JP2008210942A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
半導体装置およびその製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2008210942A JP2008210942A JP2007045338A JP2007045338A JP2008210942A JP 2008210942 A JP2008210942 A JP 2008210942A JP 2007045338 A JP2007045338 A JP 2007045338A JP 2007045338 A JP2007045338 A JP 2007045338A JP 2008210942 A JP2008210942 A JP 2008210942A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode pad
- control
- external electrode
- circuit board
- semiconductor device
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/39—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process
- H01L2224/40—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors after the connecting process of an individual strap connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
- H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
- H01L2224/4809—Loop shape
- H01L2224/48091—Arched
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1305—Bipolar Junction Transistor [BJT]
- H01L2924/13055—Insulated gate bipolar transistor [IGBT]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
- H01L2924/1304—Transistor
- H01L2924/1306—Field-effect transistor [FET]
- H01L2924/13091—Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor [MOSFET]
Landscapes
- Lead Frames For Integrated Circuits (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
Abstract
【解決手段】半導体チップ4の制御電極パッド5と絶縁回路基板の外部電極パッド3とをリードフレーム14で接続し、このリードフレーム14に制御端子15をレーザ溶接にて接合することによって、レーザ溶接部16が絶縁回路基板のセラミックス1に到達するのを防止して、溶接バラツキによる絶縁回路基板の絶縁耐圧不良とスパッタ飛散による電気的短絡不良を防止することができ、製造歩留まりを向上できる。
【選択図】 図1
Description
この半導体装置は、セラミックス1と、セラミックス1上に形成した各種の外部電極パッド3とコレクタ銅箔2と、コレクタ銅箔2にはんだ9で接合した半導体チップ4と、半導体チップ4上に形成された各種の制御電極パッド5と、外部電極パッド3と制御電極パッド5を電気的に接続するアルミワイヤ6と、外部電極パッド3とレーザ溶接で接合する制御端子7と、この制御端子7をあらかじめインサートして固着した図示しない樹脂ケースとで構成される。制御電極パッド5はゲート電極パッドやセンシング電極パッドなどであり、ゲート電極パッドはIGBTなどの制御半導体素子のゲート電極パッドであり、センシング電極パッドはこの制御半導体素子の温度などを検出・監視するセンシング電極パッドである。
まず、図9に示すように、厚さ0.4mmの外部電極パッド3及び厚さ0.4mmのコレクタ銅箔2をその表面に予め形成してある厚さ0.3mmのセラミックス1(Al2O3やSi3O4又はAlN)のコレクタ銅箔2と半導体チップ4とをはんだ9により接合する。
この後、図11に示すように、外部電極パッド3と制御端子7をレーザ溶接で接合する。ここで用いられるレーザは、点溶接(スポット溶接)であるので照射時間が短時間のパルスレーザである。外部電極パッド3と制御端子7はレーザ溶接部8にて接合される。
図12は、制御端子と外部電極パッドのレーザ溶接状態を示す図であり、同図(a)は正常な場合の図、同図(b)は異常な場合の図である。
しかし、図12(b)に示すように、絶縁回路基板のセラミック1をレーザ溶接部8が貫通した場合、セラミックス1の裏側に形成した図示しない裏面銅箔と表側に形成した外部電極パッド3の間で絶縁不良を招く。
また、前記接続導体板は、複数の外部電極パッドと複数の制御電極パッドとをそれぞれ接続するために複数設けられ、該複数の接続導体板は、相互に樹脂で固定されているとよい。
また、外部電極パッドを有する絶縁回路基板と、該絶縁回路基板上に固着し制御電極パッドを有する制御用半導体チップとを具備し、前記外部電極パッドと前記制御電極パッドとを接続導体板で互いに接続し、該接続導体板に制御端子をレーザ溶接で固着する半導体装置の製造方法において、
位置決め治具を用いて前記接続導体板の一端を前記外部電極パッドに、他端を前記制御電極パッドにそれぞれ位置決めする工程と、前記接続導体板の一端を前記外部電極パッドに、他端を前記制御電極パッドにそれぞれ固着する工程と、前記固定治具を前記接続導体板から取り去る工程と、前記接続導体板に前記制御端子をレーザ溶接する工程と、を含む製造方法とする。
