JPS62256218A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を
磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁
気記録媒体に関するものである。

〔発明の概要〕

本発明は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を磁性層と
して形成してなる磁気記録媒体において、磁性層である
強磁性金属薄膜にカルボン酸パーフルオロアルキルエス
テルを潤滑剤として被着し、あらゆる使用条件下におい
ても優れた走行性。

耐摩耗性、耐久性を発揮する磁気記録媒体を提供しよう
とするものである。

〔従来の技術〕

従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体」二にｒ
　　Ｆ　ｅ　２ｏｙ、　Ｃｏを含有するＴ　　Ｆｅ２０
３１Ｆ　ｅ　ｙｏａ＋　ＣＯを含有するＦ　ｅ　ｆｆｏ
４，７　　Ｆ　ｅ　２０３とＦＧ、＋０４とのベルトラ
イド化合物、Ｃｏを含有するベルトライド化合物、Ｃｒ
０ｔ等の酸化物強磁性粉末あるいはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等
を主成分とする合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビ
ニル−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、ポリ
ウレタン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめた磁性
塗料を塗布・乾燥することにより作製される塗布型の磁
気記録媒体が広く使用されている。

これに対して、高密度磁気記録への要求の高まりととも
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金等の強磁性金属材料を、メッキや真
空薄膜形成技術（真空蒸着法やスパンタリング法、イオ
ンブレーティング法等）によってポリエステルフィルム
やポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案さ
れ、注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁気記録
媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換
特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚めを極めて薄く
することが可能であるため記録減磁や再生時の厚み損失
が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機バ
インダーを混入する必要がないため磁性材料の充填密度
を高めることができること等、数々の利点を有している
。

しかしながら、上述の強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体
では、磁性層表面の平滑性が極めて良好であるために実
質的な接触面積が大きくなり、凝着現象（いわゆるはり
つき）が起こり易くなったり摩擦係数が大きくなる等、
耐久性や走行性等に欠点が多く、その改善が大きな課題
となっている。

一般に、磁気記録媒体は磁気信号の記録・再生の過程で
磁気ヘッドとの高速相対運動のもとにおかれ、その際走
行が円滑に、かつ安定な状態で行われなければならない
。また、磁気ヘッドとの接触による摩耗や損傷はなるべ
く少ないほうがよい。

そこで例えば、上記磁気記録媒体の磁性層、すなわち強
磁性金属薄膜表面に潤滑剤を塗布して保護膜を形成する
ことにより、上記耐久性や走行性を改善することが試み
られている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、上述のように潤滑剤を塗布して保護膜を形成
した場合には、この保護膜が磁性層である強磁性金属薄
膜に対して良好な密着性を示し、かつ高い潤滑効果を発
揮することが要求される。

また、これら密着性や潤滑効果は、熱帯、亜熱帯地方等
のように高温多湿の条件下でも、寒冷地のように低温の
条件下でも優れたものでなければならない。

しかしながら、従来広く用いられている潤滑剤の使用温
度範囲は限られており、特に、０〜−５℃のような低温
下では固体化または凍結するものが多く、充分にその潤
滑効果を発揮させることができなかった。

そこで本発明は、如何なる使用条件下においても密着性
や潤滑性が保たれ、かつ長期に亘り潤滑効果が持続する
潤滑剤を提供し、走行性、耐久性に優れた磁気記録媒体
を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者等は、上述の目的を達成せんものと鋭意研究の
結果、脂肪族カルボン酸とパーフルオロアルコールのエ
ステルであるカルボン酸パーフルオロアルキルエステル
が広い温度範囲に亘って良好な潤滑効果を発揮すること
を見出し本発明を完成するに至ったものであって、非磁
性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性金属
薄膜上にカルボン酸パーフルオロアルキルエステルを被
着したことを特徴とするものである。

本発明で潤滑剤として使用されるカルボン酸パーフルオ
ロアルキルエステルは、一般式％式％（１） （但し、上記一般式において、Ｒは炭化水素基であり、
ｊ≧Ｏ，ｋ≧４である。） で示される化合物である。ここで、カルボン酸の炭化水
素基Ｒは直鎖状２分枝状のいずれでもよく、また飽和、
不飽和の何れでもよい。さらに、上記炭化水素基Ｒは、
アリール基やパーフルオロ炭化水素基であってもよい。

一方、パーフルオロアルキル基（ＣｈＦ＋ｙｌｌ＋＋）
の炭素数には４以上であるのが良いが、６以上とするの
がより好ましい。

カルボン酸パーフルオロアルキルエステルは、例えば相
当する酸塩化物と含フツ素アルコールとの反応によって
容易に合成される。反応式を示せば次のようなものであ
る。

ＲＣＯＣ１＋ＣＪｚ□１（ＣＩ（ｚ）＝ＯＨ・・・（１
）式 上記酸塩化物は、市販の脂肪族カルボン酸を五塩化リン
ＰＣｌ５あるいは塩化チオニルＳＯＣ！２で塩素化する
ことによって容易に合成できる。特に、脂肪族カルボン
酸の炭素数が小さいものについては、塩化チオニル５Ｏ
Ｃ１２で塩素化することによって合成できる。反応式は
下記の通りである。

・・・（２）式 一方、フッ素含有アルコールＣｋＦｚ＝４＋　（Ｃ１ｌ
。）ｊｏｌ＋については、例えばシモンズ法等によって
得られたパーフルオロカルボン酸をジメチルホルムアミ
ド（ＤＭＦ）存在下で塩素化した後、還元剤によって還
元することにより容易に合成することができる。反応式
は下記の通りである。

