JPS639012A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を
磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁
気記録媒体に関するものである。

〔発明の概要〕

本発明は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を磁性層と
して形成してなる磁気記録媒体において、磁性層である
強磁性金属薄膜上にフルオロ炭素鎖を含むポリウレタン
あるいはポリウレアを潤滑側として被着し、 あらゆる使用条件下においても優れた走行性。

耐摩耗性、耐久性を発揮する磁気記録媒体を提供しよう
とするものである。

〔従来の技術〕

従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にｒ−
Ｆｅ、０３．Ｃｏを含有するｒ−ＦｅｚＯｘ＋ｐ’６３
０ｅｔｃ’を含有するＦｅ、Ｏａ、、ｒ−Ｆｅ、Ｏ。

とＦｅ５Ｏ４とのへルトライド化合物、Ｇｏを含有する
ベルトライド化合物、ＣｒＯ□等の酸化物強磁性粉末あ
るいはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等を主成分とする合金磁性粉末
等の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体
３ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等のを機バイン
ダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布・乾燥することに
より作製される塗布型の磁気記録媒体が広く使用されて
いる。

これに対して、高密度磁気記録への要求の高まりととも
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金等の強磁性金属材料を、メッキや真
空薄膜形成技術（真空蒸着法やスパッタリング法、イオ
ンブレーティング法等）によってポリエステルフィルム
やポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案さ
れ、注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁気記録
媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換
特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄く
することが可能であるため記録減磁や再生時の厚み損失
が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機バ
インダーを混入する必要がないため磁性材料の充填密度
を高めることができること等、数々の利点を有している
。

しかしながら、上述の強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体
では、磁性層表面の平滑性が極めて良好であるために実
質的な接触面積が大きくなり、凝着現象（いわゆるはり
つき）が起こり易（なったり摩擦係数が大きくなる等、
耐久性や走行性等に欠点が多く、その改善が大きな課題
となっている。

一般に、磁気記録媒体は磁気信号の記録・再生の過程で
磁気ヘッドとの高速相対運動のもとにおかれ、その際走
行が円滑に、かつ安定な状態で行われなければならない
。また、磁気ヘッドとの接触による摩耗や損傷はなるべ
く少ないほうがよい。

そこで例えば、上記磁気記録媒体の磁性層、すなわち強
磁性金属薄膜表面に潤滑剤を塗布して保護膜を形成する
ことにより、上記耐久性や走行性を改善することが試み
られている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、上述のように潤滑剤を塗布して保護膜を形成
した場合には、この保護膜が磁性層である強磁性金属薄
膜に対して良好な密着性を示し、かつ高い潤滑効果を発
揮することが要求される。

また、これら密着性や潤滑効果は、熱帯、亜熱帯地方等
のように高温多湿の条件下でも、寒冷地のように低温の
条件下でも優れたものでなければならない。

しかしながら、従来広く用いられている潤滑剤の使用温
度範囲は限られており、特に、Ｏ〜−５℃のような低温
下では固体化または凍結するものが多く、充分にその潤
滑効果を発揮させることができなかった。

そこで本発明は、如何なる使用条件下においても密着性
や潤滑性が保たれ、かつ長期に亘り潤滑効果が持続する
潤滑剤を提供し、走行性、耐久性に優れた磁気記録媒体
を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者は、上述の目的を達成せんものと鋭意研究の結
果、フルオロ炭素鎖を含むポリウレタンあるいはポリウ
レアが広い温度範囲に亘って良好な潤滑効果を発揮する
ことを見出し本発明を完成するに至ったものであって、
非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性
金属薄膜上にフルオロ炭素鎖を含むポリウレタンあるい
はポリウレアを含む潤滑剤を被着したことを特徴とする
ものである。

本発明で潤滑剤として使用されるフルオロ炭素鎖を含む
ポリウレタンは一般式 （但し、式中２≦ｍである。） また、フルオロ炭素鎖を含むポリウレアは一般式（但し
、式中ｌ≦ｊ≦２である。） で表される化合物である。

ここで、上記一般式（１）　　（ＩＩ）において、Ｒは
炭化水素基で、直鎖状、側鎖状、二重結合、芳香環を有
してもよい。

上記ポリウレタン及びポリウレアは、サングチュル　ユ
ーン（Ｓｕｎｇ　Ｃｈｕｌ　Ｙｏｏｎ）とバディ　ディ
　ラトナ−（Ｂｕｄｄｙ　Ｄ　Ｒａｔｎｅｒ）らの報告
〔マクロモレキエール（Ｍａｃｒｏｍｏｌｅｃｕｌｅ）
　１０６８　（１９）　１９８６）に従って容易に合成
することができるもので、例えばポリウレタンは、４．
４°−メチレンビス（フェニレンイソシアネート）とパ
ーフルオロジオールをＮ、Ｎ−ジメチルアセタミドに？
容解させ６０〜７０℃で１時間加熱後メタノール中に注
いでポリマーを沈澱させて得られる。

また、ポリウレアは、ポリウレタンと同様に４゜４゛−
メチレンビス（フェニレンイソシアネート）とパーフル
オロジオールをＮ、Ｎ−ジメチルアセタミドに溶解させ
１１５〜１２５℃で２時間反応させた後ブチルアセテー
ト中に注いでポリマーを沈澱させて得られる。