図1の半導体装置は、セラミックス1と、セラミックス1上に形成した各種の外部電極パッド3とコレクタ銅箔2と、コレクタ銅箔2にはんだ9で接合した半導体チップ4と、半導体チップ4上に形成された各種の制御電極パッド5と、外部電極パッド3および制御電極パッド5にはんだ12、13で固着されるリードフレーム14(接続導体板)と、このリードフレーム14とレーザ溶接で接合する制御端子15と、図示しない樹脂ケースとで構成される。樹脂ケースにはあらかじめ制御端子15がインサートされて固着されている。制御電極パッド5はゲート電極パッドやセンシング電極パッドなどであり、ゲート電極パッドはIGBTなどの制御半導体素子のゲート信号を伝達する電極パッドであり、センシング電極パッドはこの制御半導体素子の温度などを検出・監視するセンシング信号を伝達する電極パッドである。図1の例では制御電極パッドは3つあり、それぞれに対応する外部電極パッド3とリードフレーム14で接続されている。
次に、図3において、外部電極パッド3とリードフレーム14及び制御電極パッド5とリードフレーム14とをそれぞれはんだ12及び13で接合する。このとき、図5に示すような位置決め治具17を用いる。図5は、位置決め治具の構成図であり、同図(a)は平面図、同図(b)は同図(a)の矢印Aから見た側面図である。図6は位置決め治具でリードフレームを開口部に挿入し位置決めした後ではんだ付けした状態の図であり、同図(a)は平面図、同図(b)は同図(a)の矢印Aから見た側面図である。同図(b)には半導体チップ4および絶縁回路基板(セラミックス1上にコレクタ銅箔2、外部電極パッド3および図示しない裏面銅箔を形成したもの)も示した。まず、位置決め治具17の底部の段差を半導体チップ4の端部に合わせ、位置決め治具17の開口部18から外部電極パッド3および制御電極パッド5が見えるように位置決め治具17をセットする。つぎに、位置決め治具17の開口部18にリードフレーム14をセットしてリードフレーム14の一端を外部電極パッド3に他端を制御電極パッド5に位置決めする。
本発明の制御端子15の接合方法は、従来の制御端子7の接合方法と異なり、絶縁回路基板上に直接レーザ溶接を行うのではなく、リードフレーム14にレーザ溶接を行う。制御端子15のリードフレーム14への溶接箇所は、精度と溶接強度が確保できれば、リードフレーム14上のどの部分でもよい。例えば、リードフレーム14の端部であって、外部電極パッドにはんだ接合されている部分に制御端子15を溶接してもよい。あるいは、図1に示すように、リードフレーム14の上面の平坦な部分に制御端子15を溶接してもよい。制御電極パッド5は半導体チップ4の表面に微小な間隔(例えば、2mm)を隔てて並んでいるため、これに接合されるリードフレーム14の幅も狭い。
また、リードフレーム14を制御電極パッド5及び外部電極パッド3にはんだ13、12接合する工程を、絶縁回路基板上に半導体チップ4をはんだ9接合する工程と同時に行えば、従来の端子接合方法での工程におけるアルミワイヤ6の接合工程分、工程削減が行えるメリットがある。
本発明の制御端子15の材質としては、銅・銅合金・アルミニウム・アルミニウム合金が使用できる。レーザ溶接の際のスパッタが発生しにくい銅合金のリン青銅を用いるのが好適である。
図1との違いは、複数のリードフレーム14をあらかじめ樹脂19中にインサートして、複数のリードフレーム14を樹脂19で相互に固定している点である。リードフレーム14の固定は、制御端子15の溶接に支障のない部分を樹脂で覆って行う。
また、複数のリードフレーム14の相互の位置および外部電極パッド3、制御電極パッド5との位置について、樹脂19でリードフレーム14があらかじめ固定されているので位置決めが容易である。
複数のリードフレーム14を、あらかじめ樹脂19で固定したのち、所定の箇所にはんだ付けする。はんだ接合の加熱に耐えられるように、樹脂19には耐熱性のある(例えば、熱硬化性樹脂)を用いる。
2 コレクタ銅箔
3 外部電極パッド
4 半導体チップ
5 制御電極パッド
6 アルミワイヤ
7 制御端子
8、16 レーザ溶接部
9、12、13 はんだ
10 スパッタ
11 貫通穴
14 リードフレーム
15 制御端子
17 位置決め治具
18 開口部
19 樹脂
Claims (4)
- 外部電極パッドを有する絶縁回路基板と、該絶縁回路基板上に固着し制御電極パッドを有する半導体チップとを具備する半導体装置において、前記外部電極パッドと前記制御電極パッドとを互いに接続する接続導体板と、該接続導体板にレーザ溶接で固着される制御端子とを備えたことを特徴とする半導体装置。
- 前記接続導体板は、複数の外部電極パッドと複数の制御電極パッドとをそれぞれ接続するために複数設けられ、該複数の接続導体板は、相互に樹脂で固定されていることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記制御電極パッドが、ゲート信号またはセンシング信号を伝えるパッドであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 外部電極パッドを有する絶縁回路基板と、該絶縁回路基板上に固着し制御電極パッドを有する制御用半導体チップとを具備し、前記外部電極パッドと前記制御電極パッドとを接続導体板で互いに接続し、該接続導体板に制御端子をレーザ溶接で固着する半導体装置の製造方法において、
位置決め治具を用いて前記接続導体板の一端を前記外部電極パッドに、他端を前記制御電極パッドにそれぞれ位置決めする工程と、前記接続導体板の一端を前記外部電極パッドに、他端を前記制御電極パッドにそれぞれ固着する工程と、前記固定治具を前記接続導体板から取り去る工程と、前記接続導体板に前記制御端子をレーザ溶接する工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007045338A JP4798020B2 (ja) | 2007-02-26 | 2007-02-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2007045338A JP4798020B2 (ja) | 2007-02-26 | 2007-02-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008210942A true JP2008210942A (ja) | 2008-09-11 |