ＤＭＦ ・・・（３）式 あるいは、一般式Ｃ，Ｆ２□１Ｃ１１□ＣＩｈ０ＩＩで
示されるパーフルオロアルコール等も提供されている。

上述のように合成されるカルボン酸パーフルオロアルキ
ルエステルは、単独で潤滑剤として用いてもよいが、従
来公知の潤滑剤と混合して用い、さらに使用温度帯域の
拡大を図るようにしてもよい。

使用される潤滑剤としては、脂肪酸またはその金属塩、
脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコールまた
はそのアルコキシド、脂肪族アミン、多価アルコール、
ソルビタンエステル、マンニソタンエステル、硫黄化脂
肪酸、脂肪族メルカプタン、変性シリコーンオイル、パ
ーフルオロアルギルエチレンオキシド、パーフルオロポ
リエーテル類、高級アルキルスルホン酸またはその金属
塩、パーフルオロアルキルスルホン酸またはそのアンモ
ニウム塩あるいはその金属塩、パーフルオロアルキルカ
ルボン酸またはその金属塩、パーフルオロアルキルカル
ボン酸エステル等が例示される。

特に、一般式Ｃ，，Ｆ２．．ＩＣ０ＯＲ（但し、式中ｎ
は６〜１０の整数を表し、Ｒは炭素数１〜２５の炭化水
素基を表す。）で示されるパーフルオロアルキルカルボ
ン酸エステルも低温特性が良好であることから、上記カ
ルボン酸パーフルオＩ：Ｊアルキルエステルと併用する
のに好適である。

さらには、より厳しい使用条件に対処し、かつ潤滑効果
を持続させるために、重量比で３０ニア０〜７０：３０
程度の配合比で極圧剤を併用してもよい。

上記極圧剤は、境界潤滑領域において部分的に金属接触
を生じたとき、これに伴う摩擦熱によって金属面と反応
し、反応生成物被膜を形成することにより摩擦・摩耗防
止作用を行うものであって、リン系極圧剤、イオウ系極
圧剤、ハロゲン系極圧剤、有機金属系極圧剤、複合型極
圧剤等が知られている。

具体的に例示すれば、上記リン系極圧剤としては、トリ
ブチルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリ
ー２−エチルへキシルホスフェート、トリラウリルホス
フェート、トリオレイルホスフェート、ジブチルホスフ
ェート、ジオクチルホスフェート、ジー２−エチルへキ
シルホスフェート、ジラウリルホスフェート、ジオレイ
ルホスフェート等のリン酸エステル、トリブチルホスフ
ァイト、トリオクチルホスファイト、トリー２−エチル
へキシルホスファイ口　トリラウリルホスファイト、ト
リオレイルホスファイｌ−，ジブチルホスファイト、ジ
オクチルホスファイ１−、ジー２−エチルへキシルホス
ファイト、ジラウリルホスファイト　ジオレイルホスフ
ァイト等の亜リン酸エステル、ジブチルホスフェートブ
チルアミン塩。

ジブチルホスフェートオクチルアミン塩、ジブチルホス
フェートステアリルアミン塩、ジオクチルホスフェート
ブチルアミン塩、ジオクチルホスフェートオクチルアミ
ン塩、ジオクチルホスフェートラウリルアミン塩、ジオ
クチルホスフェートステアリルアミン塩、ジー２−エチ
ルへキシルホスフェートブチルアミン塩、ジー２−エチ
ルへキシルホスフェートオクチルアミン塩、ジー２−エ
チルへキシルホスフェートラウリルアミン塩、ジー２−
エチルへキシルホスフェートステアリルアミン塩、ジラ
ウリルボスフェートブチルアミン塩。

ジラウリルホスフェートオクチルアミン塩、ジラウリル
ホスフェートラウリルアミン塩、ジラウリルホスフェー
トステアリルアミン塩、ジオレイルホスフェートブチル
アミン塩、ジオレイルホスフェートオクチルアミン塩、
ジオレイルホスフチ−トラウリルアミン塩、ジオレイル
ホスフェートステアリルアミン塩等のリン酸エステルア
ミン塩が挙げられる。

上記イオウ系極圧剤としては、硫化抹香鯨油、硫黄化ジ
ペンテン等不飽和結合を有する鉱油、油脂や脂肪酸等に
硫黄を加えて加熱することにより製造される硫化油脂類
、二硫化ジヘンジル、二硫化ジフェニル、二硫化ジーＬ
−ブチル、二硫化シー　５ｅｃ−ブチル、二硫化ジ−ｎ
−ブチル、二硫化ジ−ｔ−オクチル、二硫化ジエチル等
のジザルファイド類、硫化ヘンシル、硫化ジフェニル、
硫化ジビニル、硫化ジメチル、硫化ジエチル、硫化ジ−
ｔ−ブチル、硫化ジー５ｅｃ−ブチル、硫化ジ−ｎ−ブ
チル等のモノサルファイド類、三硫化ジメチル、三硫化
ジー１−ブチル、ポリ硫化ジ−ｔ−ノニル、オＩ／フィ
ンポリサルファイド等のポリサルファイド類、一般式 ％式％（） （但し、式中Ｒは炭化水素基を表す。）で示されるチオ
カーボネ−１・頻、元素硫黄等が挙げられる。

上記ハロゲン系極圧剤としては、臭化アリル２臭化オク
タデシル、臭化シクロヘキシル、臭化ステアリル、臭化
ヘンシル等の臭素化合物、ヨウ化ヘンシル、ヨウ化アリ
ル、ヨウ化ブチル、ヨウ化オクタデシル、ヨウ化シクロ
へキシル等のヨウ素化合物、ヘキサクロロエタン、モノ
クロルエタン。

塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化油脂、メ
チルトリクロロステアレート、ペンタクロロペンタジェ
ン酸、ヘキサクロルナフテン酸化合物のエステル、ヘキ
サクロルナフテン酸化合物のイミド誘導体等の塩素化合
物が挙げられる。

