JPS63188820A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空蒸着、スパッタリング等の薄膜形成技術
により、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成した、
いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、保護膜を有する強磁性金属薄膜型の磁気記録
媒体において、保護膜中に水酸基を２個以上有する化合
物とフッ素系潤滑剤を含有させたことにより、走行性、
耐摩耗性及び耐久性に優れた磁気記録媒体が得られるよ
うにしたものである。

〔従来の技術〕

従来の磁気記録媒体としては、非磁性支持体上に粉末磁
性材料が有機バインダ中に分散された磁性塗料を塗布し
、乾燥させることにより作製させる塗布型の磁気記録媒
体が広く使用されている。

磁性材料としては、例えばγ−ＦＥ１２０３　、Ｃｏを
含有するｒ　−Ｆｅ２（ｈ　、Ｆｅ３Ｏ４、Ｃｏを含有
するＦｅ５ｒ＜、ｒ　　ＦｅｔＯ３とＦｅ３Ｏ４とのベ
ルトライド化合物、Ｃ。

を含有するベルトライド化合物、Ｃｒ（ｈ等の酸化物強
磁性粉末あるいはＦｅ５ＣＯ％　Ｎｉ等を主成分とする
合金磁性粉末等が使用されている。また、有機バインダ
としては、塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポリエ
ステル樹脂、ボリウレクン樹脂等が使用される。

これに対して、近年高密度磁気記録を実現するために、
Ｃｏ−Ｎｉ合金等の強磁性金属材料をメッキや真空薄膜
形成技術（真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレ
ーティング法等）によってボリエステルフィルム、ポリ
イミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着形成した
、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案され
ている。このような強磁性金属薄膜型磁気記録媒体は、
抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換特性にも
優れていることに加えて、磁性層の厚みを極めて薄くす
ることが可能であるため記録減磁や再生時の厚み損失が
著しく小さくなる、磁性層中に非磁性材である有機バイ
ンダを混入する必要がないため磁性材料の充愼密度を高
めることができるなど、数々の利点を有している。

しかしながら、上述した従来の強磁性金属薄膜型の磁気
記録媒体によれば、磁性層表面の平滑性が極めて良好で
あるために実質的な接触面積が大きくなり、凝着現象（
いわゆる貼り付き）が起こり易くなったり摩擦係数が大
きくなるなど、耐久性や走行性等に欠点が多く、その改
善が大きな課題となっていた。

磁気記録媒体は、磁気信号を記録、再生する際、高速相
対運動を行う磁気ヘッドに対して、その走行が円滑、且
つ安定な状態で行われなければならない。また、磁気ヘ
ッドとの接触による摩耗や損傷はなるべく少ないほうが
よい。そこで、耐久性走行性等の点を完全するために、
磁性層である強磁性金属薄膜の表面に潤滑剤を塗布して
保護膜を形成した磁気記録媒体が提案されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述したように潤滑剤を塗布して保護膜を形成した場合
、この保護膜が磁性層である強磁性金属薄膜に対して良
好な密着性を示し、かつ磁気ヘッドに対して高い潤滑効
果を有することが要求される。また、このような密着性
や潤滑効果は、熱帯、亜熱帯地方等における高温多湿の
条件下でも、また寒冷地における低温の条件下でも優れ
ていなければならない。

しかしながら、従来一般に用いられている潤滑剤の使用
温度範囲は限られており、特に、０〜−５℃のような低
温下では固化または凍結するものが多く、充分にその潤
滑効果を発揮させることができなかった。

本発明は、上述の点に鑑みて、走行性、耐久性に優れた
保護膜が形成された磁気記録媒体を提供するものである
。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜及びこの上
に保護膜が形成されて成る磁気記録媒体において、この
保１膜中に水酸基を２個以上有する化合物とフッ素系潤
滑剤を含有させたことを特徴とする。

本発明で使用する水酸基を２個以上有する化合物として
は、一般式Ｒ（ＯＨ）ｕ　（ｕ≧２）で表わされる非環
式化合物（直鎮、分枝を含む）又は環式化合物（芳香環
、脂環を含む）に水酸基を２個有するジオール、水酸基
を３個有するトリオール等が挙げられる。

フッ素系化合物としては、次のような化合物が挙げられ
る。

（１１パーフルオロカルボン酸エステルＣｎＦ　２ｎ　
＋ｔ　Ｃ００Ｒ （２）カルボン酸パーフルオロアルキルエステルＲＣＯ
Ｏ（ＣＨ２）ＪＣｎＦ２ｎ＋ｘ　　（ｊ　　≧　Ｏ（１
≦　ｊ　≦　２　）　、ｎ≧４） （３）パーフルオロチオールカルボン酸エステルＣｎＦ
２ｎ＋ｔＣ−ＳＲ （４）ジカルボン酸パーフルオロアルキルエステルＲ’
ｌｌ；　０ＯＲＣＯＯ（ＣＨ２）　ｍｃ　ｎＦ　２ｎ　
＋１（５）パーフルオロジカルボン酸エステルＲＣＯＯ
（ＣＦ２）　ｍ　Ｃ００Ｒ （６）カルボン酸パーフルオロアルコキシアルキルエス
テル ＲＣＯＯ（Ｃｌ１２）ｎ　ＯＣｍＦ２ｍ＋ｔ　（２≦ｎ
≦１０、ｍ≧４）（７）パーフルオロカルボン酸パーフ
ルオロアルキルエステル ＣｎＦ２ｎ＋ｔ　Ｃｏｏ　（ＣＴｏ）１０ｍＦ２ｍ＋、
（８）フルオロ炭素鎖を含むポリウレタン又はポリウレ
ア （９）脂肪酸アミド（１０以上の不飽和結合を含む）Ｒ
Ｃ０ＮＨ２ （１０）長鎖アルキルメルカプタン（１０以上の不飽和
結合を含む） Ｒ−Ｓｌ＋ （１１）パーフルオロカルボン酸アミドＣｎＦ　２ｎ　
＋１　Ｃ０ＮＨ２（ｎ　　≧　５　）（１２）スルホン
酸パーフルオロエステル（０≦ｊ≦５、ｎ≧５） （１３）　Ｎ−パーフルオロフェニルカルボン酸アミド
Ｃ６Ｆ　５　　ＮｌＩＣ０Ｒ （１４）　バーフルオロ安息香酸エステルＣ６Ｆ　ｓＣ
０ＯＲ （１５）スルホン化されたＮ〜アルキルパーフルオロア
ルカンアミド ＣｎＦ２ｎ＋ｔ　ＣＯＮ　（Ｒ）ＣＨ＊ＣＨ２ＧＩｌ＊
５Ｏ３ＸＸ：Ｈ又はアルカリ金属 （１６）　Ｎ−アルキルパーフルオロアルカンアミドＣ
ｎＦ　２ｎ　＋ｔ　Ｃ０ＮＨＲ （１７）パーフルオロアルキルスルホン酸テトラアルキ
ルアンモニウム塩 ＣｎＦ２ｎ＋ｔＳＯｉＮ４＋（ｎ　≧４　）（１８）Ｎ
−パーフルオロアルキルアルカンアミド又はアルケンア
ミド （１９）ポリパーフルオロアルカンアミド化合物（Ｃｎ
Ｆ２ｎ＋ｔ　（ＣＩ＋２）Ｉｌｌ　Ｎｉ１）ｘＲ（６≧
２．０≦ｍ≦５、ｎ≧３） （２０）ポリ　（Ｎ−パーフルオロアルキルカルバモイ
ル）誘導体 （ＣｎＦ２ｎ＋ｓ　（ＣＨ２）ＩｌＩ　ＮｌＩＣ−）Ｊ
Ｒ（１≧２、Ｏ≦ｍ≦５、ｎ≧３） （２１）パーフルオロアルキルチオフェノール保護膜中
に含有させる潤滑剤は、本発明に係るフッ素系潤滑剤だ
けでも良いが、従来公知の潤滑剤と混合して用いること
により、さらに使用温度帯域の拡大をはかることができ
る。

このために使用する潤滑剤としては、樹脂酸またはその
金属塩、脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコ
ールまたはそのアルコキシド、脂肪族アミン、多価アル
コール、ソルビタンエステル、マンニソタンエステル、
硫黄化脂肪酸、脂肪族メルカプタン、変性シリコーンオ
イル、パーフルオロアルキルエチレンオキシド、パーフ
ルオロポリエーテル類、高級アルキルスルホン酸または
その金属塩、パーフルオロアルキルスルホン酸またはそ
のアンモニウム塩あるいはその金属塩、パーフルオロア
ルキルカルボン酸またはその金属塩、パーフルオロアル
キルカルボン酸エステル等カ例示される。

特に、一般式ＣｎＦ　２ｎ　＋Ｌ　Ｃ０ＯＲ（ｎは６〜
１０の整数を表し、Ｒは炭素数１〜２５の炭化水素基を
表す）で示されるパーフルオロアルキルカルボン酸エス
テルや一般式Ｒ’ＣＯＯ（Ｃｌ１２）ＪＣｋＦ２に＋１
（但し、Ｒ′は炭素数１〜２５の炭化水素基を表し、０
≦ｊ≦５、ｋ≧３である）で示されるカルボン酸パーフ
ルオロアルキルエステルは低温特性が良好であるから、
本発明に係る潤滑剤と併用するのが好ましい。

さらには、より厳しい使用条件に対処し、かつ潤滑効果
を持続させるために、保護膜中に重量比３０（潤滑剤）
ニア０（極圧剤）〜７０：３０程度の配合比で極圧剤を
含有させることができる。

上記極圧剤は、境界潤滑領域において部分的に金属接触
が生じたとき、これに伴う摩擦熱によって金冗面と反応
し、反応生成物被膜を形成することにより摩擦・摩耗防
止作用を行うものであって、リン系極圧剤、イオウ系極
圧剤、ハロゲン系極圧剤、有機金属系極圧剤、複合型極
圧剤等が知られている。

具体的に例示すれば、上記リン系極圧剤としては、トリ
ブチルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリ
ー２−エチルへキシルホスフェート、トリラウリルホス
フェート、トリオレイルホスフェート、ジブチルホスフ
ェート、ジオクチルホスフェート、ジー２−エチルへキ
シルホスフェート−ジラウリルホスフェート、ジオレイ
ルホスフェート等のリン酸エステル、トリブチルホスフ
ァイト、トリオクチルホスファイト、トリー２−エチル
へキシルホスファイト、トリラウリルホスファイト、ト
リオレイルホスファイト、ジブチルホスファ−（ト、ジ
オクチルホスファイト、ジー２−エチルへキシルホスフ
ァイト、ジラウリルホスファイト、ジオレイルホスファ
・イト等の亜リン酸エステル、ジブチルホスフェートブ
チルアミン塩、ジブチルホスフェートオクチルアミン塩
、ジブチルホスフェートステアリルアミン塩、ジオクチ
ルホスフェートブチルアミン塩、ジオクチルホスフェー
トオクチルアミン塩、ジオクチルホスフェートラウリル
アミン塩、ジオクチルホスフェートステアリルアミン塩
、ジー２−エチルへキシルホスフェートブチルアミン塩
、ジー２−エチルへキシルホスフェートオクチルアミン
塩、ジー２−エチルへキシルホスフェートラウリルアミ
ン塩、ジー２−エチルへキシルホスフェートステアリル
アミン塩、ジラウリルホスフェートブチルアミン塩、ジ
ラウリルホスフェートオクチルアミン塩、ジラウリルホ
スフェートラウリルアミン塩、ジラウリルホスフェート
ステアリルアミン塩、ジオレイルホスフェートブチルア
ミン塩、ジオレイルホスフェートオクチルアミン塩、ジ
オレイルホスフェートラウリルアミン塩、ジオレイルホ
スフェートステアリルアミン塩等のリン酸エステルアミ
ン塩が挙げられる。

上記イオウ系極圧剤としては、硫化抹香鯨油、硫黄化ジ
ペンテン等不飽和結合を有する鉱油、油脂や脂肪酸等に
硫黄を加えて加熱することにより製造される硫化油脂類
、二硫化ジベルジル、二硫化ジフェニル、二硫化ジ−ｔ
−ブチル、二硫化ジー　５ｅｃ−ブチル、二硫化ジ−ｎ
−ブチル、二硫化ジ−ｔ−オクチル、二硫化ジエチル等
のジサルファイド類、硫化ベンジル、硫化ジフェニル、
硫化ジビニル、硫化ジメチル、硫化ジエチル、硫化ジ−
ｔ−ブチル、硫化ジー５ｅｃ−ブチル、硫化ジ−ｎ−ブ
チル等のモノサルファイド類、三硫化ジメチル、三硫化
ジ−ムーブチル、ポリ硫化ジー１−ノニル、オレフィン
ポリサルファイド等のポリサルファイド類、一般式 （Ｒは炭化水素基を表す） で示されるチオカーボネート類、元素硫黄等が挙げられ
る。

上記ハロゲン系極圧剤としては、臭化アリル、臭化オク
タデシル、臭化シクロヘキシル、臭化ステアリル、臭化
ベンジル等の臭素化合物、ヨウ化ベンジル、ヨウ化アリ
ル、ヨウ化ブチル、ヨウ化オクタデシル、ヨウ化シクロ
ヘキシル等のヨウ素化合物、ヘキサクロロエタン、モノ
クロロエタン、塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、
塩素化油脂、メチルトリクロロステアレート、ペンタク
ロロペンタジェン酸、ヘキサクロロナフテン酸化合物の
エステル、ヘキサクロロナフテン酸化合物のイミド誘導
体等の塩素化合物が挙げられる。

上記を機金属系極圧剤としては、ジイソブチルジチオリ
ン酸亜鉛、イソブチルペンチルジチオリン酸亜鉛、イソ
プロピル−１−メチルブチルジチオリン酸、イソブチル
ノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、イソブチルヘプチル
フェニルジチオリン酸、ジヘプチルフェニルジチオリン
酸、ジノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、モリブデンジ
チオフォスフェート等のチオリン酸塩類、ジメチルジチ
オカルバミン酸亜鉛、ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛
、ジブチルジチオ力ミバミン酸亜鉛、エチルフェニルジ
チオカルバミン酸亜鉛、ジベンジルジチオカルバミン酸
亜鉛、ジメチルジチオカルバミン酸亜鉛、ジメチルジチ
オカルバミン酸銅、ジメチルジチオカルバミン酸鉄、ジ
エチルジチオカルバミン酸セレン、ジエチルジチオカル
バミン酸銀等のチオカルバミン酸塩類、モリブデン、ア
ンチモン等の金属アルキルジチオカルバミン酸塩類等が
挙げられる。

上記複合型極圧剤としては、ジー２−エチルへキシルチ
オリン酸アミン等のジアルキルチオリン酸アミン類、塩
化プロピルホスフェート、臭化プロピルホスフェート、
ヨウ化プロピルホスフェート、塩化ブチルホスフェート
、臭化ブチルホスフェート、ヨウ化ブチルホスフェート
等に代表されるハロゲン化アルキルのリン酸エステル類
、クロロナフサザンテート等の他、一般式 ％式％（） （各一般式中Ｒは水素原子またはアルキル基、アルケニ
ル基、アリール基を表す） で示されるチオホスフェート類、一般式（式中Ｒは水素
原子またはアルキル基、アルケニル基、アリール基を表
す） で示されるチオホスファイト類等が効果が高い。

上述の極圧剤は単体で使用してもよいが、２種以上を混
合して使用することも可能である。

本発明に係る、水酸基を２個以上有する化合物とフッ素
系潤滑剤を含有する保護膜を強磁性金属薄膜上に形成す
る方法としては、例えば潤滑剤を溶媒に溶解して得られ
た溶液を強磁性金属薄膜の表面に塗布又は噴糧する方法
、あるいは逆にこの溶液中に強磁性金属薄膜を浸漬して
乾燥する方法がある。溶媒としては、例えばフレオン、
トルエン、イソオクタン、ヘキサン等を使用する。

その塗布量は、０．５ｍｇ／　ｒｒｒ　〜１０抛ｇ／ｒ
＋？であるのが好ましく、特に１　ｍｇ／　ｒｄ　〜２
０１Ｉ１ｇ／　ｒｄであるのがより好ましい。この塗布
量が少なすぎると、摩擦係数が低下して、耐摩耗性と耐
久性の向上という効果が得られず、一方多すぎると、摺
動部材と強磁性金属薄膜との間ではりつき現象が起こり
、却って走行性が悪くなる。

そして、保護膜中には上述の潤滑剤、極圧剤に加えて、
必要に応じて防錆剤を使用してもよい。

一般に、強磁性金属薄膜は金属材料より成るため錆易く
、防錆剤を使用することにより耐蝕性を大幅に改善する
ことができる。したがって、芳香環に２個以上のパーフ
ルオロアルキルエステル基を有する化合物の有する潤滑
作用と相俟って、磁気記録媒体の耐久性を向上させるこ
とができる。

使用可能な防錆剤としては、通常この種の磁気記録媒体
の防錆剤として使用されるものであれば如何なるもので
あってもよく、例えばフェノール類、ナフトール類、キ
ノン類、ジアリールケトン、窒素原子を含む複素環化合
物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素
環化合物、メルカプト基を有する化合物、チオカルボン
酸またはその塩、チアゾール系化合物等が挙げられる。

具体的に例示すれば次の通りである。

先ず、上記フェノール類としては、二価フェノール、ア
ルキルフェノールあるいはニトロソフェノールが挙げら
れる。

上記二価フェノールとしては、ハイドロキノン、レゾル
シン、カテコール等の純フェノール類、及びそれらのア
ルキルアミノ、ニトロ、ハロゲン置換体、例えば、２−
メチルハイドロキノン、４−メチルレゾルシノール、５
−メチルレゾルシノール、４−メチルピロカテコール、
２．５−ジメチルハイドロキノン、　４，６−ジメチル
レゾルシノール、２．５−ジメチルレゾルシノール、２
−イソプロピル−５−メチルハイドロキノン、２−　ｔ
ｅｒｔ−ブチルハイドロキノン、　２．５−ジーｔｅｒ
ｔ−ブチルハイドロキノン、４−　ｔｅｒｔ−ブチルカ
テコール、２−アミルゾルシノール、２−レゾルシノー
ル、２，５−ジクロロヒドロキノン等が挙げられる。

上記アルキルフェノールとは、−価フエノールのアルキ
ル置換体を指し、例えば、０−クレゾール、ｍ−クレゾ
ール、ｐ−クレゾール、０−エチルフェノール、ｍ−エ
チルフェノール、ｐ−エチルフェノール、２，３ジメチ
ルフエノール、２．５−ジメチルフェノール、　２．６
−ジメチルフェノール、３．４−ジメチルフェノール、
３，５−ジメチルフェノール、２．４．６−　トリメチ
ルフェノール、２．４．５−トリメチルフェノール、５
−イソプロピル−２−メチルフェノール、ｐ　−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェノール、２，６−ジーｔｅｒ　ｔ−ブチ
ル−ｐ−クレゾール、４１４′　−メチレンビス２，６
−ジーｔｅｒ　ｔ−ブチルフェノール、２．６−シフチ
ルー４　　ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、　２，４．６
−　）リーｔｅｒｔ−ブチルフェノール等が挙げられる
。

上記ニトロソフェノールとしては、例えば、４−ニトロ
ソ−２−メトキシ−１−フェノール、４−ニトロソ−２
−エトキシ−１−フェノール−６−ニトロソ−〇−クレ
ゾール、４−ニトロソ−ｍ−クレゾール、０−ニトロソ
フェノール、２−二トロンフェノール、２−ニトロソレ
ゾルシン、４−ニトロソレゾルシン、ｐ−ニトロソフェ
ノール等が挙げられる。

次に、上記ナフトール類としては、α−ナフトール、β
−ナフトール、１．２−ナフタレンジオール、１，３−
ナフタレンジオール、１，４−ナフタレンジオール、　
１．５−ナフタレンジオール、　１，７−ナフタレンジ
オール、１．８−ナフタレンジオール、２．３−ナフタ
レンジオール、　１，４．５−ナフタレントリオール、
　１，２，５．８−ナックレンチトラオール等の純ナフ
トール類、及びニトロ、ニトロソ、アミノ、ハロゲン置
換ナフトール類、例えば１−クロロ−２−ナフトール、
２．４−ジクロロ−１−ナフトール、１−二トロー２−
ナフトール、１．６−シニトロー２−ナフトール、１−
ニトロソ−２−ナフトール、２−ニトロソ−１−ナフト
ール、１−アミノ−２−ナフトール等が挙げられる。

上記キノン類としては、ｐ−ベンゾキノン、Ｏ−ベンゾ
キノン、　１．２−ナフトキノン、　１．４−ナフトキ
ノン、　２．６−ナフトキノン、アントラキノン、９．
１０−フェナントレンキノン、ジフェノキノン等の置換
基のないキノン類、メチル−ｐ−ベンゾキノン、２．３
−ジメチル−ｐ−ベンゾキノン、２−メチル−１，４−
ナフトキノン、２−メチルアントラキノン等のメチルキ
ノン類、　２．５−ジヒドロキシ−ｐ−ベンゾキノン、
テトラヒドロキシ−ｐ−ベンゾキノン、５−ヒドロキシ
−１，４−ナフトキノン、　２．３−ジヒドロキシ−１
，４−ナフトキノン、　５．８−ジヒドロキシ−１，４
−ナフトキノン、２−ヒドロキシアントラキノン、　１
．２−ジヒドロキシアントラキノン、　１．２．３−　
）ジヒドロキシアントラキノン、　１．２．４−　）ジ
ヒドロキシアントラキノン、　１，２．５−　トリヒド
ロキシアントラキノン、１．２．６−　）ジヒドロキシ
アントラキノン、　１．２．７＝トリヒドロキシアント
ラキノン等のヒドロキシキノン類、２−アミノアントラ
キノン、　１．２−ジアミノアントラキノン等のアミノ
キノン類、１−ニトロアントラキノン、１．５−ジニト
ロアントラキノン等のニトロキノン類、２．６−ジクロ
ロ−ｐ−ペンゾキノン、テトラクロロ−ｐ−ベンゾキノ
ン、テトラブロモ−ｐ−ベンゾキノン等のハロゲノキノ
ン類、あるいは２種以上の置換基を有するキノン類、例
えば２，５−ジクロロ−３，６−ジヒドロキシ−ｐ−ベ
ンゾキノン、１−メチル−２−ヒドロキシ−１，４−ナ
フトキノン等が挙げられる、上記ジアリールケトンとし
ては、ベンゾフェノン及びその誘導体が挙げられ、例え
ばベンゾフェノン、４−メチルベンゾフェノン、３−メ
チルヘンシフエノン、　３．４−ジメチルベンゾフェノ
ン、４．４′　　−ジメチルベンゾフェノン、　３．４
’−ジメチルベンゾフェノン、４−エチルベンゾフェノ
ン等のアルキル置換体、４−ヒドロキシベンゾフェノン
、　４，４′　　−ジヒドロキシベンゾフェノン、２．
３．４−トリヒドロキシベンゾフェノン、２．４−ジヒ
ドロキシベンゾフェノン、２．２’　、５．６’　−テ
トラヒドロキシベンゾフェノン、　２．３’　　、４．
４’　　、６−ペンタヒドロキシベンゾフェノン等のヒ
ドロキシベンゾフェノン類、４−アミノベンゾフェノン
、４．４′　−ジアミノベンゾフェノン等のアミノベン
フェノン類、あるいは２種以上の置換基を有するベンゾ
フェノン類、例えば４−メトキシ−２−ヒドロキシベン
ゾフェノン、　２，２′　　−ジヒドロキジー４−メト
キシベンゾフェノン等が挙げられる。

