JPS63167414A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を
磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁
気記録媒体に関するものである。 〔発明の概要〕 本発明は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を磁性層と
して形成してなる磁気記録媒体において、磁性層である
強磁性金属ｙｉ模膜上アミンボランを含有するトップコ
ート層を潤滑剤として被着することにより、 特に低湿度環境下における使用に際し、磁気ヘッドの偏
摩耗が防止できる磁気記録媒体を提供しようとするもの
である。 〔従来の技術〕 従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にｒ−
Ｆｅ、Ｏ，、Ｃｏを含有する７　−Ｆ　ｅ　ｔｏｚ＋Ｆ
ｅ５ｏａ＋ｃｏを含有するＦ　（３ｓｏ＊＋　γ−Ｆ　
ｆ３１０２とＦｅ、Ｏ，とのベルトライド化合物、Ｃｏ
を含有するベルトライド化合物、Ｃｒｙ、等の酸化物強
磁性粉末あるいはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等を主成分とする合
金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル
系共重合体、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の
有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布・乾燥
することにより作製される塗布型の磁気記録媒体が広く
使用されている。 これに対して、高密度磁気記録への要求の高まりととも
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金等の強磁性金属材料を、メッキや真
空薄膜形成技術（真空蒸着法やスパッタリング法、イオ
ンブレーティング法等）によってポリエステルフィルム
やポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案さ
れ、注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁気記録
媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換
特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄く
することが可能であるため記録ｉ４　ｉｆｆや再生時の
厚み損失が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材であ
る有機バインダーを混入する必要がないため磁性材料の
充填密度を高めることができること等、数々の利点を有
している。 しかしながら、上述の強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体
では、磁性層表面の平滑性が極めて良好であるために実
質的な接触面積が大きくなり、凝着現象（いわゆるはり
つき）が起こり易くなったり摩擦係数が大きくなる等、
耐久性や走行性等に欠点が多く、その改善が大きな課題
となっている。 一般に、６５ｆ気記録媒体は磁気信号の記録・再生の過
程で磁気ヘッドとの高速相対運動のもとにおかれ、その
際走行が円滑に、かつ安定な状態で行われなければなら
ない、また、磁気ヘッドとの接触による摩耗や損傷はな
るべく少ないほうがよい。 そこで例えば、上記磁気記録媒体の磁性層、すなわち強
磁性金属薄膜表面に潤滑剤を塗布して保！！！膜を形成
することにより、上記耐久性や走行性を改善することが
試みられている。 〔発明が解決しようとする問題点〕 上述のように潤滑剤を塗布して保護膜を形成した場合に
は、磁気記録媒体側の耐久性や走行性の改善は非常に良
好に行え、また所定の潤滑剤を使用することにより潤滑
剤の使用温度範囲も充分に拡大が図れる。 しかしながら、これら磁気記録媒体を実走行させてみる
と、低湿度環境下において逆に磁気へラドギャップ近傍
で偏摩耗が生じ、再生出力が低下するという問題が確認
された。この現象は、湿度が低い程顕著に現れるもので
あるが、窒素ガス雰囲気中においては生じ難いことから
磁気ヘッドと磁気記録媒体との走行摩擦による摺動腐食
と考えられ、これを防止する必要が生じている。 そこで本発明は、かかる実情に鑑みて提案されたもので
あって、低湿度環境下における使用に際しても磁気ヘッ
ドの偏摩耗が防止できる磁気記録媒体を提供することを
目的とする。 〔問題点を解決するための手段〕 本発明者等は、上述の目的を達成せんものと鋭意研究の
結果、アミンボラン系化合物が磁気へ・／ドの偏摩耗防
止に有効に作用することを見出し本発明を完成するに至
ったものであって、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を
形成し、前記強磁性金属薄膜上にアミンボランを含有す
るトップコート層を形成したことを特徴とするものであ
る。 本発明を適用した磁気記録媒体において、使用されるア
ミンボランは、例えばジメチルアミンボラン（ＤＭＡＢ
）（（Ｃ）１３）！ＩＮ−ＢＬ））に代表されるように
、第一アミン、第二アミン、第三アミンと水素化ホウ素
（Ｂｌｌｘ）との複合体であって、還元剤としての働き
を示す化合物である。 使用可能なアミンボランとしては、上記ジメチルアミン
ボランの他、下記の化合物が例示される。 ■アンモニアボラン（Ｎｉｌｓ・Ｂ１１５）■モノメチ
ルアミンボラン（（ＣＨｓ）ＮＩＩ冨・ＢＨｓ）■ピリ
ジンボラン（ＣｓＨｓＮ−ＢＨｓ）０モルフォリンボラ
ン（０（ＣＩＩＣＩ＋りＮｉｌ・０．）■トリメチルア
ミンボラン（（Ｃｌｌｉ）　５Ｎ−ＢＩＬｄ■トリエチ
ルアミンボラン（（ｃｚｎｓ）　２Ｎ　−ＢＨｓ）■ｔ
