JPS6396724A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を
磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁
気記録媒体に関するものである。

（発明の概要〕 本発明は、非磁性支持体上に強磁性金属′ｇｉ膜を磁性
層として形成してなる磁気記録媒体において、磁性層で
ある強磁性金属薄膜上に ＲＣＯＮＨ（ＣＨり−Ｃ，Ｆ！ｎ、１ （但し、式中Ｒは炭化水素基を表し、ｍ、ｎはともに整
数で０≦ｍ≦５＋ｎ≧３である）で示されるアミド誘導
体を被着し、 広範な使用条件下において優れた走行性、耐摩耗性、耐
久性を発揮する磁気記録媒体を提供しようとするもので
ある。

〔従来の技術〕

従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にＴ　
　Ｆ　６１０ｓ＋　ＣＯを含有するγ−Ｆ６ｉ０３＋Ｆ
ｅ、Ｏ，，Ｃｏを含有するＦｅ１Ｏ４，ｙ−ＦａｌＱ３
とＦｅ５Ｏａとのベルトライド化合物、Ｃｏを含有する
ベルトライド化合物、Ｃｒ、Ｏ，等の酸化物強磁性粉末
あるいはＩｒｅ、Ｇｏ、Ｎｉ等を主成分とする合金磁性
粉末等の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重
合体、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機バ
インダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布・乾燥するこ
とにより作製される塗布型の磁気記録媒体が広く使用さ
れている。

これに対して、高密度磁気記録への要求の高まりととも
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金等の強磁性金属材料を、メッキや真
空薄膜形成技術（真空蒸着法やスパッタリング法、イオ
ンブレーティング法等）によってポリエステルフィルム
やポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる強磁性金属Ｆ！膜型の磁気記録媒体が提案
され、注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁気記
録媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変
換特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄
くすることが可能であるため記録減磁や再生時の厚み損
失が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機
バインダーを混入する必要がないため磁性材料の充填密
度を高めることができること等、数々の利点を有してい
る。

しかしながら、上述の強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体
では、磁性層表面の平滑性が極めて良好であるために実
質的な接触面積が大きくなり、凝着現象（いわゆるはり
つき）が起こり易（なったり摩擦係数が大きくなる等、
耐久性や走行性等に欠点が多く、その改善が大きな課題
となっている。

−Ｆｌｕに、磁気記録媒体は信号の記録・再生の過程で
磁気ヘッドとの高速相対運動のもとにおかれ、その際走
行が円滑に、かつ安定な状態で行われなければならない
。また、磁気ヘッドとの接触による摩耗や損傷はなるべ
（少ないほうがよい。

そこで例えば、上記磁気記録媒体の磁性層、すなわち強
磁性金属薄膜表面に潤滑剤を塗布して保護膜を形成する
ことにより、上記耐久性や走行性を改善することが試み
られている。

（発明が解決しようとする問題点〕 ところで、上述のように潤滑剤を塗布して保護膜を形成
した場合、には、この保護膜が磁性層である強磁性金属
薄膜に対して良好な密着性を示し、かつ高い潤滑効果を
発揮することが要求される。

また、これら密着性や潤滑効果は、熱帯、亜熱帯地方等
のように高温多湿の条件下でも、寒冷地のように低温の
条件下でも優れたものでなければならない。

しかしながら、従来広く用いられている潤滑剤の使用温
度範囲は限られており、特に、Ｏ〜−５℃のような低温
下では固体化または凍結するものが多く、充分にその潤
滑効果を発揮させることができなかった。

そこで本発明は、広範な使用条件下において密着性や潤
滑性が保たれ、かつ長期に亘り潤滑効果が持続する潤滑
剤を提供し、走行性、耐久性に優れた磁気記録媒体を提
供することを目的とする。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者は、上述の目的を達成せんものと鋭意研究の結
果、ある種のアミド誘導体が広い温度範囲に亘って良好
な潤滑効果を発揮することを見出し本発明を完成するに
至ったものであって、非磁性支持体上に強磁性金属”１
ｉｉＰＡを形成し、上記強磁性金属薄膜にこのアミド誘
導体を主成分とする潤滑剤層を被着したことを特徴とす
るものである。

