JPS63502596A - 液晶表示素子 - Google Patents

液晶表示素子

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JPS63502596A
JPS63502596A JP62501256A JP50125687A JPS63502596A JP S63502596 A JPS63502596 A JP S63502596A JP 62501256 A JP62501256 A JP 62501256A JP 50125687 A JP50125687 A JP 50125687A JP S63502596 A JPS63502596 A JP S63502596A
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JP62501256A
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ウエーバー,ゲオルク
シヨイブレ,ベルンハルト
クラウゼ,ヨアヒム
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メルク・パテント・ゲゼルシヤフト・ミツト・ベシユレンクテル・ハフツング
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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    • C09K19/00Liquid crystal materials
    • C09K19/02Liquid crystal materials characterised by optical, electrical or physical properties of the components, in general
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 液晶表示素子 本発明は低いマルチプレックス比および低い動作電圧を有する液晶表示素子(E C表示素子)に関する。
液晶表示素子に対しては、電場の影響下におけるそれらの光学的性質、たとえば 光吸収、光散乱、複屈折反射または色が変化するというネマティックまたはネマ ティック−コレステリック液晶材料の性質が利用される。このような表示素子の 作用は、たとえば動的散乱現象、整列相の変形、ゲスト−ホスト効果、ねじれセ ルにおけるジャットーヘルフリツヒ効果またはコレステリック−ネマティック相 転移にもとづいている。
これらの効果をエレクトロニック部品で工業的に使用するには、多くの要件を満 たさねばならないEC相が要求される。特に重要な要件は、水分、空気および物 理的影響、たとえば熱、赤外部、可視部および紫外部の照射線ならびに直流およ び交流電場などに対するti械的安定性である。技術的に、安定なEC相には適 当な温度範囲における液晶メソフェーズ、低い粘度、低い光学異方性、高い電気 光学特性曲線の勾配および多色性染料に対する適当な溶解力を有することが要求 される。
液晶メソフェーズを有する多くの既知の一連の化合物の中で、これらの要件の全 部を単独で満たす化合物はない、従って、EC相として使用できる材料を得るた めに、2〜25種、好ましくは3〜18種の化合物の混合物が調製されている。
しかしながら、高い融点および高い透明点を有する化合物は多くの場合にまた混 合物に高い粘度を付与することから、この方法で最適の相は容易に調製できない 、この結果、これらの成分を用いて調製された電気光学表示素子のスイッチング 時間は望ましくない様相で限定される。
従って、広い動作温度範囲、低い粘度(従って短いスイッチング時間)および低 いしきい電圧を有するEC相が依然として、極めて要求されている。
現在製造されている大部分のEC表示素子は約1:2〜1:4のマルチプレック ス比および約3ボルトの動作電圧を有するマルチプレックス動作で制御されてい る。このような表示素子の動作温度範囲は一般に、約−10〜+50Iである。
しかしながら、野外用途に対して、たとえば自動車用に対して、さらに広い動作 温度が望まれている。
本発明は広い動作温度範囲を有し、しかも前記の欠点を、あったとしても、小さ い程度にしか示さないEC表示素子を提供するという目的にもとづく。
本発明者は、これらの表示素子に、−30〜+80℃の動作温度範囲および20 °で40nPa、秒より小さい粘度を有する液晶誘電体を使用することにより、 上記の目的が達成し得ることを見い出した。
従って、本発明は、液晶誘電体を含有し、低いマルチプレックス比および3.3 ボルト以下の動作電圧を有するスタティックコントロールまたはマルチプレック スコントロールによるEC表示素子で、その動作温度が一30℃から+80℃ま で拡大されておりそして該誘電体の20℃における粘度が401Pa、秒より小 さい[C表示素子に関する。
本発明は特に、前述のタイプのEC表示素子であって、その誘電体のしきい電圧 が高くて1.7ボルト、好ましくは高くて1.5ボルトであるEC表示素子に関 する。
本発明は、さらにまた、その誘電体の下記式1〜式■で示される式のいずれかで 表わされる成分少くとも1種を含有する[C表示素子に関する: [式中R1はC原子1〜12個を有するアルキル基であり、この基中に存在する 1個のCH2基または隣接していない2個のCH2基は0原子、−CO−5−O −CO−1−CO−O−および(または”)−CH・CH−基により置き換えら れていてもよく、AoおよびA1は相互に独立して、それぞれCy、 Dioま たはPheであり、Zは−co−o−、−o−co−2−CH2−0−1−0− CH2−または単結合であり、×1はF、C4、−CNまたは−NCSであり、 X2はFまたはCLであるか、あるいはXIがNC3である場合によたHである ことができ、mは0または1であり、Cyはトランス−1,4−シクロヘキシレ ンであり、Dioはトランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイルであり、そ してPheは非置換であるかまたはフッ素で置換されている1、4−フェニレン である];[式中R1、XIおよびX2は式Iの場合において前記した意味を有 し、Qlはトランス−1,4−シクロヘキシレンであり、この基中に存在する1 個のCH2基または隣接していない2個のCH2基はOおよび(または)Sによ り置き換えられていてもよく、Q2はトランス−1,4−シクロヘキシレンであ り、この基中に存在する1個のCH2基または隣接していない2個のCH2基は また0および(または)Sにより置き換えられていてもよく、あるいはQ2は1 ,4−フェニレンであり、この基は非置換であるかまたはフッ素で置換されてお り、そしてこの基中に存在する1個または2個以上のCH基はNにより置き換え られていてもよく、そしてZoは−CO−O−1−C1120−または−CH2 CH2−である]; R1−Ql−(Q2)n−X’ DI [式中R′は式1の場合において前記されている意味を有し、QlおよびQ2は 式■の場合において前記されている意味を有し、nは1または2であり、そして X3は−CMまたは−NC3である] ; R1−(Ql−2’ )rn−Q’−02−(2”−Q’ )p−R’ IV[ 式中Q+およびQ2は(相互に独立して、それぞれ)式■の場合において前記さ れている意味を有し、R1およびR2は相互に独立して、それぞれC原子1〜1 2個を有するアルキル基であり、この基中に存在する1個のC1,基まf、:  ハI’! 49しティなイ2 g ノCHを基バー0−、−CO−1−O−CO −1−CO−O−および(または)−C)I=CH−により置き換えられていて もよく、記号z1は相互に独立して、それぞれ−CO−O−1−O−CO−1− CH20−5−0CH2−、−CH2CH2−または単結合であり、そしてmお よびpはそれぞれOまたは1である]; R1−cy−oo−R’ V E式中Q0はCyまたはPheであり、そしてPheおよびCyは式Iの場合に おいて前記されている意味を有し、そしてR’およびR2は式■の場合において 前記されている意味を有する]; R’ −Phe−Phe−CN Vl [式中R1およびPheは式Iの場合において前記されている意味を有する]; R’ (Q)n −COO−Phe−R2■[式中Pheは式1の場合において 前記されている意味を有し、R1およびR2は式1vの場合において前記されて いる意味を有し、R2はまたCNであることができ、Qはトランス−1,4−シ クロヘキシレンであり、この基中に存在する1個のCH,基または隣接していな い2個のCH2基はOおよび(または)Sにより置き換えられていてもよく、あ るいはQはPheであり、そしてnは1または2であり、そしてn=2である場 合に、2個の基Qは相互に同一または異なることができる]。
