JPS62172526A - 磁気記録媒体 - Google Patents
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Landscapes
- Magnetic Record Carriers (AREA)
- Lubricants (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、真空蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属’RI
膜を磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属Tl膜
型の磁気記録媒体に関するものである。
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属’RI
膜を磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属Tl膜
型の磁気記録媒体に関するものである。
本発明は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を磁性層と
して形成してなる磁気記録媒体において、磁性層である
強磁性金属薄膜上に酸素原子を含む複素環化合物を主成
分とする防錆剤層及びパーフルオロアルキルカルボン酸
エステルを含有スる潤滑剤層をこの順に被着することに
より、あらゆる使用条件下においても優れた走行性。
して形成してなる磁気記録媒体において、磁性層である
強磁性金属薄膜上に酸素原子を含む複素環化合物を主成
分とする防錆剤層及びパーフルオロアルキルカルボン酸
エステルを含有スる潤滑剤層をこの順に被着することに
より、あらゆる使用条件下においても優れた走行性。
耐摩耗性、耐久性を発揮し、良好な耐蝕性を有する磁気
記録媒体を提供しようとするものである。
記録媒体を提供しようとするものである。
従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にr
F e @ 03 + Coを含有するy−1i’e
zo1゜F62041 COを含有するF eioa+
r F 13zOzとFe5Oaとのベルトライド
化合物、Coを含有するベルトライド化合物、CrO□
等の酸化物強磁性粉末あるいはFe、Co、Ni等を主
成分とする合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル
−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、ポリウレ
タン樹脂等の有機バインダー中に分散セしめた磁性塗料
を塗布・乾燥することにより作製される塗布型の磁気記
録媒体が広く使用されている。
F e @ 03 + Coを含有するy−1i’e
zo1゜F62041 COを含有するF eioa+
r F 13zOzとFe5Oaとのベルトライド
化合物、Coを含有するベルトライド化合物、CrO□
等の酸化物強磁性粉末あるいはFe、Co、Ni等を主
成分とする合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル
−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、ポリウレ
タン樹脂等の有機バインダー中に分散セしめた磁性塗料
を塗布・乾燥することにより作製される塗布型の磁気記
録媒体が広く使用されている。
これに対して、高密度磁気記録への要求の高まりととも
に、Co−Ni合金等の強磁性金属材料を、メッキや真
空薄膜形成技術(真空蒸着法やスパッタリング法、イオ
ンブレーティング法等)によってポリエステルフィルム
やポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案さ
れ、注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁気記録
媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換
特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄く
することが可能であるため記録減磁や再生時の厚み損失
が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機バ
インダーを混入する必要がないため磁性材料の充填密度
を高めることができること等、数々の利点を有している
。
に、Co−Ni合金等の強磁性金属材料を、メッキや真
空薄膜形成技術(真空蒸着法やスパッタリング法、イオ
ンブレーティング法等)によってポリエステルフィルム
やポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案さ
れ、注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁気記録
媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換
特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄く
することが可能であるため記録減磁や再生時の厚み損失
が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機バ
インダーを混入する必要がないため磁性材料の充填密度
を高めることができること等、数々の利点を有している
。
しかしながら、上述の強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体
では、磁性層表面の平滑性が極めて良好であるために実
質的な接触面積が大きくなり、凝着現象(いわゆるはり
つき)が起こり易くなったり摩擦係数が大きくなる等、
耐久性や走行性等に欠点が多く、その改善が大きな課題
となっている。
では、磁性層表面の平滑性が極めて良好であるために実
質的な接触面積が大きくなり、凝着現象(いわゆるはり
つき)が起こり易くなったり摩擦係数が大きくなる等、
耐久性や走行性等に欠点が多く、その改善が大きな課題
となっている。
一般に、磁気記録媒体は磁気信号の記録・再生の過程で
磁気ヘッドとの高速相対運動のもとにおかれ、その際走
行が円滑に、かつ安定な状態で行われなければならない
、また、磁気ヘッドとの接触による摩耗や損傷はなるべ
く少ないほうがよい。
磁気ヘッドとの高速相対運動のもとにおかれ、その際走
行が円滑に、かつ安定な状態で行われなければならない
、また、磁気ヘッドとの接触による摩耗や損傷はなるべ
く少ないほうがよい。
あるいは、強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体では、磁性
層が金属材料により構成されることから、保存中、特に
高温、高温下にさらされた場合、磁性層表面に腐食を生
じやすく、このため飽和磁化量や抗磁力等が経口的に劣
化する等の問題があった。
層が金属材料により構成されることから、保存中、特に
高温、高温下にさらされた場合、磁性層表面に腐食を生
じやすく、このため飽和磁化量や抗磁力等が経口的に劣
化する等の問題があった。
このように、上述の強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体で
は、走行性、耐久性、耐蝕性等の実用特性に問題が多く
、したがって従来、潤滑剤や防錆剤等の被着による改善
が試みられている。
は、走行性、耐久性、耐蝕性等の実用特性に問題が多く
、したがって従来、潤滑剤や防錆剤等の被着による改善
が試みられている。
しかしながら、これら従来の試みも未だ充分なものとは
言い難く、例えば、従来広く用いられている潤滑剤の使
用温度範囲は限られており、特に、0〜−5℃のような
低温下では固体または凍結するものが多く、充分にその
潤滑効果を発揮させることができないという問題がある
。
言い難く、例えば、従来広く用いられている潤滑剤の使
用温度範囲は限られており、特に、0〜−5℃のような
低温下では固体または凍結するものが多く、充分にその
潤滑効果を発揮させることができないという問題がある
。
本発明は、かかる実用特性をより一層の改善を目的とす
るもので、走行性、耐久性、耐蝕性に優れるとともに、
これら実用特性が広い使用温度条件下においても保たれ
る磁気記録媒体の提供を目的とする。
るもので、走行性、耐久性、耐蝕性に優れるとともに、
これら実用特性が広い使用温度条件下においても保たれ
る磁気記録媒体の提供を目的とする。
本発明者等は、上述の目的を達成せんものと鋭意研究の
結果、パーフルオロアルキルカルボン酸エステルが広い
温度範囲に亘って優れた潤滑性を発揮すること、また酸
素原子を含む複素環化合物が耐蝕性の改善に有効である
こと、さらに強磁性金属薄膜上に先ず防錆剤層を被着し
その上に潤滑剤層を被着した場合に、防錆剤層、潤滑剤