すなわち、本発明の磁気記録媒体は、例えば第１図に示
すように、非磁性支持体（１）とその上に被着形成され
る強磁性金属ｍ膜（２）、及びこの強磁性金属薄膜（２
）の表面に塗布されるアミド誘導体を含む潤滑剤Ｎ（３
）とから構成される。

本発明で潤滑剤として使用されるアミド誘導体は、一般
式 ％式％（１） （但し、式中Ｒは炭化水素基を表し、ｍ、ｎはともに整
数で０≦ｍ≦５．ｎ≧３である）で示される化合物であ
る。

上記一般式（りにおいて、アミド誘導体のパーフルオロ
アルキル基の炭素数ｎは３以上の整数であることが望ま
しく、パーフルオロアルキル基の炭素数が３未満の場合
には所定の潤滑効果を期待することができない。また、
メチレン鎖の数ｍは０以上５以下の整数であることが好
ましく、この範囲を越えると所定の潤滑効果を期待する
ことができない。一方、上記炭化水素Ｒは、直鎖または
分枝状のアルキル基であってもよいし、あるいは二重結
合を有する不飽和脂肪族炭化水素基、脂環式の炭化水素
基、さらには芳香環を有するものであってもよい。

上述のアミド誘導体は、相当するカルボン酸クロライド
とパーフルオロアルキルアミンとから容易に合成するこ
とができる。ここで、市販されていないカルボン酸クロ
ライドは、オキサリルクロライドあるいは塩化チオニル
２五塩化リンによってカルボン酸を塩素化合物すること
によって得ることができる。また、パーフルオロアルキ
ルアミンについては、パーフルオロアルカンアミドある
いはパーフルオロニトリルを水素化リチウムアルミニウ
ムによって還元することによって合成することができる
。

カルボン酸クロライドとパーフルオロアルキルアミンと
の反応式を示せば、次のようになる。

ＲＣＯＣＩ　＋　Ｃｎｈ＋＋、＋（ＣＨｚ）＋ｍＮＨア
ー→ＲＣＯＮＨ（Ｃ１ｂ）−Ｃ，Ｆｚ−や。

上述のようにして合成されるアミド誘導体は、単独で潤
滑剤として用いてもよいが、従来公知の潤滑剤と混合し
て用い、さらに使用温度帯域の拡大を図るようにしても
よい。

使用される潤滑剤としては、脂肪酸またはその金属塩、
脂肪酸アミド、脂肪酸エステル、脂肪族アルコールまた
はそのアルコキシド、脂肪族アミン、多価アルコール、
ソルビタンエステル、マンニラタンエステル、硫黄化脂
肪酸、脂肪族メルカプタン、変性シリコーンオイル、パ
ーフルオロアルキルエチレンオキシド、パーフルオロポ
リエーテル類、高級アルキルスルホン酸またはその金属
塩、パーフルオロアルキルスルホン酸またはそのアンモ
ニウム塩あるいはその金属塩、パーフルオロアルキルカ
ルボン酸またはその金属塩等が例示される。

特に、一般式ＣｃＦｚｚ、＋Ｃ０ＯＲ’　　（但し、式
中ｔは６〜１０の整数を表し、Ｒｏは炭素数１〜２５の
炭化水素基を表す。）で示されるパーフルオロアルキル
カルボン酸エステルや一般式Ｒ”ＣＯＯ（ＣＨｔ）ｊｃ
ｂＦｚｍ＊＋　（但し、Ｒ”は炭素数１〜２５の炭化水
素基を表し、０≦ｊ≦５、ｋ≧３である。）も低温特性
が良好であることから上記アミド誘導体と併用するのに
好適である。

