JPS62105379A - コネクタ装置 - Google Patents
コネクタ装置Info
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- JPS62105379A JPS62105379A JP60243909A JP24390985A JPS62105379A JP S62105379 A JPS62105379 A JP S62105379A JP 60243909 A JP60243909 A JP 60243909A JP 24390985 A JP24390985 A JP 24390985A JP S62105379 A JPS62105379 A JP S62105379A
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- JP
- Japan
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- insulating film
- connector device
- cavities
- cavity
- electrode
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- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R12/00—Structural associations of a plurality of mutually-insulated electrical connecting elements, specially adapted for printed circuits, e.g. printed circuit boards [PCB], flat or ribbon cables, or like generally planar structures, e.g. terminal strips, terminal blocks; Coupling devices specially adapted for printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures; Terminals specially adapted for contact with, or insertion into, printed circuits, flat or ribbon cables, or like generally planar structures
- H01R12/50—Fixed connections
- H01R12/51—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures
- H01R12/52—Fixed connections for rigid printed circuits or like structures connecting to other rigid printed circuits or like structures
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- H—ELECTRICITY
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- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
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- H01R13/03—Contact members characterised by the material, e.g. plating, or coating materials
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- H01R13/658—High frequency shielding arrangements, e.g. against EMI [Electro-Magnetic Interference] or EMP [Electro-Magnetic Pulse]
- H01R13/6581—Shield structure
- H01R13/6585—Shielding material individually surrounding or interposed between mutually spaced contacts