上述のようにして合成したポリマーをメタノールで再沈
澱させて精製を行う。ＧＰＣによる数平均分子量測定に
おいて平均分子量は、２００００〜６００００程度であ
った。

上述のようにして合成されるフルオロ炭素鎖を含むポリ
ウレタンあるいはポリウレアは、単独で潤滑剤として用
いてもよいが、従来公知の潤滑剤と混合して用い、さら
に使用温度帯域の拡大を図るようにしてもよい。

使用される潤滑剤としては、脂肪酸またはその金属塩、
脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコールまた
はそのアルコキシド、脂肪族アミン、多価アルコール、
ソルビタンエステル、マンニフタンエステル、硫黄化脂
肪酸、脂肪族メルカプタン、変性シリコーンオイル、パ
ーフルオロアルキルエチレンオキシド、パーフルオロポ
リエーテル類、高級アルキルスルホン酸またはその金属
塩、パーフルオロアルキルスルホン酸またはそのアンモ
ニウム塩あるいはその金属塩、パーフルオロアルキルカ
ルボン酸またはその金属塩等が例示される。

特に、一般式Ｃ，Ｆ２．．．Ｃｏ○Ｒ’　　（但し、式
中ｍは６〜１０の整数を表し、Ｒｏは炭素数１〜２５の
炭化水素基を表す。）で示されるパーフルオロアルキル
カルボン酸エステルや一般式Ｒ”Ｃ００（ＣＨｚ）ｊＣ
ｂＦｚｖ−＋　（但し、Ｒ’は炭素数１〜２５の炭化水
素基を表し、０≦ｊ≦５、ｋ≧３である。）も低温特性
が良好であることから上記フルオロ炭素鎖を含むポリウ
レタンあるいはポリウレアと併用するのに好適である。

さらには、より厳しい使用条件に対処し、かつ潤滑効果
を持続させるために、重量比で３０ニア０〜７０　：　
３０程度の配合比で極圧剤を併用してもよい。

上記極圧剤は、境界潤滑領域において部分的に金属接触
を生じたとき、これに伴う摩擦熱によって金属面と反応
し、反応生成物被膜を形成することにより摩擦・摩耗防
止作用を行うものであって、リン系極圧剤、イオウ系極
圧剤、ハロゲン系極圧剤、有機金屈系掻圧剤、複合型極
圧剤等が知られている。

具体的に例示すれば、上記リン系極圧剤としては、トリ
ブチルホスフェート　トリオクチルホスフェート、トリ
ー２−エチルへキシルボスフェート、トリラウリルホス
フェート、トリオレイルホスフェート、ジブチルホスフ
ェート、ジオクチルホスフェート、ジー２−エチルへキ
ノルホスフエート、ジラウリルホスフェート、ジオレイ
ルホスフェート等のリン酸エステル、トリブチルホスフ
ァイト、トリオクチルホスファイト、トリー２−エチル
へキシルホスファイト、トリラウリルホスファイト、ト
リオレイルホスファイト、ジブチルホスファイト、ジオ
クチルホスファイト、ジー２−エチルへキシルホスファ
イト　ジラウリルホスファイト　ジオレイルホスファイ
ト等の亜リン酸エステル、ジブチルホスフェートブチル
アミン塩。

ジブチルホスフェートブチルアミン塩、ジブチルホスフ
ェートステアリルアミン塩、ジオクチルホスフェートブ
チルアミン塩、ジオクチルホスフェートオクチルアミン
塩、ジオクチルホスフェートラウリルアミン塩、ジオク
チルホスフェートステアリルアミン塩、ジー２−エチル
へキノルホスフェートプチルアミン塩、ジー２−エチル
へキシルホスフェートオクチルアミン塩、ジー２−エチ
ルへキシルホスフェートラウリルアミン塩、ジー２−エ
チルへキシルホスフェートステアリルアミン塩、ジラウ
リルホスフェートブチルアミン塩。

ジラウリルホスフェートオクチルアミン塩、ジラウリル
ホスフェートラウリルアミン塩、ジラウリルホスフェー
トステアリルアミン塩、ジオレイルホスフェートブチル
アミン塩、ジオレイルホスフェートオクチルアミン塩、
ジオレイルホスフェートラウリルアミン塩、ジオレイル
ホスフェートステアリルアミン塩等のリン酸エステルア
ミン塩が挙げられる。

上記イオウ系極圧剤としては、硫化抹香鯨油、硫黄化ジ
ペンテン等不飽和結合を有する鉱油、油脂や脂肪酸等に
硫黄を加えて加熱することにより製造される硫化油脂類
、二硫化ジベンジル、二硫化ジフェニル、二硫化ジ−ｔ
−ブチル、二硫化ジー５ｅｃ−ブチル、二硫化ジ−ｎ−
ブチル、二硫化ジ−ｔ−オクチル、二硫化ジエチル等の
ジサルファイド類、硫化ベンジル、硫化ジフェニル、硫
化ジビニル、硫化ジメチル、硫化ジエチル、硫化ジーＬ
−ブチル、硫化ジー５ｅｃ−ブチル、硫化ジ−ｎ−ブチ
ル等のモノサルファイド類、三硫化ジメチル、三硫化ジ
−ｔ−ブチル、ポリ硫化ジ−ｔ−ノニル、オレフィンポ
リサルファイド等のポリサルファイド類、一般式 ％式％（［［） （但し、式中Ｒは炭化水素基を表す。）で示されるチオ
カーボネート類、元素硫黄等が挙げられる。

