JPWO2001051580A1 - 多孔性接着シートおよびそれを用いた多孔性接着シート付き半導体ウェハ、ならびにそれらの製造方法 - Google Patents
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- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 title claims abstract description 258
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 title claims abstract description 255
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 108
- 238000000034 method Methods 0.000 title description 23
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract description 45
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 96
- 229920001187 thermosetting polymer Polymers 0.000 claims description 56
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 40
- 239000004634 thermosetting polymer Substances 0.000 claims description 20
- 229920005992 thermoplastic resin Polymers 0.000 claims description 16
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 15
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 15
- 238000005304 joining Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 77
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 65
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 23
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 21
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 20
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 16
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 10
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 7
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 7
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 6
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000004962 Polyamide-imide Substances 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 229920002312 polyamide-imide Polymers 0.000 description 5
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 5
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 4
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 4
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 4
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 3
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 3
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N bisphenol A Chemical compound C=1C=C(O)C=CC=1C(C)(C)C1=CC=C(O)C=C1 IISBACLAFKSPIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001718 carbodiimides Chemical class 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 239000012776 electronic material Substances 0.000 description 2
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 2
- 230000001747 exhibiting effect Effects 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 229920006122 polyamide resin Polymers 0.000 description 2
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 230000000930 thermomechanical effect Effects 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 239000002313 adhesive film Substances 0.000 description 1
- 239000002585 base Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 238000007429 general method Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000004850 liquid epoxy resins (LERs) Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N methylhexahydrophthalic anhydride Chemical compound C1CCCC2C(=O)OC(=O)C21C VYKXQOYUCMREIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000005498 polishing Methods 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 230000000379 polymerizing effect Effects 0.000 description 1
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 1
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 1
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 1
- 238000004080 punching Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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Abstract
Description
本発明は、多孔性接着シート、特に半導体実装における接着材料として好適に用いることができる多孔性接着シート、ならびにその好適な製造方法に関する。また本発明は、上記の多孔性接着シートを用いた多孔性接着シート付き半導体ウェハ、ならびにその好適な製造方法に関する。
背景技術
