JPH01503306A - 液晶相 - Google Patents
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- JPH01503306A JPH01503306A JP63504086A JP50408688A JPH01503306A JP H01503306 A JPH01503306 A JP H01503306A JP 63504086 A JP63504086 A JP 63504086A JP 50408688 A JP50408688 A JP 50408688A JP H01503306 A JPH01503306 A JP H01503306A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるため要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
液 晶 相
本発明はスーパーツイストネマティックセルで使用するのに適する弾性物性およ
び誘電物性を有する液晶相(LC相)に関する。
液晶表示セルは表面におけるオフセット時の整列方向とカイラル添加剤の配合の
組合せにより液晶層に90’より太きいねじれが支持されているように調製する
ことができる。ねじれ角をこの方法で増大させると、しきい特性曲線の勾配が増
大し、そしてその結果として、しきい特性曲線は垂直になる。ねじれ角がさらに
増大すると、双安定状態になるが、双安定性の発現時点で、非常に急勾配のスイ
ッチング曲線が慣用のRMS波形を用いる高レベルマルチプレンクス駆動を可能
にする。ねじれ角の増大の限界はコレステリンクピッチが短くなることにより安
定化される散乱テキスチャーにより定められる。この効果は変更可能であるが、
セルの表面チルトを増大させることによっては消去されない。
「スーパーツイストネマティックセル」の用語には、ねじれが明瞭に90°より
大きいセルの全部、たとえばゲスト−ホストモードを用いるセル(C,M、Wa
ters、 V。
BrimmellおよびE、 P、 RaynesによるProc、 3. I
nk、 Dis−play Re5earch ConferenceSKob
e(1983年)、396頁、 C,M。
Waters、 V、BrimmellおよびE、P、RaynesによるPr
oc 。
SID 25/4(1984年) 、261頁〕。複屈折モードを用いるセル(
7,J、 5chefferおよびJ、 NehringによるAppl、 P
hys。
Lett、 45(1984年)1021頁; T、 J、 5cheffar
およびJ、 Ne−hringによるJ、 Appl、 Phys、 58(1
985年)、3022頁〕、ブラックアンドホワイト(Black & Whi
te)STN−LCD’s (光学モード干渉)を用いるセルCM、 5cha
dtおよびF、 Leen−houtsによるAppl、Phys、 Lett
、 50 (19g7年)236頁:K。
Kawasaki、 K、 YamadaSR,Watanabeおよびに、
MizunoyaによるProc、 SID ’87 Digest(1987
年)、391頁) 、HBELCD’sを用いるセル(K、 Kinugawa
s Y、 Kando、M、 Kana−saki、 H,Kawakami8
よびl:、 1(aneko、)二重層ブランクアンドホワイト(Double
Layer Black & White) STN LCD’sを用いるセ
ル(K、Katoh、 Y、EndoSM、AkatsukaSM。
Ohgawaraおよびに、 Sawada)が包含される。
標準ねじれネヤテイック表示体に比較して、スーパーツイストネマティックセル
はその挙動に重大な差異を有する。高度のねじれを有する構造を通過する光の誘
導は不完全であることから、セルは通常、変更可能な複屈折モードで動作させる
。これはセル厚さに対するしきい電圧の強い依存性とともに、セル間隔の高度の
正確度が要求されることを意味する。材料物性の温度による変化を最小にするた
めには、混合物に比較的高い透明度が要求される。最適に近い光学的性能は、た
とえば270°ねじれセルに対してd△n;0.73をセットし、そして最良の
コントラストを得るために必要に応じて偏光子配向を調整することによって得る
ことができる。
スーパーツイストネマティック表示体の性能に関与する材料物性とセルとの間に
は多数の相互関係が存在するので、セルのパラメーターを最高性能に合わせるた
めの材料の組合せの選択は極めて因難である。
従って、スーパーツイストネマティック表示セルで使用するのに適する材料物性
を有する液晶相が依然として極めてめられている。
本発明の課題は室温を包含してネマティック相を有し、そしてスーパーツイスト
セルで使用するのに適する弾性物性および誘電物性を示す液晶相を調製すること
にある。
ここに、液晶相がA、BおよびCの少なくとも三種の成分よりなり、各成分は一
種または二種以上の化合物を含有し、成分Aは20°で高くて約25mPa、s
の粘度、高くて130’の透明点および約−2〜約+2の誘電異方性を有し、成
