JPS62266727A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空１着やスパッタリング等の真空薄膜形成
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を
磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁
気記録媒体に関するものである。

〔発明の概要〕

本発明は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を（ｎ性層
として形成してなる磁気記録媒体において、磁性層であ
るｉＡ！磁性金属薄膜上にヘプタフルオロイソプロピル
オキシ基を有するポリ　（メタ）アクリル酸エステル化
合物を゛潤滑剤として被着し、あらゆる使用条件下にお
いても優れた走行性。

耐摩耗性、耐久性を発揮する磁気記録媒体を提供しよう
とするものである。

〔従来の技術〕

従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にｒ−
Ｆ　ｅ　２０３１　Ｃｏを含有する’ｒ　−Ｆ　’３　
ｚ　Ｏ３１ｐ　ｅ　３Ｃ）４＋　ＣＯを含□有するＦ　
ｅ　３０　ｔ；　Ｔ−Ｆ　ｅ　ｚｏ　ｚとＦｅ３Ｏ４と
のベルトライド化合物、Ｃｏを含有するベルトライド化
合物、Ｃｒｏｗ等の酸化物強磁性粉末あるいはＦ　ｅ、
Ｃｏ　＋　Ｎ　を等を主成分とする合金磁性粉末等の粉
末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポリ
エステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中
に分散せしめた葎性譬料を塗布・乾燥することにより作
製される塗布型の磁気記録媒体が広く使用されている。

これに対して、高密度磁気記録への要求の高まりととも
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金等の強磁性金属材料を、メッキや真
空薄膜形成技術（真空蒸着法やスパッタリング法、イオ
ンブレーティング法等）によってポリエステルフィルム
やポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる強磁性金属１膜型の磁気記録媒体が提案さ
れ、注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁ス記録
゛媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変
ｊ＾特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを掻めて
薄くすることが可能であるため記録減磁や再生時の厚み
損失が著しく小さいこと、磁性府中に非磁性材である有
段バインダーを／ＩＬ人する必要がないため磁性材料の
充填密度を高めることができること等、数々の利点を有
している。

しかしながら、上述の強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体
では、磁性層表面の平滑性が極めて良好であるために実
質的な接触面積が大きくなり、凝着現象（いわゆるはり
つき）が起こり易くなったり摩擦係数が大きくなる等、
耐久性や走行性等に欠点が多く、その改善が大きな課題
となっている。

°−最に、磁気記録媒体は磁気信号の記録・再生の過程
で磁気ヘッドとの高速相対運動のもとにおかれ、その際
走行が円滑に、かつ安定な状態で行われなければならな
い。また、磁気ヘッドとの接触による摩耗や損傷はなる
べく少ないほうがよい。

そこで例えば、上記磁気記録媒体の磁性層、すなわち強
磁性金属１膜型面に潤滑剤を塗布して保３ｉ！　１１９
を形成することにより、上記耐久性や走行性を改善する
ことが試みられている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、上述のように潤滑剤を塗布して保護膜を形成
した場合には、この保護膜が磁性層である強磁性金属Ｆ
ｔ［膜に対して良好な密着性を示し、かつ高い潤滑効果
を発揮することが要求される。

また、これら密着性や潤滑効果は、熱帯５亜熱帯地方等
のように高温多湿の条件下でも、寒冷地のように低温の
条件下でも優れたものでなければならない。

しかしながら、従来広く用いられている潤滑剤の使用温
度範囲は限られており、特に、０〜−５℃のような低温
下では固体化または凍結するものが多く、充分にその潤
滑効果を発揮させることができなかった。

そこで本発明は、如何なる使用条件下においても密着性
や潤滑性が保たれ、かつ長期に回り潤滑効果が持続する
潤滑剤を提供し、走行性、６（磁性に優れた磁気記録媒
体を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者は、上述の目的を達成せんものとｋｌｔｇ研究
の結果、ヘプタフルオロイソプロピルオキシ基を有する
ポリ　（メタ）アクリル酸エステル化合物が広い温度範
囲に亘って良好な潤滑効果を発揮することを見出し本発
明を完成するに至ったものであって、ブトＶｔｉ性支持
体上に強（；１性金属薄膜を形成し、前記強磁性金属薄
膜上にヘプタフルオロイソプロピルオキシ基を有するポ
リ　（メタ）アクリル酸エステル化合物を含む潤滑剤を
被着したことを特徴とするものである。

本発明で潤滑剤として使用暮れるヘプタフルオロイソプ
ロピルオキシ基を有するポリ　（メタ）７グリル酸工ス
テル化合物は、−Ｃ式 ％式％（１） （ＲはＨ，ＣＨ３を表す、） で表される化合物で、ニー・ジー・ピットマン（Ａ、Ｇ
、ＰｉＬｔ＋５ａｎ）等によって合成された。上記ヘプ
タフルオロイソプロピルオキシ基を有するポリ（メタ）
アクリル酸エステル化合物は、フッ素の含有量が少ない
にも関わらず優れた接水性を示すものである。モノマー
は、パーフルオロアセトンとＫＦとをアクリル酸（ある
いはメタクリル酸）クロリドと反応させることによって
得ることかできる０反応式を示せば次のようである。