さらには、より厳しい使用条件に対処し、かつ潤滑効果
を持続するために、上記アミド誘導体中に重量比で３０
ニア０〜７０１０程度の配合比で極圧剤を併用してもよ
い。

上記極圧剤は、境界潤滑領域において部分的に金属接触
を生じたとき、これに伴う摩擦熱によって金属面と反応
し、反応生成物被膜を形成することにより摩擦・摩耗防
止作用を行うものであって、リン酸エステル、亜リン酸
エステル又はリン酸エステルアミン塩等のリン系極圧剤
、硫化油脂、モノサルファイド又はポリサルファイド等
のイオウ系極圧剤、ヨウ素化合物、臭素化合物又は塩素
化合物等のハロゲン系極圧剤、チオリン酸塩、チオカル
バミン酸塩又は金属アルキルジチオカルバミン酸塩等の
打機金属系極圧剤、ジアルキルチオリン酸アミン、チオ
フォスフェート又はチオフォスファイト等の複合型極圧
剤等が知られている。

また、上述の潤滑剤、極圧剤の他必要に応じて防錆剤を
併用してもよい。

使用可能な防錆剤としては、通常この種の磁気記録媒体
の防錆剤として使用されるものであれば如何なるもので
もよく、例えば二価フェノール。

アルキルフェノールあるいはニトロソフェノール等のフ
ェノール類、純ナフトール又はニトロ、ニトロソ、アミ
ノ、ハロゲノ置換ナフトール等のナフトール類、メチル
キノン、ヒドロキシキノン。

アミノキノン、ニトロキノン又はハロゲノキノン等のキ
ノン類、ベンゾフェノン及びその誘導体であるヒドロキ
シベンゾフェノン、アミノベンゾフェノン等のジアリー
ルケトン、アクリジン、４−キノリツール、キヌレン酸
又はリボフラビン等の窒素原子を含む複素環化合物、ト
コフェロール又はグアノシン等の酸素原子を含む複素環
化合物、スルホラン、スルホレン又はビチオン等の硫黄
原子を含む複素環化合物、チオフェノール、ジチゾン又
はチオオキシン等のメルカプト基を有する化合物、エン
タチオ酸又はルベアン酸等のチオカルボン酸またはその
塩、ジアゾスルフィド又はベンゾチアゾリン等のチアゾ
ール系化合物等が挙げられる。上記防錆剤は、潤滑剤と
混合させて用いても良いが、例えば第２図に示すように
、非磁性支持体（１）上に形成された強磁性金属薄膜（
２）の表面に先ず上記防錆剤層（４）を塗布し、しかる
後潤滑剤層（３）を塗布するというように、２Ｍ以上に
分けて被着すると効果が高い。

これらアミド誘導体を含有する潤滑剤層を強磁性金属薄
膜上に付着させる方法としては、上記潤滑剤を溶媒に溶
解して得られた溶液を強磁性金属薄膜の表面に塗布もし
くは噴霧するか、あるいは逆にこの溶液中に強磁性金属
ｇＪ膜を浸漬し乾燥すればよい。

ここで、その塗布量は、０．５　Ｎ　／　ｒｄ〜１００
■／耐であるのが好ましく、１　ｔｒｙ／ｒｄ　〜２０
ａｔ／ｒｄであるのがより好ましい。この塗布量があま
り少なすぎると、摩擦係数の低下、耐摩耗性・耐久性の
向上という効果が顕れず、一方あまり多すぎると、摺動
部材と強磁性金属薄膜との間ではりつき現象が起こり、
却って走行性が悪くなる。

本発明が通用される磁気記録媒体は、非磁性支持体上に
磁性層として強磁性金属薄膜を設けたものであるが、こ
こで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテー
ト、セルロースダイアセテート、セルロースアセテート
ブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート
、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック、ア
ルミニウム合金、チタン合金等の軽金属、アルミナガラ
ス等のセラミックス等が挙げられる。