分Bは約+8以上の誘電異方性を有し、そして成分Cは130°より高い透明点
および約−2〜+2の誘電異方性を有するものであり、上記成分Aが次式■で示
される化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする場合に、材料物性の
特に好ましい組合せを有する液晶相が得られることが見い出された:
〔式中R1はC[子1〜12個を有するアルキルであり、この基中に存在する1
個のCH2基または隣接していない2個(7)CH2基はまた、○原子、−co
−1−O−CO−1−CO−O−および(または)−CH=CH−基により置き
換えられていてもよく、
R2はR1の意味のうちの一つを有し、z ’ バー co−o−1−O−CO
−またバーCH2CH2−”I’あり、Oはlであるか、またはA3が一σリー
である場合にはまた2であり、
Cyはトランス−1,4−シクロヘキシレンであり、そして
Pheは1.4−フェニレンである〕。
本発明による液晶相は好ましい弾性定数、すなわち比較的低いKll値およびに
22値、比較的高いに33値およびスーパーツイストネマティックセルにおける
使用に対して非常に好ましいに3!/K118よびに33/に2□関係を示す。
従って、本発明はスーパーツイストネマティックセルで使用するための前記液晶
相を提供し、この相はまた、所望のd/p関係を得るために、一種または二種以
上の適当なカイラル添加剤を含有することができる。
本発明はさらにまた、このような相を含有するスーパーツイストネマティック液
晶表示素子、特にスーパーツイストネマティック表示素子を提供する。
本発明による相は好ましくは、少なくとも約10重量%の成分A1少なくとも約
15重量%の成分Bおよび少なくとも約5重量%の成分Cよりなり、特に本発明
の相は成分A約40〜70重量%(好ましくは約50重量%)、成分B約30〜
50重量%(好ましくは約40重量%)および成分C約5〜30重量%(好まし
くは約10重量%)よりなる。混合物全体中の弐mで示される化合物の量は適当
には、少なくとも約10重量%、好ましくは約20〜60重量%(特に好ましく
は約50重量%)に相当する。
成分A、酸成分および成分Cに対して要求される前記の物性を有する化合物は基
本的に当業者に知られている化合物である。混合物全体はネマティック性または
コレスデリック性を有していなければならない。成分Aはネマティック液晶挙動
または単変性液晶挙動を示すことができるか、あるいは混合物全体がネマティッ
クであるかぎりにおいて、成分Aはまl;、スメクテイツクであることができる
。しかしながら、これらの混合物において、成分Aのうちの少なくとも一種の化
合物は互変性液晶であると好ましく、これらの混合物において、成分A1成分B
および成分Cが互変性液晶であると特に好ましい。
成分A1成分Bおよび成分Cとして適する化合物および混合物はほとんど知られ
ており、これらのうちのかわりはまt;市販されている。下記の化合物またはそ
れらの混合物は成分Aにまたは成分Aとして、特に適している:
R’−Cy−Phe−Phe−R2
R’−Cy−Cy−Phe−R”
弐■で示される好ましい化合物は下記の式m a −m gで示される化合物で
ある:
R’−Cy−Cy−00C−PheF−R’ m aR’−Cy−Cy−CH,
CH,−Phe−F−R” m bR’−Cy−Cy−Coo−PheF−R”
III cR’−Cy−Coo−PheF−R” m dR’−Cy−CH2
CH2−PheF−R2m e式■c1式II[dおよび式mgで示される化合
物は特に好ましい。
成分Aは舒ましくは、20”で高くて約2QmPa、s、特に高くて18mPa
、sの粘度および高くて120°の透明点を有する。
成分B用の成分または成分Bとしては、たとえば2個または3個のp−)ユニし
ンアルいはトランス−1,4−シクロヘキシレン基、極性末端基および場合によ
りラテラルハロゲン置換基を有する既知の化合物が適当である。
成分B用の成分として、または成分Bとして適する化合物は、たとえば次式Iお
よび(または)次式■で示される既知化合物である:
〔式中R1はC原子1〜12個を有するアルキルであり、この基中に存在する1
個のCH2基または隣接していない2個)CH2基はO原子、−CO−1−O−
CO−1−CO−O−および(マタは)−CH=CH−基により置き換えられて
いてもよく、八〇およびA1はそれぞれ、相互に独立してCySDiOlPyr
またはPheであり、
Zは−CO−O−1−O−CO−1CB2−0−1−〇−CH,−または単結合
であり、
XlはFSCffまt:は−CNTあり、x2はFまたはCQであり、
mは0またはlであり、
Cyはトランス−1,4−シクロヘキシレンであり、Pyrはピリミジン−2,
5−ジイルまたはピリジン−2,5−ジイルであり、
Dioはトランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイルであり、そして
Pheは1.4−フ二二しンである〕。
R”−A’−Phe−CN I[
〔式中A’ ハCy、 Cy−0M2CHz、Phes Dio、 Phe−C
oo%c7−coo。