さらにまた、本発明は一30’〜+80℃の動作温度範囲、20℃において40 1Pa、秒より小さく、好ましくは30nPa、秒より小さい粘度および高くて 、1.7ボルト、好ましくは高くて1.5ボルトのしきい電圧を有する液晶誘電 体に関する。
式I〜■で示される好ましい化合物は下記の部分式に相当する化合物である(各 式中FCPは3−フルオロ−4−シアノフェニル基である): R’ −Phe−COO−FCP I aR’ −Cy−Phe−COO−FC P I bR’−Dio−Phe−COO−FCP I cR’ −Cy−Ph e−CM I[a R’ −Cy−Phe−Phe−CM I[[bR’−Dio−Phe−CN  N c R’−Cy−Phe−Phe−R2TV aR’ −Cy−Phe−Phe−C y−R” TV bR’−Cy−Cy−COO−Cy−R21V dR’ −C y−Cy−R”J a R’ −Cy−Phe−R” V b R’ −Phe−Phe−CN VI R’−Phe−COO−Phe−CN vnaR’ −Dio−Phe−COO −Phe−CM Vlb他の好ましい化合物は下記の部分式に相当する化合物で ある: R’−Cy−FCP I C R’−Dio−FCP I d R’ −Phe−FCP I e R’−Cy−Oio−FCP I f R’ −Dio−Cy−FCP I QRl −cy−cy−rcp I h R’ −Cy−Phe−FCP I iR’−Phe−Cy−FCP I j R’−Phe−Dio−FCP I kR’−Dio−Phe−FCP I I R’−ay−coo−rcp ’ I IR’−Dio−COO−FCP I  nR’ −Dio−Gy−COO−FCP I 。
R’−Cy−CI/−COO−FCP I pR’ Pie−CH20−FCP  I QR’−Phe−CH2CH2−Phe−COO−FCP It aR’ −Cy−CH2CH2−Phe−COO−FCP U bR’ −Phe−C1 12CH2−Cy−COO−FCP II cR’−Cy−C12CM2−Cy −COO−FCP If dR’ −Phe−CH2−Q−Phe−COO−F CP U eRl−cy−cy−cNm d R’−phe−cy−’cNm e Rl−ロio−Cy−CM N f R’−Dio−Cy−Phe−CN m (IR’ −Cy−Cy−Phe−C N I[hR’ −Cy−Cy−Phe−R’ IV eR’−Dio−Cy− Phe−R2TV fR’ −cy−cy−cy−nz IVΩR’ −D 1 o−Cy−Cy−R” rv hR’ −Cy−Phe−Cy−R” IV i R’−Dio−Phe−Cy−R” IV jR’−Cy−Phe−Phe−D io−R2IV kR’−Dio−Phe−Phe−Cy−R2TV LR’− Cy−Phe−Cy−Cy−R2IV mR’−Cy−Cy−Phe−Cy−R 21V nR’ −Cy−COO−Phe−Phe−R” ■。
R’−Dio−Cy−COO−Cy−R” IV pR’−Dio−Phe−C OO−Phe−R2IV QR’−Dio−Phe−COO−Phe−R’ f q rR’−Cy−Cy−CH2C1+2−Cy−R2■sR’−Cv−Phe −Phe−CH2CH2−Cy−R21V tR’−Cy−COO−Phe−C M Vll cR’ −Phe−Phe−COO−Phe−CM W dR’  −Cy−Phe−COO−Phe−CN Vl eR’ −Phe−Cy−CO O−Phe−CM ■fR’ −Cy−Cy−Coo−Phe−CN ■9基R 1および基R2は好ましくはそれぞれC原子1〜9個を有する直鎖状アルキル基 、たとえばメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル 、オクチルまたはノニルであり、あるいはまた基R1および基R2はC原子1〜 9個を有する直鎖状アルコキシ基、たとえばメトキシ、エトキシ、プロポキシ、 ブトキシ、ペントキシ、ヘキソキシ、ヘプトキシ、オクトキシまたはツノキシで あり、あるいはまた基R1および基R2はC原子2〜9個を有するアルコキシア ルキル基、たとえばメトキシメチルまたはエトキシメチルである。
pHeは好ましくは非置換の1.4−フェニレン基あるいはまた、好ましくは2 −フルオロ−1,4−フェニレン基である。
本発明による[C表示素子に使用できる式I〜■で示される各化合物は既知であ るかまたは既知化合物と同様にして製造することができる。
本発明に従い使用できる好ましい誘電体は、たとえば11〜20%以上、110 〜45%、■20〜40%、v8〜50%、■0〜5%および■0〜10%を含 有する。これらの誘電体は好ましくは10〜20種、特に12〜18種の成分を 含有する。
これらの誘電体の動作温度範囲は一30〜+80°、好ましくは一40〜+85 @である。これらの誘電体の206における粘度は40nPa、秒より小さく、 好ましくは30nPa、秒より小さく、そしてそれらのしきい電圧は好ましくは 高くて1.7ボルト、特に高くて1.5ボルトである。
本発明に従い使用できる誘電体はそれ自体慣用の方法で製造する。一般に、少な い方の量で使用される成分の所望量を主要成分を構成する成分に、有利には高め られた温度で溶解する。諸成分の有機溶剤中の溶液、たとえばアセトン、クロロ ホルムまたはメタノール中の溶液を混合することもでき、充分に混合した後に、 溶剤は、たとえば蒸留により再び除去することができる。
誘電体はまた、当業者に知られており、文献に記載されているその他の添加剤を 含有することができる。−例として、多色性染料0〜15%を添加することがで き、ならびに導電性を改善するために、導電性塩、好ましくはエチルジメチルド デシルアンモニウム4−へキシルオキシベンゾエート、テトラブチルアンモニウ ムテトラフェニルボラネートまたはクラウンエーテルの錯塩しこの化合物ニツイ ては、たとえば、Halter等によるHo1.Cryst。
Liq、Cryst、ユL巻、249−258頁(1973年)を参照できる〕 を添加でき、あるいは誘電異方性、粘度および(または)ネマティック相の配向 を変えるための物質を添加できる。このような物質はたとえば、西ドイツ国公開 特許出願公報第2,209,127号、同第2,240,864号、同第2.3 21,632号、同第2,338,281号、同第2,450,088号、同第 2.637,430号および同第2.853.728号に記載されている。
次側は本発明を制限することなく、説明するためのものである。
各記号は下記の意味を有する: S−N スメクティックーネマティック相転移温度c、 p、 透明点 visc、20@における粘度(nPa、秒)t、v、 20’におけるTNセ ルのしきい電圧、視角=o。
(垂直)および10%コントラスト。
本明m書全体を通して、全ての温度は摂氏度(’C)で示す、パーセンテージは 重量によるパーセンテージである。