上記ハロゲラ系極圧剤としては、臭化アリル。

臭化オクタデシル、臭化シクロヘキシル、臭化ステアリ
ル、臭化ベンジル等の臭素化合物、ヨウ化ベンジル、ヨ
ウ化アリル、ヨウ化ブチル、ヨウ化オクタデシル、ヨウ
化シクロヘキシル等のヨウ素化合物、ヘキサクロロエタ
ン、モノクロルエタン。

塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化油脂、メ
チルトリクロロステアレート、ペンタクロロペンタジェ
ン酸、ヘキサクロルナフテン酸化合物のエステル、ヘキ
サクロルナフテン酸化合物のイミド誘導体等の塩素化合
物が挙げられる。

上記有機金属系極圧剤としては、ジイソブチルジチオリ
ン酸亜鉛、イソブチルペンチルジチオリン酸亜鉛、イソ
プロとルーｌ−メチルブチルジチオリン酸亜鉛、イソブ
チルノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、イソブチルヘプ
チルフェニルジチオリン酸亜鉛、ジヘプチルフェニルジ
チオリン酸亜鉛、ジノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、
モリブデンジチオフォスフェート等のチオリン酸塩類、
ジメチルジチオカルバミン酸亜鉛、ジエチルジチオカル
バミン酸亜鉛、ジブチルジチオカルバミン酸亜鉛、エチ
ルフェニルジチオカルバミン酸亜鉛。

ジヘンジルジチオ力ルバミン酸亜鉛、ジメチルジチオカ
ルバミン酸亜鉛、ジメチルジチオカルバミンｆｊ１ｍ、
　　ジメチルジチオカルバミン酸鉄、ジエチルジチオカ
ルバミン酸セレン、ジエチルジチオカルバミン酸銀等の
チオカルバミン酸塩類、モリブデン、アンチモン等の金
属アルキルジチオカルバミン酸塩類、等が挙げられる。

上記複合型極圧剤としては、ジー２−エチルへキシルチ
オリン酸アミン等のジアルキルチオリン酸アミン類、塩
化プロピルホスフェート、臭化プロピルホスフェート、
ヨウ化プロピルホスフェート、塩化ブチルホスフェート
、臭化ブチルホスフェート　ヨウ化ブチルホスフェート
等に代表されるハロゲン化アルキルのリン酸エステル類
、クロロナフサザンテート等の他、一般式 （但し、各一般式中Ｒは水素原子またはアルキル基、ア
ルケニル基、アリール基を表す。）で示されるチオフォ
スフェート！、一般式（但し、式中Ｒは水素原子または
アルキル基、アルケニル基、アリール基を表す。） で示されるチオフォスファイト１等が効果が高い。

上述の極圧剤は単体で使用してもよいが、２種以上を混
合して使用することも可能である。

これらフルオロ炭素鎖を含むポリウレタンあるいはポリ
ウレアを含有する潤滑剤層を強磁性金属薄膜上に付着さ
せる方法としては、上記潤滑剤を溶媒に溶解して得られ
た溶液を強磁性金属薄膜の表面に塗布もしくは噴霧する
か、あるいは逆にこの溶液中に強磁性金属薄膜を浸漬し
乾燥すればよい。

ここで、その塗布量は、０．５■／、（〜１００■／ｄ
であるのが好ましく、１■／゛Ｍ〜２０■／ｄであるの
がより好ましい。この塗布量があまり少なすぎると、摩
擦係数の低下、耐摩耗性・耐久性の向上という効果が顕
れず、一方あまり多すぎると、摺動部材と強磁性金属薄
膜との間ではりつき現象が起こり、却って走行性が悪く
なる。　　゛あるいは、上述の潤滑剤、極圧剤の他、必
要に応して防錆剤を併用してもよい。

一般に、強磁性金属薄膜は金属材料により形成されるこ
とから鯖易く、上記防錆剤の使用により耐蝕性が大幅に
改善される。したがって、上記フルオロ炭素鎖を含むポ
リウレタンあるいはポリウレアを含有する潤滑剤の有す
る潤滑作用と相俟って、磁気記録媒体の耐久性を向上す
ることができる。

使用可能な防錆剤としては、通常この種の磁気記録媒体
の防錆剤として使用されるものであれば如何なるもので
あってもよく、例えばフェノール類、ナフトール類、キ
ノン類、ジアリールケトン、窒素原子を含む複素環化合
物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素
環化合物、メルカプト基を有する化合物、チオカルボン
酸またはその塩、チアゾール系化合物等が挙げられる。