Phe−PheSPhe−Coo−Phe、 Cy−Phe−Coo−Phe%
Phe−Phe−COO−Phe、 Cy−Cy、Cy−Cy−CHzCHz、
Cy−CH,CH,−CySCy−PheまたはCy−Coo−Pheであり、
そしてR1、cyおよびPheは前記の意味を有する〕。
成分用の成分として、または成分として適するさらに他の化合物には下記の化合
物がある:
および(または)
〔各式中R1は前記の意味を有する〕。
成分C用の成分として、または成分Cとして適する化合物は、たとえば次式で示
される既知の化合物である:
R’−Cy−Phe−Phe−R”
R’ −Cy−Cy−Phe−R”
R’−Cy−Cy−Cy−R”
R’−Cy−Z’−Phe−Z’−Phe−R”R’−Cy−Z’−Cy−Z’
−Phe−R”R’−Cy−Cy−Zl−Phe−R2R’−Cy−Cy−Cy
−Phe−R”R’−cy−cy−z’−cy−R”
R1−Cy−Z’−Cy−Z’−Cy−R2R’−Cy−Phe−Phe−Cy
−R2成分Cは好ましくは少なくとも約140’の透明点を有する。好適な成分
Cは少なくとも1806、好ましくは少なくとも2006の透明点を有する化合
物の少なくとも一種を含有する。
成分C用の成分として、または成分Cとして適するさらに他の化合物は次式■で
示される化合物である:R’−A”−(Z”−A2)、−R” IV〔式中Z”
ハ独立して、−CO−O−または−o−co−r アリ、A!はcyまたはPh
eであり、そしてR1およびR2は独立して、前記の意味を有する〕。
本発明による液晶相の式1〜■で示される化合物はそれぞれ、既知であるか、ま
t;は従来技術から当業者により容易に誘導できる方法、すなわち文献に記載さ
れている標準的方法にもとづく方法により製造することができるかのどちらかで
ある。
式■で示される相当する化合物は、たとえば西ドイツ国特許出願P 34059
14および同P 3515633 ;ヨーロッパ特許明細書0,019.665
; S、 M、 KellyおよびHp、 5chad(1984年);日本
国特開昭59−191.789ならびにヨーロッパ公開特許出願公報0,099
.099および同0.119,756に記載されている。弐■で示される化合物
は、たとえば西トイ同3227916.同3302218.同3334054.
ヨーロッパ公開特許出願公報0.122,389.米国特許4,322.354
および日本国特開昭56−164.179に記載されている。
本発明による成分A1成分Bおよび成分Cの組合せが、一方で、好ましい弾性物
性、低い融点を伴なう広いメンフェース範囲および低いスメクテイツクーネマテ
イック転移温度を有し、そして他方で、それらの良好な電気光学的急峻性および
視角特性の観点からマルチプレックス駆動が可能である、スーパーツイストネマ
ティックセルで使用するためのLC相をもたらすことが驚くべきことに見い出さ
れた。
の少なくとも二種、特に少なくとも三種、および式1および式■から選ばれる化
合物の好ましくは少なくとも二種、特に少なくとも三種を含有する。好ましくは
、式1で示される化合物の少なくとも一種を存在させる。
Xlは好ましくはCNである。x2は好ましくはフッ素である。Zは好ましくは
−CO−O−である。R1は好ましくはC原子1〜7個をそれぞれ有するアルキ
ル、アルケニル、アルコキシまたはアルコキシメチル、特にアルキルまt;はア
ルコキシメチルである。(A’)m−A’は好ましくはPhe。
Cyph6. PhePheまたはPyrPhe、特にPheまたはCyPhe
である。
式1で示される好ましい化合物は下記の部分式Ia〜Isで示される化合物であ
る:
R1は好ましくはC原子2〜7個を有する直鎖状アルキルである。式1で示され
る化合物の場合に、Zは好ましくは−CO−O−1−CH,−0−または単結合
である。X2は好ましくはフッ素である。
前記部分式で示される化合物の中で、式Iax)b。
Ic、Id、Ie、Igl Ib、I iS I j、Ik。
工1、Im、IO% I+)% IrおよびIsで示される化合物は好ましい。
特に好ましいものとして、部分式Ia−Ic、Ig、Ihs 1mおよびIpで
示される化合物があげられる。
前記部分式で示される化合物の場合に、Rは好ましくはCyK子1〜7個を有す
る、直鎖状アルキル基であり、この基中に存在するCH2基はまた、−〇−また
は−CH=CH−により置き換えられていてもよい。特に好ましい基Rはメチル
、エチル、n−プロピル、n−ブチル、n−ペンチルおよびn−ヘプチルである
。
2個の基Rを有する前記部分式で示される化合物の場合に、これらの基Rは両方
ともに、それぞれ相互に独立して、前記の意味の一つを有する。
弐工で示される化合物において、R1およびR2はそれぞれ独立して、好ましく
は7個までのC[子をそれぞれ有するアルキル、アルコキシまたはアルコキシメ
チルである。
式■で示される化合物において、R1およびR2は前記の好ましい意味を有する
。弐■で示される好ましい化合物は下記の部分式IVa〜IVfで示される化合
物である:R’−Phe−Coo−Phe−Coo−Phe−R” IV aR
’−Cy−Coo−Phe−Coo−Phe−R” IV bR’−Phe−C