匠−ユ P−トランス−4−エチルシクロへキシル−ベンゾニトリル 5%、 P−トランス−4−プロピルシクロへキシル−ベンゾニトリル 12%、 p−)ランス−4−ブチルシクロへキシル−ベンゾニトリル 8%、 p−トランス−4−ペンタシクロへキシル−ベンゾニトリル 10%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルρ−エチルベンゾエート 6%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロピルベンゾエート 8%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−(トランス−5−ペンチル−1,3−ジ オキサン−2−イル)−ベンゾエート 5%、 トランス、トランス−4−プロピルシクロへキシル−4′−プロポキシシクロヘ キサン 16%、4−エチル−4’ −(トランス−4−プロピルシクロヘキシ ル)−ビフェニル 9%、 4−エチル−47−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル  8%、 4.4°−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 3 %、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−ビフェニル 3%、 2−フルオロ−4,4I−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)− ビフェニル 3%および2−フルオロ−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘ キシル’) −47−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル  4% の混合物は一30′より低いS−N 、+87’のC,p、、27のvisc、 および1.4Vのt、v、を示す。
匠−1 p−)ランス−4−プロピルシクロへキシル−ベンゾニトリル 15%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−エチルベンゾエート 6%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロピルベンゾエート 8%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルP−(トランス−5−ペンチルー1,3−ジ オキサン−2−イル)−ベンゾエート 5%、 トランス、トランス−4−プロピル−4′−プロポキシシクロヘキシル−シクロ ヘキサン 13%、トランス、トランス−4−メトキシ−4′−ペンチルシクロ ヘキシル−シクロヘキサン 13%、トランス、トランス−4−エトキシ−47 −ベンチルシクロヘキジルーシクロヘキサン 12%、トランス−4−プロピル シクロヘキシルトランス、トランス−4−プロピルシクロヘキシル−シクロヘキ サン4/−カルボキシレート 4%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキシルトランス、トランス−4−プロピルシク ロヘキシル−シクロヘキサン4/−カルボキシレート 4%、 トランス−4−プロピルシクロヘキシルトランス、トランス−4−ブチルシクロ ヘキシル−シクロヘキサン−41−カルボキシレート 4%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキシルトランス、トランス−4−ブチルシクロ ヘキシル−シクロヘキサン−4′−カルボキシレート 4%、 4.4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 3 %、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4′−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−とフェニル 3%、 2−フルオロ−4,4’−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェ ニル 3%、 トランス−4−プロピルシクロへキシル−2−フルオロ−4−(トランス−4− ペンチルシクロヘキシル)−4/−ビフェニル 3% の混合物は一30@より低いS−N 、+89°のc、p、、25のvisc、 および1,4vのt、 V、を示す。
匠−1 p−トランス−4−プロピルシクロへキシル−ベンゾニトリル 15%、 トランス−t−p−エトキシフェニル−4−プロピルシクロヘキサン 6%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−エチルベンゾエート 3.6%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロピルベンゾエート 4.8%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−(トランス−5−ペンチルー1.3−ジ オキサン−2−イル)−ベンゾエート 5%、 トランス、トランス−4−プロピル−41−プロポキシシクロヘキシル−シクロ ヘキサン 13.8%、トランス、トランス−4−メトキシ−4/−ペンチルシ クロヘキシル−シクロヘキサン 13.4%、トランス、トランス−4−エトキ シ−4ノーペンチルシクロヘキシル−シクロヘキサン 12.4%、トランス− 4−プロピルシクロヘキシルトランス、トランス−4−プロピルシクロヘキシル −シクロヘキサン−4/−カルボキシレート 2.4%、トランス−4−ペンチ ルシクロヘキシルトランス、トランス−4−プロピルシクロヘキシル−シクロヘ キサン4/−カルボキシレート 2.4%、 トランス−4−プロピルシクロヘキシルトランス、トランス−4−ブチルシクロ ヘキシル−シクロヘキサン−41−カルボキシレート 2.4%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキシルトランス、トランス−4−ブチルシクロ ヘキシル−シクロヘキサン−4/−カルボキシレート 2.4%、 4.4゛−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 3 %、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−41−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4.2%、 4.4°−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル 1 .6%、 2−フルオロ−4,4°−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)− ビフェニル 3.4%、2−フルオロ−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘ キシル)−4’−()−ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル  4.2% の混合物は−40”より低いS−N 、+90°のC,D、、21のvisc、 および1.6■のt、v、を示す。
己−」− p−トランス−4−エチルシクロへキシル−ベンゾニトリル 10%、 p−トランス−4−プロピルシクロへキシル−ベンゾニトリル 17%、 2−p−シアノフェニル−5−プロピル−1,3−ジオキサン 9%、 2−p−シアノフェニル−5−ブチル−1,3−ジオキサン 6%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−エチルベンゾエート 5%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロピルベンゾエート 7%、 p−シアノフェニルp−エチルベンゾエート 4%、p−シアノフェニルp−ペ ンチルベンゾエート 4%、トランス、トランス−4−プロピル−4′−プロポ キシシクロヘキシル−シクロヘキサン 14%、4−エチル−4’−()ランス −4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4%、 4−エチル−4’ −(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル  3%、 4.4°−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4 %、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4゜−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−ビフェニル 5%、 2−フルオロ−4,4“−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)− ビフェニル 4%、2−フルオロ−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ ル)−4’ −()−ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4 % の混合物は一30°より低いS−N 、+85°のC,p、、31のvisc、 および1.4■のt、 V、を示す。