JP4798020B2 JP4798020B2 (ja) | 2011-10-19 |
Family
ID=39787006
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007045338A Active JP4798020B2 (ja) | 2007-02-26 | 2007-02-26 | 半導体装置およびその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4798020B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2156785A1 (en) | 2008-08-19 | 2010-02-24 | Fujikura, Ltd. | Endoscope system |
JP2010278107A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Aisin Aw Co Ltd | 半導体装置及び接続部材 |
JP2013197560A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-30 | Hitachi Ltd | パワー半導体モジュール |
CN109249129A (zh) * | 2017-07-14 | 2019-01-22 | 赛米控电子股份有限公司 | 通过焊接方法制造功率电子子模块的方法 |
CN110021579A (zh) * | 2018-01-09 | 2019-07-16 | 半导体元件工业有限责任公司 | 半导体封装件及用于制造半导体封装件的方法 |
DE112018002384T5 (de) | 2017-05-10 | 2020-01-16 | Rohm Co., Ltd. | Leistungshalbleitereinrichtung und Fertigungsverfahren für selbige |
JP6667737B1 (ja) * | 2019-06-03 | 2020-03-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュールおよび電力変換装置 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6363588A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ム取付方法 |
JPH05157037A (ja) * | 1991-12-06 | 1993-06-22 | Hitachi Ltd | 電子回路ユニット、内燃機関の点火装置及び内燃機関の点火時期制御装置 |
JPH10335523A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2002043779A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Denso Corp | 電子部品の組み付け構造 |
JP2008205058A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
-
2007
- 2007-02-26 JP JP2007045338A patent/JP4798020B2/ja active Active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6363588A (ja) * | 1986-09-05 | 1988-03-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | リ−ドフレ−ム取付方法 |
JPH05157037A (ja) * | 1991-12-06 | 1993-06-22 | Hitachi Ltd | 電子回路ユニット、内燃機関の点火装置及び内燃機関の点火時期制御装置 |
JPH10335523A (ja) * | 1997-05-29 | 1998-12-18 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体装置 |
JP2002043779A (ja) * | 2000-07-21 | 2002-02-08 | Denso Corp | 電子部品の組み付け構造 |
JP2008205058A (ja) * | 2007-02-19 | 2008-09-04 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 半導体装置 |
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP2156785A1 (en) | 2008-08-19 | 2010-02-24 | Fujikura, Ltd. | Endoscope system |
JP2010278107A (ja) * | 2009-05-27 | 2010-12-09 | Aisin Aw Co Ltd | 半導体装置及び接続部材 |
JP2013197560A (ja) * | 2012-03-23 | 2013-09-30 | Hitachi Ltd | パワー半導体モジュール |
DE112018002384T5 (de) | 2017-05-10 | 2020-01-16 | Rohm Co., Ltd. | Leistungshalbleitereinrichtung und Fertigungsverfahren für selbige |
US11302665B2 (en) | 2017-05-10 | 2022-04-12 | Rohm Co., Ltd. | Power semiconductor apparatus and fabrication method for the same |