上記有機金属系極圧剤としては、ジイソブチルジチオリ
ン酸亜鉛、イソブチルペンチルジチオリン酸亜鉛、イソ
プロピル−１−メチルブチルジチオリン酸亜鉛、イソブ
チルノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、イソブチルへブ
チルフェニルジチオリン酸亜鉛５　シヘプチルフェニル
ジチオリン酸亜鉛、ジノニルフェニルジチオリン酸亜鉛
、モリブデンジチオフォスフェート等のチオリン酸塩類
、ジメチルジチオカルバミン酸亜鉛、ジエチルジチオカ
ルバミン酸亜鉛、ジブチルジチオカルバミン酸亜鉛、エ
ヂルフェニルジチオ力ルバミン酸亜鉛。

ジヘンジルジチオ力ルバミン酸亜鉛、ジメチルジチオカ
ルバミン酸亜鉛、ジメチルジチオカルバミン酸銅、ジメ
チルジチオカルバミン酸鉄、ジエチルジチオカルバミン
酸セレン、ジエチルジチオカルバミン酸銀等のチオカル
バミン酸塩類、モリブデン、アンチモン等の金属アルキ
ルジチオカルバミン酸塩類、等が挙げられる。

上記複合型極圧剤としては、ジー２−エチルへキシルチ
オリン酸アミン等のジアルキルチオリン酸アミン類、塩
化プロビルホスフェ−１・、臭化ブＩコビルホスフェー
ト、ヨウ化プロピルホスフェート、塩化ブチルホスフェ
ート、臭化ブチルホスフェ−１・、ヨウ化ブチルホスフ
ェート等に代表されるハロゲン化アルキルのリン酸エス
テル類、クロロナフサザンテート等の他、一般式 ％式％（） （但し、各一般式中Ｒは水素原子またはアルキル基、ア
ルケニル基、アリール基を表す。）で示されるチオフォ
スフェート類、一般式（但し、式中Ｒは水素原子または
アルキル基、アルケニル基、アリール基を表す。） で示されるチオフォスファイト類等が効果が高い。

上述の極圧剤は単体で使用してもよいが、２種以上を混
合して使用することも可能である。

これらカルボン酸パーフルオロアルキルエステルを含有
する潤滑剤層を強磁性金属薄膜上に付着させる方法とし
ては、上記潤滑剤を溶媒に溶解して得られた溶液を強磁
性金属薄膜の表面に塗布もしくは噴霧するか、あるいは
逆にこの溶液中に強磁性金属薄膜を浸漬し乾燥すればよ
い。

ここで、その塗布量は、０．５ｍｇ／Ｍ〜１００ｍｇ／
ボであるのが好ましく、１呵／ｍ〜２０■／、ｊである
のがより好ましい。この塗布量があまり少なずぎると、
摩擦係数の低下、耐摩耗性・耐久性の向上という効果が
顕れず、一方あまり多ずぎると、摺動部材と強磁性金属
薄膜との間ではりつき現象が起こり、却って走行性が悪
くなる。

あるいは、」二連の潤滑剤、横圧剤の他、必要に応じて
防錆剤を併用してもよい。

一般に、強磁性金属薄膜は金属材料により形成されるこ
とから錆易く、上記防錆剤の使用により耐蝕性が大幅に
改善される。したがって、上記カルボン酸パーフルオロ
アルキルエステルを含有スる潤滑剤の有する潤滑作用と
相俟って、磁気記録媒体の耐久性を向上することができ
る。

使用可能な防錆剤としては、通常この種の磁気記録媒体
の防錆剤として使用されるものであれば如何なるもので
あってもよく、例えばフェノール類、ナフトール類、キ
ノン類、ジアリールケトン、窒素原子を含む複素環化合
物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素
環化合物、メルカプト基を有する化合物、チオカルホン
酸またはその塩、チアゾール系化合物等が挙げられる。

具体的に例示すれば次の通りである。

先ず、上記フェノール類としては、二価フェノール、ア
ルキルフェノールあるいはニトロソフェノールが挙げら
れる。

上記二価フェノールとしては、ハイドロキノン。

レゾルシン１　カテコール等の純フェノール頻、及びそ
れらのアルキル、アミノ、ニトロ、ハロゲノ置換体、例
えば、２−メチルハイドロキノン、４−メチルレゾルシ
ノール、５−メチルレゾルシノール、４−メチルピロカ
テコール、２．５−ジメチルハイドロキノン、４．６−
ジメチルレゾルシノール、２１５−ジメチルレゾルシノ
ール、２−イソプロピル−５−メチルハイドロキノン、
’１−ｔｅｒｔ−ブチルハイドロキノン、２，５〜シー
ｔｅｒ　ｔ−ブチルハイドロキノン、　　４−ｔｅｒｔ
−ブチルカテコール。

２−アミルゾルシノール、２−レゾルシノール。

２．５−ジクロロヒドロキノン等が挙げられる。

上記アルキルフェノールとは、−価フエノールのアルキ
ル置換体を指し、例えば、０−クレゾール。

ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール１　ｏ−エチルフェノ
ール５　ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール
、２．３−ジメチルフェノール、２，５−ジメチルフェ
ノール、２．６−ジメチルフェノール。

３．４−ジメチルフェノール、３，５−ジメチルフェノ
ール、　　２，４．６−トリメチルフェノール、　　２
．４．５−トリメチルフェノール、５〜イソプロピル−
２一メチルフェノール、　　ｐｔｅｒｔ−ブチルフェノ
ール、２，６−シーｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール
。