- H01R13/6586—Shielding material individually surrounding or interposed between mutually spaced contacts for separating multiple connector modules
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
- H01R4/00—Electrically-conductive connections between two or more conductive members in direct contact, i.e. touching one another; Means for effecting or maintaining such contact; Electrically-conductive connections having two or more spaced connecting locations for conductors and using contact members penetrating insulation
- H01R4/02—Soldered or welded connections
- H01R4/028—Soldered or welded connections comprising means for preventing flowing or wicking of solder or flux in parts not desired
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S439/00—Electrical connectors
- Y10S439/931—Conductive coating
Landscapes
- Connections Effected By Soldering, Adhesion, Or Permanent Deformation (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Details Of Connecting Devices For Male And Female Coupling (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は、配線基板間の電気的接続用のコネクタに係わ
り、特に大型計算機等で使用される基板に形成された高
密度・多芯電極を電気的に接続する高速パルス伝送に適
したコネクタ装置に関する。
り、特に大型計算機等で使用される基板に形成された高
密度・多芯電極を電気的に接続する高速パルス伝送に適
したコネクタ装置に関する。
大型計算機等の電子装置は装置のコンパクト化・高速化
が望まれ、これに伴い基板間を電気的に接続するコネク
タ装置は微細化・多芯化と共に高速パルス伝送特性の向
上が強く望まれている。従来のバネ接点を用いた機械式
コネクタ装置では、微細化が廻しく、かつ多芯化に従い
挿抜力が増大するという問題がある。この問題に対して
、アイ・ビー・エム テクニカル ディスクロジュアプ
ルテン（Ｉ Ｂ Ｍ Ｔｓｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌ
ｏｓｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ）１９巻１号（１９７６
−６） ｐｐ、 ３７２−３７４゜「フアプリケーショ
ン オブ マルチプローブミニチュア エレクトリカル
コネクタ」（”Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ
Ｍｕｌｔｉｐｒｏｂｅ ＭｉｎｉａｔｕｒｅＥｌｅｃ
ｔｒｉｃａｌ Ｃｏｎｎｅｃｔｏｒ” ）において、シ
リコン食刻技術による微細化の容易な低挿抜力のコネク
タ装置を提案している。第６図に、上記文献で提案して
いるコネクタ装置の断面を示す。第６図において、１は
リセプタクル板、２は低融点金属、３は突起電極、４は
突起電極形成基板、５はリセプタクル板１に形成された
八面体空洞である。リセプタクル板１は、錐状空洞が形
成されたシリコン板１ａおよび１ｂとを接合して構成さ
れる。対向する突起型Ｖｉ３は八面体空洞５に充填され
た低融点金属２を通じて電気的に接続される。
が望まれ、これに伴い基板間を電気的に接続するコネク
タ装置は微細化・多芯化と共に高速パルス伝送特性の向
上が強く望まれている。従来のバネ接点を用いた機械式
コネクタ装置では、微細化が廻しく、かつ多芯化に従い
