JPS6038729A - 磁気記憶体 - Google Patents

磁気記憶体

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Publication number
JPS6038729A
JPS6038729A JP58145392A JP14539283A JPS6038729A JP S6038729 A JPS6038729 A JP S6038729A JP 58145392 A JP58145392 A JP 58145392A JP 14539283 A JP14539283 A JP 14539283A JP S6038729 A JPS6038729 A JP S6038729A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
magnetic
magnetic storage
alkoxysilane
storage medium
lubricant
Prior art date
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Pending
Application number
JP58145392A
Other languages
English (en)
Inventor
Masahiro Yanagisawa
雅広 柳沢
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
NEC Corp
Original Assignee
NEC Corp
Nippon Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by NEC Corp, Nippon Electric Co Ltd filed Critical NEC Corp
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Publication of JPS6038729A publication Critical patent/JPS6038729A/ja
Pending legal-status Critical Current

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    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
    • G11B5/725—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing a lubricant, e.g. organic compounds
    • G11B5/7253—Fluorocarbon lubricant
    • G11B5/7257—Perfluoropolyether lubricant
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
    • G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
    • G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
    • G11B5/726—Two or more protective coatings
    • G11B5/7262—Inorganic protective coating

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Lubricants (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Magnetic Record Carriers (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は磁気ディスク装置又は磁気ドラム装置等の磁気
記憶装置に用いられる磁気記憶体に関する。
高密度磁気ディスク装置の高密度化をはかる為に磁気ヘ
ッド（以下ヘッドと呼ぶ）と磁気記憶体との間隔（以下
スペーシングと呼ぶ）を小さくする必要がある。
近年スペーシングを小さくする方法として、浮揚面積の
小さい磁気ヘッドを使用した接触始動・停止型（以下Ｃ
ＳＳと呼ぶ）の磁気ディスク装置が用いられているが、
そこで使用される磁気記憶体は多数回のＣＳＳの繰り返
しによって傷つき記憶データの損失を招くことがしばし
ば生じる。耐擦傷性を増すために従来からシリコーンオ
イルあるいはバー７０ロアルキルポリエーテルなどの種
々の潤滑剤が提案されてきたが、いずれも十分耐擦傷性
を満足するものはなかった。これは下地と強く反応する
潤滑剤でない為にヘッドと磁気記憶体間に働く相互作用
を十分にしゃ断出来ず、摩擦力が大きいことが主なる原
因である。
本発明の目的は上記欠点を除去し、潤滑層の下地体が酸
化鉄、酸化コバルト、樹脂などの不活性な物質であって
も低い摩擦力と十分な耐擦傷性を有する磁気記憶体を提
供することにある。
ジシランが被覆され、この上に潤滑剤が被覆されている
構造を有している。
次に図面を参照して本発明について説明する。
