JPS6346618A - 磁気記録媒体 - Google Patents

磁気記録媒体

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Publication number
JPS6346618A
JPS6346618A JP15709786A JP15709786A JPS6346618A JP S6346618 A JPS6346618 A JP S6346618A JP 15709786 A JP15709786 A JP 15709786A JP 15709786 A JP15709786 A JP 15709786A JP S6346618 A JPS6346618 A JP S6346618A
Authority
JP
Japan
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acid
perfluorodicarboxylic
magnetic
ferromagnetic metal
lubricant
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Pending
Application number
JP15709786A
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English (en)
Inventor
Hirofumi Kondo
洋文 近藤
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sony Corp
Original Assignee
Sony Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by Sony Corp filed Critical Sony Corp
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属)W膜
を磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜上型
の磁気記録媒体に関するものである。
〔発明の概要〕
本発明は、非磁性支持体上に強磁性金属WJlIlを磁
性層として形成してなる磁気記録媒体において、磁性層
である強磁性金属薄膜上にパーフルオロジカルボン酸エ
ステルを潤滑剤として被着し、あらゆる使用条件下にお
いても優れた走行性。
耐摩耗性、耐久性を発揮する磁気記録媒体を提供しよう
とするものである。
〔従来の技術〕
従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にr−
Fe、O*、Goを含有するr −F e!03+F 
13 soa+ COを含有するF ezoa+ r 
 F e go3とFe、O,とのベルトライド化合物
、Coを含有するベルトライド化合物、CrO,等の酸
化物強磁性粉末あるいはFe、Co、Ni等を主成分と
する合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸
ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹
脂等の有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布
・乾燥することにより作製される塗布型の磁気記録媒体
が広く使用されている。
これに対して、高密度磁気記録への要求の高まりととも
に、C0−Ni合金等の強磁性金属材料を、メツキや真
空薄膜形成技術(真空蒸着法やスパッタリング法5 イ
オンブレーティング法等)によってポリエステルフィル
ムやポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着
した、いわゆる強磁性金属薄膜型の(n気記録媒体が提
案され、注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁気
記録媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電(
n変換特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極め
て薄くすることが可能であるため記録酸G鼓や再生時の
厚み損失が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材であ
る有機バインダーを混入する必要がないため磁性材料の
充填密度を高めることができること等、数々の利点を有
している。
しかしながら、上述の強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体
では、磁性層表面の平滑性が極めて良好であるために実
質的な接触面積が大きくなり、凝着現象(いわゆるはり
つき)が起こり易くなったり摩擦係数が大きくなる等、
耐久性や走行性等に欠点が多(、その改善が大きな課題
となっている。
一般に、磁気記録媒体は磁気信号の記録・再生の過程で
磁気ヘッドとの高速相対運動のもとにおかれ、その際走
行が円滑に、かつ安定な状態で行われなければならない
。また、磁気ヘッドとの接触による摩耗や1部傷はなる
べく少ないほうがよい。
そこで911えば、上記磁気記録媒体の磁性層、すなわ
ち強磁性金属薄膜表面に潤滑剤を塗布して保護膜を形成
することにより、上記耐久性や走行性を改善することが
試みられている。
〔発明が解決しようとする問題点〕
ところで、上述のように潤滑剤を塗布して保護膜を形成
した場合には、この保護膜が磁性層である強磁性金属7
3膜に対して良好な密着性を示し、かつ高い潤滑効果を
発揮することが要求される。
また、これら密着性や潤滑効果は、臥帯、亜りH4地方
等のように高温多湿の条件下でも、寒冷地のように低、
′ユの条件下でも優れたものでなければならない。
しかしながら、従来広く用いられている潤滑剤の使用温
度範囲は限られており、特に、0〜−5゛℃のような低
温下では固体化または凍結するものが多く、充分にその
潤滑効果を発揮させることができなかった。
