JPS63188819A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空蒸着、スパッタリング等の薄膜形成技術
により、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成した、
いわゆる強磁性金属ｉ模型の磁気記録媒体に関する。

〔発明の概要〕

本発明は、保護膜を有する強磁性金属薄膜型の磁気記録
媒体において、保護膜中に芳″Ｉｆ環に２個以上のパー
フルオロアルキルエルテル基を有する化合物を含有させ
ることにより、走行性、耐摩耗性及び耐久性に優れた磁
気記録媒体が得られるようにしたものである。

〔従来の技術〕

従来の磁気記録媒体としては、非磁性支持体上に粉末磁
性材料が有機バインダ中に分散された磁性塗料を塗布し
、乾燥させることにより作製させる塗布型の磁気記録媒
体が広く使用されている。

磁性材料としては、例えばｒ　−Ｆ１３２０３　、Ｃｏ
を含有するＴ　−Ｆｅ２Ｏ３，、Ｆｅ３Ｏ４、Ｃｏを含
有するＦｅ３Ｏ３，１−Ｆｅ２Ｏ３とＦｅ３０ｑとのベ
ルトライド化合物、Ｃ。

を含有するベルトライド化合物、Ｃｒ（ｈ等の酸化物強
磁性粉末あるいはＦｅ、　Ｃｏ、　Ｎｉ等を主成分とす
る合金磁性粉末等が使用されている。また、有機バイン
ダとしては、塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、ポリ
エステル樹脂、ポリウレタン樹脂等が使用される。

これに対して、近年高密度磁気記録を実現するために、
Ｃｏ−Ｎｉ合金等の強磁性金属材料をメッキや真空薄膜
形成技術（真空蒸着法、スパンタリング法、イオンブレ
ーティング法等）によってポリエステルフィルム、ポリ
イミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着形成した
、いわゆる強磁性全屈″ｔ＃膜型の磁気記録媒体が提案
されている。このような強磁性金属Ｍ　Ｍ！ｉ！型磁気
記録媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁
変換特性にも優れていることに加えて、磁性層の厚みを
極めて薄くすることが可能であるため記録減磁や再生時
の厚み損失が著しく小さくなる、磁性層中に非磁性材で
ある有機バインダを混入する必要がないため磁性材料の
充填密度を高めることができるなど、数々の利点を有し
ている。

しかしながら、上述した従来の強磁性金属薄膜型の磁気
記録媒体によれば、磁性層表面の平滑性が極めて良好で
あるために実質的な接触面積が大き（なり、凝着現象（
いわゆる貼り付き）が起こり易くなったり摩擦係数が大
きくなるなど、耐久性や走行性等に欠点が多く、その改
善が大きな課題となっていた。

磁気記録媒体は、磁気信号を記録、再生する際、高速相
対運動を行う磁気ヘッドに対して、その走行が円滑、且
つ安定な状態で行われなければならない。また、磁気ヘ
ッドとの接触による摩耗やｍ傷はなるべく少ないほうが
よい。そこで、耐久性走行性等の点を完全するために、
磁性層である強磁性金属薄膜の表面に潤滑剤を塗布して
保護膜を形成した磁気記録媒体が提案されている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

上述したように潤滑剤を塗布して保護膜を形成した場合
、この保護膜が磁性層である強磁性金属薄膜に対して良
好な密着性を示し、かつ磁気へ。

ドに対して高い潤滑効果を有することが要求される。ま
た、このような密着性や潤滑効果は、熱帯、亜熱帯地方
等における高温多湿の条件下でも、また寒冷地における
低温の条件下でも優れていなければならない。

しかしながら、従来一般に用いられている／１ＳＩｌ滑
剤の使用温度範囲は限られており、特に、０〜＝５℃の
ような低温下では固化または凍結するものが多く、充分
にその潤滑効果を発揮させることができなかった。

本発明は、上述の点に鑑みて、走行性、耐久性に優れた
保護膜が形成された磁気記録媒体を提供するものである
。

（問題点を解決するための手段〕 本発明は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜及びこの上
に保護膜が形成されて成る磁気記録媒体において、この
保護膜中に潤滑剤として芳香環に２個以上のパーフルオ
ロアルキルエステル基を有する化合物を含有させたこと
を特徴とする。

本発明で使用する芳香環に２個以上のパーフルオロアル
キルエステル基を有する化合物は、次の一般式で表わさ
れる。

ＲｒｏｏＣ−（φ）Ｊ　−Ｃ００Ｒｒ　　（ｊ　＝　１
又は２）・・・・・・（１） （φ）Ｊ　（ＯＣＯＲｒ）ｚ　　（ｊ　＝　１又は２、
ｌ≧２）・・・・・・（ｎ） （Ｒｒ　　＝　　ＣｎＦ２ｎ＋ｘ　　（Ｃ１ｈ）ｍ　　
−１ｎ　≧　３　、０　≦ｍ≦　５〕（１）式の化合物
は、下記に示すスキームで合成することができる。

即ち、過剰のチオニルクロライドを無水ベンゼン中に加
え、２，６−ジカルボキシナフタレンカリウム塩を添加
し、４〜５時間還流後、水中にあけ、沈澱をろ別する。

この沈澱をクロロホルム／ｎ−ヘキサン混合溶媒中から
再結晶させる。この結晶の融点ｍｐは１８５〜１８６℃
、収率は６９％である。次に、この結晶に、塩基として
トリエチルアミンを等モル、アルコールとしてペンタデ
カフルオロオクタツールを等モル加えた無水トルエン溶
液を加えて１時間還流させる。？！Ａ′Ｇと、水で充分
に洗浄した後、溶媒を除去し、生成物をフレオン／石油
エーテル混合溶媒から再結晶させる。なお、Ｒｒ　＝Ｃ
ｖＦ　１ｓ　Ｃ１１２−の場合、収率は７５％、ｍｐは
１１２〜１１３℃、またＲｒ　＝　Ｃ９Ｆ　１９　Ｃ１
１２−の場合、収率は８４％、ｎａｐは１３８〜１３９
℃である。