−ブチルアミンボラン（（Ｃｌｌｉ）　５ｃＮＨｔ・Ｂ
Ｈｓｌ■Ｎ、ｌ１ｌ−ジメチルアニリンボラン（ＣＪＩ
ｓＮ　（ＣｔＨｓ）　ｚ・ＢＨｚ）■ジイソプロピルア
ミンボラン（（（ＣＨｓ）ｘｃＨ）　ｚＮＨ−Ｂｕｓ）
上記アミンボランを強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体の
トップコート層に添加することにより、磁気ヘッドと磁
気記録媒体の摺動摩擦による磁気ヘッドの偏摩耗を防止
することができる。 上述のアミンボランは、単独でトップコート層として用
いてもよいが、これだけでは磁気記録媒体の潤滑効果が
不足するため、通常は潤滑剤と混合して用い、磁気記録
媒体の潤滑効果の向上や使用温度帯域の拡大を図るよう
にする。 この場合、使用される潤滑剤としては、脂肪酸またはそ
の金属塩、脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、脂肪族アル
コールまたはそのアルコキシド、脂肪族アミン、多価ア
ルコール、ソルビタンエステル、マンニフタンエステル
、硫黄化脂肪酸、脂肪族メルカプタン、変性シリコーン
オイル、パーフルオロアルキルエチレンオキシド、パー
フルオロポリエーテル類、高級アルキルスルホン酸また
はその金属塩、パーフルオロアルキルスルホン酸または
そのアンモニウム塩あるいはその金属塩、パーフルオロ
アルキルカルボン酸またはこれら金属塩、カルボン酸パ
ーフルオロアルキルエステル、パーフルオロアルキルカ
ルボン酸エステル等が例示され、これらを単独もしくは
２種以上を混合して使用すればよい、勿論、使用可能な
潤滑剤はこれらに限られず、従来公知のものがいずれも
使用可能であることは言うまでもない。 特に、パーフルオロポリエーテル、カルボン酸パーフル
オロアルキルエステル、パーフルオロアルキルカルボン
酸エステルは、低温特性に優れているため、これらを潤
滑剤の一部として用いることによって使用温度域の拡大
が図れる。 上記パーフルオロポリエーテルとしては、一般式 ％式％ や、一般式 Ｃｈ（ＯＣｇＦ＊）ｑ（ＯＣＦｘ）ｒＯｃＦｓ（上記一
般式中のｘ、　　ｙ、　　ｑ、　　ｒは整数で、いずれ
も４０〜５００の範囲内にあるものが好ましい、）で表
されるポリエーテルやこれらポリエーテルの分子末端に
水酸基、カルボキシル基、リン酸基。 スルホン酸基またはこれらの塩、エステル基等の極性基
が導入されたもの等が挙げられ、優れた潤滑性の他、耐
酸化性を有するものである。具体的には、モンテジソン
社製、商品名フォンブリン、デュポン社製、商品名タラ
イトツクス等が挙げられる。 上記カルボン酸パーフルオロアルキルエステルは、一般
式 （但し、上記一般式において、ｎ≧４、ｍ≦２ｎ＋１、
ｊ≧０、ｋ≧３である。） で表される化合物である。ここで、カルボン酸の脂肪族
炭化水素基（−Ｃ，Ｈ，）のｎの数としては４以上であ
ればよいが、好ましくは１２以上である。 また、この脂肪族炭化水素基としては、飽和、不飽和の
何れでもよく、直鎖状であっても側鎖を有していてもよ
い。 具体的には、例えばオレイン酸ペンタデカフルオロオク
チルエステル、リルン酸ペンタデカフルオロオクチルエ
ステル、リノール酸ペンタデカフルオロオクチルエステ
ル、リノール酸ノナデカフルオロデシルエステル、イソ
ステアリン酸ノナデカフルオロデシルエステル、ブタン
酸ペンタデカフルオロデシルエステル等が挙げられる。 上記パーフルオロアルキルカルボン酸エステルは、一般
式 （但し、上記一般式において、ｎ≧４、Ｒは炭素数１〜
２５の炭化水素基を表す、） で示される化合物である。 具体的には、例えばノナデカフルオロデカン酸イソステ
アリルエステル、ペンタデカフルオロオクタン酸インス
テアリルエステル、ペンタデカフルオロオクタン酸イソ
ノニルエステル、ペンタデカフルオロオクタン酸すルイ
ルエステル、ノナデカフルオロデカン酸すルイルエステ
ル、ノナデカフルオロデカン酸すルニルエステル等が挙
げられる。 さらには、より厳しい使用条件に対処し、かつ磁気記録
媒体の潤滑効果を持続させるために極圧剤を併用しても
よい。 上記極圧剤は、境界潤滑領域において部分的に金属接触
を生じたとき、これに伴う摩擦熱によって金属面と反応
し、反応生成物被膜を形成することにより摩擦・摩耗防
止作用を行うものであって、ホウ素系極圧剤、リン系掻
圧剤、イオウ系極圧剤。 一 ハロゲン系極圧剤、ｆ機金属系極圧剤、複合型極圧剤等
が知られている。 具体的に例示すれば、上記ホウ素系極圧剤としては、ホ
ウ酸トリブチル、ホウ酸トリオクタデシル、ホウ酸トリ
フェニル、ホウ酸トリトリル、ホウ酸トリエチル、ホウ
酸トリプロピル、ホウ酸トリメンチル等が挙げられる。 上記リン系極圧剤としては、トリブチルホスフェート、
トリオクチルホスフェート、トリー２−エチルへキシル
ホスフェート、トリラウリルホスフェート、トリオレイ
ルホスフェート、ジブチルホスフェート、ジオクチルホ
スフェート、ジー２−エチルへキシルホスフェート、ジ
ラウリルホスフェート、ジオレイルホスフェート等のリ
ン酸エステル、トリブチルホスファイト、トリオクチル
ホスファイト、トリー２−エチルへキシルホスフブイト
、トリラウリルホスファイト、トリオレイルホスファイ
ト、ジブチルホスファイト、ジオクチルホスファイト、
ジー２−エチルへキシルホスファイト、ジラウリルホス
ファイト、ジオレイルホスファイト等の亜リン酸エステ
ル、ジブチルホスフェートブチルアミン塩、ジブチルホ
スフェートオクチルアミン塩、ジブチルホスフェートス
テアリルアミン塩、ジオクチルホスフェートブチルアミ
ン塩、ジオクチルホスフェートオクチルアミン塩、ジオ
クチルホスフェートラウリルアミン塩。 ジオクチルホスフェートステアリルアミン塩、ジー２−
エチルへキシルホスフェートブチルアミン塩、ジー２−
エチルへキシルホスフェートオクチルアミン塩、ジー２
−エチルへキシルホスフェートラウリルアミン塩、ジー
２−エチルへキシルホスフェートステアリルアミン塩、
