JPWO2006046281A1 - 不揮発性記憶装置の情報設定方法、および不揮発性記憶装置 - Google Patents
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Abstract
Description
13 ワードドライバ
15 Yデコーダ
17 バイアス制御回路
19 ベリファイセンスアンプ
21 比較回路
23、27 セレクタ
25 揮発性記憶部
27A プログラム用デコード部
27B 消去用デコード部
29 転送データ生成部
BL(i) ビット線群
D1、D2、D3 データ線
MC 不揮発性メモリセル
WLTR、WLWP ワード線
ER 消去指示信号
MCH 一致信号
PG(j) プログラム指示信号
PGV、ERV ベリファイ指示信号
SEL_TR、SEL_WP 選択信号
SEL_Y(i) Yデコ−ド信号
STR(i)、SWP(i) デコード信号
T 出力タイミング信号
POR 電源投入検知信号
VERIFY ベリファイモード信号
例えば、トリミング情報とライトプロテクト情報について、不揮発性記憶部への格納と、その後の揮発性記憶部への記憶を行う場合を例にとり説明したが、本発明はこれに限定されるものではない。冗長アドレス情報等、その他の動作情報に対しても同様に適用可能である。
また、第2の動作情報としては、リードプロテクト情報、読出し制限情報、読出し許可を与えるための指定コード情報等の情報でも良い。
Claims (15)
- 動作情報を格納する不揮発性記憶部と、給電中、前記不揮発性記憶部に格納されている前記動作情報を記憶しておく揮発性記憶部とを備える不揮発性記憶装置の情報設定方法において、
前記動作情報の設定または更新の際、
前記不揮発性記憶部の書き換えを行うステップと、
前記書き換えのステップの終了時に、論理処理可能に保持されている前記動作情報に応じた論理信号に基づき、前記揮発性記憶部への前記動作情報の記憶を行うステップと、
を有することを特徴とする不揮発性記憶装置の情報設定方法。 - 前記書き換えのステップは、
前記不揮発性記憶部にバイアス印加を行うステップと、
前記不揮発性記憶部内の格納情報であって、前記バイアス印加のステップにより書き換えが行われている前記格納情報の読み出しを行うステップとを有し、
前記動作情報に応じた論理信号とは前記格納情報であり、前記揮発性記憶部には前記格納情報が記憶されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性記憶装置の情報設定方法。 - 前記バイアス印加のステップおよび前記読み出しのステップは、前記動作情報が前記不揮発性記憶部に格納されるまで、交互に繰り返し行われ、
前記揮発性記憶部への前記格納情報の記憶は、前記読み出しのステップごとに行われることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性記憶装置の情報設定方法。 - 前記読み出しのステップにより読み出される前記格納情報が、前記動作情報に一致するか否かの一致判定を行うステップを有し、
前記揮発性記憶部への前記格納情報の記憶は、前記一致判定のステップによる一致結果に応じて、行われることを特徴とする請求項2に記載の不揮発性記憶装置の情報設定方法。 - 前記動作情報の設定または更新は書き換え指示信号に応じて行われ、
前記書き換えのステップが完了したか否かの完了判定を行うステップを有し、
前記動作情報に応じた論理信号とは、前記書き換え指示信号であることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性記憶装置の情報設定方法。 - 前記書き換え指示信号に応じて、前記揮発性記憶部に記憶されるべき前記動作情報を決定するステップを有することを特徴とする請求項5に記載の不揮発性記憶装置の情報設定方法。
- 前記書き換え指示信号は、プログラム指示信号または消去指示信号であることを特徴とする請求項5に記載の不揮発性記憶装置の情報設定方法。
- 前記不揮発性記憶部に格納されている前記動作情報は、電源投入に応じて、前記揮発性記憶部に転送されることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性記憶装置の情報設定方法。
- 動作情報を格納する不揮発性記憶部と、給電中、前記不揮発性記憶部に格納されている前記動作情報を記憶しておく揮発性記憶部とを備える不揮発性記憶装置において、
前記動作情報の設定または更新の際、
前記不揮発性記憶部の書き換え終了時に、前記動作情報に応じて論理処理可能な論理信号を出力する識別部を備え、
前記識別部より出力される論理信号に基づき、前記揮発性記憶部への前記動作情報の記憶を行うことを特徴とする不揮発性記憶装置。 - 前記識別部として、前記不揮発性記憶部内の格納情報を読み出す増幅器を備え、
前記識別部により出力される論理信号とは、前記増幅器により読み出される前記格納情報であり、前記揮発性記憶部には前記格納情報が記憶されることを特徴とする請求項9に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記不揮発性記憶部の書き換えは、前記増幅器により読み出される前記格納情報が前記動作情報に一致するまで、交互に繰り返し行われ、
前記揮発性記憶部への前記格納情報の記憶は、前記増幅器により前記格納情報が読み出されるごとに行われることを特徴とする請求項10に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記増幅器により読み出される前記格納情報が前記動作情報に一致するか否かの判定を行う一致判定部を備え、