層がそれぞれより有効に働くこと、等を見出し本発明を
完成するに至ったものである。
結果、パーフルオロアルキルカルボン酸エステルが広い
温度範囲に亘って優れた潤滑性を発揮すること、また酸
素原子を含む複素環化合物が耐蝕性の改善に有効である
こと、さらに強磁性金属薄膜上に先ず防錆剤層を被着し
その上に潤滑剤層を被着した場合に、防錆剤層、潤滑剤
層がそれぞれより有効に働くこと、等を見出し本発明を
完成するに至ったものである。
すなわち、本発明の磁気記録媒体は、非磁性支持体上に
強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性金属薄膜上に酸素
原子を含む複素環化合物を主成分とする防錆剤層及びパ
ーフルオロアルキルカルボン酸エステルを含有する潤滑
剤層をこの順に被着したことを特徴とするものである。
強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性金属薄膜上に酸素
原子を含む複素環化合物を主成分とする防錆剤層及びパ
ーフルオロアルキルカルボン酸エステルを含有する潤滑
剤層をこの順に被着したことを特徴とするものである。
本発明の磁気記録媒体において、潤滑剤層の潤滑剤成分
として使用されるパーフルオロアルキルカルボン酸エス
テルは、一般式 %式%(1) (式中のXは水素原子、フッ素原子またはその両者であ
り、n≧6、m≦2n+1、a≧8、b≦2a+1であ
る。) で表される化合物である。
として使用されるパーフルオロアルキルカルボン酸エス
テルは、一般式 %式%(1) (式中のXは水素原子、フッ素原子またはその両者であ
り、n≧6、m≦2n+1、a≧8、b≦2a+1であ
る。) で表される化合物である。
このパーフルオロアルキルカルボン酸エステルは、常温
で固体のパーフルオロアルキルカルボン酸をエステル化
させ、融点を下げるとともにアルコール部の効果を伴わ
せ、潤滑効果を低温域にまで広げたものである。
で固体のパーフルオロアルキルカルボン酸をエステル化
させ、融点を下げるとともにアルコール部の効果を伴わ
せ、潤滑効果を低温域にまで広げたものである。
上記一般式(1)において、CJbで示される脂肪族炭
化水素基の炭素数aは8以上とすることが好ましい、炭
素数aが8未満であると潤滑性が不足する。実際には、
炭素数18未満の直鎖状アルキル基、あるいは炭素数が
それ以上の場合には二重結合を持たせるか技分かれさせ
た脂肪族炭化水素基とすることにより上述の目的を達成
することができた。また、上記脂肪族炭化水素基は、含
フツ素脂肪族炭化水素基であってもよ(、したがって、
式中Xは水素原子ばかりでなく、フッ素原子、あるいは
水素原子とフッ素原子の両者であってもよい。
化水素基の炭素数aは8以上とすることが好ましい、炭
素数aが8未満であると潤滑性が不足する。実際には、
炭素数18未満の直鎖状アルキル基、あるいは炭素数が
それ以上の場合には二重結合を持たせるか技分かれさせ
た脂肪族炭化水素基とすることにより上述の目的を達成
することができた。また、上記脂肪族炭化水素基は、含
フツ素脂肪族炭化水素基であってもよ(、したがって、
式中Xは水素原子ばかりでなく、フッ素原子、あるいは
水素原子とフッ素原子の両者であってもよい。
一方、パーフルオロアルキルカルボン酸部の炭素数nは
、6以上であることが好ましい、この炭素数nが6未満
であるとやはり潤滑性が不足する。
、6以上であることが好ましい、この炭素数nが6未満
であるとやはり潤滑性が不足する。
ただし、この炭素数nがあまり大き過ぎると、低温域で
凝固するようになることから、実用上はn≦10程度に
抑えることが好ましい。
凝固するようになることから、実用上はn≦10程度に
抑えることが好ましい。
上記パーフルオロアルキルカルボン酸エステルは、一般
式 %式%() (式中のnは6以上の整数であり、mは2n+1以下の
整数である。) で表されるパーフルオロカルボン酸と、一般式%式%(
[[) (式中のXは水素原子、フッ素原子またはその両者であ
り、aは8以上の整数、bは2.3+1以下の整数であ
る。) で表されるアルコール類をほぼ等モル量で反応させるこ
とによって合成することができる6反応式を示せば次の
ようなものである。
式 %式%() (式中のnは6以上の整数であり、mは2n+1以下の
整数である。) で表されるパーフルオロカルボン酸と、一般式%式%(
[[) (式中のXは水素原子、フッ素原子またはその両者であ
り、aは8以上の整数、bは2.3+1以下の整数であ
る。) で表されるアルコール類をほぼ等モル量で反応させるこ
とによって合成することができる6反応式を示せば次の
ようなものである。
C,F−Cool(+ C−XbOH’□ C−F
aCOOCaXb ” ・(1)六本発明の磁気記
録媒体においては、上述のパーフルオロアルキルカルボ
ン酸エステルを単独で潤滑剤として用いてもよいが、従
来公知の潤滑剤と混合して用い、さらに使用温度帯域の
拡大を図るようにしてもよい。
aCOOCaXb ” ・(1)六本発明の磁気記
録媒体においては、上述のパーフルオロアルキルカルボ
ン酸エステルを単独で潤滑剤として用いてもよいが、従
来公知の潤滑剤と混合して用い、さらに使用温度帯域の
拡大を図るようにしてもよい。
使用される潤滑剤としては、脂肪酸またはその金属塩、
脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコールまた
はそのアルコキシド、脂肪族アミン、多価アルコール、
ソルビタンエステル、マンニラタンエステル、硫黄化脂
肪酸、脂肪族メルカプタン、変性シリコーンオイル、パ
ーフルオロアルキルエチレンオキシド、パーフルオロポ
リエーテル類、高級アルキルスルホン酸またはその金属
塩、パーフルオロアルキルスルホン酸またはそのアンモ
ニウム塩あるいはその金属塩、パーフルオロアルキルカ
ルボン酸またはその金属塩、等が例示される。
脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコールまた
はそのアルコキシド、脂肪族アミン、多価アルコール、
ソルビタンエステル、マンニラタンエステル、硫黄化脂
肪酸、脂肪族メルカプタン、変性シリコーンオイル、パ
ーフルオロアルキルエチレンオキシド、パーフルオロポ
リエーテル類、高級アルキルスルホン酸またはその金属
塩、パーフルオロアルキルスルホン酸またはそのアンモ
ニウム塩あるいはその金属塩、パーフルオロアルキルカ
ルボン酸またはその金属塩、等が例示される。
さらには、より厳しい使用条件に対処し、かつ潤滑効果
を持続させるために、重量比で30=70〜10:30
程度の配合比で極圧剤を併用してもよい。
を持続させるために、重量比で30=70〜10:30
程度の配合比で極圧剤を併用してもよい。
上記極圧剤は、境界潤滑領域において部分的に金属接触
を生じたとき、これに伴う摩擦熱によって金属面と反応
し、反応生成物被膜を形成することにより摩擦・摩耗防
止作用を行うものであって、リン系極圧剤、イオウ系極
圧剤、ハロゲン系極圧剤、有機金属系極圧剤、複合型極
圧剤等が知られている。
を生じたとき、これに伴う摩擦熱によって金属面と反応
し、反応生成物被膜を形成することにより摩擦・摩耗防
止作用を行うものであって、リン系極圧剤、イオウ系極
圧剤、ハロゲン系極圧剤、有機金属系極圧剤、複合型極
圧剤等が知られている。
具体的に例示すれば、上記リン系極圧剤としては、トリ
ブチルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリ
ー2−エチルへキシルホスフェート、トリラウリルホス
フェート、トリオレイルホスフェート、ジブチルホスフ
ェート、ジオクチルホろフェート、ジー2−エチルへキ
シルホスフェート、ジラウリルホスフェート、ジオレイ
ルホスフェート等のリン酸エステル、トリブチルホスフ
ァイト、トリオクチルホスファイト、トリー2−エチル
へキシルホスファイト、トリラウリルホスファイト、ト
リオレイルホスファイト、ジブチルホスファイト、ジオ
クチルホスファイト、ジー2−エチルへキシルホスファ
イト、ジラウリルホスファイト ジオレイルホスファイ
ト等の亜リン酸エステル、ジブチルホスフェートブチル
アミン塩。
ブチルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリ
ー2−エチルへキシルホスフェート、トリラウリルホス
フェート、トリオレイルホスフェート、ジブチルホスフ
ェート、ジオクチルホろフェート、ジー2−エチルへキ
シルホスフェート、ジラウリルホスフェート、ジオレイ
ルホスフェート等のリン酸エステル、トリブチルホスフ
ァイト、トリオクチルホスファイト、トリー2−エチル
へキシルホスファイト、トリラウリルホスファイト、ト
リオレイルホスファイト、ジブチルホスファイト、ジオ
クチルホスファイト、ジー2−エチルへキシルホスファ
イト、ジラウリルホスファイト ジオレイルホスファイ
ト等の亜リン酸エステル、ジブチルホスフェートブチル