４．４′−メチレンビス２．６−シーｔｅｒｔ−ブチル
フェノール３２．６−シメチルー４　　ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェノール、　　２，４．６−　トリーｔｅｒ　ｔ−
ブチルフェノール等が挙げられる。

上記ニトロソフェノールとしては、例えば、４−ニトロ
ソ−２−メトキシ−１−フェノール、４−ニトロソ−２
−エトキシ−１−フェノール、６−ニトロソ−〇−クレ
ゾール、４−ニトロソ−ｍ−クレゾール、０−ニトロソ
フェノール、２−ニトロソフェノール、２−ニトロソレ
ゾルシン、４−ニトロソレゾルシン、ｐ−ニトロソフェ
ノール等が挙げられる。

次に、上記ナフトール類としては、α−ナフト−ル、β
−ナフト−ル、１，２−ナフタレンジオール。

１．３−ナフタレンジオール、■、４−ナフタレンジオ
ール、１，５−ナフタレンジオール、１１７−ナフタレ
ンジオール、１，８−ナフタレンジオール、２，３−ナ
フタレンジオール＋　１＋４＋５〜ナフタレントリオー
ル、　１２゜５．８−ナフタレンテトラオール等の純ナ
フト−ル類、及びニトロ、ニトロソ、アミノ、ハロゲノ
置換ナフトール類、例えば１−クロロ−２−ナフトール
、２゜４−ジクロロ−１−ナフトール、１−ニトロ−２
−ナフトール、１．６−シニトロー２−ナフトール、１
−二Ｉ・日ソ−２−ナフトール、２−ニトロソ−１−ナ
フトール、１−アミノ−２−ナフトール等が挙げられる
。

上記キノン類としては、ｐ−ベンゾキノン、０−ヘンゾ
キノン、１．２−ナフトキノン、１．４−ナフトキノン
、２．６−ナフトキノン、アントラキノン、９゜１０−
フェナントレンキノン、ジフェノニドノン等の置換基の
ないキノン類、メチル−ｐ−ヘンゾキノン、２，３−ジ
メ芋ルーｐ−ヘンゾキノン、２−メチル−１，４−ナフ
トキノン、２−メチルアントラキノン等のメチルキノン
類、２．５−ジヒドロキシ−ｐ−ヘンゾキノン、テトラ
ヒドロキシ−ｐ−ヘンゾキノン、５−ヒドロキシ−１，
４−ナフトキノン、２．３−ジヒドロキシ−１，４−ナ
フトキノン、５．８−ジヒドロキシ−１，４−ナフトキ
ノン、２−ヒドロキシアントラキノン、１゜２−ジヒド
ロキシアントラキノン、　１，２．３−トリヒドロキシ
アントラキノン、　１，２．４−１−ジヒドロキシアン
トラキノン、　１，２．５−　）ジヒドロキシアントラ
キノン、　１，２．６−　）ジヒドロキシアントラキノ
ン、１゜２．７−　トリヒドロキシアントラキノン等の
ヒドロキシキノン類、２−アミノアントラキノン、１．
２−ジアミノアントラキノン等のアミノキノン類、１−
ニトロアントラキノン、１．５−ジニトロアントラキノ
ン等のニトロキノン類、２．６−ジクロロ−ｐ−ベンゾ
キノン１　テトラクロロ−ｐ−ベンゾキノン、テトラブ
ロモ−ｐ−ベンゾキノン等のハロゲノキノン類、あるい
は２種以上の置換基を有するキノン類、例えば２．５−
ジクロロ−３，６−シヒドロキシーｐ−ヘンゾキノン、
１−メチル−２−ヒドロキシ−１，４−ナフトキノン等
が挙げられる。

上記ジアリールケトンとしては、ベンゾフェノン及びそ
の誘導体が挙げられ、例えばヘンヅフェノン、４−メチ
ルベンゾフェノン、３−メチルヘンシフエノン、３，４
−ジメチルヘンシフエノン、４８４′〜ジメチルベンゾ
フヱノン、　３．４’−ジメチルヘンシフエノン、４−
エチルヘンシフエノン等のアルキル置換体、４−ヒドロ
キシベンゾフェノン。

４．４゛−ジヒドロキシヘンシフエノン、　２，３．４
−１−ジヒドロキシヘンシフエノン、２．４−ジヒドロ
キシヘンシフエノン、　２．２’、５．６’−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、　２．３’、４．４’、６−
ベンタヒドロキシヘンゾフエノン等のヒドロキシベンゾ
フェノン類、４−アミノベンゾフェノン、　４．４’−
ジアミノヘンシフエノン等のアミノベンゾフェノン類、
あるいは２種以上の置換基を有するヘンシフエノン類、
例えば４−メトキシ−２−ヒドロキシベンゾフェノン、
　２．２’−ジヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノ
ン等が挙げられる。

上記窒素原子を含む複素環化合物としては、アクリジン
、２．２’　、２”−テルピリジルネオクプロイン、２
．２゛−ジピリジルベンゾトリアゾール、５−メチルヘ
ンシトリアゾール、バソフェナンドロリン、１、ＩＯ−
フェナントロリン、アルデヒドコリジン、ヘンシルピリ
ジン、フェニルピリジン、キナゾリン、２−ヘプタデシ
ルイミダゾール等の他、フェノール性水酸基を有する化
合物、例えば４−（２−ピリジルアゾ）−レヅルシン、
１−（２−ピリジルアゾ）−２−ナフト−ル、４−キノ
リツール、４−メチル−２−キノリツール、８−キノリ
ツール、キノリンジオール等、カルボキシル基を有する
化合物、例えばキヌレン酸、アクリジン酸８アトファン
、キルナジン酸、シンコニン酸、イソニコチン酸、２，
５−ピリジンジカルボン酸、キニン酸等、アミノ基又は
イミノ基を有する化合物、例えば２−アミノヘンズイミ
ダゾール、５−アミノ−ＩＨ−テトラゾール。

