JPS62172524A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を
磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁
気記録媒体に関するものである。

〔発明の概要〕

本発明は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を磁性層と
して形成してなる磁気記録媒体において、磁性層である
強磁性金属薄膜上にジアリールケトンを主成分とする防
錆剤層及びパーフルオロアルキルカルボン酸エステルを
含をする潤滑剤層をこの順に被着することにより、 あらゆる使用条件下においても優れた走行性。

耐摩耗性、耐久性を発揮し、良好な耐蝕性を有する磁気
記録媒体を提供しようとするものである。

〔従来の技術〕

従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にｒ　
　ＦｅｔＯｉ、ＣＯを含有するｒ　　Ｆ　（１２０ｆｆ
＋Ｆｅｚｅ４．Ｃｏを含有するＦ　＠５ｏａｒ　Ｔ　　
Ｆ　ｅｚｏｚとＦｅ３Ｏ４とのベルトライド化合物、Ｃ
ｏを含有するベルトライド化合物、Ｃｒｏｗ等の酸化物
強磁性粉末あるいはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等を主成分とする
合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニ
ル系共重合体、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等
の有機バインダー中に分散セしめた磁性塗料を塗布・乾
燥することにより作製される塗布型の磁気記録媒体が広
く使用されている。

これに対して、高密度磁気記録への要求の高まりととも
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金等の強磁性金属材料を、メッキや真
空薄膜形成技術（真空蒸着法やスパッタリング法、イオ
ンブレーティング法等）によってポリエステルフィルム
やポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案さ
れ、注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁気記録
媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換
特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄く
することが可能であるため記録減磁や再生時の厚み損失
が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である存機バ
インダーを混入する必要がないため磁性材料の充填密度
を高めることができること等、数々の利点を有している
。

しかしながら、上述の強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体
では、磁性層表面の平滑性が極めて良好であるために実
質的な接触面積が大きくなり、凝着現象（いわゆるはり
つき）が起こり易くなったり摩擦係数が大きくなる等、
耐久性や走行性等に欠点が多く、その改善が大きな課題
となっている。

一般に、磁気記録媒体は磁気信号の記録・再生の過程で
磁気ヘッドとの高速相対運動のもとにおかれ、その際走
行が円滑に、かつ安定な状態で行われなければならない
。また、磁気ヘッドとの接触による摩耗や損傷はなるべ
く少ないほうがよい。

あるいは、強磁性金１７１）１膜型の磁気記録媒体では
、磁性層が金属材料により構成されることから、保存中
、特に高温、高湿下にさらされた場合、磁性層表面に腐
食を生じやすく、このため飽和磁化量や抗磁力等が経日
的に劣化する等の問題があった。

〔発明が解決しようとする問題点〕

このように、上述の強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体で
は、走行性、耐久性、耐蝕性等の実用特性に問題が多く
、したがって従来、潤滑剤や防錆剤等の被着による改善
が試みられている。

しかしながら、これら従来の試みも未だ充分なものとは
言い難く、例えば、従来広く用いられている潤滑剤の使
用温度範囲は限られており、特に、Ｏ〜−５℃のような
低温下では固体または凍結するものが多く、充分にその
潤滑効果を発揮させることができないという問題がある
。

本発明は、かかる実用特性をより一層の改善を目的とす
るもので、走行性、耐久性、耐蝕性に優れるとともに、
これら実用特性が広い使用温度条件下においても保たれ
る磁気記録媒体の提供を目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者等は、上述の目的を達成せんものと鋭意研究の
結果、パーフルオロアルキルカルボン酸エステルが広い
温度範囲に亘って優れた潤滑性を発揮すること、またジ
アリールケトンが耐蝕性の改善にを効であること、さら
に強磁性金属’ｉｉＪ膜上に先ず防錆剤層を被着しその
上に潤滑剤層を被着した場合に、防錆剤層、潤滑剤層が
それぞれより有効に働くこと、等を見出し本発明を完成
するに至ったものである。

すなわち、本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体上に
強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性金属薄膜上にジア
リールケトンを主成分とする防錆剤Ｉ及びパーフルオロ
アルキルカルボン酸エステルを含有する潤滑剤層をこの
順に被着したことを特徴とするものである。

本発明の磁気記録媒体において、潤滑剤層の潤滑剤成分
として使用されるパーフルオロアルキルカルボン酸エス
テルは、一般式 ％式％（１） （式中のＸは水素原子、フッ素原子またはその両者であ
り、ｎ≧６、ｍ≦２ｎ＋１、ａ≧８、ｂ≦２３＋１であ
る。） で表される化合物である。

このパーフルオロアルキルカルボン酸エステルは、常温
で固体のパーフルオロアルキルカルボン酸をエステル化
させ、融点を下げるとともにアルコール部の効果を伴わ
せ、潤滑効果を低温域にまで広げたものである。