そして、ポリマーは、７５℃〜８０℃で６０時間重合反
応をおこないメタノールによって再沈澱させることによ
り得ることができる。前述の方法により合成したポリマ
ーの平均分子量は、７００００〜１１００００であった
。（ｎ−３００〜５上述のようにして合成されるヘプタ
フルオロイソプロピルオキシ基を有するポリ　（メタ）
アクリル酸エステル化合物は、単独で潤滑剤として用い
てもよいが、従来公知の潤滑剤と混合して用い、さらに
使用温度帯域の拡大を図るようにしてもよい。

使用される潤滑剤としては、脂肪酸またはその金属塩、
脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコールまた
はそのアルコキシド、脂肪族アミン、多価アルコール、
ソルビタンエステル、マンニラタンエステル、硫黄化脂
肪酸、脂肪族メルカプタン、変性シリコーンオイル、パ
ーフルオロアルキルエチレンオキシド、パーフルオロポ
リエーテル類、高級アルキルスルホン酸またはその金属
　　　塩、パーフルオロアルキルスルホン酸またはその
アンモニウム塩あるいはその金属塩、パーフルオロアル
キルカルボン酸またはその金属塩等が例示される。

特に、一般式ＣＩＩＦｇ−＋Ｃ０ＯＲ’　　（但し、式
中ｍは６〜ｌＯの整数を表し、Ｒ′は炭素数１〜２５の
炭化水素基を表す、）で示されるパーフルオロアルキル
カルボン酸エステルや一般式Ｒ″Ｃ００（ＣＨｔ　）　
ＪＣｋＦ□、１（但し、Ｒ１は炭素数１〜２５の炭化水
素基を表し、０≦ｊ≦５、ｋ≧３である。）で示される
カルボン酸パーフルオロアルキルエステルも低温特性が
良好であることから上記へプクフルオロイソプロピルオ
キシ恭を存するポリ　（メタ゛）アクリル酸エステル化
合物と併用するのに好適である。

さらには、より厳しい使用条件に対処し、かつ潤滑効果
を持続させるために、重量比で３ｏニア０〜７０　：　
３０程度の配合比で極圧剤を併用してもよい。

上記極圧剤は、境界潤滑領域において部分的に金属接触
を生じたとき、これに伴う摩擦熱によって金属面と反応
し、反応生成物被膜を形成することにより摩擦・摩耗防
止作用を行うものであって、リン系陽圧剤５イオウ系極
圧剤、ハロゲン系極圧剤、有機金属系極圧剤、複合型極
圧剤等が知られている。

具体的に例示すれば、上記リン系極圧剤としては、トリ
ブチルホスフヱーロ　トリオクチルホスフェート、トリ
ー２−エチルへキシルホスフェート、トリラウリルホス
フエーロトリオレイルホスフェート、ジブチルホスフェ
ート、ジオクチルホスフェート、ジー２−エチルへキシ
ルホスフェート、ジラウリルホスフェート、ジオレイル
ホスフェート等のリン酸エステル、トリブチルホスファ
イト。トリオクチルホスファイト、トリー２−エチルへ
キンルホスファイト、トリラウリルホスファイト、トリ
オレイルホスファイ口　ジブチルホスファイト、ジオク
チルホスファイト、ジ−２−エチルへキシルホスファイ
トジラウリルホスファイト　ジオレイルホスファイト等
の亜リン酸エステル、ジブチルホスフェートブチルアミ
ン塩。

ジブチルホスフェートオクチルアミン塩、ジブチルホス
フェートステアリルアミン塩、ジオクチルホスフェート
ブチルアミン塩、ジオクチルホスフェートオクチルアミ
ン塩、ジオクチルホスフェートラウリルアミン塩、ジオ
クチルホスフェートステアリルアミン塩、ジー２−エチ
ルへキソルホスフェートブチルアミン塩、ジー２−エチ
ルへキシルホスフェートオクチルアミン塩、ジー２−エ
チルへキシルホスフェートラウリルアミン塩、ジー２−
エチルへキシルホスフェートステアリルアミン塩、ジブ
チルホスフェートブチルアミン塩。

ジラウリルホスフェートオクチルアミン塩、ジラウリル
ホスフェートラウリルチミン塩、ジラウリルホスフェー
トステアリルアミン塩、ジオレイルホスフェートブチル
アミン塩、ジオレイルホスフニートオクチルアミン塩、
ジオレイルホスフェートラウリルアミン塩、ジオレイル
ホスフヱートステアリルアミン塩等のリン酸エステルア
ミン塩が挙げられる。

上記イオウ系極圧剤としては、硫化抹香鯨油、硫黄化ジ
ペンテン等不飽和結合を有する鉱油、油脂や脂肪酸等に
硫黄を加えて力Ｕ熱することにより製造される硫化油脂
類、二硫化ジヘンジル、二硫化ジフェニル、二硫化ジ−
ｔ−ブチル、二硫化ジー　５ｅｃ−ブチル、二硫化ジ−
ｎ−ブチル、二硫化ジ−ｔ−オクチル、二硫化ジエチル
等のジサルファイド類、硫化ベンジル、硫化ジフェニル
、硫化ジビニル、硫化ジメチル、硫化ジエチル、硫化ジ
−ｔ−ブチル、硫化ジー５ｅｃ−ブチル５硫化ジーｎ−
ブチル等のモノサルファイド類、三硫化ジメチル、三硫
化ジー（−ブチル、ポリ硫化ジ−ｔ−ノニル、オレフィ
ンポリサルファイド等のポリサルファイド類、一般式 （但し、式中Ｒは炭化水素基を表す、）で示されるチオ
カーボネート類、元素硫黄等が挙げられる。