また、（ＩＩ）式のポリパーフルオロアルキルカルボニ
ルオキシベンゼンは、下記に示すスキームで合成するこ
とができる。

即ち、例えばヒドロキノン（１＝２＞を無水エーテルに
加えた後、等量のトリエチルアミンを加える。次に、ペ
ンタデカフルオロオクタン酸クロリド（ｎ＝７）を徐々
に滴下する。滴下終了後、１夜攪拌し、水で充分洗浄し
た後、溶媒を除去し、クロロホルム／ｎ−へキサン水溶
液から再結晶させる。得られた結晶のｍｐは１１２〜１
１３℃、収率は６７％である。

芳香環に２個以上のパーフルオロアルキルエステル基を
有する化合物は、保護膜中に潤滑剤とし′ζ単独で用い
てもよいが、従来公知の潤滑剤と混合して用いることに
より、さらに使用温度帯域の拡大をはかることができる
。

このために使用する潤滑剤としては、樹脂酸またはその
金属塩、脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコ
ールまたはそのアルコキシド、脂肪族アミン、多価アル
コール、ソルビタンエステル、マンニソタンエステル、
硫黄化脂肪酸、脂肪族メルカプタン、変性シリコーンオ
イル、パーフルオロアルキルエチレンオキシド、パーフ
ルオロポリエーテル類、高級アルキルスルホン酸または
その金属塩、パーフルオロアルキルスルホン酸またはそ
のアンモニウム塩あるいはその金属塩、パーフルオロア
ルキルカルボン酸またはその金属塩、パーフルオロアル
キルカルボン酸エステル等が例示される。

特に、一般式ＣｎＦ　２ｎ　＋、Ｃ０ＯＲ（ｎは６〜１
０の整数を表し、Ｒは炭素数１〜２５の炭化水素基を表
す）で示されるパーフルオロアルキルカルボン酸エステ
ルや一般式Ｒ’ＣＯＯ（Ｃ１１２）ＪＣｋＦ２に＋ｔ　
（但し、Ｒ′は炭素数１〜２５の炭化水素基を表し、０
≦ｊ≦５、ｋ≧３である）で示されるカルボン酸パーフ
ルオロアルキルエステルは低温特性が良好であるから、
本発明に係る潤滑剤と併用するのが好ましい。

さらには、より厳しい使用条件に対処し、かつ潤滑効果
を持続させるために、保護膜中に重量比３０（潤滑剤）
＝７０（極圧剤）〜７０：３０程度の配合比で極圧剤を
含有させることができる。

上記極圧剤は、境界潤滑領域において部分的に金属接触
が生じたとき、これに伴う摩Ｌａ熱によって金属面と反
応し、反応生成物被膜を形成することにより摩擦・摩耗
防止作用を行うものであって、リン系極圧剤、イオウ系
極圧剤、ハロゲン系極圧剤、有機金属系極圧剤、複合型
極圧剤等が知られている。

具体的に例示すれば、上記リン系極圧剤としては、トリ
ブチルボスフェート、トリオクチルホスフェート、トリ
ー２−エチルへキシルホスフェート、トリラウリルホス
フェート、トリオレイルホスフェ−１、ジブチルホスフ
ェート、ジオクチルホスフェート、ジー２−エチルヘキ
シルボスフェート−ジラウリルホスフェート、ジオレイ
ルボスファイト等のリン酸エステル、トリオクチルホス
ファイト、トリオクチルホスファイト、トリー２−エチ
ルへキシルホスファイト・、トリラウリルホスファイト
、トリオレイルホスファイト、ジブチルホスファイト、
ジオクチルホスファイト、ジ−２−エチルへキシルホス
ファイト、ジラウリルホスファイト、ジオレイルボスフ
ァイト等の亜リン酸エステル、ジブチルホスフェートブ
チルアミン塩、ジブチルホスフェートオクチルアミン塩
、ジブチルホスフェートステアリルアミン塩、ジオクチ
ルホスフェートブチルアミン塩、ジオクチルホスフェー
トオクチルアミン塩、ジオクチルホスフェートラウリル
アミン塩、ジオクチルホスフェートステアリルアミン塩
、ジー２−エチルへキシルホスフェートブチルアミン塩
、ジー２−エチルへキシルホスフェートオクチルアミン
塩、ジー２−エチルへキシルホスフェートラウリルアミ
ン塩、ジー２−エチルへキシルホスフェートステアリル
アミン塩、ジラウリルホスフェートブチルアミン塩、ジ
ラウリルホスフェートオクチルアミン塩、ジラウリルホ
スフェートラウリルアミン塩、ジラウリルホスフェート
ステアリルアミン塩、ジオレイルホスフェートブチルア
ミン塩、ジオレイルホスフェートブチルアミン塩、ジオ
レイルホスフェートラウリルアミン塩、ジオレイルホス
フェートステアリルアミン塩等のリン酸エステルアミン
塩が挙げられる。

上記イオウ系極圧剤としては、硫化抹香鯨油、硫黄化ジ
ペンテン等不飽和結合を有する鉱油、油脂や脂肪酸等に
硫黄を加えて加熱することにより製造される硫化油脂類
、二硫化ジベルジル、二硫化ジフェニル、二硫化ジ−ｔ
−ブチル、二硫化ジー　５ｅｃ−ブチル、二硫化ジ−ｎ
−ブチル、二硫化ジーＬ−オクチル、二硫化ジエチル等
のジサルファイド類、硫化ベンジル、硫化ジフェニル、
硫化ジビニル、硫化ジメチル、硫化ジエチル、ｉ化ジー
ｔ−ブチル、硫化ジー５ｅｃ−ブチル、硫化ジ−ｎ−ブ
チル等のモノサルファイド類、三硫化ジメチル、三硫化
ジーＬ−ブチル、ポリ硫化ジ−ｔ−ノニル、オレフィン
ポリサルファイド等のポリサルファイド類、一般式 ％式％（） （Ｒは炭化水素基を表す） で示されるチオカーホネ−１・類、元素硫黄等が挙げら
れる。