匠−二 p−トランス−4−エチルシクロへキシル−ベンゾニトリル 5%、 P−)ランス−4−プロピルシクロへキシル−ベンゾニトリル 17%、 p−)ランス−4−ブチルシクロへキシル−ベンゾニトリル 8%、 p−)ランス−4−ペンチルシクロへキシル−ベンゾニトリル 10%、 4−エチル−47−シアノビフエニル 3%、3−フルオロ−4−シアノフェニ ルP−エチルベンゾエート 6%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロピルベンゾエート 8%、 4−シアノ−4’ −(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル  5%、 トランス−1−P−エトキシフェニル−4−プロピルシクロヘキサン 9%、 4−エチル−47−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル  11%、 4−エチル−4’ −(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル  9%、 4.4゛−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 3 %、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4゜−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4%、 2−フルオロ−4,4°−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)− ビフェニル 3%、2−フルオロ−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ ル)−4/ −()−ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4 % の混合物は一30@より低いS−N 、+95°のc、 p、、28のvisc 、および1.5Vのt、v、を示す。
匠−亙 p−トランス−4−エチルシクロへキシル−ベンゾニトリル 10%、 p−トランス−4−プロピルシクロへキシル−ベンゾニトリル 18%、 p−トランス−4−ペンチルシクロへキシル−ベンゾニトリル 10%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルρ−エチルベンゾエート 5%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロピルベンゾエート 7%、 トランス−1−P−エトキシフェニル−4−プロピルシクロヘキサン 13%、 4−エチル−4’−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル  9%、 4−エチル−4’ −(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル  8%、 4.4゛−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4 %、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4゜−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−ビフエル)−ビフェニル 4%、 2−フルオロ−4,4°−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)− ビフェニル 3%、2−フルオロ−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ ル)−4/−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4% の混合物は一30°より低いs−x 、+9s6のc、p、、25のvisc、 および1.7Vのt、v、を示す。
匠−ユ p−トランス−4−エチルシクロへキシル−ベンゾニトリル 6%、 p−トランス−4−プロピルシクロへキシル−ベンゾニトリル 16%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−エチルベンゾエート 4%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロピルベンゾエート 4%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−ペンチルベンゾエート 6%、 p−シアノフェニルp−エチルベンゾエート 3%、p−シアノフェニルp−ペ ンチルベンゾエート 2%、トランス、トランス−4−プロピル−47−プロポ キシシクロヘキシル−シクロヘキサン 11%、トランス、トランス−4−メト キシ−4/−ペンチルシクロヘキシル−シクロヘキサン 10%、トランス、ト ランス−4−エトキシ−4ノーペンチルシクロヘキシル−シクロヘキサン 10 %、トランス−4−プロピルシクロヘキシルトランス、トランス−4−プロピル シクロヘキシル−シクロヘキサン−4′−カルボキシレート 4%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキシルトランス、トランス−4−プロピルシク ロヘキシル−シクロヘキサン−4’−カルボキシレート 4%、 トランス−4−プロピルシクロヘキシルトランス、トランス−4−ブチルシクロ ヘキシル−シクロヘキサン−4′−カルボキシレート 4%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキシルトランス、トランス−4−ブチルシクロ ヘキシル−シクロヘキサン−4′−カルボキシレート 3%、 4.4゛−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4 %、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4゜−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−ビフェニル 5%、 2−フルオロ−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル) −4’ −( トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4% の混合物は一40′″より低いS−N 、+89”のc、 p、、25のvis c、および1.3■のt、v、を示ず。
匠−1 p−トランス−4−エチルシクロへキシル−ベンゾニトリル 5%、 P−)−ランス−4−プロピルシクロへキシル−ベンゾニトリル 12%、 p−トランス−4−ブチルシクロへキシル−ベンゾニトリル 8%、 p−トランス−4−ペンチルシクロへキシル−ベンゾニトリル 10%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−エチルベンゾエート 6%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロピルベンゾエート 8%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ ル)−ベンゾエート 5%、トランス、トランス−4−プロピルシクロへキシル −4′−プロポキシ−シクロヘキサン 16%、4−エチル−41−(トランス −4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 9%、 4−エチル−47−()・ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル  8%、 4.4°−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 3 %、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4゜−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−ビフェニル 3%、 2−フルオロ−4,4′−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)− ビフェニル 3%、2−フルオロ−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ ル)−4’−()−ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4% の混合物は一30@より低いS−N 、+89°のc、p、、26のvisc、 および1.4vのt、 V、を示す。