上記ハロゲン系極圧剤としては、臭化アリル。

臭化オクタデシル、臭化シクロヘキシル、臭化ステアリ
ル、臭化ベンジル等の臭素化合物、ヨウ化ベンジル、ヨ
ウ化アリル、ヨウ化ブチル、ヨウ化オクタデシル、ヨウ
化ンクロヘキシル等のヨウ素化合物、ヘキサクロロエタ
ン、モノクロルエタン。

塩素化パラフィン１塩素化ジフエニル１塩素化油脂、メ
チルトリクロロステアレートペンタクロロペンタジェン
酸、ヘキサクロルナフテン酸化合物のエステル、ヘキサ
クロルナフテン酸化合物のイミド誘導体等の塩素化合物
が挙げられる。

上記を機金属系極圧剤としては、ジイソブチルジチオリ
ン酸亜鉛、イソブチルペンチルジチオリン酸亜鉛、イソ
プロピル−１−メチルブチルジチオリン酸亜鉛、イソブ
チルノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、イソブチルへブ
チルフェニルジチオリン酸亜鉛、ジヘプチルフェニルジ
チオリン酸亜鉛、ジノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、
モリブデンジチオフォスフェート等のチオリン酸塩類、
ジメチルジチオカルバミン酸亜鉛、ジエチルジチオカル
バミン酸亜鉛、ジブチルジチオカルバミン酸亜鉛、エチ
ルフェニルジチオカルバミン酸亜鉛。

ジヘンジルジチオ力ルバミン酸亜鉛、ジメチルジチオカ
ルバミン酸亜鉛、ジメチルジチオカルバミン鍍銅、ジメ
チルジチオカルバミン ルジチオカルバミン酸セレン、ジエチルジチオカルバミ
ン酸銀等のチオカルバミン酸塩類、モリブデン、アンチ
モン等の金属アルキルジチオカルバミン酸塩類、等が挙
げられる。

上記複合型極圧剤としては、ジー２−エチルへキシルチ
オリン酸アミン等のジアルキルチオリン酸アミン類、塩
化プロピルホスフェ−１・、臭化プロピルホスフェート
　ヨウ化プロピルホスフェート、塩化ブチルホスフェー
ト１臭化ブチルホスフエート、ヨウ化ブチルホスフェー
ト等に代表されるハロゲン化アルキルのリン酸エステル
類、クロロナフサザンテート等の他、一般式 （但し、各一般式中Ｒは水素原子またはアルキル基，ア
ルケニル基，了りール基を表す。）で示されるチオフォ
スフェート類、一般式（但し、式中Ｒは水素原子または
アルキル基．アルケニル基，アリール基を表す．） で示されるチオフォスファイト類等が効果が高い。

上述の極圧剤は単体で使用してもよいが、２種以上を混
合して使用することも可能である。

これらへブタフルオロイソプロピルオキシ基を有するポ
リ　（メタ）アクリル酸エステル化合物を含有する潤滑
剤層を強磁性金属ＴＲ膜上に付着させる方法としては、
上記潤滑剤を溶媒に溶解して得られた溶液を強磁性金属
Ｆｉ４１１１の表面に塗布もしくは噴霧するか、あるい
は逆にこの溶液中に強磁性金属薄膜を浸清し乾燥すれば
よい。

ここで、その塗布量は、０．５■／ｌ〜１００弯／ｄで
あるのが好ましく、１■／イ〜２０■／ｄであるのがよ
り好ましい、この塗布量があまり少なすぎると、Ｐ！擦
係数の低下、耐摩耗性・耐久性の向上という効果が顕れ
ず、一方あまり多すぎると、摺動部材と強磁性金属薄膜
との間ではりつき現象が起こり、却って走行性が悪くな
る。

あるいは、上述の潤滑剤、極圧剤の他、必要に応じて防
錆剤を併用してもよい。

一般に、強磁性金属薄膜は金属材料により形成されるこ
とがら錆易く、上記防錆剤の使用により耐蝕性が大幅に
改善される。したがって、上記へブタフルオロイソプロ
ピルオキシ基を有するポリ（メタ）アクリル酸エステル
化合物を含有する潤滑剤の有する潤滑作用と相俟って、
磁気記録媒体の耐久性を向上することができる。

使用可能な防錆剤としては、通常この種の磁気記録媒体
の防錆剤として使用されるものであれば如何なるもので
あってもよく、例えばフェノール類、ナフトール類、キ
ノン類、ジアリールケトン、窒素原子を含む複素環化合
物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素
環化合物、メルカプト基を有する化合物、チオカルボン
酸またはその塩、チアゾール系化合物等が挙げられる。

