JPS6363588A - リ−ドフレ−ム取付方法 - Google Patents
リ−ドフレ−ム取付方法Info
- Publication number
- JPS6363588A JPS6363588A JP61209875A JP20987586A JPS6363588A JP S6363588 A JPS6363588 A JP S6363588A JP 61209875 A JP61209875 A JP 61209875A JP 20987586 A JP20987586 A JP 20987586A JP S6363588 A JPS6363588 A JP S6363588A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- lead frame
- ceramic substrate
- welding
- case
- chip
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 24
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Landscapes
- Laser Beam Processing (AREA)
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は一端部をセラミック基板に、他端部を鉄系の端
子に接合するリードフレームの取付方法に関する。
子に接合するリードフレームの取付方法に関する。
従来の技術
第４図、第５図は従来のリードフレームの取付方法を示
している。これらの図において、リードフレーム４の下
端部４ｂをセラミック基板３に、上端部４ａを鉄系の端
子５にそれぞれ取付ける場合には、まず第４図に示すよ
うにセラミンク基板２ ペー７ ３の上にリードフレーム４を定置し、専用治具によシ位
置決め保持した状態で、ハング２によシリードフレーム
の下端部４１）とセラミック基板３とを接合し、次にセ
ラミック基板３をケース６に組み込んだ後、ケース６に
設けられた鉄系の端子５とリードフレームの上端部４ａ
とを抵抗溶接機の電極７によシ溶接していた。
している。これらの図において、リードフレーム４の下
端部４ｂをセラミック基板３に、上端部４ａを鉄系の端
子５にそれぞれ取付ける場合には、まず第４図に示すよ
うにセラミンク基板２ ペー７ ３の上にリードフレーム４を定置し、専用治具によシ位
置決め保持した状態で、ハング２によシリードフレーム
の下端部４１）とセラミック基板３とを接合し、次にセ
ラミック基板３をケース６に組み込んだ後、ケース６に
設けられた鉄系の端子５とリードフレームの上端部４ａ
とを抵抗溶接機の電極７によシ溶接していた。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、従来の半田付と抵抗溶接による方法では
、まず抵抗溶接における溶接条件の設定および管理が難
しく、また溶接電極の寿命が短かいなどによって品質が
不安定であるとともに、コストアップとなっていた。さ
らに、セラミック基板との半田付けにおいても治具で保
持した状態で炉の中を通してリフロー半田付するため、
治具が高価になるばかシでなく、リフロー炉の大型化や
治具の洗浄装置を必要とするなど設備投資が高価になっ
てしまうという問題もあった。
、まず抵抗溶接における溶接条件の設定および管理が難
しく、また溶接電極の寿命が短かいなどによって品質が
不安定であるとともに、コストアップとなっていた。さ
らに、セラミック基板との半田付けにおいても治具で保
持した状態で炉の中を通してリフロー半田付するため、
治具が高価になるばかシでなく、リフロー炉の大型化や
治具の洗浄装置を必要とするなど設備投資が高価になっ
てしまうという問題もあった。
本発明は、このような従来の問題点を解決するものであ
り、製造工程における条件の設定や管理３ハーフ の手間を軽減するとともに、安定した品質が確保できる
リードフレームの取付方法を提供することを目的とする
ものである。
り、製造工程における条件の設定や管理３ハーフ の手間を軽減するとともに、安定した品質が確保できる
リードフレームの取付方法を提供することを目的とする
ものである。
問題点を解決するための手段
本発明は上記目的を達成するために、リードフレームの
一端部とケースなどに設けられた鉄系の端子との接合に
は溶接時のスプラツシーを発生させないレーザ溶接工法
を用いるとともに、リードフレームの他端部とセラミッ
ク基板との接合も溶接用チップを介してレーザ溶接工法
によって取付けるようにしたことを特徴とする。
一端部とケースなどに設けられた鉄系の端子との接合に
は溶接時のスプラツシーを発生させないレーザ溶接工法
を用いるとともに、リードフレームの他端部とセラミッ
ク基板との接合も溶接用チップを介してレーザ溶接工法
によって取付けるようにしたことを特徴とする。
作 用
上記構成によれば、従来の半田付と抵抗溶接に代えて、
リードフレームの両端部ともレーザ溶接で取付けるので
、製造工程における条件の設定や管理が容易になるとと
もに、工程の集中集約化および自動化も可能となる。
リードフレームの両端部ともレーザ溶接で取付けるので
、製造工程における条件の設定や管理が容易になるとと
もに、工程の集中集約化および自動化も可能となる。
実施例
以下、本発明の好ましい一実施例を第１図ないし第３図
によシ説明する。
によシ説明する。
第１図、第２図はリードフレームの一端部をセラミック
基板に取付ける工程を示し、第３図はリードフレームの
他端部をケースの端子に取付ける工程を示したものであ
る。これらの図において、３はセラミック基板、４はリ
ードフレーム、５はケースに設けられた鉄系の端子であ
る。まずリードフレーム４の下端部４ｂをセラミック基
板３に取付ける場合には、第１図に示す如く溶接用チッ
プ１をセラミック基板３の定位置に取付けた後、第２図
に示すように前記チップ１の上にリードフレーム４の下
端部４ｂを当接して重ねた状態でレーザ光線８を照射し
て溶接することによシ、セラミック基板３の定位置にチ
ップ１を介して接合する。この場合、前記チップ１は、
一般の電子部品の角チップと同様に接合面にあらかじめ
予備ハンダまたはメッキによってハンダ層を設けておき
、加熱電極の押当て、または通電によるジュール熱でハ
ンダ２を溶融させて接合する、いわゆるリフロー工法に
よってセラミック基板３に固定する。
基板に取付ける工程を示し、第３図はリードフレームの
他端部をケースの端子に取付ける工程を示したものであ
る。これらの図において、３はセラミック基板、４はリ
ードフレーム、５はケースに設けられた鉄系の端子であ
る。まずリードフレーム４の下端部４ｂをセラミック基
板３に取付ける場合には、第１図に示す如く溶接用チッ
プ１をセラミック基板３の定位置に取付けた後、第２図
に示すように前記チップ１の上にリードフレーム４の下
端部４ｂを当接して重ねた状態でレーザ光線８を照射し
て溶接することによシ、セラミック基板３の定位置にチ
ップ１を介して接合する。この場合、前記チップ１は、