前記揮発性記憶部への前記格納情報の記憶は、前記一致判定部による一致結果に応じて、行われることを特徴とする請求項10に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記識別部として、設定または更新される前記動作情報の遷移方向に応じて書き換え制御を行う書き換え制御部を備え、更に、
前記不揮発性記憶部の書き換えが完了したか否かの判定を行う完了判定部を備え、
前記識別部により出力される論理信号とは、前記書き換え制御部により前記動作情報の遷移方向に応じて設定される書き換え指示信号であり、前記完了判定部による判定に応じて、前記揮発性記憶部には前記書き換え指示信号に応じた前記動作情報が記憶されることを特徴とする請求項9に記載の不揮発性記憶装置。 - 前記書き換え指示信号に応じて、前記揮発性記憶部に記憶されるべき前記動作情報を指示する書き換え情報指示部を備えることを特徴とする請求項13に記載の不揮発性記憶装置。
- 前記書き換え指示信号は、プログラム指示信号または消去指示信号であることを特徴とする請求項13に記載の不揮発性記憶装置。
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KR20160105100A (ko) * | 2015-02-27 | 2016-09-06 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 불휘발성 메모리 장치, 그것의 동작 방법 및 그것을 포함하는 데이터 저장 장치 |
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US10613864B2 (en) * | 2018-03-16 | 2020-04-07 | Texas Instruments Incorporated | Processor with hardware supported memory buffer overflow detection |
CN109857147B (zh) * | 2019-03-19 | 2021-10-22 | 北京特种机械研究所 | 一种pgv视觉扫描头自动跟随控制电路 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05128892A (ja) * | 1991-03-05 | 1993-05-25 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
JPH11126489A (ja) * | 1997-10-21 | 1999-05-11 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP2002150789A (ja) * | 2000-11-09 | 2002-05-24 | Hitachi Ltd | 不揮発性半導体記憶装置 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5511211A (en) * | 1988-08-31 | 1996-04-23 | Hitachi, Ltd. | Method for flexibly developing a data processing system comprising rewriting instructions in non-volatile memory elements after function check indicates failure of required functions |
JPH08125914A (ja) * | 1994-10-26 | 1996-05-17 | Canon Inc | 画像入力装置 |
JP3578265B2 (ja) * | 1999-11-19 | 2004-10-20 | 日本電気株式会社 | 不揮発性メモリへのデータ書き込み方法および情報処理装置ならびに記録媒体 |
US20010032318A1 (en) * | 1999-12-03 | 2001-10-18 | Yip Kun Wah | Apparatus and method for protecting configuration data in a programmable device |
JP2002015584A (ja) | 2000-06-29 | 2002-01-18 | Sanyo Electric Co Ltd | 不揮発性メモリのリードプロテクト回路 |
JP4413406B2 (ja) * | 2000-10-03 | 2010-02-10 | 株式会社東芝 | 不揮発性半導体メモリ及びそのテスト方法 |
JP2003044457A (ja) | 2001-07-27 | 2003-02-14 | Hitachi Ltd | データプロセッサ |
JP4138291B2 (ja) | 2001-10-19 | 2008-08-27 | スパンション エルエルシー | 不揮発性半導体記憶装置及びその制御方法 |
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Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05128892A (ja) * | 1991-03-05 | 1993-05-25 | Fujitsu Ltd | 半導体記憶装置 |
JPH11126489A (ja) * | 1997-10-21 | 1999-05-11 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
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