５−アミノ−Ｉ　Ｈ−１，２，４−）リアゾール、アデ
ニン、グアニン、ルミノール、２−ヒドラジノキノリン
、チアミン等、カルボニル基を有する化合物、例えばリ
ボフラビン、テオブロミン、アラントイン５アロキサン
、２−チオバルビッール酸、ビオルル酸、イサチン、ヒ
ダントイン、チミン、バルビッール酸、オロチン酸、ウ
ラシル、スクシンイミド、タレアチニン、２−ピロリド
ン等が挙げられる。

上記酸素原子を含む複素環化合物としては、トコフェロ
ール、モリン、ケルセチン、アスコルビン酸、無水１．
８−ナフタル酸、レゾルフィン、コウジ酸、デヒドロ酢
酸、オキサゾール、３−アミノフタルイミド、４−アミ
ノフタルイミド、ウリジン、チミジン、グアノシン、無
水イサト酸等が挙げられる。

上記硫黄原子を含む複素環化合物としては、スルボラン
、３−ヒドロキシスルホラン、３−メチルスルホラン、
スルホレン、３−ヒドロキシスルホレン、３−メチルス
ルホレン、ローダニン、３−アミノローダニン、チアゾ
リン−４−カルボン酸、４Ｈ−Ｌ４−チアジン、ビオチ
ン、３，６−チオキサンチンジアミン、３．６−ヂオギ
ザンテンジアミンーｔｏ、　ｉｏ−ジオキシド等が挙げ
られる。

上記メルカプト基を有する化合物としては、２−ベンゾ
オキサゾールチオール、チオフェノール。

チオサリチル酸、プロパンチオール、チオウラシル、２
．３−キノキサリンジチオール、ジチゾン、チオオキシ
ン、２−ベンズイミダゾールチオール。

６−チオグアニン、５−ニトロ−２−ベンズイミダゾー
ルチオール、５−アミノ−１，３，４−チアゾール−２
−チオール等が挙げられる。

上記チオカルボン酸またはその塩としては、ジエチルジ
チオカルバミン酸ナトリウム、エタンチオ酸、ルー＼ア
ン酸、チオアセトアミド、エタンジチオ酸等が挙げられ
る。

上記チアゾール系化合物としては、ビスムチオール■、
ジアゾスルフィド、アゾスルフイム１１゜３．４−チア
ジアゾール、ビスムチオール、ビアズチオール、ベンゾ
チアゾール、２−メチルベンゾチアゾール、　２−（ｐ
−アミノフェニル）−６−メチルベンゾチアゾール、２
−メルカプトヘンジチアゾール。

ヘンジチアゾリン。２−ヘンヅチアゾリン、ヘンジチア
ゾロン等が挙げられる。

上記防錆剤は、上記潤滑剤と混合して用いてもよいが、
例えば強磁性金属薄膜の表面に先ず」二記防錆剤を塗布
し、しかる後上記カルボン酸パーフルオロアルキルエス
テルを含有する潤滑剤を塗布するというように、２層以
上に分けて被着すると効果が高い。

このように２層に分けて塗布する場合には、上記防錆剤
の塗布量としては、先の潤滑剤と同様、０．５■／イ〜
１００■／ボであるのが好ましく、１■／ｄ〜２０■／
ｄであるのがより好ましい。

塗布量があまり少なすぎると、耐蝕性改善の効果が不足
し、逆に多過ぎると走行性等に問題が生ずる。

本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性支持体上に
磁性層として強磁性金属薄膜を設けたものであるが、こ
こで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテー
ト、セルロースダイアセテート、セルロースアセテート
ブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート
、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック、ア
ルミニウム合金、チタン合金等の軽金属、アルミナガラ
ス等のセラミックス等が挙げられる。

この非磁性支持体の形態としては、フィルム３　シート
、ディスク、カード、ドラム等のいずれでもよい。

上記非磁性支持体には、その表面に山状突起やしわ状突
起２粒状突起等の突起を１種以上を形成し、表面粗さを
コントロールしてもよい。

上記山状突起は、例えば高分子フィルム製膜時に粒径５
００〜３０００人程度の無機微粒子を内添することによ
り形成され、高分子フィルム表面からの高さは１００〜
１０００人、密度はおよそｌＸｌ０’〜ｌ０ＸＩＯ’個
／ｌｌ１２　とする。山状突起を形成するために使用さ
れる無機微粒子としては、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ＋
）やシリカ、アルミナ等が好適である。

上記しわ状突起は、例えば特定の混合溶媒を用いた樹脂
の希薄溶液を塗布乾燥することにより形成される起伏で
あって、その高さは０．０１〜１０μｍ、好ましくは０
．０３〜０．５μｍ、突起間の最短間隔は０．１〜２０
μｍとする。このしわ状突起を形成するための樹脂とし
ては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレート等の飽和ポリエステル、ポリアミド、ポリスチ
ロール、・　　ポリカーボネート、ポリアクリレート、
ポリスルホン、ポリニー・チルスルホン、ポリ塩化ビニ
ル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルブチラール、ポリ
フェニレンオキサイド、フェノキシ樹脂等の各種樹脂の
単体、混合体または共重合体であり、可溶性溶剤を有す
るものが適している。そして、これらの樹脂をその良溶
媒に溶解せしめた樹脂濃度１〜１１０００ｐｐの溶液に
、その樹脂の貧溶媒であって前記良溶媒より高い沸点を
有する溶媒を樹脂に対して１０〜１００倍量添加した溶
液を、高分子フィルムの表面に塗布・乾燥することによ
り、非常に微細なしわ状凹凸を有する薄層を得ることが
できる。