アミン塩。
ジブチルホスフェートオクチルアミン塩、ジブチルホス
フェートステアリルアミン塩、ジオクチルホスフェート
ブチルアミン塩、ジオクチルホスフエートオクチルアミ
ン塩、ジオクチルホスフェートラウリルアミン塩、ジオ
クチルホスフェートステアリルアミン塩、ジー2−エチ
ルへキシルホスフェートブチルアミン塩、ジー2−エチ
ルヘキシルホスフェートオクチルアミン塩、ジー2−エ
チルへキシルホスフェートラウリルアミン塩、ジー2−
エチルへキシルホスフェートステアリルアミン塩、ジラ
ウリルホスフェートブチルアミン塩。
フェートステアリルアミン塩、ジオクチルホスフェート
ブチルアミン塩、ジオクチルホスフエートオクチルアミ
ン塩、ジオクチルホスフェートラウリルアミン塩、ジオ
クチルホスフェートステアリルアミン塩、ジー2−エチ
ルへキシルホスフェートブチルアミン塩、ジー2−エチ
ルヘキシルホスフェートオクチルアミン塩、ジー2−エ
チルへキシルホスフェートラウリルアミン塩、ジー2−
エチルへキシルホスフェートステアリルアミン塩、ジラ
ウリルホスフェートブチルアミン塩。
ジラウリルホスフェートオクチルアミン塩、ジラウリル
ホスフェートラウリルアミン塩、ジラウリルホスフェー
トステアリルアミン塩、ジオレイルホスフェートブチル
アミン塩、ジオレイルホスフェートオクチルアミン塩、
ジオレイルホスフェートラウリルアミン塩、ジオレイル
ホスフェートステアリルアミン塩等のリン酸エステルア
ミン塩が挙げられる。
ホスフェートラウリルアミン塩、ジラウリルホスフェー
トステアリルアミン塩、ジオレイルホスフェートブチル
アミン塩、ジオレイルホスフェートオクチルアミン塩、
ジオレイルホスフェートラウリルアミン塩、ジオレイル
ホスフェートステアリルアミン塩等のリン酸エステルア
ミン塩が挙げられる。
上記イオウ系極圧剤としては、硫化抹香鯨油、硫黄化ジ
ペンテン等不飽和結合を有する鉱油、油脂や脂肪酸等に
硫黄を加えて加熱することにより製造される硫化油脂類
、二硫化ジベンジル、二硫化ジフェニル、二硫化ジ−t
−ブチル、二硫化ジー 5ee−ブチル、二硫化ジ−n
−ブチル、二硫化ジ−t−オクチル、二硫化ジエチル等
のジサルファイド類、硫化ベンジル、硫化ジフェニル、
硫化ジビニル、硫化ジメチル、硫化ジエチル、硫化ジー
(−ブチル、硫化ジーsec〜ブチル、硫化ジ−n−ブ
チル等のモノサルファイド類、三硫化ジメチル、三硫化
ジ−t−ブチル、ポリ硫化ジ−t−ノニル、オレフィン
ポリサルファイド等のポリサルファイド類、一般式 (但し、式中Rは炭化水素基を表す、)で示されるチオ
カーボネート類、元素硫黄等が挙げられる。
ペンテン等不飽和結合を有する鉱油、油脂や脂肪酸等に
硫黄を加えて加熱することにより製造される硫化油脂類
、二硫化ジベンジル、二硫化ジフェニル、二硫化ジ−t
−ブチル、二硫化ジー 5ee−ブチル、二硫化ジ−n
−ブチル、二硫化ジ−t−オクチル、二硫化ジエチル等
のジサルファイド類、硫化ベンジル、硫化ジフェニル、
硫化ジビニル、硫化ジメチル、硫化ジエチル、硫化ジー
(−ブチル、硫化ジーsec〜ブチル、硫化ジ−n−ブ
チル等のモノサルファイド類、三硫化ジメチル、三硫化
ジ−t−ブチル、ポリ硫化ジ−t−ノニル、オレフィン
ポリサルファイド等のポリサルファイド類、一般式 (但し、式中Rは炭化水素基を表す、)で示されるチオ
カーボネート類、元素硫黄等が挙げられる。
上記ハロゲン系極圧剤としては、臭化アリル。
臭化オクタデシル、臭化シクロヘキシル、臭化ステアリ
ル、臭化ベンジル等の臭素化合物、ヨウ化ベンジル、ヨ
ウ化アリル、ヨウ化ブチル、ヨウ化オクタデシル、ヨウ
化シクロヘキシル等のヨウ素化合物、ヘキサクロロエタ
ン、モノクロルエタン。
ル、臭化ベンジル等の臭素化合物、ヨウ化ベンジル、ヨ
ウ化アリル、ヨウ化ブチル、ヨウ化オクタデシル、ヨウ
化シクロヘキシル等のヨウ素化合物、ヘキサクロロエタ
ン、モノクロルエタン。
塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化油脂、メ
チルトリクロロステアレート、ペンタクロロペンタジェ
ン酸、ヘキサクロルナフテン酸化合物のエステル、ヘキ
サクロルナフテン酸化合物のイミド誘導体等の塩素化合
物が挙げられる。
チルトリクロロステアレート、ペンタクロロペンタジェ
ン酸、ヘキサクロルナフテン酸化合物のエステル、ヘキ
サクロルナフテン酸化合物のイミド誘導体等の塩素化合
物が挙げられる。
上記有機金属系極圧剤としては、ジイソブチルジチオリ
ン酸亜鉛、イソブチルペンチルジチオリン酸亜鉛、イソ
プロピル−1−メチルブチルジチオリン酸、イソブチル
ノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、イソブチルヘプチル
フェニルジチオリン酸、ジヘプチルフェニルジチオリン
酸、ジノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、モリブデンジ
チオフォスフェート等のチオリン酸塩頻、ジメチルジチ
オカルバミン酸亜鉛、ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛
、ジブチルジチオカルバミン酸亜鉛、エチルフェニルジ
チオカルバミン酸亜鉛、ジベンジルジチオカルバミン酸
亜鉛、ジメチルジチオカルバミン酸亜鉛、ジメチルジチ
オカルバミン酸銅、ジメチルジチオカルバミン酸鉄、ジ
エチルジチオカルバミン酸セレン、ジエチルジチオカル
バミン酸銀等のチオカルバミン酸塩類、モリブデン、ア
ンチモン等の金属アルキルジチオカルバミン酸塩類、等
が挙げられる。
ン酸亜鉛、イソブチルペンチルジチオリン酸亜鉛、イソ
プロピル−1−メチルブチルジチオリン酸、イソブチル
ノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、イソブチルヘプチル
フェニルジチオリン酸、ジヘプチルフェニルジチオリン
酸、ジノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、モリブデンジ
チオフォスフェート等のチオリン酸塩頻、ジメチルジチ
オカルバミン酸亜鉛、ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛
、ジブチルジチオカルバミン酸亜鉛、エチルフェニルジ
チオカルバミン酸亜鉛、ジベンジルジチオカルバミン酸
亜鉛、ジメチルジチオカルバミン酸亜鉛、ジメチルジチ
オカルバミン酸銅、ジメチルジチオカルバミン酸鉄、ジ
エチルジチオカルバミン酸セレン、ジエチルジチオカル
バミン酸銀等のチオカルバミン酸塩類、モリブデン、ア
ンチモン等の金属アルキルジチオカルバミン酸塩類、等
が挙げられる。
上記複合型極圧剤としては、ジー2−エチルへキシルチ
オリン酸アミン等のシアルキルチオリン酸アミン類、塩
化プロピルホスフェート、臭化プロピルホスフェート、
ヨウ化プロピルホスフェート、塩化ブチルホスフェート
、臭化ブチルホスフェート、ヨウ化ブチルホスフェート
等に代表されるハロゲン化アルキルのリン酸エステル類
、クロロナフサザンテート等の他、一般式 SR (但し、各一般式中Rは水素原子またはアルキル基、ア
ルケニル基、アリール基を表す、)で示されるチオフォ
スフェート類、一般式(但し、式中Rは水素原子または
アルキル基、アルケニル基、アリール基を表す。) で示されるチオフォスファイト類等が効果が高い。
オリン酸アミン等のシアルキルチオリン酸アミン類、塩
化プロピルホスフェート、臭化プロピルホスフェート、
ヨウ化プロピルホスフェート、塩化ブチルホスフェート
、臭化ブチルホスフェート、ヨウ化ブチルホスフェート
等に代表されるハロゲン化アルキルのリン酸エステル類
、クロロナフサザンテート等の他、一般式 SR (但し、各一般式中Rは水素原子またはアルキル基、ア
ルケニル基、アリール基を表す、)で示されるチオフォ
スフェート類、一般式(但し、式中Rは水素原子または
アルキル基、アルケニル基、アリール基を表す。) で示されるチオフォスファイト類等が効果が高い。
上述の極圧剤は単体で使用してもよいが、2種以上を混
合して使用することも可能である。
合して使用することも可能である。
一方、本発明の磁気記録媒体において、防錆剤層の防錆
剤として使用される酸素原子を含む複素環化合物は、強
磁性金属1[膜の耐蝕性改善に非常に有効で、したがっ
て、上記パーフルオロアルキルカルボン酸エステルを含
有する潤滑剤の有する潤滑作用と相俟って、磁気記録媒
体の耐久性を向上することができる。
剤として使用される酸素原子を含む複素環化合物は、強
磁性金属1[膜の耐蝕性改善に非常に有効で、したがっ
て、上記パーフルオロアルキルカルボン酸エステルを含
有する潤滑剤の有する潤滑作用と相俟って、磁気記録媒
体の耐久性を向上することができる。
使用可能な酸素原子を含む複素環化合物としては、トコ
フェロール、モリン、ケルセチン、アスコルビンH,無
水1.8−ナフタル酸、レゾルフィン。
フェロール、モリン、ケルセチン、アスコルビンH,無