上記一般式（１）において、Ｃ１しで示される脂肪族炭
化水素基の炭素数ａは８以上とすることが好ましい、炭
素数ａが８未満であると潤滑性が不足する。実際には、
炭素数１８未満の直鎖状アルキル基、あるいは炭素数が
それ以上の場合には二重結合を持たせるか技分かれさせ
た脂肪族炭化水素基とすることにより上述の目的を達成
することができた。また、上記脂肪族炭化水素基は、含
フツ素脂肪族炭化水素基であってもよく、したがって、
式中Ｘは水素原子ばかりでなく、フッ素原子、あるいは
水素原子とフッ素原子の両者であってもよい。

一方、パーフルオロアルキルカルボン酸部の炭素数ｎは
、６以上であることが好ましい、この炭素数ｎが６未満
であるとやはり潤滑性が不足する。

ただし、この炭素数ｎがあまり大き過ぎると、低温域で
凝固するようになることから、実用上はｎ≦１０程度に
抑えることが好ましい。

上記パーフルオロアルキルカルボン酸エステルは、一般
式 ％式％（） （式中のｎは６以上の整数であり、ｍは２ｎ＋１以下の
整数である。） で表されるパーフルオロカルボン酸と、一般式〇、Ｘ、
０１１　　　　　　　　　　　　・・・　（ＩＩＩ）（
式中のＸは水素原子、フッ素原子またはその両者であり
、ａは８以上の整数、ｂは２ａ＋１以下の整数である。

） で表されるアルコール類をほぼ等モル量で反応させるこ
とによって合成することができる。反応式を示せば次の
ようなものである。

Ｃ，Ｆ、Ｃ０ＯＨ＋　　Ｃ−ＸｂＯＨ □→　Ｃ１１Ｆ−ＣＯＯＣ−Ｘｉ　　・・・（１１式本
発明の磁気記録媒体においては、上述のパーフルオロア
ルキルカルボン酸エステルを単独で潤滑剤として用いて
もよいが、従来公知の潤滑剤と混合して用い、さらに使
用温度帯域の拡大を図るようにしてもよい。

使用される潤滑剤としては、脂肪酸またはその金属塩、
脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコールまた
はそのアルコキシド、脂肪族アミン、多価アルコール、
ソルビタンエステル、マンニソタンエステル、硫黄化脂
肪酸、脂肪族メルカプタン、変性シリコーンオイル、パ
ーフルオロアルキルエチレンオキシド、パーフルオロポ
リエーテル類、高級アルキルスルホン酸またはその金属
塩、パーフルオロアルキルスルホン酸またはそのアンモ
ニウム塩あるいはその金属塩、パーフルオロアルキルカ
ルボン酸またはその金属塩、等が例示される。

さらには、より厳しい使用条件に対処し、かつ潤滑効果
を持続させるために、重量比で３０ニア０〜７０　：　
３０程度の配合比で極圧剤を併用してもよい。

上記極圧剤は、境界潤滑領域において部分的に金属接触
を生じたとき、これに伴う摩擦熱によって金属面と反応
し、反応生成物被膜を形成することにより摩擦・摩耗防
止作用を行うものであって、リン系極圧剤、イオウ系極
圧剤、ハロゲン系極圧剤、有機金属系極圧剤、複合型極
圧剤等が知られている。

具体的に例示すれば、上記リン系極圧剤としては、トリ
ブチルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリ
ー２−エチルへキシルホスフェート、トリラウリルホス
フェート、トリオレイルホスフェート、ジブチルホスフ
ェート、ジオクチルホスフェート、ジー２−エチルへキ
シルホスフェート、ジラウリルホスフェート、ジオレイ
ルホスフェート等のリン酸エステル、トリブチルホスフ
ァイト、トリオクチルホスファイト、トリー２−エチル
へキシルホスファイト、トリラウリルホスファイト、ト
リオレイルホスファイト、ジブチルホスファイト、ジオ
クチルホスファイト、ジー２−エチルへキシルホスファ
イト、ジラウリルホスファイト　ジオレイルホスファイ
ト等の亜リン酸エステル、ジブチルホスフェートブチル
アミン塩。

ジブチルホスフェートオクチルアミン塩、ジブチルホス
フェートステアリルアミン塩、ジオクチルホスフェート
ブチルアミン塩、ジオクチルホスフニートオクチルアミ
ン塩、ジオクチルホスフェートラウリルアミン塩、ジオ
クチルホスフェートステアリルアミン塩、ジー２−エチ
ルへキシルホスフェートブチルアミン塩、ジー２−エチ
ルへキシルホスフェートオクチルアミン塩９　ジー２−
エチルへキシルホスフェートラウリルアミン塩、ジー２
−エチルへキシルホスフ二−トステアリルアミン塩、ジ
ラウリルホスフェートブチルアミン塩。

ジラウリルホスフェートオクチルアミン塩、ジラウリル
ホスフェートラウリルアミン塩、ジラウリルホスフェー
トステアリルアミン塩、ジオレイルホスフェートブチル
アミン塩、ジオレイルホスフェートオクチルアミン塩、
ジオレイルホスフェートラウリルアミン塩、ジオレイル
ホスフェートステアリルアミン塩等のリン酸エステルア
ミン塩が挙げられる。