oo−Cy−Coo−Phe−R” ■cR’−Pbe−00C−Cy−Coo
−Phe−R” IV dR’−Cy−Coo−Cy−Coo−Phe−R2I
V eR’−Cy−Coo−Phe−Coo−Cy−R” IV f前記部分式
で示される化合物の中では、式IVa、 IVbおよびIVdで示される化合物
が好ましい。
式1〜■で示される化合物中のアルキル基が3個または4個以上の炭素原子を有
する場合に、これらの炭素原子は直鎖状または分枝鎖状に配列されていることが
できる。しかしながら、本発明による相は一つより多くの分校を有するアルキル
基を有するいずれの成分も含有しない。このような分枝鎖状アルキル基は本発明
の目的に対して、多くて1個の鎖分校を有する;好ましくはこの基は炭素幹鎖の
1位置または2位置にメチルまたはエチル基を有し、従って、適当な分枝鎖状ア
ルキル基は特に2−メチルブチル、2−メチルブチル、1−メチルペンチル、2
−メチルペンチル、l−メチルヘキシルである。
一般に、本発明による液晶誘電体は、所望により光学活性を生じさせるために、
分枝鎖状アルキル基を有する成分を一種だけ含有する。この目的には、通常、1
0重量%、好ましくは0.5〜3重量%の量で分枝鎖状アルキル基含有成分を加
える。
前記部分式で示される化合物において、本発明による好ましい相は式■において
R1がn−アルキルであり、モしてR2はn−アルキル、n−アルコキシまた
はn−アルカノイルオキシである相当する化合物を含有する。
R1およびR2は好ましくは、C原子2〜7個をそれぞれ有するn−アルキルま
たはn−アルコキシである。
本発明による相の調製は慣用の方法で行なう。一般に、少ない方の量で使用する
成分の所望量を主成分を構成する成分中に、好ましくは高められた温度で溶解す
る。この温度が主成分の透明点以上で選ばれた場合に、溶解の進行の完了を特に
容易に見ることができる。
しかしながら、適当な有機溶剤、たとえばアセトン、クロロホルムまたはメタノ
ール中の各成分の溶液を混合することもでき、そして充分に混合した後に、たと
えば減圧における蒸留により溶剤を除去することができる。
この方法を用いる場合に、溶剤がいずれかの汚染物または望ましくないドーピン
グ物質を導入しないことを確突にせねばならないことは自明のことである。
本発明による液晶相は、適当な添加剤によって、これらを従来開示されている種
類のスーパーツイストネマティック液晶表示素子のいずれでも使用できるように
、変性することができる。
本発明による相を含むスーパーツイストネマティック電気光学セルの製造はまた
、それ自体既知の方法で行なうことができ、たとえば適当なセルを脱気させ、こ
の脱気したセル中に混合物を導入する。
次側は本発明を制限することなく、本発明を説明するものである。これらの例に
おいて、液晶相の融点及び透明点は摂氏度で示す。パーセンテージは重量による
。しきい電圧の数値はO″の視角、10%コントラストおよび20 ’Cに対す
るものであり、906ねじれセルにおける電圧である。
例 1
4−シアノビフェニル−4′−イルp−(n−へブチルフェニル)−ベンゾニー
ト 3%、
2−フルオロ−4−ペンチルフェニルp−(ヘプチル7エ二ル)−ベンゾエート
10%、
4−シアノ−4’−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル1
4%、
4−シアノ−3−フルオロフェニルp−プロピルベンゾニート 7%、
4−シアノ−3−フルオロフェニルp−エチルベンゾエート2%、
2−フルオロ−4−ペンチルフェニルトランス−4=(トランス−4−ペンチル
シクロヘキシル)−シクロヘキサンカルボキシレート 10%、
2−p−シアノ゛フェニルー5−プロピル−1,3−ジオキサン 14%、
2−フルオロ−4−ペンチルフェニルトランス−4−プロピルシクロヘキサンカ
ルボキシレート2−フルオロ−4−ペンチルフェニルトランス−4一ペンチルシ
クロヘキサンカルボキシレート16%および2−フルオロ−4−ペンチルフェニ
ルトランス−4−ヘプチルシクロヘキサンカルボキシレート16%、よりなる液
晶相は85.4’の透明点、0.131の光学異方性、20°で54 、 3m
Pa 、 sの粘度2.22ボルトのしきい電圧、+ 11.1の誘電異方性お
よび1.18のKss/Kitを有する。
例 2
1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2− (4’−ペンチル−2
′−フルオロビフェニル−4−イル)−エタン8.6%、
1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−(4′−エチル−2′ー
フルオロビフエニル−4−イル)ーエタン8.7%、
1− (トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−(4′−エチル−2′
ーフルオロビフエニル−4−イル)−エタン 8.7%、
4−エチル−4′−シアノビフェニル 6%、2−p−シアノフェニル−5−プ
ロピル−1.3−ジオキサン20%、
2−p−シアノフェニル−5−ペンチル−1.3−ジオキサン20%、