近年、より生産性が向上される半導体実装の方法として、バンプ付きの半導体素子と基板とを接合した後に、両者間の空間にアンダーフィル剤などを含浸させるベアチップ実装の開発が進められている。このようなベアチップ実装では、半導体素子上の電極部をたとえば半田ペーストを用いて凸状に形成し(バンプを形成し)、このバンプを基板の回路部と金属接合し、半導体素子と基板との間の空間(バンプ以外の部分)をアンダーフィル剤で充填してバンプ接合部を形成する。
しかしこのような方法で実装した半導体素子は、基板と半導体素子との間の膨張係数差によりストレスが発生し易く、バンプ接合部に欠陥を発生しやすい。この場合、半導体素子と基板との距離を離して上記の接合を行えば、半導体素子と基板との間の膨張係数差によるストレスを軽減できるが、半導体素子および基板間の距離を離すとそれに合わせてバンプの径を大きく形成しなければならず、ファインピッチ接続が困難なものとなる。
またアンダーフィル剤は接着に液状樹脂を使用するので接着材料の流動性をコントロールする必要があるため、これに換えてより簡易な接着が可能な接着材料の開発が望まれている。
半導体実装の他の方法として、異方導電性フィルムを用いて半導体素子と回路基板とを接着して導通させる方法も知られているが、上記のバンプ接合部を形成する方法に比べ接続抵抗が高めになるため、高速半導体デバイスに使用すると半導体素子の発熱や作動時におけるノイズ信号の発生などが見られるなどの問題があった。
これらの欠点を解決するために、本発明者らはフィルターなど通気性を付与するための接着に通常使用される多孔性接着シートを半導体ウェハに貼った後、該多孔性接着シートの一部の貫通孔を半田ペーストで充填して半導体素子と多孔性接着シートの片面側とを電気的に接合すると共に、基板の回路側に接続する多孔性接着シートの片側にはバンプを形成し、回路側との接続信頼性をあげることに想達した。このような半導体実装に好適に用いることができる多孔性接着シートとしては、貫通孔それぞれの形状が規則性を有し、かつ接着状態において該貫通孔が塞がりにくいものが好ましい。
ところが、かかる多孔性接着シートの製造において、成形後の接着シートに多数の微細な貫通孔を形成して多孔性接着シートに加工する製造方法を採用した場合、接着の際に該シート材料の樹脂が流動して貫通孔を塞いでしまい導通が充分にとれないという問題がある。
また、例えば製膜した有機フィルムを延伸してなる接着シートに多数の微細な貫通孔を形成するような多孔性接着シートの製造方法を採用した場合、各貫通孔はそれぞれの形状が規則性を有するようには形成されない。したがって、該有機フィルム自身が加熱および/または加圧によって接着可能となる接着性を有する場合、貫通孔によっては接着の際に開口が塞がってしまいやすく、接着前後で多孔性接着シートの開口度が大幅に減少してしまう。このような製造方法では、多孔性接着シートが目的を達成し得る開口度を有するように貫通孔を形成することが難しい。
また、本発明者らは有機フィルムに多数の微細な貫通孔を形成する方法として、下記のような加工方法を想定した。ところが、これらの方法によれば各貫通孔はそれぞれの形状が規則性を有するように形成されるけれども、それぞれ下記に列挙するような問題点を有している。
▲1▼ドリル加工
生産性が低く、微細な多数の貫通孔を有する多孔性接着シートの製造には不向きである。
▲2▼パンチ加工
微細な貫通孔を形成することができず、したがって上記多孔性接着シートの製造には不向きである。
▲3▼レーザー加工
各貫通孔の形状が略台形状に形成され、これによってその一方側の片面ともう他方側の片面とでの貫通孔の形成による開口度(多孔性接着シートの全面に対する貫通孔の開口の面積比)が大きく異なるような多孔性接着シートが製造されてしまう。このような多孔性接着シートでは、貫通孔の一方の開口から他方の開口に至るまでの各径方向断面のうち最大の面積Smaxに対する最小の面積Sminの割合Smin/Smax(%)が40%〜80%であり、開口度の大きい側の片面の接着できる面積が開口度の小さい側の片面よりも小さくなってしまう。したがって場合によっては該開口度の大きい側の片面において該接着シートが被接着物に接着し得るだけの接着力を保持できない不具合がある。
▲4▼フォト加工
レーザー加工の場合と同様に、各貫通孔の形状が略台形状に形成されてしまう。このような多孔性接着シートでは、貫通孔の一方の開口から他方の開口に至るまでの各径方向断面のうち最大の面積Smaxに対する最小の面積Sminの割合Smin/Smax(%)が40%〜80%であり、その一方側の片面ともう他方側の片面とでの開口度が大きく異なるような多孔性接着シートが製造されてしまい好ましくない。
本発明は、上記の問題点を解決しようとするものであり、その目的は下記の通りである。
(1)電子材料分野にも好適に用いることのできる多孔性接着シートを提案するものである。
(2)上記(1)の接着シート(例えば、貫通孔それぞれの形状が規則性を有し、かつ接着状態において該貫通孔が塞がりにくい多孔性接着シート)の好適な製造方法、
(3)ベアチップ実装に好適な多孔性接着シート付き半導体ウェハ、およびその好適な製造方法を提供することである。
発明の開示
本発明者らは、上記課題を解決するため鋭意研究を行った結果、特異な構造および/または特異な製造方法を採用することによって、上記問題点の解決された多孔性接着シートが得られ、さらにこの多孔性接着シートがベアチップ実装の接着材料として非常に好ましく、多孔性接着シート付き半導体ウェハを製造することでその生産性をより向上することができることを見出し、本発明を完成するに至った。
即ち、本発明は以下のとおりである。
〔1〕有機フィルムの厚み方向に互いに略平行に走る複数個の貫通孔を有する接着シートであって、各々の貫通孔はその一方の開口から他方の開口に至るまで径方向断面が略合同形であることを特徴とする多孔性接着シート。
〔2〕貫通孔が、接着によってもその開口が維持されていることを特徴とする上記〔1〕に記載の多孔性接着シート。
〔3〕有機フィルムの軟化温度より10℃以上高い軟化温度を有する有機材料層が前記貫通孔の周囲を形成していることを特徴とする上記〔1〕に記載の多孔性接着シート。
〔4〕有機フィルムの有する各貫通孔の全部または一部と前記厚み方向に連通する複数個の連通孔を有する易接着材料層を当該有機フィルムの少なくとも片面に有し、該易接着材料層は、有機フィルムの軟化温度より10℃〜30℃低い軟化温度を有する熱可塑性樹脂または熱硬化性ポリマーからなり、且つ接着状態において有機フィルムの貫通孔が塞がれ得ないような厚みに選ばれることを特徴とする上記〔1〕または〔3〕に記載の多孔性接着シート。
〔5〕有機フィルムの有する各貫通孔の全部または一部と前記厚み方向に連通する複数個の連通孔を有する易接着材料層を当該有機フィルムの少なくとも片面に有し、該易接着材料層は、有機フィルムの軟化温度より10℃以上低い溶融開始温度を有する熱硬化性オリゴマーからなり、且つ接着状態において有機フィルムの貫通孔が塞がれ得ないような厚みに選ばれることを特徴とする上記〔1〕または〔3〕に記載の多孔性接着シート。
〔6〕少なくとも一部の貫通孔を導電性材料で充填した際に、各導電性材料が互いに絶縁されることを特徴とする上記〔1〕〜〔5〕のいずれかに記載の多孔性接着シート。
〔7〕複数個の線材が互いに略平行にその厚み方向に概ね沿って貫通する接着性の有機フィルムを形成する線材含有フィルム形成工程、ならびに該有機フィルム中の線材を除去する線材除去工程を有することを特徴とする多孔性接着シートの製造方法。
〔8〕線材が、該有機フィルムの軟化温度より10℃以上高い軟化温度を有する有機材料にて被覆されていることを特徴とする上記〔7〕に記載の多孔性接着シートの製造方法。
〔9〕線材含有フィルムの少なくとも片面側の線材端部を該フィルム面から突出させる線材突出工程と、
当該有機フィルムの軟化温度より10℃〜30℃低い軟化温度を有する熱可塑性樹脂または熱硬化性ポリマーからなり、前記線材の突出部分とフィルム面との段差を埋める易接着材料層を形成する易接着材料層形成工程とを、前記線材含有フィルム形成工程と線材除去工程との間にさらに有することを特徴とする上記〔7〕または〔8〕に記載の多孔性接着シートの製造方法。
〔10〕線材含有フィルムの少なくとも片面側の線材端部を該フィルム面から突出させる線材突出工程と、
当該有機フィルムの軟化温度より10℃以上低い溶融開始温度を有する熱硬化性オリゴマーからなり、前記線材の突出部分とフィルム面との段差を埋める易接着材料層形成工程とを、前記線材含有フィルム形成工程と線材除去工程との間にさらに有することを特徴とする上記〔7〕または〔8〕に記載の多孔性接着シートの製造方法。
〔11〕線材が、互いに絶縁された状態である上記〔7〕〜〔10〕のいずれかに記載の多孔性接着シートの製造方法。