挿抜力が増大するという問題がある。この問題に対して
、アイ・ビー・エム テクニカル ディスクロジュアプ
ルテン（Ｉ Ｂ Ｍ Ｔｓｃｈｎｉｃａｌ Ｄｉｓｃｌ
ｏｓｕｒｅ Ｂｕｌｌｅｔｉｎ）１９巻１号（１９７６
−６） ｐｐ、 ３７２−３７４゜「フアプリケーショ
ン オブ マルチプローブミニチュア エレクトリカル
コネクタ」（”Ｆａｂｒｉｃａｔｉｏｎ ｏｆ
Ｍｕｌｔｉｐｒｏｂｅ ＭｉｎｉａｔｕｒｅＥｌｅｃ
ｔｒｉｃａｌ Ｃｏｎｎｅｃｔｏｒ” ）において、シ
リコン食刻技術による微細化の容易な低挿抜力のコネク
タ装置を提案している。第６図に、上記文献で提案して
いるコネクタ装置の断面を示す。第６図において、１は
リセプタクル板、２は低融点金属、３は突起電極、４は
突起電極形成基板、５はリセプタクル板１に形成された
八面体空洞である。リセプタクル板１は、錐状空洞が形
成されたシリコン板１ａおよび１ｂとを接合して構成さ
れる。対向する突起型Ｖｉ３は八面体空洞５に充填され
た低融点金属２を通じて電気的に接続される。
この従来例は、極低温で使う場合を除き、高速ら
パルス伝送では問題になる。即ち、第２図においで、シ
リコンでなるリセプタクル板１は極低温でない限り導電
性であるため、リセプタクル板１と２〜３で構成される
電極とを電気的に絶縁するために、空洞５の内壁に絶縁
膜が必要である。このとき、２〜３で構成される電極間
の電気容量Ｃは、空洞５の内壁に構成された絶縁膜の誘
電率をε、厚さをｔ、２〜３で構成される電極と絶縁膜
とが接する面積をＳとすると、概略的に と示される。２〜３で構成される電極同士が離れでいて
も、電極間には導電性のりセプタクル板１を挟んだコン
デンサが形成されるため、２〜３で構成される電極間の
電気容量が大きくなり１反射ノイズ、遅延時間、および
クロストークノイズが増大するという問題が起きる。さ
らに、反射ノイズ、クロストークノイズは、扱うパルス
信号の立ち上がり（あるいは立ち下がり）時間に反比例
するので、これらのノイズを許容値以上に押さえて使用
するためには、あまり高速のパルスは扱えないという問
題がある。
リコンでなるリセプタクル板１は極低温でない限り導電
性であるため、リセプタクル板１と２〜３で構成される
電極とを電気的に絶縁するために、空洞５の内壁に絶縁
膜が必要である。このとき、２〜３で構成される電極間
の電気容量Ｃは、空洞５の内壁に構成された絶縁膜の誘
電率をε、厚さをｔ、２〜３で構成される電極と絶縁膜
とが接する面積をＳとすると、概略的に と示される。２〜３で構成される電極同士が離れでいて
も、電極間には導電性のりセプタクル板１を挟んだコン
デンサが形成されるため、２〜３で構成される電極間の
電気容量が大きくなり１反射ノイズ、遅延時間、および
クロストークノイズが増大するという問題が起きる。さ
らに、反射ノイズ、クロストークノイズは、扱うパルス
信号の立ち上がり（あるいは立ち下がり）時間に反比例
するので、これらのノイズを許容値以上に押さえて使用
するためには、あまり高速のパルスは扱えないという問
題がある。
本発明の目的は、上記のような従来技術の欠点を解消し
、特に高速パルス伝送特性の良好な低挿抜力の高密度・
多芯コネクタ装置を提供することにある。
、特に高速パルス伝送特性の良好な低挿抜力の高密度・
多芯コネクタ装置を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明によるコネクタ装
置は、リセプタクル板に形成された空洞の中に低融点金
属を充填し、該低融点金属の温度変化による固体化・液
体化の状態変化現象を利用して低挿抜力で電極と電極と
を電気的に接続するコネクタ装置において、信号電極間
、および信号電極と他の電極間の電気容量を小さくする
ために、前記空洞の内壁に、グランド電極部では何等処
理しないか直接導電性膜を形成し、信号電極部では厚い
絶縁膜を形成して反射ノイズ、クロストークノイズ、Ｊ
Ｅよび遅延時間を減少させ、あるいはさらにグランド電
極と電源電極間の電気容量を大きくするために、電源電
極部の空洞内壁に薄い絶縁膜または強誘電体絶縁膜を形
成あるいはさらにこの膜上に導電性膜を形成することに
よって、基板への電源の安定供給を行なうようにした。
置は、リセプタクル板に形成された空洞の中に低融点金
属を充填し、該低融点金属の温度変化による固体化・液
体化の状態変化現象を利用して低挿抜力で電極と電極と
を電気的に接続するコネクタ装置において、信号電極間
、および信号電極と他の電極間の電気容量を小さくする
ために、前記空洞の内壁に、グランド電極部では何等処
理しないか直接導電性膜を形成し、信号電極部では厚い