上記ハロゲン系極圧剤としては、臭化アリル、臭化オク
タデシル、臭化シクロ・＼キシル、臭化ステアリル、息
化ベンジル等の臭素化合物、ヨウ化ヘンシル、ヨウ化ア
リル、ヨウ化ブチル、ヨウ化オクタデシル、ヨウ化シク
ロヘキシル等のヨウ素化合物、ヘキサクロロエタン、モ
ノクロロエクン、塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル
、塩素化油脂、メチルトリクロロステアレート、ペンタ
クロロペンタジェン酸、ヘキサクロロナフテン酸化合物
のエステル、ヘキサクロロナフテン酸化合物のイミド誘
導体等の塩素化合物が挙げられる。

上記有機金属系極圧剤としては、ジイソブチルジチオリ
ン酸亜鉛、イソブチルペンチルジチオリン酸亜鉛、イソ
プロピル−１−メチルブチルジチオリン酸、・イソブチ
ルノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、イソブチル・＼ブ
チルフェニルジチオリン酸、ジヘプチルフェニルジチオ
リン酸、ジノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、モリブデ
ンジチオフォスフェート等のチオリン酸塩類、ジメチル
ジチオカルバミン酸亜鉛、ジエチルジチオカルバミン酸
亜鉛、ジブチルジチオ力ミバミン酸亜鉛、エチルフェニ
ルジチオカルバミン酸亜鉛、ジベンジルジチオカルバミ
ン酸亜鉛、ジメチルジチオカルバミン酸亜鉛、ジメチル
ジチオカルバミン酸銅、ジメチルジチオカルバミン酸鉄
、ジエチルジチオカルバミン酸セレン、ジエチルジチオ
カルバミン酸銀等のチオカルバミン酸塩類、モリブデン
、アンチモン等の金属アルキルジチオカルバミン酸塩類
等が挙げられる。

上記複合型極圧剤としては、ジー２−エチルヘキシルチ
オリン酸アミン等のジアルキルチオリン酸アミン類、塩
化プロピルホスフェート、臭化プロピルホスフェート、
ヨウ化プロピルホスフェート、塩化ブチルホスフェート
、臭化ブチルホスフェート、ヨウ化ブチルホスフェート
等に代表されるハロゲン化アルキルのリン酸エステル類
、クロロナフサザンテーＩ・等の他、一般式 （各一般式中Ｒは水素原子または一アルキル基、アルケ
ニル基、アリール基を表す） で示されるチオホスフェート類、一般式（式中Ｒは水素
原子またはアルキル基、アルケニル基、アリール基を表
す） で示されるチオホスファイｌ−類等が効果が高い。

上述の極圧剤は単体で使用してもよいが、２種以上を混
合して使用することも可能である。

このような芳香環に２個以上のパーフルオロアルキルエ
ステル基を有する化合物を潤滑剤として含有する保護膜
を強磁性金属薄膜上に形成する方法としては、例えば潤
滑剤を溶媒に溶解して得られた溶液を強磁性金属７＃膜
の表面に塗布又は噴霧する方法、あるいは逆にこの溶液
中に強磁性金属薄膜を浸漬して乾燥する方法がある。溶
媒としては、例えばフレオン、トルエン、イソオクタン
、ヘキサン等を使用する。

その塗布量は、０．５ｍｇ／　ｒｄ　〜１００ｍｇ／　
ｒｄであるのが好ましく、特に１ｍｇ／ｍ〜２０ｍｇ／
ｒｒｉであるのがより好ましい。この塗布量が少なすぎ
ると、摩擦係数が低下して、耐摩耗性と耐久性の向上と
いう効果が得られず、一方多すぎると、摺動部材と強磁
性金属薄膜との間ではりつき現象が起こり、却っ°ζ走
行性が悪くなる。

そして、保護膜中には上述の潤滑剤、極圧剤に加えて、
必要に応じて防錆剤を使用してもよい。

一般に、強磁性金属薄膜は金属材料より成るため錆易く
、防錆剤を使用することにより耐蝕性を大幅に改善する
ことができる。したがって、芳香環に２個以上のパーフ
ルオロアルキルエステル基を有する化合物の有する潤滑
作用と相俟って、磁気記録媒体の耐久性を向−ヒさせる
ことができる。

使用可能な防錆剤としては、通常この種の磁気記録媒体
の防錆剤として使用されるものであれば如何なるもので
あってもよく、例えばフェノール類、ナフトール類、キ
ノン類、ジアリールケトン、窒素原子を含む複素環化合
物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素
環化合物、メルカプト基を有する化合物、チオカルボン
酸またはその塩、チアゾール系化合物等が挙げられる。

具体的に例示すれば次の通りである。

先ず、上記フェノール類としては、二価フェノール、ア
ルキルフェノールあるいはニトロソフェノールが挙げら
れる。

上記二価フェノールとしては、ハイドロキノン、レゾル
シン、カテコール等の純フェノール類、及びそれらのア
ルキルアミノ、二ｌ・口、ハロゲン置換体、例えば、２
−メチルハイドロキノン、４−メチルレゾルシノール、
５−メチルレゾルシノール、４−メチルピロカテコール
、２．５−ジメチルハイドロキノン、４．６−ジメチル
レゾルシノール、２．５−ジメチルレゾルシノール、２
−イソプロピル−５−メチルハイドロキノン、’ｌ　−
ｔｅｒｔ−ブチルハイドロキノン、　２，５−ジーｔｅ
ｒ　ｔ−ブチルハイドロキノン、４−　ｔｅｒｔ−ブチ
ルカテコール、２−アミルゾルシノール、２−レゾルシ
ノール、２．５−ジクロロヒドロキノン等が挙げられる
。