トランス−4− (トランス−4−プロピルシクロヘキサン)−プロポキシシク
ロヘキサン 9%、4−シアノビフェニル−4′ーイルp−(ヘプチル7エ二ル
)−ベンゾエート 2%、
4、4’−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4
%、
4− (トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’=(トランス−4−プ
ロピルシクロヘキシル)−ビフェニル 4%および
トランス−4−ペンチルシクロヘキシルトランス−4−(トランス−4−ブチル
シクロヘキシル)−シクロヘキサンカルボキシレート 9%、
よりなる液晶相は86.9°の透明点、0.130の光学異方性、20°で32
.3mPa.sの粘度および2.28ボルトのしきい電圧、+11.2の誘電異
方性および1.27のKss/Kxを有する。
例 3
4−シアノビフェニル−4′−イルp−(ヘプチル7エ二ル)−ベンゾエート3
.0%、
2−フルオロ−4−ペンチルフェニルp−(ヘプチル7ニニル)−ベンゾエート
10.0%、4−シアノ−4’−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)
−ビフェニル14.0%、
4−シアノ−3−フルオロフェニルp−プロピルベンゾエート7、0%、
4−シアノ−3.−フルオロフェニルp−エチルベンゾエート 2.0%、
2−フルオロ−4−ペンチルフェニルトランス−4−(トランス−4−ペンチル
シクロヘキシル)−シクロヘキサンカルボキシレート10.0%、
2−p−シアノフェニル−5−プロピル−1.3−ジオキサン14.0%、
p−プロピルフェニルトランス−4−7’口ピルシク口ヘキサンカルボキシレー
ト 12.6%、p−ペンチル7ニニルトランスー4−プロピルシクロヘキサン
カルボキシレート15.4%、および
p−へブチルフェニルトランス−4−プロピルシクロヘキサンカルボキシレート
12.0%、よりなる液晶相は85.2’の透明点、0.131の光学異方性
、20°で45.3mPa.sの粘度、2.21ボルトのしきい電圧、+11.
2の誘電異方性、および1.16のy.ss/y.、□を有する。
例1の混合物はスーパーツイスト表示体をデザインする場合に、良好な出発点で
ある。この相を含有するセルが初期試験で不充分のしきい値急峻性を示した場合
には、例2の混合物を添加して、ヒステリシス(履歴現象)を導入し、このねじ
れセルに最適にされた透過度対電圧曲線を得ることができる。同様に、例3の混
合物は必要に応じて、過度のヒステリシスを減じるために添加することができる
。駆動電圧はこのような調整されたセルに正確なスイッチング電圧を付与するた
めに調整されなければならない。
例1〜3の混合物はドーピングされておらず、適当なカイラル添加剤が、望まし
いd/p関係を得るために使用されるべきものである。これらの添加剤は容易に
入手でき、当業者に知られている。
これらの混合物はまた、中間の物性を得るために、いかような割合でも一緒に混
合することができる。
例 4
4−シアノビフェニル−4′−イルp−(n−へブチルフェニル)−ベンゾエー
ト 3%、
2−フルオロ−4−ペンチルフェニルp−(ヘフチルフェニル)−ベンゾニート
8%、
4−シアノ−4’−()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−ビフェニル1
4%、
4−シアノ−3−フルオロフェニルp−プロピルベンゾニート 7%、
4−シアノ−3−フルオロ7ニニルp−エチルベンゾエート2%、
2−フルオロ−4−ペンチルフェニルトランス−4−(トランス−4−ペンチル
シクロヘキシル)−シクロヘキサンカルボキシレート 10%、
2−p−シアノフェニル−5−プロピル−1,3−ジオキサン14%、
p −(p−7’口ピルフエノキシカルポニル)−フェニルトランス−4−シク
ロヘキサンカルボキシレート2%、2−7に’A−ロー4−ペンチル7ニニルト
ランスー4−プロピルシクロヘキサンカルボキシレート 8%、2−7 、+1
/オロー4−ペンチルフェニルトランス−4−ペンチルシクロヘキサンカルボキ
シレート16%および2−フルオロ−4−ペンチル7ニニルトランスー4−ヘプ
チルシクロヘキサンカルボキシレート 16%よりなる液晶相を調製する。
−(4’−エチル−2′−フルオロビフェニル−4−イル)−二 ターン 16
.6%、
1− (トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−(4’−ペンチルー2
′−フルオロビフェニル−4−イル)−エタン16.7%、
1−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−(4’−エチル−2′−
フルオロビフェニル−4−イル)−エタン16.7%、
4−エチル−4′−シアノビフェニル 10%、4−プロピル−4′−シアノビ
フェニル10%、4−ペンチルー4′−シアノビ7ニニル15%、4.4’−ビ
ス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フルオロビフェニル 5
