JP3080482B2 - 磁気記録媒体 - Google Patents
磁気記録媒体Info
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- JP3080482B2 JP3080482B2 JP04219357A JP21935792A JP3080482B2 JP 3080482 B2 JP3080482 B2 JP 3080482B2 JP 04219357 A JP04219357 A JP 04219357A JP 21935792 A JP21935792 A JP 21935792A JP 3080482 B2 JP3080482 B2 JP 3080482B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- compound
- magnetic recording
- recording medium
- thin film
- hydrocarbon group
- Prior art date
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/62—Record carriers characterised by the selection of the material
- G11B5/72—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction
- G11B5/725—Protective coatings, e.g. anti-static or antifriction containing a lubricant, e.g. organic compounds
- G11B5/7253—Fluorocarbon lubricant
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/90—Magnetic feature
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Lubricants (AREA)
- Paints Or Removers (AREA)
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、強磁性金属薄膜を支持
体上に形成した磁気記録媒体に関し、とくに強磁性薄膜
上に防錆剤および潤滑剤を含有する保護層を形成した磁
気記録媒体に関し、磁性層上に有機フッ素化合物を含有
する潤滑層を有する磁気記録媒体に関する。
体上に形成した磁気記録媒体に関し、とくに強磁性薄膜
上に防錆剤および潤滑剤を含有する保護層を形成した磁
気記録媒体に関し、磁性層上に有機フッ素化合物を含有
する潤滑層を有する磁気記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気テープ、フロッピーディスク等の磁
気記録媒体には、強磁性粉末を潤滑剤、分散剤、結合剤
等からなる組成物中に分散した塗布液を支持体上に塗布
した塗布型の磁気記録媒体とともに、支持体上に強磁性
金属薄膜を、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレー
ティング等の成膜方法によって形成した金属薄膜型の磁
気記録媒体が使用されている。
気記録媒体には、強磁性粉末を潤滑剤、分散剤、結合剤
等からなる組成物中に分散した塗布液を支持体上に塗布
した塗布型の磁気記録媒体とともに、支持体上に強磁性
金属薄膜を、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレー
ティング等の成膜方法によって形成した金属薄膜型の磁
気記録媒体が使用されている。
【０００３】ハイビジョン方式の出現、記録方式のデジ
タル化等の技術動向により、近年、磁気記録媒体に対し
て高密度記録化の要求が益々強まっている。コバルト、
ニッケル等の強磁性金属あるいはこれらの合金からなる
強磁性薄膜を磁性層とする金属薄膜型磁気記録媒体は、
塗布型の磁気記録媒体のように磁性層中には結合剤等の
磁性体以外の物質を含まないために高密度記録用の磁気
記録媒体として最適である。ところが、金属薄膜型磁気
記録媒体は、金属薄膜表面が腐食し易く、腐食によって
電磁変換特性に悪影響を及ぼすので、保存安定性に問題
があり、また金属薄膜が薄くかつ表面が非常に平滑なの
で走行性及び耐久性が充分でないという実用上致命的な
欠陥があり問題であった。特に、ＶＴＲの普及にともな
い様々な環境条件で使用されるようになっており、高温
度・高湿度の環境下での金属薄膜の腐食を防止し、過酷
な環境条件で保存性を考慮する必要性が高まっている。
タル化等の技術動向により、近年、磁気記録媒体に対し
て高密度記録化の要求が益々強まっている。コバルト、
ニッケル等の強磁性金属あるいはこれらの合金からなる
強磁性薄膜を磁性層とする金属薄膜型磁気記録媒体は、
塗布型の磁気記録媒体のように磁性層中には結合剤等の
磁性体以外の物質を含まないために高密度記録用の磁気
記録媒体として最適である。ところが、金属薄膜型磁気
記録媒体は、金属薄膜表面が腐食し易く、腐食によって
電磁変換特性に悪影響を及ぼすので、保存安定性に問題
があり、また金属薄膜が薄くかつ表面が非常に平滑なの
で走行性及び耐久性が充分でないという実用上致命的な
欠陥があり問題であった。特に、ＶＴＲの普及にともな
い様々な環境条件で使用されるようになっており、高温
度・高湿度の環境下での金属薄膜の腐食を防止し、過酷
な環境条件で保存性を考慮する必要性が高まっている。
【０００４】一方、走行性・耐久性に関しては、金属薄
膜の表面に、フッ素系化合物を含有する潤滑剤層を形成
する手段が有効であり、なかでも特に極性基を有する化
合物は磁性層表面に強固に付着するので、潤滑保護層と
して安定な層を作り有効であった。パーフルオロアルキ
ル基を含む有機フッ素化合物は、疎水性であると同時に
疎油性の性質も有しており、水および油中においても界
面活性剤としての性質を発揮することはよく知られてい
る。また、表面エネルギーを低下させる特性も有してお
り、これらの性質を利用して有機フッ素化合物を塗布し
て材料の滑り性や潤滑性を改善することが行われてい
る。
膜の表面に、フッ素系化合物を含有する潤滑剤層を形成
する手段が有効であり、なかでも特に極性基を有する化
合物は磁性層表面に強固に付着するので、潤滑保護層と
して安定な層を作り有効であった。パーフルオロアルキ
ル基を含む有機フッ素化合物は、疎水性であると同時に
疎油性の性質も有しており、水および油中においても界
面活性剤としての性質を発揮することはよく知られてい
る。また、表面エネルギーを低下させる特性も有してお
り、これらの性質を利用して有機フッ素化合物を塗布し
て材料の滑り性や潤滑性を改善することが行われてい
る。
【０００５】例えば、パーフルオロポリエーテル鎖の中
心に、−ＣＯＣＯ−、−ＳＳ−を有する潤滑剤が特開平
３−１０２６１４号に記載されているが、これらは−Ｃ
ＯＣＯ−や−ＳＳ−を有しており、磁気記録媒体および
