JPS6371921A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空７着やスパッタリング等の真空薄膜形成
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を
磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁
気記録媒体に関するものである。

〔発明の概要〕

本発明は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を磁性層と
して形成してなる磁気記１．ｐ媒体において、磁性層で
ある強磁性金属藩膜上にパーフルオロ安息香酸エステル
を被着し、 あらゆる使用条件下においても優れた走行性。

耐摩耗性、耐久性を発揮する（■気記録媒体を提供しよ
うとするものである。

〔従来の技術〕

従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にＴ　
　Ｆ　ｅ　２０　ｆｆ＋　Ｃｏを含有するＩ　　Ｆ８ｚ
Ｏｓ＋Ｆｃ　３０　ａｓ　Ｃ’を含有するＦｅ３Ｏ４＋
　ｒ　−Ｆ　ｅ　２０２とＦＱｚＯｎとのへルトライド
化合物、Ｃｏを含有するベルトライド化合物、ＣｒＯ２
等の酸化物強磁性粉末あるいはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等を主
成分とする合金磁性粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル
−酢酸ビニル系共重合体、ポリエステル樹脂、ポリウレ
タン樹脂等の有機バインダー中に分散せしめた磁性塗料
を塗布・乾燥することにより作製される塗布型の磁気記
録媒体が広く使用されている。

これに対して、高密度磁気記録への要求の高まりととも
に、Ｇｏ−Ｎｉ合金等の強磁性金屈材料を、メッキや真
空′ｉｉｊ膜形成技術（真空薄着法やスパッタリング法
、イオンブレーティング法等）によってポリエステルフ
ィルムやポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接
被着した、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が
提案され、注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁
気記録媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電
磁変換特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを）重
めで薄くすることが可能であるため記録減磁や再生時の
厚み損失が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材であ
る有機バインダーを混入する必要がないため磁性材料の
充填密度を高めることができること等、数々の利点を有
し°ζいる。

しかしながら、上述の強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体
では、磁性層表面の平滑性が極めて良好であるために実
質的な接触面積が大きくなり、凝着現象（いわゆるはり
つき）が起こり易くなったり摩擦係数が大きくなる等、
耐久性や走行性等に欠点が多く、その改善が大きな課題
となっている。

一般に、磁気記録媒体は磁気信号の記録・再生の過程で
磁気ヘッドとの高速相対運動のもとにおかれ、その際走
行が円滑に、かつ安定な状態で行われなければならない
、また、（り１気へ、ドとの接触による摩耗や損傷はな
るべく少ないほうがよい。

そこで例えば、上記磁気記録媒体の磁性層、すなわち強
磁性金属′ｇｉ膜表面に潤滑剤を塗布して保護膜を形成
することにより、上記耐久性や走行性を改善することが
試みられている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、上述のように潤滑剤を塗布して保護膜を形成
した場合には、この保護膜が磁性層である強磁性金属薄
膜に対して良好な密着性を示し、かつ高い潤滑効果を発
揮することが要求される。

また、これら密着性や潤滑効果は、熱帯、亜熱帯地方等
のように高温多湿の条件下でも、寒冷地のように低温の
条件下でも優れたものでなシナればならない。

しかしながら、従来広く用いられている潤滑剤の使用温
度範囲は限られており、特に、Ｏ〜−５℃のような低温
下では固体化または凍結するものが多く、充分にその潤
滑効果を発揮させることができなかった。

そこで本発明は、如何なる使用条件下においても密着性
や潤滑性が保たれ、かつ長期に亘り潤滑効果が持続する
潤滑剤を提供し、走行性、耐久性に優れた磁気記録媒体
を提供することを目的とする。