%、4.4′−ビス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−フルオ
ロビフェニル 5%、および4− ()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)
−4’=(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フルオロビフェニル
5%、
よりなる液晶相は97.5’の透明点、<−20°のスメクテイツクーネマテイ
ンク転移点、20°で33.1mPa、sの粘度、0.179の光学異方性を有
し、そしてSBE装置で良好な性質1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−2−(4′−エチル−2′−フルオロビフエニル−4−イル)−エタン
6.6%、
1− (1−ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−(4′−ペンチルー
2′−フルオロビフェニル−4−イル)−エタン 6.7%、
1−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−(4’ −エチル−2′
−フルオロビフェニル−4−イル)−エタン 6.7%、
1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル−(p−シアノフェニル)−エタ
ン25%、トランス、トランス−4−プロピル−4′−シアノシクロへキシルシ
クロヘキサン20%、
2−p−シアノフェニル−5−7’口ピル−1,3−ジオキサン 10%
4、4′−ヒス−(トランス−4−7’ロビルシクロヘキシル)−2−フルオロ
ビフェニル 5%、4、c−ヒス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)
−2−フルオロビフェニル 5%、4− Cトランス−4−ペンチルシクロヘキ
シル−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フルオロビフェニル
5%、
トランス−4−ペンチルシクロヘキシル4− (トランス−4−プロピルシクロ
ヘキシル)−シクロヘキサンカルボキシレート 5%、
および
トランス−4−ペンチルシクロヘキシル4− (トランス−4−ブチルシクロヘ
キシル)−シクロヘキサンカルボキシレート 5%、
よりなる液晶相はSBE装置で良好な性質を示す。
例 7
1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−(4′−エチル−2′−
フルオロビフェニル−4−イル)ーエタン 9.2%、
1−Cト5ンスー4−プロピルシクロヘキシル)−2−(4’−ペンチル−2′
−フルオロビフェニル−4−イル)−エタン 9.1%、
1− ()ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−(4’ −エチル−2
′−フルオロビフェニル−4−イル)ーエタン 9.2%、
1− ()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−(p−シアノフェニル
)−エタン22.5%、トランス、トランス−4−プロピル−4′−シアノシク
ロへキシルシクロヘキサン 15%、
2−p−シアノフェニル−5−7’口ピル−1.3−ジオキサン 5%
4−シアノ−3−フルオロフェニルp−プロピルベンゾニート 5%
4、47−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フルオロビ
フェニル 5%、4、4′− ヒス−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル
)−2−フルオロビフェニル 5%、4− (トランス−4−ペンチルシクロヘ
キシル)−4’−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−フルオロビ
フェニル 5%、
トランス−4−ペンチルシクロヘキシルトランス−4−(トランス−4−プロピ
ルシクロヘキシル)−シクロヘキサンカルボキシレート 5%、
および
トランス−4−ペンチルシクロヘキシルトランス−4−(トランス−4−ブチル
シクロヘキシル)−シクロヘキサンカルボキシレート 5%、
よりなる液晶相は、96.86の透明点、<−20°のスメクテイックー洋マチ
イック転移温度、20°で33.5+nPa、sの粘度、0.122の光学異方
性を有し、そしてSBE装置で良好な性質を示す。
例7の混合物および例5の混合物はSTNデバイス用の変更可能な複屈折を有す
る二成分系(two−bottle system)として適している。この系
は180度〜220度のねじれ角を有するSTN表示体に特に有用であり、その
配合によって、変更可能な複屈折がセルねじれ角およびセル厚さに正確に適合す
ることを可能にする。両温合物は全ての割合で混和性であり、0.179〜0.
