JPH0550141B2 - - Google Patents
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- JPH0550141B2 JPH0550141B2 JP57223966A JP22396682A JPH0550141B2 JP H0550141 B2 JPH0550141 B2 JP H0550141B2 JP 57223966 A JP57223966 A JP 57223966A JP 22396682 A JP22396682 A JP 22396682A JP H0550141 B2 JPH0550141 B2 JP H0550141B2
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
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- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
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-
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Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はリードの接続方法を改良した混成集積
回路の製造方法に関する。
回路の製造方法に関する。
セラミツクス基板に厚膜導体を焼成して導体や
抵抗体からなる導電回路を形成した混成集積回路
のリード線の接続方法は、一般に第１図に示すよ
うにセラミツクス基板１（以下基板と称す）およ
び導体２の電極接続部３を貫通して小孔４をあ
け、一端部５にヘツデイングなどにより偏平部６
を形成したリード線７を小孔３に下方からその他
端部８を挿入し、偏平部６の端面をなす一方の平
坦面９の裏面の他方の平坦面１０を当接させては
んだ７ａにより電極接続部３とリード線７とを接
続している。
抵抗体からなる導電回路を形成した混成集積回路
のリード線の接続方法は、一般に第１図に示すよ
うにセラミツクス基板１（以下基板と称す）およ
び導体２の電極接続部３を貫通して小孔４をあ
け、一端部５にヘツデイングなどにより偏平部６
を形成したリード線７を小孔３に下方からその他
端部８を挿入し、偏平部６の端面をなす一方の平
坦面９の裏面の他方の平坦面１０を当接させては
んだ７ａにより電極接続部３とリード線７とを接
続している。
そしてこの方法による製造方法では、挿通した
リード線７と一緒に第２図に示すようにチツプ部
品、トンランジスタ、ICなどの回路素子１６、
…をすべて基板上にはさんだとともに設置した
後、炉中を通して１回のリフローソルダリングで
リード線７，…、回路素子１６，…を取付けでき
る大きな利点をもつている。しかし、その反面リ
フローソルダリング後の回路素子（抵抗も含む）
のフアンクシヨントリミングに際し、リード線
７，…が突出いているため取扱いにくく、従つて
これらの作業を自動化するのは極めて困難であ
り、また回路基板の多数の小孔４，…にリード線
７，…をそれぞれ裏面から挿入するのも作業性が
悪く、自動化が困難であるという不都合があつ
た。
リード線７と一緒に第２図に示すようにチツプ部
品、トンランジスタ、ICなどの回路素子１６、
…をすべて基板上にはさんだとともに設置した
後、炉中を通して１回のリフローソルダリングで
リード線７，…、回路素子１６，…を取付けでき
る大きな利点をもつている。しかし、その反面リ
フローソルダリング後の回路素子（抵抗も含む）
のフアンクシヨントリミングに際し、リード線
７，…が突出いているため取扱いにくく、従つて
これらの作業を自動化するのは極めて困難であ
り、また回路基板の多数の小孔４，…にリード線
７，…をそれぞれ裏面から挿入するのも作業性が
悪く、自動化が困難であるという不都合があつ
た。
上述の欠点を解決する方法として、リード線７
以外の各部品をリフローソルダーリングで取付け
た後、フアンクシヨントリミングを施し、その後
先端部を前述のようにヘツデイングしたリード線
７を個々にはんだ付けする方法も考えられてい
る。しかしこの方法も最初のリフローソルダーリ
ング後フアンクシヨントリミング前に洗浄し、さ
らにリード線７，…をはんだ付けした後、再び洗
浄する必要が生じ、また２回のはんだ付け部の加
熱によつて、リード線７，…を接続した電極接続
部３（Ag−Pd）に、はんだがくわれる現象が生
じ、はんだ付け部の強度劣化をもたらす不都合が
あつた。
以外の各部品をリフローソルダーリングで取付け
た後、フアンクシヨントリミングを施し、その後
先端部を前述のようにヘツデイングしたリード線
７を個々にはんだ付けする方法も考えられてい
る。しかしこの方法も最初のリフローソルダーリ
ング後フアンクシヨントリミング前に洗浄し、さ
らにリード線７，…をはんだ付けした後、再び洗
浄する必要が生じ、また２回のはんだ付け部の加
熱によつて、リード線７，…を接続した電極接続
部３（Ag−Pd）に、はんだがくわれる現象が生
じ、はんだ付け部の強度劣化をもたらす不都合が
あつた。
また上述の方法とは別にパーカツシヨン溶接方
法などにより植設リード線７，…を電極接続部３
（導体２の一部）に溶接することも考えられてい
るが、スプラツシユの発生が多く、また信頼性の
面でも混成集積回路の製造に適用するには困難が