そこで本発明は、如何なる使用条件下においても密着性
や潤滑性が保たれ、かつ長期に亘り潤滑効果が持続する
潤滑剤を提供し、走行性、耐久性に優れた磁気記録媒体
を提供することを目的とする。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明者等は、上述の目的を達成せんものと鋭意研究の
結果、パーフルオロジカルボン酸エステルが広い温度範
囲に亘って良好な潤滑効果を発揮することを見出し本発
明を完成するに至ったものであって、非磁性支持体上に
強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性金属薄膜上にパー
フルオロジカルボン酸エステルを含む潤滑剤を被着した
ことを特徴とするものである。
本発明で潤滑剤として使用されるパーフルオロジカルボ
ン酸エステルには、1)パーフルオロジカルボン酸モノ
エステル111)パーフルオロジカルボン酸ジエステル
、1ii)パーフルオロジカルボン酸パーフルオロアル
キルエステルがあり、各々次に示す一般式で表される。
i)パーフルオロジカルボン酸モノエステルl0C(C
F2) 、C0−R・・・ (+)(但し、式中Rは炭
素数1〜25の炭化水素基を表し、n≧2である。) 上記パーフルオロジカルボン酸モノエステルの炭化水素
基Rは、直鎖状、枝分かれ状のいずれであってもよく、
さらには二重結合1芳香族環等を含んでいてもよいが、
その炭素数は6以上が好ましい。また、nは2以上の整
数であれば良く、特に制限はない。(以下間し。) 上記パーフルオロジカルボン酸モノエステルは、パーフ
ルオロジカルボン酸無水物とアルコールとを触媒の存在
下で反応させることによって容易に得ることができる。
11)パーフルオロジカルボン酸ジエステル(但し、式
中Rは炭素数6以上の炭化水素基を表し、n≧2である
。) 上記パーフルオロジカルボン酸ジエステルは、パーフル
オロジカルボン酸ジクロライドとアルコールとを塩基を
触媒として反応させることによって容易に得ることがで
きる。
山)パーフルオロジカルボン ルキルエステル 上記パーフルオロジカルボン酸パーフルオロアルキルエ
ステルは、次式 で示すように、先の(■)式で示されるパーフルオロジ
カルボン酸ジエステルの一方の炭化水素基をパーフルオ
ロアルキル基で置換したもの、または次式 で示すように、パーフルオロジカルボン酸ジエステルの
両方の炭化水素基をパーフルオロアルキル基で置換した
ものが挙げられる。
〔但し、式中Rは炭素数3以上の炭化水素基を表し、m
≧1、i≧3、0≦j≦5である。〕上記一般式(If
f)あるいは−最大(IV)においてiは3以上の整数
、mは1以上の整数であれば良く、特に制限はない。
上記パーフルオロジカルボン酸パーフルオロアルキルエ
ステルは、パーフルオロジカルボン酸無水物をアルコー
ルと反応させたモノエステルをチオニルクロライドある
いは五塩化リンで酸クロライド化させた後、塩基を触媒
としてパーフルオロアルコールと反応させることによっ
て容易に得ることができる。
また、同様にパーフルオロジカルボン酸シバ−フルオロ
アルキルエステルは、パーフルオロジカルボン酸無水物
をチオニルクロライドあるいは五塩化リンで酸クロライ
ド化させた後、塩基を触媒としてモル数にして2倍量の
パーフルオロアルコールと反応させることによって容易
に得ることができる。
上述のパーフルオロジカルボン酸エステルは、単独で潤
滑剤として用いてもよいが、従来公知の潤滑剤と混合し
て用い、さらに使用温度帯域の拡大を図るようにしても
よい。
使用される潤滑剤としては、脂肪酸またはその金属塩、
脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコールまた
はそのアルコキシド、脂肪族アミン、多価アルコール、
ソルビタンエステル、マンニソタンエステル、硫黄化脂
肪酸、脂肪族メルカプタン、変性シリコーンオイル、パ
ーフルオロアルキルエチレンオキシド、パーフルオロポ
リエーテル類、高級アルキルスルホン酸またはその金属
塩、パーフルオロアルキルスルホン酸またはそのアンモ
ニウム塩あるいはその金属塩、パーフルオロアルキルカ
ルボン酸またはその金属塩等が例示される。
さらには、より厳しい使用条件に対処し、かつ潤滑効果
を持続させるために、重量比で30ニア0〜70:30
程度の配合比で極圧剤を併用してもよい。
上記極圧剤は、境界潤滑領域において部分的に金属接触
を生じたとき、これに伴う摩擦熱によって金属面と反応
し、反応生成物被膜を形成することにより摩擦・摩耗防
止作用を行うものであって、リン系極圧剤.イオウ系極
圧剤,ハロゲン系極圧剤.有機金属系瓶圧剤,?!を金
型極圧剤等が知られている。
具体的に例示すれば、上記リン系極圧剤としては、トリ
ブチルホスフェート トリオクチルホスフェート トリ
ー2−エチルへキシルホスフェート、トリラウリルホス
フェート、トリオレイルホスフェート、ジブチルホスフ
ェート、ジオクチルホスフェート、ジー2−エチルへキ
シルホスフェート  ジラウリルホスフェート、ジオレ
イルホスフェート等のリン酸エステル、トリブチルホス
ファイト、トリオクチルホスファイト、トリー2−エチ
ルへキシルホスファイト、トリラウリルホスファイト、
トリオレイルホスファイト、ジブチルホスファイト ジ
オクチルホスファイト、ジー2−エチルへキシルホスフ
ァイト、ジラウリルホスファイト、ジオレイルホスファ
イト等の亜リン酸エステル、ジブチルホスフェートブチ
ルアミン塩。
ジブチルホスフェートオクチルアミン塩、ジブチルホス
フェートステアリルアミン塩、ジオクチルホスフェート
ブチルアミン塩、ジオクチルホスフェートオクチルアミ
ン塩、ジオクチルホスフェートラウリルアミン塩、ジオ
クチルホスフェートステアリルアミン塩、ジー2−エチ
ルへキシルホスフェートブチルアミン塩、ジー2−エチ
ルへキシルホスフェートオクチルアミン塩、ジー2−エ
チルへキシルホスフェートラウリルアミン塩、ジー2−
エチルへキシルホスフェートステアリルアミン塩、ジラ
ウリルホスフェートブチルアミン塩。
ジラウリルホスフェートオクチルアミン塩、ジラウリル
ホスフェートラウリルアミン塩、ジラウリルホスフェー