一般の電子部品の角チップと同様に接合面にあらかじめ
予備ハンダまたはメッキによってハンダ層を設けておき
、加熱電極の押当て、または通電によるジュール熱でハ
ンダ２を溶融させて接合する、いわゆるリフロー工法に
よってセラミック基板３に固定する。
また、前記レーザ溶接の場合には、発振波長が短５へ−
７ く、短時間パルスが容易に得られるＮｄ：ＹＡＧレーザ
などを使用することによって、基板に損傷を与えること
なく容易に溶接可能となる。
７ く、短時間パルスが容易に得られるＮｄ：ＹＡＧレーザ
などを使用することによって、基板に損傷を与えること
なく容易に溶接可能となる。
次に、第３図に示すようにケース６内にセラミック基板
３を配置した後、ケース６の上部内壁に設けられた鉄系
の端子５にリードフレーム４の上端部４ａをレーザ溶接
する。この場合、レーザ光線８を同図に示す方向から照
射すれは、局部加熱によってリードフレーム４の上端部
４ａと端子５とが確実に接合される。
３を配置した後、ケース６の上部内壁に設けられた鉄系
の端子５にリードフレーム４の上端部４ａをレーザ溶接
する。この場合、レーザ光線８を同図に示す方向から照
射すれは、局部加熱によってリードフレーム４の上端部
４ａと端子５とが確実に接合される。
発明の詳細
な説明したように、本発明によれば、リードフレームの
両端部ともレーザ溶接で取付けるため、溶接工程におけ
る条件の設定や管理が容易となシ、工程が安定し、取付
品質の向上を図ることができる。
両端部ともレーザ溶接で取付けるため、溶接工程におけ
る条件の設定や管理が容易となシ、工程が安定し、取付
品質の向上を図ることができる。
第１図、第２図、第３図は本発明の一実施例を示したも
ので、第１図はセラミック基板に取付けられた溶接用チ
ップを示す側面図、第２図はり−６”−； ドフレームの下端部における取付方法を示す側面図、第
３図はリードフレームの上端部における取付方法を示す
側面図、第４図、第５図はリードフレーム取付方法の従
来例を示したもので、第４図はリードフレームの下端部
における取付方法を示す側面図、第５図はリードフレー
ムの上端部における取付方法を示す側面図である。 １・・・・・・溶接用チップ、２・・・・・・ハンダ、
３・・・・・・セラミック基板、４・・・・・・リード
フレーム、４ａ・・・・・・上端部、４ｂ・・・・・・
下端部、５・・・・・・端子、６・・・・・・ケース、
８・・・・・・レーザ光線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 第３図 ２辷ヂ ！４ 図 ゛ ２
ので、第１図はセラミック基板に取付けられた溶接用チ
ップを示す側面図、第２図はり−６”−； ドフレームの下端部における取付方法を示す側面図、第
３図はリードフレームの上端部における取付方法を示す
側面図、第４図、第５図はリードフレーム取付方法の従
来例を示したもので、第４図はリードフレームの下端部
における取付方法を示す側面図、第５図はリードフレー
ムの上端部における取付方法を示す側面図である。 １・・・・・・溶接用チップ、２・・・・・・ハンダ、
３・・・・・・セラミック基板、４・・・・・・リード
フレーム、４ａ・・・・・・上端部、４ｂ・・・・・・
下端部、５・・・・・・端子、６・・・・・・ケース、
８・・・・・・レーザ光線。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名第２
図 第３図 ２辷ヂ ！４ 図 ゛ ２
Claims (1)
- セラミック基板上に半田付けによって取付けられたチッ
プを介してリードフレームの一端部をレーザ溶接して接
合するとともに、前記リードフレームの他端部を鉄系の
端子にレーザ溶接して接合することを特徴とするリード
フレームの取付方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61209875A JPS6363588A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | リ−ドフレ−ム取付方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61209875A JPS6363588A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | リ−ドフレ−ム取付方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6363588A true JPS6363588A (ja) | 1988-03-19 |
Family
ID=16580087
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61209875A Pending JPS6363588A (ja) | 1986-09-05 | 1986-09-05 | リ−ドフレ−ム取付方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6363588A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008205058A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2008210942A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2012142622A (ja) * | 2012-04-13 | 2012-07-26 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
| US8779584B2 (en) | 2006-10-16 | 2014-07-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor apparatus |
-
1986
- 1986-09-05 JP JP61209875A patent/JPS6363588A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8779584B2 (en) | 2006-10-16 | 2014-07-15 | Fuji Electric Co., Ltd. | Semiconductor apparatus |
| JP2008205058A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
| JP2008210942A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP2012142622A (ja) * | 2012-04-13 | 2012-07-26 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
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