〔12〕少なくともその片面に一または複数個の電極部を有する半導体ウェハと、該半導体ウェハの片面上に接着される上記〔6〕に記載の多孔性接着シートと、多孔性接着シートの半導体ウェハの電極部上に位置する各貫通孔に導電性材料が充填されて形成される各導通部とを備えることを特徴とする多孔性接着シート付き半導体ウェハ。
〔13〕少なくともその片面に一または複数個の電極部を有する半導体ウェハの片面上に上記〔6〕に記載の多孔性接着シートを接着する貼り合わせ工程と、多孔性接着シートの半導体ウェハの電極部上に位置する各貫通孔に導電性材料を充填しかつ当該電極部と導電性材料とを接合する導通部形成工程とを有することを特徴とする多孔性接着シート付き半導体ウェハの製造方法。
発明の詳細な説明
以下、本発明を詳細に説明する。
図1は、本発明の好ましい一例の多孔性接着シート1を示す簡略化した断面図である。なお図1は、多孔性接着シート1の厚み方向Aに平行でありかつ貫通孔2を通る仮想一平面における断面図である。図1に示す多孔性接着シート1は、複数個の貫通孔2を有する接着性の有機フィルム3である。該貫通孔2は、有機フィルム3の厚み方向Aに互いに略平行に走る貫通孔であり、有機フィルム3をその厚み方向Aに概ね沿って貫通し、多孔性接着シート1の厚み方向一方A1側の片面1aと、厚み方向他方A2側の片面1bとにそれぞれ開口2a,2bを有する。なお本発明において、多孔性接着シート1および有機フィルム3の各々の厚み方向は同一の方向Aである。
上記貫通孔2の各中心軸線Bは直線状であっても曲線状であってもよいが、好ましくは直線状である。また該各貫通孔2は、その一方の開口2aから他方の開口2bに至るまで径方向断面が略合同形である。なお本明細書中でいう「径方向断面」とは、各貫通孔2の中心軸線Bに対して垂直な仮想平面Cにおける断面をさす。また上記「略合同形」とは実質的に同一な形状であることをさし、換言すれば、本発明における各貫通孔2の一方の開口2aから他方の開口2bに至るまでの各径方向断面の形状および面積が、製造上の誤差を含んだ上で同一であることをさす。上記製造上の誤差は、具体的には各径方向断面のうち最大の面積Smaxに対する最小の面積Sminの割合Smin/Smax(%)が好ましくは85%〜100%であり、より好ましくは90%〜100%である。なお本発明における貫通孔2は、前記各径方向断面が略合同形ではあるけれども略同一ではない形状、すなわちねじれの形状は含まない。
貫通孔2の径方向断面の形状は特に限定されず、円状、方形状、三角形状、その他の形状に、本発明の多孔性接着シートの用途に応じて適宜選択されるが、好ましくは円状であり、より好ましくは真円状である。また各貫通孔2同士での各中心軸線Bに対して垂直な仮想平面Cにおける各断面形状は、互いに略合同形であってもよくまた互いに異なってもよいが、より好ましくは互いに略合同形であるように実現される。図1には、いずれの貫通孔2も前記断面形状が略合同な真円状な場合を示す。
上記のように複数個の貫通孔2は互いに略平行であり、前記有機フィルム3をその厚み方向Aに概ね沿って貫通して形成される。前記貫通孔2は、互いに略平行であれば有機フィルム3の厚み方向Aに平行である必要はないが、好ましくは前記厚み方向Aに平行でありかつ互いに平行である。このような各貫通孔2は、図1のようにそれぞれ前記断面形状が略合同な真円状である場合、その直径が好ましくは18μm〜150μm、より好ましくは30μm〜100μmである。また各貫通孔2の前記断面形状が真円状以外の他の形状である場合には、上記の真円状の場合と同程度の断面積を有することが望ましい。
多孔性接着シート1は、上記のような複数個の貫通孔2を実用上支障のない接着性を保持し得る程度に有する。すなわち、貫通孔2は、常温(23℃)における多孔性接着シート1の開口度、言い換えれば、多孔性接着シート1のいずれか一方の片面、たとえば厚み方向一方A1側の片面1aにおける各貫通孔2の開口2aも含めた面積S1に対する各貫通孔2の開口面積S2の総計の割合が、好ましくは30%〜80%、より好ましくは40%〜70%となるように選ばれる。
このように多孔性接着シート1は、レーザー加工やフォト加工で貫通孔を形成した従来の多孔性接着シートとは異なりその厚み方向一方A1側の片面1aの開口度と、厚み方向他方A2側の片面1bの開口度とが大きく異なることがなく、かつ実用上支障のない程度の接着性を有する。
本発明の多孔性接着シートは、単層体、積層体のいずれの構造で実現されてもよい。図1のように該接着シート1が単層体の有機フィルム3で実現される場合には、当該単層体自体が接着性を有することが必要である。また後述するように積層体で実現される場合には、その少なくとも片側の最外層が接着性を有することが必要である。この場合は、有機フィルム自体が必ずしも接着性を有していなくてもよい。また多孔性接着シート1の厚みD1は、好ましくは30μm〜500μm、より好ましくは50μm〜300μmである。
前記単層体で実現される場合、有機フィルム3は、好ましくは少なくとも加熱によって、より好ましくは加熱および加圧によって接着可能となるような接着性を有する。このような接着性を有する有機フィルム3の材料としては、少なくとも加熱によって接着性を有する樹脂ならば特には限定されず、熱可塑性樹脂、未反応熱硬化性樹脂組成物などの公知の接着性材料が挙げられる。このような材料としては、該樹脂を各々フィルムに成形した状態である熱可塑性樹脂あるいは熱硬化性ポリマーの軟化温度が、好ましくは100℃〜250℃、より好ましくは150℃〜200℃のものが選ばれる。上記軟化温度が100℃未満の材料を用いると、該接着シートの接着信頼性が低下するので好ましくない。また上記軟化温度が250℃を超える材料を用いると、たとえば半導体素子上のアルミ電極などの使用周辺材料も含めた材料が劣化したり、接着作業性が低下するので好ましくない。なお本明細書中でいう「軟化温度」とは、TMA(熱機械分析)の引張モードにて10℃/minで昇温して測定したときの変曲点温度をいう。本発明に用いられる有機フィルム3は、特に、105℃〜220℃の温度範囲で、かつ0.49MPa〜2.94Mpaの範囲の前記厚み方向に概ね沿った加圧によって接着可能となるようなものが好ましい。一般的には、上記のような有機フィルムに貫通孔を形成してなる多孔性接着シートは、該有機フィルムの軟化温度より5℃〜10℃高い温度で接着させると、貫通孔の形状変化を抑制しかつ好適な接着性を保持した状態で被着体に接着することができる。
有機フィルム3の材料としては、具体的には、熱可塑性樹脂では、ポリアミド樹脂(軟化温度:160℃)、ポリイミド樹脂(軟化温度:190℃)、飽和ポリエステル樹脂(軟化温度:170℃)などが挙げられる。熱硬化性ポリマーでは、ポリカルボジイミド樹脂が好適である。これらの樹脂は目的に応じて適宜選択され、単独でも、2種以上混合して使用してもよい。なお有機フィルム3に用いられる熱硬化性樹脂は、フィルム成形時には、自己支持性を有し軟化温度を測定可能な熱硬化性ポリマーであるものとする。ここで言う熱硬化性ポリマーは、モノマーである未反応熱硬化性樹脂組成物を重合または縮合して架橋性のポリマーとしてなる、いわゆるBステージ状態の固形状のものをさす。
また多孔性接着シート1は、該接着シートを被接着体に接着しても、貫通孔2の開口2a,2bが維持される。具体的には、該開口2a,2bは、上記の常温における状態の開口度から接着後の開口度への減少割合が好ましくは0%〜20%、より好ましくは0%〜10%であるように維持される。このように多孔性接着シート1は、各貫通孔2それぞれの形状が規則性を有するとともに、接着によっても各開口2a,2bが維持されるので、接着前後でその開口度が大幅に変化してしまうことがなく、充分な貫通孔空間を保持することができる。
また本発明の多孔性接着シートは、好ましくは、前記各貫通孔の周囲を形成する有機材料層をさらに有する。図2は、その好ましい一例の多孔性接着シート11の、厚み方向Aに平行でありかつ貫通孔12および有機材料層14を通る仮想一平面における簡略化した断面図である。図2に示される多孔性接着シート11は、図1に示した多孔性接着シート1の各貫通孔2および有機フィルム3と各々同様の各貫通孔12および有機フィルム13に加えて、各貫通孔12の周囲を形成している有機材料層14をさらに有する。
該有機材料層14は、自己支持性を有し、かつ有機フィルム13を形成する熱可塑性樹脂あるいは熱硬化性ポリマーより軟化温度が少なくとも10℃以上、好ましくは30℃以上高い有機材料で実現される。このような有機材料としては、軟化温度が好ましくは160℃以上、より好ましくは170℃以上のものが好ましい。具体的には、たとえばポリアミドイミド樹脂(軟化温度:170℃)、飽和ポリエステル樹脂などが挙げられ、有機フィルム13を形成する材料との組合せで上記の条件を達成するものを適宜選択すればよい。有機材料層14を形成する有機材料として未反応熱硬化性樹脂組成物を用いる場合は、該有機材料層14形成時には、三次元構造を示す熱硬化樹脂となることが好ましい。