トステアリルアミン塩、ジオレイルホスフェートブチル
アミン塩、ジオレイルホスフェートオクチルアミン塩、
ジオレイルホスフェートラウリルアミン塩、ジオレイル
ホスフェートステアリルアミン塩等のリン酸エステルア
ミン塩が挙げられる。
上記イ1つ系極圧剤としては、硫化抹香鯨油、硫黄化ジ
ペンテン等不飽和結合を有する鉱油、油脂や脂肪酸等に
硫黄を加えて加熱することにより製造される硫化油脂類
、二硫化ジベンジル、二硫化ジフェニル、二硫化ジ−t
−ブチル、二硫化ジー5ee−ブチル、二硫化ジ−n−
ブチル、二硫化ジ−t−オクチル、二硫化ジエチル等の
ジサルファイド類、硫化ヘンシル、硫化ジフェニル、硫
化ジビニル、硫化ジメチル、硫化ジエチル、硫化ジー【
−ブチル、硫化ジー5ec−ブチル、硫化ジ−n−ブチ
ル等のモノサルファイF’ tW、三硫化ジメチル、三
硫化ジ−t−ブチル、ポリ硫化ジーj−ノニル、オレフ
ィンポリサルファイド等のポリサルファイド類、−最大 %式%() (但し、式中Rは炭化水素基を表す。)で示されるチオ
カーボネート類、元素硫黄等が挙げられる。
上記ハロゲン系極圧剤としては、臭化アリル。
臭化オクタデシル、臭化シクロヘキシル、臭化ステアリ
ル、臭化ベンジル等の臭素化合物、ヨウ化ベンジル、ヨ
ウ化アリル、ヨウ化ブチル、ヨウ化オクタデシル、ヨウ
化シクロヘキシル等のヨウ素化合物、ヘキサクロロエタ
ン、モノクロルエタン。
塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化油脂、メ
チルトリクロロステアレート、ペンタクロロペンタジェ
ン酸、ヘキサクロルナフテン酸化合物のエステル5ヘキ
サクロルナフテン酸化合物のイミド誘導体等の塩素化合
物が挙げられる。
上記有機金属系極圧剤としては、ジイソブチルジチオリ
ン酸亜鉛、イソブチルペンチルジチオリン酸亜鉛、イソ
プロピル−1−メチルブチルジチオリン酸亜鉛、イソブ
チルノニルフエニルジチオリン酸亜鉛、イソブチルヘプ
チルフエニルジチオリン酸亜鉛1 ジヘプチルフェニル
ジチオリン酸亜鉛、ジノニルフエニルジチオリン酸亜鉛
、モリブデンジチオフォスフェート等のチオリン酸塩類
、ジメチルジチオカルバミン酸亜鉛、ジエチルジチオカ
ルバミン酸亜鉛、ジブチルジチオカルバミン酸亜鉛、エ
チルフエニルジチオカルバミン酸亜鉛。
ジベンジルジチオカルバミン酸亜鉛、ジメチルジチオカ
ルバミン酸亜鉛、ジメチルジチオカルバミン酸銅、ジメ
チルジチオカルバミン酸鉄、ジエチルジチオカルバミン
酸セレン、ジエチルジチオカルバミン酸銀等のチオカル
バミン酸塩類、モリブデン、アンチモン等の金属アルキ
ルジチオカルバミン酸塩類、等が挙げられる。
上記複合型極圧剤としては、ジー2−エチルへキシルチ
オリン酸アミン等のジアルキルチオリン酸アミン類、塩
化プロピルホスフェート、臭化プロピルホスフェート、
ヨウ化プロピルホスフェート、塩化ブチルホスフェート
、臭化ブチルホスフェート、ヨウ化ブチルホスフェート
等に代表されるハロゲン化アルキルのリン酸エステル類
、クロロナフサザンテート等の他、−C式 R 3R R R (但し、各−触式中Rは水素原子またはアルキル基、ア
ルケニル基、アリール基を表す、)で示されるチオフォ
スフェート類、−最大(但し、式中Rは水素原子または
アルキル基、アルケニル基、アリール基を表す、) で示されるチオフォスファイトa等が効果が高い。
上述の極圧剤は単体で使用してもよいが、2種以上を混
合して使用することも可能である。
これらパーフルオロジカルボン酸エステルを含有する潤
滑剤層を強磁性金属薄膜上に付着させる方法としては、
上記潤滑剤を溶媒に溶解して得られた溶液を強磁性金属
薄膜の表面に塗布もしくは噴霧するか、あるいは逆にこ
の溶液中に強磁性金属薄膜を浸漬し乾燥すればよい。
ここで、その塗布量は、0.5■/d〜100■/dで
あるのが好ましく、1■/d〜20■/dであるのがよ
り好ましい、この塗布量があまり少なすぎると、摩擦係
数の低下、耐摩耗性・耐久性の向上という効果が顕れず
、一方あまり多すぎると、摺動部材と強磁性金属薄膜と
の間ではりつき現象が起こり、却って走行性が悪くなる
あるいは、上述の潤滑剤、極圧剤の他、必要に応じて防
錆剤を併用してもよい。
一般に、強磁性金属薄膜は金属材料により形成されるこ
とから請゛易く、上記防錆剤の使用により耐蝕性が大幅
に改善される。したがって、上記パーフルオロジカルボ
ン酸エステルを含有する潤滑剤の有する潤滑作用と相俟
って、磁気記録媒体の耐久性を向上することができる。
使用可能な防錆剤としては、通常この種の磁気記録媒体
の防錆剤として使用されるものであれば以下なるもので
あってもよく、例えばフェノール類、ナフトール類、キ
ノン類、ジアリールケトン、窒素原子を含む複素環化合
物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素
環化合物、メルカプト基を有する化合物、チオカルボン
酸またはその塩、チアゾール系化合物等が挙げられる。
具体的に例示すれば次の通りである。
先ず、上記フェノール類としては、二価フェノール、ア
ルキルフェノールあるいはニトロソフェノールが挙げら
れる。
上記二価フェノールとしては、ハイドロキノン。
レゾルシン、カテコール等の純フェノール類、及びそれ
らのアルキルアミノ、ニトロ、ハロゲノ置換体、例えば
、2−メチルハイドロキノン、4−メチルレゾルシノー
ル、5−メチルレゾルシノール、4−メチルピロカテコ
ール、2.5−ジメチルハイドロキノン、4.6−ジメ
チルレゾルシノール。
2.5−ジメチルレゾルシノール、2−イソプロピル−
5−メチルハイドロキノン、2−tert−ブチルハイ
ドロキノン、2,5−ジーtert−ブチルハイドロキ
ノン、4−tert−ブチルカテコール、2−アミルゾ
ルシノール、2−レゾルシノール、2゜5−ジクロロヒ
ドロキノン等が挙げられる。 上記アルキルフェノール
とは、−価フエノールのアルキルIts体を指し、例え
ば、0−クレゾール。
m−クレゾール、p−クレゾール、0−エチルフェノー
ル、m−エチルフェノール、p−エチルフェノール、2
.3−ジメチルフェノール、2.5−ジメチルフェノー
ル、2.6−ジメチルフェノール。