絶縁膜を形成して反射ノイズ、クロストークノイズ、Ｊ
Ｅよび遅延時間を減少させ、あるいはさらにグランド電
極と電源電極間の電気容量を大きくするために、電源電
極部の空洞内壁に薄い絶縁膜または強誘電体絶縁膜を形
成あるいはさらにこの膜上に導電性膜を形成することに
よって、基板への電源の安定供給を行なうようにした。
以下、太発明の一実施例を説明する。第１図。
第２図および第３図は、本発明の実施例である（いずれ
も、突起電極および突起電極形成基板は示省略）。
も、突起電極および突起電極形成基板は示省略）。
第１図において、Ｇはグランド電極、Ｓは信号電極であ
り、また、６は導電性膜、７は酸化絶縁膜である。本実
施例において、導電性膜６は、Ｐｔ、Ａｕ等を蒸着、無
電解メッキあるいは無電解メッキと電解メッキとの組み
合わせ等の方法で形成される。導電性膜６をリセプタク
ル板１の空洞内壁に直接形成したため、低融点金属２と
導電性膜６とは濡れ性が良いことから、グランド電極Ｇ
とリセプタクル板Ｊ、どの電気的接続が確実になり、リ
セプタクル板１全体をグランド電極Ｇと同電位にすると
共に、信号型＃＠Ｓ間の電気容量をリセプタクル板〕−
全体の遮蔽効果によって小さくシ２ている。また、酸化
絶縁膜７は、上記導電性膜６を形成した後にリセプタク
ル板】を高温熱処理すると、導電性膜６が形成されてい
ない部分に形成される。このとき、前記高温熱処理を十
分な時間だけ行なって酸化絶縁Ｉ！Ｉ７の厚さを数μｍ
以−トとして、信号電極Ｓの電気容量を０゜数ｐ、 Ｆ
以Ｆにすることが可能である。従って、本実施例にＪ、
れば、本発明の目的である高速パルス伝送特性を良好に
すること、例えばパルス信号の立も上がり（あるいは立
ち下がり）時間が数百ｐｓ以下の高速パルスでも反射ノ
イズ及びクロストークノイズを十分に小さくするのに効
果がある。
り、また、６は導電性膜、７は酸化絶縁膜である。本実
施例において、導電性膜６は、Ｐｔ、Ａｕ等を蒸着、無
電解メッキあるいは無電解メッキと電解メッキとの組み
合わせ等の方法で形成される。導電性膜６をリセプタク
ル板１の空洞内壁に直接形成したため、低融点金属２と
導電性膜６とは濡れ性が良いことから、グランド電極Ｇ
とリセプタクル板Ｊ、どの電気的接続が確実になり、リ
セプタクル板１全体をグランド電極Ｇと同電位にすると
共に、信号型＃＠Ｓ間の電気容量をリセプタクル板〕−
全体の遮蔽効果によって小さくシ２ている。また、酸化
絶縁膜７は、上記導電性膜６を形成した後にリセプタク
ル板】を高温熱処理すると、導電性膜６が形成されてい
ない部分に形成される。このとき、前記高温熱処理を十
分な時間だけ行なって酸化絶縁Ｉ！Ｉ７の厚さを数μｍ
以−トとして、信号電極Ｓの電気容量を０゜数ｐ、 Ｆ
以Ｆにすることが可能である。従って、本実施例にＪ、
れば、本発明の目的である高速パルス伝送特性を良好に
すること、例えばパルス信号の立も上がり（あるいは立
ち下がり）時間が数百ｐｓ以下の高速パルスでも反射ノ
イズ及びクロストークノイズを十分に小さくするのに効
果がある。
第２図は、第１図における酸化絶縁膜７を他の絶縁膜に
した本発明の他の実施例である８第２図において、８は
高分子絶縁膜であり、マスク蒸着によって形成される。
した本発明の他の実施例である８第２図において、８は
高分子絶縁膜であり、マスク蒸着によって形成される。
第２図における他の記号の意味は、第２図における記号
の意味と同様である。
の意味と同様である。
高分子絶縁膜８は容易に数十μｍの厚さにすることがで
きるため、第１図に示した実施例に比べて、さらに優れ
た高速パルス伝送特性を実現できる。
きるため、第１図に示した実施例に比べて、さらに優れ
た高速パルス伝送特性を実現できる。
第３図は、本発明のさらに他の実施例である。
第１図および第２図においては、一方の突起電極形成基
板から他方の突起電極形成基板への電源供給はコネクタ
装置とは別の系統を用いて行なうことにしているが、第
３図においては、一方の突起電極形成基板から他方の突
起電極形成基板への電源供給をコネクタ装置で行なうこ
とにしている。
板から他方の突起電極形成基板への電源供給はコネクタ
装置とは別の系統を用いて行なうことにしているが、第
３図においては、一方の突起電極形成基板から他方の突
起電極形成基板への電源供給をコネクタ装置で行なうこ
とにしている。
第３図においで、■は電源電極、９は強誘電体絶縁膜で
あり、他の記号の意味は、第１図における記号の意味と
同様である。本実施例において、グランド電極Ｇおよび
信号電極１こおｌ′ｊるリセプタクル板１の空洞内壁の
処理は第１図と同様である。
あり、他の記号の意味は、第１図における記号の意味と