上記アルキルフェノールとは、−価フエノールのアルキ
ル置換体を指し、例えば、Ｏ−クレゾール、ｍ−クレゾ
ール、ｐ−クレゾール、０−エチルフェノール、ｍ−エ
チルフェノール、ｐ−エチルフェノール、２，３ジメチ
ルフ二ノール、２．５−ジメチルフェノール、２．６−
ジメチルフェノール、３．４−ジメチルフェノール、３
．５−ジメチルフェノール、２．４．６−１−ジメチル
フェノール、　２．４．５−トリメチルフェノール、５
−イソプロピル−２−メチルフェノール、ｐ　−ｔｅｒ
ｔ−ブチルフェノール、２．６−ジーｔｅｒ　Ｌ−ブチ
／Ｌ／−ｐ−クレゾール、４．４′　　−メチレンビス
２．６−ジーｔｅｒ　ｔ−ブチルフェノール、２，６−
シメチルー４−　ｔｅｒｔ−ブチルフェノール、　２，
４．６−　トリーｔｅｒ　ｔ−ブチルフェノール等が挙
げられる。

上記ニトロソフェノールとしては、例えば、４−ニトロ
ソ−２−メトキシ−１−フェノール、４−ニトロソ−２
−工ｌ・キシ−１−フェノール−６−ニトロソ−０−ク
レゾール、４−ニトロソ−ｍ−クレゾール、Ｏ−ニトロ
ソフェノール、２−ニトロソフェノール、２−ニトロソ
レゾルシン、４−ニトロソレゾルシン、ｐ−ニトロソフ
ェノール等が挙げられる。

次に、上記ナフトール類としては、α−ナフトール、β
−ナフトール、１，２−ナフタレンジオール、　１，３
−ナフタレンジオール、　１．４−ナフタレンジオール
、　１，５−ナフタレンジオール、　１，７−ナフタレ
ンジオール、１．８−ナフタレンジオール、２．３−ナ
フタレンジオール、Ｌ４，５−ナフタレントリオール、
１，２．５．８−ナフタレンテトラオール等の純ナフト
ール類、及びニトロ、ニトロソ、アミノ、ハロゲン置換
ナフトール類、例えばｌ−クロロ−２−ナフトール、２
，４−ジクロロ−１−ナフトール、■−二トロー２−ナ
フトール、１，６−シニトロー２−ナフトール、ｌ−ニ
トロソ−２−ナフトール、２−ニトロソ−１−ナフトー
ル、１−アミノ−２−ナフトール等が挙げられる。

上記キノン類としては、ｐ−ベンゾキノン、〇−ベンゾ
キノン、ｌ、２−ナフトキノン、１．４−ナフトキノン
、　２．６−ナフトキノン、アントラキノン、９．１０
−フェナントレンキノン、ジフェノキノン等の置換基の
ないキノン類、メチル−ｐ−ベンゾキノン、　２．３−
ジメチル−ｐ−ベンゾキノン、２−メチル−１，４−ナ
フトキノン、２−メチルアントラキノン等のメチルキノ
ン類、２，５−ジヒドロキシ−ｐ−ベンゾキノン、テト
ラヒドロキシ−ｐ−ベンゾキノン、５−ヒドロキシ−１
，４−ナフトキノン、　２．３−ジヒドロキシ−１，４
−ナフトキノン、　５．８−ジヒドロキシ−１，４−ナ
フトキノン、２−ヒドロキシアントラキノン、　１．２
−ジヒドロキシアントラキノン、　１，２．３−　トリ
ヒドロキシアントラキノン、　１．２．４−）ジヒドロ
キシアントラキノン、　１，２．５−　）ジヒドロキシ
アントラキノン、！、２．６−　）ジヒドロキシアント
ラキノン、　１，２．７−トリヒドロキシアントラキノ
ン等のヒドロキシキノン類、２−アミノアントラキノン
、　Ｌ２−ジアミノアントラキノン等のアミノキノン類
、１−ニトロアントラキノン、１．５−ジニトロアント
ラキノン等のニトロキノン類、　２，６−ジクロロ−ｐ
−ベンゾキノン、テトラクロロ−ｐ−ベンゾキノン、テ
トラブロモ−ｐ−ベンゾキノン等のハロゲノキノン類、
あるいは２種以上の置換基を有するキノン類、例えば２
．５−ジクロロ−３，６−ジヒドロキシ−ｐ−ベンゾキ
ノン、■−メチルー２−ヒドロキシー　１．４−ナフト
キノン等が挙げられる。

上記ジアリールケトンとしては、ベンゾフェノン及びそ
の誘導体が挙げられ、例えばベンゾフェノン、４−メチ
ルベンゾフェノン、３−メチルベンゾフェノン、３．４
−ジメチルベンゾフェノン、４．４′　　−ジメチルベ
ンゾフェノン、　３，４′　−ジメチルベンゾフェノン
、４−エチルベンゾフェノン等のアルキル置換体、４−
ヒドロキシベンシフ、エノン、４．４’　−ジヒドロキ
シベンゾフェノン、２．３．４−　）ジヒドロキシベン
ゾフェノン、２．４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２
．２’　、５．６’　−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ン、　２．３’　、４．４’　、６−ペンタヒドロキシ
ベンゾフェノン等のヒドロキシベンゾフェノン類、４−
アミノベンゾフェノン、４．４′　−ジアミノベンゾフ
ェノン等のアミノベンフェノン類、あるいは２種以上の
置換基を有するベンゾフェノン類、例えば４−メトキシ
−２−ヒドロキシベンゾフェノン、　２．２′　　−ジ
ヒドロキシ−４−メトキシベンゾフェノン等が挙げられ
る。