3.4−ジメチルフェノール、3.5−ジメチルフェノ
ール、  2,4.6−トリメチルフェノール、  2
,4.5−トリメチルフェノール、5−イソプロピル−
2−メチルフェノール、p−tert−ブチルフェノー
ル、2.6−シーtert−ブチル−p−クレゾール。
4.4′−メチレンビス2,6−ジーter t−ブチ
ルフェノール、2,6−シメチルー4−tert−ブチ
ルフェノール、  2.4.6− トリーtert−プ
チルフェノール等が挙げられる。
上記ニトロソフェノールとしては、例えば、4−ニトロ
ソ−2−メトキシ−1−フェノール、4−ニトロソ−2
−エトキシ−1−フェノール、6−ニトロソ−〇−クレ
ゾール、4−ニトロソ−m−クレゾール、0−ニトロソ
フェノール、2−ニトロソフェノール、2−ニトロソレ
ゾルシン、4−ニトロソレゾルシン、p−ニトロソフェ
ノール等が挙げられる。
次に、上記ナフトール類としては、α−ナフトール1 
β−ナフトール、1,2−ナフタレンジオール。
L3−ナフタレンジオール、1.4−ナフタレンジオー
ル、1.5−ナフタレンジオール、1,7−ナフタレン
ジオール、1.8−ナフクレンジオール、2,3−ナフ
タレンジオール、 1,4.5−ナフタレントリオール
、 12゜5.8−ナックレンチトラオール等の純ナフ
トール類、及びニトロ、ニトロソ、アミン、ハロゲノ互
換ナフトール類、例えば1−クロロ−2−ナフトール、
2゜4−ジクロロ−1−ナフトール、1−二トロー2−
ナフトール、1.6−シニトロー2−ナフトール、1−
ニトロソ−2−ナフトール、2−ニトロソ−1−ナフト
ール、1−アミノ−2−ナフトール等が挙げられる。
上記キノン類としては、p−ベンゾキノン、0−ヘンゾ
キノン、1.2−ナフトキノン、1.4−ナフトキノン
、2.6−ナフトキノン、アントラキノン、9゜10−
フェナントレンキノン、ジフェノキノン等の置換基のな
いキノン類、メチル−p−ベンゾキノン、2,3−ジメ
チル−p−ベンゾキノン、2−メチル−L4−ナフトキ
ノン、2−メチルアントラキノン等のメチルキノン類、
2.5−ジヒドロキシ−p−ベンゾキノン、テトラヒド
ロキン−p−ヘンゾキノン、5−ヒドロキシ−1,4−
ナフトキノン、2.3−ジヒドロキシ−1,4−ナフト
キノン、5,8−ジヒドロキシ−1,4−ナフトキノン
、2−ヒドロキシアントラキノン、1゜2−ジヒドロキ
シアントラキノン、 1,2.3−)ジヒドロキシアン
トラキノン、1.2.4− トリヒドロキシアントラキ
ノン、 1.2.5− トリヒドロキシアントラキノン
、 1,2.6− )ジヒドロキシアントラキノン、1
゜2.7− トリヒドロキシアントラキノン等のヒドロ
キシキノン類、2−アミノアントラキノン、1.2−ジ
アミノアントラキノン等のアミノキノン類、1−ニトロ
アントラキノン、1.5−ジニトロアントラキノン等の
ニトロキノン類、2,6−ジクロロ−p−ヘンゾキノン
、テトラクロローp−ペンヅキノン、テトラブロモ−p
−ベンゾキノン等のハロゲノキノン類、あるいは2種以
上の置換基を有するキノン類、例えば2.5−ジクロロ
−3,6−ジヒドロキシ−p−ベンゾキノン、1−メチ
ル−2−ヒドロキシ−1,4−ナフトキノン等が挙げら
れる。
上記ジアリールケトンとしては、ヘンシフエノン及びそ
の誘導体が挙げられ、例えばヘンシフエノン、4−メチ
ルヘンシフエノン、3−メチルヘンヅフェノン、3,4
−ジメチルへンゾフェノン、4゜4゛−ジメチルヘンシ
フエノン、3.4”−ジメチルへンゾフエノン、4−エ
チルヘンシフエノン等のア)Lキル置換体、4−ヒドロ
キシヘンシフエノン。
4.4゛−ジヒドロキンヘンシフエノン、 2,3.4
− )ジヒドロキシヘンシフエノン、2.4−ジヒドロ
キシヘンシフエノン、 2.2’、5.6’−テトラヒ
ドロキシヘンシフエノン、2,3°、4.4’、6−ベ
ンタヒドロキシヘンゾフエノン等のヒドロキシヘンシフ
エノン類、4−アミツヘンゾフエノン、 4.4’−ジ
アミノベンゾフェノン等のアミノヘンシフエノン類、あ
るいは2種以上の置換基を有するヘンシフエノン類、例
えば4−メトキシ−2−ヒドロキシヘンシフエノン、 
2.2’−ジヒドロキシ−4−メトキシヘンシフエノン
等が挙げられる。
上記窒素原子を含む複素環化合物としては、アクリジン
、2,2°12−テルビリジルネオクプロイン、2.2
゛−ジピリジルベンゾトリアゾール、5−メチルヘンシ
トリアゾール、バソフェナンドロリン、1、lO−フェ
ナントロリン、アルデヒドコリジン、ヘンシルピリジン
、フェニルピリジン、キナゾリン、2−ヘプタデシルイ
ミダゾール等の他、フェノール性水酸基を有する化合物
、例えば=1−(2−ピリジルアゾ)−レゾルシン1−
(2−ピリジルアゾ)−2−ナフトール、4−キノリツ
ール、4−メチル−2−キノリツール、8−キノリツー
ル、キノリンジオール等、カルボキシル基を有する化合
物、例えばキヌレン酸、アクリジン酸、アトフブン、キ
ルナジン酸、シンコニン酸、イソニコチン酸、2.5−
ピリジンジカルボン酸、キニン酸等、アミノ基又はイミ
ノ基を有する化合物、例えば2−アミノヘンズイミダヅ
ール、5−アミノ−IH−テトラゾール。
5−アミノ−I H−1,2,4−トリアゾール、アデ
ニン、グアニン、ルミノール、2−ヒドラジノキノリン
、チアミン等、カルボニル基を有する化合物、例えばリ
ボフラビン、テオプロミン、アラントイン、アロキサン
、2−チオバルビッール酸、ビオルル酸、イサチン、ヒ
ダントイン、チミン、バルビッール酸、オロチン酸、ウ
ラシル、スクシンイミド、クレアチニン、2−ピロリド
ン等が挙げられる。
上記酸素原子を含む複素環化合物としては、トコフェロ
ール、モリン、ケルセチン、アスコルビン酸、 fi水
1.8−ナフタル酸、レゾルフィン、コウジ酸、デヒド
ロ酢酸、オキサゾール、3−アミノフタルイミド、4−
アミノフクルイミド、ウリジン、チミジン、グアノシン
、無水イサト酸等が挙げられる。
上記硫黄原子を含む複素環化合物としては、スルホラン
、3−ヒドロキシスルホラン、3−メチルスルホラン、
スルホレン、3−ヒドロキシスルホレン、3−メチルス
ルホレン、ローダニン、3−アミノローダニン、チアゾ
リン−4−カルボン酸、4H−1,4〜チアジン、ビオ