ジラウリルホスフェートブチルアミン塩、ジラウリルホ
スフェートオクチルアミン塩、ジラウリルホスフェート
ラウリルアミン塩、ジラウリルホスフェートステアリル
アミン塩、ジオレイルホスフェートブチルアミン塩、ジ
オレイルホスフェートオクチルアミン塩、ジオレイルホ
スフェートラウリルアミン塩。 ジオレイルホスフェートステアリルアミン塩等のリン酸
エステルアミン塩が挙げられる。 上記イオウ系極圧剤としては、硫化抹香鯨油、硫黄化ジ
ペンテン等不飽和結合を有する鉱油、油脂や脂肪酸等に
硫黄を加えて加熱することにより製造される硫化油脂類
、二硫化ジベンジル、二硫化ジフェニル、二硫化ジ−ｔ
−ブチル、二硫化ジー　５ｅｅ−ブチル、二硫化ジ−ｎ
−ブチル、二硫化ジ−ｔ−オクチル、二硫化ジエチル等
のジチルファイド類、硫化ベンジル、硫化ジフェニル、
硫化ジビニル、硫化ジメチル、硫化ジエチル、硫化ジ−
ｔ−ブチル、硫化ジー５ｅｃ−ブチル、硫化ジ−ｎ−ブ
チル等のモノサルファイド類、三硫化ジメチル、三硫化
ジー（−ブチル、ポリ硫化ジ−ｔ−ノニル、オレフィン
ポリサルファイド等のポリサルファイド類、一般式 ％式％（１） （但し、式中Ｒは炭化水素基を表す、）で示されるチオ
カーボネート類、元素硫黄等が挙げられる。 上記ハロゲン系極圧剤としては、臭化アリル、臭化オク
タデシル、臭化シクロヘキシル、臭化ステアリル、臭化
ベンジル等の臭素化合物、ヨウ化ベンジル、ヨウ化アリ
ル、ヨウ化ブチル、ヨウ化オクタデシル、ヨウ化シクロ
ヘキシル等のヨウ素化合物、ヘキサクロロエタン、モノ
クロルエタン。 塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化油脂、メ
チルトリクロロステアレート、ペンタクロロペンタジェ
ン酸、ヘキサクロルナフテン酸化合物のエステル、ヘキ
サクロルナフテン酸化合物のイミド誘導体等の塩素化合
物が挙げられる。 上記有機金属系極圧剤としては、ジイソブチルジチオリ
ン酸亜鉛、イソブチルペンチルジチオリン酸亜鉛、イソ
プロピル−１−メチルブチルジチオリン酸亜鉛、イソブ
チルノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、イソブチルヘプ
チルフェニルジチオリン酸亜鉛、ジヘプチルフェニルジ
チオリン酸亜鉛、ジノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、
モリブデンジチオフォスフェート等のチオリン酸塩類、
ジメチルジチオカルバミン酸亜鉛、ジエチルジチオカル
バミン酸亜鉛、ジブチルジチオカルバミン酸亜鉛、エチ
ルフェニルジチオカルバミン酸亜鉛。 ジベンジルジチオカルバミン酸亜鉛、ジメチルジチオカ
ルバミン酸亜鉛、ジメチルジチオカルバミン酸銅、ジメ
チルジチオカルバミン酸鉄、ジエチルジチオカルバミン
酸セレン、ジエチルジチオカルバミン酸銀等のチオカル
バミン酸塩類、モリブデン、アンチモン等の金属アルキ
ルジチオカルバミン酸塩類、等が挙げられる。 上記複合型極圧剤としては、ジー２−エチルへキシルチ
オリン酸アミン等のジアルキルチオリン酸アミン類、塩
化プロピルホスフェート臭化プロピルホスフェート、ヨ
ウ化プロピルホスフェート、塩化ブチルホスフェート、
臭化プチルホスフ。 エート、ヨウ化ブチルホスフェート等に代表されるハロ
ゲン化アルキルのリン酸エステル類、クロロナフサザン
テート等の他、一般式 （但し、各一般式中Ｒは水素原子またはアルキル基、ア
ルケニル基、アリール基を表す、）で示されるチオフォ
スフェート類、−ｍ式（但し、式中Ｒは水素原子または
アルキル基、アルケニル基、アリール基を表す、） で示されるチオフォスファイト類等が効果が高い。 上述の極圧剤は単体で使用してもよいが、２種以上を混
合して使用することも可能である。 あるいは、上記潤滑剤、極圧剤の他、必要に２応じて防
錆剤を併用してもよい。 一般に、強磁性金属薄膜は金属材料により形成されるこ
とがら請易く、上記防錆剤の使用により耐蝕性が大幅に
改善される。したがって、上記アミンボランを含有する
潤滑剤の有する潤滑作用と相俟って、磁気記録媒体の耐
久性を向上することができる。 使用可能な防錆剤としては、通常この種の磁気記録媒体
の防錆剤として使用されるものであれば如何なるもので
あってもよく、例えばフェノール類、ナフトール類、キ
ノン類、ジアリールケトン、窒素原子を含む複素環化合
物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素
環化合物、メルカプト基を有する化合物、チオカルボン
酸またはその塩、チアゾール系化合物等が挙げられる。 具体的に例示すれば次の通りである。 先ず、上記フェノール類としては、二価フェノール、ア
ルキルフェノールあるいはニトロソフェノールが挙げら
れる。 上記二価フェノールとしては、ハイドロキノン。 レゾルシン、カテコール等の純フェノール類、及びそれ
らのフルキルアミノ、ニトロ、ハロゲノ置換体、例えば
、２−メチルハイドロキノン、４−メチルレゾルシノー
ル、５−メチルレゾルシノール、４−メチルピロカテコ
ール、２．５−ジメチルハイドロキノン、４．６−ジメ
チルレゾルシノール。 ２．５−ジメチルレゾルシノール、２−イソプロピル−
５−メチルハイドロキノン、　　２−ｔｅｒｔ−ブチル
ハイドロキノン、２．５−ジーｔｅｒｔ−ブチルハイド
ロキノン、　　４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、２−
アミルゾルシノール、２−レゾルシノール、２゜５−ジ
クロロヒドロキノン等が挙げられる。　上記アルキルフ
ェノールとは、−価フエノールのアルキル置換体を指し
、例えば、Ｏ−クレゾール。 ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、〇−エチルフェノー
ル、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、２