粒状突起は、アクリル樹脂等の有機超微粒子またはシリ
カ、金属粉等の無機微粒子を球状あるいは半球状に付着
させることにより形成される。この粒状突起の高さは、
５０〜５００人、密度は１×１０″′〜５０Ｘ１０’個
／１鵬２程度とする。

これら突起の少なくとも一種以上を形成すれば磁性層で
ある強磁性金属薄膜の表面性が制御されるが、２種以上
を組み合わせることにより効果が増し、特に山状突起を
設けたベースフィルム上にしわ状突起とつぷ状突起を形
成すれば、極めて耐久性、走行性が改善される。

この場合、突起の全体としての高さは、１００〜２００
０人の範囲内であることが好ましく、その密度は１１１
ｍ２当り平均で１×１０５〜ｌＸｌ０’個であることが
好ましい。

また、上記磁性層である強磁性金属薄膜は、真空蒸着法
やイオンブレーティング法、スパッタリング法等の真空
薄膜形成技術により連続膜として形成される。

上記真空蒸着法は、１０−４〜１０−ＢＴｏｒｒの真空
下で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱９電子ビー
ム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属（
強磁性金属材料）を沈着するというものであり、一般に
高い抗磁力を得るため基板に対して上記強磁性金属材料
を斜めに蒸着する斜方蒸着法が採用される。あるいは、
より高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を
行うものも含まれる。

上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり
、１Ｏ−４〜１０−ＴＯｒｒの不活性ガス雰囲気中でＤ
Ｃグロー放電、ＲＦグロー放電を起こして、放電中で上
記強磁性金属材料を蒸発させるというものである。

上記スパッタリング法は、１０−’〜１０−’Ｔｏｒｒ
のアルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を
起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面の
原子をたたき出すというものであり、グロー放電の方法
により直流２極、３極スパツタ法や、高周波スパッタ法
、またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパ
ッタ法等がある。

このスパッタリング法による場合には、ＣｒやＷ。

■等の下地膜を形成しておいてもよい。

なお、上記いずれの方法においても、基板上にあらかじ
めＢｉ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ。

Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｌ１等の下地金属層を被着形成し
ておき、基板面に対して垂直方向から成膜することによ
り、磁気異方性の配向かなく面内等方性に優れた磁性層
を形成することができ、例えば磁気ディスクとする場合
には好適である。

このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄膜を形成
する際に、使用される強磁性金属材料としては、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ等の金属の他に、Ｃ。

−Ｎ＋金合金Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、
Ｆｅ−Ｃｏ合金＋　　Ｆ　ｅ　　Ｎ　＋合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｎｉ合金＋　　Ｆ　ｅ　　Ｃｏ　　Ｂ合金、　Ｃｏ
−Ｎ１−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金あるいはこれら
にＣｒ、ＡＮ等の金属が含有されたもの等が挙げられる
。特に、Ｇｏ−Ｃｒ合金を使用した場合には、垂直磁化
膜が形成される。

このような手法により形成される磁性層の膜厚は、０．
０４〜１μｍ程度である。

また、非磁性支持体の前記磁性層が設けられる面とは反
対側の面に、いわゆるバンクコート層を形成してもよい
。ハックコート層は、結合剤樹脂と粉末成分とを有機溶
媒に混合分散させたバ・７クコート用塗料を非磁性支持
体面に塗布することにより形成される。

ここで、ハックコート用塗料に使用される結合剤樹脂と
しては、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、塩
化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アク
リロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロ
ニトリル共重合体、熱可塑性ポリウレタンエラストマー
、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリ
ル共重合体、ブタジェン−アクリロニトリル共重合体、
ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘
導体、ポリエステル樹脂、ポリブタジェン等の合成ゴム
系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン
硬化型樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコー
ン樹脂、アクリル系反応樹脂、エポキシ−ポリアミド樹
脂、ニトロセルロース−メラミン樹脂、高分子量ポリエ
ステル樹脂とイソシアナートプレポリマーの混合物、メ
タクリル酸塩共重合体とジイソシアナートプレポリマー
の混合物、ポリエステルポリオールとポリイソシアナー
トとの混合物、尿素ホルムアルデヒド樹脂、低分子量グ
リコール／高分子量ジオール／トリフェニルメタントリ
イソシアナートの混合物、ポリアミン樹脂及びこれらの
混合物等が挙げられる。

あるいは、粉末成分の分散性の改善を図るために、親水
性極性基を持った結合剤樹脂を使用してもよい。

具体的には、　ＳＯＪ、　　０５ＯＪ、　　Ｃ００Ｍ、
　　Ｐ（ＯＭ’）２（式中、Ｍは水素原子またはアルカ
リ金属を表し、Ｍｏ　は水素原子、アルカリ金属または
炭化水素基を表す。）から選ばれた親水性極性基を導入
したポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル
−酢酸ビニル系共重合体、塩化ビニリデン系共重合体、
アクリル酸エステル系共重合体、ブタジェン系共重合体
等が使用可能である。

上記親水性極性基の導入方法としては、樹脂の種類に応
じて種々の方法が考えられるが、例えばポリウレタン樹
脂やポリエステル樹脂に上記親水性極性基を導入するに
は次のような方法によればよい。