具体的に例示すれば次の通りである。

先ず、上記フェノール類としては、二価フェノール、ア
ルキルフェノールあるいはニトロソフェノールが挙げら
れる。

上記二価フェノールとしては、ハイドロキノン。

レゾルシン、カテコール等の純フェノール類、及びそれ
らのアルキル、アミノ、ニトロ、ハロゲノ置換体、例え
ば、２−メチルハイドロキノン、４−メチルレゾルシノ
ール、５−メチルレゾルシノール、４−メチルピロカテ
コール、２．５−ジメチルハイドロキノン、４．６−ジ
メチルレゾルシノール、２，５−ジメチルレゾルシノー
ル、２−イソプロピル−５−メチルハイドロキノン、２
−ｔｅｒｔ−ブチルハイドロキノン、２，５−ジーｔｅ
ｒｔ−ブチルハイドロキノン、４−ｔｅｒｔ−ブチルカ
テコール。

２−アミルゾルシノール、２−レゾルシノール。

２．５−ジクロロヒドロキノン等が挙げられる。

上記アルキルフェノールとは、−価フエノールのアルキ
ル置換体を指し、例えば、０−クレゾール。

ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、０−エチルフェノー
ル、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、２
．３−ジメチルフェノール、２．５−ジメチルフェノー
ル、２．６−ジメチルフェノール。

３．４−ジメチルフェノール、３Ｉ５−ジメチルフェノ
ール、　　２，４．６−トリメチルフェノール、　　２
，４．５−トリメチルフェノール１５−イソプロピル−
２−メチルフェノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ル、２．６−ジーｔｅｒ　ｔ−ブチル−ｐ−クレゾール
。

４．４′−メチレンビス２．６−ジーｔｅｒ　ｔ−ブチ
ルフェノール、２．６−シメチルー４−ｔｅｒｔ−ブチ
ルフェノール、　　２，４．６−　トリーｔｅｒｔ−ブ
チルフェノール等が挙げられる。

上記ニトロソフェノールとしては、例えば、４−ニトロ
ソ−２−メトキシ−１−フェノール、４−ニトロソ−２
−エトキシ−１−フェノール、６−ニトロソ−〇−クレ
ゾール、４−ニトロソ−ｍ−クレゾール、０−ニトロソ
フェノール、２−二トロンフェノール、２−ニトロソレ
ゾルシン、４−ニトロソレゾルシン、ｐ−ニトロソフェ
ノール等が挙げられる。

次に、上記ナフトール類としては、α−ナフトール２　
β−ナフトール、１，２−ナフタレンジオール。

１．３−ナフタレンジオール、ｌＩ４−ナフタレンジオ
ール、１．５−ナフタレンジオール、１，７−ナフタレ
ンジオール、ｌ、８−ナフタレンジオール、２．３−ナ
フタレンジオール、　１，４．５−ナフタレントリオー
ル、　１．２゜５．８−ナフタレンテトラオール等の純
ナフトール類、及びニトロ、ニトロソ、アミノ、ハロゲ
ノ置換ナフトール類、例えば１−クロロ−２−ナフトー
ル、２゜４−ジクロロ−１−ナフトール、ｌ−ニトロ−
２−ナフトール、１．６−シニトロー２−ナフトール、
１−ニトロソ−２＝ナフトール、２−ニトロソ−１−ナ
フトール、１−アミノ−２−ナフトール等が挙げられる
。

上記キノン類としては、ｐ−ベンゾキノン、〇−ベンゾ
キノン、１．２−ナフトキノン、１．４−ナフトキノン
、２．６−ナフトキノン、アントラキノン、９゜１０−
フェナントレンキノン、ジフェノキノン等の置換基のな
いキノン類、メチル−ｐ−ベンゾキノン、２．３−ジメ
チル−ｐ−ベンゾキノン、２−メチル−１，４−ナフト
キノン、２−メチルアントラキノン等のメチルキノン類
、２．５−ジヒドロキシ−ｐ−ベンゾキノン、テトラヒ
ドロキシ−ｐ−ベンゾキノン、５−ヒドロキシ−１，４
−ナフトキノン、２．３−ジヒドロキシ−１，４−ナフ
トキノン、５．８−ジヒドロキシ−１，４−ナフトキノ
ン、２−ヒドロキシアントラキノン、１゜２−ジヒドロ
キシアントラキノン、　１．２．３−トリヒドロキシア
ントラキノン、　１，２．４−）ジヒドロキシアントラ
キノン、Ｌ２，５−トリヒドロキシアントラキノン、　
１，２．６−　）ジヒドロキシアントラキノン、■。

２．７−１−ジヒドロキシアントラキノン等のヒドロキ
シキノン類、２−アミノアントラキノン、１，２−ジア
ミノアントラキノン等のアミノキノン類、１−ニトロア
ントラキノン、１．５−ジニトロアントラキノン等のニ
トロキノン類、２．６−ジクロロ−ｐ−ベンゾキノン、
テトラクロロ−ｐ−ベンゾキノン、テトラブロモ−ｐ−
ベンゾキノン等のハロゲノキノン類、あるいは２種以上
の置換基を有するキノン類、例えば２．５−ジクロロ−
３，６−シヒドロキシーρ−ヘンゾキノン、１−メチル
−２−ヒドロキシ−１，４−ナフトキノン等が挙げられ
る。