．３−ジメチルフェノール、２１５−ジメチルフェノー
ル、２．６−ジメチルフェノール。 ３．４−ジメチルフェノール、３．５−ジメチルフェノ
ール、　　２．４．６−）ジメチルフェノール、　　２
，４．５−トリメチルフェノール９５−イソプロピル−
２−メチルフェノール、ｐ−ｔａｒｔ−ブチルフェノー
ル、２．６−ジーｔｅｒ　ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール
。 ４．４′−メチレンビス２，６−シーｔｅｒｔ−ブチル
フェノール、２．６−シメチルー４−　ｔａｒｔ−ブチ
ルフェノール、　　２，４．６−トリーｔｅｒ　ｔ−ブ
チルフェノール等が挙げられる。 上記ニトロソフェノールとしては、例えば、４−ニトロ
ソ−２−メトキシ−１−フェノール、４−ニトロソ−２
−エトキシ−１−フェノール、６−ニトロソ−Ｏ−クレ
ゾール、４−ニトロソ−ｍ−クレゾール、Ｏ−ニトロソ
フェノール、２−二トロソフェノール、２−ニトロソレ
ゾルシン、４−ニトロソレゾルシン、ｐ−ニトロンフェ
ノール等が挙げられる。 次に、上記ナフトール類としては、α−ナフトール、β
−ナフトール、１．２−ナフタレンジオール。 １．３−ナフタレンジオール、１．４−ナフタレンジオ
ール、１．５−ナフタレンジオール、１，７−ナフタレ
ンジオール、１，８−ナフタレンジオール、２，３−ナ
フタレンジオール、　１．４．５−ナフタレントリオー
ル、　Ｌ２゜５．８−ナフタレンテトラオール等の純ナ
フトール類、及びニトロ、ニトロソ、アミノ、ハロゲノ
置換ナフトール類、例えばｌ、クロロ−２−ナフトール
、２゜４−ジクロロ−１−ナフトール、１−ニトロ−２
−ナフトール、１．６−ジニトロ−２１ナフトール、１
−ニトロソ−２−ナフトール、２−ニトロソ−１−ナフ
トール、１−アミノ−２−ナフトール等が挙げられる。 上記キノン類としては、ｐ−ベンゾキノン、０−ベンゾ
キノン、１．２−ナフトキノン、１．４−ナフトキノン
、２．６−ナフトキノン、アントラキノン、９゜１０−
フェナントレンキノン、ジフェノキノン等の置換基のな
いキノン類、メチル−ｐ−ベンゾキノン、２．３−ジメ
チル−ｐ−ベンゾキノン、２−メチル−１，４−ナフト
キノン、２−メチルアントラキノン等のメチルキノンＭ
、２．５−ジヒドロキシ−ｐ−ベンゾキノン、テトラヒ
ドロキシ−ｐ−ベンゾキノン、５−ヒドロキシ−１，４
−ナフトキノン、２．３−ジヒドロキシ−１，４−ナフ
トキノン、５，８−ジヒドロキシ−１，４−ナフトキノ
ン、２−ヒドロキシアントラキノン、１．２−ジヒドロ
キシアントラキノン、　１，２．３−）ジヒドロキシア
ントラキノン、　１，２．４−　）ジヒドロキシアント
ラキノン、　１．２．５−　）ジヒドロキシアントラキ
ノン、　１．２．６−　）ジヒドロキシアントラキノン
、１゜２．７−　トリヒドロキシアントラキノン等のヒ
ドロキシキノン類、２−アミノアントラキノン、１，２
−ジアミノアントラキノン等のアミノキノン類、１−ニ
トロアントラキノン、１．５−ジニトロアントラキノン
等のニトロキノン類、２．６−ジクロロ−ｐ−ベンゾキ
ノン、テトラクロロ−ｐ−ベンゾキノン９　テトラブロ
モ−ｐ−ベンゾキノン等のハロゲノキノン類、あるいは
２種以上の置換基を有するキノン類、例えば２．５−ジ
クロロ−３，６−ジヒドロキシ−ｐ−ベンゾキノン、１
−メチル−２−ヒドロキシ−１，４−ナフトキノン等が
挙げられる。 上記ジアリールケトンとしては、ベンゾフェノン及びそ
の誘導体が挙げられ、例えばベンゾフェノン、４−メチ
ルベンゾフェノン、３−メチルベンゾフェノン、３１４
−ジメチルベンゾフェノン、４゜４“−ジメチルベンゾ
フェノン、３．４°−ジメチルベンゾフェノン、４−エ
チルベンゾフェノン等のアルキル置換体、４−ヒドロキ
シベンゾフェノン。 ４．４°−ジヒドロキシベンゾフェノン、　２．３．４
−　）ジヒドロキシベンゾフェノン、２．４−ジヒドロ
キシベンゾフェノン、２，２”、５．６’−テトラヒド
ロキシベンゾフェノン、２１３°、４．４°、６−ペン
タヒドロキシベンゾフェノン等のヒドロキシベンゾフェ
ノン類、４−アミノベンゾフェノン、　４．４’−ジア
ミノベンゾフェノン等の７ミノベンゾフエノン類、ある
いは２種以上の置換基を有するベンゾフェノン類、例え
ば４−メトキシ−２−ヒドロキシベンゾフェノン、２．
２°−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン等が
挙げられる。 上記窒素原子を含む複素環化合物としては、アクリジン
、２．２’　、２’−テルビリジルネオクプロイン、２
．２′−ジピリジルベンゾトリアゾール、５−メチルベ
ンゾトリアゾール、バソフェナンドロリン、１、ｌＯ−
フェナントロリン、アルデヒドコリジン、ベンジルピリ
ジン、フェニルピリジン、キナゾリン、２−ヘプタデシ
ルイミダゾール等の他、フェノール性水酸基を有する化
合物、例えば４−（２−ピリジルアゾ）−レゾルシン１
−（２−ピリジルアゾ）−２−ナフトール、４−キノリ
ツール、４−メチル−２−キノリノール、８−キノリツ
ール、キノリンジオール等、カルボキシル基を有する化
合物、例えばキヌレン酸、アクリジン酸、アトファン、
キルナジン酸、シンコニン酸、イソニコチン酸、２．５
−ピリジンジカルボン酸、キニン酸等、アミノ基又はイ
ミノ基を有する化合物、例えば２−アミノベンズイミダ
ゾール、５−アミノ−ＩＨ−テトラゾール。 ５−アミノ−Ｉ　Ｈ−１，２，４−）リアゾール、アデ
ニン、グアニン、ルミノール、２−ヒドラジノナノリン
。チアミン等、カルボニル基を有する化合物、例えばり
ボフラビン、テオブロミン、アラントイン、アロキサン
、２−チオバルビッール酸、ビオルル酸、イサチン、ヒ
ダントイン、チミン、バルビッール酸、オロチン酸８　
ウラシル、スクシンイミド、クレアチニン、２−ピロリ
ドン等が挙げられる。 上記酸素原子を含む複素環化合物としては、トコフェロ
ール、モリン、ケルセチン、アスコルビン酸、無水１．
