JPS62177719A - 磁気記録媒体 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、真空蒸着やスパッタリング等の真空薄膜形成
技術等の手法により非磁性支持体上に強磁性金属ＦｊＶ
膜を磁性層として形成した、いわゆる強磁性金属薄膜型
の磁気記録媒体に関するものである。

〔発明の概要〕

本発明は、非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を磁性層と
して形成してなる磁気記録媒体において、磁性層である
強磁性金属薄膜にホウ素系極圧剤を被着し、 長期に亘り潤滑効果が持続され、摩擦係数が小さく、耐
摩耗性や耐久性に優れた強磁性金属薄膜型の磁気記録媒
体を提供しようとするものである。

〔従来の技術〕

従来より磁気記録媒体としては、非磁性支持体上にｒ−
ＦｅｔＯ＊＋Ｃｏを含有するＴ−ＦｅｚＯ＊＋Ｆｅｘ　
Ｏ４１Ｃｏを含有するＦ　ｅｚｏａ、Ｔ　　Ｆｅ２ｏ３
とＦｅ３Ｏ４とのベルトライド化合物、Ｃｏを含有する
ベルトライド化合物、ＣｒＯ□等の酸化物強磁性粉末あ
るいはＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉ等を主成分とする合金磁性粉末
等の粉末磁性材料を塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体
、ポリエステル樹脂、ポリウレタン樹脂等の有機バイン
ダー中に分散せしめた磁性塗料を塗布・乾燥することに
より作製される塗布型の磁気記録媒体が広（使用されて
いる。

これに対して、高密度磁気記録への要求の高まりととも
に、Ｃｏ−Ｎｉ合金等の強磁性金属材料を、メッキや真
空薄膜形成技術（真空蒸着法やスパッタリング法、イオ
ンブレーティング法等）によってポリエステルフィルム
やポリイミドフィルム等の非磁性支持体上に直接被着し
た、いわゆる強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体が提案さ
れ、注目を集めている。この強磁性金属薄膜型磁気記録
媒体は、抗磁力や角形比等に優れ、短波長での電磁変換
特性に優れるばかりでなく、磁性層の厚みを極めて薄く
することが可能であるため記録減磁や再生時の厚み損失
が著しく小さいこと、磁性層中に非磁性材である有機バ
インダーを混入する必要がないため磁性材料の充填密度
を高めることができること等、数々の利点を有している
。

しかしながら、上述の強磁性金属薄膜型の磁気記録媒体
では、磁性層表面の平滑性が極めて良好であるために実
質的な接触面積が大きくなり、凝着現象（いわゆるはり
つき）が起こり易くなったり摩擦係数が大きくなる等、
耐久性や走行性等に欠点が多く、その改善が大きな課題
となっている。

一般に、磁気記録媒体は磁気信号の記録・再生の過程で
磁気ヘットとの高速相対運動のもとにおかれ、その際走
行が円滑に、かつ安定な状態で行われなければならない
。また、るイ１気ヘッドとの接触による摩耗や損傷はな
るべく少ないほうがよい。

そこで例えば、上記磁気記録媒体の磁性層、すなわち強
磁性金属薄膜表面に潤滑剤を塗布して保護膜を形成する
ことにより、上記耐久性や走行性を改善することが試み
られている。

〔発明が解決しようとする問題点〕

ところで、上述のように潤滑剤を塗布して保護膜を形成
した場合には、最初のうちはＦｊ！擦係数が低減して走
行性が良くなるが、上記潤滑剤の強磁性金属薄膜に対す
る付着力がそれほど大きくないので、次第にこの潤滑剤
が磁気ヘッド等で削り取られ〜急激に潤滑効果が低下す
るという問題があった。このため、使用する潤滑剤の一
層の改良が要望されている。

そこで本発明は、長期に亘り潤滑効果が持続され、摩擦
係数が小さく、耐摩耗性や耐久性に優れた強磁性金属薄
膜型の磁気記録媒体を提供することを目的とし、上述の
問題点を解決しようとするものである。

〔問題点を解決するための手段〕

本発明者等は、上述の目的を達成せんものと長期に亘り
鋭意研究の結果、ホウ素原子を分子内に有するホウ素系
極圧剤が潤滑作用を持続させるのに有効であることを見
出し本発明を完成するに至ったものであって、非磁性支
持体上に強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性金属薄膜
上にホウ素系極圧剤を被着したことを特徴とするもので
ある。

本発明において使用されるホウ素系極圧剤は、境界潤滑
領域において部分的に金属接触を生じたとき、これに伴
う摩擦熱によって金属面と反応し、反応生成物皮膜を形
成することにより摩擦防止。

摩耗防止作用を行うものであって、その分子中にホウ素
原子を含有するものである。したがって、このホウ素系
横圧剤においては、金属面と反応する適度な活性を存す
ることが必要であるが、あまり低温で反応するものは金
属面を腐食させ、摩耗を増大させることになるので、使
用条件に応じて適切なホウ素系極圧剤を選択することが
必要である。

上記ホウ素系極圧剤としては、一般式 ８式％（） （式中、Ｒはアルキル基、アルケニル基、アリール基の
何れかを表し、ｎは１〜３の整数を表す。）で示される
ホウ酸エステルが挙げられ、通常は（ＲＯ）　Ｊで表さ
れるホウ酸トリエステルが使用される。具体的に例示す
れば、 ■ホウ酸トリブチル　　　　（ＣＩＩ、（Ｃ１ｌ□）　
ｚｏ）　Ｊ■ホウ酸トリオククデシル（Ｃ１＋　、　（
Ｃ１ｌ□）１Ｔｏ］３Ｂ■ホウ酸トリフエニル　　　（
ＣＪＩｓＯ）Ｊ■ホウ酸トリトリル　　　　（Ｃ１１３
Ｃ６１１４０）　Ｊ■ホウ酸トリエチル　　　　（Ｃ１
ｈＣＩＩ□Ｏ）１ロ■ホウ酸トリメチル　　　　（ＣＩ
Ｉ：ｌｏ）ｉ”■ホウ酸トリプロピル　　　（Ｃ１１３
ＣＩＩ□Ｃ１１□０）ｌ１１１■ホウ酸トリメンチル　
　　（（Ｃｆｈ）ｚｃＩｌｃｔｌｌ＋２０）Ｊ等が挙げ
られる。

