送方向反転部が構成される請求項1に記載の伝送線路。
- 上記第1の信号導体と上記第2の信号導体とが誘電体を介して電気的に接続され、上記誘電体、上記第1の信号導体、及び上記第2の信号導体がキャパシタ構造を形成する請求項1に記載の伝送線路。
- 上記第1の信号導体及び上記第2の信号導体が、伝送信号の周波数において、それぞれ非共振な線路長に設定される請求項1に記載の伝送線路。
- 上記第3の信号導体が、伝送信号の周波数において、非共振な線路長に設定される請求項7に記載の伝送線路。
- 上記第1の信号導体と上記第2の信号導体とが電気的に接続されて構成された回転方向反転構造が、上記伝送線路全体における信号の伝送方向に対して、複数直列に接続される請求項1に記載の伝送線路。
- 隣接する上記回転方向反転構造が、第4の信号導体により接続される請求項11に記載の伝送線路。
- 上記第4の信号導体は、上記伝送線路全体における信号の伝送方向と異なる方向に配置される請求項12に記載の伝送線路。
- 伝送信号の周波数における実効波長の0.5倍以上の実効線路長に渡って、上記複数の回転方向反転構造が配置された請求項11に記載の伝送線路。
- 伝送信号の周波数における実効波長の1倍以上の実効線路長に渡って、上記複数の回転方向反転構造が配置された請求項11に記載の伝送線路。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2005097370 | 2005-03-30 | ||
JP2005097370 | 2005-03-30 | ||
PCT/JP2006/306527 WO2006106764A1 (ja) | 2005-03-30 | 2006-03-29 | 伝送線路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP3984639B2 JP3984639B2 (ja) | 2007-10-03 |
JPWO2006106764A1 true JPWO2006106764A1 (ja) | 2008-09-11 |
Family
ID=37073326
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006524146A Expired - Fee Related JP3984638B2 (ja) | 2005-03-30 | 2006-03-29 | 伝送線路対及び伝送線路群 |
JP2006524147A Expired - Fee Related JP3984639B2 (ja) | 2005-03-30 | 2006-03-29 | 伝送線路 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006524146A Expired - Fee Related JP3984638B2 (ja) | 2005-03-30 | 2006-03-29 | 伝送線路対及び伝送線路群 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7518462B2 (ja) |
JP (2) | JP3984638B2 (ja) |
CN (2) | CN100595973C (ja) |
WO (2) | WO2006106767A1 (ja) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2004274172A (ja) | 2003-03-05 | 2004-09-30 | Sony Corp | バルン |
-
2006
- 2006-03-29 WO PCT/JP2006/306531 patent/WO2006106767A1/ja active Application Filing
- 2006-03-29 WO PCT/JP2006/306527 patent/WO2006106764A1/ja active Application Filing
- 2006-03-29 JP JP2006524146A patent/JP3984638B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-29 CN CN200680001145A patent/CN100595973C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-29 JP JP2006524147A patent/JP3984639B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2006-03-29 CN CN200680001151A patent/CN100595974C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-30 US US11/589,099 patent/US7518462B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2006-10-30 US US11/589,141 patent/US7369020B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN101053113A (zh) | 2007-10-10 |
US20070040634A1 (en) | 2007-02-22 |
JP3984639B2 (ja) | 2007-10-03 |
CN100595973C (zh) | 2010-03-24 |
CN101053112A (zh) | 2007-10-10 |
WO2006106767A1 (ja) | 2006-10-12 |
CN100595974C (zh) | 2010-03-24 |
JP3984638B2 (ja) | 2007-10-03 |
US7369020B2 (en) | 2008-05-06 |
WO2006106764A1 (ja) | 2006-10-12 |
US20070040627A1 (en) | 2007-02-22 |
US7518462B2 (en) | 2009-04-14 |
JPWO2006106767A1 (ja) | 2008-09-11 |
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Legal Events
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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