（１）ポリウレタン又はポリエステルの原料である２塩
基酸あるいはポリオール等に前記親水性極性基を予め導
入しておく方法。

（２）末端若しくは側鎖にＯＨ基を残存させておき、こ
のＯＨ基を親水性極性基を持った化合物により変性する
方法。

（２）の方法による場合には、 分子中に親水性極性基とハロゲン（例えば塩素）を含有
する化合物と、原料に多官能のポリオールを用いポリマ
ー鎖の末端若しくは側鎖にＯＨ基が残存したポリウレタ
ン樹脂またはポリエステル樹脂とを、両成分が溶解性の
あるジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の
溶剤に溶解し、ピリジン、ピコリン、トリエチルアミン
等のアミン類やエチレンオキサイド、プロピレンオキサ
イド等のエポキシ化合物等の脱塩酸剤の存在下でのＯＨ
基と塩素との脱塩酸反応により親水性極性基を導入する
方法。

分子中に親水性極性基とＯＨ基とを含有する化合物と、
ポリマー鎖の末端若しくは側鎖にＯＨ基が残存したポリ
ウレタン樹脂またはポリエステル樹脂とを、ジイソシア
ナート化合物を介して反応させる方法。

がある。

また、上記共重合体系結合剤樹脂に親水性極性基を導入
するには、 （３）共重合モノマーとして、親水性極性基及び共重合
可能な二重結合を有する化合物を使用する方法。

（４）共重合モノマーとして、活性水素及び共重合可能
な二重結合を有する化合物を使用し、共重合体の側鎖に
上記活性水素を導入しておき、親水性極性基及び上記活
性水素と反応可能な基を有する化合物により変性する方
法。

（５）共重合モノマーとして、活性水素と反応可能な基
及び共重合可能な二重結合を有する化合物を使用し、共
重合体の側鎖に」二記活性水素と反応可能な基を導入し
ておき、親水性極性基及び上記活性水素を有する化合物
により変性する方法。

等が挙げられる。

一方、上記粉末成分としては、導電性を付与するための
カーボン系微粉末（例えば、ファーネスカーボン、チャ
ンネルカーボン、アセチレンカーボン、サーマルカーボ
ン、ランプカーボン等が挙げられるが、なかでもファー
ネスカーボンやサーマルカーボンが好適である。）、無
機顔料（表面粗度のコントロール及び耐久性向上のため
に添加されるｔＸ　　Ｆｅ０Ｏ１ｌ、　（Ｘ　　Ｆｅ２
Ｏ３，Ｃｒｚ０３．Ｔｉ０ｚ、ＺｎＯ，ＳｉＯ。

５ｉＯｚ、　５ｉＯｚ　’　２Ｈ２０ＩＡＩ２０ｓ　’
　２ＳｉＯｚ　’　２Ｈ２０ｒ　　３Ｍｇ０　・４Ｓｉ
Ｏｚ　・ＨｇＯ＋　　Ｍｇｃｏ３　’　Ｍｇ（Ｏｆｌ）
ｚ　−３Ｈ２ｏ＋ＡＩｚＯ＋、ＣａＣＯ３゜ＭｇｃＯ３
，５ｂ２０ｓ等）が挙げられる。

さらに、上記バックコート用塗料の有機溶剤としては、
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸ブチル。

乳酸エチル、酢酸グリコールモノエチルエーテル等のエ
ステル系溶剤、グリコールジメチルエーテル、グリコー
ルモノエチルエーテル、ジオキサン等のグリコールエー
テル系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素系溶剤、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水
素系溶剤、メチレンクロライド、エチレンクロライド、
四塩化炭素、クロロホルム、エチレンクロルヒドリン、
ジクロルベンゼン等の塩素化炭化水素系溶剤等、汎用の
）８剤を用いることができる。

前述のバックコート層には潤滑剤を併用してもよい。こ
の場合、上記ハックコート層中に潤滑剤を内添する方法
、あるいはバックコート層上に潤滑剤を被着する方法が
ある。いずれにしても、上記潤滑剤としては、脂肪酸、
脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、金属石鹸、脂肪族アル
コール、パラフィン、シリコーン等、従来より周知の潤
滑剤が使用できる。

これら潤滑剤を例示すれば、先ず、脂肪酸としては、ラ
ウリン酸、ミリスチン酸、バルミチン酸、ステアリン酸
、ヘヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リルン酸等の炭
素数が１２以上の飽和脂肪酸あるいは不飽和脂肪酸が使
用できる。

脂肪酸エステルとしては、ステアリン酸エチル、ステア
リン酸ブチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸モノ
グリセリド、オレイン酸モノグリセリド等が使用できる
。

脂肪酸アミドとしては、カプロン酸アミド、カプリン酸
アミド、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステ
アリン酸アミド、ベヘン酸アミド、オレイン酸アミド、
リノール酸アミド、メチレンビスステアリン酸アミド、
エチレンビスステアリン酸アミド等が使用できる。

金属石鹸としては、前述の脂肪酸のＺｎ、　Ｐｂ＋　Ｎ
ｉ＋Ｃｏ＋　Ｆｅ＋　ＡＩ＋　Ｍｇ＋　Ｓｒ＋　Ｃｕ等
との塩、あるいはラウリルスルホン酸、パルジチルスル
ホン酸。ミリスチルスルホン酸、ステアリルスルホン酸
、ベヘニルスルホン酸、オレイルスルホン酸、リノール
スルホン酸、リルンスルホン酸等のスルホン酸と上記金
属との塩等が使用できる。

脂肪族アルコールとしては、セチルアルコール、ステア
リルアルコール等が使用テキる。

パリフィンとしては、ｎ−ノナデカン、ｎ−トリデカン
、ｎ−トコサン等の飽和炭化水素が使用できる。

シリコーンとしては、水素がアルキル基またはフェニル
基で部分置換されたポリシロキサン及びそれらを脂肪酸
、脂肪族アルコール、脂肪酸アミド等で変性したもの等
が使用できる。