多いという不都合があつた。
法などにより植設リード線７，…を電極接続部３
（導体２の一部）に溶接することも考えられてい
るが、スプラツシユの発生が多く、また信頼性の
面でも混成集積回路の製造に適用するには困難が
多いという不都合があつた。
本発明は上述の不都合を除去するためになされ
たもので、リード線付けやフアンクシヨントリミ
ングの自動化が容易で、しかも接合部の強度の劣
化がない混成集積回路の製造方法を提供すること
を目的とする。
たもので、リード線付けやフアンクシヨントリミ
ングの自動化が容易で、しかも接合部の強度の劣
化がない混成集積回路の製造方法を提供すること
を目的とする。
本発明は、リード線を接続する電極接続部に金
属片を回路素子などとともにリフローソルダーリ
ングにより同時にはんだ付けした後、フアンクシ
ヨントリミングを施し、その後リード線を金属片
を介してレーザ光により溶接接続する混成集積回
路の製造方法である。
属片を回路素子などとともにリフローソルダーリ
ングにより同時にはんだ付けした後、フアンクシ
ヨントリミングを施し、その後リード線を金属片
を介してレーザ光により溶接接続する混成集積回
路の製造方法である。
以下本発明の詳細を図面を参照しながら一実施
例により説明する。第３図は本発明の一実施例に
より製作した混成集積回路の概要を示す斜視図
で、第４図は要部を示す断面図であり、絶縁基
板、例えばセラミツクス基板１１には導体１２、
抵抗体１３および導体１２の一部に形成された電
極接続部１４などからなる導電回路１２ａが形成
されて回路基板１５を構成している。この導電回
路１２ａにおける回路素子接続部には、IC素子
およびトランジスタなどの半導体素子並びにコン
デンサ、コイルなどの回路素子１６，…が接続さ
れている。また電極接続部１４，…には金属片１
８，…がはんだ付けされている。これら金属片１
８，…には一端部にヘツデイングにより偏平部６
を形成したリード線７，…が溶接により直立固定
されて混合集積回路が構成されている。
例により説明する。第３図は本発明の一実施例に
より製作した混成集積回路の概要を示す斜視図
で、第４図は要部を示す断面図であり、絶縁基
板、例えばセラミツクス基板１１には導体１２、
抵抗体１３および導体１２の一部に形成された電
極接続部１４などからなる導電回路１２ａが形成
されて回路基板１５を構成している。この導電回
路１２ａにおける回路素子接続部には、IC素子
およびトランジスタなどの半導体素子並びにコン
デンサ、コイルなどの回路素子１６，…が接続さ
れている。また電極接続部１４，…には金属片１
８，…がはんだ付けされている。これら金属片１
８，…には一端部にヘツデイングにより偏平部６
を形成したリード線７，…が溶接により直立固定
されて混合集積回路が構成されている。
次に第３図〜第８図を参照しながら上述の混成
集積回路の製造方法を説明する。第５図、第６図
に示すように、例えばセラミツク基板１１の上に
導体１２、抵抗体１３および電極接続部１４にそ
れぞれ対応するペースト層１２ｂ，１３ａ，１４
ａが印刷により塗布される。印刷済みの基板１１
は、乾燥された後焼成され、回路基板１５が形成
される。焼成によりペースト層１２ｂ，１３ａ，
１４ａは基板１１に強く結合し、導体１２、抵抗
体１３および電極接続部１４となる。導体１２の
回路素子接続部および電極接続部１４には第６図
に示すように、はんだペースト２０，…が塗布さ
れる。はんだペースト２０，…の乾燥後にニツケ
ル、すずまたははんだがメツキされた金属片１８
が、はんだペースト２０上に裁置され、同様に回
路素子１６，…がはんだペースト２０上に裁置さ
れる。すべての金属片１８，…および回路素子１
６，…が回路基板１５上に所定個所配置される
と、回路基板１５は加熱炉に導かれる。回路基板
１５が加熱炉を通るとき、はんだペースト２０，
…が溶融し、金属片１８，…、および回路素子１
６，…が電極接続部１４，…および導体１２，…
にはんだ付けされる。はんだ付け終了後回路基板
１５は洗浄される。
集積回路の製造方法を説明する。第５図、第６図
に示すように、例えばセラミツク基板１１の上に
導体１２、抵抗体１３および電極接続部１４にそ
れぞれ対応するペースト層１２ｂ，１３ａ，１４
ａが印刷により塗布される。印刷済みの基板１１
は、乾燥された後焼成され、回路基板１５が形成
される。焼成によりペースト層１２ｂ，１３ａ，
１４ａは基板１１に強く結合し、導体１２、抵抗
体１３および電極接続部１４となる。導体１２の
回路素子接続部および電極接続部１４には第６図
に示すように、はんだペースト２０，…が塗布さ
れる。はんだペースト２０，…の乾燥後にニツケ
ル、すずまたははんだがメツキされた金属片１８
が、はんだペースト２０上に裁置され、同様に回
路素子１６，…がはんだペースト２０上に裁置さ
れる。すべての金属片１８，…および回路素子１
６，…が回路基板１５上に所定個所配置される
と、回路基板１５は加熱炉に導かれる。回路基板
１５が加熱炉を通るとき、はんだペースト２０，
…が溶融し、金属片１８，…、および回路素子１
６，…が電極接続部１４，…および導体１２，…
にはんだ付けされる。はんだ付け終了後回路基板
１５は洗浄される。
洗浄後に、例えば、抵抗体１３，…のフアンク
シヨントリミングおよび特性チエツクが行なわれ
る。このフアンクシヨントリミングおよび特性チ
エツクにおいては、回路基板１５にリード線７，
…が立設されていないので、トリミングおよび特