図2に示すように各貫通孔12の前記断面形状がそれぞれ略合同な真円状である場合、有機材料層14は、好ましくは貫通孔12と同心円の円筒状に形成される。このときの有機材料層14の厚みD2、言い換えるとその半径方向に延びる仮想一直線上における外周と内周との直線距離は、好ましくは1μm〜10μm、より好ましくは2μm〜8μmである。
このような有機材料層14は、軟化温度が有機フィルム13の軟化温度よりも高いので、上記加熱によって有機フィルム13が軟化して接着可能な状態になった場合において、有機フィルム13よりも軟化状態に転移しにくい。したがってこのような有機材料層が形成されない場合と比較して、各貫通孔12の周囲でその形状を保持しやすい。これによって多孔性接着シート11は、図1に示す多孔性接着シート1の上記した各効果に加えて、各貫通孔12の各開口がさらに塞がりにくく、接着前後でその開口度の減少をより低下することが可能である。さらに貫通孔全体の変形も少なく、貫通孔をより機能的に用いることができる高品位な多孔性接着シート11を提供することができる。
また本発明の多孔性接着シートは、好ましくは、有機フィルムの少なくとも片面に、易接着材料層をさらに有する。易接着材料層は、有機フィルムの各貫通孔の全部または一部と上記厚み方向に連通する各連通孔を有する。図3は、その好ましい一例の多孔性接着シート21の、厚み方向Aに平行でありかつ貫通孔22および易接着材料層25aを通る仮想一平面における簡略化した断面図である。図3に示される多孔性接着シート21は、図2に示した多孔性接着シート11の各貫通孔12、有機フィルム13および有機材料層14と各々同様の各貫通孔71、有機フィルム23および有機材料層24に加えて、多孔性接着シート21の厚み方向一方A1側の片面21aにおいて有機材料層24を除く領域を形成する易接着材料層25aをさらに有する。このように図3の多孔性接着シート21は、有機フィルム23と易接着材料層25aとの積層体で実現される。該多孔性接着シート21は、有機フィルム23の貫通孔71と、該易接着材料層25a内において該貫通孔71の上記厚み方向Aに連通する連通孔72とからなる貫通孔22を有する。連通孔72は、貫通孔71と径方向断面が略合同形であり、その軸線方向が同一のままで連続的に連なるように形成される。言い換えれば、図3の多孔性接着シート21は、上述した各態様の場合と同様に、その貫通孔22がその一方の開口から他方の開口に至るまで径方向断面が略合同形であるように実現される。
該易接着材料層25aは、熱可塑性樹脂、熱硬化性ポリマーあるいは熱硬化性オリゴマーで実現される。易接着材料層25aを熱可塑性樹脂あるいは熱硬化性ポリマーで実現する場合には、有機フィルム23の軟化温度よりも10℃〜30℃低い軟化温度を有するものが用いられる。また易接着材料層25aを熱硬化性オリゴマーで実現する場合には、有機フィルム23の軟化温度よりも10℃以上低い溶融開始温度を有するものが用いられる。本明細書においては、熱硬化性樹脂について、「未反応熱硬化性樹脂」とは液状のいわゆるAステージ状態のものをさし、「熱硬化性オリゴマー」とはいわゆるBステージ状態のもののうち溶融開始温度を測定可能でありかつ軟化温度を測定できない半固形状のものをさし、「熱硬化性ポリマー」とはいわゆるBステージ状態のもののうち軟化温度を測定可能な固形状のものをさすものとする。また本明細書でいう「熱硬化樹脂」とは、熱硬化性樹脂が熱硬化して三次元構造を有する硬化物のいわゆるCステージ状態のものをさすものとする。なお本明細書において、単に「熱硬化性樹脂」という場合には、上記の「未反応熱硬化性樹脂」、「熱硬化性オリゴマー」および「熱硬化性ポリマー」を含んでさすものとする。また本明細書中において「溶融開始温度」とは、上記易接着材料をDSC(示差走査熱量計)を用いて融解させた際の示差熱量曲線において、上記融解に対応して得られるピーク上の各点のうち該点への接線が基線に交わる点における温度をさす。
熱硬化性樹脂は、塗工する際には、一般に主剤および硬化剤を含有する液状の未反応熱硬化性樹脂組成物が用いられる。この組成物を塗工などした後、加熱などを施すことによって適宜コントロールしながら反応を進めることによって、溶融開始温度を測定可能な熱硬化性オリゴマーとすることができる。熱硬化性オリゴマーは、軟化温度が常温以下であり、軟化温度を決定できない。したがって本明細書においては、熱硬化性オリゴマーに関して、熱硬化性ポリマーおよび熱可塑性樹脂の場合における「軟化温度」に相当するものとして、上記のように「溶融開始温度」を設定する。
ここで、軟化温度を決定できる熱硬化性ポリマーおよび熱可塑性樹脂は、上記のようにして溶融開始温度も決定できる。軟化温度および溶融開始温度が共に有機フィルムの軟化温度より10℃〜30℃低い易接着材料で実現される該易接着材料層を備える多孔性接着シートも、本発明に含まれる。
このような易接着材料層を実現する易接着材料としては、熱硬化性ポリマーあるいは熱可塑性樹脂を用いる場合には、その軟化温度が好ましくは120℃〜240℃、より好ましくは150℃〜200℃、特に好ましくは160℃〜190℃である。このような軟化温度を示す熱硬化性ポリマーあるいは熱可塑性樹脂としては、たとえば飽和ポリエステル樹脂(軟化温度:170℃)、ポリアミド樹脂(軟化温度:160℃)、ポリカルボジイミド樹脂などが例示される。また熱硬化性オリゴマーを用いる場合には、その溶融開始温度が170℃以下、より好ましくは150℃以下、特に好ましくは120℃以下である。このような溶融開始温度を示す熱硬化性オリゴマーとしては、たとえば未反応の液状エポキシ樹脂組成物に加熱などを適宜施して半固形状としてなるものが挙げられる。このような易接着材料は、上記条件を満たすものであるならば特には限定されず、有機フィルム23を形成する材料との組合せで上記の条件を達成するものを適宜選択すればよいが、中でも上記のエポキシ樹脂の熱硬化性オリゴマーを用いるのが好ましい。
易接着材料は、熱可塑性樹脂、熱硬化性ポリマーおよび熱硬化性オリゴマーのいずれを用いて形成する場合においても、一般的に該層形成時には液状である。このため易接着材料層が厚過ぎると、易接着材料がにじみ出て貫通孔22の開口を塞いでしまう恐れがある。したがって易接着材料層25aは、接着条件、粘性特性および厚みを勘案して、貫通孔22の開口を塞ぐことのないように適宜調整しながら形成する。特に熱硬化性オリゴマーにおいては、加熱接着時に粘度低下が起こり易いため、接着条件を含めてより注意を要する。上記のように多孔性接着シートが積層体で実現される場合、多孔性接着シートは少なくとも最外層である易接着材料層が接着性を有していればよく、有機フィルム自体は必ずしも接着性を有している必要はない。
また該易接着材料層25aは、有機フィルム23が接着可能な状態において貫通孔22が塞がれ得ないような前記厚み方向Aに沿った厚みD3に選ばれる。このような易接着材料層25aの厚みD3は、たとえば図3に示す多孔性接着シート21のように、各貫通孔22の前記断面形状がそれぞれ略合同な真円状である場合には、貫通孔22の直径R1の1%〜10%、好ましくは5%〜10%に選ばれる。
このような易接着材料層は、有機フィルムの少なくとも片面の貫通孔の各開口および有機材料層を除く全面にわたって形成されなくともよいが、好ましくは、図3に示すように多孔性接着シート21の少なくとも片面の貫通孔71の各開口71aおよび有機材料層24を除く全面を形成するように設けられる。
このような易接着材料層25aを有する多孔性接着シート21は、図2の多孔性接着シート11の上記した各効果に加えて、易接着材料層25aが形成する多孔性接着シート面21aの接着性をより高めることができる。ここで、このような易接着材料層を形成することで被接着体への接着後に各貫通孔が塞がれ易くなることが考えられる。しかしながら易接着材料層の厚みがそのような不具合を抑制するように予め選ばれていることに加えて、各貫通孔の周囲に有機材料層が形成されているので、貫通孔はつぶれにくく、接着前後でその開口度が大幅に減少するようなことはない。したがって易接着材料層が形成されないような構成と比較してより接着性が向上された、より高品位な多孔性接着シートを提供することができる。
また本発明の多孔性接着シートは、各貫通孔の周囲に有機材料層が形成されずに、易接着材料層が多孔性接着シートの少なくとも片面の貫通孔の各開口を除く面を形成するような構成であってもよい。