具体的に例示すれば次の通りである。

先ず、上記フェノール類としては、二価フェノール、ア
ルキルフェノールあるいはニトロソフェノールが挙げら
れる。

上記二価フェノールとしては、ハイドロキノン。

レゾルシン、カテコール等の純フェノール類、及びそれ
らのアルキル、アミノ、ニトロ、ハロゲノ置換体、例え
ば、２−メチルハイドロキノン、４−メチルレゾルシノ
ール、５−メチルレゾルシノール、４−メチルピロカテ
コール、２．５−ジメチルハイドロキノン、４．６−ジ
メチルレゾルシノール、２．５−ジメチルレゾルシノー
ル５２−イソプロピル−５−メチルハイドロキノン、’
１−ｔｅｒｔ−ブチルハイドロキノン、２．５−ジーｔ
ｅｒｔ−ブチルハイドロキノン、４−ｔｅｒＬ−ブチル
カテコール。

２−アミルゾルシノール、２−レゾルシノール。

２．５−ジクロロヒドロキノン等が挙げられる。

上記アルキルフェノールとは、−価フエノールのアルキ
ル置換体を指し、例えば、Ｏ−クレゾール。

ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、０−エチルフェノー
ル、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、２
．３−ジメチルフェノール、２，５−ジメチルフェノー
ル、２．６−ジメチルフェノール。

３．４−ジメチルフェノール、３．５−ジメチルフェノ
ール、　　２，４．６−　）ジメチルフェノール、　　
２，４．５−トリメチルフェノール、５−イソプロピル
−２−メチルフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノ
ール、２，６−シーｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール
。

４．４′−メチレンビス２，６−シーｔｅｒｔ−ブチル
フェノール、２．６−シメチルー４−ｔｅｒｔ−ブチル
フェノール、　　２，４．６−　）シーｔｅｒｔ−ブチ
ルフェノール等が挙げられる。

上記ニトロソフェノールとしては、例えば、４−ニトロ
ソ−２−メトキシ−１−フェノール、４−ニトロソ−２
−エトキシ−１−フェノール、６−ニトロソ−〇−クレ
ゾール、４−ニトロソ−ｍ−クレゾール、Ｏ−ニトロソ
フェノール、２−ニトロソフェノール、２−ニトロソレ
ゾルシン、４−ニトロソレゾルシン、ｐ−ニトロソフェ
ノール等が挙げられる。

次に、上記ナフトール類としては、α−ナフトール、β
−ナフトール、ｌ、２−ナフタレンジオール。

１．３−ナフタレンジオール、ｌ、４−ナフタレンジオ
ール、１１５−ナフタレンジオール、１，７−ナフタレ
ンジオール、■、８−ナフタレンジオール、２．３−ナ
フタレンジオール、　１．４．５〜ナフタレントリオー
ル、　１．２゜５．８−ナフタレンテトラオール等の純
ナフトール類、及びニトロ、ニトロソ、アミノ、ハロゲ
ノ置換ナフトール類、例えば１−クロロ−２−ナフトー
ル、２゜４−ジクロロ−１−ナフトール、■−二トロー
２−ナフトール、ｌ、６−シニトロー２−ナフトール、
■−二トロソー２−ナフトール、２−ニトロソ−１−ナ
フトール、ｌ−アミノ−２−ナフトール等が挙げられる
。

上記キノン類としては、ｐ−ヘンゾキノン、〇−ヘンゾ
キノン、■、２−ナフトキノン、１．４−ナフトキノン
、２．６−ナフトキノン、アントラキノン、９゜１０−
フェナントレンキノン、ジフェノキノン等の置換基のな
いキノン類、メチル−ｐ−ヘンゾキノン、２．３−ジメ
チル−ｐ−ヘンゾキノン、２−メチル−１，４−ナフト
キノン、２−メチルアントラキノン等のメチルキノン類
、２，５−ジヒドロキシ−ｐ−ヘンゾキノン、テトラヒ
ドロキジ−ｐ−ヘンヅキノン、５−ヒドロキシ−１，４
−ナフトキノン、２，３−ジヒドロキシ−１，４−ナフ
トキノン、５，８−ジヒドロキシ−１，４−ナフトキノ
ン、２−ヒドロキシアントラキノン、１゜２−ジヒドロ
キソアントラキノン、　１，２．３−　トリヒドロキシ
アントラキノン、　１，２．４−　）ジヒドロキソアン
トラキノン、　１，２．５−トリヒドロキシアントラキ
ノン、　１．２．６−１−ジヒドロキソアントラキノン
、１゜２．７−トリヒドロキシアントラキノン等のヒド
ロキシキノン類、２−アミノアントラキノン、１，２−
ジアミノアントラキノン等のアミノキノン類、１−ニト
ロアントラキノン、１．５−ジニトロアントラキノン等
のニトロキノン類、２．６−ジクロロ−ｐ−ヘンゾキノ
ン、テトラクロローｐ−ヘンゾキノン、テトラブロモ−
ｐ−ベンゾキノン等のハロゲノキノン類、あるいは２種
以上の置換基を有するキノン類、例えば２．５−ジクロ
ロ−３，６−ジヒドロキシ−ｐ−ベンゾキノン、１−メ
チル−２−ヒドロキシ−１，４−ナフトキノン等が挙げ
られる。