上記ジアリールケトンとしては、ベンゾフェノン及びそ
の誘導体が挙げられ、例えばベンゾフェノン、４−メチ
ルベンゾフェノン。３−メチルベンゾフェノン、３．４
−ジメチルベンゾフェノン、４゜４゛−ジメチルベンゾ
フェノン、３，４°−ジメチルベンゾフェノン、４−エ
チルベンゾフェノン等のアルキル置換体、４−ヒドロキ
シベンゾフェノン。

４．４゛−ジヒドロキシベンゾフェノン、　２．３．４
−トリヒドロキシベンゾフェノン、２．４−ジヒドロキ
シベンゾフェノン、２，２°、５，６°−テトラヒドロ
キシベンゾフェノン、　２．３’、４．４”、６−ペン
タヒドロキシベンゾフェノン等のヒドロキシベンゾフェ
ノン類、４−アミノベンゾフェノン、　４．４’−ジア
ミノベンゾフェノン等のアミノベンゾフェノン類、ある
いは２種以上の置換基を有するベンゾフェノン類、例え
ば４−メトキシ−２−ヒドロキシベンゾフェノン、２．
２“−ジヒドロキジー４−メトキシベンゾフェノン等が
挙げられる。

上記窒素原子を含む複素環化合物としては、アクリジン
、２，２°、２−テルピリジルネオクプロイン、２．２
′−ジピリジルベンゾトリアゾール、５−メチルベンゾ
トリアゾール、バソフェナンドロリン、１．１０−フェ
ナントロリン、アルデヒドコリジン、ベンジルピリジン
、フェニルピリジン、キナゾリン、２−ヘプタデシルイ
ミダゾール等の他、フェノール性水酸基を有する化合物
、例えば４−（２−ピリジルアゾ）−レゾルシン、　１
−（２−ピリジルアゾ）−２−ナフトール、４−キノリ
ツール、４−メチル−２−キノリツール、８−キノリツ
ール、キノリンジオール等、カルボキシル基を有する化
合物、例えばキヌレン酸、アクリジン酸、アトファン、
キルナジン酸、シンコニン酸、イソニコチン酸、　２．
５−ピリジンジカルボン酸、キニン酸等、アミノ基又は
イミノ基を有する化合物、例えば２−アミノベンズイミ
ダゾール、５−アミノ−ＩＨ−テトラゾール、５−アミ
ノ−Ｉ　Ｈ−１，２，４−）リアゾール、アデニン、グ
アニン、ルミノール、２−ヒドラジノキノリン、チアミ
ン等、カルボニル基を有する化合物、例えばりボフラビ
ン、テオプロミン、７ラントイン、アロキサン、２−チ
オバルビッール酸。

ビオルル酸、イサチン、ヒダントイン、チミン。

バルビッール酸、オロチン酸、ウラシル、スクシンイミ
ド、クレアチニン、２−ピロリドン等が挙げられる。

上記酸素原子を含む複素環化合物としては、トコフェロ
ール１　モリン、ケルセチン、アスコルビン酸、無水１
．８−ナフタル酸、レゾルフィン、コウジ酸、デヒドロ
酢酸、オキサゾール、３−アミノフタルイミド、４−ア
ミノフタルイミド、ウリジン、チミジン、グアノシン、
無水イサト酸等が挙げられる。

上記硫黄原子を含む複素環化合物としては、スルホラン
、３−ヒドロキシスルホラン、３−メチルスルホラン、
スルホレン１３−ヒドロキシスルホレン、３〜メチルス
ルホレン、ローダニン、３−アミノローダニン、チアゾ
リン−４−カルボン酸、４Ｈ−１，４−チアジン、ビオ
チン、３，６−チオキサンチンジアミン、３，６−チオ
キサンチンジアミン−１０，１０−ジオキシド等が挙げ
られる。

上記メルカプト基を有する化合物としては、２−ベンゾ
オキサゾールチオール、チオフェノール。

チオサリチル酸、プロパンチオール、チオウラシル、２
．３−キノキサリンジチオール、ジチゾン、チオオキシ
ン、２−ベンズイミダゾールチオール。

６−チオグアニン、５−ニトロ−２−ベンズイミダゾー
ルチオール、５−アミノ−１，３，４−チアゾール−２
−チオール等が挙げられる。

上記チオカルボン酸またはその塩としては、ジエチルジ
チオカルバミン酸ナトリウム５エタンチオ酸、ルベアン
酸、チオアセトアミド、エタンジチオ酸等が挙げられる
。

上記チアゾール系化合物としては、ビスムチオール■、
ジアゾスルフィド、アゾスルフイム、■。

３．４−チアジアゾール、ビスムチオール、ビアズチオ
ール、ベンゾチアゾール、２−メチルベンゾチアゾール
、　２−（ｐ−アミノフェニル）−６−メチルベンゾチ
アゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール。

ベンゾチアゾリン、２−ベンゾチアゾリン、ベンゾチア
ゾロン等が挙げられる。

上記防錆剤は、上記潤滑剤と混合して用いてもよいが、
例えば強磁性金属薄膜の表面に先ず上記防錆剤を塗布し
、しかる後上記フルオロ炭素鎖を含むポリウレタンある
いはポリウレアを含有する潤滑剤を塗布するというよう
に、２層以上に分けて被着すると効果が高い。