また本発明の多孔性接着シートは、少なくとも一部の貫通孔を導電性材料で充填した際に、各導電性材料が互いに絶縁されるような絶縁性を有する。上記した図1〜図3の各多孔性接着シート1,11,21は、いずれも上記の絶縁性を有する。前記「互いに絶縁される」状態とは、各導電性材料が互いに導通せずに、有機フィルム内で相互に絶縁されている状態をいう。このような絶縁性を有する多孔性接着シートの有機フィルムを実現する材料としては上述した具体的な材料がいずれも好適であり、各貫通孔の縁間の直線距離は1μm〜30μmが好ましく、5μm〜20μmが特に好ましい。また多孔性接着シート11,21の場合、各有機材料層14,24は、好ましくは絶縁性を有する材料で実現される。このような絶縁性を有する有機材料層を実現する有機材料としては、上述した具体的な材料がいずれも好適である。
このようなさらに絶縁性を有する本発明の多孔性接着シートは、少なくとも一部の貫通孔に半田ペーストなどの導電性材料を充填し、電極部を有する半導体素子に接着することによって、半導体素子の電極部を導通させることができる。このように本発明の多孔性接着シートは、半導体ウェハに接着し、これを小片化することによって、基板に接着可能な小片化多孔性接着シート付きの半導体素子を得る、というようにウェハスケールチップサイズパッケージにおける電気的接続を伴った接着に好適に用いることができる。また他にも、一部の貫通孔に銀ペーストなどの高熱伝導性材料を充填すれば高熱放散性接着シートとして好適に用いることができ、またさらに貫通孔を空洞のまま使用することによって低誘電性接着シートとして好適に用いることができる。なお本明細書において、多孔性接着シートは、貫通孔が充填されたものも含めてさし、たとえ全ての貫通孔が充填されたものであっても多孔性接着シートであるものとする。
図4は、本発明の好ましい一例の多孔性接着シート付き半導体ウェハ31を示す、上記厚み方向Aに平行でありかつ貫通孔2および電極部33を通る仮想一平面における簡略化した断面図である。ただし簡略化のために半導体ウェハの大きさと多孔性接着シートの大きさとは同一のスケールで表示していない。上記の絶縁性をさらに有する多孔性接着シートは、ベアチップ実装用材料として好適に用いることができる。前記ベアチップ実装とは、半導体ウェハに接着材料を予め載せておき、これを小片化して実装を行う半導体実装方法である。本発明の多孔性接着シート付き半導体ウェハは、少なくともその片面に一または複数個の電極部を有する半導体ウェハと、該半導体ウェハの片面上に接着される多孔性接着シートと、多孔性接着シートの半導体ウェハの電極部上に位置する各貫通孔に導電性材料が充填されて形成される各導通部とを備える。図4では、複数個の電極部33が形成される半導体ウェハ32の片側の面32aに図1に示す多孔性接着シート1を接着し、さらに多孔性接着シート1の複数個の貫通孔2のうち少なくとも半導体ウェハ32の電極部33上に位置する各貫通孔2に導電性材料を充填して各導通部34を形成した多孔性接着シート付き半導体ウェハ31を示す。
このような多孔性接着シート付き半導体ウェハ31の各導通部34は、絶縁性を有する有機フィルム3内で互いに絶縁される。上記の各電極部33上にある各貫通孔2に充填するための導電性材料は、電子材料用途に用いられる金属であれば特には限定されないが、好ましくは半田ペーストが用いられる。各導通部34は、導通が必要な位置の貫通孔にたとえば半田ペーストをスクリーン印刷した後、加熱処理することにより、半田ペーストを貫通孔に充填して形成させ、かつ半導体ウェハの電極部と金属接合する。また前記各導通部34は、多孔性接着シート1の半導体ウェハ32に接着される側とは反対側の端部にそれぞれバンプ36を有する。バンプ36は、図4に示すように多孔性接着シート1の厚み方向一方A1側に凸に突出するボール状に形成される。このようなバンプ36は、上記スクリーン印刷の際に導通部34の厚みを調整するか、あるいは再度スクリーン印刷および加熱処理することによって形成される。
図1に示した多孔性接着シート1は、ベアチップ実装において、半導体素子と基板との間の空間を液状樹脂で充填接着する従来のアンダーフィル剤と異なり接着材料の流動性のコントロールの必要がないため、半導体素子だけでなく半導体ウェハ32により簡易に貼り合わせて図4に示す多孔性接着シート付き半導体ウェハ31を形成することが可能である。このような多孔性接着シート付き半導体ウェハ31を小片化すると、電極部33上に導通部34を有する小片化多孔性接着シート付き半導体素子を得ることができる。このような半導体素子は、小片化多孔性接着シートの、半導体素子への接着面とは反対側の面(図4においては、前記厚み方向一方A1側の面1a)で、基板などに好適に接着することができる。
上記の小片化多孔性接着シート付き半導体素子は、各導通部34の先端部にバンプ36を有する。該バンプ36は、半導体素子の電極部33から多孔性接着シート1の厚みD1分概ね垂直に立ち上がる各導通部34の先端部にボール状に形成される。これによってこのような半導体素子を基板に接着する際には、従来のアンダーフィル剤のように半導体素子と基板とが全面にわたって接着している必要がない。またこのようにバンプ36を有することによって、バンプ36を介して半導体素子と基板との間の距離を充分に稼ぐことができるため、半導体素子と基板との膨張係数差に基づく接合不良の発生を防ぐことができる。
またここで、貫通孔2のうち半導体ウェハ32の電極部33上に位置する各貫通孔2にのみ導電性材料を充填して各導通部34を形成した場合、半導体素子と基板との間には、空洞部としての貫通孔2が存在することになる。これによって誘電特性にすぐれた半導体素子と基板との接着が可能となる。またさらに多孔性接着シート1と半導体ウェハ32とを貼り合わせた後、必要に応じて接着性材料、低弾性材料、低線膨張性材料などを該電極部33上に位置しない各貫通孔2に充填することで、さらに接着性、低弾性、低線膨張性などを付与した多孔性接着シート付き半導体ウェハを実現することができる。
また図5は、本発明の好ましい一例の多孔性接着シート付き半導体ウェハ41を示す、上記厚み方向Aに平行でありかつ貫通孔12および電極部33を通る仮想一平面における簡略化した断面図である。多孔性接着シート付き半導体ウェハ41は、上記の図4に示した多孔性接着シート付き半導体ウェハ31において、多孔性接着シート1に換えて図2の多孔性接着シート11を用いた以外は同様であり、図2および図4と同様の構成を有する部分には同一の参照符を付して説明を省略する。
このような図5に示す多孔性接着シート付き半導体ウェハ41は、多孔性接着シート11が有機材料層14を有するので、図4の多孔性接着シート付き半導体ウェハ31の上記した各効果に加えて、多孔性接着シート11の各貫通孔12の開口面積がより大きく保持される。したがって熱伝導性、誘電特性制御などをより付与しやすいさらに高品位な多孔性接着シート付き半導体ウェハ41を提供することができる。
また図6は、本発明の多孔性接着シート付き半導体ウェハ51の好ましい一例を示す、上記厚み方向Aに平行でありかつ貫通孔22および電極部33を通る仮想一平面における簡略化した断面図である。多孔性接着シート付き半導体ウェハ51は、図3に示す多孔性接着シート21を、半導体ウェハ32の片面32a上に接着し、電極部33上に位置する各貫通孔22に導電性材料を充填して各導通部34を形成してなるものである。図3および図5と同様の構成を有する部分には同一の参照符を付して説明を省略する。
図6に示す多孔性接着シート付き半導体ウェハ51に用いられている多孔性接着シート21は、有機材料層24および易接着材料層25aを有し、易接着材料層25aが形成される側の面、換言すれば厚み方向一方A1側の片面21aが半導体ウェハ32の片面32aと概ね全面にわたって接するように接着される。
このような図6に示す多孔性接着シート付き半導体ウェハ51は、多孔性接着シート21の半導体ウェハ32に接着される側(前記厚み方向一方A1側)の面21aに易接着材料層25aが形成されているので、図5に示す多孔性接着シート付き半導体ウェハ41の上記した各効果に加えて、多孔性接着シート21と半導体ウェハ32とがより強固に接着される。これによって多孔性接着シート付き半導体ウェハ51を小片化して得た小片化多孔性接着シート付き半導体素子は、小片化多孔性接着シートと半導体素子との間の接着性をより安定して保持することができる。また該半導体素子は、小片化多孔性接着シートの、半導体素子への接着面とは反対側(図6においては、前記厚み方向他方A2側)にはバンプ36が形成されているので、基板上の回路に強固に接合ができ、該接合部の抵抗値も小さくすることができる。なお上記易接着材料層を有する多孔性接着シートにおいて、該易接着材料層が熱硬化性オリゴマーからなる場合、図6のように半導体ウェハに接着して多孔性接着シート付き半導体ウェハとした時点では、熱硬化性オリゴマーは三次元構造を有する熱硬化樹脂と化す。