［問題点を解決するための手段〕 本発明者は、上述の目的を達成せんものと鋭意研究の結
果、パーフルオロ安、口、香酸エステルが広い温度範囲
に亘って良好な、Ｉ１１滑効果を発揮することを見出し
本発明を完成するに至ったものであって、第１図に示す
ように、非Ｅｉｌ性支持体（１）上に強磁性金属薄膜（
２）を形成し、上記強磁性金属薄膜（２）にパーフルオ
ロ安息香酸エステルを主成分とする潤滑剤層（３）を被
着したことを特徴とするものである。

本発明で潤滑剤として使用されるパーフルオロ安息香酸
エステルには、い）パーフルオロ安息香酸エステル、（
ｉｉ）パーフルオロ安息香酸パーフルオロアルキルエス
テルがあり、各々次に示す一最式で表される。

（暑パーフルオロ安息香酸エステル （但し、式中Ｒは炭化水素基であり飽和、不飽和。

直鎖状または分岐状のいずれでもよい。）（１１）パー
フルオロ安息香酸パーフルオロアルキルエステル （但し、式中ｎは４以上の整数を表し、ｍは０≦ｍ≦５
である。）で表される化合物である。

上記（ｉ）パーフルオロ安息香酸エステル及び（ｉｉ　
）　パーフルオロ安息香酸パーフルオロアルキルエステ
ルは、市販のパーフルオロ安息香酸クロリドとアルコー
ルあるいはパーフルオロアルコールを塩基を触媒として
反応させることによって容易に合成することができる。

ここで、上記一般式（ｉ）パーフルオロ安息香酸エステ
ルにおいて、エステルのＲは炭化水素基であればよく、
飽和、不飽和、直鎖状または分枝状のいずれでもよい。

また、上記一般式（１１）パーフルオロ安息香酸パーフ
ルオロアルキルエステルにおいて、パーフルオロ基の炭
素数ｎは４以上の整数であることが望ましく、パーフル
オロ基の炭素数が４未満の場合には所定の潤滑効果を期
待することができない。

一方、アルキル基の個数ｍはＯ≦ｍ≦５であることが望
ましい。伜の範囲をはずれると所定の′１８滑効果を期
待することができない。

上述のようにして合成されるパーフルオロ安息香酸エス
テルは、単独で潤滑剤として用いてもよいが、従来公知
の潤滑剤と混合して用い、さらに使用温度帯域の拡大を
図るようにしてもよい。

使用される潤滑剤としては、脂肪酸またはその金属塩、
脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコールまた
はそのアルコキシド、脂肪族アミン、多価アルコール、
ソルビタンエステル、マンニノタンエステル、硫黄化脂
肪酸、脂肪族メルカプクン、変性シリコーンオイル、パ
ーフルオロアルキルエチレンオキシド、パーフルオロポ
リエーテル類、高級アルキルスルホン酸またはその金属
塩、パーフルオロアルキルスルホン酸またはそのアンモ
ニウム塩あるいはその金属塩、パーフルオロアルキルカ
ルボン酸またはその金属塩等が例示される。

特に、一般式Ｃ−Ｆ　２−Ｉ　ＣＯＯＲ’　　（但し、
式中Ｉｎは６〜ＩＱの！！数を表し、Ｒ゛　は炭素数１
〜２５の炭化水素基を表す。）で示されるパーフルオロ
アルキルカルボン酸エステルや一般式Ｒ″Ｃ００（ＣＨ
ｚ）＝ＣｈＦｚｋ、＋　（但し、Ｒ”は炭素数１〜２５
の炭化水素基を表し、０≦」≦５、ｋ≧３である。）も
低温特性が良好であることから上記不飽和脂肪酸アミド
と併用するのに好適である。

さらには、より厳しい使用条件に対処し、かつ潤滑効果
を持続するために、上記パーフルオロ安息香酸エステル
中に重量比で３０ニア０〜７０：３０程度の配合比で極
圧剤を併用してもよい。