上記窒素原子を含む複素環化合物としては、アクリジン
、　２．２’　、２”−テルビリジルネオクプロイン、
２．２′　−ジピリジルベンゾトリアゾール、５−メチ
ルベンゾトリアゾール、バソフェナンドロリン、１．１
０−フェナントロリン、アルデヒドコリジン、ベンジル
ピリジン、フェニルピリジン、キナゾリン、２−ヘプタ
デシルイミダゾール等の他、フェノール性水酸基を有す
る化合物、例えば４−（２−ピリジルアゾ）−レゾルシ
ン１−（２−ピリジルアゾ）−２−ナフトール、４−キ
ノリツール、４−メチル−２−キノリツール、８−キノ
リツール、キノリンジオール等、カルボキシル基を有す
る化合物、例えばキヌレン酸、アクリジン酸、アトファ
ン、キルナジン酸、シンコニン酸、イソニコチン酸、　
２，５−ピリジンジカルボン酸、キニン酸等、アミノ基
又はイミノ基を有する化合物、例えば２−アミノベンズ
イミダゾール、５−アミツーＩＨ−テトラゾール、５−
アミノ−ＩＨ−１，２，４−トリアゾール、アデニン、
グアニン、ルミノール、２−ヒドラジノキノリン、チア
ミン等、カルボニル基を有する化合物、例えばりボフラ
ビン、テオブロミン、アラントイン、アロキサン、２−
チオバルビッール酸、ビオルル酸、イサチン、ヒダント
イン、チミン、バルビッール酸、オロチン酸、ウラシル
、スクシンイミド、タレアデニン、２−とロリドン等が
挙げられる。

上記酸素原子を含む複素環化合物としては、トコフェロ
ール、モリン、ケルセチン、アスコルビン酸、無水１．
８−ナフタル酸、レゾルフィン、コウジ酸、デヒドロ酢
酸、オキサゾール、３−アミノフタルイミド、４−アミ
ノフタルイミド、ウリジン、チミジン、グアノシン、無
水イサト酸等が挙げられる。

上記硫黄原子を含む複素環化合物としては、スルホラン
、３−ヒドロキシスルホラン、３−メチルスルホラン、
スルホレン、３−ヒドロキシスルホレン、３−メチルス
ルホレン、ローダニン、３−アミノローダニン、チアゾ
リン−４−カルボン酸、４Ｈ−１，４−チアジン、ビオ
チン、３．６−チオキサンチンジアミン、３．６−チオ
キサンチンジアミン−１０，１０−ジオキシド等が挙げ
られる。

上記メルカプト基を有する化合物としては、２−ペンゾ
オキサゾールチオール、チオフェノール、チオサリチル
酸、プロパンチオール、チオウラシル、２．３−キノキ
サリンジチオール、ジチゾン、チオオキシン、２−ベン
ズイミダゾールチオール、６−チオグアニン、５−ニト
ロ−２−ベンズイミダゾールチオール、５−アミノ−１
，３，４−チアゾール−２−チオール等が挙げられる。

上記チオカルボン酸またはその塩としては、ジエチルジ
チオカルバミン酸ナトリウム、エタンチオ酸、ルベアン
酸、チオアセトアミド、エタンジチオ酸等が挙げられる
。

上記チアゾール系化合物としては、ビスムチオール■、
ジアゾスルフィド、アゾスルフイム、Ｌ３．４−チアジ
アゾール、ビスムチオール、ビスムチオール、ベンゾチ
アゾール、２−メチルベンゾチアゾール、２−（ｐ−ア
ミノフェニル）−６−メチルベンゾチアゾール、２−メ
ルカプトベンゾチアゾール、ベンゾチアゾリン、２−ペ
ンゾチゾリン、ベンゾチアゾロン等が挙げられる。

上記防錆剤は、同じ保護膜中に潤滑剤と混合して用いて
もよいが、例えば強磁性金属膜の表面に先ず防錆剤より
成る膜を形成し、次にこの上に芳香環に２１１ｉ１以上
のパーフルオロアルキルエステル基を有する化合物が潤
滑剤として含有されている保護膜を形成すると効果が高
い。

このように保護膜を２層に分けて形成する場合、防錆剤
の塗布量としては、前記の潤滑剤と同様、０．５ｍｇ／
ｒｒｒ　〜１００ｍｇ／ｒｒｒとするのが好マシ＜、特
に１　ｍｇ／　ｔｒｉ〜２０ｍｇ／　ｒｄとするのがよ
り好ましい。

塗布量が少なすぎると、耐蝕性改善の効果が得られず、
逆に多過ぎると走行性等に問題が生じる。

次に、本発明に係る磁気記録媒体に使用する非磁性支持
体の素材としては、ポリエチレンテレフタレート等のポ
リエステル類、ポリエチレン、ポリプロピレン等のポリ
オレフィン類、セルローストリアセテート、セルロース
ジアセテート、セルロースアセテートブチレート等のセ
ルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン
等のビニル系樹脂、ポリカーボネート、ポリイミド、ポ
リアミドイミド等のプラスチック、アルミニウム合金、
チタン合金等の軽金属、アルミナガラス等のセラミック
ス等が挙げられる。この非磁性支持体の形態としては、
フィルム、シート、ディスク、カード、ドラム等のいず
れでもよい。