８−ナフタル酸、レゾルフィン、コウジ酸、デヒドロ酢
酸、オキサゾール、３−アミノフタルイミド、４−アミ
ノフタルイミド、ウリジン、チミジン、グアノシン、無
水イサト酸等が挙げられる。 上記硫黄原子を含む複素環化合物としては、スルホラン
、３−ヒドロキシスルホラン、３−メチルスルホラン、
スルホレン、３−ヒドロキシスルホレン、３−メチルス
ルホレン、ローダニン、３−アミノローダニン、、チア
ゾリン−４−カルボン酸、４Ｈ−１，４−チアジン、ビ
オチン、３．６−チオキサンチンジアミン、３．６−チ
オキサンチンジアミン−１０，１０−ジオキシド等が挙
げられる。 上記メルカプト基を有する化合物としては、２−ペンゾ
オキサゾールチオール、チオフェノール。 チオサリチル酸、プロパンチオール、チオウラシル、２
．３−キノキサリンジチオール、ジチゾン、チオオキシ
ン、２−ベンズイミダゾールチオール。 ６−チオグアニン、５−ニトロ−２−ベンズイミダゾー
ルチオール、５−アミノ−１，３，４−チアゾール−２
−チオール等が挙げられる。 上記チオカルボン酸またはその塩としては、ジエチルジ
チオカルバミン酸ナトリウム、エタンチオ酸、ルベアン
酸、チオアセトアミド、エタンジチオ酸等が挙げられる
。 上記チアゾール系化合物としては、ビスムチオール■、
ジアゾスルフィド５アゾスルフイム、１゜３．４−チア
ジアゾール、ビスムチオール、ビアズチオール、ベンゾ
チアゾール、２−メチルベンゾチアゾール、２−（ｐ−
アミノフェニル）−６−メチルベンゾチアゾール、２−
メルカプトベンゾチアゾール。 ベンゾチアゾリン、２−ベンゾチアゾリン、ベンゾチア
ゾロン等が挙げられる。 上述したアミンボラン、潤滑剤、極圧剤及び防錆剤は、
第１図に示すように、これらを混合して非磁性支持体（
１）上に被着される強磁性金属ｆｊＩＭ（２）にトップ
コートｒｒＪ（３）として一層で塗布形成してもよく、
また例えば第２図に示すように、強磁性金属ｉ１１！（
２）の表面に先ず上記防錆剤を主体とする防錆剤層（４
）を塗布し、しかる後上記アミンボランを含有する潤滑
剤ｒＭ）　（５）をトップコート層として塗布するとい
うように、２ＩＩ以上に分けて被着形成してもよい。 上記トップコートＦＪを一層で塗布形成する場合には、
潤滑剤に対してアミンボランを１０〜３０重量％の割合
で添加すればよく、さらには必要に応じて極圧剤１０〜
３０重量％、防錆剤１０〜３０重量％を添加混合すれば
よい、一層とした場合の上記混合物の塗布量は、０．５
〜１００■／ｄであることが好ましく、１〜２０■／ｄ
であることがより好ましい、？！！！布璽があまり少な
すぎると、磁気ヘッドの偏摩耗の防止効果や磁気記録媒
体の潤滑剤性等の改善効果が不足し、逆に多過ぎると走
行性等に問題が生ずる。 一方、２Ｈ以上に分けて被着する場合には、第１層は防
錆剤を主体とし、これに必要に応じて極圧剤を適当ｉ＆
添加したものを、その塗布量が０．５〜１００■／ｒＪ
、好ましくは１〜２０■／ｄ程度となるように塗布形成
する。第２ＦＪは、先の一層で塗布形成する場合と同様
、潤滑剤に対してアミンボランを１０〜３０重量％添加
したもの（必要に応じ、さらに極圧剤を１０〜３０重量
％程度添加してもよく、場合によっては防錆剤を所定量
で混合してもよい、）を、その塗布量が０．５ｍｇ／ｒ
＋（〜１００１１１ｒ／　ｔｄ、好ましくは１ｑ／ｇ〜
２ＯＮ／ｄ程度となるように塗布形成する。塗布量があ
まり少なすぎると、磁気ヘッドの偏摩耗の防止効果や磁
気記録媒体の潤滑剤性等の改善効果が不足し、逆に多過
ぎると走行性等に問題が生ずる。 本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性支持体上に
磁性層として強磁性金属薄膜を設けたものであるが、こ
こで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル鎖、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン類、セ・ルローストリアセテ
ート、セルロースダイアセテート、セルロースアセテー
トブチレート等のセルロース誘導体゛、ポリ塩化ビニル
、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネ
ート、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック
、アルミニウム合金、チタン合金等の軽金属、アルミナ
ガラス等のセラミックス等が挙げられる。 この非磁性支持体の形態としては、フィルム、シート、
ディスク、カード、ドラム等のいずれでもよい。 上記非磁性支持体には、その表面に山状突起やしわ状突
起２粒状突起等の突起を１種以上を形成し、表面粗さを
コントロールしてもよい。 上記山状突起は、例えば高分子フィルム製膜時に粒径５
００〜３０００人程度の無機微粒子を内添することによ
り形成され、高分子フィルム表面からの高さは１００〜
１０００人、密度はおよそＩ　Ｘ　Ｉ　Ｏ’〜ｌ０ＸＩ
Ｏ’個／　ｍｌ　”とする、山状突起を形成するために
使用される無！ｔｎｍ粒子としては、炭酸カルシウム（
ＣａＣＯｓ）やシリカ、アルミナ等が好適である。 上記しわ状突起は、例えば特定の混合溶媒を用いた樹脂
の希ｇｔ溶液を塗布乾燥することにより形成される起伏
であって、その高さは０．０１〜１０μｍ、好ましくは
０．０３〜０．５μｍ、突起間の最短間隔は０．１〜２
０μｍとする。このしわ状突起を形成するための樹脂と
しては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナ
フタレート等の飽和ポリエステル、ポリアミド、ポリス
チロール、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリ
スルホン、ポリエーテルスルホン、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン、ポリビニルブチラール、ポリフェニ