上記ジアリールケトンとしては、ベンゾフェノン及びそ
の誘導体が挙げられ、例えばヘンシフエノン、４−メチ
ルヘンシフエノン、３−メチルヘンシフエノン、３．４
−ジメチルベンゾフェノン、４゜４゛−ジメチルベンゾ
フェノン、　３．４’−ジメチルヘンシフエノン、４−
エチルヘンシフエノン等のアルキル置換体、４−ヒドロ
キシベンゾフェノン。

４．４°−ジヒドロキシベンゾフェノン、　２，３．４
−１−ジヒドロキシベンゾフェノン、２．４−ジヒドロ
キシベンゾフェノン、　２．２’、５．６’−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、２，３°、４．４’、６−ベ
ンタヒトロキシヘンゾフエノン等のヒドロキシベンゾフ
ェノン類、４−アミノヘンシフエノン、４，４”−ジア
ミノヘンシフエノン等のアミノベンゾフェノン類、ある
いは２種以上の置換基を有するヘンシフエノン類、例え
ば４−メトキシ−２−ヒドロキジヘンヅフエノン、　２
．２’−ジヒドロキシ−４−メトキシヘンシフエノン等
が挙げられる。

上記窒素原子を含む複素環化合物としては、アクリジン
、２，２°、２′−テルピリジルネオクプロイン、２．
２″−ジピリジルベンゾトリアゾール、５−メチルヘン
シトリアゾール、バソフェナンドロリン、１１１０−フ
ェナントロリン、アルデヒドコリジン、ベンジルピリジ
ン、フェニルピリジン、キナゾリン、２−ヘブタデンル
イミダゾール等の他、フェノール性水酸基を存する化合
物、例えば４−（２−ピリジルアゾ）−レゾルシン、　
１−（２−ビリノルアゾ）−２−ナフトール、４−キメ
リノール、４−メチル−２−キツリノール、８−キノリ
ツール、キノリンジオール等、カルボキシル基を有する
化合物、例えばキヌレン酸、アクリジン酸、アトファン
、キルナジン酸、シンコニン酸、イソニコチン酸、２．
５−ピリジンジカルボン酸、キニン酸等、アミノ基又は
イミノ基を存する化合物、例えば２−７ミノヘンズイミ
ダゾール、５−アミノ−ＩＨ−テトラゾール、５−アミ
ノ−Ｉ　Ｈ−１，２，４−１−リアゾール、アデニン、
グアニン、ルミノール、２−ヒドラジノキノリン、チア
ミン等、カルボニル基を有する化合物、例えばりポフラ
ビン、テオブロミン、アラントイン、アロキサン、２−
チオバルビッール酸。

ビオルル酸、イサチン、ヒダントイン、チミン。

バルビッール酸、オロチン酸、ウラシル、スクシンイミ
ド、タレアチニン、２−ピロリドン等が挙げられる。

上記酸素原子を含む複素環化合物としては、トコフェロ
ール、モリン、ケルセチン、アスコルビン酸、無水１．
８−ナフタル酸、レゾルフィン、コウジ酸、デヒドロ酢
酸、オキサゾール、３−アミノフタルイミド、４−アミ
ノフタルイミド、ウリジン、チミジン、グアノシン、無
水イサト酸等が挙げられる。

上記硫黄原子を含む複素環化合物としては、スルホラン
、３−ヒドロキシスルホラン、３−メチルスルホラン、
スルホレン、３−ヒドロキシスルホレン、３−メチルス
ルホレン１　ローダニン、３−アミノローダニン、チア
ゾリン−４−カルボン酸、４Ｈ−１，４−チアジン、ビ
オチン、３．６−チオキサンチンジアミン、３，６−チ
オキサンチンジアミン−１０，１０−ジオキシド等が挙
げられる。

上記メルカプト基を有する化合物としては、２−ベンゾ
オキサゾールチオール、チオフェノール。

チオサリチル酸、プロパンチオール、チオウラシル、２
．３−キノキサリンジチオール、ジチゾン、チオオキシ
ン、２−ベンズイミダゾールチオール。

６−チオグアニン、５−ニトロ−２−ベンズイミダゾー
ルチオール、５−アミノ−１，３，４−チアゾール−２
−チオール等が挙げられる。

上記チオカルボン酸またはその塩としては、ジエチルジ
チオカルバミン酸ナトリウム、エタンチオ酸５ルベアン
酸、チオアセトアミド、エタンジチオ酸等が挙げられる
。

上記チアゾール系化合物としては、ビスムチオール■、
ジアゾスルフィド、アゾスルフイム、１゜３．４−チア
ジアゾール、ビスムチオール、ビアズチオール、ベンゾ
チアゾール、２−メチルベンゾチアゾール、　２−（ｐ
−アミノフェニル）−６−メチルベンゾチアゾール、２
−メルカプトベンゾチアゾール。

ベンゾチアゾリン、２−ベンゾチアゾリン、ベンゾチア
ゾロン等が挙げられる。

上記防錆剤は、上記潤滑剤と混合して用いてもよいが、
例えば強磁性金属薄膜の表面に先ず上記防錆剤を塗布し
、しかる後上記へプクフルオロイソプロピルオキシ基を
存するポリ　（メタ）アクリル酸エステル化合物を含有
する潤滑剤を塗布するというように、２層以上に分けて
被着すると効果が高い。