このように２層に分けて塗布する場合には、上記防錆剤
の塗布量としては、先の潤滑剤と同様、０．５ｏｖ／ｍ
　〜１００ａｔ／ｍであるのが好ましく、１■／イ〜２
０■／ｄであるのがより好ましい。

塗布量があまり少なすぎると、耐蝕性改善の効果が不足
し、逆に多過ぎると走行性等に問題が生ずる。

本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性支持体上に
磁性層として強磁性金属薄膜を設けたものであるが、こ
こで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテー
ト、セルロースダイアセテート、セルロースアセテート
ブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート
１　ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック、
アルミニウム合金、チタン合金等の軽金属、アルミナガ
ラス等のセラミックス等が挙げられる。

この非磁性支持体の形態としては、フィルム、シート、
ディスク、カード、ドラム等のいずれでもよい。

上記非磁性支持体には、その表面に山状突起やしわ状突
起１粒状突起等の突起を１種以上を形成し、表面粗さを
コントロールしてもよい。

上記山状突起は、例えば高分子フィルム製膜時に粒径５
００〜３０００人程度の無機微粒子を内添することによ
り形成され、高分子フィルム表面からの高さは１００〜
１０００人、密度はおよそＩ　Ｘ　１０’〜ｌ０ＸＩＯ
’個／龍２とする。山状突起を形成するために使用され
る無機微粒子としては、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ＊）
やシリカ、アルミナ等が好適である。

上記しわ状突起は、例えば特定の混合溶媒を用いた樹脂
の希薄溶液を塗布乾燥することにより形成される起伏で
あって、その高さは０．０１〜１０μｍ、好ましくは０
．０３〜０．５μｍ、突起間の最短間隔は０．１〜２０
μｍとする。このしわ状突起を形成するための樹脂とし
ては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレート等の飽和ポリエステル、ポリアミド、ポリスチ
ロール、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリス
ルホン、ポリエーテルスルホン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリビニルブチラール、ポリフェニレ
ンオキサイド、フェノキシ樹脂等の各種樹脂の単体、混
合体または共重合体であり、可溶性溶剤を有するものが
適している。そして、これらの樹脂をその良溶媒に溶解
せしめた樹脂濃度１〜１０００ｐｐ＋ｗの溶液に、その
樹脂の貧溶媒であって前記良溶媒より高い沸点を有する
溶媒を樹脂に対して１０−１００倍量添加した溶液を、
高分子フィルムの表面に塗布・乾燥することにより、非
常に微細なしわ状凹凸を有する薄層を得ることができる
。

粒状突起は、アクリル樹脂等の有機超微粒子またはシリ
カ、金属粉等の無機微粒子を球状あるいは半球状に付着
させることにより形成される。この粒状突起の高さは、
５０〜５００人、密度は１ＸＩＯ−〜５０Ｘ１０”個／
　ｔｍ　”程度とする。

これら突起の少なくとも一種以上を形成すれば磁性層で
ある強磁性金属薄膜の表面性が制御されるが、２種以上
を組み合わせることにより効果が増し、特に山伏突起を
設けたベースフィルム上にしわ状突起とつぶ状突起を形
成すれば、極めて耐久性、走行性が改善される。

この場合、突起の全体としての高さは、１００〜２００
０人の範囲内であることが好ましく、その密度は１龍２
当り平均でｌＸｌ０’〜ｌＸｌ０”個であることが好ま
しい。

また、上記磁性層である強磁性金属薄膜は、真空蒸着法
やイオンブレーティング法、スパッタリング法等の真空
薄膜形成技術により連続膜として形成される。

上記真空蒸着法は、１０−４〜１０−“Ｔｏｒｒの真空
下で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビー
ム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属（
強磁性金属材料）を沈着するというものであり、一般に
高い抗磁力を得るため基板に対して上記強磁性金属材料
を斜めに蒸着する斜方蒸着法が採用される。あるいは、
より高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を
行うものも含まれる。

上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり
、１０−４〜１０　”Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で
ＤＣグロー放電、ＲＦグロー放電を起こして、放電中で
上記強磁性金属材料を蒸発させるというものである。

上記スパッタリング法は、１０−”〜１０−’Ｔｏｒｒ
のアルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を
起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面の
原子をたたき出すというものであり、グロー放電の方法
により直流２極、３極スパツタ法や、高周波スパッタ法
、またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパ
ッタ法等がある。

このスパッタリング法による場合には、ＣｒやＷ。

■等の下地膜を形成しておいてもよい。

なお、上記いずれの方法においても、基板上にあらかじ
めＢｉ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ。

Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、ＴＩ等の下地金属層を被着形成して
おき、基板面に対して垂直方向から成膜することにより
、磁気異方性の配向がなく面内等方法に優れた磁性層を
形成することができ、例えば磁気ディスクとする場合に
は好適である。

このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄膜を形成
する際に、使用される強磁性金属材料としては、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ等の金属の他に、Ｃ０−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐ
Ｌ金合金Ｃｏ−Ｎ１−ｐｔ金合金Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎ１−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金あるい
はこれらにＣｒ、ＡＩ等の金属が含有されたもの等が挙
げられる。特に、（、ｏ−Ｃｒ合金を使用した場合には
、垂直磁化膜が形成される。