同様である。本実施例において、グランド電極Ｇおよび
信号電極１こおｌ′ｊるリセプタクル板１の空洞内壁の
処理は第１図と同様である。
強誘電体絶縁膜９は、酸化絶縁膜７を形成する前に、チ
タン酸鉛等の強誘電体をスパッタリング等の方法を用い
て形成される。導電性膜１０は、ｐｔ、、Ａｕ等を蒸着
等の方法を用いて形成される、電源電極■およびグラン
ド電極Ｇは、それ自身インダクタンスを有するため、こ
れらの電極を流れる電流が大きくかつ急激に変化すると
２電源電極Ｖとグランド電極０間には電流が変化しでい
る期間だけ電位変動が生じる。こ苛電位変動を十分小さ
く押さえて突起電極形成基板に安定な＠源供給をするた
めには、ｉｔ源電極Ｖとグランド電極０間の電気容量を
十分大きくすることが必要である。
タン酸鉛等の強誘電体をスパッタリング等の方法を用い
て形成される。導電性膜１０は、ｐｔ、、Ａｕ等を蒸着
等の方法を用いて形成される、電源電極■およびグラン
ド電極Ｇは、それ自身インダクタンスを有するため、こ
れらの電極を流れる電流が大きくかつ急激に変化すると
２電源電極Ｖとグランド電極０間には電流が変化しでい
る期間だけ電位変動が生じる。こ苛電位変動を十分小さ
く押さえて突起電極形成基板に安定な＠源供給をするた
めには、ｉｔ源電極Ｖとグランド電極０間の電気容量を
十分大きくすることが必要である。
本実施例では、導電性膜】０を強誘電体絶縁ＩＸ’Ｊ９
上に形成するので、導電性Ｎ％ １． Ｏどリセプタク
ル板１との間にコンデンサが形成され、電源電極■とグ
ランド電極０間の電気容量を容易に数千１） Ｆ以上に
することが可能である。このため本実施例によれば２安
定な電源供給ができる。、第３図にｊ３いで、強誘電体
絶縁膜９を、電源電圧による絶縁破壊が起こらない範囲
で可能な限り薄い１例えば０、数μｍ程度の酸化絶縁膜
と４ることも可能である。このような薄い酸化絶縁膜は
高温熱処理を短時間行なう、二とによって形成される６
また。第３図において、酸化絶縁膜７を高分子絶縁膜、
あるいは酸化絶縁膜と高分子絶縁膜とを重ねｌｉｙ ｔ
、ｌＵ：た構造とすることも可能である。
上に形成するので、導電性Ｎ％ １． Ｏどリセプタク
ル板１との間にコンデンサが形成され、電源電極■とグ
ランド電極０間の電気容量を容易に数千１） Ｆ以上に
することが可能である。このため本実施例によれば２安
定な電源供給ができる。、第３図にｊ３いで、強誘電体
絶縁膜９を、電源電圧による絶縁破壊が起こらない範囲
で可能な限り薄い１例えば０、数μｍ程度の酸化絶縁膜
と４ることも可能である。このような薄い酸化絶縁膜は
高温熱処理を短時間行なう、二とによって形成される６
また。第３図において、酸化絶縁膜７を高分子絶縁膜、
あるいは酸化絶縁膜と高分子絶縁膜とを重ねｌｉｙ ｔ
、ｌＵ：た構造とすることも可能である。
第４図および第５図は、第１図におけるリセプタクル板
１の空洞５の形状が他の形状である場合に本発明を実施
した例である。第４図および第５図における記号の意味
は、第１図における記号の意味と同様である（突起電極
および突起電極形成基板は示省略）。第４図および第５
図に示したこれらの実施例において、グランド電極Ｇ及
び信号電極Ｓにおけるリセプタクル板１の空洞内壁の処
理は第１図と同様である。また、信号電極Ｓの構造は、
第２図と同様にすることも可能である。さらに、第３図
に示したような電源電極を構成することも可能である。
１の空洞５の形状が他の形状である場合に本発明を実施
した例である。第４図および第５図における記号の意味
は、第１図における記号の意味と同様である（突起電極
および突起電極形成基板は示省略）。第４図および第５
図に示したこれらの実施例において、グランド電極Ｇ及
び信号電極Ｓにおけるリセプタクル板１の空洞内壁の処
理は第１図と同様である。また、信号電極Ｓの構造は、
第２図と同様にすることも可能である。さらに、第３図
に示したような電源電極を構成することも可能である。
以上述べたように、本発明によれば高速パルス伝送特性
を改善できる。
を改善できる。
第１図、第２図、第３図は本発明の一実施例を示す断面
図、第４図、第５図は本発明の他の実施例を示す断面図
、第６図は従来のコネクタ装置を示す断面図である。 １・・・リセプタクル板、ｌａ、ｌｂ・・・錐状空洞が
形成されたシリコン板、ＩＣ・・・筒状空洞が形成され
たシリコン板、２・・・低融点金属、３・・・突起電極
、４・・・突起電極形成基板、５・・・空洞、６，１０
・・・導電性膜、７・・・酸化絶縁膜、８・・・高分子
絶ａ膜、９・・・強誘電体絶縁膜、Ｇ・・・グランド電
極、Ｓ・・・信号電極、■・・・電源電極。 第 ｌ 閉 ｑ Ｓ 単 ２ ■ 早 ４ 口