性チエツク作業が容易に行なえる。フアンクシヨ
ントリミングおよび特性チエツクが終了すると、
リード線７，…の接続が行なわれる。このリード
線７，…の接続工程においては、第７図に示すよ
うに、リード線７，…は従来例の場合と同様に、
一端部にはヘツデイングにより偏平部６が形成さ
れていて、さらにはんだメツキされている。この
リード線７，…の他端部８は挾持体２２により挾
持されて、一方の平坦面９が金属片１８上に当接
して載置される。次に斜上方からレーザ光２５，
２６を照射し、リード線７，…と金属片１８，…
とをそれぞれ溶接する。
シヨントリミングおよび特性チエツクが行なわれ
る。このフアンクシヨントリミングおよび特性チ
エツクにおいては、回路基板１５にリード線７，
…が立設されていないので、トリミングおよび特
性チエツク作業が容易に行なえる。フアンクシヨ
ントリミングおよび特性チエツクが終了すると、
リード線７，…の接続が行なわれる。このリード
線７，…の接続工程においては、第７図に示すよ
うに、リード線７，…は従来例の場合と同様に、
一端部にはヘツデイングにより偏平部６が形成さ
れていて、さらにはんだメツキされている。この
リード線７，…の他端部８は挾持体２２により挾
持されて、一方の平坦面９が金属片１８上に当接
して載置される。次に斜上方からレーザ光２５，
２６を照射し、リード線７，…と金属片１８，…
とをそれぞれ溶接する。
次に第８図は第２の実施例を示すもので、一端
部５にＬ字状の折曲部６ａを形成してはんだめつ
きされたリード線７を金属片１８に当接しレーザ
光２５を照射して溶接した場合で、他の部分につ
いては第１の実施例と同様なので説明を省略す
る。
部５にＬ字状の折曲部６ａを形成してはんだめつ
きされたリード線７を金属片１８に当接しレーザ
光２５を照射して溶接した場合で、他の部分につ
いては第１の実施例と同様なので説明を省略す
る。
以上詳述したように、本発明の混成集積回路の
製造方法は導体のリード線接続部に金属片を予め
他の回路素子と同時にはんだ付けをした後フアン
クシヨントリミングを施し、しかる後リード線を
金属片にレーザ光により溶接するように構成した
ので、フアンクシヨントリミングの際リード線の
突出による不都合が除かれ作業性よく、しかもレ
ーザ溶接なので狭い所でも溶接が容易である。ま
た導体にはんだ付けした金属片にリード線をレー
ザ溶接するのではんだがくわれることが防止さ
れ、接合部の強度劣化がなく、さらにまた抵抗溶
接などのようにスプラツシユによる汚染もなく電
極管理の必要もないので信頼性が高い。さらにま
たリード線を小孔に挿通する必要がなく自動化が
容易であり、レーザ光を利用するので多数個所を
同時に短時間に溶接できるので作業性がよいなど
種々なすぐれた効果を奏するものである。
製造方法は導体のリード線接続部に金属片を予め
他の回路素子と同時にはんだ付けをした後フアン
クシヨントリミングを施し、しかる後リード線を
金属片にレーザ光により溶接するように構成した
ので、フアンクシヨントリミングの際リード線の
突出による不都合が除かれ作業性よく、しかもレ
ーザ溶接なので狭い所でも溶接が容易である。ま
た導体にはんだ付けした金属片にリード線をレー
ザ溶接するのではんだがくわれることが防止さ
れ、接合部の強度劣化がなく、さらにまた抵抗溶
接などのようにスプラツシユによる汚染もなく電
極管理の必要もないので信頼性が高い。さらにま
たリード線を小孔に挿通する必要がなく自動化が
容易であり、レーザ光を利用するので多数個所を
同時に短時間に溶接できるので作業性がよいなど
種々なすぐれた効果を奏するものである。
なお本実施例においてはリード線の先端に偏平
部とかＬ字状部を設けて溶接したが、この方が好
ましいことはもちろんであるが、先端にこのよう
な部分を設けなくてもよく、またレーザ光は気
体、固体いずれでもよい。さらにまた金属片につ
いていえば、ニツケルやすずとかSn−Sb被膜を
設けたニツケルや銅や鉄とかステンレス板とかな
どが好ましい。
部とかＬ字状部を設けて溶接したが、この方が好
ましいことはもちろんであるが、先端にこのよう
な部分を設けなくてもよく、またレーザ光は気
体、固体いずれでもよい。さらにまた金属片につ
いていえば、ニツケルやすずとかSn−Sb被膜を
設けたニツケルや銅や鉄とかステンレス板とかな
どが好ましい。
第１図および第２図は従来の混成集積回路の製
造方法を説明する要部断面図、第３図および第４
図は本発明方法の実施例により得られた混成集積
回路の斜視図および要部断面図、第５図および第
６図は本発明の第１および第２の実施例の工程を
説明するための要部断面図、第７図は本発明の第
１の実施例のレーザ溶接の工程を説明する断面
図、第８図は同じく第２の実施例の要部を説明す
る断面図である。 ６：偏平部、６ａ：折曲部、７：リード線、１
１：絶縁基板、１２ａ：導電回路、１５：回路基
板、１６：回路素子、１６ａ：折曲部、１８：金
属片。
造方法を説明する要部断面図、第３図および第４
図は本発明方法の実施例により得られた混成集積
回路の斜視図および要部断面図、第５図および第
６図は本発明の第１および第２の実施例の工程を
説明するための要部断面図、第７図は本発明の第
１の実施例のレーザ溶接の工程を説明する断面
図、第８図は同じく第２の実施例の要部を説明す
る断面図である。 ６：偏平部、６ａ：折曲部、７：リード線、１
１：絶縁基板、１２ａ：導電回路、１５：回路基
板、１６：回路素子、１６ａ：折曲部、１８：金