このような手法により形成される磁性層の膜厚は、０．
０４〜１μｍ程度である。

また、非磁性支持体の前記磁性層が設けられる面とは反
対側の面に、いわゆるバックコート層を形成してもよい
。バックコート層は、結合剤樹脂と粉末成分とを有機溶
媒に混合分散させたバックコート用塗料を非磁性支持体
面に塗布することにより形成される。

ここで、バックコート用塗料に使用される結合剤樹脂と
しては、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、塩
化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アク
リロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロ
ニトリル共重合体、熱可塑性ポリウレタンエラストマー
、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリ
ル共重合体、ブタジェン−アクリロニトリル共重合体、
ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘
導体、ポリエステル樹脂、ポリブタジェン等の合成ゴム
系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン
硬化型用脂、メ樹脂ン樹脂、アルキッド樹脂、シリコー
ン樹脂、アクリル系反応樹脂、エポキシ−ポリアミド樹
脂、ニトロセルロース−メラミン樹脂、高分子量ポリエ
ステル樹脂とイソシアナートプレポリマーの混合物、メ
タクリル酸塩共重合体とジイソシアナートプレポリマー
の混合物、ポリエステルポリオールとポリイソシアナー
トとの混合物、尿素ホルムアルデヒド樹脂、低分子量グ
リコール／高分子量ジオール／トリフェニルメタントリ
イソシアナートの混合物、ポリアミン樹脂及びこれらの
混合物等が挙げられる。

あるいは、粉末成分の分散性の改善を図るために、親水
性極性基を持った結合剤樹脂を使用してもよい。

具体的には、　５ＯｓＦＩ、　　０５ＯＪ、　　Ｃ００
Ｍ、　　ｔ’（ＯＭ’）ｚ（式中、Ｍは水素原子または
アルカリ金属を表し、Ｍｏは水素原子、アルカリ金属ま
たは炭化水素基を表す、）から選ばれた親水性極性基を
導入したポリウレタン権脂、ポリエステル樹脂、塩化ビ
ニル−酢酸ビニル系共重合体、塩化ビニリデン系共重合
体、アクリル酸エステル系共重合体、ブタジェン系共重
合体等が使用可能である。

上記親水性極性基の導入方法としては、樹脂の種類に応
じて種々の方法が考えられるが、例えばポリウレタン樹
脂やポリエステル樹脂に上記親水性極性基を導入するに
は次のような方法によればよい。

（１）ポリウレタン又はポリエステルの原料である２塩
基酸あるいはポリオール等に前記親水性極性基を予め導
入しておく方法。

（２）末端若しくは側鎖にＯＨ基を残存させておき、こ
のＯＨ基を親水性極性基を持った化合物により変性する
方法。

（２）の方法による場合には、 分子中に親水性極性基とハロゲン（例えば塩素）を含有
する化合物と、原料に多官能のポリオールを用いポリマ
ー鎖の末端若しくは側鎖にＯＨ基が残存したポリウレタ
ン樹脂またはポリエステル樹脂とを、両成分が溶解性の
あるジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の
溶剤に溶解し、ピリジン、ピコリン、トリエチルアミン
等のアミン類やエチレンオキサイド、プロピレンオキサ
イド等のエポキシ化合物等の脱塩酸剤の存在下でのＯＨ
５と塩素との脱塩酸反応により親水性極性基を導入する
方法。

分子中に親水性極性基とＯＨ基とを含有する化合物と、
ポリマー鎖の末端若しくは側鎖にＯＨ基が残存したポリ
ウレタン樹脂またはポリエステル樹脂とを、ジイソシア
ナート化合物を介して反応させる方法。

がある。

また、上記共重合体系結合剤樹脂に親水性極性基を導入
するには、 （３）共重合モノマーとして、親水性極性基及び共重合
可能な二重結合を有する化合物を使用する方法。

（４）共重合上ツマ−として、活性水素及び共重合可能
な二重結合を有する化合物を使用し、共重合体の側鎖に
上記活性水素を専大しておき、親水性極性基及び上記活
性水素と反応可能な基を有する化合物により変性する方
法。

（５）共重合モノマーとして、活性水素と反応可能な基
及び共重合可能な二重結合を有する化合物を使用し、共
重合体の側鎖に上記活性水素と反応可能な基を導入して
おき、親水性極性基及び上記活性水素を有する化合物に
より変性する方法。

等が挙げられる。

一方、上記粉末成分としては、導電性を付与するための
カーボン系微粉末（例えば・ファーネスカーボン、チャ
ンネルカーボン、アセチレンカーボン、サーマルカーボ
ン、ランプカーボン等が挙げられるが、なかでもファー
ネスカーボンやサーマルカーボンが好適である。）、無
機顔料（表面粗度のコントロール及び耐久性向上のため
に添加されるαＦｅ００Ｈ＋　αＦ　ｅｚｏ　３１　Ｃ
ｒ　ｚｏｘ　＋　Ｔ　ｉｏｚ　＋　ＺｎＯ，Ｓ　ｉｏ＋
Ｓｉｎｇ、　５ｉｆｔ・２１１□Ｏ，Ａ１．Ｏ，・２Ｓ
ｉＯｔ・２８ｚＯ、３Ｍｇ０・４ＳｉＯ＊　・１１１０
．　ＭｇＣ０ｚ　・Ｍｇ（Ｏｆｆ）ｔ　・３１１ｚＯ＋
ＡＩｚＯ＊＋ＣａＣＯ５＋ＭｇＣ０ツ、５ｂｔＯｉ等）
が挙げられる。