122の△nおよび180度のねじれセル(7μm、 180°Cねじれ、低い
表面チルトセル、d/p=0.375、d、△n= 0−95)で2.03V
〜2.04Vのほぼ一定のしきい電圧を提供する。その高い透明点は高められた
動作温度における望ましくない色の変化を最少にする。
7μm5TNセルに対して適する複屈折は例5の混合物21.8部と例7の混合
物78.2部とを混合することによって得られる。生成する液晶相は0.135
7の光学異方性を示し、これは7μm厚さを有する180°ねじれSTNセルに
対して最適の光路差を与える(d、△n= 0.95)。
電気光学的測定は偏光子が両方ともに平行であるポジコントラストモードで白色
光源を使用して行ない、入射偏光子は入射方向に対して45°の角度にした:1
− (トランス−4−エチルシクロヘキシル)−2−(4′−エテル−2′−フ
ルオロビフェニルー4−イル)−エタン25%、
1−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−(4’−ニチルー2′−
フルオロビフェニル−4−イル)−エタン25%、
4−エチル−4′−シアノビフェニル10%、4−ペンチル−4′−シアノビフ
ェニル15%、1−()ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−(p−シ
アノフェニル)−エタン 10%、4.4′−ビス−(トランス−4−プロピル
シクロヘキシル)−2−フルオロビフェニル 5%、L4’−ビス−(トランス
−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−フルオロビフェニル 5%、4− (ト
ランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’−(トランス−4−プロピルシク
ロヘキシル)−2−フルオロビフェニル 5%、
よりなる液晶相は88.4°の透明点、< −20’のスメクテイツクーネマテ
インク転移点、20°で29.9mPa、、sの粘度、および0.167の光学
異方性を有する。
6μm厚さで、180°ねじれ角のSTNセルに5811をドーピングすると、
白色光源を使用し、平行偏光子を用いてポジコントラストモードで動作させて、
d/p−0,35の電気光学測定値が得られた。入射偏光子は入射方向に対して
、45°の角度にした:
■、。、。:2゜−2,00
1−(1−ランス−4−エチルシクロヘキシル)−2−(4’−エチル−2′−
フルオロビフェニル−4−イル)−エタン25%、
l−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−(4′−エチル−2′−
フルオロビフェニル−4−イル)−エタン 25%、
4−エチル−4′−シアノビフェニル10%、4−ペンチル−4′−シアノビフ
ェニル13%、1− (1−ランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−(p
−シアノフェニル)−エタン 12%、4.4′−ビス=(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシル)−2−フルオロビフェニル7.5%オヨび4− (トラン
ス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’−(トランス−4−7’ロピルシクロ
ヘキシル)−2−フルオロビフェニル7.5%、
よりなる液晶相は88.9°の透明点、<−20’のスメクテイツクーネマテイ
ツク転移点、20°で29.5mPa、sの粘度、および0.166の光学異方
性を有する。
6pm厚さで、180’ねじれSTNセルに8811をドーピングすると、白色
光源を使用して、平行偏光子を用いるポジコントラストモードでセルを動作させ
て、d/p−0,35の電気光学測定値が得られた。入射偏光子は入射方向に対
して、45°の角度にした:
1−()ランス−4−7’口ビルシク口ヘキシル)−2−(4’−エチル−2′
−フルオロビフエニル−4−イル)−二タン9.1%、
1−(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)−2−(4’−エチル−2′−
フルオロビフェニル−4−イル)−エタン9.1%、
1− (トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−(4’−ペンチル−2
′−フルオロビフェニル−4−イル)−エタン9.1%、
トランス、トランス−4−プロピル−4′−プロポキシシクロへキシルシクロヘ
キサン 14.9%、2−1)−シアノ7ニニルー5−プロピル−1,3−ジオ
キサン5.2%
4−シアノ−3−フルオロフェニルp−プロピルベンゾニート5.0%、
2−フルオロ−4−ペンチルフェニルトランス−4−(トランス−4−ペンチル
シクロヘキシル)−シクロヘキサンカルボキシレート9.9%、
l−(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)−2−(p−シアノフェニル)
−エタン22.6%、4.4’−ビス−(トランス−4−プロピルシクロヘキシ
ル)−2−フルオロビフェニル5.0%、4.4′−ビス−(トランス−4−ペ
ンチルシクロヘキシル)−2−フルオロビフェニル5.1%および4−(トラン
ス−4−ペンチルシクロヘキシル)−4’−(トランス−4−プロピルシクロヘ
キシル)−2−フルオロビフェニル5.0%、
よりなる液晶相は93.4°の透明点、20’で24.6mPa、sの粘度、0
.121の光学異方性を有し、そしてスーパーツイストネマティック素子で良好
な性質を示す。
国際調査報告
msm*+電・醪^帥−シ組+1ll111・PCT/E?8810042G
Claims (8)