このように２層に分けて塗布する場合には、上記防錆剤
の塗布量としては、先の潤滑剤と同様、０．５１！１ｒ
／ｒｒｒ　〜１００＊／ｒｄであるのが好ましく、１＠
／ｍ〜２０ｗ／ｎ（であるのがより好ましい。

塗布量があまり少なすぎると、耐蝕性改善の効果が不足
し、逆に多過ぎると走行性等に問題が生ずる。

本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性支持体上に
磁性層として強磁性金属薄膜を設けたものであるが、こ
こで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテー
ト、セルロースダイアセテート、セルロースアセテート
ブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート
、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック、ア
ルミニウム合金、チタン合金等の軽金属、アルミナガラ
ス等のセラミックス等が挙げられる。

この非磁性支持体の形態としては、フィルム、シート、
ディスク、カード、ドラム等のいずれでもよい。

上記非磁性支持体には、その表面に山状突起やしわ状突
起１粒状突起等の突起を１種以上を形成し、表面粗さを
コントロールしてもよい。

上記山状突起は、例えば高分子フィルム製膜時に粒径５
００〜３０００人程度の無機微粒子を内添することによ
り形成され、高分子フィルム表面からの高さは１００〜
１０００人、密度はおよそｌＸｌ０’〜ｌ０ＸＩＯ’個
／寵諷２とする。山状突起を形成するために使用される
無＠微粒子としては、炭酸カルシウム（ＣａＣＯｓ）や
シリカ、アルミナ等が好適である。

上記しわ状突起は、例えば特定の混合溶媒を用いた樹脂
の希薄溶液を塗布乾燥することにより形成される起伏で
あって、その高さはＯ，’０１〜１０μｍ、好ましくは
０．０３〜０．５μｍ、突起間の最短間隔は０．１〜２
０μｍとする。このしわ状突起を形成するための樹脂と
しては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナ
フタレート等の飽和ポリエステル、ポリアミド、ポリス
チロール、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリ
スルホン、ポリエーテルスルホン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリビニルブチラール、ポリフェニ
レンオキサイド、フェノキシ樹脂等の各種樹脂の単体、
混合体または共重合体であり、可溶性溶剤を有するもの
が適している。そして、これらの樹脂をその良溶媒に溶
解せしめた樹脂濃度１〜１０００ρｐＩ１１の溶液に、
その樹脂の貧溶媒であって前記良溶媒より高い沸点を有
する溶媒を樹脂に対してｌＯ〜１００倍量添加した溶液
を、高分子フィルムの表面に塗布・乾燥することにより
、非常に微細なしわ状凹凸を有する薄層を得ることがで
きる。

粒状突起は、アクリル樹脂等の有機超微粒子またはシリ
カ、金属粉等の無機微粒子を球状あるいは半球状に付着
させることにより形成される。この粒状突起の高さは、
５０〜５００人、密度はｌ×１０６〜５０Ｘ１０”個／
龍２程度とする。

これら突起の少なくとも一種以上を形成すれば磁性層で
ある強磁性金属薄膜の表面性が制御されるが、２種以上
を組み合わせることにより効果が増し、特に山状突起を
設けたベースフィルム上にしわ状突起とつぶ状突起を形
成すれば、極めて耐久性、走行性が改善される。

この場合、突起の全体としての高さは、１００〜２００
０人の範囲内であることが好ましく、その密度は１ｍ”
当り平均で１Ｘ１０’−ＩＸＩＯ’個であることが好ま
しい。

また、上記磁性層である強磁性金属薄膜は、真空蒸着法
やイオンブレーティング法、スパッタリング法等の真空
ＷｉＷＪ形成技術により連続膜として形成される。

上記真空蒸着法は、１Ｏ−４〜１０−’Ｔｏｒｒの真空
下で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビー
ム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属（
強磁性金属材料）を沈着するというものであり、一般に
高い抗磁力を得るため基板に対して上記強磁性金属材料
を斜めにＮ着する斜方蒸着法が採用される。あるいは、
より高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を
行うものも含まれる。

上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり
、１０−〜１０−３Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中でＤ
Ｃグロー放電、ＲＦＦａ−放電を起こして、放電中で上
記強磁性金属材料を蒸発させるというものである・ 上記スパッタリング法は、１０−３〜１０−’Ｔｏｒｒ
のアルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を
起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面の
原子をたたき出すというものであり、グロー放電の方法
により直流２掻、３極スパツタ法や、高周波スパッタ法
、またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパ
ッタ法等がある。

このスパッタリング法による場合には、ＣｒやＷ。

■等の下地膜を形成しておいてもよい。

なお、上記いずれの方法においても、基板上にあらかじ
めＢｉ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇａ＋　　Ｉｎ。

Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、ＴＩ等の下地金属層を被着形成して
おき、基板面に対して垂直方向から成膜することにより
、磁気異方性の配向かなく面内等方　２性に優れた磁性
層を形成することができ、例えば磁気ディスクとする場
合には好適である。

このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄膜を形成
する際に、使用される強磁性金属材料としては、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ等の金属の他に、Ｃ。

−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、
Ｆａ−Ｃｏ合金、Ｆａ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ　　Ｎ１−Ｆｅ−Ｂ合金
、Ｃｏ−Ｃｒ合金あるいはこれらにＣｒ、Ａ１等の金属
が含有されたもの等が挙げられる。特に、Ｃｏ−Ｃｒ合
金を使用した場合には、垂直磁化膜が形成される。