この非磁性支持体の形態としては、フィルム、シート、
ディスク、カード、ドラム等のいずれでもよい。

上記非磁性支持体には、その表面に山状突起やしわ状突
起１粒状突起等の突起を１種以上を形成し、表面粗さを
コントロールしてもよい。

上記山伏突起は、例えば高分子フィルム製膜時に粒径５
００〜３０００人程度の無機微粒子を内添することによ
り形成され、高分子フィルム表面からの高さは１００−
１０００人、密度はおよそｌＸｌ０’〜ｌ０ＸＩＯ’個
／龍２とする。山伏突起を形成するために使用される無
機微粒子としては、炭酸カルシウム（ＣａＣＯｓ）やシ
リカ、アルミナ等が好適である。

上記しわ状突起は、例えば特定の混合溶媒を用いた樹脂
の希薄溶液を塗布乾燥することにより形成される起伏で
あって、その高さは０．０１〜１０μｍ、好ましくは０
．０３〜０．５μｍ１突起間の最短間隔は０．１〜２０
μｍとする。このしわ状突起を形成するための樹脂とし
ては、ポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフ
タレート等の飽和ポリエステル、ポリアミド、ポリスチ
ロール、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリス
ルホン、ポリエーテルスルホン、ポリ塩化ビニル、ポリ
塩化ビニリデン、ポリビニルブチラール、ポリフェニレ
ンオキサイド、フェノキシ樹脂等の各種樹脂の単体、混
合体または共重合体であり、可溶性溶剤を有するものが
適している。そして、これらの樹脂をその良溶媒に溶解
せしめた樹脂濃度１〜１１０００ｐｐの溶液に、その樹
脂の貧溶媒であって前記良溶媒より高い沸点を有する溶
媒を樹脂に対して１０〜１００倍量添加した溶液を、高
分子フィルムの表面に塗布・乾燥することにより、非常
に微細なしわ状凹凸を有するｇｔ層を得ることができる
。

粒状突起は、アクリル樹脂等の有機超微粒子またはシリ
カ、金属粉等の無機微粒子を球状あるいは半球状に付着
させることにより形成される。この粒状突起の高さは、
５０〜５００人、密度は１×１０６〜５０Ｘ１０’個／
龍２程度とする。

これら突起の少なくとも一種以上を形成すれば磁性層で
ある強磁性金属薄膜の表面性が制御されるが、２種以上
を組み合わせることにより効果が増し、特に山状突起を
設けたベースフィルム上にしわ状突起とつぶ状突起を形
成すれば、極めて耐久性、走行性が改善される。

この場合、突起の全体としての高さは、１００〜２００
０人の範囲内であることが好ましく、その密度は１１１
！当り平均で１　）＜　１０５〜ｌＸｌ０’個であるこ
とが好ましい。

また、上記磁性層である強磁性金属薄１２は、真空蒸着
法やイオンブレーティング法、スパッタリング法等の真
空薄膜形成技術により連続膜として形成される。

上記真空蒸着法は、１０１〜１０−”Ｔｏｒｒの真空下
で強磁性金属材料を抵抗加熱、高周波加熱、電子ビーム
加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発金属（強
磁性金属材料）を沈着するというものであり、一般に高
い抗磁力を得るため基板に対して上記強磁性金属材料を
斜めに蒸着する斜方蒸着法が採用される。あるいは、よ
り高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記蒸着を行
うものも含まれる。

上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり
、１０−４〜１０−’Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中で
ＤＣグロー放電、ＲＦグロー放電を起こして、放電中で
上記強磁性金属材料を蒸発させるというものである。

上記スパッタリング法は、１０４〜１０”Ｔｏｒｒのア
ルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起こ
し、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面の原子
をたたき出すというものであり、グロー放電の方法によ
り直流２極１３極スパツタ法や、高周波スパッタ法、ま
たはマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパッタ
法等がある。

このスパッタリング法による場合には、ＣｒやＷ。

Ｖ等の下地膜を形成しておいてもよい。

なお、上記いずれの方法においても、基板上にあらかじ
めＢｉ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ。

Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔ１等の下地金属層を被着形成して
おき、基板面に対して垂直方向から成膜することにより
、磁気異方性の配向かなく面内等方法に優れた磁性層を
形成することができ、例えば磁気ディスクとする場合に
は好適である。

このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄膜を形成
する際に、使用される強磁性金属材料としては、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ等の金属の他に、Ｃ０−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｓ−Ｃｏ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎ１−Ｆｅ−Ｂ合金、Ｃｏ−Ｃｒ合金あるい
はこれらにＣｒ、Ａ６等の金属が含有されたもの等が挙
げられる。特に、Ｃｏ−Ｃｒ合金を使用した場合には、
垂直磁化膜が形成される。

このような手法により形成される磁性層の膜厚は、０．
０４〜１μｍ程度である。

また、第３図に示すように、非磁性支持体（１）上の強
磁性金属ＦＩ膜（２）及び潤滑剤層（３）が設けられる
面とは反対側に、いわゆるバックコートＮ（５）を形成
してもよい。バックコート層は、塩化ビニル−酢酸ビニ
ル、フェノール樹脂又はポリフッ化ビニル並びにポリウ
レタン樹脂又はブタジェン系共重合体等の結合剤樹脂と
導電性を付与するためのカーボン系微粉末又は表面粗度
のコントロール及び耐久性向上のために添加される無ａ
頷料等の粉末成分とを７七トン、メチルエチルケトン又
はベンゼン等のを機溶媒に混合分散させたバックコート
用塗料を非磁性支持体面に塗布することにより形成され
る。

前述のバックコート層には潤滑剤を使用してもよい。こ
の場合、上記バックコート層中に潤滑剤を内添する方法
、あるいはバックコート層上に潤滑剤を被着する方法が
ある。いずれにしても、上記潤滑剤としては、脂肪酸、
脂肪酸エステル、脂肪酸アミド、金属石鹸、脂肪族アル
コール、パラフィン、シリコーン等従来より周知の潤滑
剤が使用できる。

〔作用〕

パーフルオロアルキル基を置換基とするＮ−置換アミド
誘導体は、広い温度範囲に亘り良好な潤滑作用を発揮し
、したがってこれを強磁性金属薄膜に被着することによ
り強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体の摩擦係数が大幅に
低減される。

〔実施例〕

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。

実施例１ １４μｍＪ９のポリエチレンテレフタレートフィルムに
斜め薄着法によりＣＯを被着させ、膜厚１０００人の強
磁性金属薄膜を形成した。

次に、この強磁性金属薄膜表面に、Ｎ−ペンタデカフル
オロオクチルリルニルアミド（Ｃ＋ＪｚｑＣＱＮＨＣＩ
ＩｚＣＪ＋ｓ）をフレオンとエタノールの混合溶媒に溶
解したものを、塗布量が５ｍｇ／％となるように塗布し
、１／２インヂ幅に裁断してサンプルテープを作製した
。

実施例２ Ｎ−ペンタデカフルオロオクチルリルニルアミド（Ｃ＋
ｙｔｌｔｑＣＯＮｌｌＣ１ｌｚＣｄｌ＋ｓ）の代わりに
Ｎ−ベンタデカフルオロオクチルリルイルアミド（Ｃｔ
’＋Ｈｚ＋Ｃ０ＮＨＣｔｌｚＣＪ＋　ｓ）を用い、他は
実施例１と同様の方法によりサンプルテープを作製した
。

実施例３ Ｎ−ベンタデカフルオロオクチルリルニルアミド（Ｃ＋
ｔｌｌ□、Ｃ０Ｎ１１ＣＨ武Ｊ＋ｓ）の代わりにＮ−ペ
ンタデカフルオロオクチルオレイルアミド（Ｃ＋Ｊ３３
ＣｏＮＩＩ　ＣＩＩ□Ｃ７Ｌｓ）を用い、他は実施例１
と同様の方法によりサンプルテープを作製した。