- 1.A、BおよびCの少なくとも三種の成分よりなり、これらの成分はそれぞれ 、1種または2種以上の化合物を含有し、該成分Aは20°において高くて約2 5mPa.sの粘度と高くて130°の透明点と約−2〜約+2の誘電異方性と を有し、該成分Bは約+8以上の誘電異方性を有し、そして該成分Cは130° より高い透明点および約−2〜約+2の誘電異方性を有する、スーパーツイスト ネマテイツクセルに使用する液晶相であって、上記成分Aは、式III ▲数式、化学式、表等があります▼III〔式中R1はC原子1〜12個を有す るアルキルであり、この基中に存在する1個のCH2基または隣接していない2 個のCH2基はまた、O原子、−CO−、−O−CO−、−CO−O−および( または)−CH=CH−基により置き換えられていてもよく、 R2はR1の意味のうちの一つを有し、▲数式、化学式、表等があります▼また は▲数式、化学式、表等があります▼Z1は−CO−O−、−O−CO−または −CH2CH2−であり、oは1であるか、またはA3が−■−である場合には 、oはまた、2であることができ、 Cyはトランス−1,4−シクロヘキシレンであり、そして Pheは1,4−フェニレンである〕 で示される化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする上記液晶相。
- 2.上記成分Bが、式I ▲数式、化学式、表等があります▼I 〔式中R1はC原子1〜12個を有するアルキルであり、この基中に存在する1 個のCH2基または隣接していない2個のCH2基は、また、O原子、−CO− 、−O−CO−、−CO−O−および(または)−CH=CH−基により置き換 えられていてもよく、 A0およびA1は、相互に独立して、それぞれCy、Dio、PyrまたはPh eであり、 Zは、−CO−O−、−O−CO−、−CH2−O−、−O−CH2−または単 結合であり、 X1は、F、Clまたは−CNであり、X2は、FまたはClであり、 mは0または1であり、 Cyはトランス−1,4−シクロヘキシレンであり、Pyrはピリミジン−2, 5−ジイルまたはピリジン−2.5−ジイルであり、 Dioはトランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジイルであり、そして Pheは1,4−フエニレンである〕 で示される化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする、請求項1に記 載の液晶相。
- 3.上記成分Bが、式II R1−A4−Phe−CNII 〔式中A4はCy、Cy−CH2CH2、Phe、Dio、Phe−COO、C y−COO、Phe−Phe、Phe−COO−Phe、Cy−Phe−COO −Phe、Phe−Phe−C00−Phe、Cy−Cy、Cy−Cy−CH2 CH2、Cy−CH2CH2−Cy、Cy−PheまたはCy−COO−Phe であり、そしてR1、CyおよびPheは前記の意味を有する〕 で示される化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする、請求項1およ び2の少なくとも一項に記載の液晶相。
- 4.上記成分Bが、式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される化合物および(または)式 ▲数式、化学式、表等があります▼ で示される化合物(各式中R1は前記の意味を有する)の少なくとも一種を含有 することを特徴とする、請求項1〜3の少なくとも一項に記載の液晶相。
- 5.上記成分Cが、式IV R1−A2(Z2−A2)2−RIV 〔式中Z2は、それぞれ、−CO−O−または−O−CO−であり、A2は、C yまたはPheであり、そして、R1およびR2は、独立して、前記の意味を有 する〕 で示される化合物の少なくとも一種を含有することを特徴とする、請求項1〜4 の少なくとも一項に記載の液晶相。
- 6.上記成分Cが、式 R1−Cy−Phe−Phe−R2 R1−Cy−Cy−Phe−R2 R1−Cy−Cy−Cy−R2 R1−Cy−Z1−Phe−Z1−Phe−R2R1−Cy−Z1−Cy−Z1 −Phe−R2R1−Cy−Cy−Z1−Phe−R2R1−Cy−Cy−Cy −Phe−R2R1−Cy−Cy−Z1−Cy−R2 R1−Cy−Z1−Cy−Z1−R2 R1−Cy−Phe−Phe−Cy−R2▲数式、化学式、表等があります▼ ▲数式、化学式、表等があります▼ R1−Cy−Z1−Phe−Phe−Cy−R2で示される化合物のうちの少な くとも一種を含有することを特徴とする、請求項1〜4の少なくとも一項に記載 の液晶相。
- 7.請求項1に記載の液晶相のスーパーツイストネマティック電気光学表示素子 における使用。
- 8.請求項1に記載の相を含むことを特徴とするスーパーツイストネマティック 電気光学表示素子。
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1992
- 1992-07-09 SG SG715/92A patent/SG71592G/en unknown
- 1992-10-15 HK HK776/92A patent/HK77692A/xx not_active IP Right Cessation
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2000080367A (ja) * | 1990-04-13 | 2000-03-21 | Merck Patent Gmbh | 液晶媒体 |
JP2000096057A (ja) * | 1990-04-13 | 2000-04-04 | Merck Patent Gmbh | 液晶媒体 |
JP2000109841A (ja) * | 1990-04-13 | 2000-04-18 | Merck Patent Gmbh | 液晶媒体 |
Also Published As
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---|---|
SG71592G (en) | 1992-09-04 |
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WO1988009360A1 (en) | 1988-12-01 |
US5055224A (en) | 1991-10-08 |
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HK77692A (en) | 1992-10-23 |
DE3867439D1 (de) | 1992-02-13 |
KR890701707A (ko) | 1989-12-21 |
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