非磁性支持体には、その表面に山伏突起やしわ状突起、
粒状突起等の突起を１種以上を形成して表面粗さをコン
トロールすることができる。

山伏突起は、例えば高分子フィルム製造時に粒径５００
〜３０００人程度の無機微粒子を内添することにより形
成することができ、高分子フィルム表面からの高さは１
００〜１０００人、密度はおよそｌＸｌ０’〜１０×１
０４個／１ｌＩ１２とする。山伏突起を形成するために
使用する無機微粒子としては、炭酸カルシウム（ＣａＣ
Ｏ３）　、シリカ、アルミナ等が好適である。

しわ状突起は、例えば特定の混合溶媒を用いた樹脂の希
薄溶液を塗布乾燥することにより形成される起伏であっ
て、その高さは０．０１〜１０μｍ１好ましくは０．０
３〜０．５μｍ、突起間の最短間隔は０．１〜２０μｍ
とする。このしわ状突起を形成するための樹脂としては
、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレ
ート等の飽和ポリエステル、ポリアミド、ポリスチロー
ル、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリスルホ
ン、ポリエーテルスルホン、ポリ塩化ビニル、ポリ塩化
ビニリデン、ポリビニルブチラール、ポリフェニレンオ
キサイド、フェノキン樹脂等の各種樹脂の単体、混合体
または共重合体であり、溶剤に可溶性のものであれば使
用することができる。そして、これらの樹脂をその良溶
媒中に溶解させた樹脂濃度１〜１１０００ｐｐの溶液に
、その樹脂の貧溶媒であって良溶媒より高い沸点を有す
る溶媒を樹脂に対して１０〜１００倍量添加した溶液を
、高分子フィルムの表面に塗布して乾燥することにより
、非常に微細なしわ状凹凸を有する薄層を得ることがで
きる。

粒状突起は、アクリル樹脂等の有機超微粒子またはシリ
カ、金属粉等の無機微粒子を球状あるいは半球状に付着
させることにより形成される。この粒状突起の高さは、
５０〜５００人、密度はｌＸｌ０６〜５０ｘ　１０’個
１０Ｉｆｆ１２程度とする。これらの突起の少なくとも
一種以上を形成すれば磁性層である強磁性金属薄膜の表
面性を制御できるが、２種以上を組合わせることにより
効果が増し、特に山伏突起を設けたベースフィルム上に
しわ状突起、つぶ状突起を形成すれば、耐久性と走行性
の著しい改善効果が得られる。この場合、突起の全体と
しての高さは、　１００〜２０００人の範囲内であるこ
とが好ましく、その密度は１１ＩＩＩＩ＋２当り平均で
１×１０５〜ｌＸｌＯ７個であることが好ましい。

また、磁性層である強磁性金属薄膜は、真空蒸着法、イ
オンブレーティング法、スパッタリング法等の真空薄膜
形成技術により連続膜として形成することができる。

上記真空蒸着法は、１０惰〜１Ｏ−８Ｔｏｒｒの真空下
で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム
加熱等により蒸発させてディスク基板上に強磁性金属材
料を被着させる方法であり、一般に高い抗磁力を得るた
め基板に対し゛Ｃ強磁性金属材料を斜めに蒸着する斜方
蒸着法が採用されている。

あるいは、より高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で
蒸着を行う方法も提案されている。

イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり、１
０−４〜ｌ０−３Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中でＤＣ
グロー放電、ＲＦグロー放電を起こして、放電中で強磁
性金属材料を蒸発させる方法である。

上記スパッタリング法は、１０−３〜１Ｏ−１Ｔｏｒｒ
のアルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を
起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面の
原子をたたき出す方法であり、グロー放電の方法により
直流２極、３極スパ７タ法、高周波スパンタ法またはマ
グネトロン放電を利用したマグネトロンスパッタ法等が
ある。このスパッタリング法による場合には、ＣｒやＷ
、ｖ等の下地膜を形成しておいてもよい。

なお、上述したいずれの方法においても、基板上にあら
かじめＢｉｓ　５ｂＳＰｂ、　Ｓｎ、Ｇａ、　Ｉｎ、　
Ｃｄ５Ｇｅ。

Ｓｉｓ　　Ｔ１等の下地金属層を被着形成しておき、基
板面に対して垂直方向から成膜することにより、磁気異
方性の配向かなく面内等方法に優れた磁性層を形成する
ことができ、例えば磁気ディスクとする場合には好適で
ある。

このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄膜を形成
する際に、使用する強磁性金属材料としては、Ｆ１３Ｓ
Ｃｏ、、　Ｎｔ等の金属の他に、Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｃｏ
−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ　−Ｐｔ合金、Ｆｅ　−Ｃｏ合
金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃ
ｏ−Ｂ合金、Ｃｏ　−Ｎｉ　　Ｆｅ　　Ｂ合金、Ｃｏ−
Ｃｒ合金あるいはこれらにＣｒ−。

へ１等の金属が含有されたもの等が挙げられる。

特に、Ｃｏ　−Ｃｒ合金を使用した場合には、垂直磁化
膜が形成できる。

このような技術により形成される磁性層の膜厚は、０．
０４〜１μｍ程度である。

また、非磁性支持体の磁性層が設けられる面とは反対側
の面に、いわゆるバックコート層を形成してもよい。バ
ンクコート層は、結合剤樹脂と粉末成分とを有機溶媒に
混合分散させたバンクコート用塗料を非磁性支持体面に
塗布することにより形成することができる。

ここで、バックコート用塗料に使用される結合剤樹脂と
しては、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、塩
化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アク
リロニトリル共重合体、アクリル酸エステルーアクリロ
ニ］・リル共重合体、熱可塑性ポリウレタンエラストマ
、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリ
ル共重合体、ブタジェン−アクリロニトリル共重合体、
ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘
導体、ポリエステル樹脂、ポリブタジェン等の合成ゴム
系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン
硬化型樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコー
ン樹脂、アクリル系反応樹脂、エポキシ−ポリアミド樹
脂、ニトロセルロース−メラミン樹脂、高分子量ポリエ
ステル樹脂とイソシアナートプレポリマーの混合物、メ
タン、リル酸塩共重合体とジイソシアナートプレポリマ
ーの混合物、ポリエステルポリオールとポリイソシアナ
ートとの混合物、尿素ホルムアルデヒド樹脂、低分子量
グリコール／高分子量ジオール／トリフェニルメタント
リイソシアナートの混合物、ポリアミン樹脂及びこれら
の混合物等が挙げられる。

