JPH03241851A - 半導体装置用保存治具 - Google Patents

半導体装置用保存治具

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JPH03241851A
JPH03241851A JP2039284A JP3928490A JPH03241851A JP H03241851 A JPH03241851 A JP H03241851A JP 2039284 A JP2039284 A JP 2039284A JP 3928490 A JP3928490 A JP 3928490A JP H03241851 A JPH03241851 A JP H03241851A
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JP
Japan
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conductive material
melting point
container
recess
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JP2039284A
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Inventor
Tatsuya Hashinaga
達也 橋長
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Sumitomo Electric Industries Ltd
Original Assignee
Sumitomo Electric Industries Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体装置を保存するための治具に関する。
〔従来の技術〕
集積回路素子、いわゆるICを保存しておいたりまたは
信頼性試験、高温試験したりする際、ICの外部端子(
足)が金属板上に直に接触するように置いたり、または
プラスチックのマガジン治具を用いて、ICの足が宙に
浮いた状態に保持し保存していた。また、ICの多足を
地絡させる場合には、ICソケットを用いて地絡させて
いた。
〔発明が解決しようとする課題〕
ICは、静電気に弱い。静電気は高電圧であるため、は
んの僅なものであっても、IC内部の素子が破壊されて
しまう。そこで、ICの多足をアースしておく必要があ
るが、ICの多足を全てアースしておく方法としては、
先に述べたようにICソケットを用いる以外にはなかっ
た。しかし、ICソケットは、それを構成する材料の融
点(約308℃)以上では使用できず、その結果、アー
スをした状態で、高温保存又は高温試験をすることがで
きなかった。
本発明は上記問題点を解決し、高温下でもア−スした状
態で半導体装置を保存できる半導体装置保存用治具を提
供することを目的とする。
〔3Bを解決するための手段〕 本発明の半導体装置保存用治具は、第1の融点を有する
材料から構成され、凹部を有する容器と、第1の融点よ
り低い第2の融点を有する金属から構成され、容器の凹
部内に満たされた導電材と、導電材に電気的に接続され
、導電材を地絡させるための手段とを備えたことを特徴
とする。
〔作用〕
本発明の半導体装置用保存治具では、容器に対して融点
の低い導電材料が容器内に設けられている。そして、あ
る温度以上では、容器内の導電材料のみが液相となり、
一方容器自身は固相状態を保つため、内部に導電材料を
溜めた状態になる。
そしてこの容器内に半導体装置を入れると、その外部端
子である足が全て、液相状態にある導電材料に浸り、導
電材料をアース端子部を介して地絡させておけば、全て
の足が地絡した状態になる。
このため、導電材料が液相となる温度であって、容器の
融点以下の高温で、地絡した状態での保存ができる。
〔実施例〕
以下図面を参照しつつ本発明に従う実施例について説明
する。
同一符号を付した要素は同一機能を有するため重複する
説明は省略する。
第1図は本発明に従う一実施例である半導体装置用保存
治具内にICを保存した状態の斜視外観を示す。
第1図に示すように、アルミニュームで構成された直方
体形状の容器1内にガリウムで構成される金属材料2が
注入され、その中にIC4が、その足4aを金属材料2
内に差し込んだ状態で載置されている。そして、容器1
の外側面には、地絡するためのアース端子3が設けられ
ている。
ここで、ガリウムの融点が29.78℃であり、アルミ
ニュームの融点が660℃である為、この容器1を、例
えば40℃の環境下に置くと、容器1のアルミニューム
は固相のまま保持されるが、導電材料2のガリウムは液
相となり、その上に置かれたIC4の足4aは、ガリウ
ムの液相内に浸り、全ての足が、導電材料2に接触した
状態となる。そして、この導電材料2は、容器1及び外
部端子3を介して地絡されているので、IC4の足4a
は全て地絡された状態となる。したがって、この状態で
静電気等の高電圧がIC4のいずれかの足4aに作用し
たとしても、全て地絡し、IC4内部の集積回路等は破
壊されない。
次に、上記実施例の半導体装置用保存治具を用いて高温
試験をする場合について説明する。
第2図は、上記実施例の治具を高温試験装置5内にいれ
た状態を示す。この高温試験装置5内では約350℃の
高温環境が維持されている。この場合、治具の容器の材
料の融点a1環境温度す及び導電材料の融点C間の関係
は以下のような条件を満足している必要がある。
a>b>c 上記条件を満足する材料の組み合わせとしては、容器の
材料としてアルミニューム、鉄、銅等を用い、導電材料
として、カリウム、ガリウム、セシウム等を用いる組み
合わせがある。
そして、導電材料を地絡させるアース端子3は接地され
ている。
本発明は上記実施例に限定されず種々の変形例が考えら
れ得る。
具体的には、上記実施例では、容器の形状が直方体とし
ているが、内部の導電材料を保持できるものであれば、
どの様な形状でもよい。また、容器の内側底面にIC等
の外部端子が嵌まり込むような窪みを設け、IC等が移
動しないようにしておいてもよい。また、複数のIC等
を収容するような大きさにしておいてもよい。
また更に、上記実施例ではICとしてDIPタイプのも
のを使用して説明したが、これに限定されず、種々のタ
イプのIC5LSIに使用することができる。また、更
に容器の材料及び導電材料についても上記実施例に示し
た材料以外の組み合わせであって、上記条件式を満足し
たものであればどの様な材料を使用してもよい。
また更に、上記実施例では地絡用のアース端子を容器に
設けているが、この様なアース端子は、外側から導電材
料に接触するように設けることができれば固定しなくて
もよい。また更に、容器の材料が導電性であれば、その
ものをアース端子としてもよい。
〔発明の効果〕
本発明の半導体装置用保存治具では、先に説明したよう
に、内部に保存する半導体装置の外部端子の電位を同電
位に保つことができる。また、その容器の材料を選ぶこ
とにより、高温環境下での保存・試験が可能となる。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明に従う半導体装置用保存治具の外観図及
び第2図は第1図に示す保存用治具を高温試験装置に入
れた状態を示す図である。 1・・・容器、2・・・導電材料、3・・・アース端子
、4・・・IC。 沫R追↓ 第1図

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 第1の融点を有する材料から構成され、凹部を有する容
    器と、 前記第1の融点より低い第2の融点を有する金属から構
    成され、前記容器の凹部内に満たされた導電材と、 前記導電材に電気的に接続され、前記導電材を地絡する
    ための手段とを備えた半導体装置用保存治具。
JP2039284A 1990-02-20 1990-02-20 半導体装置用保存治具 Pending JPH03241851A (ja)

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AU71009/91A AU650251B2 (en) 1990-02-20 1991-02-12 Semiconductor device storage jig
KR1019910002737A KR950000100B1 (ko) 1990-02-20 1991-02-20 반도체장치용 보존지그
US07/657,858 US5245276A (en) 1990-02-20 1991-02-20 Semiconductor device storage jig
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EP0443546A3 (en) 1992-01-15
AU7100991A (en) 1991-08-22
KR920000121A (ko) 1992-01-10
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