薄膜ヘッドの腐食性の問題がある。パーフルオロアルキ
ル基−アルキル基−極性基の単分子層を強磁性金属薄膜
上に形成することが特開昭６４−７２３１３号に記載さ
れているが、ラングミュアブロージェット（ＬＢ）膜に
よる単分子膜の生成は生産性が悪い。さらに、μ値、ス
チル耐久性、保存性が劣っている。
心に、−ＣＯＣＯ−、−ＳＳ−を有する潤滑剤が特開平
３−１０２６１４号に記載されているが、これらは−Ｃ
ＯＣＯ−や−ＳＳ−を有しており、磁気記録媒体および
薄膜ヘッドの腐食性の問題がある。パーフルオロアルキ
ル基−アルキル基−極性基の単分子層を強磁性金属薄膜
上に形成することが特開昭６４−７２３１３号に記載さ
れているが、ラングミュアブロージェット（ＬＢ）膜に
よる単分子膜の生成は生産性が悪い。さらに、μ値、ス
チル耐久性、保存性が劣っている。
【０００６】特公平３−１９６０２号、特開昭５４−７
９３６６号には、−ＳＯ3 Ｎａ、−ＳＯ3 Ｋ、−ＳＯ3
Ｈ、−ＣＯＯＨ等を有するフッ素系炭化水素化合物から
なる潤滑剤について記載されているが、μ値、スチル耐
久性、保存性が劣っている。また、特開平３−２４１５
２４号、特開昭６２−９２２２７号には、フルオロアル
キル基と脂肪族アルキル基を有する化合物を強磁性金属
薄膜上へ塗布することが記載されているが、これらのも
のはアルキル基の導入によって、イソプロパノールによ
る塗布が可能となったが、μ値、スチル耐久性、保存性
が不十分であった。
９３６６号には、−ＳＯ3 Ｎａ、−ＳＯ3 Ｋ、−ＳＯ3
Ｈ、−ＣＯＯＨ等を有するフッ素系炭化水素化合物から
なる潤滑剤について記載されているが、μ値、スチル耐
久性、保存性が劣っている。また、特開平３−２４１５
２４号、特開昭６２−９２２２７号には、フルオロアル
キル基と脂肪族アルキル基を有する化合物を強磁性金属
薄膜上へ塗布することが記載されているが、これらのも
のはアルキル基の導入によって、イソプロパノールによ
る塗布が可能となったが、μ値、スチル耐久性、保存性
が不十分であった。
【０００７】上記潤滑剤を磁気記録層に塗布することの
他に、例えばパーフルオロアルキルポリエーテルおよび
その誘導体（特開昭６０−６１９１８号、特開昭６１−
１０７５２８号、米国特許第３７７８３０８号、特公昭
６０−１０３６８号、米国特許第４８９７２１１号等）
を使用することが記載されているが、これらのフッ素系
有機化合物の潤滑剤は、テープが摺動する相手部材との
低速の摩擦係数は高く不十分でありかつ保存性について
も亜硫酸ガス等の酸性ガス腐食については磁性層離脱を
起こし、実用に耐え得る磁気記録媒体とはなり得ない。
また上記の潤滑剤の多くは、アセトン、メチルエチルケ
トン、酢酸エチル、アルコール類、トルエン等の通常の
炭化水素系の有機溶剤には溶解せず、塗布に当たっては
フッ素系の有機溶剤を使用する必要があった。ところ
が、フッ素系有機溶剤は高価であり、オゾン層破壊の問
題を起こしたり、作業環境の悪化をおこしたりして極め
て生産適性のないものである。
他に、例えばパーフルオロアルキルポリエーテルおよび
その誘導体（特開昭６０−６１９１８号、特開昭６１−
１０７５２８号、米国特許第３７７８３０８号、特公昭
６０−１０３６８号、米国特許第４８９７２１１号等）
を使用することが記載されているが、これらのフッ素系
有機化合物の潤滑剤は、テープが摺動する相手部材との
低速の摩擦係数は高く不十分でありかつ保存性について
も亜硫酸ガス等の酸性ガス腐食については磁性層離脱を
起こし、実用に耐え得る磁気記録媒体とはなり得ない。
また上記の潤滑剤の多くは、アセトン、メチルエチルケ
トン、酢酸エチル、アルコール類、トルエン等の通常の
炭化水素系の有機溶剤には溶解せず、塗布に当たっては
フッ素系の有機溶剤を使用する必要があった。ところ
が、フッ素系有機溶剤は高価であり、オゾン層破壊の問
題を起こしたり、作業環境の悪化をおこしたりして極め
て生産適性のないものである。
【０００８】さらに、腐食についてはフッ素系化合物で
は充分でなく、特に極性基が導入されたものは好ましく
ない。とくにスルホン基のように極性が強いものほど逆
に腐食には好ましくないということがあった。強磁性金
属薄膜の防錆手段としては、強磁性金属薄膜上に酸化物
の薄膜を形成する方法があるが、磁気特性を低下させる
とともに、ヘッドと磁性層との距離を増大させ電磁変換
特性も低下させるという問題があった。そこで、潤滑剤
と防錆剤を併用する各種の方法が提案されている。例え
ば、特開昭６１−８２３２４号公報には、メルカプト基
を有する化合物を防錆剤とする強磁性金属薄膜型の磁気
記録媒体が示されており、チオフェノール、チオウラシ
ルをはじめとする化合物が挙げられており、防錆剤層と
ともにフッ素系界面活性剤等を潤滑剤として併用するこ
とも記載されているが、これらの防錆剤層によっては必
ずしも十分な防錆効果を得ることができなかった。
は充分でなく、特に極性基が導入されたものは好ましく
ない。とくにスルホン基のように極性が強いものほど逆
に腐食には好ましくないということがあった。強磁性金
属薄膜の防錆手段としては、強磁性金属薄膜上に酸化物
の薄膜を形成する方法があるが、磁気特性を低下させる
とともに、ヘッドと磁性層との距離を増大させ電磁変換
特性も低下させるという問題があった。そこで、潤滑剤
と防錆剤を併用する各種の方法が提案されている。例え
ば、特開昭６１−８２３２４号公報には、メルカプト基
を有する化合物を防錆剤とする強磁性金属薄膜型の磁気
記録媒体が示されており、チオフェノール、チオウラシ
ルをはじめとする化合物が挙げられており、防錆剤層と
ともにフッ素系界面活性剤等を潤滑剤として併用するこ
とも記載されているが、これらの防錆剤層によっては必
ずしも十分な防錆効果を得ることができなかった。
【０００９】特開昭６４−８２３２４号公報には、コバ
ルトを主成分とする強磁性金属薄膜の表面に、ベンゾト
リアゾール等の窒素含有複素環化合物の防錆剤層を形成
することが記載されているが、防錆効果は十分なもので
はなく潤滑剤との相乗効果についても記載されていな
い。
ルトを主成分とする強磁性金属薄膜の表面に、ベンゾト
リアゾール等の窒素含有複素環化合物の防錆剤層を形成
することが記載されているが、防錆効果は十分なもので
はなく潤滑剤との相乗効果についても記載されていな
い。
【００１０】特開昭５８−１９４１３３号公報には、酸
素を含む強磁性金属薄膜上に窒素原子を１個以上含む複
素環とフェノール性水酸基を有する化合物からなる防錆
剤層を形成した磁気記録媒体が記載されており、防錆剤
としてピリジルアゾレゾルシン、ピリジルアゾナフトー
ル、キノリノール、キノリンジオール、キヌレン酸が具
体的に開示されているが、これらの化合物では十分な防
錆効果、走行性、耐久性が確保できなかった。
素を含む強磁性金属薄膜上に窒素原子を１個以上含む複
素環とフェノール性水酸基を有する化合物からなる防錆
剤層を形成した磁気記録媒体が記載されており、防錆剤
としてピリジルアゾレゾルシン、ピリジルアゾナフトー
ル、キノリノール、キノリンジオール、キヌレン酸が具
体的に開示されているが、これらの化合物では十分な防
錆効果、走行性、耐久性が確保できなかった。
【００１１】特開昭５８−１９４１３５号公報には、酸
素含有強磁性金属薄膜に窒素を１個以上含有する複素環
を有する防錆剤層を付着させることが記載されている
が、フェノール性ＯＨ基を有する化合物やフッ素系潤滑
剤とを併用することについては記載されていない。
素含有強磁性金属薄膜に窒素を１個以上含有する複素環
を有する防錆剤層を付着させることが記載されている
が、フェノール性ＯＨ基を有する化合物やフッ素系潤滑
剤とを併用することについては記載されていない。
【００１２】特開昭６１−２８４８２２号公報には、強
磁性金属薄膜の表面に酸化被膜を形成し、さらにその上
にトリアジンジチオールを含有する保護層を形成した磁
気記録媒体が記載されている。防錆効果やフッ素系潤滑
剤とを併用することについては記載されていない。ま
た、特開昭５８−１８９８３５号公報には、強磁性金属
薄膜上に防錆剤の吸着層を設け、吸着層上に潤滑剤層を
設けることが記載されており、防錆剤としては、アルキ
ルアミン、アルキルフォスフェート、二価フェノール、
ジアリールケトン、アルキルフェノール、ナフトール、
キノン、ニトロソ化合物等が具体的に開示されている
が、これらの防錆剤では十分な防錆効果を得ることはで
きなかった。また、潤滑剤には脂肪酸、脂肪酸エステ
ル、脂肪酸アミド、パーフルオロアルキルカルボン酸お
よびスルホン酸、パーフルオロアルキル脂肪酸エステル
などのフッ素系界面活性剤が開示されているが十分な摩
擦低減効果は得られなかった。また、防錆剤とフッ素系
の潤滑剤を併用した場合には、互いに金属薄膜上での吸
着を阻害し合うためか各々の機能を充分に発揮できない
という問題があった。以上のように、高密度記録用磁気
記録媒体として最適な強磁性金属薄膜を磁性層とする金
属薄膜型磁気記録媒体の実用特性上の問題点である走行
性、耐久性を改良して、同時に保存安定性を改良する有
効な手段は未だ提案されていない。
磁性金属薄膜の表面に酸化被膜を形成し、さらにその上
にトリアジンジチオールを含有する保護層を形成した磁
気記録媒体が記載されている。防錆効果やフッ素系潤滑
剤とを併用することについては記載されていない。ま
た、特開昭５８−１８９８３５号公報には、強磁性金属
薄膜上に防錆剤の吸着層を設け、吸着層上に潤滑剤層を
設けることが記載されており、防錆剤としては、アルキ
ルアミン、アルキルフォスフェート、二価フェノール、
ジアリールケトン、アルキルフェノール、ナフトール、
キノン、ニトロソ化合物等が具体的に開示されている
が、これらの防錆剤では十分な防錆効果を得ることはで
きなかった。また、潤滑剤には脂肪酸、脂肪酸エステ
ル、脂肪酸アミド、パーフルオロアルキルカルボン酸お
よびスルホン酸、パーフルオロアルキル脂肪酸エステル
などのフッ素系界面活性剤が開示されているが十分な摩
擦低減効果は得られなかった。また、防錆剤とフッ素系
の潤滑剤を併用した場合には、互いに金属薄膜上での吸
着を阻害し合うためか各々の機能を充分に発揮できない
という問題があった。以上のように、高密度記録用磁気
記録媒体として最適な強磁性金属薄膜を磁性層とする金
属薄膜型磁気記録媒体の実用特性上の問題点である走行
性、耐久性を改良して、同時に保存安定性を改良する有
効な手段は未だ提案されていない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題点に鑑み、金属薄膜型磁気記録媒体の走行性、
耐久性、耐久性および保存性に優れた薄膜金属型磁気記
録媒体を提供し、薄膜金属型媒体の持つ高密度磁気記録
特性とコンパクト性を十分に発揮し、高記録密度の磁気
記録媒体を提供することにある。
術の問題点に鑑み、金属薄膜型磁気記録媒体の走行性、
耐久性、耐久性および保存性に優れた薄膜金属型磁気記
録媒体を提供し、薄膜金属型媒体の持つ高密度磁気記録
特性とコンパクト性を十分に発揮し、高記録密度の磁気
記録媒体を提供することにある。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明は、非磁性支持体
上に強磁性金属薄膜を有する磁気記録媒体において、炭
化水素基を有するチオウラシル環化合物の少なくとも１
種と炭化水素基を含有したフッ素系化合物の少なくとも
１種を含む保護層を前記強磁性金属薄膜上に有する磁気
記録媒体であり、また非磁性支持体上に強磁性金属薄膜
を有する磁気記録媒体において、テトラザインデン環化
合物の少なくとも１種と炭化水素基を含有したフッ素系
化合物の少なくとも１種を含む保護層を前記強磁性金属
薄膜上に有する磁気記録媒体である。本発明の炭化水素
基を有するチオウラシル環化合物が下記の一般式（１）
で表されるものであり、
上に強磁性金属薄膜を有する磁気記録媒体において、炭
化水素基を有するチオウラシル環化合物の少なくとも１
種と炭化水素基を含有したフッ素系化合物の少なくとも
１種を含む保護層を前記強磁性金属薄膜上に有する磁気
記録媒体であり、また非磁性支持体上に強磁性金属薄膜
を有する磁気記録媒体において、テトラザインデン環化
合物の少なくとも１種と炭化水素基を含有したフッ素系
化合物の少なくとも１種を含む保護層を前記強磁性金属
薄膜上に有する磁気記録媒体である。本発明の炭化水素
基を有するチオウラシル環化合物が下記の一般式（１）
で表されるものであり、
【００１５】
【化４】
【００１６】ただし、Ｒは炭化水素基であり、とくに炭
素数が３以上の炭化水素基であることが好ましく、ま
た、炭化水素基はアルキル基、アルコキシル基、アルキ
ルアミド基等の置換基を有するものであってもよい。
素数が３以上の炭化水素基であることが好ましく、ま
た、炭化水素基はアルキル基、アルコキシル基、アルキ
ルアミド基等の置換基を有するものであってもよい。
【００１７】また、チオウラシル環に結合する炭化水素
基の炭素数が３よりも小さいと、溶剤への溶解性が低
く、さらに大気との接触を防止するバリアー性が小さく
防錆効果も小さいので好ましくない。とくに好ましくは
炭素数が５〜２０のアルキル基である。また、防錆剤と
してテトラザインデン環化合物を使用する場合には、以
下に示す化合物が好ましく、
基の炭素数が３よりも小さいと、溶剤への溶解性が低
く、さらに大気との接触を防止するバリアー性が小さく
防錆効果も小さいので好ましくない。とくに好ましくは
炭素数が５〜２０のアルキル基である。また、防錆剤と
してテトラザインデン環化合物を使用する場合には、以
下に示す化合物が好ましく、
【００１８】
【化５】
【００１９】ただし、Ｒは置換されていても良い炭化水
素基であり、炭素数が３以上２６以下であることが好ま
しく、さらに好ましくは５以上２０以下である。具体的
には、Ｃ6 Ｈ13−、Ｃ9 Ｈ19−、Ｃ17Ｈ35−等のアルキ
ル基、ＲＯＣＯＣＨ2 −で表されるアルコキシル基、Ｒ
にはＣ3 Ｈ7 −、Ｃ6 Ｈ13−、フェニルが好ましい。ま
た、ＲＮＨＣＯで表されるアルキルアミドの場合には、
Ｒはフェニル、Ｃ3 Ｈ7 −であるアルキルアミド基であ
ることが好ましい。
素基であり、炭素数が３以上２６以下であることが好ま
しく、さらに好ましくは５以上２０以下である。具体的
には、Ｃ6 Ｈ13−、Ｃ9 Ｈ19−、Ｃ17Ｈ35−等のアルキ
ル基、ＲＯＣＯＣＨ2 −で表されるアルコキシル基、Ｒ
にはＣ3 Ｈ7 −、Ｃ6 Ｈ13−、フェニルが好ましい。ま
た、ＲＮＨＣＯで表されるアルキルアミドの場合には、
Ｒはフェニル、Ｃ3 Ｈ7 −であるアルキルアミド基であ
ることが好ましい。
【００２０】Ｒの炭素数が３よりも小さいと溶解性が低
下するので、磁気記録媒体に適用しがたくなるし、また
防錆効果も小さくなるので好ましくない。テトラザイン
デン環は、従来公知の防錆剤に比較して、Ｎ原子が持つ
ｎ電子、複素環のπ電子の電子密度が高くこのため磁性
層表面への吸着能が大きい。これによって錆発生の原因
となる磁性層表面の活性点に吸着する。吸着した形態は
複素環が磁性層表面に平行になって複素環が磁性層表面
を覆っているのではないかと推定される。一方、炭化水
素置換基は、バリヤー性をより一層高めて、磁性層の強
磁性金属薄膜と大気との接触を防止するので、防錆効果
が高くなると推定される。
下するので、磁気記録媒体に適用しがたくなるし、また
防錆効果も小さくなるので好ましくない。テトラザイン
デン環は、従来公知の防錆剤に比較して、Ｎ原子が持つ
ｎ電子、複素環のπ電子の電子密度が高くこのため磁性
層表面への吸着能が大きい。これによって錆発生の原因
となる磁性層表面の活性点に吸着する。吸着した形態は
複素環が磁性層表面に平行になって複素環が磁性層表面
を覆っているのではないかと推定される。一方、炭化水
素置換基は、バリヤー性をより一層高めて、磁性層の強
磁性金属薄膜と大気との接触を防止するので、防錆効果
が高くなると推定される。
【００２１】さらに、本発明の磁気記録媒体は、炭化水
素基を結合したチオウラシル環化合物あるいはテトラザ
インデンからなる防錆剤とフッ素系化合物を潤滑剤とし
て併用することによって、走行性、耐久性、保存性を高
めることが可能となる。
素基を結合したチオウラシル環化合物あるいはテトラザ
インデンからなる防錆剤とフッ素系化合物を潤滑剤とし
て併用することによって、走行性、耐久性、保存性を高
めることが可能となる。
【００２２】本発明に使用することができるフッ素系化
合物には、パーフルオロアルキル基を有するカルボン
酸、アルコールおよびアンモニウム塩、パーフルオロア
ルキルアルキレン基を有するカルボン酸、アルコールお
よびアンモニウム塩、ＣＦ3 −（ＣＦＲｆＣＦ2 −Ｏ）
n −ＣＦ2 ＣＦ3 で表されるパーフルオロポリエーテ
ル、とくに末端がカルボキシル基、水酸基などで変性さ
れているものが好ましく、ここでＲｆはＣＦ3 、Ｆであ
り、分子量は１０００〜２００００好ましくは２５００
ないし１００００であり、クライトックスＫ１４３Ａ
Ｚ、クライトックスＫ１５７ＦＳＬ（デュポン社製）、
ＦＯＭＢＬＩＮ ＡＭ２００１（モンテフルオス社
製）、ＤＥＭＮＵＭ ＳＹ（ダイキン工業製）等を挙げ
ることができる。
合物には、パーフルオロアルキル基を有するカルボン
酸、アルコールおよびアンモニウム塩、パーフルオロア
ルキルアルキレン基を有するカルボン酸、アルコールお
よびアンモニウム塩、ＣＦ3 −（ＣＦＲｆＣＦ2 −Ｏ）
n −ＣＦ2 ＣＦ3 で表されるパーフルオロポリエーテ
ル、とくに末端がカルボキシル基、水酸基などで変性さ
れているものが好ましく、ここでＲｆはＣＦ3 、Ｆであ
り、分子量は１０００〜２００００好ましくは２５００
ないし１００００であり、クライトックスＫ１４３Ａ
Ｚ、クライトックスＫ１５７ＦＳＬ（デュポン社製）、
ＦＯＭＢＬＩＮ ＡＭ２００１（モンテフルオス社
製）、ＤＥＭＮＵＭ ＳＹ（ダイキン工業製）等を挙げ
ることができる。
【００２３】さらに、特開昭６２−２３６１１９号公報
に記載のカルボン酸パーフルオロアルキルエステル、特
開昭５３−５７００４号公報に記載の親油部と親水部の
長さの比率が特定されたフッ素系化合物、特開昭５５−
１４４０７９号公報に記載のフッ素系のカチオンおよび
両性界面活性剤、特開昭５８−２９１４７号公報に記載
の極性基を含有するフッ素系炭化水素、特開昭６１−２
５３６３４号公報に記載の親水基を結合したパーフルオ
ロ化合物、特開昭６３−２８１２１８号公報に記載のセ
ミフルオロ化合物とパーフルオロポリエーテルからなる
フッ素系化合物、特開昭６４−７１３１３号公報に記載
の極性基含有のパーフルオロアルキル基の単分子層から
なるフッ素系化合物、特開平２−１９９６２１号に記載
のパーフルオロアルキルカルボン酸等を挙げることがで
きる。
に記載のカルボン酸パーフルオロアルキルエステル、特
開昭５３−５７００４号公報に記載の親油部と親水部の
長さの比率が特定されたフッ素系化合物、特開昭５５−
１４４０７９号公報に記載のフッ素系のカチオンおよび
両性界面活性剤、特開昭５８−２９１４７号公報に記載
の極性基を含有するフッ素系炭化水素、特開昭６１−２
５３６３４号公報に記載の親水基を結合したパーフルオ
ロ化合物、特開昭６３−２８１２１８号公報に記載のセ
ミフルオロ化合物とパーフルオロポリエーテルからなる
フッ素系化合物、特開昭６４−７１３１３号公報に記載
の極性基含有のパーフルオロアルキル基の単分子層から
なるフッ素系化合物、特開平２−１９９６２１号に記載
のパーフルオロアルキルカルボン酸等を挙げることがで
きる。
【００２４】フッ素系化合物には、とくに下記の一般式
（３）、（４）および（５）から選ばれた１種以上の化
合物であることが好ましい。 一般式（３） ＣＦ3（ＣＦ2）m（ＣＨ２）n−（Ｙ）k−Ｒ−Ｘ 一般式（４） （ＣＦ3）2ＣＦ（ＣＦ2）m（ＣＨ2）n−（Ｙ）k−Ｒ−
Ｘ ただし、ｍは２〜１２の整数、ｎは０〜１２の整数、ｋ
は０または１ Ｒは 炭素数０〜１２の飽和または不飽和のアルキレン
基 ｎとＲの炭素数の和は、２以上。Ｙは−ＯＣＯ−、−Ｃ
ＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ−から選ばれ、Ｘは−Ｏ
Ｈ、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ3Ｍ、−ＯＳＯ3Ｍ、−ＯＰＯ3
Ｍ2、ＰＯ3Ｍ2から選ばれる。また、Ｍは水素原子、ア
ルカリ金属、アンモニウムから選ばれる。
（３）、（４）および（５）から選ばれた１種以上の化
合物であることが好ましい。 一般式（３） ＣＦ3（ＣＦ2）m（ＣＨ２）n−（Ｙ）k−Ｒ−Ｘ 一般式（４） （ＣＦ3）2ＣＦ（ＣＦ2）m（ＣＨ2）n−（Ｙ）k−Ｒ−
Ｘ ただし、ｍは２〜１２の整数、ｎは０〜１２の整数、ｋ
は０または１ Ｒは 炭素数０〜１２の飽和または不飽和のアルキレン
基 ｎとＲの炭素数の和は、２以上。Ｙは−ＯＣＯ−、−Ｃ
ＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ−から選ばれ、Ｘは−Ｏ
Ｈ、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ3Ｍ、−ＯＳＯ3Ｍ、−ＯＰＯ3
Ｍ2、ＰＯ3Ｍ2から選ばれる。また、Ｍは水素原子、ア
ルカリ金属、アンモニウムから選ばれる。
【００２５】
【化６】
【００２６】Ｒ1 は、ＦもしくはＣＦ3 、ｎは、１０〜
１００の整数。Ｘは−Ｃ2 Ｆ5 、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、
−ＳＯ3 Ｍ、−ＯＰＯ3 Ｍ2 、−ＰＯ3 Ｍ2 から選ばれ
る１価の基。また、Ｍは水素原子、アルカリ金属、アン
モニウムから選ばれる。
１００の整数。Ｘは−Ｃ2 Ｆ5 、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、
−ＳＯ3 Ｍ、−ＯＰＯ3 Ｍ2 、−ＰＯ3 Ｍ2 から選ばれ
る１価の基。また、Ｍは水素原子、アルカリ金属、アン
モニウムから選ばれる。
【００２７】さらに好ましくは、一般式（３）および
（４）においてｍは４〜１０の整数、ｎは２〜８の整
数、Ｒは炭素数１〜６の飽和または不飽和のアルキレン
基、Ｙは、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｏ−であり、Ｘ
は−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ3Ｍ、Ｍは水素原子、ア
ルカリ金属である。一般式（３）および（４）で表され
る化合物を使用した場合、防錆剤の方の炭化水素基は、
バリヤー性をより一層高め大気との接触を防止するのに
効果があり、ともに使用されるフッ素系化合物の炭化水
素鎖と相互作用があるのでフッ素系化合物と均一な保護
層を強磁性金属薄膜表面に形成し、発錆の原因となる物
質から磁性層を保護しているものと考えられる。特に、
前記のフッ素系化合物と併用することによりフッ素系化
合物が有する撥水性撥油性によって汚染物質に対しての
保護効果が一層強まると思われる。さらに、テトラザイ
ンデン環化合物が磁性層に強固に吸着しているのでフッ
素系化合物の脱離も防止され、磁気記録媒体を繰り返し
使用しても走行耐久性が維持されるものと考えられる。
（４）においてｍは４〜１０の整数、ｎは２〜８の整
数、Ｒは炭素数１〜６の飽和または不飽和のアルキレン
基、Ｙは、−ＯＣＯ−、−ＣＯＯ−、−Ｏ−であり、Ｘ
は−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ3Ｍ、Ｍは水素原子、ア
ルカリ金属である。一般式（３）および（４）で表され
る化合物を使用した場合、防錆剤の方の炭化水素基は、
バリヤー性をより一層高め大気との接触を防止するのに
効果があり、ともに使用されるフッ素系化合物の炭化水
素鎖と相互作用があるのでフッ素系化合物と均一な保護
層を強磁性金属薄膜表面に形成し、発錆の原因となる物
質から磁性層を保護しているものと考えられる。特に、
前記のフッ素系化合物と併用することによりフッ素系化
合物が有する撥水性撥油性によって汚染物質に対しての
保護効果が一層強まると思われる。さらに、テトラザイ
ンデン環化合物が磁性層に強固に吸着しているのでフッ
素系化合物の脱離も防止され、磁気記録媒体を繰り返し
使用しても走行耐久性が維持されるものと考えられる。
【００２８】一般式（５）で表される化合物を使用した
場合は、ポリエーテル結合の芳香環と相互作用して、一
般式（３）もしくは一般式（４）で表される化合物を使
用した場合と同様、防錆剤との相互作用を高めて、パー
フルオロポリエーテルの有する撥水性撥油性を効果的に
発現するものと考えられる。なお、一般式（５）で表さ
れる化合物において、その分子鎖末端のＸが−ＯＨや−
ＣＯＯＨ等の極性基である方が磁性層である強磁性金属
薄膜に対する吸着能が大きくなるので、繰り返し使用し
ても磁性層表面から除去されにくくなるので、走行耐久
性のより一層優れた磁気記録媒体が得られるものと考え
られる。
場合は、ポリエーテル結合の芳香環と相互作用して、一
般式（３）もしくは一般式（４）で表される化合物を使
用した場合と同様、防錆剤との相互作用を高めて、パー
フルオロポリエーテルの有する撥水性撥油性を効果的に
発現するものと考えられる。なお、一般式（５）で表さ
れる化合物において、その分子鎖末端のＸが−ＯＨや−
ＣＯＯＨ等の極性基である方が磁性層である強磁性金属
薄膜に対する吸着能が大きくなるので、繰り返し使用し
ても磁性層表面から除去されにくくなるので、走行耐久
性のより一層優れた磁気記録媒体が得られるものと考え
られる。
【００２９】本発明における強磁性金属薄膜の材料とし
ては鉄、コバルト、ニッケルその他の強磁性金属あるい
はＦｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｒｈ、Ｃｏ−Ｐ、Ｃ
ｏ−Ｂ、Ｃｏ−Ｙ、Ｃｏ−Ｌａ、Ｃｏ−Ｃｅ、Ｃｏ−Ｐ
ｔ、Ｃｏ−Ｓｍ、Ｃｏ−Ｍｎ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｂ、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ａｇ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｎｄ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｅ、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｚｎ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｗ、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｒｅ等の強磁性合金を蒸着の方法により形成せ
しめたもので、その膜厚は０．０２〜２μｍの範囲であ
り、とくに０．０５〜１．０μｍの範囲が望ましい。上
記の強磁性金属薄膜は他に、酸素、窒素、クロム、ガリ
ウム、砒素、ストロンチウム、ジルコニウム、ニオブ、
モリブデン、ロジウム、パラジウム、スズ、アンチモ
ン、テルル、プロメチウム、レニウム、オスミウム、イ
リジウム、金、水銀、鉛、マグネシウム、ビスマス等を
含んでいても良い。
ては鉄、コバルト、ニッケルその他の強磁性金属あるい
はＦｅ−Ｃｏ、Ｆｅ−Ｎｉ、Ｆｅ−Ｒｈ、Ｃｏ−Ｐ、Ｃ
ｏ−Ｂ、Ｃｏ−Ｙ、Ｃｏ−Ｌａ、Ｃｏ−Ｃｅ、Ｃｏ−Ｐ
ｔ、Ｃｏ−Ｓｍ、Ｃｏ−Ｍｎ、Ｃｏ−Ｃｒ、Ｆｅ−Ｃｏ
−Ｎｉ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｂ、Ｃｏ−Ｎｉ
−Ａｇ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｎｄ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｅ、Ｃｏ−
Ｎｉ−Ｚｎ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｃｕ、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｗ、Ｃｏ
−Ｎｉ−Ｒｅ等の強磁性合金を蒸着の方法により形成せ
しめたもので、その膜厚は０．０２〜２μｍの範囲であ
り、とくに０．０５〜１．０μｍの範囲が望ましい。上
記の強磁性金属薄膜は他に、酸素、窒素、クロム、ガリ
ウム、砒素、ストロンチウム、ジルコニウム、ニオブ、
モリブデン、ロジウム、パラジウム、スズ、アンチモ
ン、テルル、プロメチウム、レニウム、オスミウム、イ
リジウム、金、水銀、鉛、マグネシウム、ビスマス等を
含んでいても良い。
【００３０】本発明に用いられる非磁性支持体としては
ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリ塩化ビニル、三酢酸セルロース、ポリカーボネ
ート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサル
ファイドのようなプラスチックス、アルミニウム、チタ
ン、ステンレス鋼、ガラス等を使用することができる。
ポリエチレンテレフタレート、ポリイミド、ポリアミ
ド、ポリ塩化ビニル、三酢酸セルロース、ポリカーボネ
ート、ポリエチレンナフタレート、ポリフェニレンサル
ファイドのようなプラスチックス、アルミニウム、チタ
ン、ステンレス鋼、ガラス等を使用することができる。
【００３１】走行耐久性を向上させるために、強磁性金
属薄膜を形成する前に非磁性支持体表面に微小突起を設
けておくことが結果的に磁性層表面に適度な凹凸を設け
ることになり効果的である。非磁性支持体表面の微小突
起の存在密度は２×１０6 〜２×１０8 個であり、突起
の高さは１〜５０ｎｍのものが好ましい。また、非磁性
支持体の厚みは用途によって相違するが３〜５０μｍの
ものが一般的である。また、強磁性金属薄膜の密着性を
高めるために非磁性基体と強磁性金属薄膜との間に中間
層を設けても良い。さらに、本発明の磁気記録媒体の走
行性を高めるために、非磁性支持体の磁気記録層を形成
した面とは反対の面にカーボンブラック等の微粉末と結
合剤樹脂とを主体とする塗膜よりなるバックコート層を
設けることもできる。
属薄膜を形成する前に非磁性支持体表面に微小突起を設
けておくことが結果的に磁性層表面に適度な凹凸を設け
ることになり効果的である。非磁性支持体表面の微小突
起の存在密度は２×１０6 〜２×１０8 個であり、突起
の高さは１〜５０ｎｍのものが好ましい。また、非磁性
支持体の厚みは用途によって相違するが３〜５０μｍの
ものが一般的である。また、強磁性金属薄膜の密着性を
高めるために非磁性基体と強磁性金属薄膜との間に中間
層を設けても良い。さらに、本発明の磁気記録媒体の走
行性を高めるために、非磁性支持体の磁気記録層を形成
した面とは反対の面にカーボンブラック等の微粉末と結
合剤樹脂とを主体とする塗膜よりなるバックコート層を
設けることもできる。
【００３２】強磁性金属薄膜上に防錆剤とフッ素系化合
物は同時に塗布してもよいが、防錆剤を塗布した後にフ
ッ素系化合物を塗布する方が効果的である。塗布の方法
は有機溶剤に溶解して、コイルバー等によって塗布する
ことができるが、これらの化合物はフロン系の溶剤ばか
りではなく、アセトン、アルコール、テトラヒドロフラ
ン等の通常の有機溶剤に溶解するので、フロン系溶剤の
使用による環境汚染のような問題を起こすおそれがな
い。防錆剤の塗布量は０．１ないし５．０ｍｇ／ｍ2 、
フッ素系化合物からなる潤滑剤は１．０〜５０ｍｇ／ｍ
2 とすることが好ましい。とくに好ましくは防錆剤０．
３〜３ｍｇ／ｍ2 、フッ素系化合物からなる潤滑剤は３
〜３０ｍｇ／ｍ2 である。
物は同時に塗布してもよいが、防錆剤を塗布した後にフ
ッ素系化合物を塗布する方が効果的である。塗布の方法
は有機溶剤に溶解して、コイルバー等によって塗布する
ことができるが、これらの化合物はフロン系の溶剤ばか
りではなく、アセトン、アルコール、テトラヒドロフラ
ン等の通常の有機溶剤に溶解するので、フロン系溶剤の
使用による環境汚染のような問題を起こすおそれがな
い。防錆剤の塗布量は０．１ないし５．０ｍｇ／ｍ2 、
フッ素系化合物からなる潤滑剤は１．０〜５０ｍｇ／ｍ
2 とすることが好ましい。とくに好ましくは防錆剤０．
３〜３ｍｇ／ｍ2 、フッ素系化合物からなる潤滑剤は３
〜３０ｍｇ／ｍ2 である。
【００３３】
【作用】本発明の磁気記録媒体は、特定構造の防錆剤と
フッ素系化合物を用いることによって単独で得られる効
果を補完し、防錆剤の磁性層表面への吸着能が大きいの
で、フッ素系化合物の磁性層表面への吸着を助け、フッ
素系化合物の有する撥水性が防錆剤の効果を高めること
に寄与しているものとみられる。とくに、防錆剤として
使用するチオウラシル環化合物あるいはテトラザインデ
ン環化合物は、それぞれ複素環中に２個あるいは４個の
窒素原子があるために、窒素原子の有するｎ電子、複素
環のπ電子の電子密度が高くこのために磁性層への吸着
能が大きく、金属薄膜の錆の発生の原因となる活性点に
選択的に吸着する。さらに、金属薄膜に平行となった複
素環が磁性層を覆い、同時に炭化水素基からなる置換基
もバリアー性を高めている。
フッ素系化合物を用いることによって単独で得られる効
果を補完し、防錆剤の磁性層表面への吸着能が大きいの
で、フッ素系化合物の磁性層表面への吸着を助け、フッ
素系化合物の有する撥水性が防錆剤の効果を高めること
に寄与しているものとみられる。とくに、防錆剤として
使用するチオウラシル環化合物あるいはテトラザインデ
ン環化合物は、それぞれ複素環中に２個あるいは４個の
窒素原子があるために、窒素原子の有するｎ電子、複素
環のπ電子の電子密度が高くこのために磁性層への吸着
能が大きく、金属薄膜の錆の発生の原因となる活性点に
選択的に吸着する。さらに、金属薄膜に平行となった複
素環が磁性層を覆い、同時に炭化水素基からなる置換基
もバリアー性を高めている。
【００３４】また、フッ素系化合物としての炭化水素基
を有するフッ素系化合物を使用した場合には、フッ素系
化合物の炭化水素基部分と防錆剤の炭化水素基部分が相
互に親和性を示し、潤滑性に優れたフッ素系化合物の離
脱を防止し、繰り返し走行しても長期にわたり変化しな
い走行性、耐久性を示し、フッ素化合物の有する低い表
面張力のために、発錆性の汚染物質の磁性層への付着を
妨げて防錆剤の防錆効果を高めあっている。
を有するフッ素系化合物を使用した場合には、フッ素系
化合物の炭化水素基部分と防錆剤の炭化水素基部分が相
互に親和性を示し、潤滑性に優れたフッ素系化合物の離
脱を防止し、繰り返し走行しても長期にわたり変化しな
い走行性、耐久性を示し、フッ素化合物の有する低い表
面張力のために、発錆性の汚染物質の磁性層への付着を
妨げて防錆剤の防錆効果を高めあっている。
【００３５】
【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明をさら
に詳細に説明する。 実施例および比較例 １０μｍ厚のポリエチレンテレフタレート上にコバルト
−ニッケル磁性膜（膜厚１５０ｎｍ）を斜め蒸着し、強
磁性金属薄膜層を設けた。蒸発源としては電子ビーム蒸
発源を使用し、これにコバルト−ニッケル合金（Ｃｏ：
８０重量％ Ｎｉ：２０重量％）をチャージし真空度
６．７×１０-3Ｎ／ｍ2 中にて酸素ガスを導入しつつ入
射角が５０度となるよう斜め蒸着を行った。得られた強
磁性金属薄膜上に、表１および表２記載のチオウラシル
環化合物およびテトラザインデン環化合物をのメチルエ
チルケトン溶液をコイルバーで塗布乾燥した後、フッ素
系化合物からなる潤滑剤溶液をコイルバーで塗布した。
に詳細に説明する。 実施例および比較例 １０μｍ厚のポリエチレンテレフタレート上にコバルト
−ニッケル磁性膜（膜厚１５０ｎｍ）を斜め蒸着し、強
磁性金属薄膜層を設けた。蒸発源としては電子ビーム蒸
発源を使用し、これにコバルト−ニッケル合金（Ｃｏ：
８０重量％ Ｎｉ：２０重量％）をチャージし真空度
６．７×１０-3Ｎ／ｍ2 中にて酸素ガスを導入しつつ入
射角が５０度となるよう斜め蒸着を行った。得られた強
磁性金属薄膜上に、表１および表２記載のチオウラシル
環化合物およびテトラザインデン環化合物をのメチルエ
チルケトン溶液をコイルバーで塗布乾燥した後、フッ素
系化合物からなる潤滑剤溶液をコイルバーで塗布した。
【００３６】フッ素系化合物の溶剤は、パーフロロポリ
エーテルはフロン１１３溶液、それ以外はエタノール溶
液をしようした。支持体にはバック層を設け、８ｍｍ幅
にスリットして磁気テープを作成した。得られた磁気テ
ープは以下の方法によって評価し、その結果を表１およ
び２に示す。
エーテルはフロン１１３溶液、それ以外はエタノール溶
液をしようした。支持体にはバック層を設け、８ｍｍ幅
にスリットして磁気テープを作成した。得られた磁気テ
ープは以下の方法によって評価し、その結果を表１およ
び２に示す。
【００３７】〔評価方法〕 摩擦係数の測定 得られた磁気テープとステンレスポールとを３０ｇの張
力（Ｔ1 ）で巻き付け角１８０°で接触させた、磁気テ
ープを３．３ｃｍ／秒の速度で走行させるのに必要な張
力（Ｔ2 ）を測定し、下記計算式により磁気テープの、
摩擦係数μをもとめた。 μ＝１／π・ｌｎ（Ｔ2 ／Ｔ1 ） 摩擦係数は、Ａ）そのままのもの（保存前）と Ｂ）６
０℃ ９０％ＲＨの環境に７日間保存したものを それ
ぞれ２３℃ ７０％ＲＨで測定した。
力（Ｔ1 ）で巻き付け角１８０°で接触させた、磁気テ
ープを３．３ｃｍ／秒の速度で走行させるのに必要な張
力（Ｔ2 ）を測定し、下記計算式により磁気テープの、
摩擦係数μをもとめた。 μ＝１／π・ｌｎ（Ｔ2 ／Ｔ1 ） 摩擦係数は、Ａ）そのままのもの（保存前）と Ｂ）６
０℃ ９０％ＲＨの環境に７日間保存したものを それ
ぞれ２３℃ ７０％ＲＨで測定した。
【００３８】スチル耐久性の測定 スチル耐久性は、８ｍｍＶＴＲ（富士写真フィルム
（株）製 ＦＵＪＩＸ−８Ｍ６型）を使用してスチル制
限機構を動作させないでスチル状態で画像を再生し、画
像が出なくなるまでの時間を測定して評価した。スチル
耐久性は、Ａ）そのままのもの（保存前）と Ｂ）６０
℃ ９０％ＲＨの環境に７日間保存したものを ５℃
１０％ＲＨで測定した。
（株）製 ＦＵＪＩＸ−８Ｍ６型）を使用してスチル制
限機構を動作させないでスチル状態で画像を再生し、画
像が出なくなるまでの時間を測定して評価した。スチル
耐久性は、Ａ）そのままのもの（保存前）と Ｂ）６０
℃ ９０％ＲＨの環境に７日間保存したものを ５℃
１０％ＲＨで測定した。
【００３９】耐候性の評価 下記環境に保存し、保存後の磁性層表面を目視および光
学顕微鏡で観察した。 Ｃｌ2 ：１０ｐｐｂ，ＮＯ2 ：２００ｐｐｂ，Ｈ2 Ｓ：
１０ｐｐｂ 上記３種混合ガスの流量：１０００リットル／Ｈ 温湿度：６０℃ ９０％ＲＨ 保存日数：１０日間 評価基準 ○‥磁性層表面を２００倍の光学顕微鏡で観
察したとき腐食がまったく見られない △‥同上で腐食が見られるが、肉眼観察で磁性層表面の
金属光沢が認められる Ｘ‥肉眼で観察したとき磁性層表面に金属光沢がない 表１および表２に示すように、炭化水素基を有するチオ
ウラシル化合物、もしくはテトラザインデン化合物から
なる防錆剤と、炭化水素基を有するフッ素系化合物から
なる潤滑剤を形成した本発明の磁気記録媒体は、保存前
後において低い摩擦係数および大きなスチル耐久性を示
す。これに対して、炭化水素基を有しないチオウラシル
化合物、あるいは炭化水素基の炭素数の少ないチオウラ
シル化合物、炭化水素基を有しないテトラザインデン化
合物では、保存後の摩擦係数、スチル耐久性、および錆
の発生の面で劣るものである。また、フッ素系化合物と
してパーフルオロポリエーテルのような炭化水素基を有
しないものでは、スチル耐久性、錆の発生の面では効果
が得られるが、炭化水素基を有するフッ素系化合物を使
用したものに比して、摩擦係数の面でやや劣る。
学顕微鏡で観察した。 Ｃｌ2 ：１０ｐｐｂ，ＮＯ2 ：２００ｐｐｂ，Ｈ2 Ｓ：
１０ｐｐｂ 上記３種混合ガスの流量：１０００リットル／Ｈ 温湿度：６０℃ ９０％ＲＨ 保存日数：１０日間 評価基準 ○‥磁性層表面を２００倍の光学顕微鏡で観
察したとき腐食がまったく見られない △‥同上で腐食が見られるが、肉眼観察で磁性層表面の
金属光沢が認められる Ｘ‥肉眼で観察したとき磁性層表面に金属光沢がない 表１および表２に示すように、炭化水素基を有するチオ
ウラシル化合物、もしくはテトラザインデン化合物から
なる防錆剤と、炭化水素基を有するフッ素系化合物から
なる潤滑剤を形成した本発明の磁気記録媒体は、保存前
後において低い摩擦係数および大きなスチル耐久性を示
す。これに対して、炭化水素基を有しないチオウラシル
化合物、あるいは炭化水素基の炭素数の少ないチオウラ
シル化合物、炭化水素基を有しないテトラザインデン化
合物では、保存後の摩擦係数、スチル耐久性、および錆
の発生の面で劣るものである。また、フッ素系化合物と
してパーフルオロポリエーテルのような炭化水素基を有
しないものでは、スチル耐久性、錆の発生の面では効果
が得られるが、炭化水素基を有するフッ素系化合物を使
用したものに比して、摩擦係数の面でやや劣る。
【００４０】
【表１】
【００４１】
【表２】
【００４２】
【発明の効果】従来公知の防錆剤と潤滑剤の組合わせで
は得られなかった高度な保存性、走行性、耐久性を合わ
せ持つ保護層を有する高密度磁気記録媒体を実現した。
これは本発明に開示した特定構造の防錆剤と潤滑剤と
が、単独で得られる効果を補完しているのものであり、
防錆剤の磁性層表面への吸着能が大きく、フッソ系化合
物からなる潤滑剤の磁性層表面への吸着を助け、また本
発明のフッソ系潤滑剤の撥水性が防錆剤の効果を高める
ている。特にチオウラシル環はＯＨ基とＳＨ基との水素
原子が２個あり、複素環にＮ原子が２個あるため、磁性
層表面への吸着能は極めて高いのであるがこのままでは
溶剤への溶解性が不足し通常の溶剤に溶解しないため磁
性層表面に塗布できない問題が生じていた。しかし複素
環に炭素数３個以上の炭化水素基を置換させることによ
り溶剤溶解性が向上し塗布によって保護層を設けること
が可能になった。
は得られなかった高度な保存性、走行性、耐久性を合わ
せ持つ保護層を有する高密度磁気記録媒体を実現した。
これは本発明に開示した特定構造の防錆剤と潤滑剤と
が、単独で得られる効果を補完しているのものであり、
防錆剤の磁性層表面への吸着能が大きく、フッソ系化合
物からなる潤滑剤の磁性層表面への吸着を助け、また本
発明のフッソ系潤滑剤の撥水性が防錆剤の効果を高める
ている。特にチオウラシル環はＯＨ基とＳＨ基との水素
原子が２個あり、複素環にＮ原子が２個あるため、磁性
層表面への吸着能は極めて高いのであるがこのままでは
溶剤への溶解性が不足し通常の溶剤に溶解しないため磁
性層表面に塗布できない問題が生じていた。しかし複素
環に炭素数３個以上の炭化水素基を置換させることによ
り溶剤溶解性が向上し塗布によって保護層を設けること
が可能になった。
【００４３】また、テトラザインデン環化合物について
も、窒素原子の有するｎ電子、複素環のπ電子の電子密
度が高くこのため磁性層表面への吸着能が大きい。これ
によって腐食の原因となる磁性層表面の活性点に選択的
に吸着する。吸着した形態は複素環が磁性層表面に平行
になり、複素環が磁性層表面を覆っているものとみられ
る。これらの、防錆剤に結合した炭化水素置換基は、有
機溶剤への溶解性を高めるとともに、同時にバリアー性
を高め、強磁性金属薄膜が大気と接触することを防止
し、またフッソ系化合物の炭化水素部分と防錆剤の炭化
水素基部分が相互に親和性を持ち、潤滑性に優れたフッ
ソ系化合物の脱離を防止し、繰り返し走行しても安定な
走行性、耐久性を示し、またフッソ系化合物の持つ低い
表面張力のため発錆性の汚染物質の磁性層への付着を妨
げて防錆剤の防錆効果を高めている。
も、窒素原子の有するｎ電子、複素環のπ電子の電子密
度が高くこのため磁性層表面への吸着能が大きい。これ
によって腐食の原因となる磁性層表面の活性点に選択的
に吸着する。吸着した形態は複素環が磁性層表面に平行
になり、複素環が磁性層表面を覆っているものとみられ
る。これらの、防錆剤に結合した炭化水素置換基は、有
機溶剤への溶解性を高めるとともに、同時にバリアー性
を高め、強磁性金属薄膜が大気と接触することを防止
し、またフッソ系化合物の炭化水素部分と防錆剤の炭化
水素基部分が相互に親和性を持ち、潤滑性に優れたフッ
ソ系化合物の脱離を防止し、繰り返し走行しても安定な
走行性、耐久性を示し、またフッソ系化合物の持つ低い
表面張力のため発錆性の汚染物質の磁性層への付着を妨
げて防錆剤の防錆効果を高めている。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ // Ｃ１０Ｎ 10:12 40:18 (72)発明者 安永 正 神奈川県小田原市扇町２丁目12番１号 富士写真フイルム株式会社内 (72)発明者 臼杵 一幸 神奈川県小田原市扇町２丁目12番１号 富士写真フイルム株式会社内 (56)参考文献 特開 平６−36268（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−236119（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−223070（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−239315（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) C10M 105/54 C10M 133/40 C10M 135/30 C10N 10:12 C10N 40:18 G11B 5/66 G11B 5/725
Claims (8)
- 【請求項１】 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を有す
る磁気記録媒体において、チオウラシル環上に炭化水素
基が置換した化合物の少なくとも１種と、炭化水素基を
含有したフッ素系化合物の少なくとも１種を含む保護層
を前記強磁性金属薄膜上に有することを特徴とする磁気
記録媒体。 - 【請求項２】 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を有す
る磁気記録媒体において、テトラザインデン環化合物の
少なくとも１種と、炭化水素基を含有したフッ素系化合
物の少なくとも１種を含む保護層を前記強磁性金属薄膜
上に有することを特徴とする磁気記録媒体。 - 【請求項３】 チオウラシル環化合物が下記の一般式
（１）で表されることを特徴とする請求項１記載の磁気
記録媒体。 【化１】 ただし、Ｒは炭素、水素以外の置換基を含んでも良い炭
化水素基である。 - 【請求項４】 テトラザインデン環化合物が下記の一般
式（２）で表されることを特徴とする請求項２記載の磁
気記録媒体。 【化２】 ただし、Ｒは炭素、水素以外の置換基を含んでも良い炭
化水素基である。 - 【請求項５】 チオウラシル環化合物の炭化水素基は、
炭素数が３以上であることを特徴とする請求項１もしく
は請求項３に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項６】 テトラザインデン環化合物の炭化水素基
Ｒは、炭素数が３以上のアルキル基、アルコキシル基、
アルキルアミド基であることを特徴とする請求項２もし
くは４に記載の磁気記録媒体。 - 【請求項７】 フッ素系化合物が下記の一般式（３）お
よび（４）から選ばれた１種以上の化合物であることを
特徴とする請求項１ないし６のいずれか１項に記載の磁
気記録媒体。 一般式（３） ＣＦ3（ＣＦ2）m（ＣＨ２）n−（Ｙ）k−Ｒ−Ｘ 一般式（４） （ＣＦ3）2ＣＦ（ＣＦ2）m（ＣＨ2）n−（Ｙ）k−Ｒ−
Ｘ ただし、ｍは ２〜１２の整数、ｎは ０〜１２の整
数、ｋは０または１ Ｒは 炭素数０〜１２の飽和または不飽和のアルキレン
基 ｎとＲの炭素数の和は２以上である。Ｙは−ＯＣＯ−、
−ＣＯＯ−、−ＣＯＮＨ−、−Ｏ−から選ばれ、Ｘは−
ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ3Ｍ、−ＯＳＯ3Ｍ、−ＯＰＯ
3Ｍ2、−ＰＯ3Ｍ2から選ばれる。また、Ｍは水素原子、
アルカリ金属、アンモニウムから選ばれる。 - 【請求項８】 フッ素系化合物が下記の一般式（５）か
ら選ばれた１種以上の化合物であることを特徴とする請
求項１ないし６のいずれか１項に記載の磁気記録媒体。 【化３】 Ｒ1 は、ＦもしくはＣＦ3 、ｎは、１０〜１００の整
数。Ｘは−Ｃ2 Ｆ5 、−ＯＨ、−ＣＯＯＨ、−ＳＯ3
Ｍ、−ＯＰＯ3 Ｍ2 、−ＰＯ3 Ｍ2 から選ばれる１価の
基。また、Ｍは水素原子、アルカリ金属、アンモニウム
から選ばれる。
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|---|---|---|---|
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| JP04219357A JP3080482B2 (ja) | 1992-08-18 | 1992-08-18 | 磁気記録媒体 |
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- 1992-08-18 JP JP04219357A patent/JP3080482B2/ja not_active Expired - Fee Related
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1994
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