有機材料層および易接着材料層を有する多孔性接着シートを備える本発明の多孔性接着シート付き半導体ウェハは、図6の態様には限定されないが、易接着材料層が多孔性接着シートのいずれか片側の面のみを形成するように実現されるのが好ましい。
以下に、本発明の多孔性接着シートの製造方法を示す。
本発明の多孔性接着シートの製造方法は、基本的には、線材が互いに略平行に複数個その厚み方向に概ね沿って貫通する接着性の有機フィルムを形成する線材含有フィルム形成工程と、該有機フィルム中の線材を除去する線材除去工程とを有する。
線材含有フィルム形成工程は、たとえば、次のような手順によって行う。
まず金属材料からなる線材を、上述した本発明の多孔性接着シートの有機フィルムを形成する材料で被覆する。線材として好ましい金属材料としては、銅、金、アルミニウム、ステンレス鋼が挙げられる。また線材としてポリビニルアルコールなどの水溶性の繊維を用いてもよい。線材は、その中心軸線に対して垂直な仮想平面それぞれにおける各断面形状がいずれも略合同形なものを用いる。線材の上記断面形状は特に限定されず、円状、方形状、三角形状、その他の形状に、本発明の多孔性接着シートの用途に応じて適宜選択されるが、好ましくは円状であり、より好ましくは真円状である。
次に、上記の被覆された線材を芯材上に巻線して、ロール状の巻線コイルを形成する。巻線は、リレー、トランスなどの電磁コイルを製造するための公知技術、たとえば、芯材を回転させるスピンドル方式や、線材を周回させるフライヤー方式などを応用してもよい。巻線は、1本の線材を芯材に巻き付ける一般的な方法や、複数本の線材を芯材に巻き取る方法などが挙げられる。複数本の線材を芯材に巻き取る場合、各線材同士での各中心軸線に対して垂直な仮想平面における各断面形状は、略合同形であってもよくまた互いに異なってもよいが、より好ましくは略合同形であるように実現される。
また巻線としては、荒い送りピッチと高速回転による乱巻きや、送りピッチを線材の外径程度として比較的低速回転で密着巻きし下層の線材に対して俵積みのように細密に線材を積み重ねていく最密巻きが挙げられる。これらの巻線の態様は、線径、コスト、用途などに応じて適宜選択できるが、品質の面から、最密巻きが好ましい。巻幅(電磁コイルにおけるボビンの全長であって、1層内のターン数に関係する)および厚み(層数に関係する)などの巻線仕様は、目的の多孔性接着シートの寸法に応じて適宜決定することができる。
次に、前記の巻線を行いながら形成中の巻線コイル、または前記の巻線終了後の完成された巻線コイルに対して、加熱および/または加圧を施す。この加熱および/または加圧は、巻線の際にある程度のテンションを作用させているので、加熱だけを施す加工や、加熱および加圧を同時に施す加工が好ましい。このような加工によって、互いに隣接する有機フィルムを形成する材料で被覆された線材同士を融着および/または圧着させて一体化し、巻線コイルブロックを形成する。
加熱の温度は、有機フィルムを形成する材料に応じて適宜選択されるが、通常は、材料の軟化温度〜300℃程度であり、具体的には50℃〜300℃程度である。熱硬化性ポリマーで有機フィルムを実現する場合には、硬化温度よりも低い温度で加熱するのがよい。また、加圧する場合、好ましくは0.098MPa〜9.8MPa、より好ましくは0.196MPa〜1.96MPa程度である。
前記巻線コイルブロックは、好ましくは、各線材が互いに絶縁されるように形成される。これによって後述する線材含有フィルム中においても各線材は互いに絶縁され、上記のような各貫通孔を導電性材料で充填した際に、各導電性材料が互いに絶縁されるような本発明の多孔性接着シートを好適に製造することができる。
次に、フィルム形成手段を用いて前記巻線コイルブロックを薄くシート状にスライスして、線材含有フィルムを得る。このとき、芯材を抜いてスライスするか、または芯材ごとスライスするか、あるいは芯材ごとスライスした後に芯材部分を分離するなど、目的とする多孔性接着シートの態様に応じて自由に選択できる。この時のスライスは、巻き付けられた線材の中心軸線と概ね垂直に交差する平面をその断面とし、多孔性接着シートが目的に応じた厚みD1となるように切断する。ここで、巻線コイルブロックの巻線方向は、後に多孔性接着シートに成形したときのシートの厚み方向に概ね沿った各貫通孔の貫通方向に相当する。
上記フィルム形成手段には、スライス用の刃物など全ての切断手段が含まれ、目的に応じて適宜選択できる。また、1つの巻線コイルブロックから1枚の線材含有フィルムを得るだけならば、上記フィルム形成手段は巻線コイルブロックの両サイドから切削、研磨するための各種手段であってもよい。線材含有フィルムの各面の仕上げは、必要に応じて行う。
上記の一連の操作によって線材含有フィルムを形成する線材含有フィルム形成工程の後、該有機フィルム中の線材を除去する線材除去工程を行う。具体的には、線材として金属材料を用いた場合は、酸またはアルカリエッチングによって、線材含有フィルム中の線材を除去する。また線材として水溶性の繊維を用いた場合は、水洗することで線材含有フィルム中の線材を除去する。この線材を除去した跡が、有機フィルムの厚み方向に互いに略平行に走る複数個の貫通孔に相当する。
このような製造方法によって、本発明の多孔性接着シートが製造される。たとえばいずれの断面形状も略合同な真円状である線材を用いた場合には、上記の図1に示したような本発明の多孔性接着シート1を好適に製造することができる。このような製造方法によって、レーザー加工やフォト加工で貫通孔を形成した従来の多孔性接着シートとは異なり、各径方向断面のうち最大の面積Smaxに対する最小の面積Sminの割合Smin/Smax(%)が、好ましくは85%〜100%、より好ましくは90%〜100%であるような貫通孔を有する本発明の多孔性接着シートを好適に製造することができる。言い換えれば、上記製造方法によって、その厚み方向一方側の片面と、厚み方向他方側の片面とでの、貫通孔の形成による開口度が概ね同一であるような本発明の多孔性接着シートを好適に製造することができる。
また、本発明の多孔性接着シートの製造方法においては、上記の製造方法で用いた線材が、該有機フィルムを形成する材料の軟化温度より10℃以上、好ましくは30℃以上高い軟化温度を有する有機材料で被覆されていてもよい。詳しく述べると、上記の線材含有フィルム形成工程の最初の操作において、線材をまず上記の軟化温度を有する有機材料で被覆した後、さらに該有機材料を上記と同様の本発明の多孔性接着シートの有機フィルムを形成する材料で被覆する。あとは上記と同様の一連の操作によって線材含有フィルムを形成した後、該線材含有フィルムから線材を除去する。これによって、上記の図2に示したような各貫通孔12の周囲を形成する有機材料層14を有する本発明の多孔性接着シート11を好適に製造することができる。
また本発明の製造方法は、上記の線材除去工程の前の段階において線材含有フィルムの少なくとも片面側の線材端部を該フィルム面から突出させる線材突出工程と、該線材突出工程で形成された線材の突出部分とフィルム面との段差を埋める易接着材料を形成する易接着材料形成工程とをさらに有していてもよい。線材突出工程は、たとえば有機フィルムの表面を形成する部分を適宜エッチングによって除去し線材を突出させてもよいし、あるいは線材含有有機フィルムから露出させた線材の端部をメッキすることによって線材を突出させてもよい。続く易接着材料層形成工程では、前記線材の突出部分とフィルム面との段差を易接着材料で埋めて、易接着材料層を形成する。該易接着材料層は、フィルム形成時において、上記のように有機フィルムの軟化温度より10℃〜30℃低い軟化温度を有する熱可塑性樹脂あるいは熱硬化性ポリマー、または有機フィルムの軟化温度より10℃以上低い溶融開始温度を有する熱硬化性オリゴマーよりなる。この易接着材料層形成工程の後、上記の線材除去工程において線材を除去すればよい。
ここで、上記の線材の突出部分とフィルム面との段差は、製造される多孔性接着フィルムの有機フィルムが接着可能な状態において、貫通孔が塞がれ得ないような長さに選ばれる。この段差が、上記の易接着材料層の厚みD3に相当する。この段差は、たとえば、各線材の前記断面形状が略合同な真円状である場合には、線材の直径の1%〜10%、好ましくは5%〜10%に選ばれる。これによって、線材が該有機フィルムの片面のみから突出して形成される場合には、上記の図3に示すような易接着材料層25aを有する本発明の多孔性接着シート21を好適に製造することができる。