上記極圧剤は、境界潤滑領域において部分的に金属接触
を生じたとき、これに伴う摩擦熱によって金属面と反応
し、反応生成物被膜を形成することにより摩擦・摩耗防
止作用を行うものであって、リン酸エステル、亜リン酸
エステル又はリン酸エステルアミン塩等のリン系極圧剤
、硫化油脂、モノサルファイド又はポリサルファイド等
のイオウ系極圧剤、ヨウ素化合物、臭素化合物又は塩素
化合物等のハロゲン系極圧剤、チオリン酸塩、チオカル
バミン酸塩又は金属アルキルジチオカルバミン酸塩等の
有殿金屈系撞圧剤、ジアルキルチオリン酸アミン、チオ
フォスフェート又はチオフォスファイト等の複合型極圧
剤等が知られている。

また、上述の潤滑剤、極圧剤の他必要に応して防錆剤を
併用してもよい。

使用可能な防錆剤としては、通常この種の磁気記録媒体
の防錆剤として使用されるものであれば如何なるもので
もよく、例えば二価フェノール。

アルキルフェノールあるいはニトロソフェノール等のフ
ェノール類、純ナフトール又はニトロ、ニトロソ、アミ
ノ、ハロゲノ置換ナフトール等のナフトール類、メチル
キノン３　ビトロキシキノン。

アミノキノン、ニトロキノン又はハロゲノ上ノン等のキ
ノン類、ヘンヅフェノン及びその誘導体であるヒドロキ
シヘンシフエノン、アミノベンゾフェノン等のジアリー
ルケトン、アクリジン、４−キノリツール、キヌレン酸
又はリボフラビン等の窒素原子を含む複素環化合物、ト
コフェロール又はグアノシン等の酸素原子を含む複素環
化合物、スルホラン、スルホレン又はビチオン等の硫黄
原子を含む複素環化合物、チオフェノール、ジチゾン又
はチオオキシン等のメルカプトｘを有する化合物、エン
タチオ酸又はルヘアン酸等のチオカルボン酸またはその
塩、ジアゾスルフィド又はヘンジチアゾリン等のチアゾ
ール系化合物等が挙げられる。上記防錆剤は、潤滑剤と
混合させて用いても良いが、例えば第２図に示すように
、非磁性支持体（１）上に形成した強磁性金属薄膜（２
）の表面に先ず上記防錆剤！（４）を塗布し、しかる後
ＡＩ滑剤層（３）を塗布するというように、２Ｎ以上に
分けて被着すると効果が高い。

これらパーフルオロ安息香酸エステルを含有する潤滑剤
層を強磁性金属薄膜上に付着させる方法としては、上記
潤滑剤を溶媒に）容解して得られた溶液を強磁性金属薄
膜の表面に塗布もしくは噴霧するか、あるいは逆にこの
溶液中に強磁性金属薄膜を漫清し乾燥すればよい。

ここで、その塗布量は、０．５Ｗｇ／ｎ？〜１００■／
ｒ＋（であるのが好ましく、１■／、ｆ〜２０■／イで
あるのがより好ましい。この塗布ヱがあまり少なすぎる
と、摩擦係数の低下、耐摩耗性・耐久性の向上という効
果が顕れず、一方あまり多すぎると、摺動部材と強磁性
金属薄膜との間ではりつき現象が起こり、却って走行性
が悪くなる。

本発明が適用されるｌａ気記録媒体は、非磁性支持体上
に磁性層として強磁性金属薄膜を設けたものであるが、
ここで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレ
フタレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプ
ロピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテ
ート、セルロースダイアセテート、セルロースアセテー
トブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、
ポリ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネー
ト、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック、
アルミニウム合金５チタン合金等の軽金属、アルミナガ
ラス等のセラミックス等が挙げられる。