上記窒素原子を含む複素環化合物としては、アクリジン
、２．２’　、２”−テルビリジルネオクプロイン、２
．２′　−ジピリジルベンゾトリアゾール、５−メチル
ベンゾトリアゾール、バソフェナンドロリン、１．１０
−フェナントロリン、アルデヒドコリジン、ベンジルピ
リジン、フェニルピリジン、キナゾリン、２−ヘプタデ
シルイミダゾール等の他、フェノール性水酸基を有する
化合恢、例えば４−（２−ピリジルアゾ）−レゾルシン
１−（２−ピリジルアゾ）−２−ナフトール、４−キノ
リツール、４−メチル−２−キノリツール、８−キノリ
ツール、キノリンジオール等、カルボキシル基を有する
化合物、例えばキヌレン酸、アクリジン酸、アトファン
、キルナジン酸、シンコニン酸、イソニコチン酸、２，
５−ピリジンジカルボン酸、キニン酸等、アミノ基又は
イミノ基を有する化合物、例えば２−アミノベンズイミ
ダゾール、５−アミノ−ＩＨ−テトラゾール、５−アミ
ノ−ＩＨ−１，２，４−）リアゾール、アデニン、グア
ニン、ルミノール、２−ヒドラジノキノリン、チアミン
等、カルボニル基を有する化合物、例えばりボフラビン
、テオブロミン、アラントイン、アロキサン、２−チオ
バルビッール酸、ビオルル酸、イサチン、ヒダントイン
、チミン、バルビッール酸、オロチン酸、ウラシル、ス
クシンイミド、タレアデニン、２−ピロリドン等が挙げ
られる。

上記酸素原子を含む複素環化合物としては、トコフェロ
ール、モリン、ケルセチン、アスコルビン酸、無水１．
８−ナフタル酸、レゾルフィン、コウジ酸、デヒドロ酢
酸、オキサゾール、３−アミノフタルイミド、４−アミ
ノフタルイミド、ウリジン、チミジン、グアノシン、無
水イサト酸等が挙げられる。

上記硫黄原子を含む複素環化合物としては、スルホラン
、３−ヒドロキシスルホラン、３−メチルスルホラン、
スルホレン、３−ヒドロキシスルホレン、３−メチルス
ルホレン、ローダニン、３−アミノローダニン、チアゾ
リン−４−カルボン酸、４Ｈ−１，４−チアジン、ビオ
チン、３．６−チオキサンチンジアミン、３．６−チオ
キサンチンジアミン−１０，１０−ジオキシド等が挙げ
られる。

上記メルカプト基を有する化合物としては、２−ベンゾ
オキサゾールチオール、チオフェノール、チオサリチル
酸、プロパンチオール、チオウラシル、２．３−キノキ
サリンジチオール、ジチゾン、チオオキシン、２−ベン
ズイミダゾールチオール、６−チオグアニン、５−ニト
ロ−２−ベンズイミダゾールチオール、５−アミノ−１
，３，４−チアゾール−２−チオール等が挙げられる。

上記チオカルボン酸またはその塩としては、ジエチルジ
チオカルバミン酸ナトリウム、エタンチオ酸、ルベアン
酸、チオアセトアミド、エタンジチオ酸等が挙げられる
。

上記チアゾール系化合物としては、ビスムチオール■、
ジアゾスルフィド、アゾスルフイム、１゜３．４−チア
ジアゾール、ビスムチオール、ビスムチオール、ベンゾ
チアゾール、２−メチルベンゾチアゾール、２−（ｐ−
アミノフェニル）−６−メチルベンゾチアゾール、２−
メルカプトベンゾチアゾール、ベンゾチアゾリン、２−
ベンゾチゾリン、ベンゾチアゾロン等が挙げられる。

上記防錆剤は、同じ保護膜中に混合して用いてもよいが
、例えば強磁性金属膜の表面に先ず防錆剤より成る膜を
形成し、次にこの上に本発明に係る保護膜を形成すると
効果が高い。

このように保護膜を２層に分けて形成する場合、防錆剤
の塗布量としては、前記の潤滑剤と同様、０．５ｍｇ／
ｒｒｆ〜　１００ｍｇ／　ｒｄとするのが好ましく、特
に１ｍｇ／ｒｒｆ〜２０ｍｇ／　ｒｄとするのがより好
ましい。

塗布量が少なすぎると、耐蝕性改善の効果が得られず、
逆に多過ぎると走行性等に問題が生じる。

次に、本発明に係る磁気記録媒体に使用する非磁性支持
体の素材としては、ポリエチレンテレフタレート等のポ
リ壬ステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリ
オレフィン類、セルローストリアセテート、セルロース
ジアセテート、セルロースアセテートブチレート等のセ
ルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン
等のビニル系樹脂、ポリカーボネート、ポリイミド、ポ
リアミドイミド等のプラスチック、アルミニウム合金、
チタン合金等の軽全屈、アルミナガラス等のセラミック
ス等が挙げられる。この非磁性支持体の形態としては、
フィルム、シート、ディスク、カード、ドラム等のいず
れでもよい。

非磁性支持体には、その表面に山伏突起やしわ状突起、
粒状巣起等の突起を１種以上を形成して表面粗さをコン
トロールすることができる。

山伏突起は、例えば高分子フィルム製造時に粒径５００
〜３０００人程度の無機微粒子を内添することにより形
成することができ、高分子フィルム表面からの高さは１
００〜１０００人、密度はおよそ１×１０４〜ｉｏｘ　
ｔｏ’　（１１／　ｍｍ２とする。山伏突起を形成する
ために使用する無機微粒子としては、炭酸カルシウム（
ＣａＣ０３）、シリカ、アルミナ等が好適である。

しわ状突起は、例えば特定の混合溶媒を用いた樹脂の希
薄溶液を塗布乾燥することにより形成される起伏であっ
て、その高さは０．０１〜１０μｍ、好ましくは０．０
３〜０．５μｍ１突起間の最短間隔は０．１〜２０μｍ
とする。このしわ状突起を形成するための樹脂としては
、ポリエチレンテレツクレート、ポリエチレンナフタレ
ート等の飽和ポリエステル、ポリアミド、ポリスチロー
ル、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリスルホ
ン、ポリエーテルスルホン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化
ビニリデン、ポリビニルブチラール、ポリフェニレンオ
キサイド、フェノキン樹脂等の各種樹脂の単体、混合体
または共重合体であり、溶剤に可溶性のものであれば使
用することができる。そして、これらの樹脂をその良溶
媒中に熔解させた樹脂濃度１〜１１０００ｐｐの溶液に
、その樹脂の貧溶媒であって良溶媒より高い沸点を有す
る溶媒を樹脂に対して１０〜１００倍量添加した溶液を
、高分子フィルムの表面に塗布して乾燥することにより
、非常に微細なしわ状凹凸を有する薄層を得ることがで
きる。

粒状突起は、アクリル樹脂等の有機超微粒子またはシリ
カ、金属粉等の無機微粒子を球状あるいは半球状に付着
させることにより形成される。′この粒状突起の高さは
、５０〜５００人、密度はｌＸｌ０６〜５０Ｘ　１０６
個／ｍｍ’程度とする。これらの突起の少なくとも一種
以上を形成すれば磁性層である強磁性金属薄膜の表面性
を制御できるが、２種以上を組合わせることにより効果
が増し、特に山伏突起を設けたベースフィルム上にしわ
状突起、つぶ状突起を形成すれば、耐久性と走行性の著
しい改善効果が得られる。この場合、突起の全体として
の高さは、　１００〜２０００人の範囲内であることが
好ましく、その密度は１　ｔａｒＲ２当り平均で１×１
０５〜Ｉ　Ｘ　１０’　（固であることが好ましい。

また、磁性層である強磁性金属薄膜は、真空蒸着法、イ
オンブレーティング法、スパッタリング法等の真空薄膜
形成技術により連ｈｔ膜として形成することができる。

上記真空蒸着法は、１０−’〜１０−”　Ｔｏｒｒの真
空下で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビ
ーム加熱等により蒸発させてディスク基板上に強磁性金
属材料を被着させる方法であり、一般に高い抗磁力を得
るため基板に対して強磁性金属材料を斜めに蒸着する斜
方蒸着法が採用されている。

あるいは、より高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で
蒸着を行う方法も提案されている。

イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり、１
０−４〜１Ｏ−３Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中でＤＣ
グロー放電、ＲＦグロー放電を起こして、放電中で強磁
性金属材料を蒸発させる方法である。

上記スパッタリング法は、１０−３〜１０−’　Ｔｏｒ
ｒのアルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電
を起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面
の原子をたたき出す方法であり、グロー放電の方法によ
り直流２極、３極スパツタ法、高周波スパッタ法または
マグネトロン放電を利用したマグネトロンスパッタ法等
がある。このスパッタリング法による場合には、Ｃｒや
Ｗ１■等の下地膜を形成しておいてもよい。

なお、上述したいずれの方法においても、基板上にあら
かじめＢｉｓ　Ｓｂ、、　Ｐｂｓ　Ｓｎｓ　Ｇａ−１ｎ
、、　Ｃｄ、　Ｇｅ５Ｓ　ｔ　ｓ　　Ｔ　１等の下地金
属層を被着形成しておき、基板面に対して垂直方向から
成膜することにより、磁気異方性の配向かなく面内等方
法に優れた磁性層を形成することができ、例えば磁気デ
ィスクとする場合には好適である。

このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄膜を形成
する際に、使用する強磁性金属材料としては、Ｆｅ５Ｃ
Ｏ％　Ｎｔ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ合金、Ｃｏ−Ｎ１−Ｐｔ合金、Ｆｅ　−Ｃｏ合金、Ｆ
ｅ　−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−
Ｂ合金、Ｃｏ　−Ｎｉ−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金
あるいはこれらにＣｒ、Ａβ等の金属が含有されたもの
等が挙げられる。