上記イオウ系極圧剤としては、硫化抹香鯨油、硫黄化ジ
ペンテン等不幹和結合を有する鉱油、油脂や脂肪酸等に
硫黄を加えて加熱することにより製造される硫化油脂類
、二硫化ジベンジル、二硫化ジフェニル、二硫化ジ−ｔ
−ブチル、二硫化ジー　５ｅｅ−ブチル、二硫化ジ−ｎ
−ブチル、二硫化ジ−ｔ−オクチル、二硫化ジエチル等
のジサルファイド類、硫化ベンジル、硫化ジフェニル、
硫化ジビニル、硫化ジメチル、硫化ジエチル、硫化ジ−
ｔ−ブチル、硫化ジー５ｅｃ−ブチル、硫化ジ−ｎ−ブ
チル等のモノサルファイド類、三硫化ジメチル、三硫化
ジ−ｔ−ブチル、ポリ硫化ジー１−ノニル、オレフィン
ポリサルファイド等のポリサルファイド類、一般式 ％式％（） （但し、式中Ｒは炭化水素基を表す、）で示されるチオ
カーボネート類、元素硫黄等が挙げられる。

上記ハロゲン系極圧剤としては、臭化アリル。

臭化オクタデシル、臭化シクロヘキシル、臭化ステアリ
ル、臭化ベンジル等の臭素化合物、ヨウ化ベンジル、ヨ
ウ化アリル、ヨウ化ブチル、ヨウ化オクタデシル、ヨウ
化シクロヘキシル等のヨウ素化１ｆｆ、ヘキサクロロエ
タン、モノクロルエタン。

塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化油脂、メ
チルトリクロロステアレート、ペンタクロロペンタジェ
ン酸、ヘキサクロルナフテン酸化合物のエステル、ヘキ
サクロルナフテン酸化合物のイミド誘導体等の塩素化合
物が挙げられる。

上記有機金属系極圧剤としては、ジイソブチルジチオリ
ン酸亜鉛、イソブチルペンチルジチオリン酸亜鉛、イソ
プロピル−１−メチルブチルジチオリン酸、イソブチル
ノニルフヱニルジチオリン酸亜鉛、イソプチルヘブヂル
フェニルジチオリン酸、ジヘプチルフェニルジチオリン
酸、ジノニルフヱニルジチオリン酸亜鉛、モリブデンジ
チオフォスフェート等のチオリン酸塩類、ジメチルジチ
オカルバミン酸亜鉛、ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛
、ジブチルジチオカルバミン酸亜鉛、エチルフェニルジ
チオカルバミン酸亜鉛、ジベンジルジチオカルバミン酸
亜鉛、ジメチルジチオカルバミン酸亜鉛、ジメチルジチ
オカルバミン酸銅、ジメチルジチオカルバミン酸鉄、ジ
エチルジチオカルバミン酸セレン、ジエチルジチオカル
バミン酸銀等のチオカルバミン酸塩類、モリブデン、ア
ンチモン等の金属アルキルジチオカルバミン酸塩類、等
が挙げられる。

上記複合型極圧剤としては、ジー２−エチルへキシルチ
オリン酸アミン等のジアルキルチオリン酸アミン類、塩
化プロピルホスフェート、臭化プロピルホスフェート、
ヨウ化プロピルホスフェート、塩化ブチルホスフェート
、臭化ブチルホスフェート、ヨウ化ブチルホスフェート
等に代表されるハロゲン化アルキルのリン酸エステル類
、クロロナフサザンテート等の他、一般式 ＳＲ （但し、各一般式中Ｒは水素原子またはアルキル基、ア
ルケニル基、アリール基を表す。）で示されるチオフォ
スフェート類、一般式（但し、式中Ｒは水素原子または
アルキル基、アルケニル基、アリール基を表す、） で示されるチオフォスファイト類等が効果が高い。

上述の極圧剤は単体で使用してもよいが、２種以上を混
合して使用することも可能である。

一方、本発明の磁気記録媒体において、防錆剤層の防錆
剤として使用されるジアリールケトンは、強磁性金属薄
膜の耐蝕性改善に非常に有効で、したがって、上記パー
フルオロアルキルカルボン酸エステルを含有する潤滑剤
の有する潤滑作用と相俟って、磁気記録媒体の耐久性を
向上することができる。

使用可能なジアリールケトンとしては、ベンゾフェノン
及びその誘導体が挙げられ、例えばベンゾフェノン、４
−メチルベンゾフェノン、３−メチルベンゾフェノン、
３．４−ジメチルベンゾフェノン、　４．４’−ジメチ
ルベンゾフェノン、　３．４’−ジメチルベンゾフェノ
ン、４−エチルベンゾフェノン等のアルキル置換体、４
−ヒドロキシベンゾフェノン、　４．４’−ジヒドロキ
シベンゾフェノン、　２．３゜４−トリヒドロキシベン
ゾフェノン、２．４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２
．２°、５，６°−テトラヒドロキシベンゾフェノン、
２．３″、４．４’、６−ペンタヒドロキシベンゾフェ
ノン等のヒドロキシベンゾフェノン類、４−アミノベン
ゾフェノン、４．４°−ジアミノベンゾフェノン等のア
ミノベンゾフェノン類、あるいは２種以上の置換基を有
するベンゾフェノン類、例えば４−メトキシ−２−ヒド
ロキシベンゾフェノン、２．２°−ジヒドロキシ−４−
メトキシベンゾフェノン等が挙げられる。