さらに、上記バンクコート用塗料の有機溶剤としては、
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸ブチル。

乳酸エチル、酢酸グリコールモノエチルエーテル等のエ
ステル系溶剤、グリコールジメチルエーテル、グリコー
ルモノエチルエーテル、ジオキサン等のグリコールエー
テル系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素系溶剤、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水
素系溶削、メチレンクロライド、′１．チレンクロライ
ド、四塩化炭素、クロロホルム、エチレンクロルヒドリ
ン、ジクロルベンゼン等の塩素化炭化水素系溶剤等、汎
用の溶剤を用いることができる。

前述のバッークコート層には潤滑剤を併用してもよい、
この場合、上記バックコート層中に潤滑剤を内添する方
法、あるいはバックコート層上に潤滑剤を被着する方法
がある。いずれにしても、上記潤滑剤としては、脂肪酸
、脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、金属石鹸、脂肪族ア
ルコール、パラフィン、シリコーン等、従来より周知の
潤滑剤が使用できる。

さらには、先の磁性層表面に付着される潤滑剤層と同様
のフルオロ炭素鎖を含むポリウレタンあるいはポリウレ
アを含有する潤滑剤を使用してもよい。

〔作用〕

フルオロ炭素鎖を含むポリウレタンあるいはポリウレア
を含む潤滑剤層は、強磁性金属薄膜に付着し良好な潤滑
作用を発揮して摩擦係数を低減する。特に、フルオロ炭
素鎖を含むポリウレタンあるいはポリウレアは、低温下
においても良好な潤滑効果を発揮する。

〔実施例〕

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。

第１表に示すフルオロ炭素鎖を含むポリウレタンあるい
はポリウレアを合成し、これを潤滑剤として磁気テープ
を作製した。

（以下余白） 実施例１゜ １４μ゛ｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに
斜め蒸着法によりＣｏを被着させ、膜厚１０００人の強
磁性金属薄膜を形成した。

次に、この強磁性金属薄膜表面に、フルオロ炭素鎖を含
むポリウレタン（第１表中の化合物１）をフレオン溶液
に溶解し、塗布量が５■／Ｍとなるように塗布し、１／
２インチ幅に裁断してサンプルテープを作製した。

実施例２〜実施例５ フルオロ炭素鎖を含むポリウレタンあるいはポリウレア
として先の第１表に示す化合物２〜化合物５を用い、池
は実施例１と同様の方法によりサンプルテープを作製し
た。

作製された各サンプルテープについて、温度２５℃、相
対湿度（ＲＨ）６０％、および−５℃の各条件下での動
摩擦係数及びシャトル耐久性を測定した。この動摩擦係
数は、材質がステンレス（ＳＵＳ３０４）のガイドピン
を用い、一定のテンションをかけ５　＋ｗｍ／ｓｅｃの
速度で送り、試験したものである。また、シャトル耐久
性は、１回につき２分間のシャトル走行を行い、出力が
一３ｄＢ低下までのシャトル回数で評価した。スチル耐
久性はポーズ状態での出力の一３ｄＢまでの減衰時間を
評価した。なお、比較例として、全く潤滑剤を破着しな
いブランクテープについても測定した。

結果を第２表に示す。

（以下余白） 第２表 （以下余白） 上記第２表から明らかなように、本発明の各実施例の条
件下で動摩擦係数が小さく、走行が極めて安定しており
、また１００回往復走行後もテープ表面の損傷は全く見
られなかった。また、スチル耐久性も極めて良く、１５
０回シャトル走行を行っても出力の一３ｄＢ低下は見ら
れなかった。

これに対して、潤滑剤層のない比較例のテープでは、摩
擦係数が往復走行回数が多くなるにつれて大となり、走
行も不安定でテープの摩擦が見られ、耐久性も悪いもの
であった。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
強磁性金Ｒ薄膜型の磁気記録媒体の潤滑剤としてフルオ
ロ炭素鎖を含むポリウレタンあるいはポリウレアを用い
ているので、如何なる温度条件下においても、動摩擦係
数を小さくすることができ、走行安定性や耐摩耗性に優
れた磁気記録媒体とすることができる。

手続補正書（自発） 昭和６１年８月２日 １、事件の表示 昭和６１年　特許願　第１５１４８６号２、発明の名称 磁気記録媒体 ３、補正をする者 事件との関係　　特許出願人 住所　東京部品用区北品用６丁百７番３５号名称　（２
１８）　　ソ　ニ　−　株　式　会　社代表者　大賀　
典雄 自発 ６、補正の対象 明細書の「発明の詳細な説明」の欄 ７、補正の内容 明細書第７頁第７行目に「パーフルオロジオールを」と
ある記載を「パーフルオロジアミノベンゼンを」と補正
する。

（以上）

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性
   金属薄膜上にフルオロ炭素鎖を含むポリウレタンあるい
   はポリウレアを被着したことを特徴とする磁気記録媒体
   。