ここで、上記したそれぞれの製造方法によって、図1〜図3にそれぞれ好ましい各例として示される本発明の多孔性接着シート1,11,21が好適に製造されるけれども、これらの各多孔性接着シート1,11,21を製造する方法は上記の各製造方法には限定されず、上記以外の製造方法によって製造されたものであってもよい。
以下に、本発明の多孔性接着シート付き半導体ウェハの製造方法を示す。
本発明の多孔性接着シート付き半導体ウェハの製造方法は、少なくともその片面に一または複数個の電極部を有する半導体ウェハの片面上に本発明の多孔性接着シートを接着する貼り合わせ工程と、多孔性接着シートの複数個の貫通孔のうち少なくとも半導体ウェハの電極部上に位置する各貫通孔に導電性材料を充填しかつ当該電極部と導電性材料とを接合する導通部形成工程とを有する。なお導通部形成工程には、上記導電性材料の充填の後、導電性材料が充填された貫通孔の電極部と接合される側とは反対側の端部にバンプを形成する工程が含まれる。このようにして導通部が形成される。
上記貼り合わせ工程を行う方法としては、特には限定されず、たとえば、オートクレーブ、プレスなどを用いた加熱、加圧によって行う従来公知の方法でよい。また導通部形成工程を行う方法も、特には限定されず、スクリーン印刷など従来公知の方法でよい。
本発明の多孔性接着シートとして、たとえば図1に示す多孔性接着シート1を用いた場合には図4の多孔性接着シート付き半導体ウェハ31が好適に製造され、図2に示す多孔性接着シート11を用いた場合には図5の多孔性接着シート付き半導体ウェハ41が好適に製造され、図3に示す多孔性接着シート21を用いた場合には図6の多孔性接着シート付き半導体ウェハ51が好適に製造される。
ここで、上記したそれぞれの製造方法によって、図4〜図6にそれぞれ好ましい各例として示される本発明の多孔性接着シート付き半導体ウェハ31,41,51が好適に製造されるけれども、これらの各多孔性接着シート付き半導体ウェハ31,41,51を製造する方法は上記の各製造方法には限定されず、上記以外の製造方法によって製造されたものであってもよい。
実施例
以下に実施例を挙げて本発明をさらに詳細に説明するが、これらは単なる例示であり、本発明は、これらにより何ら限定されるものではない。
実施例1
30μm径の銅よりなる線材を複数本含有し、該線材の周囲を有機材料層である5μm厚のポリアミドイミド樹脂(軟化温度:170℃)で形成した100μm厚のポリカルボジイミドフィルム(軟化温度:150℃)から、エッチングによって線材を除去して、本発明の多孔性接着シートを作製した。この多孔性接着シートを160℃で基板に接着したところ、接着前後で開口度は40%と不変であった。
なお、開口度はCCDカメラ付き顕微鏡によって画像を取り込み、コンピュータによる計算で求めた。また軟化温度は、TMA(熱機械分析)の引張モードにて10℃/minで昇温して測定したときの変曲点の温度から求めた。結果を表1に示す。
実施例2
18μm径の銅よりなる線材を複数本含有し、該線材の周囲を有機材料層である2μm厚のポリアミドイミド樹脂(軟化温度:170℃)で形成した50μm厚のポリカルボジイミドフィルム(軟化温度:150℃)から、エッチングによって線材を除去して、本発明の多孔性接着シートを作製した。この多孔性接着シートを160℃で基板に接着したところ、接着前後で開口度は60%と不変であった。結果を第1表に示す。
実施例3
80μm径の銅よりなる線材を複数本含有し、該線材の周囲を有機材料層である5μm厚のポリアミドイミド樹脂(軟化温度:170℃)で形成した150μm厚の接着性および絶縁性を有するポリカルボジイミドフィルム(軟化温度:150℃)から、エッチングによって線材を除去して、本発明の多孔性接着シートを作製した。この多孔性接着シートをオートクレーブによって190℃、1.96MPa(20kgf/cm2)の貼り付け条件で、半導体ウェハに貼り付けた。このときの多孔性接着シートの開口度は60%であった。
この多孔性接着シート付き半導体ウェハの電極部の上にある貫通孔にのみスクリーン印刷で半田を充填してバンプを有する導通部を形成した。このようにして作製された本発明の多孔性接着シート付き半導体ウェハを8mm角チップにダイシングし、基板に接続させたところ、導通率が100%であった。結果を第2表に示す。
実施例4
50μm径の銅よりなる線材を複数本含有し、該線材の周囲を有機材料層である3μm厚のポリアミドイミド樹脂(軟化温度:170℃)で形成した70μm厚の接着性および絶縁性を有するポリカルボジイミドフィルム(軟化温度:150℃)から、該有機フィルム表面のうち線材および有機材料層を除く部分をプラズマエッチングにより5μm除去し、線材を突出させた。これにビスフェノールA型エポキシ樹脂(Ep827)とメチルヘキサヒドロ無水フタル酸(NH−8210)とを重量1:1で混合した液状の未反応熱硬化性樹脂組成物を塗布し、その後100℃、30分加熱して、熱硬化性オリゴマー(溶融開始温度:120℃)よりなる5μm厚の易接着材料層を形成した。このフィルムから線材をアルカリエッチングによって除去して、本発明の多孔性接着シートを作製した。作製された接着シートの開口度は、40%であった。このような本発明の多孔性接着シートを、120℃、1.96MPa(20kgf/cm2)の貼り付け条件で、オートクレーブによって半導体ウェハに貼り付けた。
この多孔性接着シート付き半導体ウェハの電極部の上にある貫通孔にのみスクリーン印刷で半田を充填してバンプを有する導通部を形成した。このようにして作製された本発明の多孔性接着シート付き半導体ウェハを8mm角チップにダイシングし、基板に接着させたところ、導通率が100%であった。
接着後の開口度は40%であり、接着前後での開口度に変化はなかった。結果を第3表に示す。
比較例
100μm厚のポリイミドフィルムにレーザー加工によって、フィルム表側120μm、フィルム裏側60μm、平均90μm直径の貫通孔をあけた多孔性接着シートをオートクレーブによって半導体ウェハに貼り付けた。貼り付け後、実施例4と同様にフィルム表側にスクリーン印刷でバンプを有する導通部を形成した。
外観検査を行ったところ、バンプ間で接触している部分が認められた。
発明の効果
以上の説明で明らかなように、本発明によれば、多数の微細な貫通孔それぞれの形状が規則性を有し、かつ有機フィルムが接着可能な状態において該貫通孔が塞がりにくい多孔性接着シート、およびそれの好適な製造方法、ならびにベアチップ実装に好適な多孔性接着シート付き半導体ウェハ、およびその製造方法を提供することができる。
本出願は日本で出願された特願2000−005084、特願2000−243398を基礎としており、その内容は本明細書に全て包含するものとする。
【図面の簡単な説明】
図1は、本発明の好ましい一例の多孔性接着シート1を示す簡略化した断面図である。
図2は、本発明の好ましい一例の多孔性接着シート11を示す簡略化した断面図である。
図3は、本発明の好ましい一例の多孔性接着シート21を示す簡略化した断面図である。
図4は、本発明の好ましい一例の多孔性接着シート付き半導体ウェハ31を示す簡略化した断面図である。
図5は、本発明の好ましい一例の多孔性接着シート付き半導体ウェハ41を示す簡略化した断面図である。
図6は、本発明の好ましい一例の多孔性接着シート付き半導体ウェハ51を示す簡略化した断面図である。
Claims (13)
- 有機フィルムの厚み方向に互いに略平行に走る複数個の貫通孔を有する接着シートであって、各々の貫通孔はその一方の開口から他方の開口に至るまで径方向断面が略合同形であることを特徴とする多孔性接着シート。
- 貫通孔が、接着によってもその開口が維持されていることを特徴とする請求の範囲1に記載の多孔性接着シート。
- 有機フィルムの軟化温度より10℃以上高い軟化温度を有する有機材料層が前記貫通孔の周囲を形成していることを特徴とする請求の範囲1に記載の多孔性接着シート。
- 有機フィルムの有する各貫通孔の全部または一部と前記厚み方向に連通する複数個の連通孔を有する易接着材料層を当該有機フィルムの少なくとも片面に有し、該易接着材料層は、有機フィルムの軟化温度より10℃〜30℃低い軟化温度を有する熱可塑性樹脂または熱硬化性ポリマーからなり、且つ接着状態において有機フィルムの貫通孔が塞がれ得ないような厚みに選ばれることを特徴とする請求の範囲1または3に記載の多孔性接着シート。
- 有機フィルムの有する各貫通孔の全部または一部と前記厚み方向に連通する複数個の連通孔を有する易接着材料層を当該有機フィルムの少なくとも片面に有し、該易接着材料層は、有機フィルムの軟化温度より10℃以上低い溶融開始温度を有する熱硬化性オリゴマーからなり、且つ接着状態において有機フィルムの貫通孔が塞がれ得ないような厚みに選ばれることを特徴とする請求の範囲1または3に記載の多孔性接着シート。