上述のジアリールケトンは単独で防錆剤として用いても
よいが、従来公知の防錆剤と混合して用いてもよい、使
用可能な防錆剤としては、通常この種の磁気記録媒体の
防錆剤として使用されるものであれば如何なるものであ
ってもよ（、例えばフェノール類、ナフトール類、キノ
ン類、窒素原子を含む複素環化合物、酸素原子を含む複
素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物、メルカプト
基を有する化合物、チオカルボン酸またはその塩、チア
ゾール系化合物等が挙げられる。

本発明の磁気記録媒体では、第１図に示すように、非磁
性支持体（１）上に強磁性金属薄膜（２）を形成し、こ
の強磁性金属′ｇｔ膜（２）の表面に先ず上記ジアリー
ルケトンを主成分とする防錆剤層（３）を塗布した後、
この上に上記パーフルオロアルキルカルボン酸エステル
を含有する潤滑剤層（４）を塗布する。このように防錆
剤Ｎ（３）と潤滑剤Ｎ（４）とを２層以上に分けて被着
すると、これらを混合して塗布した場合に比べてより一
層優れた効果が発揮される。　　　　′ このように２層に分けて塗布する場合、上記防錆剤層（
３）あるいは上記潤滑剤層（４）の塗布量としては、そ
れぞれ０．５ｗ／ｎｆ　〜１００＊１０ｆであるのが好
ましく、Ｌｗ／ｆｆｒ〜２０ａｔ／ｃｄであるのがより
好ましい、塗布量があまり少なすぎると、耐蝕性改善の
効果、あるいは摩擦係数の低減、耐摩耗性、走行性、耐
久性改善の効果が不足し、逆に多過ぎると、摺動部材と
強磁性金属薄膜との間ではりつき現象が起こり、却って
走行性が悪くなる。

塗布方法としては、上記シフ　１Ｊ−ルケトンあるいは
パーフルオロアルキルカルボン酸エステルを溶媒に溶解
した後、ロールコート、スプレーコート、スピンコード
１デイツピング等の通常の塗布手段を用いることができ
る。

本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性支持体（１
）上に磁性層として強磁性金属′ｉＲ膜（２）を設けた
ものであるが、ここで非磁性支持体（１）の素材として
は、ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル類、
ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、
セルローストリアセテート、セルロースダイアセテーロ
セルロースアセテートプチレート等のセルロース誘導体
、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹
脂、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミド
等のプラスチック、アルミニウム合金、チタン合金等の
軽金属、アルミナガラス等のセラミックス等が挙げられ
る。この非磁性支持体（１）の形態としては、フィルム
、シート、ディスク、カード。

ドラム等のいずれでもよい。

上記非磁性支持体（１）には、その表面に山状突起やし
わ状突起１粒状突起等の突起を１種以上を形成し、表面
粗さをコントロールしてもよい。

上記山状突起は、例えば高分子フィルム製膜時に粒径５
００〜３０００人程度の無機微粒子を内添することによ
り形成され、高分子フィルム表面からの高さは１００〜
１０００人、密度はおよそｌＸｌ０’〜５０Ｘ１０’個
／　ｔｍ　”とする、山伏突起を形成するために使用さ
れる無機微粒子としては、炭酸カルシウム（ＣａＣＯｉ
）やシリカ、アルミナ等が好適である。

上記しわ状突起は、例えば特定の混合溶媒を用いた樹脂
の希薄溶液を塗布乾燥することにより形成される起伏で
あって、その高さは０．０１−１０μｍ、好ましくは０
．０３〜０．５μｍ１突起間の最短間隔は０．１〜２０
μｍとする。このしわ状突起を形成するための樹脂とし
ては、ポリエチレンテレフタシートポリエチレンナフタ
レート等の飽和ポリエステル、ポリアミド、ポリスチロ
ール、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリスル
ホン、ポリエーテルスルホン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩
化ビニリデン、ポリビニルブチラール、ポリフェニレン
オキサイド、フェノキシ樹脂等の各種樹脂の単体、混合
体または共重合体であり、可溶性溶剤を有するものが適
している。そして、これらの樹脂をその良溶媒に溶解せ
しめた樹脂濃度１〜１００ＯＧＩＩ）−の溶液に、その
樹脂の貧溶媒であって前記良溶媒より高い沸点を有する
溶媒を樹脂に対して１０〜１００倍量添加した溶液を、
高分子フィルムの表面に塗布・乾燥することにより、非
常に微細なしわ状凹凸を有する薄層を得ることができる
。

