JPS62157319A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属ａ膜を
磁性層として形成した、いわゆる強（影性金属薄膜型の
磁気記録媒体に関するものである。

〔発明の概要〕

本発明は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を磁性層と
して形成してなる磁気記録媒体において、磁性層である
強磁性金属ｉ１１りにパーフルオロアルキルカルボン酸
エステル及び複合型極圧剤を潤滑剤として被着し、 あらゆる使用条件下においても優れた走行性。

耐摩耗性、耐久性を発揮し、かつこれら潤滑効果が持続
する磁気記録媒体を提供しようとするものである。

〔従来の技術〕

従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にｒ−
Ｆｅ、○、、Ｃｏを含有するγ−Ｆｅｗ０３＋Ｆｅｙ　
Ｏａ＋　Ｃｏを含有するＦ　ｅ　１０ａ、　ｒ　　Ｆ　
６２ｏｚとＦｅｚＯａとのベルトライド化合物、ｃｏを
含有するヘルドライド化合物、Ｃｒｏｗ等の酸化物強磁
性粉末あるいはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等を主成分とする合金
磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系
共重合体、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の有
機バインダー中に分散せしめた磁性塗料を惨布・乾燥す
ることにより作製される塗布型の磁気記録媒体が広く使
用されている。

これに対して、高密度磁気記録への要求の高まりととも
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金等の強磁性金属材料を、メッキや真
空薄膜形成技術（真空蒸着法やスパッタリング法、イオ
ンブレーティング法等）によってポリエステルフィルム
やポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案さ
れ、注目を集めている。この強６イ（性金属薄膜型磁気
記録媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁
変換特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて
薄くすることが可能であるため記録減磁や再生時の厚み
損失が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である有
機バインダーを混入する必要がないため磁性材料の充填
密度を高めることができること等、数々の利点を有して
いる。

しかしながら、上述の強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体
では、磁性層表面の平滑性が極めて良好であるために実
質的な接触面積が大きくなり、凝着現象（いわゆるはり
つき）が起こり易くなったり摩擦係数が大きくなる等、
耐久性や走行性等に欠点が多く、その改善が大きな課題
となっている。

一般に、磁気記録媒体は磁気信号の記録・再生の過程で
磁気ヘッドとの高速相対運動のもとにおかれ、その際走
行が円滑に、かつ安定な状態で行われなければならない
。また、磁気ヘッドとの接触による摩耗や損傷はなるべ
く少ないほうがよい。

そこで例えば、上記磁気記録媒体の磁性層、すなわち強
磁性金属薄膜表面に潤滑剤を塗布して保護膜を形成する
ことにより、上記耐久性や走行性を改善することが試み
られている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、上述のように潤滑剤を塗布して保護膜を形成
した場合には、この保護膜が磁性層である強磁性金属薄
膜に対して良好な密着性を示し、かつ高い潤滑効果を発
揮することが要求される。

また、これら密着性や潤滑効果は、熱帯、亜熱帯地方等
のように高温多湿の条件下でも、寒冷地のように低温の
条件下でも優れたものでなければならない。

しかしながら、従来広く用いられている潤滑剤の使用温
度範囲は限られており、特に、０〜−５℃のような低温
下では固体化または凍結するものが多く、充分にその潤
滑効果を発揮させることができなかった。さらには、上
記潤滑剤の強磁性金属薄膜に対する付着力の不足に起因
して、次第にこの潤滑剤が磁気ヘッドで削り取られ、急
激に効果が低下するという問題があった。

そこで本発明は、如何なる使用条件下においても密着性
や潤滑性が保たれ、かつ長期に亘り潤滑効果が持続する
磁気記録媒体を提供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者等は、上述の目的を達成せんものと鋭な研究の
結果、パーフルオロアルキルカルボン酸のエステル部に
長鎖のアルキル基、あるいは二重結合を有するアルキル
基、さらには枝分かれしたアルキル基の何れかを４人し
たパーフルオロアルキルカルボン酸エステルと、複合型
極圧剤とを組み合わせることにより、単独で用いる場合
と比較して優れた潤滑作用が発揮され、同時に使用温度
帯域の拡大や持続性の向上を図ることが可能であること
を見出し本発明を完成するに至ったものであって、非磁
性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性金属
薄膜上にパーフルオロアルキルカルボン酸エステル及び
複合型極圧剤を含む潤滑剤層を被着したことを特徴とす
るものである。

本発明で使用されるパーフルオロアルキルカルボン酸エ
ステルは、一般式 ％式％ （ただし、式中ｎは６〜１０の整数を表し、Ｒは炭素数
１〜２５の炭化水素基を表す。）で示されるものであっ
て、パーフルオロアルキルカルボン酸と相当するアルコ
ールとを反応させることによって容易に合成することが
できる。

上記パーフルオロアルキルカルボン酸エステルにおいて
、パーフルオロアルキルカルボン酸部の炭素数ｎは、６
〜１０の範囲であることが好ましい。この炭素′＃！ｉ
、ｎが６未満であると、潤滑効果が不足し、逆に炭素数
が１０を越えると低温域で凝固するようになり、したが
って低温条件下での潤滑効果が低下する。また、エステ
ル部の炭化水素基の炭素数においても同様で、先の一般
式中、炭化水素基Ｒの炭素数が１〜２５であることが好
ましく、炭素数９〜２５であることがより好ましい。

炭化水素基Ｒの炭素数が９未満であると、潤滑効果が不
足し、２５を越えると低温での潤滑効果がなくなる。な
お、この炭化水素基Ｒは、長鎖のアルキル基であっても
よいし、技分かれしたアルキル基や二重結合を有するア
ルキレン鎖であってもよい。

一方、本発明において使用される複合型極圧剤は、境界
潤滑領域において部分的に金属接触を生じたとき、これ
に伴う摩擦熱によって金属面と反応し、反応生成物被膜
を形成することにより摩擦・摩耗防止作用を行うもので
ある。

具体的には、ジー２−エチルへキシルチオリン酸アミン
等のジアルキルチオリン酸アミン類、塩化プロピルホス
フェート、臭化プロピルホスフェート　ヨウ化プロピル
ホスフェート、塩化ブチルホスフェート、臭化ブチルホ
スフェート、ヨウ化ブチルホスフェート等に代表される
ハロゲン化アルキルのリン酸エステル類、クロロナフサ
ザンテート等の他、一般式 （但し、各一般式中Ｒは水素原子またはアルキル基、ア
ルケニル基８アリール基を表す。）で示されるチオフォ
スフェート類、−＋ａ式（但し、式中Ｒは水素原子また
はアルキル基、アルケニル基、アリール基を表す。） で示されるチオフォスファイト類等が効果が高い。

上述したパーフルオロアルキルカルボン酸エステルと複
合型極圧剤の配合比としては、重量比で３０ニア０〜７
０：３０であるのが好ましい。なお、上述のパーフルオ
ロアルキルカルボン酸エステル及び複合型極圧剤の他、
必要に応じて従来周知の潤滑剤や他の極圧剤、防錆剤等
を併用してもよい。

使用される潤滑剤としては、脂肪酸またはその金属塩、
脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコールまた
はそのアルコキシド、脂肪族アミン、多価アルコール、
ソルビタンエステル、マンニノタンエステル、硫黄化脂
肪酸、脂肪族メルカプタン、変性シリコーンオイル、パ
ーフルオロアルキルエチレンオキシド、パーフルオロポ
リエーテル類、高級アルキルスルホン酸またはその金属
塩、パーフルオロアルキルスルホン酸またはそのアンモ
ニウム塩あるいはその金属塩、パーフルオロアルキルカ
ルボン酸またはその金属塩等が例示される。

上°記極圧剤としては、リン系極圧剤、イオウ系極圧剤
５ハロゲン系極圧剤、有機金属系極圧剤等が使用可能で
ある。

具体的に例示すれば、上記リン系極圧剤としては、トリ
ブチルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリ
ー２−エチルへキシルホスフェート、トリラウリルホス
フェート、トリオクチルホスフェート　ジブチルホスフ
ェート、ジオクチルホスフェート、ジー２−エチルへキ
シルホスフェート、ジラウリルホスフェート、ジオレイ
ルホスフェート等のリン酸エステル、トリブチルホスフ
ァイト、トリオクチルホスファイト、トリー２−エチル
へキシルホスファイト、トリラウリルホスファイト、ト
リオレイルホスファイト、ジブチルホスファイト、ジオ
クチルホスファイト、ジ−２＝エチルへキシルホスファ
イト、ジラウリルホスファイト、ジオレイルホスファイ
ト等の亜リン酸エステル、ジブチルホスフェートブチル
アミン塩。

ジブチルホスフェートオクチルアミン塩、ジブチルホス
フェートステアリルアミン塩、ジオクチルホスフェート
ブチルアミン塩、ジオクチルホスフェートオクチルアミ
ン塩、ジオクチルホスフェートラウリルアミン塩、ジオ
クチルホスフェートステアリルアミン塩、ジー２−エチ
ルへキシルホスフェートブチルアミン塩、ジー２−エチ
ルへキシルホスフェートオクチルアミン塩、ジー２−エ
チルへキシルホスフェートラウリルアミン塩、ジー２−
エチルへキシルホスフェートステアリルアミン塩、ジラ
ウリルホスフェートブチルアミン塩。

ジラウリルホスフェートオクチルアミン塩、ジラウリル
ホスフェートラウリルアミン塩、ジラウリルホスフェー
トステアリルアミン塩、ジオレイルホスフェートフ゛チ
ル了ミン塩、ジオレイルホスフェートオクチルアミン塩
、ジオレイルホスフェートラウリルアミン塩、ジオレイ
ルホスフェートステアリルアミン塩等のリン酸エステル
アミン塩が挙げられる。

上記イオウ系極圧剤としては、硫化抹香鯨油、硫黄化ジ
ペンテン等不飽和結合を有する鉱油、油脂や脂肪酸等に
硫黄を加えて加熱することにより製造°される硫化油脂
類、二硫化ジベンジル、二硫化ジフェニル、二硫化ジ−
ｔ−ブチル、二硫化ジー５ｅｃ−ブチル７二硫化ジーｎ
−ブチル、二硫化ジ−ｔ−オクチル、二硫化ジエチル等
のジチルファイド類、硫化ヘンシル、硫化ジフェニル、
硫化ジビニル、硫化ジメチル、硫化ジエチル、硫化ジー
１−ブチル、硫化ジー５ｅｃ−ブチル、硫化ジ−ｎ−ブ
チル等のモノサルファイド類、三硫化ジメチル、三硫化
ジ−ｔ−ブチル、ポリ硫化ジーを一ノニル７オレフイン
ポリサルフアイド等のポリサルファイド類、一般式 ％式％ （但し、式中Ｒは炭化水素基を表す、）で示されるチオ
カーボネート類、元素硫黄等が挙げられる。

上記ハロゲン系極圧剤としては、臭化アリル。

臭化オクタデシル、臭化シクロヘキシル、臭化ステアリ
ル、重化ベンジル等の臭素化合物、ヨウ化ヘンシル、ヨ
ウ化アリル、ヨウ化ブチル、ヨウ化オクタデシル、ヨウ
化シクロヘキシル等のヨウ素化合物、ヘキサクロロエタ
ン、モノクロルエタン。

塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化油脂、メ
チルトリクロロステアレート、ペンタクロロペンクジエ
ン酸、ヘキサクロルナフテン酸化合物のエステル、ヘキ
サクロルナフテン酸化合物のイミド誘導体等の塩素化合
物が挙げられる。

上記有機金属系極圧剤としては、ジイソブチルジチオリ
ン酸亜鉛、イソブチルペンチルジチオリン酸亜鉛、イソ
プロピル−１−メチルブチルジチオリン酸、イソブチル
ノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、イソブチルヘプチル
フェニルジチオリン酸、ジヘプチルフェニルジチオリン
酸、ジノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、モリブデンジ
チオフォスフェート等のチオリン酸塩類、ジメチルジチ
オカルバミン酸亜鉛、ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛
、ジブチルジチオカルバミン酸亜鉛、エチルフェニルジ
チオカルバミン酸亜鉛、ジベンジル、ジヂオカルバミン
酸亜鉛、ジメチルジチオカルバミン酸亜鉛、ジメチルジ
チオカルバミン酸銅、ジメチルジチオカルバミン酸鉄、
ジエチルジチオカルバミン酸セレン、ジエチルジチオカ
ルバミン酸銀等のチオカルバミン酸塩類、モリブデン、
アンチモン等の金属アルキルジチオカルバミン酸塩類、
等が挙げられる。

これらパーフルオロアルキルカルボン酸エステルを含有
する潤滑剤層を強磁性金属薄膜上に付着させる方法とし
ては、上記潤滑剤を溶媒に溶解して得られた溶液を強磁
性金属薄膜の表面に塗布もしくは噴霧するか、あるいは
逆にこの溶液中に強磁性金属薄膜を浸漬し乾燥すればよ
い。

ここで、その塗布量は、０．５■／Ｍ〜１００■／ｄで
あるのが好ましく、１＊／ｎ？　〜２０ｗ／ｍであるの
がより好ましい。この塗布量があまり少なすぎると、Ｐ
ｊ擦係数の低下、耐摩耗性・耐久性の向上という効果が
顕れず、一方あまり多すぎると、摺動部材と強磁性金属
ｇＪＭｊ、との間ではりつき現象が起こり、却って走行
性が悪くなる。

あるいは、上述の潤滑剤、極圧剤の他、必要に応して防
錆剤を併用してもよい。

一般に、強磁性金属薄膜は金属材料により形成されるこ
とから錆易く、上記防錆剤の使眉により耐蝕性が大幅に
改善される。したがって、上記パーフルオロアルキルカ
ルボン酸エステルを含有する潤滑剤の有する潤滑作用と
相俟って、磁気記録媒体の耐久性を向上することができ
る。

使用可能な防錆剤としては、通常この種の磁気記録媒体
の防錆剤として使用されるものであれば以下なるもので
あってもよく、例えばフェノール類、ナフトール類、キ
ノン類、ジアリールケトン、窒素原子を含む複素環化合
物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素
環化合物、メルカプト基を有する化合物、チオカルボン
酸またはその塩、チアゾール系化合物等が挙げられる。

具体的に例示すれば次の通りである。

先ず、上記フェノール類としては、二価フェノール、ア
ルキルフェノールあるいはニトロソフェノールが挙げら
れる。

上記二価フェノールとしては、ハイドロキノン。

レゾルシン、カテコール等の純フェノール！、及びそれ
らのアルキルアミノ、ニトロ、ハロゲノ置換体、例えば
、２−メチルハイドロキノン、４−メチルレゾルシノー
ル、５−メチルレゾルシノール、４−メチルピロカテコ
ール、２．５−ジメチルハイドロキノン、４．６−ジメ
チルレゾルシノール。

２．５−ジメチルレゾルシノール、２−イソプロピル−
５−メチルハイドロキノン、　　２　　ｔｅｒｔ−ブチ
ルハイドロキノン、２，５−ジーｔｅｒｔ−ブチルハイ
ドロキノン、　　４　　ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、
２−アミルゾルシノール、２−レゾルシノール、２゜５
−ジクロロヒドロキノン等が挙げられる。　上記アルキ
ルフェノールとは、−価フエノールのアルキル置換体を
指し、例えば、０−クレゾール。

ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、０−エチルフェノー
ル、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、２
，３−ジメチルフェノール、２．５−ジメチルフェノー
ル、２．６−ジメチルフェノール。

３．４−ジメチルフェノール、３．５−ジメチルフェノ
ール、　　２．４．６−　）ジメチルフェノール、　　
２，４．５−トリメチルフェノール、５−イソプロピル
−２＝メチルフエノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノ
ール、２，６−シーｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール
。

４．４′−メチレンビス２．６−シーｔｅｒｔ−ブチル
フェノール、２，６−シメチルー４−ｔｅｒｔ−ブチル
フェノール、　　２，４．６−　）リーｔｅｒｔ−ブチ
ルフェノール等が挙げられる。

上記ニトロソフェノールとしては、例えば、４−ニトロ
ソ−２−メトキシ−１−フェノール、４−ニトロソ−２
−エトキシ−１〜フエノール、６−ニトロソ−〇−クレ
ゾール、４−ニトロソ−ｍ＝クレゾール、Ｏ−ニトロソ
フェノール、２−ニトロソフェノール、２−ニトロソレ
ゾルシン、４−ニトロソレゾルシン、ｐ−ニトロソフェ
ノール等が挙げられる。

次に、上記ナフトール類としては、α−ナフトール、β
−ナフトール、１．２−ナフタレンジオール。

１．３−ナフタレンジオール、１．４−ナフタレンジオ
ール９１．５−ナフタレンジオール、１，７−ナフクレ
ンジオー°ル、１，８−ナフタレンジオール、２．３−
ナフタレンジオール、　１．４．５−ナフタレントリオ
ール、　１，２゜５．８−ナフタレンテトラオール等の
純フェール頻、及びニトロ、ニトロソ５アミノ、ハロゲ
ノ置換ナフトール類、例えば１−り四ロー２−ナフトー
ル、２゜４−ジクロロ−１−ナフトール、１−ニトロ−
２−ナフトール、１．６−シニトロー２−ナフトール、
１−ニトロソ−２−ナフトール、２−ニトロソ−１−ナ
フトール、１−アミノ−２−ナフトール等が挙げられる
。

上記キノン類としては、ｐ−ヘンゾキノン、〇−ヘンゾ
キノン、１，２−ナフトキノン、１，４−ナフトキノン
、２．６−ナフトキノン、アントラキノン、９゜１０−
フェナントレンキノン、ジフェノキノン等の置換基のな
いキノン類、メチル−ｐ−ヘンゾキノン、２．３−ジメ
チル−ｐ−ベンゾキノン、２−メチル−１，４−ナフト
キノン、２−メチルアントラキノン等のメチルキノン類
、２，５−ジヒドロキシ−ｐ−ベンゾキノン、テトラヒ
ドロキン−ｐ−ヘンゾキノン、５−ヒドロキシ−１３４
−ナフトキノン、２，３−ジヒドロキシー１．４−ナフ
トキノン、５．８−ジヒドロキシ−１，４−ナフトキノ
ン、２−ヒドロキシアントラキノン、１゜２−ジヒドロ
キシアントラキノン、　１．２．３−トリヒドロキシア
ントラキノン、　１．２．４−　）ジヒドロキシアント
ラキノン、　１，２．５−トリヒドロキシアントラキノ
ン、　１，２．６−１−ジヒドロキシアントラキノン、
１゜２．７−　）ジヒドロキシアントラキノン等のヒド
ロキシキノン類、２−アミノアントラキノン、１１２−
ジアミノアントラキノン等のアミノキノン類、ｌ−ニト
ロアントラキノン、１．５−ジニトロアントラキノン等
のニトロキノン類、２．６−ジクロロ−ρ−ベンゾキノ
ン、テトラクロロ−ｐ−ベンゾキノン、テトラブロモ−
ｐ−ベンゾキノン等のハロゲノキノン類、あるいは２種
以上の置換基を有するキノン類、例えば２，５−ジクロ
ロ−３，６−ジヒドロキシ−ｐ−ベンゾキノン、１−メ
チル−２−ヒドロキシ−１，４−ナフトキノン等が挙げ
られる。

上記ジアリールケトンとしては、ベンゾフェノン及びそ
の誘導体が挙げられ、例えばベンゾフェノン、４−メチ
ルベンゾフェノン、３−メチルベンゾフェノン、３，４
−ジメチルベンゾフエノン、４゜４゛−゛ジメチルベン
ゾフェノン、　３．４’−ジメチルへンゾフェノン、４
−エチルヘンシフエノン等のアルキルＨ４体、４−ヒド
ロキシベンゾフェノン。

４．４゛−ジヒドロキシヘンシフエノン、　２，３．４
−　）ジヒドロキシヘンシフエノン、２．４−ジヒドロ
キシベンゾフェノン、　２．２’、５．６°−テトラヒ
ドロキシベンゾフェノン、２．３”、４．４”、６−ペ
ンタヒドロキシベンゾフェノン等のヒドロキシヘンシフ
エノン類、４−アミノベンゾフェノン、４．４”−ジア
ミノベンゾフェノン等のアミノヘンシフエノン類、ある
いは２種以上の置換基を有するベンゾフェノン類、例え
ば４−メトキシ−２−ヒドロキシベンゾフェノン、２．
２°−ジヒドロキシ−４−メトキシヘンシフエノン等が
挙げられる。

上記窒素原子を含む複素環化合物としては、アクリジン
、２．２’　、　２’−テルピリジルネオクブロイン、
２．２゛−ジピリジルベンゾトリアゾール、５−メチル
ヘンシトリアゾール、バソフェナンドロリン、１．１０
−フェナントロリン、アルデヒドコリジン、ヘンシルピ
リジン、フェニルピリジン、キナゾリン、２−ヘプタデ
シルイミダゾール等の他、フェノ　ル性水酸基を有する
化合物、例えば４−（２−ピリジルアゾ）−レゾルシン
１−（２−ピリジルアゾ）−２−ナフトール、４−キノ
リツール、４−メチル−２−キノリノ−ルー　８−キノ
リツール、キノリンジオール等、カルボキシル基を有す
る化合物、例えばキヌレン酸５アクリジン酸、アトファ
ン、キルナジン酸、シンコニン酸、イソニコチン酸、２
．５−ピリジンジカルボン酸、キニン酸等、アミノ基又
はイミノ基を有する化合物、例えば２−アミノベンズイ
ミダゾール、５−アミノ−Ｉ　Ｈ−テトラゾール。

５−アミノ−Ｌ　Ｈ−１，２，４−トリアゾール５アデ
ニン、グアニン、ルミノール、２−ヒドラジノキノリン
、チアミン等、カルボニル基を有する化合物、例えばリ
ボフラビン、テオブロミン、アラントイン、アロキサン
、２−チオバルビッール酸、ビオルル酸、イサチン、ヒ
ダントイン、チミン、バルビッール酸、オロチン酸、ウ
ラシル、スクシンイミド、タレアチニン、２−ピロリド
ン等が挙げられる。

上記酸素原子を含む複素環化合物としては、トコフェロ
ール、モリン、ケルセチン、アスコルビン酸、無水１，
８−ナフタル酸、レゾルフィン、コウジ酸、デヒドロ酢
酸、オキサゾール、３−アミノフタルイミド、４−アミ
ノフタルイミド、ウリジン、チミジン、グアノシン、無
水イサト酸等が挙げられる。

上記硫黄原子を含む複素環化合物としては、スルホラン
、３−ヒドロキシスルホラン、３−メチルスルホラン、
スルホレン、３−ヒドロキシスルホレン、３−メチルス
ルホレン、ローダニン、３−アミノローダニン、チアゾ
リン−４−カルボン酸、４Ｈ−１，４−チアジン、ビオ
チン、３．６−チオキサンチンジアミン、３．６−チオ
キサンチンジアミン−１０，１０−ジオキシド等が挙げ
られる。

上記メルカプト基を有する化合物としては、２−ヘンゾ
オキサゾールチオール、チオフェノール。

チオサリチル酸、プロパンチオール、チオウラシル、２
．３−キノキサリンジチオール、ジチゾン、チオオキシ
ン、２−ヘンズイミダゾールチオール。

６−チオグアニン、５−ニトロ−２−ヘンズイミダゾー
ルチオール、５−アミノ−１，３，４−チアゾール−２
−チオール等が挙げられる。

上記チオカルボン酸またはその塩としては、ジエチルジ
チオカルバミン酸ナトリウム、エタンチオ酸５ルヘアン
酸、チオアセトアミド、エタンジチオ酸等が挙げられる
。

上記チアゾール系化合物としては、ビスムチオール■、
ジアゾスルフィド、アゾスルフイム、１゜３．４−チア
ジアゾール、ビスムチオール、ビアズチオール、ベンゾ
チアゾール、２−メチルベンゾチアゾール、　２−（ｐ
−アミノフェニル）−６−メチルベンゾチアゾール、２
−メルカプトベンゾチアゾール。

ヘンジチアゾリン。２−ベンゾチアゾリン、ヘンジチア
ゾロン等が挙げられる。

上記防錆剤は、上記潤滑剤と混合して用いてもよいが、
例えば強磁性金属薄膜の表面に先ず上記防錆剤を塗布し
、しかる後上記パーフルオロアルキルカルボン酸エステ
ルを含有する潤滑剤を塗布するというように、２層以上
に分けて被着すると効果が高い。

このように２層に分けて塗布する場合には、上記防錆剤
の塗布量としては、先の潤滑剤と同様、０．５■／ｄ〜
１００■／ｄであるのが好ましく、１■／ｒｒ１〜２０
■／ボであるのがより好ましい。

塗布量があまり少なすぎると、耐蝕性改善の効果が不足
し、逆に多過ぎると走行性等に問題が生ずる。

本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性支持体上に
磁性層として強磁性金属薄膜を設けたものであるが、こ
こで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテー
ト、セルロースダイアセテート、セルロースアセテート
ブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート
、ポリイミド９ポリアミドイミド等のプラスチック、ア
ルミニウム合金、チタン合金等の軽金属、アルミナガラ
ス等のセラミックス等が挙げられる。

この非磁性支持体の形態としては、フィルム、シート、
ディスク、カード、ドラム等のいずれでもよい。

上記非磁性支持体には、その表面に山伏突起やしわ状突
起、゛粒状突起等の突起を１種以上を形成し、表面粗さ
をコントロールしてもよい。

上記山状突起は、例えば高分子フィルム製膜時に粒径５
００〜３０００人程度の無機微粒子を内添することによ
り形成され、高分子フィルム表面からの高さは１００〜
１０００人、密度はおよそＩＸＩ　Ｏ’　〜Ｉ　ＯＸＩ
　Ｏ’個／＋ｓａ２　とする。山伏突起を形成するため
に使用される無機微粒子としては、炭酸カルシウム（Ｃ
ａＣＯｓ）やシリカ、アルミナ等が好適である。

上記しわ状突起は、例えば特定の混合溶媒を用いた樹脂
の希薄溶液を塗布乾燥することにより形成される起伏で
あって、その高さは０．０１〜１０μｍ、好ましくは０
．０３〜０．５μｍ１突起間の最短間隔は０．１〜２０
μｍとする。このしわ状突起を形成するための樹脂とし
ては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレート等の飽和ポリエステル、ポリアミド、ポリスチ
ロール、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリス
ルホン、ポリエーテルスルホン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリビニルブチラール、ポリフェニレ
ンオキサイド、フェノキシ樹脂等の各種樹脂の単体、混
合体または共重合体であり、可溶性溶剤を有するものが
適している。そして、これらの樹脂をその良溶媒に溶解
せしめた樹脂濃度１〜１０００ρρｍの溶液に、その樹
脂の貧溶媒であって前記良溶媒より高い沸点を有する溶
媒を樹脂に対して１０〜１００倍量添加した）容液を、
高分子フィルムの表面に塗布・乾燥することにより、非
常に微細なしわ状凹凸を有する薄層を得ることができる
。

粒状突起は、アクリル樹脂等の有機超微粒子またはシリ
カ、金属粉等の無Ｗｉ徹粒子を球状あるいは半球状に付
着させることにより形成される。この粒状突起の高さは
、５０〜５００人、密度はｌ×ｌＯ６〜５０×１０６個
／　Ｉｍ　２程度とする。

これら突起の少なくとも一種以上を形成すれば磁性層で
ある強磁性金属薄膜の表面性が制御されるが、２種以上
を組み合わせることにより効果が増し、特に山状突起を
設けたベースフィルム上にしわ状突起つつぶ状突起を形
成すれば、極めて耐久性、走行性が改善される。

この場合、突起の全体としての高さは、１００〜２００
０人の範囲内であることが好ましく、その密度は１＋Ｉ
ｍ２当り平均でｌＸｌ０’〜ｌＸｌＯ７個であることが
好ましい。

また、上記磁性層である強磁性金属薄膜は、真空萎着法
やイオンブレーティング法、スパッタリング法等の真空
薄膜形成技術により連続膜として形成される。

上記真空蒸着法は、１０−′〜１０−”Ｔｏｒｒの真空
下で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビー
ム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属（
強磁性金属材料）を沈着するというものであり、一般に
高い抗磁力を得るため基板に対して上記強磁性金属材料
を斜めに蒸着する斜方蒸着法が採用される。あるいは、
より高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を
行うものも含まれる。

上記イオンブレーティング法も１１空蒸着法の一種であ
り、１０−４〜１０１τｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で
ＤＣグロー放電、ＲＦグロー放電を起こして、放電中で
上記強磁性金属材料を蒸発させるというものである。

上記スパッタリング法は、１０−〜１０−’Ｔｏｒｒの
アルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起
こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面の原
子をたたき出すというものであり、グロー放電の方法に
より直流２極、３極スパンク法や、高周波スパッタ法、
またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパッ
タ法等がある。

このスパッタリング法による場合には、ＣｒやＷ。

Ｖ等の下地膜を形成しておいてもよい。

なお、上記いずれの方法においても、基板上にあらかじ
めＢｉ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ。

Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔ１等の下地金属層を被着形成して
おき、基板面に対して垂直方向から成膜することにより
、磁気異方性の配向かなく面内等方法に優れた磁性層を
形成することができ、例えば磁気ディスクとする場合に
は好適である。

このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄膜を形成
する際に、使用される強磁性金属材料としては、Ｆｅ、
Ｇｏ、　Ｎｉ等の金属の他に、Ｃ。

−Ｎｉ合金、Ｃｏ−ＰＬ金合金Ｃｏ−Ｎ１−ｐｔ金合金
Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合
金、Ｆｅ−Ｃ０，−３合金、　　Ｃｏ　−Ｎｉ−Ｆｅ　
　Ｂ合金、Ｃ，ｏ−Ｃｒ合金あるいはこれらにＣｒ、Ａ
β等の金属が含有されたもの等が挙げられる。特に、Ｃ
ｏ−Ｃｒ合金を使用した場合には、垂直磁化膜が形成さ
れる。

このような手法により形成される磁性層の膜厚は、０．
０４〜１μｍ程度である。

また、非磁性支持体の前記磁性層が設けられる面とは反
対側の面に、いわゆるバンクコート層を形成してもよい
。バックコート層は、結合剤樹脂と粉末成分とを有機溶
媒に混合分散させたバンクコート用塗料を非磁性支持体
面に塗布することにより形成される。

ここで、バックコート用の料に使用される結合剤樹脂と
しては、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、塩
化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アク
リロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロ
ニトリル共重合体、熱可塑性ポリウレタンエラストマー
、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリ
ル共重合体、ブタジェン−アクリロニトリル共重合体、
ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘
導体、ポリエステル樹脂、ポリブタジェン等の合成ゴム
系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン
硬化型樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコー
ン樹脂、アクリル系反応樹脂、エポキシ−ポリアミド樹
脂、ニトロセルロース−メラミン樹脂、高分子量ポリエ
ステル樹脂とイソシアナートプレポリマーの混合物、メ
タクリル酸塩共重合体とジイソシアナートプレボリマー
の混合物、ポリエステルポリオールとポリイソシアナー
トとの混合物、尿素ホルムアルデヒド樹脂、低分子量グ
リコール／高分子量ジオール／トリフェニルメタントリ
イソシアナートの混合物、ポリアミン樹脂及びこれらの
混合物等が挙げられる。

あるいは、粉末成分の分散性の改善を図るために、親水
性極性基を持った結合剤樹脂を使用してもよい。

具体的には、−３０３門、　　０５ＯＪ、　　Ｃ００Ｍ
、　　Ｐ（ＯＭ”）２（式中、Ｍは水素原子またはアル
カリ金属を表し、Ｍ゛は水素原子、アルカリ金属または
炭化水素基を表す。）から選ばれた親水性極性基を導入
したポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル
−酢酸ビニル系共重合体、塩化ビニリデン系共重合体、
アクリル酸エステル系共重合体、ブタジェン系共重合体
等が使用可能である。

上記親水性極性基の導入方法としては、樹脂の種類に応
じて種々の方法が考えられるが、例えばポリウレタン樹
脂やポリエステル樹脂に上記親水性極性基を導入するに
は次のような方法によればよい。

（１）ポリウレタン又はポリエステルの原料である２塩
基酸あるいはポリオール等に前記親水性極性基を予め導
入しておく方法。

（２）末端若しくは側鎖にＯＨ基を残存させておき、こ
のＯＨ基を親水性極性基を持った化合物により変性する
方法。

（２）の方法による場合には、 ＋２１−１ 分子中に親水性極性基とハロゲン（例えば塩素）を含有
する化合物と、原料に多官能のポリオールを用いポリマ
ー鎖の末端若しくは側鎖にＯＨ基が残存したポリウレタ
ン樹脂またはポリエステル樹脂とを、両成分が溶解性の
あるジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の
溶剤に溶解し、ピリジン、ピコリン、トリエチルアミン
等のアミン類やエチレンオキサイド５プロピレンオキサ
イド等のエポキシ化合物等の脱塩酸剤の存在下でのＯＨ
基と塩素との脱塩酸反応により親水性極性基を導入する
方法。

２ｉ２ 分子中に親水性極性基とＯＨ基とを含有する化合物と、
ポリマー鎖の末端若しくは側鎖にＯＨ基が残存したポリ
ウレタン樹脂またはポリエステル樹脂とを、ジイソシア
ナート化合物を介して反応させる方法。

がある。

また、上記共重合体系結合剤樹脂に親水性極性基を導入
するには、 （３）共重合上ツマ−として、親水性極性基及び共重合
可能な二重結合を存する化合物を使用する方法。

（４）共重合モノマーとして、活性水素及び共重合可能
な二重結合を有する化合物を使用し、共重合体の側鎖に
上記活性水素を導入しておき、親水性極性基及び上記活
性水素と反応可能な基を有する化合物により変性する方
法。

（５）共重合モノマーとして、活性水素と反応可能な基
及び共重合可能な二重結合を有する化合物を使用し、共
重合体の側鎖に上記活性水素と反応可能な基を導入して
おき、親水性極性基及び上記活性水素を有する化合物に
より変性する方法。

等が挙げられる。

一方、上記粉末成分としては、導電性を付与するための
カーボン系微粉末（例えば、ファーネスカーボン、チャ
ンネルカーボン、アセチレンカーボン、サーマルカーボ
ン、ランプカーボン等が挙げられるが、なかでもファー
ネスカーボンやサーマルカーボンが好適である。）、無
機顔料（表面粗度のコントロール及び耐久性向上のため
に添加されるαＦｅ００Ｈ，αＦｅｚＯａ、ＣｒｚＯｓ
、Ｔｉ０ｚ、ＺｎＯ，ＳｉＯ。

５ｊ（ｌｚ＋　ＳｉＯ□・２１１□Ｏ，Ａｈ（ｈ・２Ｓ
ｉＯ□・２ｔｈ０　、３Ｍｇ０・４ＳｉＯｔ−ＨｇＯ，
ＭｇＣＯ５・Ｍｇ（Ｏｆｆ）ｚ　・３１１ｚＯ，ＡＩｚ
Ｏａ、ＣａＣＯ３゜”ｇｃＯ３＋５ｂＪ３等）が挙げら
れる。

さらに、上記バンクコート用塗料の存ａ溶剤としては、
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸ブチル。

乳酸エチル、　酢酸クリコールモノエチルエーテル等の
エステル系溶剤、グリコールジメチルエーテル、グリコ
ールモノエチルエーテル、ジオキサン等のグリコールエ
ーテル系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香
族炭化水素系溶剤、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化
水素系溶剤、メチレンクロライド、エチレンクロライド
、四塩化炭素、クロロホルム、エチレンクロルヒドリン
、ジクロルベンゼン等の塩素化炭化水素系溶剤等、汎用
の溶剤を用いることができる。

前述のバックコート層には潤滑剤を併用してもよい。こ
の場合、上記バフクコ−１フ１中に潤滑剤を内添する方
法、あるいはバックコート層上に潤滑剤を被着する方法
がある。いずれにしても、上記潤滑剤としては、脂肪酸
、脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、金属石鹸、脂肪族ア
ルコール、パラフィン、シリコーン等、従来より周知の
潤滑剤が使用できる。

これら潤滑剤を例示すれば、先ず、脂肪酸としては、ラ
ウリン酸、ミリスチン酸、バルミチン酸、ステアリン酸
、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リルン酸等の炭
素数が１２以上の飽和脂肪酸あるいは不飽和脂肪・酸が
使用できる。

脂肪酸エステルとしては、ステアリン酸エチル、ステア
リン酸ブチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸モノ
グリセリド、オレイン酸モノグリセリド等が使用できる
。

脂肪酸アミドとしては、カプロン酸アミド、カプリン酸
アミド、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステ
アリン酸アミド、ベヘン酸アミド、オレイン酸アミド、
リノール酸アミド、メチレンビスステアリン酸アミド、
エチレンビスステアリン酸アミド等が使用できる。

金属石鹸としては、前述の脂肪酸のＺｎ、　Ｐｂ、　Ｎ
ｉ。

Ｃｏ、　Ｆｅ＋　ＡＩ、　Ｍｇ、　Ｓｒ、　Ｃｕ等との
塩、あるいはラウリルスルホン酸、パルミチルスルホン
酸、ミリスチルスルホン酸、ステアリルスルホン酸、へ
ヘニルスルホン酸、オレイルスルホン酸、リノールスル
ホン酸、リルンスルホン酸等のスルホン酸と上記金属と
の塩等が使用できる。

脂肪族アルコールとしては、セチルアルコール、ステア
リルアルコール等が使用できる。

パリフィンとしては、ｎ−ノナデカン、ｎ−トリデカン
、ｎ−トコサン等の飽和炭化水素が使用できる。

シリコーンとしては、水素がアルキル岱またはフェニル
基で部分置換されたポリシロキサン及びそれらを脂肪酸
、脂肪族アルコール、脂肪酸アミド等で変性したもの等
が使用できる。

さらには、先の磁性層表面に付着される潤滑剤層と同様
のパーフルオロアルキルカルボン酸エステルやパーフル
オロアルキルカルボン酸エステルと複合型極圧剤の混合
物等、パーフルオロアルキルカルボン酸エステルを含有
する潤滑剤を使用してもよい。

〔作用〕

パーフルオロアルキルカルボン酸エステルと複合型極圧
剤とを含む潤滑剤層は、強磁性金属薄膜に付着し良好な
潤滑作用を発揮して摩擦係数を低減する。特に、パーフ
ルオロアルキルカルボン酸エステルは、低温下において
も良好な潤滑効果を発揮する。一方、複合型極圧剤の併
用により強磁性金属薄膜に対する付着力が向上し潤滑性
が持続する。

〔実施例〕

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。

先ず、以下の合成例にしたがってパーフルオロフルキル
カルボン酸エステルを合成した。

合成例１゜ ノナデカフルオロデカン酸イソステアリルエステルイソ
ステアリルアルコールとノナデカフルオロデカン酸をト
ルエン中、ｐ−）ルエンスルホン酸を触媒としてエステ
ル反応を行った。すなわち、１時間加熱還流後、３時間
かけて溶媒中の水分を除去し、さらにトルエンを減圧下
、エバポレータを用いて除き、真空蒸留して精製した。

（なお、イソステアリルアルコールは、市販のイソステ
アリン酸をｎ−ブチルエステル化後、水素化リチウムア
ルミニウムで還元して合成した。）得られた留分の沸点
す、ｐ、は１４０〜１４５℃１０、２　ｍｍＨｇであっ
た。

また、生成物の確認は、赤外分光分析（ＩＲ）。

核磁気共鳴分析（ＮＭＲ）、質量分析（ＭＡＳＳ）によ
って行った。その結果、１２１０〜１３８０ｃｍ”にか
けてＣＦ結合特有の吸収、１７８０ｃｍ−’にエステル
の吸収、２９１０ｃｍ−’にＣＨの伸縮振動による吸収
が見られ、また化学イオン法によるマススペクトルでは
、分子イオンピークＭ゛が７６５に見られることから、
この構造を決定した。

合成例２゜ ペンタデカフルオロオクタン酸 イソステアリルエステル 先の合成例１と同様の方法により、イソステアリルアル
コールとペンタデカフルオロオクタン酸をトルエン中、
ｐ−）ルエンスルホン酸を触媒として反応させた。

ｂ、ｐ、　　　１２０〜１３４℃（０，２ｍｍＨｇ）Ｉ
Ｒ１２００〜１４００ｃｍ−’ １７８０ｃｍ−’ ２９２０ｃｍ−’ Ｍ“　　　６６５ 合成例３゜ ペンタデカフルオロオクタン酸イソノニルエステルＣＰ
　ｘ　（ＣＦ　り　６Ｃ００Ｃ１１□Ｃ１１□Ｃ！１（
Ｃ１１３）Ｃ）１２Ｃ（Ｃ１１３）　３先の合成例１と
同様の方法により、イソノニルアルコールとペンタデカ
フルオロオクタン酸をトルエン中、ｐ−）ルエンスルホ
ン酸ヲ触媒として反応させた。

ｂ、ｐ、　　　９４℃（０，２ｍｍ１１ｇ＞ＩＲ１２１
０〜　１３９０ｃｍ−一 １７８５Ｃｍ−’ ２８５０〜２９６０ｃｍ−’ Ｍ’　　　　　５３９ 合成例４゜ ペンタデカフルオロオクタン酸すルイルエステルＣＦｓ
　（ＣＦ２）　、ＣＯＯ（ＣＩｌｚ）　！　（ＣＩｌ、
ＣＨＣＩＩｚ）　ｚ　（Ｃ１ｌｚ）　ｚｃＨｚ先の合成
例１と同様の方法により、リルイルアルコールとペンタ
デカフルオロオクタン酸をトルエン中、ｐ−）ルエンス
ルホン酸を触媒として反応させた。

ｂ、ｐ、　　　１３５〜１３９°Ｃ（０，２ｍｍｌ１ｍ
ｍ１ｌ　　　１２１０〜１３８０ｃｍ−’１７８０ｃｍ
−’ ２８５０〜３０２０ｃｍ−’ Ｍ’　　　　６６３ 実施例 １４μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに斜
め蒸着法によりＣｏを被着させ、膜厚１０００人の強磁
性金属薄膜を形成した。

次に、この強磁性金属薄膜表面に、第１表に示すパーフ
ルオロアルキルカルボン酸エステル（先の合成例で合成
したもの）と複合型極圧剤（重量比１：１）を溶媒（ア
仕トン：エチルエーテル＝１：１）で希釈した溶液を塗
布量がｌＯ■／ｍとなるように塗布し、１７２インチ幅
に裁断してサンプルテープを作製した。なお、ここで複
合型極圧剤として使用したトリラウリルチオホスフｓ−
トは一般式（Ｃ１□ＨｚｓＳ）　ｉＰで表され、ジイソ
プロピルジチオリン酸は一般式（（ＣＩｌ＋）ｚｃＨｏ
’）ｚｊ：Ｓｌｌテ表される。

（以下余白） 第１表 作製された各サンプルテープについて、温度２５℃゛、
相対湿度（ＲＨ）５０％、および−５℃の各条件下での
動摩擦係数及びシャトル耐久性を測定した。この動摩擦
係数は、材質がステンレス（ＳＵＳ３０４）のガイドビ
ンを用い、一定のテンションをかけ５　ｍｍ／ｓｅｃの
速度で送り、試験したものである。また、シャトル耐久
性は、１回につき２分間のシャトル走行を行い、出力が
一３ｄＢ低下までのシャトル回数で評価した。スチル耐
久性はポーズ状態での出力の一３ｄＢまでの減衰時間を
評価した。なお、比較例として、全く潤滑剤を被着しな
いブランクテープについても測定した。

結果を第２表に示す。

（以下余白） 第２表 この表からも明らかなように、本発明の各実施−例は、
常温、低温の各条件下で動摩擦係数が小さく、走行が掻
めて安定しており、また１００回往復走行後もテープ表
面の損傷は全く見られなかった。また、耐久性も極めて
良く、１５０回シャトル走行を行っても出力の一３ｄＢ
低下は見られなかった。これに対して、潤滑剤層のない
比較例のテープでは、摩擦係数が往復走行回数が多くな
るにつれて大となり、走行も不安定でテープの摩耗が見
られ、耐久性も悪いものであった。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体の潤滑剤としてパーフ
ルオロアルキルカルボン酸エステル及び複合型極圧剤を
用いているので、如何なる温度条件下においても動摩擦
係数を小さくすることができ、走行安定性や耐摩耗性に
優れた磁気記録媒体とすることができる。

特に、パーフルオロアルキルカルボン酸エステルの凝固
点温度が低いことから、低温下での使用時に効果が大き
い。

さらには、複合型極圧剤の併用によって強磁性金属薄膜
に対する付着力が増し、潤滑効果が長期に亘って持続さ
れるとともに、金属接触に伴う摩擦熱によって反応生成
物被膜を形成し、過酷な使用条件下でも充分に使用に耐
えるものとなる。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性
   金属薄膜上にパーフルオロアルキルカルボン酸エステル
   及び複合型極圧剤を含む潤滑剤層を被着したことを特徴
   とする磁気記録媒体。