あるいは、粉末成分の分散性の改善を図るために、親水
性極性基を持った結合剤樹脂を使用してもよい。

具体的には、　　５０３　Ｍ　、０３０３　Ｍ　、−Ｃ
００Ｍ、−Ｐ　　（ＯＭ’）２（Ｍは水素原子またはア
ルカリ全屈を表し、Ｍ′は水素原子、アルカリ全屈また
は炭化水素基を表す）から選ばれた親水性極性基を導入
したポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル
−酢酸ビニル系共重合体、塩化ビニリデン系共重合体、
アクリル酸エステル系共重合体、ブタジェン系共重合体
等が使用可能である。

親水性極性基の導入方法としては、樹脂の種類に応じて
楢々の方法が考えられるが、例えばポリウレタン樹脂や
ポリエステル樹脂に親水性極性基を導入する場合、次の
ような方法により行うことができる。

＋１）ポリウレタン又はポリエステルの原料である２塩
基酸あるいはポリオール等に親水性極性基を予め導入し
ておく方法。

（２）末端若しくは側鎖にＯＨ基を残存させておき、こ
の０１１基を親水性極性基を持った化合物により変性す
る方法。

（２）による場合、次のような方法がある。

分子中に親水性極性基とハロゲン（例えば塩素）を含有
する化合物と、原料に多官能のポリオールを用い、ポリ
マー鎖の末端若しくは側鎖に０１１基が残存したポリウ
レタン樹脂またはポリエステル樹脂とを、両成分が溶解
性のあるジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド
等の溶剤に溶解し、ピリジン、ピコリン、トリエチルア
ミン等のアミン類やエチレンオキサイド、プロピレンオ
キサイド等のエポキシ化合物等の脱塩酸剤の存在下での
ＯＨ基と塩素との脱塩酸反応により親水性極性基を導入
する方法。

（２＋−２ 分子中に親水性極性基とＯＨ基を含有する化合物と、ポ
リマー鎖の末端若しくは側鎖にＯ１＋基が残存したポリ
ウレタン樹脂またはポリエステル樹脂とを、ジイソシア
ナート化合物を介して反応させる方法。

また、上記共重合体系結合剤樹脂に親水性極性基を導入
する場合、次のような方法がある。

（３）共重合モルマーとして、親水性極性基及び共重合
可能な二重結合を有する化合物を使用する方法。

（４）共重合上ツマ−として、活性水素及び共重合可能
な二重結合を有する化合物を使用し、共重合体の側鎖に
上記活性水素を導入しておき、親水性極性基及び上記活
性水素と反応可能な基を有する化合物により変性する方
法。

（５）共重合モノマーとして、活性水素と反応可能な基
及び共重合可能な二重結合を有する化合物を使用し、共
重合体の側鎖に上記活性水素と反応可能な基を導入して
おき、親水性極性基及び上記活性水素を有する化合物に
より変性する方法。

一方、上記粉末成分としては、導電性を付与するための
カーボン系微粉末（例えば、ファーネスカーボン、チャ
ンネルカーボン、アセチレンカーボン、サーマルカーボ
ン、ランプカーボン等が挙げられるが、なかでもファー
ネスカーボンやサーマルカーボンが好適である。）、無
機顔料（表面粗度のコントロール及び耐久性向上のため
に添加されるｔＸ　−Ｆｅ００１１、ｃｘ　−Ｆｅ２Ｏ
３、ＴｉＯ２、ＺｎＯ，５ｉＯ１Ｓｉ（ｈ、　５ｉ０２
　・　２Ｈ２０、Ａｌ２Ｏコ　・　２Ｓｉ（ｈ　　・　
２Ｈ２０、３Ｍｇ０・４ＳｉＯ２・＋１２０　、ＭｇＣ
０１・Ｍｇ　（ＯＨ）２・３ｔｈＯ１Ａ　１２０３、Ｃ
ａＣＯ３、ＭｇＣＯ３，５ｂ２０３等）が挙げられる。

そして、バックコート用塗料の有機溶剤としては、アセ
トン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、
シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、酢酸メチル、酢酸
エチル、酢酸ブチル、乳酸エチル、酢酸グリコールモノ
エチルエーテル等のエステル系溶剤、グリコールジメチ
ルエーテル′、グリコールモノエチルエーテル、ジオキ
サン等のグリコールエーテル系溶剤、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン等の芳香族炭化水素系溶剤、ヘキサン、ヘ
プタン等の脂肪族炭化水素系溶剤、メチレンクロライド
、エチレンクロライド、四塩化炭素、クロロホルム、エ
チレンクロロヒドリン、ジクロロベンゼン等の塩素化炭
化水素系溶剤等、汎用の溶剤も用いることができる。

前述のバンクコート層には潤滑剤を併用してもよい。こ
の場合、バックコートＭ中に潤滑剤を内添する方法、あ
るいはバラコート層上に潤滑剤を被着する方法がある。

いずれにしても、潤滑剤としては、脂肪酸、脂肪酸エス
テル、脂肪酸アミド、金ｎセッケン、脂肪族アルコール
、パラフィン、シリコーン等、従来より周知の潤滑剤が
使用できる。

これらの潤滑剤を例示すれば、先ず脂肪酸としては、ラ
ウリン酸、ミリスチン酸、パルチミン酸、ステアリン酸
、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リルン酸等の炭
素数が１２以上の飽和脂肪酸あるいは不飽和脂肪酸が使
用できる。