p−トランス−4−プロピルシクロへキシル−ベンゾニトリル 15%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−エチルベンゾエート 6%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロピルベンゾエート 8%、 0−フルオロ−p−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル )−シクロヘキシル]−エチルベンゾニトリル 5%、 トランス、トランス−4−プロピル−4ノープロポキシシクロヘキシル−シクロ ヘキサン 13%、トランス、トランス−4−メトキシ−4/−ペンチルシクロ ヘキシル−シクロヘキサン 13%、トランス、トランス−4−エトキシ−47 −ベンチルシクロヘキジルーシクロヘキサン 12%、トランス−4−プロピル シクロヘキシルトランス、トランス−4−プロピルシクロヘキシル−シクロヘキ サン−4′−カルボキシレート 4%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキシルトランス、トランス−4−プロピルシク ロヘキシル−シクロヘキサン−4′−カルボキシレート 4%、 トランス−4−プロピルシクロヘキシルトランス、トランス−4−ブチルシクロ ヘキシル−シクロヘキサン−4′−カルボキシレート 4%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキシルトランス、トランス−4−ブチルシクロ ヘキシル−シクロヘキサン−41−カルボキシレート 4%、 4.4゛−ビス=(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 3 %、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4゜−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−ビフェニル 3%、 2−フルオロ−4,4°−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェ ニル 3%、 2−フルオロ−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’−(トラ ンス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 3% の混合物は一30@より低いS−N 、+84’のc、p、、23のvisc、 および1.5■のt、v、を示す。
匠−基 P−)−ランス−4−プロピルシクロへキシル−ベンゾニトリル 15%、 トランス−t−p−エトキシフェニル−4−プロピルシクロヘキサン 6%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−エチルベンゾエート 3.6%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルP−プロピルベンゾエート 4.8%、 0−フルオロ−p−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル )−シクロヘキシル]−ベンジニトリル 5%、 トランス、トランス−4−プロピル−4′−プロポキシシクロヘキシル−シクロ ヘキサン 13.8%、トランス、トランス−4−メトキシ−4′−ペンチルシ クロヘキシル−シクロヘキサン 13.4%、トランス、トランス−4−エトキ シ−4′−ペンチルシクロヘキシル−シクロヘキサン 12.4%、トランス− 4−プロピルシクロヘキシルトランス、トランス−4−プロピルシクロヘキシル −シクロヘキサン−4′−カルボキシレート 2.4%、トランス−4−ペンチ ルシクロヘキシルトランス、トランス−4−プロピルシクロヘキシル−シクロヘ キサン−4′−カルボキシレート 2.4%、トランス−4−プロピルシクロヘ キシルトランス、トランス−4−ブチルシクロヘキシル−シクロヘキサン−4′ −カルボキシレート 2.4%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキシルトランス、トランス−4−ブチルシクロ ヘキシル−シクロヘキサン−4′−カルボキシレート 2.4%、 4.4°−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 3 %、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4゜−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4.2%、 4.4°−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロへキシル)−ビフェニル 1 .6%、 2−フルオロ−4,4°−ビス(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビ フェニル 3.4%、2−フルオロ−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキ シル)−4’−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4. 2% の混合物は一40″″より低いS−N 、+88°のc、 p、、19のvis c、および1.7Vのt、v、を示す。
匠一旦 p−)ランス−4−エチルシクロへキシル−ベンゾニトリル 10%、 p−トランス−4−プロピルシクロへキシル−ベンゾニトリル 17%、 2−P−シアノフェニル−5−プロピル−1,3−ジオキサン 9%、 2−p−シアノフェニル−5−ブチル−1,3−ジオキサン 6%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−エチルベンゾエート 5%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロピルベンゾエート 7%、 p−[トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−エチル1インチオシアネート ベンゼン 8%、トランス、トランス−4−プロピル−41−プロポキシシクロ ヘキシル−シクロヘキサン 14%、4−エチル−4′−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4%、 4−エチル−4’ −(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル  3%、 4.4°−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4 %、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4゜−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−ビフェニル 5%、 2−フルオロ−4,4°−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)− ビフェニル 4%、2−フルオロ−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ ル)−4’−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4% の混合物は一30°より低いS−N 、+86°のc、p、、27のvisc、 および1.5■のt、v、を示す。