このような手法により形成される磁性層の膜厚は、０．
０４〜１μｍ程度である。

また、非磁性支持体の前記磁性層が設けられる面とは反
対側の面に、いわゆるバンクコート層を形成してもよい
、バックコート層は、結合剤樹脂と粉末成分とをを機溶
媒に混合分散させたバックコート用塗料を非磁性支持体
面に塗布することにより形成される。

ここで、バックコート用塗料に使用される結合剤樹脂と
しては、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、塩
化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アク
リロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロ
ニトリル共重合体、熱可塑性ポリウレタンエラストマー
、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリ
ル共重合体、ブタジェン−アクリロニトリル共重合体、
ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘
導体、ポリエステル樹脂、ポリブタジェン等の合成ゴム
系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン
硬化型樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコー
ン樹脂、アクリル系反応樹脂、エポキシ−ポリアミド樹
脂、ニトロセルロース−メラミン樹脂、高分子量ポリエ
ステル樹脂とイソシアナートプレポリマーの混合物、メ
タクリル酸塩共重合体とジイソシアナートプレポリマー
の混合物、ポリエステルポリオールとポリイソシアナー
トとの混合物、尿素ホルムアルデヒド樹脂、低分子量グ
リコール／高分子量ジオール／トリフェニルメタントリ
イソシアナートの混合物、ポリアミン樹脂及びこれらの
混合物等が挙げられる。

あるいは、粉末成分の分散性の改善を図るために、親水
性極性基を持った結合剤樹脂を使用してもよい。

具体的には、　ＳＯ３Ｍ、　　Ｏ５ＯａＭ、　　ＧＯＯ
Ｎ、　　Ｐ（ＯＭ’）ｉ（式中、Ｍは水素原子またはア
ルカリ金属を表し、Ｍ゛は水素原子、アルカリ金属また
は炭化水素基を表す、）から選ばれた親水性極性基を導
入したポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、塩、化ビ
ニルー酢酸ビニル系共重合体、塩化ビニリデン系共重合
体、アクリル酸エステル系共重合体、ブタジェン系共重
合体等が使用可能である。

上記親水性極性基の導入方法としては、樹脂の種類に応
じて種々の方法が考えられるが、例えばポリウレタン樹
脂やポリエステル樹脂に上記親水性極性基を導入するに
は次のような方法によればよい。

（１）ポリウレタン又はポリエステルの原料である２塩
基酸あるいはポリオール等に前記親水性極性基を予め導
入しておく方法。

（２）末端若しくは側鎖にＯＨ基を残存させておき、こ
のＯＨ基を親水性極性基を持った化合物により変性する
方法。

（２）の方法による場合には、 ！２１−１ 分子中に親水性極性基とハロゲン（例えば塩素）を含有
する化合物と、原料に多官能のポリオールを用いポリマ
ー鎖の末端若しくは側鎖に０１（基が残存したポリウレ
タン樹脂またはポリエステル樹脂とを、両成分が溶解性
のあるジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等
の溶剤に溶解し、とリジン、ピコリン、トリエチルアミ
ン等のアミン類やエチレンオキサイド、プロピレンオキ
サイド等のエポキシ化合物等の脱塩酸剤の存在下でのＯ
Ｈ基と塩素との脱塩酸反応により親水性極性基を導入す
る方法。

分子中に親水性極性基とＯＨ基ゞとを含有する化合物と
、ポリマー鎖の末端若しくは側鎖にＯＨ基が残存したポ
リウレタン樹脂またはポリエステル樹脂とを、ジイソシ
アナート化合物を介して反応させる方法。

がある。

また、上記共重合体系結合剤樹脂に親水性極性基を導入
するには、 （３）共重合モノマーとして、親水性極性基及び共重合
可能な二重結合を有する化合物を使用する方法。

（４）共重合モノマーとして、活性水素及び共重合可能
な二重結合を有する化合物を使用し、共重合体の側鎖に
上記活性水素を導入しておき、親水性極性基及び上記活
性水素と反応可能な基を有する化合物により変性する方
法。

（５）共重合モノマーとして、活性水素と反応可能な基
及び共重合可能な二重結合を有する化合物を使用し、共
重合体の側鎖に上記活性水素と反応可能な基を導入して
おき、親水性極性基及び上記活性水素を有する化合物に
より変性する方法。

等が挙げられる。

一方、上記粉末成分としては、導電性を付与するための
カーボン系微粉末（例えば、ファーネスカーボン、チャ
ンネルカーボン、アセチレンカーボン、サーマルカーボ
ン、ランプカーボン等が挙げられるが、なかでもファー
ネスカーボンやサーマルカーボンが好適である。）、無
機顔料（表面粗度のコントロール及び耐久性向上のため
に添加されるａ　−ＦｅＯＯＨ，ｃｘ　−ＦｅｔＯ２，
Ｃｒ２Ｏ２，Ｔｉ０ｚ、ＺｎＯ，ＳｊＯ＋Ｓｉｎｇ、　
５ｉｆｔ・２Ｈ！Ｏ，Ａｌ□０．・２ＳｉＯ□・２１ｈ
Ｏ、３Ｍｇ０・４ＳｉＯ２−ＨｚＯ，Ｍｇｃｏ、　ＨＭ
ｇ（ＯＨ）ｔ　Ｈ３ＨｔＯ，＾１．Ｑ、、ＣａＣＯ２゜
ＭｇＣ０，、Ｓｂ、Ｏ，等）が挙げられる。