脂肪酸エステルとしては、ステアリン酸エチル、ステア
リン酸ブチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸モノ
グリセリド、オレイン酸モノグリセリド等が使用できる
。

脂肪酸アミドとしては、カプロン酸アミド、カプリン酸
アミド、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステ
アリン酸アミド、ベヘン酸アミド、オレイン酸アミド、
リノール酸アミド、メチレンビスステアリン酸アミド、
エチレンビスステアリン酸アミド等が使用できる。

金属セフケンとしては、前述の脂肪酸のＺｎ、　Ｐｂ、
Ｎ１％　Ｃｏｓ　Ｆｅｓ　Ａｌ−Ｍｇｓ　Ｓｒ、、Ｃｕ
等との塩、あるいはラウリルスルホン酸、バルミチルス
ルホン酸、ミリスチルスルホン酸、ステアリルスルホン
酸、ベヘニルスルホン酸、オレイルスルホン酸、リノー
ルスルホン酸、リルンスルホン酸等のスルホン酸と金属
との塩等が使用できる。

脂肪族アルコールとしては、セチルアルコール、ステア
リルアルコール等が使用できる。

パラフィンとしては、ｎ−ノナデカン、ｎ−トリデカン
、ｎ−トコサン等の飽和炭化水素が使用できる。

シリコーンとしては、水素がアルキル基またはフェニル
基で部分置換されたポリシロキサン及びそれらを脂肪酸
、脂肪族アルコール、脂肪酸アミド等で変性したもの等
が使用できる。

さらには、上述の磁性層表面に形成する保護層と同様の
潤滑剤を使用してもよい。

〔作用〕

本発明によれば、磁気記録媒体を構成する保護膜中に、
芳香環に２個以上のパーフルオロアルキルエステル基を
有する化合物ヲ°含有させたことにより、強磁性金属薄
膜に対する良好な付着性が得られると共に、摩擦係数が
低減して高い潤滑効果が得られる。また、このような付
着性及び潤滑効果は、高温多湿の条件下でも、また低温
の条件下でも通常の条件下と同様に得られる。

〔実施例〕

実施例１ 厚さ１４μｍのポリエチレンテレフタレートフィルムに
斜め襄着法によりＣＯを被着して、膜厚１０００人の強
磁性金属薄膜を形成した後、この強磁性金属薄膜の上に
ビス（ペンタデカフルオロヘプチルカルボニルオキシ）
ベンゼン（構造式は表１に示す）をその塗布量が５＋ｎ
ｇ／ｒｒｆとなるように塗布して保護膜を形成し、この
後１／２インチ幅に裁断してサンプル用磁気記録媒体を
作製した。

実施例２〜実施例６ 作製法及び条件は実施例１と同様であるが、芳香環に２
個以上のパーフルオロアルキルエステル基を有する化合
物として下記の表１に示す化合物をそれぞれの実施例に
おいて用いて保護膜を形成し、サンプル用磁気記録媒体
を作製した。

作製した各サンプル用磁気記録媒体について、温度２５
℃、相対温度（ＲＨ）　５０％の条件下及び−５°Ｃの
各条件下での動摩擦係数とシャトル耐久性を測定した。

この動摩擦係数は、材質がステンレス（５ＵＳ３０４）
のガイドビンを用い、一定のテンシコンをかけて５　ｍ
ｍ７　ｓｅｃの速度で送ることにより試験したものであ
る。また、シャトル耐久性は、１回につき２分間のシャ
トル走行を行い、出力が一３ｄＢに低下するまでのシャ
トル回数で評価した。

スチル耐久性はポーズ状態での出力の一３ｄＢまでの減
衰時間を評価した。その結果を表２に示す。

なお、比較例として、保護膜を形成していない磁気記録
媒体についても同様の測定を行った。

この表から明らかなように、本発明の各実施例に係る磁
気記録媒体は、常温、高温高湿、低温の各条件下で動摩
擦係数が小さく、走行が極めて安定しており、また１０
０回の往復走行後でもテープ表面の損傷は全く見られな
かった。また、ステル耐久性も極めて良く、　１５０回
のシャトル走行を行っても出力の一３ｄｌｌ低下は見ら
れなかった。これに対して、保護層のない比較例の磁気
記録媒体の場合、摩擦係数が往復走行回数が多（なるに
つれて大きくなり、走行も不安定でテープの摩耗が見ら
れ、スチル耐久性も不良であった。

表　　　２ 〔発明の効果〕 本発明によれば、幅広い使用条件下において、動摩擦係
数が小さくて走行安定性に優れ、且つ耐摩耗性と耐久性
にも優れた磁気記録媒体が得られる。

手続補正書 昭和６２年　３月Ｘｔ日 昭和６２年　特　許　願　第１９９８９号３．７市正を
する者 事件との関係　　　特許出願人 住　所　東京部品用２北品用６丁目７番３５号名称（２
１８）ソニー株式会社 代表取締役　大　賀　典　雄 ４、代理人 ６、補正により増加する発明の数 ７、補正の対象　　明細書の発明の詳細な説明の欄。

ｆｌｌ　　明細書中、第６頁９行「この結晶に、」を「
この結墨を、」と補正する。

（２１問、第６頁１１行〜１２行「溶液を加えて」を「
ｆ８液に加えて」と補正する。

（３）　　同、第４１頁表１を下記のとおり補正する。

「　　　　　　　　　　　　　　　　　　表　　！化合
物名　　　　　　　祷造へ 以上

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜及び保護膜が形成され
   て成る磁気記録媒体において、 上記保護膜中に芳香環に２個以上のパーフルオロアルキ
   ルエステル基を有する化合物を含有させたことを特徴と
   する磁気記録媒体。