チン、3.6−チオキサンチンジアミン、3,6−チオ
キサンチンジアミン−10,10−ジオキシド等が挙げ
られる。
上記メルカプト基ををする化合物としては、2−ベンゾ
オキサゾールチオール、チオフェノール。
チオサリチル酸、プロパンチオール、チオウラシル、2
.3−キノキサリンジチオール、ジチゾン、チオオキシ
ン、2−ヘンズイミダゾールチ1−ル。
6−チオグアニン、5−二トロー2−ヘンズイミダゾー
ルチオール、5−アミノ−1,3,4−チアゾール−2
−チオール等が挙げられる。
上記チオカルボン酸またはその塩としては、ジエチルジ
チオカルバミン酸ナトリウム、エクンチオ酸、ルベアン
酸、チオアセトアミド、エタンジチオ酸等が挙げられる
上記チアゾール系化合物としては、ビスムチオール■、
ジアゾスルフィド、アゾスルフイム、1゜3.4−チア
ジアゾール、ビスムチオール、ビアズチオール、ベンゾ
チアゾール、2−メチルベンゾチアゾール、 2−(p
−アミノフェニル)−6〜メチルベンゾチアゾール、2
−メルカプトベンゾチアゾール。
ベンゾチアゾリン、2−ベンゾチアゾリン、ベンゾチア
ゾロン等が挙げられる。
上記防錆剤は、上記潤滑剤と混合して用いてもよいが、
例えば強磁地金KTil膜の表面に先ず上記防錆剤を塗
布し、しかる後上記パーフルオロジカルボン酸モノエス
テル、パーフルオロジカルボン酸ジエステルもしくは一
方又は両方のエステル部にパーフルオロ基を有するパー
フルオロジカルボン酸ジエステルを含有する潤滑剤を塗
布するというように、2層以上に分けて被着すると効果
が高い。
このように2層に分けて塗布する場合には、上記防錆剤
の塗布量としては、先の潤滑剤と同様、0.5■/1d
−100#/rrrであるのが好ましく、1■/l〜2
0■/dであるのがよ′り好ましい。
塗布■があまり少なすぎると、耐蝕性改善の効果が不足
し、逆に多過ぎると走行性等に問題が生ずる。
本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性支持体上に
磁性石として強磁性金属薄膜を設けたものであるが、こ
こで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテー
ト、セルロースダイアセテート、セルロースアセテート
ブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート
、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック、ア
ルミニウム合金、チタン合金等の軽金属、アルミナガラ
ス等のセラミックス等が挙げられる。
この非磁性支持体の形態としては、フィルム、シート、
ディスク、カード、ドラム等のいずれでもよい。
上記非チ!I性支持体には、その表面に山状突起やしわ
状突起1粒状突起等の突起を1種以上を形成し、表面粗
さをコントロールしてもよい。
上記山状突起は、例えば高分子フィルム製膜時に粒径5
00〜3000人程度の無8!微粒子を内添することに
より形成され、高分子フィルム表面からの高さは100
〜1000人、密度はおよそ1x104〜10×104
個/+u”とする。山状突起を形成するために使用され
る無1a 6’h粒子としては、炭酸カルシウム(Ca
COs)やシリカ、アルミナ等が好適である。
上記しわ状突起は、例えば特定の混合溶媒を用いた樹脂
の希薄溶液を塗布乾燥することにより形成される起伏で
あって、その高さは0.01〜10μm、好ましくは0
.03〜0.5μm、突起間の最短間隔は0.1〜20
μmとする。このしわ状突起を形成するための樹脂とし
ては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレート等の飽和ポリエステル、ポリアミド、ポリスチ
ロール、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリス
ルホン、ポリエーテルスルホン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリビニルブチラール、ポリフェニレ
ンオキサイド、フェノキシ樹脂等の各種樹脂のjm体、
混合体または共重合体であり、可溶性溶剤を有するもの
が適している。そして、これらの樹脂をその良溶媒に熔
解せしめた樹脂濃度1〜11000ppの溶液に、その
樹脂の貧)8媒であって前記良溶媒より高い沸点を有す
る溶媒を樹脂に対して10〜100倍量添加した溶液を
、高分子フィルムの表面に塗布・乾燥することにより、
非常に微細なしわ状凹凸を有する薄層を得ることができ
る。
粒状突起は、アクリル樹脂等の有機超微粒子またはシリ
カ、金属粉等の無機微粒子を球状あるいは半球状に付着
させることにより形成される。この粒状突起の高さは、
50〜500人、密度は1XIO’〜50X10”個/
 1m ”程度とする。
これら突起の少なくとも一種以上を形成すれば磁性層で
ある強磁性金属薄膜の表面性が制御されるが、2種以上
を組み合わせることにより効果が増し、特に山状突起を
設けたヘースフィルム上にしわ状突起とつぶ状突起を形
成すれば、極めて耐久性、走行性が改善される。
この場合、突起の全体としての高さは、100〜200
0人の範囲内であることが好ましく、その密度は1龍2
当り平均で1×10S〜lXl0’個であることが好ま
しい。
また、上記磁性層である強磁性金属薄膜は、真空蒸着法
やイオンブレーティング法、スパッタリング法等の真空
FA膜形成技術により連続膜として形成される。
上記真空蒸着法は、10−4〜10−”Torrの真空
下で強磁性金属材料を抵抗加熱5高周波加熱、電子ビー
ム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属(
強磁性金属材料)を沈着するというものであり、一般に
高い抗磁力を得るため基板に対して上記強磁性金属材料
を斜めに蒸着する斜方ア着法が採用される。あるいは、
より高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を
行うものも含まれる。
上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり
、101〜10−”Torrの不活性ガス雰囲気中でD
Cグロー放電、RFグロー放電を起こして、放電中で上
記強磁性金属材料を蒸発させるというものである。
上記スパッタリング法は、10−”〜10−’Torr
のアルゴシガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を
起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面の
原子をたたき出すというものであり、グロー放電の方法
により直*2極、3橿スパッタ法や、高周波スパッタ法
、またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパ
ッタ法等がある。
このスパッタリング法による場合には、CrやW。
■等の下地膜を形成しておいてもよい。
なお、上記いずれの方法においても、基板上にあらかじ
めBi、Sb、Pb、Sn、Ga、In。
Cd、Ge、Si、Tβ等の下地金犀層を被着形成して
おき、基板面に対して垂直方向から成膜することにより
、磁気異方性の配向かなく面内等方法に優れたfn性層
を形成することができ、例えば磁気ディスクとする場合
には好適である。
このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄膜を形成
する際に、使用される強磁性金属材料としては、F e
 、Co 、N i等の金属の他に、C。
−Ni合金、Co−Pt合金、Co−Ni−Pt合金、
Fe−Go金合金Fe−Ni合金、Fe−Co−Ni合
金、Fe−Co−B合金、Co−N1−Fe−B合金、
Co−Cr合金あるいはこれらにCr、AI等の金属が
含有されたもの等が挙げられる。特に、Co−Cr合金
を使用した場合には、垂直磁化膜が形成される。
このような手法により形成される磁性層の膜厚は、0.
04〜1μm程度である。
また、非磁性支持体の前記磁性層が設けられる面とは反
対側の面に、いわゆるバックコート層を形成してもよい
、バックコート層は、結合剤樹脂と粉末成分とを有機溶
媒に混合分散させたバンクコート用塗料を非磁性支持体
面に塗布することにより形成される。
ここで、バンクコート用塗料に使用される結合剤樹脂と
しては、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、塩
化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アク
リロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロ
ニトリル共重合体、熱可塑性ポリウレタンエラストマー
、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリ
ル共重合体、ブタジェン−アクリロニトリル共重合体、
ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース3
3,1体、ポリエステル樹脂、ポリブタジェン等の合成
ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレ
タン硬化型樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリ
コーン樹脂、アクリル系反応樹脂、エポキシ−ポリアミ
ド樹脂、ニトロセルロース−メラミン樹脂、高分子量ポ
リエステル樹脂とイソシアナートプレポリマーの混合物
、メククリル酸塩共重合体とジイソシアナートプレポリ
マーの混合物、ポリエステルポリオールとポリイソシア
ナートとの混合物、尿素ホルムアルデヒド樹脂、低分子
量グリコール/高分子量ジオール/トリフェニルメタン
トリイソシアナートの混合物、ポリアミン樹脂及びこれ
らの混合物等が挙げられあるいは、粉末成分の分散性の
改善を図るために、親水性極性基を持った結合剤樹脂を
使用してもよい。
具体的には、 SO3M、−05OJ、  C00M1
−ド(OM”)2(式中、Mは水素原子またはアルカリ
金属を表し、Moは水素原子、アルカリ金属または炭化
水素基を表す、)から選ばれた親水性極性基を導入した
ポリウレタン樹脂、ポリエステルl!1yIFj、塩化
ビニル−酢酸ビニル系共重合体、塩化ビニリデン系共重
合体、アクリル酸エステル系共重合体、ブタジェン系共
重合体等が使用可能である。
上記親水性極性基の導入方法としては、樹脂の種類に応
じて種々の方法が考えられるが、例えばポリウレタン樹
脂やポリエステル樹脂に上記親木性極性基を導入するに
は次のような方法によればよい。
(1)ポリウレタン又はポリエステルの原料である2塩
基酸あるいはポリオール等に前記親水性極性基を予め導
入しておく方法。
(2)末端若しくは側鎖にOH基を残存させておき、こ
のOH基を親水性極性基を持った化合物により変性する
方法。
(2)の方法による場合には、 +21−1 分子中に親水性極性基とハロゲン(例えば塩素)を含有
する化合物と、原料に多官能のポリオールを用いポリマ
ー鎖の末端若しくは側鎖にOH基が残存したポリウレタ
ン樹脂またはポリエステル樹脂とを、両成分が熔解性の
あるジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の
溶剤に溶解し、ピリジン、ピコリン、トリエチルアミン
等のアミン類やエチレンオキサイド、プロピレンオキサ
イド等のエポキシ化合物等の脱塩酸剤の存在下でのOH
基と塩素との脱塩酸反応により親水性!翫性基を導入す
る方法。
+21−2 分子中に親水性極性基とOHgとを含有する化合物と、
ポリマー鎖の末端若しくは側鎖にOH基が残存したボリ
ウレクン樹脂またはポリエステル樹脂とを、ジイソシア
ナート化合物を介して反応させる方法。
がある。
また、上記共重合体系結合剤樹脂に親水性極性基を導入
するには、 (3)共重合モノマーとして、親水性極性基及び共重合
可能な二重結合を存する化合物を使用する方法。
(4)共重合モノマーとして、活性水素及び共重合可能
な二重結合を有する化合物を使用し、共重合体の側鎖に
上記活性水素を導入しておき、親水性極性基及び上記活