水1.8−ナフタル酸、レゾルフィン。
コウジ酸、デヒドロ酢酸、オキサゾール、3−アミノフ
タルイミド、4−アミノフタルイミド、ウリジン、チミ
ジン、グアノシン、無水イサト酸等が挙げられる。
タルイミド、4−アミノフタルイミド、ウリジン、チミ
ジン、グアノシン、無水イサト酸等が挙げられる。
上述の酸素原子を含む複素環化合物は単独で防錆剤とし
て用いてもよいが、従来公知の防錆剤と混合して用いて
もよい。使用可能な防錆剤としては、通常この種の磁気
記録媒体の防錆剤として使用されるものであれば如何な
るものであってもよ(、例えばフェノール類、ナフトー
ル類、キノン類、ジアリールケトン、窒素原子を含む複
素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物、メルカプト
基を有する化合物、チオカルボン酸またはその塩、チア
ゾール系化合物等が挙げられる。
て用いてもよいが、従来公知の防錆剤と混合して用いて
もよい。使用可能な防錆剤としては、通常この種の磁気
記録媒体の防錆剤として使用されるものであれば如何な
るものであってもよ(、例えばフェノール類、ナフトー
ル類、キノン類、ジアリールケトン、窒素原子を含む複
素環化合物、硫黄原子を含む複素環化合物、メルカプト
基を有する化合物、チオカルボン酸またはその塩、チア
ゾール系化合物等が挙げられる。
本発明の磁気記録媒体では、第1図に示すように、非磁
性支持体(1)上に強磁性金属薄膜(2)を形成し、こ
の強磁性金属薄膜(2)の表面に先ず上記酸素原子を含
む複素環化合物を主成分とする防錆剤N(3)を°塗布
した後、この上に上記パーフルオロアルキルカルボン酸
エステルを含有する潤滑剤層(4)を塗布する。このよ
うに防錆剤層(3)と潤滑剤層(4)とを2層以上に分
けて被着すると、これらを混合して塗布した場合に比べ
てより一層優れた効果が発揮される。
性支持体(1)上に強磁性金属薄膜(2)を形成し、こ
の強磁性金属薄膜(2)の表面に先ず上記酸素原子を含
む複素環化合物を主成分とする防錆剤N(3)を°塗布
した後、この上に上記パーフルオロアルキルカルボン酸
エステルを含有する潤滑剤層(4)を塗布する。このよ
うに防錆剤層(3)と潤滑剤層(4)とを2層以上に分
けて被着すると、これらを混合して塗布した場合に比べ
てより一層優れた効果が発揮される。
このように2層に分けて塗布する場合、上記防錆剤層(
3)あるいは上記潤滑剤層(4)の塗布量としては、そ
れぞao、5g/n(−100w/rdT!あるのが好
ましく、1■/−〜20■/dであるのがより好ましい
、塗布量があまり少なすぎると、耐蝕性改善の効果、あ
るいは摩擦係数の低減、耐摩耗性、走行性、耐久性改善
の効果が不足し、逆に多過ぎると、摺動部材と強磁性金
属薄膜との間ではりつき現象が起こり、却って走行性が
悪くなる。
3)あるいは上記潤滑剤層(4)の塗布量としては、そ
れぞao、5g/n(−100w/rdT!あるのが好
ましく、1■/−〜20■/dであるのがより好ましい
、塗布量があまり少なすぎると、耐蝕性改善の効果、あ
るいは摩擦係数の低減、耐摩耗性、走行性、耐久性改善
の効果が不足し、逆に多過ぎると、摺動部材と強磁性金
属薄膜との間ではりつき現象が起こり、却って走行性が
悪くなる。
塗布方法としては、上記酸素原子を含む複素環化合物あ
るいはパーフルオロアルキルカルボン酸エステルを溶媒
に溶解した後、ロールコート、スプレーコート、スピン
コード、デイツピング等の通常の塗布手段を用いて塗布
すればよい。
るいはパーフルオロアルキルカルボン酸エステルを溶媒
に溶解した後、ロールコート、スプレーコート、スピン
コード、デイツピング等の通常の塗布手段を用いて塗布
すればよい。
本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性支持体(1
)上に磁性層として強磁性金属薄膜(2)を設けたもの
であるが、ここで非磁性支持体(1)の素材としては、
ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル類、ポリ
エチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セル
ローストリアセテート、セルロースダイアセテート、セ
ルロースアセテートブチレート等のセルロース誘導体、
ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂
、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミド等
のプラスチック、アルミニウム合金、チタン合金等の軽
金属、アルミナガラス等のセラミックス等が挙げられる
。この非磁性支持体(1)の形態としては、フィルム、
シートディスク、カード。
)上に磁性層として強磁性金属薄膜(2)を設けたもの
であるが、ここで非磁性支持体(1)の素材としては、
ポリエチレンテレフタレート等のポリエステル類、ポリ
エチレン、ポリプロピレン等のポリオレフィン類、セル
ローストリアセテート、セルロースダイアセテート、セ
ルロースアセテートブチレート等のセルロース誘導体、
ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂
、ポリカーボネート、ポリイミド、ポリアミドイミド等
のプラスチック、アルミニウム合金、チタン合金等の軽
金属、アルミナガラス等のセラミックス等が挙げられる
。この非磁性支持体(1)の形態としては、フィルム、
シートディスク、カード。
ドラム等のいずれでもよい。
上記非磁性支持体(1)には、その表面に山状突起やし
わ状突起3粒状突起等の突起を1種以上を形成し、表面
粗さをコントロールしてもよい。
わ状突起3粒状突起等の突起を1種以上を形成し、表面
粗さをコントロールしてもよい。
上記山状突起は、例えば高分子フィルム製膜時に粒径5
00〜3000人程度の無機微粒子を内添することによ
り形成され、高分子フィルム表面からの高さは100−
1000人、密度はおよそlXl0’〜l0XIO’個
/龍2とする。山伏突起を形成するために使用される無
m微粒子としては、炭酸カルシウム(CaCO+)やシ
リカ、アルミナ等が好適である。
00〜3000人程度の無機微粒子を内添することによ
り形成され、高分子フィルム表面からの高さは100−
1000人、密度はおよそlXl0’〜l0XIO’個
/龍2とする。山伏突起を形成するために使用される無
m微粒子としては、炭酸カルシウム(CaCO+)やシ
リカ、アルミナ等が好適である。
上記しわ状突起は、例えば特定の混合溶媒を用いた樹脂
の希薄溶液を塗布乾燥することにより形成される起伏で
あって、その高さはo、oi〜lOμm、好ましくは0
.03〜0.5μm、突起間の最短間隔は0.1〜20
μmとする。このしわ状突起を形成するための樹脂とし
ては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレート等の飽和ポリエステル、ポリアミド、ポリスチ
ロール、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリス
ルホン、ポリエーテルスルホン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリビニルブチラール、ポリフェニレ
ンオキサイド、フェノキシ樹脂等の各種樹脂の単体、混
合体または共重合体であり、可溶性溶剤を有するものが
適している。そして、これらの樹脂をその良溶媒に溶解
せしめた樹脂濃度1〜11000ppの溶液に、その樹
脂の貧溶媒であって前記良溶媒より高い沸点を有する溶
媒を樹脂に対して10〜100倍量添加した溶液を、高
分子フィルムの表面に塗布・乾燥することにより、非常
に微細なしわ状凹凸を有する薄層を得ることができる。
の希薄溶液を塗布乾燥することにより形成される起伏で
あって、その高さはo、oi〜lOμm、好ましくは0
.03〜0.5μm、突起間の最短間隔は0.1〜20
μmとする。このしわ状突起を形成するための樹脂とし
ては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレート等の飽和ポリエステル、ポリアミド、ポリスチ
ロール、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリス
ルホン、ポリエーテルスルホン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリビニルブチラール、ポリフェニレ
ンオキサイド、フェノキシ樹脂等の各種樹脂の単体、混
合体または共重合体であり、可溶性溶剤を有するものが
適している。そして、これらの樹脂をその良溶媒に溶解
せしめた樹脂濃度1〜11000ppの溶液に、その樹
脂の貧溶媒であって前記良溶媒より高い沸点を有する溶
媒を樹脂に対して10〜100倍量添加した溶液を、高
分子フィルムの表面に塗布・乾燥することにより、非常
に微細なしわ状凹凸を有する薄層を得ることができる。
粒状突起は、アクリル樹脂等の有機超微粒子またはシリ
カ、金属粉等の無機微粒子を球状あるいは半球状に付着
させることにより形成される。この粒状突起の高さは、
50〜500人、密度は1X10’〜50X10’個/
gIm!程度とする。
カ、金属粉等の無機微粒子を球状あるいは半球状に付着
させることにより形成される。この粒状突起の高さは、
50〜500人、密度は1X10’〜50X10’個/
gIm!程度とする。
これら突起の少な(とも一種以上を非磁性支持体(1)
上に形成すれば、磁性層である強磁性金属薄膜(2)の
表面性が制御されるが、2種以上を組み合わせることに
より効果が増し、特に山状突起を設けたベースフィルム
上にしわ状突起とつぶ状突起を形成すれば、極めて耐久
性、走行性が改善される。
上に形成すれば、磁性層である強磁性金属薄膜(2)の
表面性が制御されるが、2種以上を組み合わせることに
より効果が増し、特に山状突起を設けたベースフィルム
上にしわ状突起とつぶ状突起を形成すれば、極めて耐久
性、走行性が改善される。
この場合、突起の全体としての高さは、100〜200
0人の範囲内であることが好ましく、その密度は1■冨
当り平均でlXl0’−IXIO’個であることが好ま
しい。
0人の範囲内であることが好ましく、その密度は1■冨
当り平均でlXl0’−IXIO’個であることが好ま
しい。
また、上記磁性層である強磁性金属薄膜(2)は、真空
蒸着法やイオンブレーティング法、スパッタリング法等
の真空薄膜形成技術により連MwAとして形成される。
蒸着法やイオンブレーティング法、スパッタリング法等
の真空薄膜形成技術により連MwAとして形成される。
上記真空蒸着法は、10−4〜10−”Torrの真空
下で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビー
ム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属(
強磁性金属材料)を沈着するというものであり、一般に
高い抗磁力を得るため基板に対して上記強磁性金属材料
を斜めに蒸着する斜方蒸着法が採用される。あるいは、
より高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を
行うものも含まれる。
下で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビー
ム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属(
強磁性金属材料)を沈着するというものであり、一般に
高い抗磁力を得るため基板に対して上記強磁性金属材料
を斜めに蒸着する斜方蒸着法が採用される。あるいは、
より高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を
行うものも含まれる。
上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり
、10−4〜l O−”Torrの不活性ガス雰囲気中
でDCグロー放電、RFグロー放電を起こして、放電中
で上記強磁性金属材料を蒸発させるというものである。
、10−4〜l O−”Torrの不活性ガス雰囲気中
でDCグロー放電、RFグロー放電を起こして、放電中
で上記強磁性金属材料を蒸発させるというものである。
上記スパッタリング法は、104〜10−’Torrの
アルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起
こし、住したアルゴンガスイオンでターゲット表面の原
子をたたき出すというものであり、グロー放電の方法に
より直流2極、3極スパツク法や、高周波スパッタ法、
またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパッ
タ法等がある。
アルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起
こし、住したアルゴンガスイオンでターゲット表面の原
子をたたき出すというものであり、グロー放電の方法に
より直流2極、3極スパツク法や、高周波スパッタ法、
またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパッ
タ法等がある。
このスパッタリング法による場合には、CrやW。
V等の下地膜を形成しておいてもよい。
なお、上記いずれの方法においても、基板上にあらかじ
めBi、Sb、Pb、Sn、Ga、In。
めBi、Sb、Pb、Sn、Ga、In。
Cd、Ge、Si、TI等の下地金属層を被着形成して
おき、基板面に対して垂直方向から成膜することにより
、磁気異方性の配向かなく面内等方生に優れた磁性層を
形成することができ、例えば磁気ディスクとする場合に
は好適である。
おき、基板面に対して垂直方向から成膜することにより
、磁気異方性の配向かなく面内等方生に優れた磁性層を
形成することができ、例えば磁気ディスクとする場合に
は好適である。
このような真空薄膜形成技術により強磁性金属薄膜(2
)を形成する際に、使用される強磁性金属材料としては
、Fe、Co、Ni等の金属の他に、Co−Ni合金、
Co−Pt合金、Co−N1−pt金合金Fe−Co合
金、Fe−Ni合金、Fe−Co−Ni合金、Fe−C
o−B合金、C。
)を形成する際に、使用される強磁性金属材料としては
、Fe、Co、Ni等の金属の他に、Co−Ni合金、
Co−Pt合金、Co−N1−pt金合金Fe−Co合
金、Fe−Ni合金、Fe−Co−Ni合金、Fe−C
o−B合金、C。
−Ni−Fe−B合金、Co−Cr合金あるいはこれら
にCr、A1等の金属が含有されたもの等が挙げられる
。特に、Co−Cr合金を使用した場合には、垂直磁化
膜が形成される。
にCr、A1等の金属が含有されたもの等が挙げられる
。特に、Co−Cr合金を使用した場合には、垂直磁化
膜が形成される。
形成される磁性層の膜厚は、0.04〜1μm程度であ
る。
る。
また、第2図に示すように、非磁性支持体(1)の前記
強磁性金属薄膜(2)が設けられる面とは反対側の面に
、いわゆるバックコートN(5)を形成してもよい、バ
ックコートl! (5)は、結合剤樹脂と粉末成分とを
有機溶媒に混合分散させたバックコート用塗料を非磁性
支持体(1)面に塗布することにより形成される。
強磁性金属薄膜(2)が設けられる面とは反対側の面に
、いわゆるバックコートN(5)を形成してもよい、バ
ックコートl! (5)は、結合剤樹脂と粉末成分とを
有機溶媒に混合分散させたバックコート用塗料を非磁性
支持体(1)面に塗布することにより形成される。
ここで、バンクコート用塗料に使用される結合剤樹脂と
しては、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、塩
化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アク
リロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロ
ニトリル共重合体、熱可塑性ポリウレタンエラストマー
、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン−7クリロニトリ
ル共重合体、ブタジェン−アクリロニトリル共重合体、
ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘
導体、ポリエステル樹脂、ポリブタジェン等の合成ゴム
系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン
硬化型樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコー
ン樹脂、アクリル系反応樹脂、エポキシ−ポリアミド樹
脂、ニトロセルロース−メラミン樹脂、高分子量ポリエ
ステル樹脂とイソシアナートプレポリマーの混合物、メ
タクリル酸塩共重合体とジイソシアナートプレポリマー
の混合物、ポリエステルポリオールとポリイソシアナー
トとの混合物、尿素ホルムアルデヒド樹脂、低分子量グ
リコール/高分子量ジオール/トリフェニルメタントリ
イソシアナートの混合物、ポリアミン樹脂及びこれらの
混合物等が挙げられる。
しては、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、塩
化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アク
リロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロ
ニトリル共重合体、熱可塑性ポリウレタンエラストマー
、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン−7クリロニトリ
ル共重合体、ブタジェン−アクリロニトリル共重合体、
ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース誘
導体、ポリエステル樹脂、ポリブタジェン等の合成ゴム
系樹脂、フェノール樹脂、エポキシ樹脂、ポリウレタン
硬化型樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリコー
ン樹脂、アクリル系反応樹脂、エポキシ−ポリアミド樹
脂、ニトロセルロース−メラミン樹脂、高分子量ポリエ
ステル樹脂とイソシアナートプレポリマーの混合物、メ
タクリル酸塩共重合体とジイソシアナートプレポリマー
の混合物、ポリエステルポリオールとポリイソシアナー
トとの混合物、尿素ホルムアルデヒド樹脂、低分子量グ
リコール/高分子量ジオール/トリフェニルメタントリ
イソシアナートの混合物、ポリアミン樹脂及びこれらの
混合物等が挙げられる。
あるいは、粉末成分の分散性の改善を図るために、親水
性極性基を持った結合剤樹脂を使用してもよい。
性極性基を持った結合剤樹脂を使用してもよい。
具体的には、−505M、 0302M、−COOM
、 P(OM’)t(式中、Mは水素原子またはアル
カリ金属を表し、M゛は水素原子、アルカリ金属または
炭化水素基を表す、)から選ばれた親木性極性基を導入
したポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル
−酢酸ビニル系共重合体、塩化ビニリデン系共重合体、
アクリル酸エステル系共重合体、ブタジェン系共重合体
等が使用可能である。
、 P(OM’)t(式中、Mは水素原子またはアル
カリ金属を表し、M゛は水素原子、アルカリ金属または
炭化水素基を表す、)から選ばれた親木性極性基を導入
したポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル
−酢酸ビニル系共重合体、塩化ビニリデン系共重合体、
アクリル酸エステル系共重合体、ブタジェン系共重合体
等が使用可能である。
上記親水性極性基の導入方法としては、樹脂の種類に応
じて種々の方法が考えられるが、例えばポリウレタン樹
脂やポリエステル樹脂に上記親水性極性基を導入するに
は次のような方法によればよい。
じて種々の方法が考えられるが、例えばポリウレタン樹
脂やポリエステル樹脂に上記親水性極性基を導入するに
は次のような方法によればよい。
(11ポリウレタン又はポリエステルの原料である2塩
基酸あるいはポリオール等に前記親水性極性基を予め導
入しておく方法。
基酸あるいはポリオール等に前記親水性極性基を予め導
入しておく方法。
(2)末端若しくは側鎖にOH基を残存させておき、こ
のOH基を親水性極性基を持った化合物により変性する
方法。
のOH基を親水性極性基を持った化合物により変性する
方法。
(2)の方法による場合には、
+21−1
分子中に親木性極性基とハロゲン(例えば塩素)を含有
する化合物と、原料に多官能のポリオールを用いポリマ
ー鎖の末端若しくは側鎖にOH基が残存したポリウレタ
ン樹脂またはポリエステル樹脂とを、青成分が溶解性の
あるジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の
溶剤に溶解し、ピリジン、ピコリン、トリエチルアミン
等のアミン類やエチレンオキサイド、プロピレンオキサ
イド等のエポキシ化合物等の脱塩酸剤の存在下でのOH
基と塩素との脱塩酸反応により親水性極性基を導入する
方法。
する化合物と、原料に多官能のポリオールを用いポリマ
ー鎖の末端若しくは側鎖にOH基が残存したポリウレタ
ン樹脂またはポリエステル樹脂とを、青成分が溶解性の
あるジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等の
溶剤に溶解し、ピリジン、ピコリン、トリエチルアミン
等のアミン類やエチレンオキサイド、プロピレンオキサ
イド等のエポキシ化合物等の脱塩酸剤の存在下でのOH
基と塩素との脱塩酸反応により親水性極性基を導入する
方法。
+21−2
分子中に親水性極性基とOH基とを含有する化合物と、
ポリマー鎖の末端若しくは側鎖にOH基が残存したポリ
ウレタン樹脂またはポリエステル樹脂とを、ジイソシア
ナート化合物を介して反応させる方法。
ポリマー鎖の末端若しくは側鎖にOH基が残存したポリ
ウレタン樹脂またはポリエステル樹脂とを、ジイソシア
ナート化合物を介して反応させる方法。
がある。
また、上記共重合体系結合剤樹脂に親水性極性基を導入
するには、 (3)共重合モノマーとして、親水性極性基及び共重合
可能な二重結合を有する化合物を使用する方法。
するには、 (3)共重合モノマーとして、親水性極性基及び共重合
可能な二重結合を有する化合物を使用する方法。
(4)共重合モノマーとして、活性水素及び共重合可能
な二重結合を有する化合物を使用し、共重合体の側鎖に
上記活性水素を導入しておき、親水性極性基及び上記活
性水素と反応可能な基を有する化合物により変性する方
法。
な二重結合を有する化合物を使用し、共重合体の側鎖に
上記活性水素を導入しておき、親水性極性基及び上記活
性水素と反応可能な基を有する化合物により変性する方
法。
(5)共重合モノマーとして、活性水素と反応可能な基
及び共重合可能な二重結合を有する化合物を使用し、共
重合体の側鎖に上記活性水素と反応可能な基を導入して
おき、親水性極性基及び上記活性水素を有する化合物に
より変性する方法。
及び共重合可能な二重結合を有する化合物を使用し、共
重合体の側鎖に上記活性水素と反応可能な基を導入して
おき、親水性極性基及び上記活性水素を有する化合物に
より変性する方法。
等が挙げられる。
一方、上記粉末成分としては、導電性を付与するための
カーボン系微粉末(例えば、ファーネスカーボン、チャ
ンネルカーボン、アセチレンカーボン、サーマルカーボ
ン、ランプカーボン等が挙げられるが、なかでもファー
ネスカーボンやサーマルカーボンが好適である。)、無
i顔料(表面粗度のコントロール及び耐久性向上のため
に添加されるct −PeOOH,a −FeJ、l+
CrzOx+ Tie、、 ZnO,Sin。
カーボン系微粉末(例えば、ファーネスカーボン、チャ
ンネルカーボン、アセチレンカーボン、サーマルカーボ
ン、ランプカーボン等が挙げられるが、なかでもファー
ネスカーボンやサーマルカーボンが好適である。)、無
i顔料(表面粗度のコントロール及び耐久性向上のため
に添加されるct −PeOOH,a −FeJ、l+
CrzOx+ Tie、、 ZnO,Sin。
SiO□、 5t(h・2HzO,Al5oゴ・2Si
Ot・2HzO、3Mg0・4SiOz−HzO,Mg
CO5’ Mg(OH)z ・3HzO,Altoz、
CaCO3゜MgC0コ、5btOx等)が挙げられる
。
Ot・2HzO、3Mg0・4SiOz−HzO,Mg
CO5’ Mg(OH)z ・3HzO,Altoz、
CaCO3゜MgC0コ、5btOx等)が挙げられる
。
さらに、上記バックコート用塗料の有機溶剤としては、
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸ブチル。
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、酢酸メチル、
酢酸エチル、酢酸ブチル。
乳酸エチル、酢酸グリコールモノエチルエーテル等のエ
ステル系溶剤、グリコールジメチルエーテル、グリコー
ルモノエチルエーテル、ジオキサン等のグリコールエー
テル系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素系溶剤、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水
素系溶剤、メチレンクロライド、エチレンクロライド、
四塩化炭素、クロロホルム、エチレンクロルヒドリン、
ジクロルベンゼン等の塩素化炭化水素系溶剤等、汎用の
溶剤を用いることができる。
ステル系溶剤、グリコールジメチルエーテル、グリコー
ルモノエチルエーテル、ジオキサン等のグリコールエー
テル系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素系溶剤、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化水
素系溶剤、メチレンクロライド、エチレンクロライド、
四塩化炭素、クロロホルム、エチレンクロルヒドリン、
ジクロルベンゼン等の塩素化炭化水素系溶剤等、汎用の
溶剤を用いることができる。
前述のバラフコ−) 1m (5)には潤滑剤を併用し
てもよい、この場合、上記バックコート層(5)中に潤
滑剤を内添する方法、あるいはバックコート層(5)上
に潤滑剤を被着する方法がある。いずれにしても、上記
潤滑剤としては、脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸アミ
ド、金属石鹸、脂肪族アルコール、パラフィン、シリコ
ーン等、従来より周知の潤滑剤が使用できる。
てもよい、この場合、上記バックコート層(5)中に潤
滑剤を内添する方法、あるいはバックコート層(5)上
に潤滑剤を被着する方法がある。いずれにしても、上記
潤滑剤としては、脂肪酸、脂肪酸エステル、脂肪酸アミ
ド、金属石鹸、脂肪族アルコール、パラフィン、シリコ
ーン等、従来より周知の潤滑剤が使用できる。
これら潤滑剤を例示すれば、先ず、脂肪酸としては、ラ
ウリン酸、ミリスチン酸、バルミチン酸、ステアリン酸
、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リルン酸等の炭
素数が12以上の飽和脂肪酸あるいは不飽和脂肪酸が使
用できる。
ウリン酸、ミリスチン酸、バルミチン酸、ステアリン酸
、ベヘン酸、オレイン酸、リノール酸、リルン酸等の炭
素数が12以上の飽和脂肪酸あるいは不飽和脂肪酸が使
用できる。
脂肪酸エステルとしては、ステアリン酸エチル、ステア
リン酸ブチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸モノ
グリセリド、オレイン酸モノグリセリド等が使用できる
。
リン酸ブチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸モノ
グリセリド、オレイン酸モノグリセリド等が使用できる
。
脂肪酸アミドとしては、カプロン酸アミド、カプリン酸
アミド、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステ
アリン酸アミド、ベヘン酸アミド、オレイン酸アミド、
リノール酸アミド、メチレンビスステアリン酸アミド、
エチレンビスステアリン酸アミド等が使用できる。
アミド、ラウリン酸アミド、パルミチン酸アミド、ステ
アリン酸アミド、ベヘン酸アミド、オレイン酸アミド、
リノール酸アミド、メチレンビスステアリン酸アミド、
エチレンビスステアリン酸アミド等が使用できる。
金属石鹸としては、前述の脂肪酸のZn、 Pb+ N
i+Co1Fe+ AI+ Mg+ Sr+ Cu等と
の塩、あるいはラウリルスルホン酸、パルミチルスルホ
ン酸、ミリスヂルスルホン酸、ステアリルスルホン酸、
ベヘニルスルホン酸、オレイルスルホン酸、リノールス
ルホン酸、リルンスルホン酸等のスルホン酸と上記金属
との塩等が使用できる。
i+Co1Fe+ AI+ Mg+ Sr+ Cu等と
の塩、あるいはラウリルスルホン酸、パルミチルスルホ
ン酸、ミリスヂルスルホン酸、ステアリルスルホン酸、
ベヘニルスルホン酸、オレイルスルホン酸、リノールス
ルホン酸、リルンスルホン酸等のスルホン酸と上記金属
との塩等が使用できる。
脂肪族アルコールとしては、セチルアルコール、ステア
リルアルコール等が使用できる。
リルアルコール等が使用できる。
パリフィンとしては、n−ノナデカン、n−トリデカン
、n−トコサン等の飽和炭化水素が使用できる。
、n−トコサン等の飽和炭化水素が使用できる。
シリコーンとしては、水素がアルキル基またはフェニル
基で部分置換されたポリシロキサン及びそれらを脂肪酸
、脂肪族アルコール、脂肪酸アミド等で変性したもの等
が使用できる。
基で部分置換されたポリシロキサン及びそれらを脂肪酸
、脂肪族アルコール、脂肪酸アミド等で変性したもの等
が使用できる。
さらには、先の潤滑剤層(4)と同様のパーフルオロア
ルキルカルボン酸エステルを含有する潤滑剤を使用して
もよい。
ルキルカルボン酸エステルを含有する潤滑剤を使用して
もよい。
酸素原子を含む複素環化合物を主成分とする防錆剤層及
びパーフルオロアルキルカルボン酸エステルを含有する
潤滑剤層は、強磁性金属薄膜に強固に付着し、良好な潤
滑効果を発揮して摩擦係数を低減するとともに、強磁性
金属薄膜での錆の発生を防止する。特に、パーフルオロ
アルキルカルボン酸エステルは低温下においても良好な
潤滑効果を発揮するので、使用温度範囲の拡大が図られ
る。
びパーフルオロアルキルカルボン酸エステルを含有する
潤滑剤層は、強磁性金属薄膜に強固に付着し、良好な潤
滑効果を発揮して摩擦係数を低減するとともに、強磁性
金属薄膜での錆の発生を防止する。特に、パーフルオロ
アルキルカルボン酸エステルは低温下においても良好な
潤滑効果を発揮するので、使用温度範囲の拡大が図られ
る。
以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。
発明はこれら実施例に限定されるものではない。
先ず、以下の合成例により各種パーフルオロアルキルカ
ルボン酸エステルを合成した。
ルボン酸エステルを合成した。
合成例1゜
ノナデカフルオロデカン酸イソステアリルエステルCH
s (CHz) m−CI−CHz−OCO(Ch)
sch(CHg) 6CH2 イソステアリルアルコールとノナデカフルオロデカン酸
をトルエン中、p−トルエンスルホン酸を触媒としてエ
ステル反応を行った。すなわち、1時間加熱還流後、3
時間かけて溶媒中の水分を除去し、さらにトルエンを減
圧下、エバポレータを用いて除き、真空蒸留して精製し
た。(なお、イソステアリルアルコールは、市販のイソ
ステアリン酸をn−ブチルエステル化後、水素化リチウ
ムアルミニウムで還元して合成した。)得られた留分の
沸点す、 p、は140〜145℃10、 ’l +n
+Hgであった。
s (CHz) m−CI−CHz−OCO(Ch)
sch(CHg) 6CH2 イソステアリルアルコールとノナデカフルオロデカン酸
をトルエン中、p−トルエンスルホン酸を触媒としてエ
ステル反応を行った。すなわち、1時間加熱還流後、3
時間かけて溶媒中の水分を除去し、さらにトルエンを減
圧下、エバポレータを用いて除き、真空蒸留して精製し
た。(なお、イソステアリルアルコールは、市販のイソ
ステアリン酸をn−ブチルエステル化後、水素化リチウ
ムアルミニウムで還元して合成した。)得られた留分の
沸点す、 p、は140〜145℃10、 ’l +n
+Hgであった。
また、生成物の確認は、赤外分光分析(IR)。
核磁気共鳴分析(NMR)、質量分析(MASS)によ
って行った。その結果、121O〜1380ca−’に
かけてCF結合特有の吸収、1780cm−’にエステ
ルの吸収、2910ca+−’にCHの伸縮振動による
吸収が見られ、また化学イオン法によるマススペクトル
では、分子イオンピークM0が765に見られることか
ら、この構造を決定した。
って行った。その結果、121O〜1380ca−’に
かけてCF結合特有の吸収、1780cm−’にエステ
ルの吸収、2910ca+−’にCHの伸縮振動による
吸収が見られ、また化学イオン法によるマススペクトル
では、分子イオンピークM0が765に見られることか
ら、この構造を決定した。
合成例2゜
ペンタデカフルオロオクタン酸
イソステアリルエステル
CHs (CHz) 5−C11−CL−OCO(CF
z) hcFx(CHz)aclh 先の合成例1と同様の方法により、イソステアリルアル
コールとペンタデカフルオロオクタン酸ヲトルエン中、
p−トルエンスルホン酸を触媒として反応させた。
z) hcFx(CHz)aclh 先の合成例1と同様の方法により、イソステアリルアル
コールとペンタデカフルオロオクタン酸ヲトルエン中、
p−トルエンスルホン酸を触媒として反応させた。
b、p、 120−134℃(0,2ma+IIg
)IR1200〜1400cm−’ 1 780c+m−’ 2920cm−’ M” 665 合成例3゜ ペンタデカフルオロオクタン酸イソノニルエステル(C
H2) 2C(CHg)CH(CH3)CHlCHxO
CO(CP@) 4CF。
)IR1200〜1400cm−’ 1 780c+m−’ 2920cm−’ M” 665 合成例3゜ ペンタデカフルオロオクタン酸イソノニルエステル(C
H2) 2C(CHg)CH(CH3)CHlCHxO
CO(CP@) 4CF。
先の合成例1と同様の方法により、イソノニルアルコー
ルとペンタデカフルオロオクタン酸をトルエン中、p−
トルエンスルホン酸を触媒として反応させた。
ルとペンタデカフルオロオクタン酸をトルエン中、p−
トルエンスルホン酸を触媒として反応させた。
b、p、 94℃(0,2mmHg)IR1210
〜 1390cm−’ 1785 cml’ 2850〜2960ci+−’ M” 539 合成例4゜ ペンタデカフルオロオクタン酸リルイルエステルCH3
(CIl□)z(CHzC)IIICII) z(CL
) eOco(CFz) 6CF3先の合成例1と同様
の方法により、リルイルアルコールとペンタデカフルオ
ロオクタン酸をトルエン中、p−)ルエンスルホン酸を
触媒として反応させた。
〜 1390cm−’ 1785 cml’ 2850〜2960ci+−’ M” 539 合成例4゜ ペンタデカフルオロオクタン酸リルイルエステルCH3
(CIl□)z(CHzC)IIICII) z(CL
) eOco(CFz) 6CF3先の合成例1と同様
の方法により、リルイルアルコールとペンタデカフルオ
ロオクタン酸をトルエン中、p−)ルエンスルホン酸を
触媒として反応させた。
b、p、 135〜139℃(0,2mdg>IR
1210〜1380cm−’ 1780cm−’ 2850〜3 0 2 0cm〜1 M” 663 実施例 14μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに斜
め蒸着法によりGoを被着させ、膜厚1000人の強磁
性金属薄膜を形成した。
1210〜1380cm−’ 1780cm−’ 2850〜3 0 2 0cm〜1 M” 663 実施例 14μm厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに斜
め蒸着法によりGoを被着させ、膜厚1000人の強磁
性金属薄膜を形成した。
次に、この強磁性金属薄膜表面に、第1表に示す防錆剤
を溶媒(アセトン:エチルエーテル=1:1)で希釈し
た溶液を塗布量がlong/nfとなるように塗布し、
乾燥した。さらに、この防錆剤層上に第1表に示すパー
フルオロアルキルカルボン酸エステル(先の合成例で合
成したもの)を溶媒(アセトン:エチルエーテル=1:
1)で希釈した溶液を塗布量が10■/イとなるように
塗布し、乾燥後、1/2インチ幅に裁断してサンプルテ
ープを作製した。゛ (以下余白) 第1表(A) 第1表(B) 作製された各サンプルテープについて、初期の保持力(
Hc+)と飽和磁化!(Is、) 、及び45℃。
を溶媒(アセトン:エチルエーテル=1:1)で希釈し
た溶液を塗布量がlong/nfとなるように塗布し、
乾燥した。さらに、この防錆剤層上に第1表に示すパー
フルオロアルキルカルボン酸エステル(先の合成例で合
成したもの)を溶媒(アセトン:エチルエーテル=1:
1)で希釈した溶液を塗布量が10■/イとなるように
塗布し、乾燥後、1/2インチ幅に裁断してサンプルテ
ープを作製した。゛ (以下余白) 第1表(A) 第1表(B) 作製された各サンプルテープについて、初期の保持力(
Hc+)と飽和磁化!(Is、) 、及び45℃。
80%RH下に1週間放置した後保持力(HCt)と飽
和磁化!(Isz)を測定し、その変化率を次式にした
がって求めた。なお、比較例として、全く防錆剤を被着
しないブランクテープについても変化率を調べた。結果
を第2表に示す。
和磁化!(Isz)を測定し、その変化率を次式にした
がって求めた。なお、比較例として、全く防錆剤を被着
しないブランクテープについても変化率を調べた。結果
を第2表に示す。
Hcの変化率=(He、−HC+)/lIc+ xto
似χ)・・・(2)式Igの変化率=(Isz −1s
+)/Is+ X100(χ)−(31式(以下余白) 第2表 なお、実施例の各サンプルテープには鯖の発生は認めら
れなかったが、比較例のブランクテープにはかなり錆が
発生した。
似χ)・・・(2)式Igの変化率=(Isz −1s
+)/Is+ X100(χ)−(31式(以下余白) 第2表 なお、実施例の各サンプルテープには鯖の発生は認めら
れなかったが、比較例のブランクテープにはかなり錆が
発生した。
次に、作製された各サンプルテープについて、温度25
℃、相対湿度(RH)50%、および−5℃の各条件下
での動摩擦係数及びシャトル耐久性を測定した。この動
摩擦係数は、材質がステンレス(SUS304)のガイ
ドビンを用い、一定のテンションをかけ5 mm/se
cの速度で送り、試験したものである。また、シャトル
耐久性は、1回につき2分間のシャトル走行を行い、出
力が一3dB低下までのシャトル回数で評価した。スチ
ル耐久性はポーズ状態での出力の一3dBまでの減衰時
間を評価した。なお、比較例として、全(潤滑剤を被着
しないブランクテープについても測定した。結果を第3
表(A)及び第3表(B)に示す。
℃、相対湿度(RH)50%、および−5℃の各条件下
での動摩擦係数及びシャトル耐久性を測定した。この動
摩擦係数は、材質がステンレス(SUS304)のガイ
ドビンを用い、一定のテンションをかけ5 mm/se
cの速度で送り、試験したものである。また、シャトル
耐久性は、1回につき2分間のシャトル走行を行い、出
力が一3dB低下までのシャトル回数で評価した。スチ
ル耐久性はポーズ状態での出力の一3dBまでの減衰時
間を評価した。なお、比較例として、全(潤滑剤を被着
しないブランクテープについても測定した。結果を第3
表(A)及び第3表(B)に示す。
(以下余白)
第3表(A)
第3表(B)
この表からも明らかなように、本発明の各実施例は、常
温、低温の各条件下で動摩擦係数が小さく、走行が極め
て安定しており、また100回往復走行後もテープ表面
の損傷は全く見られなかった。また、耐久性も極めて良
く、150回シャトル走行を行っても出力の一3dB低
下は見られなかった。これに対して、潤滑剤層のない比
較例のテープでは、摩擦係数が往復走行回数が多くなる
につれて大となり、走行も不安定でテープの摩耗が見ら
れ、耐久性も悪いものであった。
温、低温の各条件下で動摩擦係数が小さく、走行が極め
て安定しており、また100回往復走行後もテープ表面
の損傷は全く見られなかった。また、耐久性も極めて良
く、150回シャトル走行を行っても出力の一3dB低
下は見られなかった。これに対して、潤滑剤層のない比
較例のテープでは、摩擦係数が往復走行回数が多くなる
につれて大となり、走行も不安定でテープの摩耗が見ら
れ、耐久性も悪いものであった。
以上の説明からも明らかなように、本発明においては磁
性層である強磁性金属薄膜表面に、酸素原子を含む複素
環化合物を特徴とする防錆剤層とパーフルオロアルキル
カルボン酸エステルを含有する潤滑剤層を2層に分けて
被着形成しているので、各層の有する防錆効果、あるい
は潤滑効果がより一層有効に発揮され、実用特性の大幅
な改善を図ることが可能となり、走行安定性や耐摩耗性
、耐蝕性に優れた磁気記録媒体とすることができる。
性層である強磁性金属薄膜表面に、酸素原子を含む複素
環化合物を特徴とする防錆剤層とパーフルオロアルキル
カルボン酸エステルを含有する潤滑剤層を2層に分けて
被着形成しているので、各層の有する防錆効果、あるい
は潤滑効果がより一層有効に発揮され、実用特性の大幅
な改善を図ることが可能となり、走行安定性や耐摩耗性
、耐蝕性に優れた磁気記録媒体とすることができる。
また、特にパーフルオロアルキルカルボン酸エステルの
凝固点温度が低いことから、低温下での使用時にも上述
の実用特性は確保され、磁気記録媒体の使用温度帯域の
拡大を図ることが可能となる。
凝固点温度が低いことから、低温下での使用時にも上述
の実用特性は確保され、磁気記録媒体の使用温度帯域の
拡大を図ることが可能となる。
第1図は本発明を適用した磁気記録媒体の一例を示す要
部拡大断面図であり、第2図は本発明の他の例を示す要
部拡大断面図である。 ■・・・非磁性支持体 2・・・強磁性金属薄膜 3・・・防錆剤層 4・・・潤滑剤層
部拡大断面図であり、第2図は本発明の他の例を示す要
部拡大断面図である。 ■・・・非磁性支持体 2・・・強磁性金属薄膜 3・・・防錆剤層 4・・・潤滑剤層
Claims (1)
- 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性
金属薄膜上に酸素原子を含む複素環化合物を主成分とす
る防錆剤層及びパーフルオロアルキルカルボン酸エステ
ルを含有する潤滑剤層をこの順に被着したことを特徴と
する磁気記録媒体。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61014167A JPS62172526A (ja) | 1986-01-25 | 1986-01-25 | 磁気記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61014167A JPS62172526A (ja) | 1986-01-25 | 1986-01-25 | 磁気記録媒体 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62172526A true JPS62172526A (ja) | 1987-07-29 |
Family
ID=11853583
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61014167A Pending JPS62172526A (ja) | 1986-01-25 | 1986-01-25 | 磁気記録媒体 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62172526A (ja) |
-
1986
- 1986-01-25 JP JP61014167A patent/JPS62172526A/ja active Pending
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