粒状突起は、アクリル樹脂等の有機超微粒子またはシリ
カ、金属粉等の無機微粒子を球状あるいは半球状に付着
させることにより形成される。この粒状突起の高さは、
５０〜５００　Ａ、密度はｌＸｌ０’〜５０Ｘ１０−個
／　ｍ　”程度とする。

これら突起の少なくとも一種以上を非磁性支持体（１）
上に形成すれば、磁性層である強磁性金属薄膜（２）の
表面性が制御されるが、２種以上を組み合わせることに
より効果が増し、特に山状突起を設けたベースフィルム
上にしわ状突起とつぶ状突起を形成すれば、極めて耐久
性、走行性が改善される。

この場合、突起の全体としての高さは、１００〜２００
０人の範囲内であることが好ましく、その密度は１１２
当り平均で１ｘｌＯＳ〜１×１０″個であることが好ま
しい。

また、上記磁性層である強磁性金属ｉＩｔ膜（２）は、
真空蒸着法やイオンブレーティング法、スパッタリング
法等の真空薄膜形成技術により連続Ｉｌ！Ｊとして形成
される。

上記真空蒸着法は、１０−４〜１０−”Ｔｏｒｒの真空
下で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビー
ム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属（
強磁性金属材料）を沈着するというものであり、一般に
高い抗磁力を得るため基板に対して上記強磁性金属材料
を斜めに蒸着する斜方蒸着法が採用される。あるいは、
より高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を
行うものも含まれる。

上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり
、１Ｏ−４〜Ｉ　Ｏ−’Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中
でＤＣグロー放電、ＲＦグロー放電を起こして、放電中
で上記強磁性金属材料を蒸発させるというものである。

上記スパッタリング法は、１０−２〜１０−’Ｔｏｒｒ
のアルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を
起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面の
原子をたたき出すというものであり、グロー放電の方法
により直流２極、３極スパツタ法や、高周波スパッタ法
、またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパ
ッタ法等がある。

このスパッタリング法による場合には、Ｃ「やＷ。

Ｖ等の下地膜を形成しておいてもよい。

なお、上記いずれの方法においても、基板上にあらかじ
めＢｉ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ。

Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、ＴＩ等の下地金属層を被着形成して
おき、基板面に対して垂直方向から成膜することにより
、磁気異方性の配向かなく面内等方生に優れた磁性層を
形成することができ、例えば磁気ディスクとする場合に
は好適である。

このような真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜（２
）を形成する際に、使用される強磁性金属材料としては
、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、
Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎ１−ｐｔ金合金Ｆｅ−Ｃｏ合
金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｂ合金、Ｃ。

−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金あるいはこれら
にＣｒ、／１ｍ！等の金属が含有されたもの等が挙げら
れる。特に、Ｃｏ−Ｃｒ合金を使用した場合には、垂直
磁化膜が形成される。

このような手法により形成される磁性層の膜厚は、０．
０４〜１μｍ程度である。

また、第２図に示すように、非磁性支持体（１）の前記
強磁性金属薄膜（２）が設けられる面とは反対側の面に
、いわゆるバフクコ−）　ＩＩ　（５）を形成してもよ
い、バックコート層（５）は、結合剤樹脂と粉末成分と
を有機溶媒に混合分散させたバンクコート用塗料を非磁
性支持体（１）面に塗布することにより形成される。

ここで、バックコート用塗料に使用される結合剤樹脂と
しては、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、塩
化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アク
リロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロ
ニトリル共重合体、熱可塑性ポリウレタンエラストマー
、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリ
ル共重合体、ブタジェン−アクリロニトリル共重合体、
ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘
導体、ポリエステル樹脂、ポリブタジェン等の合成ゴム
系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン
硬化型樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコー
ン樹脂、アクリル系反応樹脂、エポキシ−ポリアミド樹
脂、ニトロセルロース−メラミン樹脂、高分子量ポリエ
ステル樹脂とイソシアナートプレポリマーの混合物、メ
タクリル酸塩共重合体とジイソシアナートプレポリマー
の混合物、ポリエステルポリオールとポリイソシアナー
トとの混合物、尿素ホルムアルデヒド樹脂、低分子量グ
リコール／高分子量ジオール／トリフェニルメタントリ
イソシアナートの混合物、ポリアミン樹脂及びこれらの
混合物等が挙げられる。

あるいは、粉末成分の分散性の改善を図るために、親木
性極性基を持った結合剤樹脂を使用してもよい。

具体的には、　ＳＱｓＭ、　　Ｏ３ＱＪＩＣｏ（ＩＭ、
　　Ｐ（ＱＭ’）ｚ（式中、Ｍは水素原子またはアルカ
リ金属を表し、Ｍ“は水素原子、アルカリ金属または炭
化水素基を表す。）から選ばれた親水性極性基を導入し
たポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル−
酢酸ビニル系共重合体、塩化ビニリデン系共重合体、ア
クリル酸エステル系共重合体、ブタジェン系共重合体等
が使用可能である。

上記親水性極性基の導入方法としては、樹脂の種類に応
じて種々の方法が考えられるが、例えばポリウレタン樹
脂やポリエステル樹脂に上記親水性極性基を導入するに
は次のような方法によればよい。

（１１ポリウレタン又はポリエステルの原料である２塩
基酸あるいはポリオール等に前記親水性極性基を予め導
入しておく方法。

（２）末端若しくは側鎖にＯＨ基を残存させておき、こ
の０１１基を親水性極性基を持った化合物により変性す
る方法。

（２）の方法による場合には、 分子中に親水性極性基とハロゲン（例えば塩素）を含有
する化合物と、原料に多官能のポリオールを用いポリマ
ー鎖の末端若しくは側鎖にＯＨ基が残存したポリウレタ
ン樹脂またはポリエステル樹脂とを、両成分が溶解性の
あるジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の
溶剤に溶解し、ピリジン、ピコリン、トリエチルアミン
等のアミン類やエチレンオキサイド、プロピレンオキサ
イド等のエポキシ化合物等の脱塩酸剤の存在下でのＯＨ
基と塩素との脱塩酸反応により親水性極性基を導入する
方法。

分子中に親水性極性基とＯＨ基とを含をする化合物と、
ポリマー鎖の末端若しくは側鎖にＯＨｉが残存したポリ
ウレタン樹脂またはポリエステル樹脂とを、ジイソシア
ナート化合物を介して反応させる方法。

がある。

また、上記共重合体系結合剤樹脂に親水性極性基を導入
するには、 （３）共重合モノマーとして、親水性極性基及び共重合
可能な二重結合を有する化合物を使用する方法。

（４）共重合モノマーとして、活性水素及び共重合可能
な二重結合を有する化合物を使用し、共重合体の側鎖に
上記活性水素を導入しておき、親水性極性基及び上記活
性水素と反応可能な基を有する化合物により変性する方
法。

（５）共重合モノマーとして、活性水素と反応可能な基
及び共重合可能な二重結合を存する化合物を使用し、共
重合体の側鎖に上記活性水素と反応可能な基を導入して
おき、親木性極性基及び上記活性水素を有する化合物に
より変性する方法。

等が挙げられる。

一方、上記粉末成分としては、導電性を付与するための
カーボン系微粉末（例えば、ファーネスカーボン、チャ
ンネルカーボン、アセチレンカーボン、サーマルカーボ
ン、ランプカーボン等が挙げられるが、なかでもファー
ネスカーボンやサーマルカーボンが好適である。）、無
機顔料（表面粗度のコントロール及び耐久性向上のため
に添加されるＤ：　　Ｆｅ０ＯＨ，（ｒ　　Ｆｅ＝Ｏｓ
＋ＣｒｔＯｓ、Ｔｉ０１．ＺｎＯ，ＳｉＯ。

５ｔＯｚ＋　５１０□・２ＨｘＯ１＾ｌ鵞０３・２Ｓｉ
Ｏ１・２Ｈ＊０　、３Ｍｇ０・４５１０ｇ　’　ＬＯｔ
　Ｍｇｃｏ、　’　Ｍｇ（０！ｌ）ｚ　’　３ＨｔＯ＋
ＡｌｔＯｓ＋ＣａＣＯ３゜ＭｇＣＯ５，５ｂ１０ｚ等）
が挙げられる。

さらに、上記バンクコート用塗料の有機溶剤としては、
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸ブチル。

乳酸エチル、酢酸グリコールモノエチルエーテル等のエ
ステル系溶剤、グリコールジメチルエーテル、グリコー
ルモノエチルエーテル、ジオキサン等のグリコールエー
テル系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素系溶剤、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水
素系溶剤、メチレンクロライド、エチレンクロライド、
四塩化炭素、クロロホルム、エチレンクロルヒドリン、
ジクロルベンゼン等の塩素化炭化水素系溶剤等、汎用の
溶剤を用いることができる。

前述のバックコートＮ（５）には潤滑剤を併用してもよ
い。この場合、上記バックコート層（５）中に潤滑剤を
内添する方法、あるいはバックコート層（５）上に潤滑
剤を被着する方法がある。いずれにしても、上記潤滑剤
としては、脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、金
属石鹸、脂肪族アルコール、パラフィン、シリコーン等
、従来より周知の潤滑剤が使用できる。

これら潤滑剤を例示すれば、先ず、脂肪酸としては、ラ
ウリン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸、ステアリン酸
、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リルン酸等の炭
素数が１２以上の飽和脂肪酸あるいは不飽和脂肪酸が使
用できる。

脂肪酸エステルとしては、ステアリン酸エチル、ステア
リン酸ブチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸モノ
グリセリド、オレイン酸モノグリセリド等が使用できる
。

脂肪酸アミドとしては、カプロン酸アミド、カプリン酸
アミド、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステ
アリン酸アミド、ベヘン酸アミド、オレイン酸アミド、
リノール酸アミド、メチレンビスステアリン酸アミド、
エチレンビスステアリン酸アミド等が使用できる。

金属石鹸としては、前述の脂肪酸のＺｎ、　Ｐｂ、　Ｎ
ｉ＋Ｃｏ、　Ｆｅ、　ＡＩ＋　Ｍｇ＋　Ｓｒ＋　Ｃｕ等
との塩、あるいはラウリルスルホン酸、パルミチルスル
ホン酸、ミリスチルスルホン酸、ステアリルスルホン酸
、ベヘニルスルホン酸、オレイルスルホン酸、リノール
スルホン酸、リルンスルホン酸等のスルホン酸と上記金
属との塩等が使用できる。

脂肪族アルコールとしては、セチルアルコール、ステア
リルアルコール等が使用できる。

パリフィンとしては、ｎ−ノナデカン、ｎ−トリデカン
、ｎ−トコサン等の飽和炭化水素が使用できる。

シリコーンとしては、水素がアルキル基またはフェニル
基で部分置換されたポリシロキサン及びそれらを脂肪酸
、脂肪族アルコール、脂肪酸アミド等で変性したもの等
が使用できる。

さらには、先の潤滑剤層（４）と同様のパーフルオロア
ルキルカルボン酸エステルを含有する潤滑剤を使用して
もよい。

〔作用〕

ジアリールケトンを主成分とする防錆剤層及びパーフル
オロアルキルカルボン酸エステルヲ含有する潤滑剤層は
、強磁性金属薄膜に強固に付着し、良好な潤滑効果を発
揮して摩擦係数を低減するとともに、強磁性金属薄膜で
の錆の発生を防止する。

特に、パーフルオロアルキルカルボン酸エステルは低温
下においても良好なＡＩ滑効果を発揮するので、使用温
度範囲の拡大が図られる。

〔実施例〕

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。

先ず、以下の合成例により各種パーフルオロアルキルカ
ルボン酸エステルを合成した。

合成例１゜ ノナデカフルオロデカン酸イソステアリルエステルＣＨ
ｓ　（ＣＨｚ）　５−ＣＨ−ＣＨｔ−ＯＣＯ（ＣＦｔ）
　５ｃＰ３■ （ＣＨｚ）ｉｃＨｓ イソステアリルアルコールとノナデカフルオロデカン酸
をトルエン中、１）−トルエンスルホン酸を触媒として
エステル反応を行った。すなわち、１時間加熱還流後、
３時間かけて溶媒中の水分を除去し、さらにトルエンを
減圧下、エバポレータを用いて除き、真空蒸留して精製
した。（なお、イソステアリルアルコールは、市販のイ
ソステアリン酸をｎ−ブチルエステル化後、水素化リチ
ウムアルミニウムで還元して合成した。）得られた留分
の沸点す、ｐ、は１４０−１４５℃１０、２　ｍｍＨｇ
であった。

また、生成物の確認は、赤外分光分析（ＩＲ）。

核磁気共鳴分析（ＮＭＲ）、質量分析（ＭＡＳＳ）によ
って行った。その結果、１２１０〜１３８０ｃｍ−’に
かけてＣＦ結合特有の吸収、１７８０ｃｍ−’にエステ
ルの吸収、２９１０ｃｍ−’にＣＨの伸縮振動による吸
収が見られ、また化学イオン法によるマススペクトルで
は、分子イオンピークＭ。

が７６５に見られることから、この構造を決定した。

合成例２゜ ペンタデカフルオロオクタン酸 イソステアリルエステル ＣＨ３（ＣＨｉ）　５−ＣＩ−ＣＨｔ−ＯＣＯ（ＣＬ）
　ｈｃＦｓ（Ｃｌｌｉ）　１ｃＨｓ 先の合成例１と同様の方法により、イソステアリルアル
コールとペンタデカフルオロオクタン酸をトルエン中、
’　ｐ　−）ルエンスルホン酸を触媒として反応させた
。

ｂ、ｐ、　　　１２０〜１３４℃（０，２ｍｍｌ１ｍｍ
１ｌ　　　１２００〜１４００ｃｍ−’１７８０ｃｍ−
’ ２９２０ｃ＋＋＋−’ Ｍ′″　　　６６５ 合成例３゜ ペンタデカフルオロオクタン酸イソノニルエステル（Ｃ
Ｈａ）　５Ｃ（ＣＨｉ）ＣＩｌ（ＣＨｚ）ＣＨｚｃＨｉ
Ｏｃｏ（ＣＦｚ）　−ＣＬ先の合成例１と同様の方法に
より、イソノニルアルコールとペンタデカフルオロオク
タン酸をトルエン中、ｐ−トルエンスルホン酸を触媒と
して反応させた。

ｂ、ｐ、　　　９４℃（０，２ｍｍ１１ｇ＞ＩＲ１２１
０〜１３９０ｃｍ−’ １７８５ｃｍ−’ ２８５０〜２９６０ｃｍ−’ Ｍ”　　　　５３９ 合成例４゜ ペンタデカフルオロオクタン酸すルイルエステルＣＨｉ
（ＣＨｘ）＊（ＣＨｔＣＨ・Ｃｌ１）ｔ（ＣＨｔ）ｓＯ
ｃｏ（ＣＦｔ）＊ＣＦｉ先の合成例１と同様の方法によ
り、リルイルアルコールとペンタデカフルオロオクタン
酸をトルエン中、ｐ−トルエンスルホン酸をＭ媒として
反応させた。

ｂ、ｐ、　　　１３５〜１３９℃（０，２ｍ＋ｍｌ１ｇ
）ＩＲ１２１０〜１３８０ｃｍ−’ １７８０ｃｍ−’ ２８５０〜３０２０ｃｍ−’ Ｍ”　　　　６６３ 実施例 １４μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに斜
め蒸着法によりＣＯを被着させ、膜厚１０００人の強磁
性金属薄膜を形成した。

次に、この強磁性金属薄膜表面に、第１表に示す防錆剤
を溶媒（アセトン：エチルエーテル＝１：ｌ）で希釈し
た溶液を塗布量が１０ｍｇ／ｎ（となるように塗布し、
乾燥した。さらに、この防錆剤層上に第１表に示すパー
フルオロアルキルカルボン酸エステル（先の合成例で合
成したもの）を溶媒（アセトン：エチルエーテル＝１１
）で希釈した溶液を塗布量がｌＯ■／イとなるように塗
布し、乾燥後、１／２インチ幅に裁断してサンプルテー
プを作製した。

（以下余白） 第１表（Ａ） 第１表（Ｂ） 作製された各サンプルテープについて、初期の保持力（
Ｈｃｔ）と飽和磁化量（Ｉｓ＋）　、及び４５℃。

８０％ＲＨ下に１週間放置した後保持力（４１ｃｘ）と
飽和磁化量（Ｉｓｚ）を測定し、その変化率を次式にし
たがって求めた。なお、比較例として、全く防錆剤を被
着しないブランクテープについても変化率を調べた。結
果を第２表に示す。

Ｈｃの変化率＝（Ｈｃｌ−Ｈｃｔ）／ＩＩｃ＋　Ｘ１０
０（χ）・・・（２）式Ｉｓの変化率＝Ｃ！ｓ＊−１ｓ
＋）／Ｉｓ＋　Ｘ１００（χ）−（３１式（以下余白） 第２表 なお、実施例の各サンプルテープには錆の発生は認めら
れなかったが、比較例のブランクテープにはかなり請が
発生した。

次に、作製された各サンプルテープについて、温度２５
℃、相対湿度（ＲＨ）５０％、および−５℃の各条件下
での動摩擦係数及びシャトル耐久性を測定した。この動
摩擦係数は、材質がステンレス（ＳＵＳ３０４）のガイ
ドビンを用い、一定のテンションをかけ５　Ｉ１ｍ／ｓ
ｅｃの速度で送り、試験したものである。また、シャト
ル耐久性は、１回につき２分間のシャトル走行を行い、
出力が一３ｄＢ低下までのシャトル回数で評価した。ス
チル耐久性はポーズ状態での出力の一３ｄＢまでの減衰
時間を評価した。なお、比較例として、全く潤滑剤を被
着しないブランクテープについても測定した。結果を第
３表（Ａ）及び第３表（Ｂ）に示す。

（以下余白） 第３表（Ａ） 第３表（Ｂ） この表からも明らかなように、本発明の各実施例は、常
温、低温の各条件下で動摩擦係数が小さく、走行が極め
て安定しており、また１００回往復走行後もテープ表面
の損傷は全く見られなかった。また、耐久性も極めて良
く、１５０回シャトル走行を行っても出力の一３ｄＢ低
下は見られなかった。これに対して、潤滑剤層のない比
較例のテープでは、摩擦係数が往復走行回数が多くなる
につれて大となり、走行も不安定でテープの摩耗が見ら
れ、耐久性も悪いものであった。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明においては磁
性層である強磁性金属薄膜表面に、ジアリールケトンを
主成分とする防錆剤層とパーフルオロアルキルカルボン
酸エステルを含有する潤滑剤層を２層に分けて被着形成
しているので、各層の有する防錆効果、あるいは潤滑効
果がより一層有効に発揮され、実用特性の大幅な改善を
図ることが可能となり、走行安定性や耐摩耗性、耐蝕性
に優れた磁気記録媒体とすることができる。

また、特にパーフルオロアルキルカルボン酸エステルの
凝固点温度が低いことから、低温下での使用時にも上述
の実用特性は確保され、磁気記録媒体の使用温度帯域の
拡大を図ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用した磁気記録媒体の一例を示す要
部拡大断面図であり、第２図は本発明の他の例を示す要
部拡大断面図である。 １・・・非磁性支持体 ２・・・強磁性金属薄膜 ３・・・防錆剤層 ４・・・潤滑剤層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性
   金属薄膜上にジアリールケトンを主成分とする防錆剤層
   及びパーフルオロアルキルカルボン酸エステルを含有す
   る潤滑剤層をこの順に被着したことを特徴とする磁気記
   録媒体。