さらには、先の磁性層表面に付着される潤滑剤層と同様
のカルボン酸パーフルオロアルキルエステルを含有する
潤滑剤を使用してもよい。

Ｃ作用〕 カルボン酸パーフルオロアルキルエステルを含む潤滑剤
層は、強磁性金属薄膜に付着し良好な潤滑作用を発揮し
て摩擦係数を低減する。特に、カルボン酸パーフルオロ
アルキルエステルは、低温下においても良好な潤滑効果
を発揮する。

〔実施例〕

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。

先ず、以下の合成例にしたがってカルボン酸パーフルオ
ロアルキルエステルを合成した。

企戊桝上 市販のオレイン酸、リノール酸、リルン酸。

ミリスチン酸、バルミチン酸をそれぞれ五塩化リン（Ｐ
ＣＩｓ）あるいは塩化チオニル（ＳＯＣｌ２）で塩素化
し、相当するカルボン酸クロライドを得た。なお、ブタ
ン酸クロライドは市販のものを使用した。

一方、ペンタデカフルオロオクタン酸あるいはノナデカ
フルオロデカン酸をジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）を
触媒として塩化チオニル（ＳＯＣ！□）で塩素化した後
、水素化リチウムアルミニウムで還元してペンタデカフ
ルオロ−１−オクタツール及びノナデカフルオロ−１−
デカノールを合成した。

次いで、上記ペンタデカフルオロ−１−オクタツールあ
るいはノナデカフルオロ−１−デカノールをトリエチル
アミンとともにクロロホルムに？８解させ、水冷下で先
に合成したカルボン酸りロラ第１込 イトのいずれか１種を３０分かけて滴下した。滴下終了
後、−晩常温で攪拌した。これを水、５％希塩酸、Ｎ　
ａ　ＨＣＯ３水溶液、水の順で洗浄した後、真空蒸留し
て精製した。

以上の合成方法に従い、カルボン酸クロライドの種類を
変えて、化合物１〜化合物８を合成した。

得られた化合物の沸点及び収率を第１表に示す。

（以下余白） 生成物の確認は、赤外分光分析（Ｉ　Ｒ）及び質量分析
（ＭＡＳＳ）によって行った。例えばオレイン酸ペンタ
デカフルオロオクチルエステルの場合には、１３６０〜
１１００ｃｍ−’にかけてＣＦ結合特有の吸収が見られ
ること、１７６０ｃｍ−’にエステルのＣ−Ｏの吸収が
見られること、３０２゜ｃｌｎ−１及び２９３０ｃｎ＋
弓にＣＨの伸縮振動による吸収が見られること、等から
確認した。また質量分析によるマススペクトルで、６６
４の分子イオンピークＭ１が存在することも、この構造
を支持している。なお、上記質量分析は、日本電子社製
。

質量分析計ＤＸ３０３を用いて行い、ガスクロマトグラ
フにより単一成分であることを確認してから測定した。

介虞桝主 先の合成例１の合成方法に従い、カルボン酸クロライド
及びパーフルオロアルニ！−ルの種類を変えて、化合物
９〜化合物１７を合成した。得られた化合物の構造式を
第２表に示す。

第２表 （以下余白） 実施例１ １４μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに斜
め蒸着法によりＣＯを被着させ、膜厚１０００人の強磁
性金属薄膜を形成した。

次に、この強磁性金属薄膜表面に、第１表に示すカルボ
ン酸パーフルオロアルキルエステル（先の合成例で合成
した化合物１）０．４８ｇを８００ｇのフレオンに溶解
した溶液を塗布し、８龍幅に裁断してサンプルテープを
作製した。

実　　１２〜　施　１１７ カルボン酸パーフルオロアルキルエステルとして先の第
１表及び第２表に示す化合物２〜化合物１７を用い、他
は実施例１と同様の方法によりサンプルテープを作製し
た。

作製された各サンプルテープについて、温度２５℃、相
対湿度（ＲＨ）５０％、および−５°Ｃの各条件下での
動摩擦係数及びシャトル耐久性を測定した。この動摩擦
係数は、材質がステンレス（ＳＵＳ３０４）のガイドピ
ンを用い、一定のテンションをかけ５１ＩＩＩｎ／ｓｅ
ｃの速度で送り、試験したものである。また、シャトル
耐久性は、１回につき２分間のシャトル走行を行い、出
力が一３ｄＢ低下までのシャトル回数で評価した。スチ
ル耐久性はポーズ状態での出力の一３ｄＢまでの減衰時
間を評価した。なお、比較例として、全く潤滑剤を被着
しないブランクテープについても測定した。

結果を第３表（１）及び第３表（２）に示す。

（以下余白） 第３表（１） 第３表（２） ４に の表からも明らかなように、本発明の各実施例は、常温
、低温の各条件下で動摩擦係数が小さく、走行が極めて
安定しており、また１００回往復走行後もテープ表面の
損傷は全く見られなかった。また、耐久性も極めて良く
、１５０回シャトル走行を行っても出力の一３ｄＢ低下
は見られなかった。これに対して、潤滑剤層のない比較
例のテープでは、摩擦係数が往復走行回数が多くなるに
つれて大となり、走行も不安定でテープの摩耗が見られ
、耐久性も悪いものであった。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
強磁性金属’ｉｉ！膜型の磁気記録媒体の潤滑剤として
カルボン酸パーフルオロアルキルエステルを用いている
ので、如何なる温度条件下においても動摩擦係数を小さ
くすることができ、走行安定性や耐摩耗性に優れた磁気
記録媒体とすることができる。

特に、カルボン酸パーフルオロアルキルエステ４フ ルの凝固点温度が低いことから、低温下での使用時に効
果が大きい。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性
   金属薄膜上にカルボン酸パーフルオロアルキルエステル
   を被着したことを特徴とする磁気記録媒体。