この非磁性支持体の形態としては、フィルム、シートデ
ィスク、カード、ドラム等のいずれでもよい。

上記非磁性支持体には、その表面に山状突起やしわ状突
起１粒状突起等の突起を１種以上を形成し、表面粗さを
コントロールしてもよい。

上記山状突起は、例えば高分子フィルム製膜時に粒径５
００〜３０００人程度の無機微粒子を内添することによ
り形成され、高分子フィルム表面からの高さは１００〜
１０００人、密度はおよそｌＸｌ０’〜ＩＸＩＱ’個／
龍２とする。山伏突起を形成するために使用される無機
微粒子としては、炭酸カルシウム（ＣａＣＯ，）やシリ
カ、アルミナ等が好適である。

上記しわ状突起は、例えば特定の混合溶媒を用いた樹脂
の希薄溶液を塗布乾燥することにより形成される起伏で
あって、その高さは０．０１〜１０μｍ、好ましくは０
．０３〜０．５μｍ、突起間の最短間隔は０．１〜２０
μｍとする。このしわ状突起を形成するための樹脂とし
ては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレート等の飽和ポリエステル、ポリアミド、ポリスチ
ロール、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリス
ルホン、ポリエーテルスルホン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリビニルブチラール、ポリフェニレ
ンオキサイド、フェノキシ樹脂等の各種樹脂の単体、混
合体または共重合体であり、可溶性溶剤を有するものが
適している。そして、これらの樹脂をその良溶媒に溶解
仕しめた樹脂濃度１〜１０００１０００ｐｐ溶液に、そ
の樹脂の貧溶媒であって前記良溶媒より高い沸点を有す
る溶媒を樹脂に対して１０〜１００倍量添加した溶液を
、高分子フィルムの表面に塗布・乾燥することにより、
非常に微細なしわ状凹凸を有する薄層を得ることができ
る。

粒状突起は、アクリル樹脂等のを機紐微粒子またはシリ
カ、金属粉等の無機微粒子をＦｉｌ状あるいは半球状に
付着させることにより形成される。この粒状突起の高さ
は、５０〜５００人、密度は１×１０６〜５０Ｘ１０６
個／謄膳２程度とする。

これら突起の少なくとも一種以上を形成すれば磁性層で
ある強磁性金属薄膜の表面性が制御されるが、２種以上
を組み合わせることにより効果が増し、特に山状突起を
設けたヘースフィルム上にしわ状突起とつぶ状突起を形
成すれば、極めて耐久性、走行性が改善される。

この場合、突起の全体としての高さは、１００〜２００
０人の範囲内であることが好ましく、その宝度は１ｍｍ
”当り平均でｌＸｌ０’〜ＩＸＩＱ’（囚であることが
々了ましい。

また、上記磁性層である強磁性金属薄膜は、真空蒸着法
やイオンブレーティング法、スパッタリング法等の真空
薄膜形成技術により連続膜として形成される。

上記真空茎着法は、１０１〜１０−’Ｔｏｒｒの真空下
で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム
加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属（強
（Ｒ性金屈材料）を沈着するというものであり、一般に
高い抗磁力を得るため基板に対して上記強磁性金属材料
を斜めに蒸着する斜方蒸若法が採用される。あるいは、
より高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を
行うものも含まれる。

上記イオンブレーティング法も真空医着法の一種であり
、１０−’〜１０−Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中でＤ
Ｃグロー放電、ＲＦグロー放電を起こして、放電中で上
記強磁性金属材料を蒸発させるというものである。

上記スパッタリング法は、１０−３〜１０−’Ｔｏｒｒ
のアルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を
起こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面の
原子をたたき出すというものであり、グロー放電の方法
により直流２罹、３極スバ、夕法や、高周波スパック法
、またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパ
ッタ法等がある。

このスパッタリング法による場合には、ＣｒやＷ。

■等の下地膜を形成しておいてもよい。

なお、上記いずれの方法においても、基板上にあらかじ
めＢｉ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ。

Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔｌ！等の下地金属層を被着形成し
ておき、基板面に対して垂直方向から成膜することによ
り、磁気異方性の配向かなく面内等方法に優れた磁性層
を形成することができ、例えば磁気ディスクとする場合
には好適である。

このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄膜を形成
する際に、使用される強磁性金属材料としては、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ等の金属の他に、Ｃ。

−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、
Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合
金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合金、ＣｏＮ１−Ｆｓ−Ｂ合金、Ｃ
ｏ−Ｃｒ合金あるいはこれらにＣｒ、Ａｅ等の金属が含
存されたもの等が挙げられる。特に、Ｃ０−（ｒ合金を
使用した場合には、垂直磁化膜が形成される。

このような手法により形成される磁性層の膜厚は、０．
０４〜１μｍ程度である。

また、第３図に示すように、非磁性支持体（１）上の強
磁性金属薄膜（２）及び潤滑剤層（３）が設けられる面
とは反対側に、いわゆるバックコートｑ（５）を形成し
てもよい。ハックコート層は、塩化ビニル−酢酸ビニル
、フェノール樹脂又はポリフッ化ビニル並びにポリウレ
タン樹脂又はブタジェン系共重合体等の結合剤樹脂と３
π電性を付与するためのカーボン系微粉末又は表面粗度
のコントロール及び耐久性向上のために添加される無機
顔料等の粉末成分とをアセトン、メチルエチルケトン又
はベンゼン等の有Ｆｔｉ＝媒に混合分１１シさせたハッ
クコート用塗料を非磁性支持体面に像布することにより
形成される。

前述のバンクコート層には；ｒｌｌ滑剤を使用してもよ
い。この場合、上記バックコート府中に潤滑剤を内添す
る方法、あるいはバックコート層上に潤滑剤を被着する
方法がある。いずれにしても、上記潤滑剤としては、脂
肪酸、脂肪酸エステル、脂肪Ｈアミド、全屈石鹸、脂肪
族アルコール、パラフィン、シリコーン等従来より周知
の潤滑剤が使用できる。

〔作用〕

パーフルオロ安息香酸エステルを強磁性金属薄膜に被着
することにより良好な潤滑作用を発１軍して摩擦係数を
低減する。

特に、パーフルオロ安息香酸エステルは、低温下におい
ても良好な潤滑効果を発揮する。

〔実施例〕

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明はこれら実施例に回定されるものではない。

パーフルオロ安息香酸エステルを用いて強磁性金属薄膜
型の磁気記録媒体を作製した。

実施例１゜ １４μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに斜
め蒸着法によりＣＯを被着させ、膜７１０００人の強磁
性金属薄膜を形成した。

次に、この強磁性金属薄膜表面に、バーフルオｏ安息香
（１リルニルエステル をフレオン溶液に溶解したものを、塗布量が５■／ｄと
なるように塗布し、１／２インチ幅に裁断してサンプル
テープを作製した。

実施例２ １４μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに斜
め蒸着法によりＣＯを被着させ、１１９ｆｆ１０００人
の強磁性金属薄膜を形成した。

次に、この強磁性金属薄膜表面に、パーフルオロ安息香
酸リノールエステル をフレオン溶液に溶解したものを、塗布量が５■／ｃｄ
となるように塗布し、１／２インチ幅に裁断してサンプ
ルテープを作製した。

実施例３ １４μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに斜
め蒸着法によりＣＯを被着させ、膜厚１０００人の強磁
性金属薄膜を形成した。

次に、この強磁性金属薄膜表面に、パーフルオロ安、ワ
、香酸ステアリルエステル をフレオン溶液に）６解したものを、惨布量力く５■／
腎となるように塗布し、１／２インチ幅に裁断してサン
プルテープを作製した。

実施例４ １４μｍ厚のポリエチレンテレフタレートフィルムに斜
め薄着法によりＣｏを被着させ、膜厚１０００人の強磁
性金属薄膜を形成した。

次に、この強磁性金属薄膜表面に、パーフルオロ安息香
酸イソステアリルエステル をフレオン溶液に溶解したものを、■布量が５■／　ｌ
となるように塗布し、１／２インチ幅に裁断してサンプ
ルテープを作製した。