性水素と反応可能な基を有する化合物により変性する方
法。
(5)共重合モノマーとして、活性水素と反応可能な基
及び共重合可能な二重結合を有する化合物を使用し、共
重合体の側鎖に上記活性水素と反応可能な基を導入して
おき、親水性極性基及び上記活性水素を有する化合物に
より変性する方法。
等が挙げられる。
一方、上記粉末成分としては、導電性を付与するだめの
カーボン系微粉末(例えば、ファーネスカーボン、チャ
ンネルカーボン、アセチレンカーボン、サーマルカーボ
ン、ランプカーボン等が挙げられるが、なかでもファー
ネスカーボンやサーマルカーボンが好適である。)、無
機顔料(表面粗度のコントロール及び耐久性向上のため
に添加されるαFe00tl、 α−FezOs、Cr
zOz+Ti0i、ZnO,SiO。
5iOz、 5iOz ’ 2HzO,Alz(h ’
 2SiOz ’ 21hO、3Mg0 ’4SiO□
−1120,MgCO3・Mg(011)z = 3H
zO,A!203.CaC01゜4gcO3,5tlz
(h等)が挙げられる。
さらに、上記バックコート用塗料の有機溶剤としては、
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸ブチル。
乳酸エチル、酢酸グリコールモノエチルエーテル等のエ
ステル系溶剤、グリコールジメチルエーテル、グリコー
ルモノエチルエーテル2 ジオキサン等のグリコールエ
ーテル系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香
族炭化水素系溶剤、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化
水素系溶剤、メチレンクロライド、エチレンクロライド
、四塩化炭素、クロロホルム、エチレンクロルヒドリン
、ジクロルベンゼン等の塩素化炭化水素系溶剤等、汎用
の溶剤を用いることができる。
前述のバンクコート層には潤滑剤を併用してもよい。こ
の場合、上記バンクコート層中に潤滑剤を内添する方法
、あるいはバンクコートi上に潤滑剤を被着する方法が
あモ。いずれにしても、上記潤滑剤としては、脂肪酸、
脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、金属石鹸、脂肪族アル
コール、パラフィン、シリコーン等、従来より周知の潤
滑剤が使用できる。
これら潤滑剤を例示すれば、先ず、脂肪酸としては、ラ
ウリン酸、ミリスチン酸、バルミチン酸、ステアリン酸
、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リルン酸等の炭
素数が12以上の飽和脂肪酸あるいは不飽和脂肪酸が使
用できる。
脂肪酸エステルとしては、ステアリン酸エチル、ステア
リン酸ブチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸モノ
グリセリド、オレイン酸モノグリセリド等が使用できる
脂肪酸アミドとしては、カプロン酸アミド、カプリン酸
アミド、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステ
アリン酸アミド、ベヘン酸アミド、オレイン酸アミド、
リノール酸アミド、メチレンビスステアリン酸アミド、
エチレンビスステアリン酸アミド等が使用できる。
金属石鹸としては、前述の脂肪酸のZn、 Pb、 N
i。
Co、 Fe、 AI+ Mg+ Sr、 Cu等との
塩、あるいはラウリルスルホン酸、パルミチルスルホン
酸、ミリスチルスルホン酸、ステアリルスルホン酸、へ
ヘニルスルホン酸、オレイルスルホン酸、リノールスル
ホン酸、リルンスルホン酸等のスルホン酸と上記金属と
の塩等が使用できる。
脂肪族アルコールとしては、セチルアルコール、ステア
リルアルコール等が使用できる。
パリフィンとしては、n−ノナデカン、n−トリデカン
、n−トコサン等の飽和炭化水素が使用できる。
シリコーンとしては、水素がアルキル基またはフェニル
基で部分置換されたポリシロキサン及びそれらを脂肪酸
、脂肪族アルコール、脂肪酸アミド等で変性したもの等
が使用できる。
さらには、先の磁性層表面に付着される潤滑剤層と同様
のパーフルオロジカルボン酸エステルを含有する潤滑剤
を使用してもよい。
(作用〕 パーフルオロジカルボン酸エステルを含む潤滑剤層壁、
強磁性金属薄膜に付着し良好な潤滑作用を発揮して摩擦
係数を低減する。特に、パーフルオロジカルボン酸エス
テルは、低温下においても良好な潤滑効果を発揮する。
〔実施例〕
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。
大慧班1゜ 第1表に示すパーフルオロジカルボン酸モノエステルを
合成し、これを潤滑剤として磁気テープを作成した。
第  1  表 実施−1゜ 14μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに斜
め蒸着法によりCOを被着させ、膜厚1000人の強H
金属薄膜を形成した。
次に、この強磁性金属薄膜表面に、第1表に示すパーフ
ルオロジカルボン酸モノエステル(第1表中の化合物l
)を0.05重量%濃度でフレオンに希釈した溶液を塗
布■が10*/rdとなるように塗布し、81幅に裁断
してサンプルテープを作製した。
実施例2〜実施例7 パーフルオロジカルボン酸モノエステルとして先の第1
表に示す化合物2〜化合物7を用い、他は実施例1と同
様の方法によりサンプルテープを作製した。
作製された各サンプルテープについて、温度25℃、相
対湿度(RH)50%、および−5°Cの各条件下での
動摩擦係数及びシャトル耐久性を測定した。この動I¥
!擦係数は、材質がステンレス(SUS304)のガイ
ドピンを用い、一定のテンションをかけ5 ll1m/
secの速度で送り、試験したものである。また、シャ
トル耐久性は、1回につき2分間のシャトル走行を行い
、出力が一3dB低下までのシャトル回数で評価した。
スチル耐久性はポーズ状態での出力の一3dBまでの減
衰時間を評価した。なお、比較例1として、全く潤滑剤
を被着しないブランクテープについても、測定した。
結果を第2表に示す。