実施例４ Ｎ−ベンタデカフルオロオクチルリルニルアミド（ｃ＋
Ｊ□ＣＱＮＩＩＣＩ（ｚｃｙｌｌ　＋　ｓ）の代わりに
Ｎ−ペンタデカフルオロオクチルステアリルアミ）’　
（Ｃ＋ＪｉｓＣＯＮ　ＨＣ＋Ｉ□Ｃ？ｌ１１５）を用い
、他は実施例１と同様の方法によりサンプルテープを作
製した。

実施例５ Ｎ−ペンタデカフルオロオクチルリルニルアミド（Ｃ＋
Ｊｚ＊Ｃ０ＮＩＩＣＨｔＣＪ＋ｓ）の代わりにＮ−ペン
タデカフルオロオクチルイソステアリルアミド（ｉｓ。

−Ｃ＋＆５ＣＯＮＩ（ＣＨｚＣりＨ２，）を用い、他は
実施例１と同様の方法によりサンプルテープを作製した
。

実施例６ Ｎ−ベンタデカフルオロオクチルリルニルアミド（Ｃ＋
Ｊｚ＊Ｃ０ＮＩＩＣ１ｌｚＣｙｌｌ＋ｓ）の代わりにＮ
−ノナデカフルオロデシルベンズアミド 実施例７ Ｎ−ベンクデ力フルオロオクチルリルニルアミド（Ｃ＋
）ＨｚｑＣＯＮＩＩＣＩｌｚＣｔｌｌ＋ｓ）の代わりに
Ｎ−ペンタデカフルオロオクチルシクロヘキサンアミド
作製された各サンプルテープについて、温度２５℃、相
対湿度（ＲＨ）５０％、および−５℃の各条件下での動
摩擦係数及びシャトル耐久性を測定した。この動摩擦係
数は、材質がステンレス（ＳＵＳ３０４）のガイドピン
を用い、一定のテンションをかけ５１１ｍ１ｓｅｃの速
度で送り、試験したものである。また、シャトル耐久性
は、１回につき２分間のシャトル走行を行い、出力が一
３ｄＢ低下までのシャトル回数で評価した。スチル耐久
性はポーズ状態での出力の一３ｄＢまでの減衰時間を評
価した。なお、比較例として、全く潤滑剤を被着しない
ブランクテープについても測定した。

結果を次表に示す。

（以下余白） 上記表から明らかなように、本発明の各実施例の条件下
で動摩擦係数が小さく、走行が極めて安定しており、ま
た１００回往復走行後もテープ表面の損傷は全く見られ
なかった。また、スチル耐久性も極めて良く、１５０回
シャトル走行を行っても出力の一３ｄＢ低下は見られな
かった。これに対して、潤滑剤層のない比較例のテープ
では、摩擦係数が往復走行回数が多くなるにつれて大と
なり、走行も不安定でテープの摩擦が見られ、耐久性も
悪いものであった。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体の潤滑剤としてパーフ
ルオロアルキル基を置換基とするＮ−Ｉ換アミド誘導体
を用いているので、広範な温度条件下においても動摩擦
係数を小さくすることができ、走行安定性や耐摩耗性に
優れた磁気記録媒体とすることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用した磁気記録媒体の一構成例を示
す要部拡大断面図、第２図は本発明を適用した磁気記録
媒体の他の構成例を示す要部拡大断面図、第３図は本発
明を適用した磁気記録媒体のさらに他の構成例を示す要
部拡大断面図である。 １・・・非磁性支持体 ２・・・強磁性金属′ｇｉ膜 ３・・・潤滑剤層 ４・・・防錆剤層 ５・・・バンクコート層

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、上記強磁性
   金属薄膜上に ＲＣＯＮＨ（ＣＨ＿２）＿ｍＣ＿ｎＦ＿２＿ｎ＿＋＿１
   （但し、式中Ｒは炭化水素基を表し、ｍ、ｎはともに整
   数で０≦ｍ≦５、ｎ≧３である） で示されるアミド誘導体を被着したことを特徴とする磁
   気記録媒体。