レンオキサイド、フェノキシ樹脂等の各種樹脂の単体、
混合体または共重合体であり、可溶性溶剤を有するもの
が通している。そして、これらの樹脂をその良溶媒に溶
解せしめた樹脂濃度１〜１０００ｐρ曽の溶液に、その
樹脂の貧溶媒であって前記良溶媒より高い沸点を有する
溶媒を樹脂に対して１０〜１００倍量添加した溶液を、
高分子フィルムの表面に塗布・乾燥することにより、非
常に微細なしわ状凹凸を存する薄層を得ることができる
。 粒状突起は、アクリル樹脂等の有機超微粒子またはシリ
カ、金属粉等の無機微粒子を球状あるいは半球状に付着
させることにより形成される。この粒状突起の高さは、
５０〜５００人、密度はｌＸｌ０’〜５０Ｘ１０’個／
鶴８程度とする。 これら突起の少なくとも一種以上を形成すれば磁性層で
ある強磁性金属薄膜の表面性が制ｉｎされるが、２種以
上を組み合わせることにより効果が増し、特に山伏突起
を設けたベースフィルム上にしわ状突起とつぶ状突起を
形成すれば、極めて耐久性、走行性が改善される。 この場合、突起の全体としての高さは、１００〜２００
０人の範囲内であ、ることが好ましく、その密度は１ｍ
”当り平均で１×１０″〜ｌＸｌ０’個であることが好
ましい。 また、上記磁性層である強磁性金属薄膜は、真空蒸着法
やイオンブレーティング法、スパッタリング法等の真空
薄膜形成技術により連続膜として形成される。 上記真空蒸着法は、１０−４〜１０−”Ｔｏｒｒの真空
下で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビー
ム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属（
強磁性金属材料）を沈着するというものであり、一般に
高い抗磁力を得るため基板に対して上記強磁性金属材料
を斜めに蒸着する斜方蒸着法が採用される。あるいは、
より高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を
行うものも含まれる。 上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり
、１０−４〜１０−’Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で
ＤＣグロー放電、ＲＦグロー放電を起こして、放電中で
上記強磁性金属材料を蒸発させるというものである。 上記スパッタリング法は、１０−’〜１０−’Ｔｏｒｒ
のアルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を
起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面の
原子をたたき出すというものであり、グロー放電の方法
により直流２極、３極スパツタ法や、高周波スパッタ法
、またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパ
ッタ法等がある。 このスパッタリング法による場合には、ＣｒやＷ。 ■等の下地膜を形成しておいてもよい。 なお、上記いずれの方法においても、基板上にあらかじ
めＢｉ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ。 Ｃｄ、Ｇｅ、３１．ＴＩ等の下地金属層を被着形成して
おき、基板面に対して垂直方向から成膜することにより
、磁気異方性の配向かなく面内等方法に優れた磁性層を
形成することができ、例えば磁気ディスクとする場合に
は好適である。 このような真空薄膜形成技術により金ｒ！Ａ磁性薄膜を
形成する際に、使用される強磁性金属材料としては、Ｆ
ｅ、Ｃｏ、　Ｎｉ等の金属の他に、ｃ。 −Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、
Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｎ１−Ｆｅ−Ｂ合金、
Ｃｏ−Ｃｒ合金あるいはこれらにＣｒ、Ａ１等の金属が
含存されたもの等が挙げられる。特に、Ｃｏ−Ｃｒ合金
を使用した場合には、垂直磁化膜が形成される。 このような手法により形成される磁性層のＭＪ！Ｘは、
０．０４〜１μｍ程度である。 また、非磁性支持体の前記磁性層が設けられる面とは反
対側の面に、いわゆるバックコート層を形成してもよい
、バックコート層は、結合剤樹脂と粉末成分とを有ｌｌ
溶媒に混合分散させたバンクコート用塗料を非磁性支持
体面に塗布することにより形成される。 ここで、バックコート用塗料に使用される結合剤樹脂と
しては、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、塩
化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アク
リロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロ
ニトリル共重合体、熱可塑性ポリウレタンエラストマー
、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリ
ル共重合体、ブタジェン−アクリロニトリル共重合体、
ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘
導体、ポリエステル樹脂、ポリブタジェン等の合成ゴム
系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン
硬化型樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコー
ン樹脂、アクリル系反応樹脂、エポキシ−ポリアミド樹
脂、ニトロセルロース−メラミン樹脂、高分子量ポリエ
ステル樹脂とイソシアナートプレポリマーの混合物、メ
タクリル酸塩共重合体とジイソシアナートプレポリマー
の混合物、ポリエステルポリオールとポリイソシアナー