匠−豆 P−トランス−4−エチルシクロへキシル−ベンゾニトリル 5%、 P−)ランス−4−プロピルシクロヘキシル−ベンゾニトリル 17%、 p−トランス−4−ブチルシクロへキシル−ベンゾニトリル 8%、 P−トランス−4−ペンチルシクロへキシル−ベンゾニトリル 10%、 4−エチル−4′−シアノビフェニル 3%、3−フルオロ−4−シアノフェニ ルp−エチルベンゾエート 6%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロピルベンゾエート 8%、 p−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−シクロヘキ シル]−エチルーイソチオシアネートベンゼン 5%、 トランス−1−p−エトキシフェニル−4−10ビルシクロヘキサン 9%、 4−エチル−4’ −(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル  11%、 4−エチル−4’ −(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル  9%、 4.4°−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 3 %、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4゜−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4%、 2−フルオロ−4,4°−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)− ビフェニル 3%、2−フルオロ−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ ル)−4’−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4% の混合物は一30°より低いS−N 、+91°のc、p、、25のvisc、 および1.55Vのt、v、を示す。
倒−二す p−トランス−4−エチルシクロへキシル−ベンゾニトリル 10%、 P−)ランス−4−プロピルシクロへキシル−ベンゾニトリル 18%、 p−[トランス−4−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−シクロヘキ シル]−イソチオシアネートベンゼン 10%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−エチルベンゾエート 5%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロピルベンゾエート 7%、 トランス−1−p−エトキシフェニル−4−プロピルシクロヘキサン 13%、 4−エチル−4′−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル  9%、 4−エチル−4’ −(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル  8%、 4.4“−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4 %、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4“=(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−ビフェニル 5%、 4.4゛−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル 4 %、 2−フルオロ−4,4°−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)− ビフェニル 3%、2−フルオロ−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ ル)−4′−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4% の混合物は一30°より低いS−N、102゛のc、p、、26のvisc、お よび1.8Vのt 、v、を示す。
匠−■ p−トランス−4−エチルシクロへキシル−ベンゾニトリル 6%、 p−)ランス−4−プロピルシクロへキシル−ベンゾニトリル 16%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−エチルベンゾエート 4%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロピルベンゾエート 4%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−ペンチルベンゾエート 6%、 p−[トランス−4−(5−ヘキセニル)−シクロへキシル]−インチオシアネ ートベンゼン 5%、トランス、トランス−4−プロピル−4′−プロポキシシ クロヘキシル−シクロヘキサン 11%、トランス、トランス−4−メトキシ− 4′−ペンチルシクロヘキシル−シクロヘキサン 10%、トランス、トランス −4−エトキシ−4′−ペンチルシクロヘキシル−シクロヘキサン 10%、ト ランス−4−プロピルシクロヘキシルトランス、トランス−4−プロピルシクロ ヘキシル−シクロヘキサン−4′−カルボキシレート 4%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキシルトランス、トランス−4−プロピルシク ロヘキシル−シクロヘキサン−4′−カルボキシレート 4%、 トランス−4−プロピルシクロヘキシルトランス、トランス−4−ブチルシクロ ヘキシル−シクロヘキサン−4′−カルボキシレート 4%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキシルトランス、トランス−4−ブチルシクロ ヘキシル−シクロヘキサン−4′−カルボキシレート 3%、 4.4°−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4 %、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4゜−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−ビフェニル 5%、 2−フルオロ−4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’−()ラ ンス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4% の混合物は一40@より低いS−N 、+91’のc、p、、23のvisc、 および1.4■のt、v、を示す。