(以下余白) 第2表 (以下余白) スg・ 第3表に示すパーフルオロジカルボン酸ジエステルを合
成し、これを潤滑剤として磁気テープを作成した。
第3表 実施例8゜ 14μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに斜
め蒸着法によりCoを被着させ、11141000人の
強磁性金Ha膜を形成した。
次に、この強磁性金属薄膜表面に、第3表に示すパーフ
ルオロジカルボン酸ジエステル(第3表中の化合物8)
を0.05重量%濃度でフレオンに希釈した溶液を塗布
量が10■/rr+となるように塗布し、8m−幅に裁
断してサンプルテープを作製した。
実施例9〜実施例14 パーフルオロジカルボン酸ジエステルとして先の第3表
に示す化合物9〜化合物14を用い、他は実施例8と同
様の方法によりサンプルテープを作製した。
作製された各サンプルテープについて、温度25℃、相
対湿度(RH)50%、および−5℃の各条件下での動
摩擦係数及びシャトル耐久性を測定した。この動摩擦係
数は、材質がステンレス(SUS304)のガイドビン
を用い、一定のテンシランをかけ5 +am/secの
速度で送り、試験したものである。また、シャトル耐久
性は、1回につき2分間のシャトル走行を行い、出力が
一3dB低下までのシャトル回数で評価した。スチル耐
久性はポーズ状態での出力の一3dBまでの減衰時間を
評価した。なお、比較例2として、全く潤滑剤を被着し
ないブランクテープについても測定した。
結果を第4表に示す。
(以下余白) 第4表 (以下余白) ス1111・ 第5表に示すパーフルオロジカルボン酸パーフルオロア
ルキルエステル(一方のエステル部のみパーフルオロア
ルキルエステル)を合成し、これを潤滑剤として磁気テ
ープを作成した。
実施例15゜ 14μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに斜
め蒸着法によりCOを被着させ、膜厚1000人の強磁
性金属Illを形成した。
次に、この強磁性金属薄膜表面に、第5表に示すパーフ
ルオロジカルボン酸パーフルオルフルキルエステル(第
5表中の化合物15)を0.05重量%濃度でフレオン
に希釈した溶液を塗布量がlO■/dとなるように塗布
し、8鶴幅に裁断してサンプルテープを作製した。
実施例16〜実施例22 パーフルオロジカルボン酸パーフルオロアルキルエステ
ルとして先の第5表に示す化合物16〜化合物22を用
い、他は実施例15と同様の方法によりサンプルテープ
を作製した。
作製された各サンプルテープについて、温度25℃、相
対湿度(RH)50%、および−5℃の各条件下での動
1g擦係数及びシャトル耐久性を測定した。この動y1
i!擦係数は、材質がステンレス(StJS304)の
ガイドピンを用い、一定のテンシコンをかけ5 m+w
/seeの速度で送り、試験したものである。また、シ
ャトル耐久性は、1回につき2分間のシャトル走行を行
い、出力が一3dB低下までのシャトル回数で評価した
。スチル耐久性はポーズ状態での出力の一3dBまでの
減衰時間を評価した。なお、比較例3として、全く潤滑
剤を被着しないブランクテープについても測定した。
結果を第6表に示す。
(以下余白) 第6表 (以下余白) ス五■生±・ 第7表に示すパーフルオロジカルボン酸シバ−フルオロ
アルキルエステルを合成し、これを’+r8 ’lW剤
として磁気テープを作成した。
第7表 実施例23゜ 14μm厚のポリエチレンテレツクレートフィルムに斜
め茎着法によりCOを被着させ、膜厚1000人の強磁
性金属7X薄膜を形成しだ。
次に、この強磁性金属”iA n9表面に、第7表に示
すパーフルオロジカルボン酸シバ−フルオルアルキルエ
ステル(第7表中の化合物23)を0.05重量%濃度
でフレオンに希釈した/8液を塗布量が10■/、(と
なるように塗布し、811幅に裁断してサンプルテープ
を作製した。
実施例24〜実施例25 パーフルオロジカルボン酸シバ−フルオロアルキルエス
テルとして先の第7表に示す化合物24〜化合物25を
用い、他は実施例23と同様の方法によりサンプルテー
プを作製した。
作製された各サンプルテープについて、温度25℃、+
目射湿度(RH)50%、および−5℃の各条件下での
動摩擦係数及びシャトル耐久性を測定した。この動摩擦
係数は、材質がステンレス(St、’5304)のガイ
ドピンを用い、一定のテンションをかけ5閂m/sec
の速度で送り、試験したものである。また、シャトル耐
久性は、1回につき2分間のシャトル走行を行い、出力
が一3dB低下までのシャトル回数で評価した。スチル
耐久性はポーズ状態での出力の一3dBまでの減衰時間
を評価した。なお、比較例4として、全く潤滑剤を被着
しないブランクテープについても測定した。
結果を第8表に示す。
第8表 上記第2表、第4表、第6表及び第8表から明らかなよ
うに、本発明を適用し1こ各実施例は、各条件下で動摩
擦係数が小さく、走行が極めて安定しており、また10
0回往復走行後もテープ表面の損傷は全く見られなかっ
た。また、耐久性も極めて良く、150回シャトル走行
を行っても出力の一3dB低下は見られなかった。これ
Sご対して、潤滑剤層のない比較例1〜比較例3のテー
プでは、摩擦係数が往復走行回数が多くなるにつれて大
となり、走行も不安定でテープの摩擦が見られ、耐久性
も悪いものであった。
〔発明の効果〕
以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体の潤滑剤としてパーフ
ルオロジカルボン酸エステルを用いているので、如何な
る温度条件下においても動摩擦係数を小さくすることが
でき、走行安定性や耐摩耗性に優れた磁気記録媒体とす
ることができる。
特に、パーフルオロジカルボン酸エステルの凝固点が低
いことから、低温下での使用時に効果が大きい。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性
    金属薄膜上にパーフルオロジカルボン酸エステルを被着
    したことを特徴とする磁気記録媒体。
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