トとの混合物、尿素ホルムアルデヒド樹脂、低分子■グ
リコール／高分子量ジオール／トリフェニルメタントリ
イソシアナートの混合物、ポリアミン樹脂及びこれらの
混合物等が挙げられる。 あるいは、粉末成分の分散性の改善を図るために、親水
性極性基を持った結合剤樹脂を使用してもよい。 具体的には、−３ＯＪ、−０５０３Ｍ、　　Ｃ００Ｍ、
　　ｌ’（ＯＭ’）ｔ（式中、Ｍは水素原子またはアル
カリ金属を表し、Ｍ゛は水素原子、アルカリ金属または
炭化水素基を表す、）から選ばれた親水性極性基を導入
したポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル
−酢酸ビニル系共重合体、塩化ビニリデン系共重合体、
アクリル酸エステル系共重合体、ブタジェン系共重合体
等が使用可能である。 上記親水性極性基の導入方法としては、樹脂の！！１類
に応じて種々の方法が考えられるが、例えばポリウレタ
ン樹脂やポリエステル樹脂に上記親木性極性基を４人す
るには次のような方法によればよい。 ＋１１ポリウレタン又はポリエステルの原料である２塩
基酸あるいはポリオール等に前記親水性極性基を予め導
入しておく方法。 （２）末端若しくは側鎖に０１−１５を残存させておき
、このＯＨ基を親水性極性基を持った化合物により変性
する方法。 （２）の方法による場合には、 ＋２１−１ 分子中に親水性極性基とハロゲン（例えば塩素）を含有
する化合物と、原料に多官能のポリオールを用いポリマ
ー鎖の末端若しくは側鎖にＯＨ基が残存したポリウレタ
ン樹脂またはポリエステル樹脂とを、両成分が溶解性の
あるジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の
溶剤に溶解し、とリジン、ピコリン、トリエチルアミン
等のアミン類やエチレンオキサイド、プロピレンオキサ
イド等のエポキシ化合物等の脱塩酸剤の存在下でのＯＨ
基と塩素との脱塩酸反応により親木性極性基を導入する
方法。 ＋２１−２ 分子中に親水性極性基とＯＨ５とを含有する化合物と、
ポリマー鎖の末端若しくは側鎖にＯＨ基が残存したポリ
ウレタン樹脂またはポリエステル樹脂とを、ジイソシア
ナート化合物を介して反応させる方法。 がある。 また、上記共重合体系結合剤樹脂に親水性極性基を導入
するには、 （３）共重合モノマーとして、親水性極性基及び共重合
可能な二重結合を有する化合物を使用する方法。 （４）共重合モノマーとして、活性水素及び共重合可能
な二重結合を有する化合物を使用し、共重合体の側鎖に
上記活性水素を導入しておき、親水性極性基及び上記活
性水素と反応可能な基を有する化合物により変性する方
法。 （５）共重合モノマーとして、活性水素と反応可能な基
及び共重合可能な二重結合を有する化合物を使用し、共
重合体の側鎖に上記活性水素と反応可能な基を導入して
おき、親水性極性基及び上記活性水素を存する化合物に
より変性する方法。 等が挙げられる。 一方、上記粉末成分としては、導電性を付与するための
カーボン系微粉末（例えば、ファーネスカーボン、チャ
ンネルカーボン、アセチレンカーボン、サーマルカーボ
ン、ランプカーボン等が挙げられるが、なかでもファー
ネスカーボンやサーマルカーボンが好適である。）、無
ａ顔料（表面粗度のコントロール及び耐久性向上のため
に添加されるａ　−Ｆｅ００ＩＩ、α−ＦｅＪｓ、Ｃｒ
ｚＯｓ＋Ｔｉ０ｔ、ＺｎＯ＋Ｓｉ０゜５１０！Ｉ　５ｉ
Ｏｚ・２８！Ｏ，Ａｌ　ｚｏｘ・２ＳｉＯｘ・２＋１．
０　、３Ｍｇ０・４ＳｉＯｚ　・ＨｌＯ，ＭｇＣＯ５’
　Ｍｇ（ＯＨ）ｔ　’　３ＨｚＯ＋Ａ１ｚＯｔ＋ＣａＣ
Ｏ５＋門ｇｃＯｓ、５ｈｔＯｓ等）が挙げられる。 さらに、上記バックコート用塗料の有ａ溶剤としては、
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン゛系溶剤、酢酸メチル
、酢酸エチル、酢酸ブチル。 乳酸エチル、酢酸グリコールモノエチルエーテル等のエ
ステル系溶剤、グリコールジメチルエーテル、グリコー
ルモノエチルエーテル、ジオキサン等のグリコールエー
テル系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素系溶剤、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水
素系溶剤、メチレンクロライド、エチレンクロライド、
四塩化炭素、クロロホルム、エチレンクロルヒドリン、
ジクロルベンゼン等の塩素化炭化水素系溶剤等、汎用の
溶剤を用いることができる。 前述のバックコートｉには潤滑剤を併用してもよい、こ
の場合、上記バックコート層中に潤滑剤を内添する方法
、あるいはバックコート層上に潤滑剤を被着する方法が
ある。いずれにしても、上記潤滑剤としては、脂肪酸、
脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、金属石鹸、脂肪族アル
コール、パラフィン、シリコーン等、従来より周知の潤
滑剤が使用できる。 これら潤滑剤を例示すれば、先ず、脂肪酸としては、ラ
ウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸
、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リルン酸等の炭
素数が１２以上の飽和脂肪酸あるいは不飽和脂肪酸が使
用できる。 脂肪酸エステルとしては、ステアリン酸エチル、ステア
リン酸ブチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸モノ
グリセリド、オレイン酸モノグリセリド等が使用できる
。 脂肪酸アミドとしては、カプロン酸アミド、カプリン酸
アミド、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステ
アリン酸アミド、ベヘン酸アミド、オレイン酸アミド、
リノール酸アミド、メチレンビスステアリン酸アミド、