図、第４図、第５図は本発明の他の実施例を示す断面図
、第６図は従来のコネクタ装置を示す断面図である。 １・・・リセプタクル板、ｌａ、ｌｂ・・・錐状空洞が
形成されたシリコン板、ＩＣ・・・筒状空洞が形成され
たシリコン板、２・・・低融点金属、３・・・突起電極
、４・・・突起電極形成基板、５・・・空洞、６，１０
・・・導電性膜、７・・・酸化絶縁膜、８・・・高分子
絶ａ膜、９・・・強誘電体絶縁膜、Ｇ・・・グランド電
極、Ｓ・・・信号電極、■・・・電源電極。 第 ｌ 閉 ｑ Ｓ 単 ２ ■ 早 ４ 口
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、リセプタクル板に形成された空洞の中に低融点金属
を充填し、該低融点金属の温度変化による固体化・液体
化の状態変化現象を利用して挿抜可能にして、電極と電
極とを電気的に接続するコネクタ装置において、一部の
空洞内壁には絶縁膜を形成し、他の空洞内壁には絶縁膜
を形成しないことを特徴とするコネクタ装置。 ２、上記特許請求の範囲第１項のコネクタ装置において
、絶縁膜の形成されてない空洞内壁に導電性膜を形成し
たことを特徴とするコネクタ装置。 ３、上記特許請求の範囲第１項のコネクタ装置において
、絶縁膜を有する空洞のうちの一部の空洞について、該
絶縁膜を薄く形成したことを特徴とするコネクタ装置。 ４、上記特許請求の範囲第２項のコネクタ装置において
、絶縁膜を有する空洞のうちの一部の空洞について、該
絶縁膜を薄く形成したことを特徴とするコネクタ装置。 ５、上記特許請求の範囲第１項のコネクタ装置において
、絶縁膜を有する空洞のうちの一部の空洞について、該
絶縁膜を薄くしてさらに表面に導電性膜を形成したこと
を特徴とするコネクタ装置。 ６、上記特許請求の範囲第２項のコネクタ装置において
、絶縁膜を有する空洞のうちの一部の空洞について、該
絶縁膜を薄くしてさらに表面に導電性膜を形成したこと
を特徴とするコネクタ装置。 ７、上記特許請求の範囲第１項のコネクタ装置において
、絶縁膜を有する空洞のうちの一部の空洞について、該
絶縁膜の材質を強誘電体にしたことを特徴とするコネク
タ装置。 ８、上記特許請求の範囲第２項のコネクタ装置において
、絶縁膜を有する空洞のうちの一部の空洞について、該
絶縁膜の材質を強誘電体にしたことを特徴とするコネク
タ装置。 ９、上記特許請求の範囲第１項のコネクタ装置において
、絶縁膜を有する空洞のうちの一部の空洞について、該
絶縁膜の材質を強誘電体にしてさらに表面に導電性膜を
形成したことを特徴とするコネクタ装置。 １０、上記特許請求の範囲第２項のコネクタ装置におい
て、絶縁膜を有する空洞のうちの一部の空洞について、
該絶縁膜の材質を強誘電体にしてさらに表面に導電性膜
を形成したことを特徴とするコネクタ装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60243909A JPS62105379A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | コネクタ装置 |
| US06/925,904 US4806111A (en) | 1985-11-01 | 1986-11-03 | Connector structure |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60243909A JPS62105379A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | コネクタ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62105379A true JPS62105379A (ja) | 1987-05-15 |
Family
ID=17110807
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60243909A Pending JPS62105379A (ja) | 1985-11-01 | 1985-11-01 | コネクタ装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4806111A (ja) |
| JP (1) | JPS62105379A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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