実施例５ １４μｍｑのポリエチレンテレフタレートフィルムに斜
め蒸着法によりＣＯを被着させ、膜厚１０００人の強磁
性金Ｉ？Ｘ’ｉ’４膜を形成した。

次に、この強磁性金属薄膜表面に、パーフルオロ安、′
ｐ！、香酸ペンタデカフルオロオクチルエステルをフレ
オン溶液に溶解したものを、塗布量が５■／ｍ′となる
ように塗布し、１／２インチ幅に裁断してサンプルテー
プを作製した。

実施例６ １４μｍｙＪ−のポリエチレンテレフタレートフィルｌ
、に斜め７着法によりＣＯを被着させ、膜厚１０００人
の強磁１土金属薄膜を形成した。

次に、この強（Ｈ性金属７；す膜表面に、パーフルオロ
安息香酸ノナデカフルオロデシルエステルをフレオン溶
液ｌａに７容解したものを、塗布■が５■／ｄとなるよ
うに塗布し、１／２インチ幅にｔ−Ｈｔｆｆしてサンプ
ルテープを作製した。

実施例７ １４ＩＪｍｆｆのポリエチレンテレフタレートフィルム
に斜め蒸着法によりＣｏを被着させ、孜ｙＸ１００Ｏ人
の強磁性金属薄膜を形成した。

次に、この強磁性金属薄■々表面に、パーフルオロ安、
ワ、香酸トリデカフルオロオクチルエステルをフレオン
）８液に）容解したものを、塗布量力＜５ｍｇ／、（と
なるように塗布し、１／２インチ幅に裁断してサンプル
テープを作製した′。

作製された各サンプルテープについて、温度２５°Ｃ８
相対湿度（ＲＨ）５０％、および−５°Ｃの各条件下で
の動摩擦係数及びシャトル耐久性をＪす定した。この動
摩擦係数は、材質がステンレス（ＳＵＳ　３０４）のガ
イドビンを用い、一定のテンションをかけ５　ｍｍ／ｓ
ｅｃの速度で送り、試験したものである。また、シャト
ル耐久性は、１回につき２分間のシャトル走行を行い、
出力が一３ｄＢ低下までのシャトル回数で評価した。ス
チル耐久性はポーズ状態での出力の一３ｄＢまでの減衰
時間を評価した。なお、比較例として、全く潤滑剤を被
着しないブランクテープについても測定した。

結果を次表に示す。

（以下余白） 上記表から明らかなように、本発明の各実施例の条件下
で動摩擦係数が小さく、走行が掻めて安定しており、ま
た１００回往復走行後もテープ表面の損傷は全く見られ
なかった。また、スチル耐久性も極めて良く、１５０回
シャトル走行を行っても出力の一３ｄＢ低下は見られな
かった。これに対して、潤滑剤層のない比較例のテープ
では、摩擦係数が往復走行回数が多くなるにつれて大と
なり、走行も不安定でテープの摩擦が見られ、耐久性も
悪いものであった。

〔発明の効果〕 以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体の潤滑剤としてパーフ
ルオロ安息香酸エステルを用いているので、如何なる温
度条（′１下においても％）＋摩擦係数を小さくするこ
とができ、走行安定性や耐摩耗性に優れた磁気記録媒体
とすることができる。

４１図面の節ｊｉｔな説明 第１図ｉよ本発明を適用した磁気記録媒体の一構成例を
示す要部拡大断面図、第２図は本発明を適用した磁気記
録媒体の他の構成例を示す要部拡大断面図、第３図は本
発明を通用した磁気記録媒体のごらに他の構成例を示す
要部拡大断面図である。

１・・・非磁性支持体 ２・・・強磁性金属薄膜 ３・・・潤滑剤層 ４・・・防錆剤居 ５・・・バックコート層

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、上記強磁性
   金属薄膜上にパーフルオロ安息香酸エステルを被着した
   ことを特徴とする磁気記録媒体。