さらに、上記バンクコート用塗料の有機溶剤としては、
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸ブチル。

乳酸エチル、酢酸グリコールモノエチルエーテル等のエ
ステル系溶剤、グリコールジメチルエーテル、グリコー
ルモノエチルエーテル、ジオキサン等のグリコールエー
テル系溶剤、ベンゼン、トル　゛エン、キシレン等の芳
香族炭化水素系溶剤、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭
化水素系溶剤、メチレンクロライド、エチレンクロライ
ド、四塩化炭素、クロロホルム、エチレンクロルヒドリ
ン、ジクロルベンゼン等の塩素化炭化水素系溶剤等、汎
用の溶剤を用いることができる。

前述のバンクコート層には潤滑剤を併用してもよい、こ
の場合、上記バックコート層中に潤滑剤を内添する方法
、あるいはバンクコート層上に潤滑剤を被着する方法が
ある。いずれにしても、上記潤滑剤としては、脂肪酸、
脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、金属石鹸、脂肪族アル
コール、パラフィン、シリコーン等、従来より周知の潤
滑剤が使用できる。

さらには、先の磁性層表面に付着される潤滑剤層と同様
のへブタフルオロイソプロピルオキシ基を有するポリ　
（メタ）アクリル酸エステル化合物を含有する潤滑剤を
使用してもよい。

〔作用〕

ヘプタフルオロイソプロピルオキシ基を有するポリ　（
メタ）アクリル酸エステル化合物を含む潤滑剤層は、強
磁性金属Ｆ４膜に付着し良好な潤滑作用を発揮してＰｊ
！擦係数を低減する。特に、ヘプタフルオロイソプロピ
ルオキシ基を有するポリ　（メタ）アクリル酸エステル
化合物は、低温下においても良好な潤滑効果を発揮する
。

〔実施例〕

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。

実施例１゜ １４μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに斜
め蒸着法によりＣｏを被着させ、膜厚１０００人の強磁
性金属薄膜を形成した。

次に、この強磁性金属薄膜表面に、ポリアクリル酸へブ
タフルオロイソプロピル （ｎ＝４００）をフレオン溶液に溶解し、塗布量が５■
／ｄとなるように塗布し、８寵幅に裁断してサンプルテ
ープを作製した。

実施例２゜ 実施例１と同様に１４μｍ厚のポリエチレンテレフタレ
ートフィルムに斜め蒸着法によりＣｏを被着させ、膜ｒ
ＩＪ−１０００人の強磁性金属薄膜を形成した。

次に、この強磁性金属薄膜表面に、ポリメタクリル酸へ
ブタフルオロイソプロピル （ｎ＝３５０）をフレオン溶液に溶解し、塗布量が５■
／ｄとなるように塗布し、Ｂｆｉ幅に裁断してサンプル
テープを作製した。

作製された各サンプルテープについて、温度２５℃、相
対湿度（ＲＨ）５０％、および−５℃の各条件下での動
摩擦係数及びシャトル耐久性を測定した。この動摩擦係
数は、材質がステンレス（ＳＵＳ３０４）のガイドピン
を用い、一定のテンションをかけ５Ｉｌ−八ｅｃの速度
で送り、試験したものである。また、シャトル耐久性は
、１回につき２分間のシャトル走行を行い、出力が一３
ｄＢ低下までのシャトル回数で評価した。スチル耐久性
はポーズ状態での出力の一３ｄＢまでの減衰時間を評価
した。なお、比較例１として、全く潤滑剤を被着しない
ブランクテープについても測定した。

結果を次表に示す。

（以下余白） 上記第１表から明らかなように、本発明の各実施例の条
件下で動摩擦係数が小さく、走行が極めて安定しており
、また１００回往復走行後もテープ表面の損傷は全く見
られなかった。また、スチル耐久性も極めて良く、１５
０回シャトル走行を行っても出力の一３ｄＢ低下は見ら
れなかった。

これに対して、潤滑剤層のない比較例のテープでは、Ｆ
Ｉｌ擦係数が往復走行回数が多くなるにつれて大となり
、走行も不安定でテープの摩擦が見られ、耐久性も悪い
ものであった。

（発明の効果〕 以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体の潤滑剤としてヘプタ
フルオロイソプロピルオキシ基を有するポリ　（メタ）
アクリル酸エステル化合物を用いているので、如何なる
温度条件下においても動摩擦係数を小さくすることがで
き、走行安定性や耐摩耗性に優れた磁気記録媒体とする
ことができる。

特に、ヘプタフルオロイソプロピルオキシ基を有するポ
リ　（メタ）アクリル酸エステル化合物の凝固点温度が
低いことから、低温下での使用時に効果が大きい。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性
   金属薄膜上にヘプタフルオロイソプロピルオキシ基を有
   するポリ（メタ）アクリル酸エステル化合物を被着した
   ことを特徴とする磁気記録媒体。