匠−卦 3−フルオロ−4−シアノフェニルP−エチルベンゾエート 4%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロピルベンゾエート 4%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−ペンチルベンゾエート 8%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−へブチルベンゾエート 6%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ ル)−ベンゾエート 5%、3−フルオロ−4−シアノフェニルp−(トランス −4−ブチルシクロヘキシル)−ベンゾエート 5%、3−フルオロ−4−シア ノフェニルp−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ベンゾエート 4 %、トランス−t−p−メトキシフェニル−4−プロピルシクロヘキサン 19 %、 トランス−1−p−メトキシフェニル−4−ペンチルシクロヘキサン 17%、 トランス、トランス−4−プロピル−4′−プロポキシシクロヘキシル−シクロ ヘキサン 7%、4−エチル−4’−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル )−ビフェニル 4%、 4.4°−ビス=(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4 %、 4.4°−ビス−(トランス−4−プロビルシクロヘキシル)−2−フルオロビ フェニル 4%、4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4“−(ト ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 5%、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4゜−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−2−フルオロビフェニル 4% の混合物は一40°より低イS−N 、+85°のc、 p、、30のvisc 、および1.4■のt、 V、を示す。
匠一旦 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−エチルベンゾエート 4%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロピルベンゾエート 6%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−ペンチルベンゾエート 12%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−へブチルベンゾエート 6%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ ル)−ベンゾエート 5%、3−フルオロ−4−シアノフェニルp−(トランス −4−ブチルシクロへキシル)−ベンゾエート 7%、3−フルオロ−4−シア ノフェニルp−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ベンゾエート 4 %、トランス−1−P−メトキシフェニル−4−プロピルシクロヘキサン 18 %、 トランス、トランス−4−プロピル−4′−プロポキシシクロヘキシル−シクロ ヘキサン 14%、4−エチル−4’ −()−ランス−4−プロピルシクロヘ キシル)−ビフェニル 4%、 4−エチル−4’=()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル  3%、 4.4°−ビス−(トランス−4−10ピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4 %、 4.4°−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フルオロビ フェニル 4%、4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4゛−(ト ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 5%、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4゜−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−2−フルオロビフェニル 4% の混合物は一30@より低イS−N 、+94”のc、p、、38のvisc、 および1.2■のt、v、を示す。
鯉一旦 3−フルオロ−4−シアノフェニルP−エチルベンゾエート 3%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロピルベンゾエート 4%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−ペンチルベンゾエート10%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルP−へブチルベンゾエート 5%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ ル)−ベンゾエート 5%、3−フルオロ−4−シアノフェニルp−(トランス −4−ブチルシクロヘキシル)−ベンゾエート 6%、3−フルオロ−4−シア ノフェニルp−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ベンゾエート 4 %、トランス−1−P−メトキシフェニル−4−プロピルシクロヘキサン 24 %、 トランス、トランス−4−10ピル−4′−プロポキシシクロヘキシル−シクロ ヘキサン 14%、4−エチル−4’ −(トランス−4−プロピルシクロヘキ シル)−ビフェニル 4%、 4−エチル−4’ −(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル〉−ビフェニル  4%、 4.4°−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4 %、 4.4°−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フルオロビ フェニル 4%、4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4゜−(ト ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 5%、 4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4゜−(トランス−4−プロ ピルシクロヘキシル)−2−フルオロビフェニル 4% の混合物は一40@より低いS−N 、+93’のc、p、、31のvisc、 および165vのt、v、を示す。
鯉−且 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−エチルベンゾエート 5%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−プロピルベンゾエート 5%、 3−フルオロ−4−シアノフェニルp−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ ル)−ベンゾエート 3%、トランス−1−ρ−メトキシフェニルー4−グロピ ルシクロヘキサン 7%、 トランス、トランス−4−プロピル−4′−プロポキトランス、トランス−4− ペンチルー4′−メトキシシクロヘキシル−シクロヘキサン 21%、トランス 、トランス−4−ペンチル−4′−エトキシシクロヘキシル−シクロヘキサン  7%、トランス−4−プロピルシクロヘキシルトランス、トランス−4−プロピ ルシクロヘキシル−シクロヘキサン−4′−カルボキシレート 4%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキシルトランス、トランス−4−プロピルシク ロヘキシル−シクロヘキサン−4′−カルボキシレート 5%、 トランス−4−プロピルシクロヘキシルトランス、トランス−4−ブチルシクロ ヘキシル−シクロヘキサン−4′−カルボキシレート 5%、 トランス−4−ペンチルシクロヘキシルトランス、トランス−4−ブチルシクロ ヘキシル−シクロヘキサン−4′−カルボキシレート 4%、 4.4°−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フルオロビ フェニル 4%、4.4°−ビス=(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル) −2−フルオロビフェニル 4%、4−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシ ル)−4゜−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フルオロビフェ ニル 5% の混合物は一40’より低いS−N 、+89°のc、p、、30のvisc、 および2.OVのt、v、を示す。