第１図は本発明の磁気記憶体の部分断面図である。第１
図において磁気記憶体の下地体１はアルミ合金、Ｎ１−
Ｐメッキ膜、陽極酸化アルマイト等が用いられ、該下地
体ｌ上に被覆される磁気記憶媒体２はＦｅ　、　Ｃｏ　
、　Ｎｉなどの磁性金属微粒子又は磁性酸化鉄又は磁性
酸化クロム微粒子を含む樹脂あるいはＣｏ　−Ｎｉ　−
Ｐ　、　Ｃｏ−Ｃｒ　、　Ｃｏ−Ｐｔなどのコバルトを
含む金属磁性簿膜あるいはγ−Ｆｅ２０Ｂ　。
Ｆｅ３０４ｅバリウムフエライトなどの金属酸化物磁性
薄膜が用いられる。該磁気記憶媒体２の上に脂肪族炭化
水素アルコキシシラン３が被覆されている。該アルコキ
シシランは次の一般式で表わせる。
ＣｎＨ２ｎ５１　８ｉ（ＯＲ）３ ここでれは５以上である。またＲはＣＨ８，Ｃ２Ｈ，。
Ｃ，Ｈ７である。
該アルコキシシランは磁気記憶媒体２と非常に強く反応
し、強固なせん耐強度を有するしゃ断層を形成する。該
アルコキシシラン３上に潤滑剤４が被覆される。ここで
重いる潤滑剤はパーフロロアルキル　ポリエーテル、テ
トラフロロエチレンテロマー、パーフロロアルキルカル
ボン酸、パーフロ日アルキルアルコール、パーフロロア
ルキルエステルなどのパーフロロ化合物あるいは脂肪酸
。
脂肪アルコール、脂肪酸エステル、脂肪族アミン。
脂肪酸アミドなどの炭化水素系化合物などあるいはシリ
コーンオイル、フロロシリコーンオイルなどのシリコー
ン系化合物を用いることが出来る。
第２図は本発明の別の磁気記憶体の部分断面図である。
第２図において下地体１．および磁気記憶媒体２．およ
び脂肪族炭化水素アルコキシシラン３と潤滑剤４は第１
図と同じであるが磁気記憶媒体２と前記アルコキシシラ
ン３０間に保護膜５が被覆されている。
該保護膜４は８ｉ０２などの非晶質無機酸化物、酸化コ
バルトなどの金属酸化物、　Ｗ、　Ｃｒ　、　Ｉｒ　、
　Ｒｎ。
Ｒｈ　、　Ｏｓなどの金属、Ｔｉｅ　、　ＴｉＮ　、　
Ｂ４Ｃ、ＳｉＣなどの金属炭化物あるいは窒化物が用い
られる。
いずれも前記アルコキシシラン３は強固にこれら保護膜
と反応する。
以下実施例によシさらに本発明の詳細な説明する。
実施例１ 下地体１としてアルミ合金円板上にγ−ｐ　ｅ２０３針
状粒子を含む樹脂゛からなる磁気記憶媒体２を被覆し、
該媒体２上に脂肪族炭化水素アルコキシシラン３として
オクタデシルトリエトキンシランを被覆し、該シラン３
上にパーフロロアルキルポリエーテルを潤滑剤４として
被覆して磁気ディスクを作った。
実施例２ 下地体１としてＮ１−Ｐメッキ膜を被覆したアルミ合金
円板上にＣｏ−Ｎ１−Ｐメッキ膜を磁気記憶媒体２とし
て被覆し該媒体２上に保護膜５として５ｉ０２を被覆し
た後、脂肪族炭化水素アルコキシシラン３としてトリア
コンチルトリエトキシシランを被覆し、該シラン３上に
潤滑剤４としてモノメリシン酸グリセリンエステルを被
覆して磁気ディスクを作っ′た。　′ 実施例３ 実施例２と同様にして但し保護膜４としてコノ（ルトー
燐をメッキにより被覆した後、硝酸で酸化焼成して酸化
コバルトを被覆して磁気ディスクを作った。
実施例４ 下地体１として陽極酸化アルマイト膜を被覆しだアルミ
合金円板上にγ−Ｆ　ｅ　２０　Ｂスノくツタ膜を磁気
記憶媒体２として被覆し該媒体２上に脂肪族炭化水素ア
ルコキシシラン３としてトコフルトリエトキシシランを
被覆し、該シラン３上に潤滑剤４としてパーフロロステ
アリン酸を塗布、被覆して磁気ディスクを作った。
以上実施例１〜４の磁気ディスクを用いて、磁気ヘッド
によシ２万回のＣ８８繰シ返しを行なった後、表面を観
察したところ、傷は皆無であった。
また摩擦係数も０．１２と低い値が得られた。
比較の為、脂肪族炭化水素アルコキシシランを被覆せず
に磁気記憶媒体上に直接あるいは保護膜を介して潤滑剤
としてパーフロロアルキルポリエーテルを被覆したもの
は２万回のＣＳＳ繰シ返し後、表面に傷が生じた。
また摩擦係数は０．８０と高い値を示しだ。
以上、本発明の磁気記憶体は信頼性を非常に高めること
ができることが分る。
【図面の簡単な説明】
第１図及び第２図は本発明の実施例で用いた磁気記憶体
の断面図である。 １は下地体、２は磁気記憶媒体、３は脂肪族炭化水素ア
ルコキシシラン、４は潤滑剤、５は保護膜である。 オ　１　図

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）磁気記憶媒体の上に直接あるいは保護膜を介して
    脂肪族炭化水素アルコキシシランが被覆され、さらにこ
    の上に潤滑剤が被覆された構造を有することを特徴とす
    る磁気記憶体。
  2. （２）潤滑剤が脂肪酸２．脂肪アルコール、脂・肪酸エ
    ステル、脂肪族アミン、又は脂肪酸アミドである特許請
    求の範囲ｉｉ項記載の磁気記憶体。
  3. （３）　潤滑剤がパー７０ロアルキルポリエーテル。 テトラ７０ロエチレンテロマー、パー７ｏｏアルキルカ
    ンボン酸、バーフロロアルキルアルコール。 又Ｕパー７０ロアルキルエステルである特許請求の範囲
    第１項記載の磁気記憶体。
JP58145392A 1983-08-09 1983-08-09 磁気記憶体 Pending JPS6038729A (ja)

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