- 少なくとも一部の貫通孔を導電性材料で充填した際に、各導電性材料が互いに絶縁されることを特徴とする請求の範囲1〜5のいずれかに記載の多孔性接着シート。
- 複数個の線材が互いに略平行にその厚み方向に概ね沿って貫通する接着性の有機フィルムを形成する線材含有フィルム形成工程、ならびに該有機フィルム中の線材を除去する線材除去工程を有することを特徴とする多孔性接着シートの製造方法。
- 線材が、該有機フィルムの軟化温度より10℃以上高い軟化温度を有する有機材料にて被覆されていることを特徴とする請求の範囲7に記載の多孔性接着シートの製造方法。
- 線材含有フィルムの少なくとも片面側の線材端部を該フィルム面から突出させる線材突出工程と、
当該有機フィルムの軟化温度より10℃〜30℃低い軟化温度を有する熱可塑性樹脂または熱硬化性ポリマーからなり、前記線材の突出部分とフィルム面との段差を埋める易接着材料層を形成する易接着材料層形成工程とを、前記線材含有フィルム形成工程と線材除去工程との間にさらに有することを特徴とする請求の範囲7または8に記載の多孔性接着シートの製造方法。 - 線材含有フィルムの少なくとも片面側の線材端部を該フィルム面から突出させる線材突出工程と、
当該有機フィルムの軟化温度より10℃以上低い溶融開始温度を有する熱硬化性オリゴマーからなり、前記線材の突出部分とフィルム面との段差を埋める易接着材料層形成工程とを、前記線材含有フィルム形成工程と線材除去工程との間にさらに有することを特徴とする請求の範囲7または8に記載の多孔性接着シートの製造方法。 - 線材が、互いに絶縁された状態である請求の範囲7〜10のいずれかに記載の多孔性接着シートの製造方法。
- 少なくともその片面に一または複数個の電極部を有する半導体ウェハと、該半導体ウェハの片面上に接着される請求の範囲6に記載の多孔性接着シートと、多孔性接着シートの半導体ウェハの電極部上に位置する各貫通孔に導電性材料が充填されて形成される各導通部とを備えることを特徴とする多孔性接着シート付き半導体ウェハ。
- 少なくともその片面に一または複数個の電極部を有する半導体ウェハの片面上に請求の範囲6に記載の多孔性接着シートを接着する貼り合わせ工程と、多孔性接着シートの半導体ウェハの電極部上に位置する各貫通孔に導電性材料を充填しかつ当該電極部と導電性材料とを接合する導通部形成工程とを有することを特徴とする多孔性接着シート付き半導体ウェハの製造方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000005084 | 2000-01-13 | ||
JP2000005084 | 2000-01-13 | ||
JP2000243398 | 2000-08-10 | ||
JP2000243398 | 2000-08-10 | ||
PCT/JP2000/005553 WO2001051580A1 (fr) | 2000-01-13 | 2000-08-18 | Feuille adhesive poreuse, plaquette a semi-conducteurs munie de la feuille adhesive poreuse, et procede de fabrication associe |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2001051580A1 true JPWO2001051580A1 (ja) | 2004-01-08 |
JP4113710B2 JP4113710B2 (ja) | 2008-07-09 |
Family
ID=26583469
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001551156A Expired - Fee Related JP4113710B2 (ja) | 2000-01-13 | 2000-08-18 | 多孔性接着シートおよびそれを用いた多孔性接着シート付き半導体ウェハ、ならびにそれらの製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6890617B1 (ja) |
EP (1) | EP1270694B1 (ja) |
JP (1) | JP4113710B2 (ja) |
KR (1) | KR20020069015A (ja) |
DE (1) | DE60031448T2 (ja) |
WO (1) | WO2001051580A1 (ja) |
Families Citing this family (20)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4049452B2 (ja) * | 1998-07-02 | 2008-02-20 | 日東電工株式会社 | 半導体素子用接着シートおよびそれを用いた半導体装置 |
JP2003260017A (ja) * | 2002-03-11 | 2003-09-16 | Lintec Corp | 有孔除塵マット |
-
2000
- 2000-08-18 WO PCT/JP2000/005553 patent/WO2001051580A1/ja active IP Right Grant
- 2000-08-18 KR KR1020027009088A patent/KR20020069015A/ko not_active Application Discontinuation
- 2000-08-18 US US10/181,020 patent/US6890617B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2000-08-18 DE DE60031448T patent/DE60031448T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2000-08-18 JP JP2001551156A patent/JP4113710B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2000-08-18 EP EP00953509A patent/EP1270694B1/en not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-08-27 US US10/648,322 patent/US7056406B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-12-06 US US11/003,731 patent/US20050153101A1/en not_active Abandoned
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4113710B2 (ja) | 2008-07-09 |
US7056406B2 (en) | 2006-06-06 |
DE60031448D1 (de) | 2006-11-30 |
WO2001051580A1 (fr) | 2001-07-19 |
EP1270694A4 (en) | 2004-11-10 |
US6890617B1 (en) | 2005-05-10 |
EP1270694A1 (en) | 2003-01-02 |
US20050074578A1 (en) | 2005-04-07 |
EP1270694B1 (en) | 2006-10-18 |
KR20020069015A (ko) | 2002-08-28 |
DE60031448T2 (de) | 2007-02-01 |
US20050153101A1 (en) | 2005-07-14 |
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A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
A521 | Request for written amendment filed |
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|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
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|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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