属片。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 絶縁基板に導電回路を設けて回路基板を形成
する工程と、上記導電回路に回路素子および金属
片を配設しリフローソルダーリングにより上記回
路素子および上記金属片を上記導電回路にはんだ
付けする工程と、上記はんだ付け工程後フアンク
シヨントリミングする工程と、その後一端側を挾
持体により挾持されたリード線の他端側を上記金
属片に当接し上記挾持体側傾斜方向からレーザ光
を照射し上記リード線と上記金属片とをレーザ溶
接する工程とを具備したことを特徴とする混成集
積回路の製造方法。 ２ 他端側に偏平部が形成された上記リード線
の、上記偏平部を上記金属片に当接してレーザ溶
接することを特徴とする特許請求の範囲第１項記
載の混成集積回路の製造方法。 ３ 他端側に折曲部を形成した上記リード線の上
記折曲部を上記金属片に当接してレーザ溶接する
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載の混
成集積回路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22396682A JPS59114849A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 混成集積回路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22396682A JPS59114849A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 混成集積回路の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59114849A JPS59114849A (ja) | 1984-07-03 |
| JPH0550141B2 true JPH0550141B2 (ja) | 1993-07-28 |
Family
ID=16806472
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22396682A Granted JPS59114849A (ja) | 1982-12-22 | 1982-12-22 | 混成集積回路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59114849A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010272764A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 配線構造、そのような配線構造を備えた半導体装置及びそのような配線構造の形成方法 |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0758753B2 (ja) * | 1986-02-20 | 1995-06-21 | 日本電気株式会社 | リードフレーム |
| WO2008031366A1 (de) * | 2006-09-13 | 2008-03-20 | Siemens Aktiengesellschaft | Leiterplatte, insbesondere keramikleiterplatte |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56114340A (en) * | 1980-02-13 | 1981-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | Bonding method |
| JPS57121266A (en) * | 1981-01-20 | 1982-07-28 | Toshiba Corp | Manufacture of hybrid integrated circuit |
-
1982
- 1982-12-22 JP JP22396682A patent/JPS59114849A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS56114340A (en) * | 1980-02-13 | 1981-09-08 | Mitsubishi Electric Corp | Bonding method |
| JPS57121266A (en) * | 1981-01-20 | 1982-07-28 | Toshiba Corp | Manufacture of hybrid integrated circuit |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010272764A (ja) * | 2009-05-22 | 2010-12-02 | Fujitsu Semiconductor Ltd | 配線構造、そのような配線構造を備えた半導体装置及びそのような配線構造の形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS59114849A (ja) | 1984-07-03 |
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