US11848295B2 (en) | 2017-05-10 | 2023-12-19 | Rohm Co., Ltd. | Power semiconductor apparatus and fabrication method for the same |
CN109249129A (zh) * | 2017-07-14 | 2019-01-22 | 赛米控电子股份有限公司 | 通过焊接方法制造功率电子子模块的方法 |
CN109249129B (zh) * | 2017-07-14 | 2022-09-27 | 赛米控电子股份有限公司 | 通过焊接方法制造功率电子子模块的方法 |
CN110021579A (zh) * | 2018-01-09 | 2019-07-16 | 半导体元件工业有限责任公司 | 半导体封装件及用于制造半导体封装件的方法 |
JP6667737B1 (ja) * | 2019-06-03 | 2020-03-18 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュールおよび電力変換装置 |
WO2020245880A1 (ja) * | 2019-06-03 | 2020-12-10 | 三菱電機株式会社 | 半導体モジュールおよび電力変換装置 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP4798020B2 (ja) | 2011-10-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US8710666B2 (en) | Semiconductor device and method for fabricating the same | |
US10442035B2 (en) | Laser welding method | |
JP4798020B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP6602480B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5098951B2 (ja) | 半導体装置 | |
JP5239291B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4985012B2 (ja) | 半導体装置およびその製造方法 | |
JP4722757B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
EP1868244B1 (en) | Semiconductor device | |
JP2008162341A (ja) | 電子制御装置 | |
JP2008098586A (ja) | 半導体装置 | |
US9076782B2 (en) | Semiconductor device and method of manufacturing same | |
JP2008205058A (ja) | 半導体装置 | |
JP6104098B2 (ja) | 電力用半導体装置およびその製造方法 | |
JP5119139B2 (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
JP2006339174A (ja) | 半導体装置 | |
JP2010287726A (ja) | 半導体装置 | |
JP2019133965A (ja) | 半導体装置及びその製造方法 | |
JP2020013866A (ja) | 電力用半導体装置の製造方法 | |
JP2006005107A (ja) | 回路構成体 | |
JPH11121684A (ja) | 電力用トランジスタの実装構造 | |
JP2005235680A (ja) | チップ型ヒューズおよびその製造方法 | |
US20220384321A1 (en) | Semiconductor module and method for fabricating the same | |
JP2006303086A (ja) | 半導体装置 | |
WO2017208941A1 (ja) | 半導体装置及びその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD02 | Notification of acceptance of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422 Effective date: 20081216 |
|
RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20090219 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20091112 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100118 |
|
A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20110422 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20110531 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110705 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110718 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140812 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 4798020 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |