JPS62236129A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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Landscapes
- Lubricants (AREA)
- Magnetic Record Carriers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、真空蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を
磁性層として形成した、いわゆる+71!磁性金属薄膜
型の磁気記録媒体に関するものである。
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を
磁性層として形成した、いわゆる+71!磁性金属薄膜
型の磁気記録媒体に関するものである。
本発明は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を磁性層と
して形成してなる磁気記録媒体において、磁性層である
強磁性金属゛薄膜上にパーフルオロアルキルチオール酸
エステル及び極圧剤よりなるトップコート層を形成し、 あらゆる使用条件下においても優れた走行性。
して形成してなる磁気記録媒体において、磁性層である
強磁性金属゛薄膜上にパーフルオロアルキルチオール酸
エステル及び極圧剤よりなるトップコート層を形成し、 あらゆる使用条件下においても優れた走行性。
耐摩耗性、耐久性を発揮する磁気記録媒体を提供しよう
とするものである。
とするものである。
従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にr
Fe1oz+coを含有するT−Fe、O,。
Fe1oz+coを含有するT−Fe、O,。
F e x Oam + Coを含有するF e )O
a+ T F e zo*とFe2O4とのベルトラ
イド化合物、Coを含有するベルトライド化合物、Cr
y、等の酸化物強磁性粉末あるいはFe、Co、Ni等
を主成分とする合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビ
ニル ・−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂
、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめ
た磁性塗料を塗布・乾燥するごとにより作製される塗布
型の磁気記録媒体が広く使用されている。
a+ T F e zo*とFe2O4とのベルトラ
イド化合物、Coを含有するベルトライド化合物、Cr
y、等の酸化物強磁性粉末あるいはFe、Co、Ni等
を主成分とする合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビ
ニル ・−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂
、ポリウレタン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめ
た磁性塗料を塗布・乾燥するごとにより作製される塗布
型の磁気記録媒体が広く使用されている。
これに対して、高密度磁気記録への要求の高まりととも
に、Co−Ni合金等の強磁性金属材料を・メッキや真
空薄膜形成技術(真空蒸着法やスパンクリング法、イオ
ンブレーティング法等)によってポリエステルフィルム
やポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる強磁性金属Ta膜型の磁気記録媒体が提案
され、注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁気記
録媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変
換特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄
くすることが可能であるため記録減磁や再生時の厚み損
失が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機
バインダーを混入する必要がないため磁性材料の充填密
度を高めることが、 できること等、数々の利点を有し
ている。
に、Co−Ni合金等の強磁性金属材料を・メッキや真
空薄膜形成技術(真空蒸着法やスパンクリング法、イオ
ンブレーティング法等)によってポリエステルフィルム
やポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる強磁性金属Ta膜型の磁気記録媒体が提案
され、注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁気記
録媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変
換特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄
くすることが可能であるため記録減磁や再生時の厚み損
失が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機
バインダーを混入する必要がないため磁性材料の充填密
度を高めることが、 できること等、数々の利点を有し
ている。
しかしながら、上述の強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体
では、磁性層表面の平滑性が橿めて良好であるために実
質的な接触面積が大きくなり、凝着現象(いわゆるはり
つき)が起こり易くなったりPJ擦係数が大きくなる等
、耐久性や走行性等に欠点が多く、その改善が大きな課
題となっている。
では、磁性層表面の平滑性が橿めて良好であるために実
質的な接触面積が大きくなり、凝着現象(いわゆるはり
つき)が起こり易くなったりPJ擦係数が大きくなる等
、耐久性や走行性等に欠点が多く、その改善が大きな課
題となっている。
一般に、磁気記録媒体は磁気信号の記録・再生の過程で
磁気ヘッドとの高速相対運動のもとにおかれ、その際走
行が円滑に、かつ安定な状態で行われなければならない
、また、磁気ヘッドとの接触による摩耗や損傷はなるべ
く少ないほうがよい。
磁気ヘッドとの高速相対運動のもとにおかれ、その際走
行が円滑に、かつ安定な状態で行われなければならない
、また、磁気ヘッドとの接触による摩耗や損傷はなるべ
く少ないほうがよい。
そこで例えば、上記磁気記録媒体の磁性層、すなわち強
磁性金属薄膜上に潤滑剤を塗布して保護膜を形成するこ
とにより、上記耐久性や走行性を改善することが試みら
れている。
磁性金属薄膜上に潤滑剤を塗布して保護膜を形成するこ
とにより、上記耐久性や走行性を改善することが試みら
れている。
ところで、上述のように潤滑剤を塗布して保護膜を形成
した場合には、この保31膜が磁性層である強磁性金属
薄膜に対して良好な密着性を示し、かつ高い潤滑効果を
発揮することが要求される。
した場合には、この保31膜が磁性層である強磁性金属
薄膜に対して良好な密着性を示し、かつ高い潤滑効果を
発揮することが要求される。
また、これら密着性や潤滑効果は、熱帯、亜熱帯地方等
のように高温多湿の条件下でも、寒冷地のように低温の
条件下でも優れたものでなければならない。
のように高温多湿の条件下でも、寒冷地のように低温の
条件下でも優れたものでなければならない。
しかしながら、従来広く用いられている潤滑剤の使用温
度範囲は限られており、特に、0〜−5℃のような低温
下では固体化または凍結するものが多く、充分にその潤
滑効果を発揮させることができなかった。
度範囲は限られており、特に、0〜−5℃のような低温
下では固体化または凍結するものが多く、充分にその潤
滑効果を発揮させることができなかった。
そこで本発明は、如何なる使用条件下においても密着性
や潤滑性が保たれ、かつ長期に亘り潤滑効果が持続する
潤滑剤及び極圧剤を含むトップコート層を強磁性金属薄
膜上に形成することにより、走行性、耐久性に優れた磁
気記録媒体を提供することを目的とする。
や潤滑性が保たれ、かつ長期に亘り潤滑効果が持続する
潤滑剤及び極圧剤を含むトップコート層を強磁性金属薄
膜上に形成することにより、走行性、耐久性に優れた磁
気記録媒体を提供することを目的とする。
C問題点を解決するための手段〕
本発明者等は、上述の目的を達成せんものと鋭意研究の
結果、本発明者等によってはじめて合成されたある種の
チオール酸エステル中に各種の極圧剤を添加した潤滑剤
が広い温度範囲に亘って良好な潤滑効果を発揮すること
を見出し本発明を完成するに至ったものであって、非磁
性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性金属
薄膜上に一般式 %式%(1) (式中のRは炭化水素基、nは4以上の整数である。) でしめされるパーフルオロアルキルチオール酸エステル
と極圧剤よりなるトップコートFJを形成したことを特
徴とするものである。
結果、本発明者等によってはじめて合成されたある種の
チオール酸エステル中に各種の極圧剤を添加した潤滑剤
が広い温度範囲に亘って良好な潤滑効果を発揮すること
を見出し本発明を完成するに至ったものであって、非磁
性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性金属
薄膜上に一般式 %式%(1) (式中のRは炭化水素基、nは4以上の整数である。) でしめされるパーフルオロアルキルチオール酸エステル
と極圧剤よりなるトップコートFJを形成したことを特
徴とするものである。
上記パーフルオロアルキルチオール酸エステルは、常温
で固体であるパーフルオロアルキルカルボン酸をメルカ
プタンでエステル化させ、融点を下げて潤滑効果を低温
域にまで広げるとともに、硫黄元素の導入により防錆効
果をも合わせ持たせたものである。
で固体であるパーフルオロアルキルカルボン酸をメルカ
プタンでエステル化させ、融点を下げて潤滑効果を低温
域にまで広げるとともに、硫黄元素の導入により防錆効
果をも合わせ持たせたものである。
ここで、一般式(1)におけるRは通常の炭化水素基で
あって、直鎖状のアルキル蟇、技分かれ伏のアルキル基
、二重結合を含むアルキレン基等の脂肪族炭化水素基、
脂環式炭化水素基、アリール基、アルキルアリール基等
の芳香族炭化水素基のいずれであってもよい。
あって、直鎖状のアルキル蟇、技分かれ伏のアルキル基
、二重結合を含むアルキレン基等の脂肪族炭化水素基、
脂環式炭化水素基、アリール基、アルキルアリール基等
の芳香族炭化水素基のいずれであってもよい。
一方、パーフルオロアルキルI C,P、l、や、−に
おける炭素数nは、4以上であればよいが、5≦n≦1
2であることが好ましい。nが4未満であると潤滑性が
若干不足する。
おける炭素数nは、4以上であればよいが、5≦n≦1
2であることが好ましい。nが4未満であると潤滑性が
若干不足する。
本発明の磁気記録媒体において、潤滑剤として使用され
るパーフルオロアルキルチオール酸エステルは、一般式 %式%() (式中のれは4以上の整数である。) で表されるパーフルオロアルキルカルボン酸クロライド
と、一般式 %式%() (式中のRは炭化水素基である。) で表されるメルカプタンをほぼ等モル量で反応させるこ
とによって合成することができる0反応式を示せば次の
ようなものである。
るパーフルオロアルキルチオール酸エステルは、一般式 %式%() (式中のれは4以上の整数である。) で表されるパーフルオロアルキルカルボン酸クロライド
と、一般式 %式%() (式中のRは炭化水素基である。) で表されるメルカプタンをほぼ等モル量で反応させるこ
とによって合成することができる0反応式を示せば次の
ようなものである。
C,h−や、C05R・・・(1)式
この一般式(II)の化合物と一般式(I[I)の化合
物の反応は、クロロホルム等の溶媒中、ピリジン等の脱
塩酸剤の存在下で都合良く進行する0反応点度は原料の
種類、溶媒の種類、その他の条件により必ずしも一定し
ないが、通常は常温での攪l↑により容易に進行する。
物の反応は、クロロホルム等の溶媒中、ピリジン等の脱
塩酸剤の存在下で都合良く進行する0反応点度は原料の
種類、溶媒の種類、その他の条件により必ずしも一定し
ないが、通常は常温での攪l↑により容易に進行する。
得られるパーフルオロアルキルチオール酸エステルは、
凍圧蒸留により反応混合物から容易に単離することがで
きる。
凍圧蒸留により反応混合物から容易に単離することがで
きる。
上記一般式(II)で表されるパーフルオロアルキルカ
ルボン酸クロライドは、市販されているパーフルオロア
ルキルカルボン酸を、塩化チオニルSOCI 1で塩素
化することによって容易に合成できる0反応式は下記の
通りである。
ルボン酸クロライドは、市販されているパーフルオロア
ルキルカルボン酸を、塩化チオニルSOCI 1で塩素
化することによって容易に合成できる0反応式は下記の
通りである。
DMF ・・・(2)式
そして、本発明においては、より厳しい使用条件に対処
し、かつ潤滑効果を持続させるために、上記パーフルオ
ロアルキルチオール酸エステル中に重量比で30ニア0
〜70 : 30程度の配合比で極圧剤を併用する。
し、かつ潤滑効果を持続させるために、上記パーフルオ
ロアルキルチオール酸エステル中に重量比で30ニア0
〜70 : 30程度の配合比で極圧剤を併用する。
上記極圧剤は、境界潤滑領域において部分的に金属接触
を生じたとき、これに伴う19L’A熱によって金属面
と反応し、反応生成物被膜を形成することにより摩擦・
摩耗防止作用を行うものであって、リン系極圧剤、イオ
ウ系極圧剤、ハロゲン系極圧剤、有機金属系極圧剤、複
合型極圧剤等が知られている。
を生じたとき、これに伴う19L’A熱によって金属面
と反応し、反応生成物被膜を形成することにより摩擦・
摩耗防止作用を行うものであって、リン系極圧剤、イオ
ウ系極圧剤、ハロゲン系極圧剤、有機金属系極圧剤、複
合型極圧剤等が知られている。
具体的に例示すれば、上記リン系極圧剤としては、トリ
ブチルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリ
ー2−エチルへキシルホスフェート、トリラウリルホス
フェート、トリオレイルホスフェート、ジブチルホスフ
ェート、ジオクチルホスフェート、ジー2−エチルへキ
シルホスフェ−1・、ジラウリルホスフェート、ジオレ
イルホスフェート等のリン酸エステル、トリブチルホス
ファイト、トリオクチルホスファイト、トリー2−エチ
ルへキシルホスファイト、トリラウリルホスファイト、
トリオレイルホスファイト、ジブチルホスファイトジオ
クチルホスファイト、ジー2−エチルへキシルホスファ
イト、ジラウリルホスファイト ジオレイルホスファイ
ト等の亜リン酸エステル、ジブチルホスフェートブチル
アミン塩。
ブチルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリ
ー2−エチルへキシルホスフェート、トリラウリルホス
フェート、トリオレイルホスフェート、ジブチルホスフ
ェート、ジオクチルホスフェート、ジー2−エチルへキ
シルホスフェ−1・、ジラウリルホスフェート、ジオレ
イルホスフェート等のリン酸エステル、トリブチルホス
ファイト、トリオクチルホスファイト、トリー2−エチ
ルへキシルホスファイト、トリラウリルホスファイト、
トリオレイルホスファイト、ジブチルホスファイトジオ
クチルホスファイト、ジー2−エチルへキシルホスファ
イト、ジラウリルホスファイト ジオレイルホスファイ
ト等の亜リン酸エステル、ジブチルホスフェートブチル
アミン塩。
ジブチルホスフェートオクチルアミン塩、ジブチルホス
フェートステアリルアミン塩、ジオクチルホスフェート
ブチルアミン塩、ジオクチルホスフェートオクチルアミ
ン塩、ジオクチルホスフェートラウリルアミン塩、ジオ
クチルホスフェートステアリルアミン塩、ジー2−エチ
ルへキシルホスフェートブチルアミン塩、ジー2−エチ
ルへキシルホスフェートオクチルアミン塩、ジー2−エ
チルへキシルホスフェートラウリルアミン塩、ジー2−
エチルへキシルホスフェートステアリルアミン塩、ジラ
ウリルホスフェートブチルアミン塩。
フェートステアリルアミン塩、ジオクチルホスフェート
ブチルアミン塩、ジオクチルホスフェートオクチルアミ
ン塩、ジオクチルホスフェートラウリルアミン塩、ジオ
クチルホスフェートステアリルアミン塩、ジー2−エチ
ルへキシルホスフェートブチルアミン塩、ジー2−エチ
ルへキシルホスフェートオクチルアミン塩、ジー2−エ
チルへキシルホスフェートラウリルアミン塩、ジー2−
エチルへキシルホスフェートステアリルアミン塩、ジラ
ウリルホスフェートブチルアミン塩。
ジラウリルホスフェートオクチルアミン塩、ジラウリル
ホスフェートブチルアミン塩、ジラウリルホスフヱート
ステアリルアミン塩、ジオμ・イルホスフェートブチル
アミン塩、ジオレイルホスフェートオクチルアミン塩、
ジオレイルホスフェートラウリルアミン塩、ジオレイル
ホスフェートステアリルアミン塩等のリン酸エステルア
ミン塩が挙げられる。
ホスフェートブチルアミン塩、ジラウリルホスフヱート
ステアリルアミン塩、ジオμ・イルホスフェートブチル
アミン塩、ジオレイルホスフェートオクチルアミン塩、
ジオレイルホスフェートラウリルアミン塩、ジオレイル
ホスフェートステアリルアミン塩等のリン酸エステルア
ミン塩が挙げられる。
上記イオウ系極圧剤としては、硫化抹香鯨油、硫黄化ジ
ペンテン等不飽和結合を有する鉱油、油脂や脂肪酸等に
硫黄を加えて加熱することにより製造される硫化油脂類
、二硫化ジベンジル、二硫化ジフェニル、二硫化ジ−t
−ブチル、二硫化ジー5ec−ブチル、二硫化ジ−n−
ブチル、二硫化ジーL−オクチル、二硫化ジエチル等の
ジチルファイド類、硫化ベンジル、硫化ジフェニル、硫
化ジビニル、硫化ジメチル、硫化ジエチル、硫化ジー(
−ブチル、硫化ジー5ec−ブチル、硫化ジ−n−ブチ
ル等のモノサルファイド類、三硫化ジメチル、三硫化ジ
−t−ブチル、ポリ硫化ジーL −ノニル、オレフィン
ポリサルファイド等のポリサルファイド類、一般式 %式%) (lf’l、式中Rは炭化水素基を表す、)で示される
チオカーボネート類、元素硫黄等が挙げられる。
ペンテン等不飽和結合を有する鉱油、油脂や脂肪酸等に
硫黄を加えて加熱することにより製造される硫化油脂類
、二硫化ジベンジル、二硫化ジフェニル、二硫化ジ−t
−ブチル、二硫化ジー5ec−ブチル、二硫化ジ−n−
ブチル、二硫化ジーL−オクチル、二硫化ジエチル等の
ジチルファイド類、硫化ベンジル、硫化ジフェニル、硫
化ジビニル、硫化ジメチル、硫化ジエチル、硫化ジー(
−ブチル、硫化ジー5ec−ブチル、硫化ジ−n−ブチ
ル等のモノサルファイド類、三硫化ジメチル、三硫化ジ
−t−ブチル、ポリ硫化ジーL −ノニル、オレフィン
ポリサルファイド等のポリサルファイド類、一般式 %式%) (lf’l、式中Rは炭化水素基を表す、)で示される
チオカーボネート類、元素硫黄等が挙げられる。
上記ハロゲン系極圧剤としては、臭化アリル。
臭化オクタデシル、臭化シクロヘキシル、臭化ステアリ
ル、臭化ベンジル等の臭素化合物、ヨウ化ヘンシル、ヨ
ウ化アリル、ヨウ化ブチル、ヨウ化オクタデシル、ヨウ
化シクロヘキシル等のヨウ素化合物、ヘキサクロロエタ
ン、モノクロルエタン。
ル、臭化ベンジル等の臭素化合物、ヨウ化ヘンシル、ヨ
ウ化アリル、ヨウ化ブチル、ヨウ化オクタデシル、ヨウ
化シクロヘキシル等のヨウ素化合物、ヘキサクロロエタ
ン、モノクロルエタン。
塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化油脂、メ
チルトリクロロステアレート、ペンタクロロペンタジェ
ン酸、ヘキサクロルナフテン酸化合物のエステル、ヘキ
サクロルナフテン酸化合物のイミド誘導体等の塩素化合
物が挙げられる。
チルトリクロロステアレート、ペンタクロロペンタジェ
ン酸、ヘキサクロルナフテン酸化合物のエステル、ヘキ
サクロルナフテン酸化合物のイミド誘導体等の塩素化合
物が挙げられる。
上記有機金属系極圧剤としては、ジイソブチルジチオリ
ン酸亜鉛、イソブチルペンチルジチオリン酸亜鉛、イソ
プロピル−1−メチルブチルジチオリン酸、イソブチル
ノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、イソブチルヘプチル
フェニルジチオリン酸、ジヘプチルフェニルジチオリン
酸、ジノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、モリブデンジ
チオフォスフェート等のチオリン酸塩類、ジメチルジチ
オカルバミン酸亜鉛、ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛
、ジブチルジチオカルバミン酸亜鉛、エチルフェニルジ
チオカルバミン酸亜鉛、ジベンジルジチオカルバミン酸
亜鉛、ジメチルジチオカルバミンM亜鉛、ジメチルジチ
オカルバミン酸銅、ジメチルジチオカルバミン酸鉄、ジ
エチルジチオカルバミン酸セレン、ジエチルジチオカル
バミン酸銀等のチオカルバミン酸塩類、モリブデン、ア
ンチモン等の金属アルキルジチオカルバミン酸塩類、等
が挙げられる。
ン酸亜鉛、イソブチルペンチルジチオリン酸亜鉛、イソ
プロピル−1−メチルブチルジチオリン酸、イソブチル
ノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、イソブチルヘプチル
フェニルジチオリン酸、ジヘプチルフェニルジチオリン
酸、ジノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、モリブデンジ
チオフォスフェート等のチオリン酸塩類、ジメチルジチ
オカルバミン酸亜鉛、ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛
、ジブチルジチオカルバミン酸亜鉛、エチルフェニルジ
チオカルバミン酸亜鉛、ジベンジルジチオカルバミン酸
亜鉛、ジメチルジチオカルバミンM亜鉛、ジメチルジチ
オカルバミン酸銅、ジメチルジチオカルバミン酸鉄、ジ
エチルジチオカルバミン酸セレン、ジエチルジチオカル
バミン酸銀等のチオカルバミン酸塩類、モリブデン、ア
ンチモン等の金属アルキルジチオカルバミン酸塩類、等
が挙げられる。
上記複合型極圧剤としては、ジー2−エチルへキシルチ
オリン酸アミン等のジアルキルチオリン酸アミン類、塩
化プロピルホスフェート、臭化プロピルボスフェート、
ヨウ化プロピルホスフェート、塩化ブチルホスフェート
、臭化ブチルホスフェート、ヨウ化ブチルホスフェ−1
−等に代表されるハロゲン化アルキルのリン酸エステル
類、クロロナフサザンテート等の他、一般式 (但し、各一般式中Rは水素原子またはアルキル基、ア
ルケニル基、アリール基を表す、)で示されるチオフォ
スフェート類、一般式(但し、式中Rは水素原子または
アルキル店、アルケニル基、アリール基を表す、) で示されるチオスオスファイト類等が効果が高い。
オリン酸アミン等のジアルキルチオリン酸アミン類、塩
化プロピルホスフェート、臭化プロピルボスフェート、
ヨウ化プロピルホスフェート、塩化ブチルホスフェート
、臭化ブチルホスフェート、ヨウ化ブチルホスフェ−1
−等に代表されるハロゲン化アルキルのリン酸エステル
類、クロロナフサザンテート等の他、一般式 (但し、各一般式中Rは水素原子またはアルキル基、ア
ルケニル基、アリール基を表す、)で示されるチオフォ
スフェート類、一般式(但し、式中Rは水素原子または
アルキル店、アルケニル基、アリール基を表す、) で示されるチオスオスファイト類等が効果が高い。
上述の極圧剤は単体で使用してもよいが、2種以上を混
合して使用することも可能である。
合して使用することも可能である。
上述のパーフルオロアルキルチオール酸エステル及び極
圧剤は、これらのみで潤滑剤として用いてもよいが、従
来公知の潤滑剤と混合して用い、さらに使用温度帯域の
拡大等を図ってもよい。
圧剤は、これらのみで潤滑剤として用いてもよいが、従
来公知の潤滑剤と混合して用い、さらに使用温度帯域の
拡大等を図ってもよい。
使用される潤滑剤としては、脂肪酸またはその金属塩、
脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコールまた
はそのアルコキシド、脂肪族アミン、多価アルコール、
ソルビタンエステル、マンニノタンエステル、硫黄化脂
肪酸、脂肪族メルカプタン、変性シリコーンオイル、パ
ーフルオロアルキルエチレンオキシド、パーフルオロポ
リエーテル類、高級アルキルスルホン酸またはその金属
塩、パーフルオロアルキルスルホン酸またはそのアンモ
ニウム塩あるいはその金属塩、パーフルオロアルキルカ
ルボン酸またはその金属塩、パーフルオロアルキルカル
ボン酸エステル等が例示される。
脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコールまた
はそのアルコキシド、脂肪族アミン、多価アルコール、
ソルビタンエステル、マンニノタンエステル、硫黄化脂
肪酸、脂肪族メルカプタン、変性シリコーンオイル、パ
ーフルオロアルキルエチレンオキシド、パーフルオロポ
リエーテル類、高級アルキルスルホン酸またはその金属
塩、パーフルオロアルキルスルホン酸またはそのアンモ
ニウム塩あるいはその金属塩、パーフルオロアルキルカ
ルボン酸またはその金属塩、パーフルオロアルキルカル
ボン酸エステル等が例示される。
特に、一般式C−F z−+ COOR(但し、式中n
は6〜10の整数を表し、Rは炭素数1〜25゜の炭化
水素基を表す、)で示されるパーフルオロアルキルカル
ボン酸エステルも低温特性が良好であることから、上記
パーフルオロアルキルチオール酸エステルと併用するの
に好適である。
は6〜10の整数を表し、Rは炭素数1〜25゜の炭化
水素基を表す、)で示されるパーフルオロアルキルカル
ボン酸エステルも低温特性が良好であることから、上記
パーフルオロアルキルチオール酸エステルと併用するの
に好適である。
□
また、必要に応じて防錆剤を併用してもよい。
使用可能な防錆剤としては、通常この種の磁気記録媒体
の防錆剤として使用されるものであれば如何なるもので
もよく、例えば二価フェノール。
の防錆剤として使用されるものであれば如何なるもので
もよく、例えば二価フェノール。
アルキルフェノールあるいはニトロソフェノール等のフ
ェノール類、純ナフトール又はニトロ、ニトロソ、アミ
ノ、ハロゲノ置換ナフトール等のナフトール類、メチル
キノン、ヒドロキシキノン。
ェノール類、純ナフトール又はニトロ、ニトロソ、アミ
ノ、ハロゲノ置換ナフトール等のナフトール類、メチル
キノン、ヒドロキシキノン。
アミノキノン、ニトロキノン又はハロゲキノキン等のキ
ノン類、ベンゾフェノン及びその誘導体であるヒドロキ
シベンゾフェノン、アミノベンゾフェノン等のジアリー
ルケトン、アクリジン、4−キノリツール、キヌレン酸
又はリボフラビン等の窒素原子を含む複素環化合物、ト
コフェロール又はグアノシン等の酸素原子を含む複素環
化合物、スルホラン、スルホレン又はビチオン等の硫黄
原子を含む複素環化合物、チオフェノール、ジチゾン又
はチオオキシン等のメルカプト基を有する化合物、エン
タチオ酸又はルベアン酸等のチオカルボン酸またはその
塩、ジアゾスルフィド又はベンゾチアゾリン等のチアゾ
ール系化合物等が挙げられる。上記防錆剤は、潤滑剤と
混合させて用いてもよいが、例えば強磁性金属薄膜の表
面に先ず上記防錆剤を塗布し、しかる後潤滑剤を塗布す
るというように、2層以上に分けて被着すると効果が高
い。
ノン類、ベンゾフェノン及びその誘導体であるヒドロキ
シベンゾフェノン、アミノベンゾフェノン等のジアリー
ルケトン、アクリジン、4−キノリツール、キヌレン酸
又はリボフラビン等の窒素原子を含む複素環化合物、ト
コフェロール又はグアノシン等の酸素原子を含む複素環
化合物、スルホラン、スルホレン又はビチオン等の硫黄
原子を含む複素環化合物、チオフェノール、ジチゾン又
はチオオキシン等のメルカプト基を有する化合物、エン
タチオ酸又はルベアン酸等のチオカルボン酸またはその
塩、ジアゾスルフィド又はベンゾチアゾリン等のチアゾ
ール系化合物等が挙げられる。上記防錆剤は、潤滑剤と
混合させて用いてもよいが、例えば強磁性金属薄膜の表
面に先ず上記防錆剤を塗布し、しかる後潤滑剤を塗布す
るというように、2層以上に分けて被着すると効果が高
い。
これらパーフルオロアルキルチオール酸エステルを含存
する潤滑剤層を強磁性金属薄膜上に付着させる方法とし
ては、上記潤滑剤を溶媒に溶解して得られた溶液を強磁
性金属薄膜の表面に塗布もしくは噴霧するか、あるいは
逆にこの溶液中に強磁性金属薄膜を浸漬し乾燥すればよ
い。
する潤滑剤層を強磁性金属薄膜上に付着させる方法とし
ては、上記潤滑剤を溶媒に溶解して得られた溶液を強磁
性金属薄膜の表面に塗布もしくは噴霧するか、あるいは
逆にこの溶液中に強磁性金属薄膜を浸漬し乾燥すればよ
い。
ここで、その塗布量は、0.5Qr/n(−100w/
dであるのが好ましく、1w/nf 〜20mg/n(
であるのがより好ましい。この塗布量があまり少なずぎ
ると、摩擦係数の低下、耐摩耗性・耐久性の向上という
効果が顕れず、一方あまり多すぎると、摺動部材と強磁
性金属薄膜との間ではりつき現象が起こり、却って走行
性が悪(なる。
dであるのが好ましく、1w/nf 〜20mg/n(
であるのがより好ましい。この塗布量があまり少なずぎ
ると、摩擦係数の低下、耐摩耗性・耐久性の向上という
効果が顕れず、一方あまり多すぎると、摺動部材と強磁
性金属薄膜との間ではりつき現象が起こり、却って走行
性が悪(なる。
本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性支持体上に
磁性層として強磁性金属薄膜を設けたものであるが、こ
こで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテー
ト、セルロースダイアセテート、セルロースアセテート
ブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート
、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック、ア
ルミニウム合金、チタン合金等の軽金属、アルミナガラ
ス等のセラミックス等が挙げられる。
磁性層として強磁性金属薄膜を設けたものであるが、こ
こで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテー
ト、セルロースダイアセテート、セルロースアセテート
ブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート
、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック、ア
ルミニウム合金、チタン合金等の軽金属、アルミナガラ
ス等のセラミックス等が挙げられる。
この非磁性支持体の形態としては、フィルム、シート、
ディスク、カード、ドラム等のいずれでもよい。
ディスク、カード、ドラム等のいずれでもよい。
上記非磁性支持体には、その表面に山状突起やしわ状突
起1粒状突起等の突起を1種以上を形成し、表面粗さを
コントロールしてもよい。
起1粒状突起等の突起を1種以上を形成し、表面粗さを
コントロールしてもよい。
上記山状突起は、例えば高分子フィルム製膜時に粒径5
00〜3000人程度の無Ja微粒子を内添することに
より形成され、高分子フィルム表面からの高さは100
〜1000人、密度はおよそlX10’〜l0XIO’
個/1−2とする。山状突起を形成するために使用され
る無機微粒子どしては、炭酸カルシウム(CaCO+)
やシリカ、アルミナ等が好適である。
00〜3000人程度の無Ja微粒子を内添することに
より形成され、高分子フィルム表面からの高さは100
〜1000人、密度はおよそlX10’〜l0XIO’
個/1−2とする。山状突起を形成するために使用され
る無機微粒子どしては、炭酸カルシウム(CaCO+)
やシリカ、アルミナ等が好適である。
上記しわ状突起は、例えば特定の混合溶媒を用いた樹脂
の希薄溶液を塗布乾燥することにより形成される起伏で
あって、その高さは0.01−10μm、好ましくは0
.03〜0.5μm、突起間の最短間隔は0.1〜20
μmとする。このしわ状突起を形成するための樹脂とし
ては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレート等の飽和ポリエステル、ポリアミド、ポリスチ
ロール、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリス
ルホン、ポリエーテルスルホン、ポリ塩化ビニル、゛ポ
リ塩化ビニリデン、ポリビニルブチラール、ポリフェニ
レンオキサイド、フェノキシ樹脂等の各種樹脂の単体、
混合体または共重合体であり、可溶性溶剤を有するもの
が適している。そして、これらの樹脂をその良溶媒に溶
解せしめた樹脂濃度1〜1000pp+mの溶液に、そ
の樹脂の貧溶媒であって前記良溶媒より高い沸点を有す
る溶媒を樹脂に対して10−100倍層添加した溶液を
、高分子フィルムの表面に塗布・乾燥することにより、
非常に微細なしわ状凹凸を有する薄層を得ることができ
る。
の希薄溶液を塗布乾燥することにより形成される起伏で
あって、その高さは0.01−10μm、好ましくは0
.03〜0.5μm、突起間の最短間隔は0.1〜20
μmとする。このしわ状突起を形成するための樹脂とし
ては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレート等の飽和ポリエステル、ポリアミド、ポリスチ
ロール、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリス
ルホン、ポリエーテルスルホン、ポリ塩化ビニル、゛ポ
リ塩化ビニリデン、ポリビニルブチラール、ポリフェニ
レンオキサイド、フェノキシ樹脂等の各種樹脂の単体、
混合体または共重合体であり、可溶性溶剤を有するもの
が適している。そして、これらの樹脂をその良溶媒に溶
解せしめた樹脂濃度1〜1000pp+mの溶液に、そ
の樹脂の貧溶媒であって前記良溶媒より高い沸点を有す
る溶媒を樹脂に対して10−100倍層添加した溶液を
、高分子フィルムの表面に塗布・乾燥することにより、
非常に微細なしわ状凹凸を有する薄層を得ることができ
る。
粒状突起は、アクリル樹脂等の有機超微粒子またはシリ
カ、金属粉等の無機微粒子を球状あるいは半球状に付着
させることにより形成される。この粒状突起の高さは、
50〜500人、密度は1×10&〜50X10’個/
l嘗2程度とする。
カ、金属粉等の無機微粒子を球状あるいは半球状に付着
させることにより形成される。この粒状突起の高さは、
50〜500人、密度は1×10&〜50X10’個/
l嘗2程度とする。
これら突起の少なくとも一種以上を形成すれば磁性層で
ある強磁性金属薄膜の表面性が制御されるが、2種以上
を組み合わせることにより効果が増し、特に山状突起を
設けたベースフィルム上にしわ状突起とつぶ状突起を形
成すれば、極めて耐久性、走行性が改善される。
ある強磁性金属薄膜の表面性が制御されるが、2種以上
を組み合わせることにより効果が増し、特に山状突起を
設けたベースフィルム上にしわ状突起とつぶ状突起を形
成すれば、極めて耐久性、走行性が改善される。
この場合、突起の全体としての高さは、100〜200
0人の範囲内であることが好ましく、その密度は1龍2
当り平均でI X 10’〜lXl0’個であることが
好ましい。
0人の範囲内であることが好ましく、その密度は1龍2
当り平均でI X 10’〜lXl0’個であることが
好ましい。
また、上記磁性層である強磁性金属薄膜は、真空蒸着法
やイオンブレーティング法、スパッタリング法等の真空
薄膜形成技術により連続膜として形成される。
やイオンブレーティング法、スパッタリング法等の真空
薄膜形成技術により連続膜として形成される。
上記真空蒸着法は、l O”’〜l O−’Torrの
真空下で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子
ビーム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金
属(強磁性金属材料)を沈着するというものであり、一
般に高い抗磁力を得るため基板に対して上記強磁性金属
材料を斜めに蒸着する斜方蒸着法が採用される。あるい
は、より高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸
着を行うものも含まれる。
真空下で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子
ビーム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金
属(強磁性金属材料)を沈着するというものであり、一
般に高い抗磁力を得るため基板に対して上記強磁性金属
材料を斜めに蒸着する斜方蒸着法が採用される。あるい
は、より高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸
着を行うものも含まれる。
上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり
、10−4〜l O−”Torrの不活性ガス雰囲気中
でDCグロー放電、l’?Fグロー放電を起こして、放
電中で上記強磁性金属材料を蒸発させるというものであ
る。
、10−4〜l O−”Torrの不活性ガス雰囲気中
でDCグロー放電、l’?Fグロー放電を起こして、放
電中で上記強磁性金属材料を蒸発させるというものであ
る。
上記スパッタリング法は、1O−3〜L O−’Tor
rのアルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電
を起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面
の原子をたたき出すというものであり、グロー放電の方
法により直流28i、 3極スパツタ法や、高周波ス
パッタ法、またはマグネトロン放電を利用したマグネト
ロンスパッタ法等がある。
rのアルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電
を起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面
の原子をたたき出すというものであり、グロー放電の方
法により直流28i、 3極スパツタ法や、高周波ス
パッタ法、またはマグネトロン放電を利用したマグネト
ロンスパッタ法等がある。
このスパッタリング法による場合には、CrやW、V等
の下地膜を形成しておいてもよい。
の下地膜を形成しておいてもよい。
なお、上記いずれの方法においても、基板上にあらかじ
めBi、Sb、Pb、Sn、Ga、In。
めBi、Sb、Pb、Sn、Ga、In。
Cd、Ge、Si、τ1等の下地金属層を被着形成して
おき、基板面に対して垂直方向から成膜することにより
、磁気異方性の配向かなく面内等方法に優れた磁性層を
形成することができ、例えば磁気ディスクとする場合に
は好適である。
おき、基板面に対して垂直方向から成膜することにより
、磁気異方性の配向かなく面内等方法に優れた磁性層を
形成することができ、例えば磁気ディスクとする場合に
は好適である。
このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄膜を形成
する際に、使用される+3!lI磁性金属材料としては
、Fe、Co、Ni等の金属の他に、C0−Ni合金、
Co−T’を合金、 Co−Ni−Pt合金、Fe−C
o合金、Fe−Ni合金、Fe−Co−Ni合金、Fe
−Co−8合金、Co−Ni−Fe−8合金、Co−C
r合金あるいはこれらにCr、A[等の金属が含有され
たもの等が挙げられる、特に、Co−Cr合金を使用し
た場合には、垂直磁化膜が形成される。
する際に、使用される+3!lI磁性金属材料としては
、Fe、Co、Ni等の金属の他に、C0−Ni合金、
Co−T’を合金、 Co−Ni−Pt合金、Fe−C
o合金、Fe−Ni合金、Fe−Co−Ni合金、Fe
−Co−8合金、Co−Ni−Fe−8合金、Co−C
r合金あるいはこれらにCr、A[等の金属が含有され
たもの等が挙げられる、特に、Co−Cr合金を使用し
た場合には、垂直磁化膜が形成される。
このような手法により形成される磁性層の膜厚は、0.
04〜1μm程度である。
04〜1μm程度である。
また、非磁性支持体の磁性層が設けられる面とは反対側
に、いわゆるバックコート層を形成してもよい。バンク
コート71は、塩化ビニル−酢酸ビニル、フェノール樹
脂又はポリフッ化ビニル並びにポリウレタン樹脂又はブ
タジェン系共重合体等の結合剤樹脂と導電性を付与する
ためのカーボン系微粉末又は表面粗度のコントロール及
び耐久性向上のために添加される無機顔料等の粉末成分
とをアセトン、メチルエチルケトン又はベンゼン等の有
jatlj媒に混合分散させたバックコート用塗料を非
磁性支持体面に塗布することにより形成される。
に、いわゆるバックコート層を形成してもよい。バンク
コート71は、塩化ビニル−酢酸ビニル、フェノール樹
脂又はポリフッ化ビニル並びにポリウレタン樹脂又はブ
タジェン系共重合体等の結合剤樹脂と導電性を付与する
ためのカーボン系微粉末又は表面粗度のコントロール及
び耐久性向上のために添加される無機顔料等の粉末成分
とをアセトン、メチルエチルケトン又はベンゼン等の有
jatlj媒に混合分散させたバックコート用塗料を非
磁性支持体面に塗布することにより形成される。
前述のバンクコート層には潤滑剤を使用してもよい。こ
の場合、上記バンクコートa中に潤滑剤を内添する方法
、あるいはバックコート層上に潤滑剤を被着する方法が
ある。いずれにしても、上記潤滑剤としては、脂肪酸、
脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、金属石鹸、脂肪族アル
コール、パラフィン、シリコーン等従来より周知の潤滑
剤が使用できる。
の場合、上記バンクコートa中に潤滑剤を内添する方法
、あるいはバックコート層上に潤滑剤を被着する方法が
ある。いずれにしても、上記潤滑剤としては、脂肪酸、
脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、金属石鹸、脂肪族アル
コール、パラフィン、シリコーン等従来より周知の潤滑
剤が使用できる。
パーフルオロアルキルチオール酸エステル及ヒ極圧剤よ
りなる潤滑剤層は、強磁性金属薄膜上にトップコート層
として形成することにより良好な潤滑作用を発揮してW
II!!!係数を低減する。特に、パーフルオロアルキ
ルチオール酸エステルは、低温下においても良好な潤滑
効果を発揮する。
りなる潤滑剤層は、強磁性金属薄膜上にトップコート層
として形成することにより良好な潤滑作用を発揮してW
II!!!係数を低減する。特に、パーフルオロアルキ
ルチオール酸エステルは、低温下においても良好な潤滑
効果を発揮する。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。
発明はこれら実施例に限定されるものではない。
先ず、以下の合成例にしたがってパーフルオロアルキル
チオール酸エステルを合成した。
チオール酸エステルを合成した。
合成例1
ペンタデカフルオロチオールオクタン酸ミリスチルエス
テル ペンタデカフルオロオクタン酸と過剰の塩化チオニル(
SOCIg)とを、ジメチルホルムアミド(DMF)触
媒下、85℃で3時間反応させた後、常温で塩化チオニ
ルを除去した0次いで、水流ポンプで減圧下、減圧蒸留
により生成してペンタデカフルオロオクタン酸クロライ
ドを得た。得られたペンタデカフルオロオクタン酸クロ
ライドの沸点す。
テル ペンタデカフルオロオクタン酸と過剰の塩化チオニル(
SOCIg)とを、ジメチルホルムアミド(DMF)触
媒下、85℃で3時間反応させた後、常温で塩化チオニ
ルを除去した0次いで、水流ポンプで減圧下、減圧蒸留
により生成してペンタデカフルオロオクタン酸クロライ
ドを得た。得られたペンタデカフルオロオクタン酸クロ
ライドの沸点す。
p、は51℃/30嘗−1181収率は77%であった
。
。
また、ペンタデカフルオロオクタン酸クロライドの確認
は、赤外線吸収スペクトルで水酸基の吸収の消失と、カ
ルボニル基の吸収が1770CI+−’から1810c
+m−’へ移動したことによっておこなった。
は、赤外線吸収スペクトルで水酸基の吸収の消失と、カ
ルボニル基の吸収が1770CI+−’から1810c
+m−’へ移動したことによっておこなった。
続いて、このペンタデカフルオロオクタン酸クロライド
をピリジンを含有するクロロホルム溶液中に水冷下で3
0分かけて滴下し、その後直ちにミリスチルメルカプタ
ンを30分かけて滴下した。滴下終了後、常温で一夜攪
拌し、水を加えてクロロホルム層を分離し、純水、10
%硫酸、炭酸水素ナトリウム溶液の順で選奨し、乾燥し
た。
をピリジンを含有するクロロホルム溶液中に水冷下で3
0分かけて滴下し、その後直ちにミリスチルメルカプタ
ンを30分かけて滴下した。滴下終了後、常温で一夜攪
拌し、水を加えてクロロホルム層を分離し、純水、10
%硫酸、炭酸水素ナトリウム溶液の順で選奨し、乾燥し
た。
最後に減圧蒸留してペンタデカフルオロチオールオクタ
ン酸ミリスチルエステルを得た。得られたペンタデカフ
ルオロチオールオクタン酸ミリスチルエステルの沸点す
、p、は167〜b11g1収率は77%であった。
ン酸ミリスチルエステルを得た。得られたペンタデカフ
ルオロチオールオクタン酸ミリスチルエステルの沸点す
、p、は167〜b11g1収率は77%であった。
以下の合成例でも同様である示、生成物の確認は、赤外
分光分析(!R)、核磁気共鳴分析(NMR)及び質量
分析(MASS)によっておこなった、その結果、13
00〜1160o++−’にかけてCF結合特有の吸収
が見られること、1700(J−’にエステルのカルボ
ニル基の吸収が見られること、2910cm−’にCH
の伸縮振動による吸収が見られること、また化学イオン
法によるマススペクトルでは、分子イオンピークM0が
626に見られることから、この構造を決定した。なお
、上記質量分析は、日本電子社製、質量分析計DX30
3を用いて行い、ガスシロマドグラフにより単一成分で
あることを確認してから測定した。
分光分析(!R)、核磁気共鳴分析(NMR)及び質量
分析(MASS)によっておこなった、その結果、13
00〜1160o++−’にかけてCF結合特有の吸収
が見られること、1700(J−’にエステルのカルボ
ニル基の吸収が見られること、2910cm−’にCH
の伸縮振動による吸収が見られること、また化学イオン
法によるマススペクトルでは、分子イオンピークM0が
626に見られることから、この構造を決定した。なお
、上記質量分析は、日本電子社製、質量分析計DX30
3を用いて行い、ガスシロマドグラフにより単一成分で
あることを確認してから測定した。
合成例2
ペンタデカフルオロチオールオクタン酸ラウリルエステ
ル ミリスチルメルカプタンの代わりにラウリルメルカプタ
ンを用い、他は合成例1と同様の方法により、ペンタデ
カフルオロチオールオクタン酸ラウリルエステルを合成
した。
ル ミリスチルメルカプタンの代わりにラウリルメルカプタ
ンを用い、他は合成例1と同様の方法により、ペンタデ
カフルオロチオールオクタン酸ラウリルエステルを合成
した。
得られたペンタデカフルオロチオールオクタン酸ラウリ
ルエステルの沸点す、ρ、は150〜155℃(0,5
龍11g) 、収率は82%であった。
ルエステルの沸点す、ρ、は150〜155℃(0,5
龍11g) 、収率は82%であった。
合成例3
ペンタデカフルオロチオールオクタン酸エチルエステル
ミリスチルメルカプタンの代わりにエチルメルカプタン
を用い、他は合成例1と同様の方法により、ペンタデカ
フルオロチオールオクタン酸エチルエステルを合成した
。
を用い、他は合成例1と同様の方法により、ペンタデカ
フルオロチオールオクタン酸エチルエステルを合成した
。
得られたペンタデカフルオロチオールオクタン酸エチル
エステルの沸点す、ρ、は60〜70℃(30龍Hg)
、収率は85%であった。
エステルの沸点す、ρ、は60〜70℃(30龍Hg)
、収率は85%であった。
実施例
14μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに斜
め蒸着法によりCoを被着させ、膜厚1000人の強磁
性金属薄膜を形成した。
め蒸着法によりCoを被着させ、膜厚1000人の強磁
性金属薄膜を形成した。
次に、この強磁性金属7811表面上に、先の合成例で
合成したパーフルオロアルキルチオール酸エステJし0
.48 gを800gのフレオンにン容解し、それに極
圧剤を1:1の割合で添加した溶液を塗布し、81■幅
に裁断してサンプルテープを作成した。各実施例で使用
したパーフルオロアルキルチオール酸エステルの種類及
び極圧剤上を第1表(1)及び第2表(2)に示す。
合成したパーフルオロアルキルチオール酸エステJし0
.48 gを800gのフレオンにン容解し、それに極
圧剤を1:1の割合で添加した溶液を塗布し、81■幅
に裁断してサンプルテープを作成した。各実施例で使用
したパーフルオロアルキルチオール酸エステルの種類及
び極圧剤上を第1表(1)及び第2表(2)に示す。
(以下余白)
第1表(1)
第1表(2)
作成された各サンプルテープについて、温度25℃、相
対湿度(RH)50%、および−5℃の各条件下での動
摩擦係数及びシャトル耐久性を測定した。この動11!
擦係数は、材質がステンレス(SUS304)のガイド
ピンを用い、一定のテンションをかけ5龍/seeの速
度で送り、試験したものである。また、シャトル耐久性
は、1回につき2分間のシャトル走行を行い、出力が一
3dB低下までのシャトル回数で評価した。スチル耐久
性はポーズ状態での出力の一3dBまでの減衰時間を評
価した。結果を第2表(1)及び第2表(2)に示す。
対湿度(RH)50%、および−5℃の各条件下での動
摩擦係数及びシャトル耐久性を測定した。この動11!
擦係数は、材質がステンレス(SUS304)のガイド
ピンを用い、一定のテンションをかけ5龍/seeの速
度で送り、試験したものである。また、シャトル耐久性
は、1回につき2分間のシャトル走行を行い、出力が一
3dB低下までのシャトル回数で評価した。スチル耐久
性はポーズ状態での出力の一3dBまでの減衰時間を評
価した。結果を第2表(1)及び第2表(2)に示す。
第2表(1)
第2表(2)
この表からも明らかなように、本発明の各実施例は、常
温、低温の各条件下で動摩擦係数が小さく、走行が極め
て安定しており、また100回往復走行後もテープ表面
の損傷は全く見られなかった。また、耐久性も極めて良
く、150回シャトル走行を行っても出力の一3dB低
下は見られなかった。
温、低温の各条件下で動摩擦係数が小さく、走行が極め
て安定しており、また100回往復走行後もテープ表面
の損傷は全く見られなかった。また、耐久性も極めて良
く、150回シャトル走行を行っても出力の一3dB低
下は見られなかった。
これに対して、潤滑剤層のない比較例のテープでは、摩
擦係数が往復走行回数が多くなるにつれて大となり、走
行も不安定でテープの摩耗が見られ、耐久性も悪いもの
であった。
擦係数が往復走行回数が多くなるにつれて大となり、走
行も不安定でテープの摩耗が見られ、耐久性も悪いもの
であった。
さらに、各サンプルテープについて耐蝕性について調べ
たところ、−ケ月放置した後にも錆は全く発生しないこ
とがわかった。
たところ、−ケ月放置した後にも錆は全く発生しないこ
とがわかった。
以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
強磁性金am膜型の磁気記録媒体上にパーフルオロアル
キルチオール酸エステル及び極圧剤を含むトップコート
層を潤滑剤層として形成しているので、如何なる温度条
件下においても動摩擦係数を小さくすることができ、走
行安定性や耐摩耗性に優れた磁気記録媒体とすることが
できる。
強磁性金am膜型の磁気記録媒体上にパーフルオロアル
キルチオール酸エステル及び極圧剤を含むトップコート
層を潤滑剤層として形成しているので、如何なる温度条
件下においても動摩擦係数を小さくすることができ、走
行安定性や耐摩耗性に優れた磁気記録媒体とすることが
できる。
特に、パーフルオロアルキルチオール酸エステルの凝固
点温度が低いことから、低温下での使用時に効果が大き
い。
点温度が低いことから、低温下での使用時に効果が大き
い。
また、上記パーフルオロアルキルチオール酸エステルが
防錆効果をも有することから耐蝕性にも優れた磁気記録
媒体とすることができる。
防錆効果をも有することから耐蝕性にも優れた磁気記録
媒体とすることができる。
Claims (1)
- 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性
金属薄膜上にパーフルオロアルキルチオール酸エステル
及び極圧剤よりなるトップコート層を形成したことを特
徴とする磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8087386A JPS62236129A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP8087386A JPS62236129A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62236129A true JPS62236129A (ja) | 1987-10-16 |
Family
ID=13730461
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP8087386A Pending JPS62236129A (ja) | 1986-04-08 | 1986-04-08 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62236129A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5997373A (en) * | 1997-04-03 | 1999-12-07 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Jet-propelled boat |
-
1986
- 1986-04-08 JP JP8087386A patent/JPS62236129A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5997373A (en) * | 1997-04-03 | 1999-12-07 | Honda Giken Kogyo Kabushiki Kaisha | Jet-propelled boat |
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