エチレンビスステアリン酸アミド等が使用できる。 金属石鹸としては、前述の脂肪酸のＺｎ、　Ｐｂｎ　Ｎ
ｉ＋Ｃｏ、　Ｆｅ＋＾Ｉｔ　Ｍｇｔ　Ｓｒｔ　Ｃｕ等と
の塩、あるいはラウリルスルホン酸、バルミチルスルホ
ン酸、ミリスチルスルホン酸、ステアリルスルホン酸、
ベヘニルスルホン酸、オレイルスルホン酸、リノールス
ルホン酸、リルンスルホン酸等のスルホン酸と上記金属
との塩等が使用できる。 脂肪族アルコールとしては、七チルアルコール、ステア
リルアルコール等が使用できる。 パラフィンとしては、ｎ−ノナデカン、ｎ−トリデカン
、ｎ−トコサン等の飽和炭化水素が使用できる。 シリコーンとしては、水素がアルキル基またはフェニル
基で部分ｉＺ？Ａされたポリシロキサン及びそれらを脂
肪酸、脂肪族アルコール、脂肪酸７ミド等で変性したも
の等が使用できる。 さらには、先の磁性層表面に付着されるトップコート層
と同様のアミンボランを添加してもよい。 〔作用〕 アミンボランを含むトップコートｉを強磁性金属薄膜に
被着させることにより、低温度環境下においても磁気ヘ
ッドと磁気記録媒体の摺動腐食による磁気ヘッドの偏摩
耗が低減される。その詳細な理由については不明である
が、アミンボランの有する還元性が何らかの形で有効に
作用しているものと推定される。

【実施例】

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。 実施例１ １４μｍｆ！ｌのポリエチレンテレフタレートフィルム
に斜め蒸着法によりＧｏを被着させ、膜厚１０００人の
強磁性金ＩＬ３１［膜を形成した。 次に、この強磁性金属薄膜表面にパーフルオロポリエー
テル（モンテジソン社製、商品名フォンプリン）中にア
ンモニアボランを２５重量％添加した潤滑剤を塗布量が
１０■／ｄとなるように塗布し、８龍幅に裁断して走行
時間６０分、１２０分、２４０分の磁気テープ３種類を
サンプルテープとして作製した。 実施例２ 実施例１と同様の方法により作成した強磁性金属ｆＨＧ
ｉ表面にパーフルオロポリエーテル中にモノメチルアミ
ンボランを２５重量％添加した潤滑剤を塗布し、他は実
施例１と同様の方法により３種類のサンプルテープを作
製した。 実施例３ 実施例１と同様の方法により作成した強磁性金属ｇｔ膜
表面にパーフルオロポリエーテル中にピリジンボランを
２５ｆｆｉ量％添加した潤滑剤を塗布し、他は実施例１
と同様の方法により３種類のサンプルテープを作製した
。 実施例４ 実施例１と同様の方法により作成した強磁性金属薄膜表
面にパーフルオロポリエーテル中にジメチルアミンボラ
ンを２５重量％添加した潤滑剤を塗布し、他は実施例１
と同様の方法により３種類のサンプルテープを作製した
。 実施例５ 実施例１と同様の方法により作成した強磁性金属薄膜表
面にパーフルオロポリエーテル中にモルフォリンボラン
を２５重量％添加した潤滑剤を塗布し、他は実施例１と
同様の方法により３種類のサンプルテープを作製した。 実施例６ 実施例１と同様の方法により作成した強磁性金属薄膜表
面にパーフルオロポリエーテル中にトリメチルアミンボ
ランを２５重量％添加した潤滑剤を塗布し、他は実施例
１と同様の方法により３種類のサンプルテープを作製し
た。 実施例７ 実施例１と同様の方法により作成した強磁性金属薄膜表
面にパーフルオロポリエーテル中にトリエチルアミンボ
ランを２５重量％添加した潤滑剤を塗布し、他は実施例
１と同様の方法により３種類のサンプルテープを作製し
た。 比較例１ 実施例１と同様の方法により作成した強磁性金属薄膜表
面にパーフルオロポリエーテルのみからなる潤滑剤を塗
布し、他は実施例１と同様の方法により３種類のサンプ
ルテープを作製した。 作製された各サンプルテープについて、走行後の出力の
劣化の程度を測定した。 測定にあたっては、先ずサンプルテープの初めの部分に
信号を記録した。そして、信号を記録したサンプルテー
プについて、温度２５℃、相対湿度（ＲＨ）５％の条件
下で一度再生走行させ、信号の出力を測定し、これを初
期出力とした。 再生走行終了後、そのサンプルテープを巻き取り、再び
再生走行させ、該サンプルテープの初めの部分に記録さ
れた信号の出力を測定し、この出力と初期出力を比較し
、その差を出力の劣化とした。再生出力の測定に際して
は、ソニー社製８ミリビデオテープレコーダＡ８０を使
用して行づた。 上記測定結果を第１表に示す。 （以下余白） 第１表 上記第１表から明らかなように、アミンボランを含有し
た潤滑剤層を塗布形成したサンプルテープは、走行時間
の長短に係わらず、走行後の出力の低下が殆ど見られな
かった。これに対して、アミンボランを含有しない潤滑
剤を用いた比較例では、走行時間６０分のサンプルテー
プにおいても一４ｄＢの出力低下がみられ、走行時間が
長くなるにつれ、さらに出力低下が大きくなっている。 〔発明の効果〕 以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
磁性層である強磁性金属薄膜表面にアミンボランを含有
するトップコート層を被着形成しているので、低湿度環
境下においても磁気ヘッドと磁気記録媒体との走行によ
り発止する摺動腐食による磁気ヘッドの偏摩耗を防止す
ることができ、記録再生装置側に対してもダメージを与
えることがなく、電磁変換特性に優れた磁気記録媒体を
提供することができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用した磁気記録媒体の一構成例を示
す要部拡大断面図である。 第２図は本発明を適用した磁気記録媒体の他の構成例を
示す要部拡大断面図である。 １・・・非磁性支持体 ２・・・強磁性金属薄膜 ３・　・・トップコート層 ４・・・防錆剤層 ５・・・潤滑剤層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性
   金属薄膜上にアミンボランを含有するトップコート層を
   形成したことを特徴とする磁気記録媒体。