特に、Ｇｏ　−Ｃｒ合金を使用した場合には、垂直磁化
膜が形成できる。

このような技術により形成される磁性層の膜厚は、０．
０４〜１μｍ程度である。

また、非磁性支持体の磁性層が設けられる面とは反対側
の面に、いわゆるバックコート層を形成してもよい。バ
ックコート層は、結合剤樹脂と粉末成分とを有機溶媒に
混合分散さ廿たバックコート用塗料を非磁性支持体面に
塗布することにより形成することができる。

ここで、バンクコート用塗料に使用される結合剤樹脂と
しては、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、塩
化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アク
リロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロ
ニトリル共重合体、熱可塑性ボリウレクンエラストマ、
ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリル
共重合体、ブタジェン−アクリロニトリル共重合体、ポ
リアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘導
体、ポリエステル樹脂、ポリブタジェン等の合成ゴム系
樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン硬
化型樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコーン
樹脂、アクリル系反応樹脂、エポキシ−ポリアミド樹脂
、ニトロセルロース−メラミン樹脂、高分子量ポリエス
テル樹脂とイソシアナートプレポリマーの混合物、メタ
クリル酸塩共重合体とジイソシアナートプレポリマーの
混合物、ポリエステルポリオールとポリイソシアナート
との混合物、尿素ホルムアルデヒド樹脂、低分子量グリ
コール／高分子量ジオール／トリフェニルメタントリイ
ソシアナートの混合物、ポリアミン樹脂及びこれらの混
合物等が挙げられる。

あるいは、粉末成分の分数性の改善を図るために、親水
性極性基を持った結合剤樹脂を使用してもよい。

具体的には、−３０３列、−０３０３Ｍ　−Ｃ００Ｍ、
−Ｐ　　（ＯＭ’）２（Ｍは水素原子またはアルカリ金
属を表し、Ｍ′は水素原子、アルカリ金属または炭化水
素基を表す）から選ばれた親水性極性基を導入したポリ
ウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル−酢酸ビ
ニル系共重合体、塩化ビニリデン系共重合体、アクリル
酸エステル系共重合体、ブタジェン系共重合体等が使用
可能である。

親水性極性基の導入方法としては、樹脂の［類に応じて
種々の方法が考えられるが、例えばポリウレタン樹脂や
ポリエステル樹脂に親水性極性基を導入する場合、次の
ような方法により行うことができる。

（１）ポリウレタン又はポリエステルの原料である２塩
基酸あるいはポリオール等に親水性極性基を予め導入し
ておく方法。

（２）末端若しくは側鎖に０１１基を残存させておき、
このＯ）！基を親水性極性基を持った化合物により変性
する方法。

（２）による場合、次のような方法がある。

分子中に親水性極性基とハロゲン（例えば塩素）を含有
する化合物と、原料に多官能のポリオールを用い、ポリ
マー鎖の末端若しくは側鎖にＯ１＋基が残存したポリウ
レタン杉（脂またはポリエステル樹脂とを、両成分が熔
解性のあるジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシ
ド等の溶剤に溶解し、ピリジン、ピコリン、トリエチル
アミン等のアミン類やエチレンオキサイド、プロピレン
オキサイド等のエポキシ化合物等の脱塩酸剤の存在下で
の０１１基と塩素との脱塩酸反応により親水性極性基を
導入する方法。

分子中に親水性極性基とＯＨ基を含有する化合物と、ポ
リマー鎖の末端若しくは側鎖に０１ｆ基が残存したポリ
ウレタン樹脂またはポリエステル樹脂とを、ジイソシア
ナート化合物を介して反応させる方法。

また、上記共重合体系結合剤樹脂に親水性極性基を導入
する場合、次のような方法がある。

（３）共重合モルマーとして、親水性極性基及び共重合
可能な二重結合を有する化合物を使用する方法。

（４）共重合モノマーとして、活性水素及び共重合可能
な二重結合を有する化合物を使用し、共重合体の側鎖に
上記活性水素を導入しておき、親水性極性基及び上記活
性水素と反応可能な基を有する化合物により変性する方
法。

（５）共重合上ツマ−として、活性水素と反応可能な基
及び共重合可能な二重結合を有する化合物を使用し、共
重合体の側鎖に上記活性水素と反応可能な基を導入して
おき、親水性極性基及び上記活性水素を有する化合物に
より変性する方法。

一方、上記粉末成分としては、導電性を付与するための
カーボン系微粉末（例えば、ファーネスカーボン、チャ
ンネルカーボン、アセチレンカーボン、サーマルカーボ
ン、ランプカーボン等が挙げられるが、なかでもファー
ネスカーボンやサーマルカーボンが好適である。）、無
機顔料（表面粗度のコン［・ロール及び耐久性向上のた
めに添加されるｃｘ　−Ｆｅ００）１　％　ｃｔ　−Ｆ
ｅ２Ｏ３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ，５ｉＯ１Ｓｉ０２．５ｉ
０２・２ｆ１２０、Ａ　１２０３　　・２Ｓ　ｔ０２　
　・２１１２０．３Ｍｇ０・４Ｓｉ０２　　・Ｉ２０　
、ＭｇＣＯ３・Ｍｇ　（ＯＨ）２・３１１２０、Ａ　Ｉ
２０３、ＣａＣ０３％　ＭｇＣＯ３，５ｂ２０３等）が
挙げられる。

そして、バックコート用塗料の有機溶剤としては、アセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、酢酸グリコールモノ
エチルエーテル等のエステル系溶剤、グリコールジメチ
ルエーテル、グリコールモノエチルエーテル、ジオキサ
ン等のグリコールエーテル系溶剤、ベンゼン、トルエン
、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ヘキサン、ヘプ
タノ等の脂肪族炭化水素系溶剤、メチレンクロライド、
エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、エチ
レンクロロヒドリン、ジクロロベンゼン等の塩素化炭化
水素系溶剤等、汎用の溶剤も用いることができる。

前述のバンクコート層には潤滑剤を併用してもよい。こ
の場合、バックコート層中に潤滑剤を内添する方法、あ
るいはバラコート層上に潤滑剤を被着する方法がある。

いずれにしても、潤滑剤としては、脂肪酸、脂肪酸エス
テル、脂肪酸アミド、金属セッケン、脂肪族アルコール
、パラフィン、シリコーン等、従来より周知の潤滑剤が
使用できる。

これらの潤滑剤を例示すれば、先ず脂肪酸としては、ラ
ウリン酸、ミリスチン酸、パルチミン酸、ステアリン酸
、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リルン酸等の炭
素数が１２以上の飽和脂肪酸あるいは不飽和脂肪酸が使
用できる。

脂肪酸エステルとしては、ステアリン酸エチル、ステア
リン酸ブチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸モノ
グリセリド、オレイン酸モノグリセリド等が使用できる
。

脂肪酸アミドとしては、カプロン酸アミド、カプリン酸
アミド、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステ
アリン酸アミド、ベヘン酸アミド、オレイン酸アミド、
リノール酸アミド、メチレンビスステアリン酸アミド、
エチレンビスステアリン酸アミド等が使用できる。

金属セッケンとしては、前述の脂肪酸のＺｎ、　Ｐｂ、
Ｎ１％　Ｃ０％　ＦＣ！％　ＡＩ％　Ｍｇ、　Ｓｒ、Ｃ
ｕ等との塩、あるいはラウリルスルホン酸、バルミチル
スルホン酸、ミリスチルスルホン酸、ステアリルスルホ
ン酸、ベヘニルスルホン酸、オレイルスルホン酸、リノ
ールスルホン酸、リルンスルホン酸等のスルホン酸と金
属との塩等が使用できる。

脂肪族アルコールとしては、セチルアルコール、ステア
リルアルコール等が使用できる。

パラフィンとしては、ｎ−ノナデカン、ｎ−トリデカン
、ｎ−トコサン等の飽和炭化水素が使用できる。

シリコーンとしては、水素がアルキル基またはフェニル
基で部分置換されたポリシロキサン及びそれらを脂肪酸
、脂肪族アルコール、脂肪酸アミド等で変性したもの等
が使用できる。

さらには、上述の磁性層表面に形成する保護層と同様の
潤滑剤を使用してもよい。

〔作用〕

本発明によれば、磁気記録媒体を構成する保護膜中に、
水酸基を２個以上有する化合物とフッ素系潤滑剤を含有
させたことにより強磁性金属薄膜に対する良好な付着性
が得られると共に、摩擦係数が低減して高い潤滑効果が
得られる。また、このような付着性及び潤滑効果は、高
温多湿の条件下でも、また低温の条件下でも通常の条件
下と同様に得られる。

〔実施例〕

実施例１ 厚さ１４μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに
斜め蒸着法によりＣｏを被着して、膜厚１０００人の強
磁性金属薄膜を形成した後、この強磁性金属薄膜の上に
重量比が１：２であるベンタンジオールとリノール酸ペ
ンダデカフルオロオクチルエステルをその塗布量が５　
ｍｇ／　ｒｄとなるように塗布して保護膜を形成し、こ
の後１／２インチ幅に裁断してサンプル用磁気記録媒体
を作製した。

実施例２〜実施例８ 作製法及び条件は実施例１と同様であるが、水酸基を２
個以上有する化合物及びフッ素系潤滑剤として下記の表
１に示す化合物をそれぞれの実施例において用いて保護
膜を形成し、サンプル用磁気記録媒体を作製した。

作製した各サンプル用磁気記録媒体について、温度が４
０℃で相対湿度（Ｒ１りが２０％、温度が２５℃で相対
湿度（Ｒ）ｌ）が６０％及び温度が一５℃の各条件下で
の動摩擦係数とシャトル耐久性を測定した。

この動摩擦係数は、材質がステンレス（５ｔｌＳ３０４
）のガイドピンを用い、一定のテンションをかけて５　
ａｍ／　ｓｅｃの速度で送ることにより試験したもので
ある。また、シャトル耐久性は、１回につき２分間のシ
ャトル走行を行い、出力が一３ｄＢに低下するまでのシ
ャトル回数で評価した。スチル耐久性はポーズ状態での
出力の一３ｄＢまでの減衰時間を評価した。その結果を
表２に示す。なお、比較例として、保護膜を形成してい
ない磁気記録媒体についても同様の測定を行った。

この表から明らかなように、本発明の各実施例に係る磁
気記録媒体は、當温、高温高湿、低温の各条件下で動摩
擦係数が小さく、走行が極めて安定しており、また１０
０回の往復走行後でもテープ表面の損傷は全く見られな
かった。また、ステル耐久性も極めて良く、　１５０回
のシャトル走行を行っても出力の一３ｄｌｌ低下は見ら
れなかった。これに対して、保護層のない比較例の磁気
記録媒体の場合、摩擦係数が往復走行回数が多（なるに
つれて大きくなり、走行も不安定でテープの摩耗が見ら
れ、スチル耐久性も不良であった。

表　　　２ 〔発明の効果〕 本発明によれば、幅広い使用条件下において、動摩擦係
数が小さくて走行安定性に優れ、且つ耐摩耗性と耐久性
にも優れた磁気記録媒体が得られる。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜及び保護膜が形成され
   て成る磁気記録媒体において、 上記保護膜中に水酸基を２個以上有する化合物とフッ素
   系潤滑剤を含有させたことを特徴とする磁気記録媒体。