国際調査報告 ANNEX To ・LKE rNTERNAτl0NAL 5EARCHRE PORT 0NINTERNATIONAL APPLICATION No、  PCT/IJ 8710007B (SA 16115)WO−A−8607 99None !P−A−0161101215101/136 JP−A−61021113 529101/86

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.液晶誘電体を含み、そして低いマルチプレックス比および3.3ボルト以下 の動作電圧を有するスタティックコントロールまたはマルチプレックスコントロ ールによる液晶表示素子であり、その動作温度が−30℃から+80℃まで拡張 されておりそして該誘電体の20℃における粘度が40mPa.秒より小さい液 晶表示素子。
  2. 2.該誘電体のしきい電圧が高くて1.7ボルトである、請求の範囲1に記載の 液晶表示素子。
  3. 3.該誘電体が式I ▲数式、化学式、表等があります▼I [式中R1はC原子1〜12個を有するアルキル基であり、この基中に存在する 1個のCH2基または隣接していない2個のCH2基はO原子、−CO−、−O −CO−、−CO−O−および(または)−CH=CH−基により置き換えられ ていてもよく、A0およびA1は相互に独立して、それぞれCy、Dioまたは Pheであり、Zは−CO−O−、−O−CO−、−CH2−O−、−O−CH 2または単結合であり、X1はF、Cl、−CNまたは−NCSであり、X2は FまたはClであるか、あるいはX1がNCSである場合に、X2はまたHであ ることができ、mは0または1であり、Cyはトランス−1,4−シクロヘキシ レンであり、Dioはトランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイルであり、 そしてPheは非置換であるか、またはフッ素で置換されている1,4−フェニ レンである〕 で示される成分の少なくとも一種を含有する、請求の範囲1または2のいずれか に記載の液晶表示素子。
  4. 4.該誘電体が式II ▲数式、化学式、表等があります▼II[式中R1はC原子1〜12個を有する アルキル基であり、この基中に存在する1個のCH2基または隣接していない2 個のCH2基は−O−、−CO−、−O−CO−、−CO−O−および(または )−CH=CH−により置き換えられていてもよく、Q1はトランス−1,4− シクロヘキシレンであり、この基中に存在する1個のCH2基または隣接してい ない2個のCH2基はOおよび(または)Sにより置き換えられていてもよく、 Q2はトランス−1,4−シクロヘキシレンであり、この基中に存在する1個の CH2基または隣接していない2個のCH2基はOおよび(または)Sにより置 き換えられていてもよく、あるいはQ2は非置換であるかまたはフッ素で置換さ れている1,4−フェニレンであり、この基中に存在する1個または2個以上の CH基はNにより置き換えられていてもよく、Z0は−CO−O−、−CH2O −または−CH2CH2−であり、X1はF、Cl、−CHまたは−NCSであ り、そしてX2はFまたはClであるかあるいはX1がNCSである場合に、X 2はまたHであることができる]で示される成分の少なくとも一種を含有する、 請求の範囲1〜3のいずれかに記載の液晶表示素子。
  5. 5.該誘電体が式III R1−Q1−(Q2)n−X3III [式中R1はC原子1〜12個を有するアルキル基であり、この基中に存在する 1個のCH2基または隣接していない2個のCH2基は−O−、−CO−、−O −CO−、−CO−O−および(または)−C=CH−により置き換えられてい てもよく、Q1はトランス−1,4−シクロヘキシレンであり、この基中に存在 する1個のCH2基または隣接していない2個のCH2基はOおよび(または) Sにより置き換えられていてもよく、Q2はトランス−1,4−シクロヘキシレ ンであり、この基中に存在する1個のCH2基または隣接していない2個のCH 2基はOおよび(または)Sにより置き換えられていてもよく、あるいはQ2は 非置換であるかまたはフッ素で置換されている1,4−フェニレンであり、この 基中に存在する1個または2個以上のCH基はNにより置き換えられていてもよ く、nは1または2であり、そしてX3は−CNまたは−NCSである] で示される成分の少なくとも一種を含有する、請求の範囲1〜4のいずれかに記 載の液晶表示素子。
  6. 6.該誘電体が式IV ▲数式、化学式、表等があります▼IV[式中R1およびR2は相互に独立して 、それぞれC原子1〜12個を有するアルキル基であり、この基中に存在する1 個のCH2基または隣接していない2個のCH2基は−O−、−CO−、−O− CO−、−CO−O−および(または)−CH=CH−により置き換えられてい てもよく、記号Q1は相互に独立して、それぞれトランス−1,4−シクロヘキ シレンであり、この基中に存在する1個のCH2基または隣接していない2個の CH2基はOおよび(または)Sにより置き換えられていてもよく、記号Q2は 相互に独立して、それぞれトランス−1,4−シクロヘキシレンであり、この基 中に存在する1個のCH2基または隣接していない2個のCH2基はOおよび( または)Sにより置き換えられていてもよく、あるいはQ2はそれぞれ非置換で あるかまたはフッ素で置換されている1,4−フェニレンであり、この基中に存 在する1個または2個以上のCH基はNにより置き換えられていてもよく、記号 Z1は相互に独立して、それぞれ−CO−O−、−O−CO−、−CH2O−、 −OCH2−、−CH2CH2−または単結合であり、そしてmおよびpはそれ ぞれ0または1である] で示される成分の少なくとも一種を含有する、請求の範囲1〜5のいずれかに記 載の液晶表示素子。
  7. 7.該誘電体が式V R1−Cy−Q0−R2V [式中R1およびR2は相互に独立して、それぞれC 原子1〜12個を有するアルキル基であり、この基中に存在する1個のCH2基 または隣接していない2個のCH2基は−O−、−CO−、−O−CO−、−C O−O−および(または)−CH=CH−により置き換えられていてもよく、Q 0はCyまたはPheであり、Pheは非置換であるかまたはフッ素で置換され ている1,4−フェニレンであり、そしてCyはトランス−1,4−シクロヘキ シレンである]で示される成分の少なくとも一種を含有する、請求の範囲1〜6 のいずれかに記載の液晶表示素子。
  8. 8.該誘電体が式VI R1−Phe−Phe−CNVI [式中R1はC原子1〜12個を有するアルキル基であり、この基中に存在する 1個のCH2基または隣接していない2個のCH2基はO原子、−CO−、−C O−、−O−CO−、−CO−O−および(または)−CH=CH−基により置 き換えられていてもよく、そしてPheは1,4−フェニレンである]で示され る成分の少なくとも一種を含有する、請求の範囲1〜7のいずれかに記載の液晶 表示素子。
  9. 9.該誘電体が式VII R1−(O)n−COO−Phe−R2VII[式中R1およびR2は相互に独 立して、それぞれC原子1〜12個を有するアルキル基であり、この基中に存在 する1個のCH2基または隣接していない2個のCH2基は−O−、−CO−、 −O−CO−、−CO−O−および(または)−CH=CH−により置き換えら れていてもよく、R2はまたCNであることができ、Qはトランス−1,4−シ クロヘキシレンであり、この基中に存在する1個のCH2基または隣接していな い2個のCH2基はOおよび(または)Sにより置き換えられていてもよく、あ るいはQはPheであり、Pheは非置換であるかまたはフッ素で置換されてい る1,4−フェニレンであり、nは1または2であり、そしてn=2である場合 に、2個の基Qは相互に同一または異なることができる]で示される成分の少な くとも一種を含有する、請求の範囲1〜8のいずれかに記載の液晶表示素子。
  10. 10.−30℃〜+80℃の動作温度、20℃において40mPa.秒より小さ い粘度および高くて1.7ボルトのしきい電圧を有する液晶誘電体。
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