これらホウ素系極圧剤を強磁性金ＦＡ　”；”ｊ　ｎり
に被着させる方法としては、上記ホウ素系極圧剤を単独
でフレオン、トルエン１　イソオクタン、ヘキサン等の
溶媒に溶解して得られた溶液を強磁性金属薄膜表面に塗
布、もしくは噴霧するか、あるいは逆にこの溶液中に強
６ｎ性金属薄膜を浸漬し、乾燥すればよいが、通常は油
性剤として作用する潤滑剤に添加し、第１図に示すよう
に、非磁性支持体（１）上の強磁性金属薄膜（２）面に
被着し保ｇｆＪ層（３）を形成するという方法がとられ
る。

ここで、保護層（３）の塗布量としては、０，５〜１０
０ｍｇ／ｎ（であるのが好ましく、１〜２０ｍｇ／ｍ′
であるのがより好ましい。この塗布量があまり少なすぎ
ると、摩擦係数の低下、耐摩耗性・耐久性の向上という
効果が顕れず、一方あまり多すぎると、摺動部材と強磁
性金属薄膜との間ではりつき現象が起こり、却って走行
性が悪くなる。また、上記ホウ素系極圧剤の潤滑剤への
混入量としては、０．１〜３０重量％の範囲であること
が好ましいが、潤滑剤の種類により最適値は若干界なる
。

上記ホウ素系極圧剤と併用される潤滑剤としては、ラウ
リン酸、ミリスチン酸、パルミチン酸。

ステアリン酸、ヘヘン酸、オレ１ン酸、リノール酸、リ
ルン酸等の炭素数が１２以上の脂肪酸またはその金属塩
、カプロン酸アミド、カプリン酸アミド、ラウリン酸ア
ミド、パルミチン酸アミドステアリン酸アミド、ベヘン
酸アミド、オレイン酸アミド、リノール酸アミド、メチ
レンビスステアリン酸アミド、エチレンビスステアリン
酸アミド等の脂肪酸アミド、ステアリン酸エチル、ステ
アリン酸ブチル、ステアリン酸アミル、ステアリン酸モ
ノグリセリド、オレイン酸モノグリセリド等の脂肪酸エ
ステル、セチルアルコール、ステアリルアルコール等の
脂肪族アルコールまたはそのアルコキシド、脂肪族アミ
ン、多価アルコール、ソルビタンエステル、マンニノタ
ンエステル、硫黄化脂肪酸、脂肪族メルカプタン、水素
がアルキル基またはフェニル基で部分置換されたポリシ
ロキサン及びそれらを脂肪酸、脂肪族アルコール。

脂肪酸アミド等で変性した変性シリコーンオイル、ｎ−
ノナデカン、ｎ−トリデカン、ｎ−トコサン等のパラフ
ィン類、パーフルオロアルキルエチレンオキシド、パー
フルオロポリエーテル類、高級アルキルスルホン酸また
はその金属塩、パーフルオロアルキルスルホン酸または
そのアンモニウム塩あるいはその金属塩、パーフルオロ
アルキルカルボン酸またはその金属塩等が例示される。

さらに、潤滑剤としてパーフルオロアルキルカルボン酸
エステルあるいはカルボン酸パーフルオロアルキルエス
テルを併用してもよい。これらパーフルオロアルキルカ
ルボン酸エステル及びカルボン酸パーフルオロアルキル
エステルは、低’＆’ｌｚ件下での潤滑効果が優れてお
り、使用温度帯域の拡大を図ることができる。

また、上記ホウ素系極圧剤は、他の極圧剤、例えばイオ
ウ系極圧剤、リン系極圧剤、ハロゲン系極圧剤、有機金
属系極圧剤、複合型極圧剤等と併用することができる。

具体的に例示すれば、上記リン系極圧剤としては、トリ
ブチルホスフェート、トリオクチルホスフェート、トリ
ー２−エチルへキシルホスフェート、トリラウリルホス
フェート、トリオレイルホスフェート　ジブチルホスフ
ェート　ジオクチルホスフェート、ジー２−エチルへキ
シルホスフェート、ジラウリルホスフェート、ジオレイ
ルホスフェート等のリン酸エステル、トリブチルホスフ
ァイト、トリオクチルホスファイト、トリー２−エチル
へキシルホスファイト、トリラウリルボスファイト　ト
リオレイルホスファイト　ジブチルホスファイト　ジオ
クチルホスファイト　ジー２−エチルへキシルホスファ
イ［・、ジラウリルホスファイト、ジオレイルホスファ
イト等の亜リン酸エステル、ジブチルホスフェートブチ
ルアミン塩。

ジブチルホスフェートオクチルアミン塩、ジブチルホス
フェートステアリルアミン塩、ジオクチルホスフェート
ブチルアミン塩、ジオクチルホスフェートオクチルアミ
ン塩、ジオクチルホスフＪ、　−トラウリルアミン塩、
ジオクチルホスフェートステアリルアミン塩、ジー２−
エチルヘキシルボスフェートブチルアミン塩、ジー２−
エチルへキシルホスフェートオクチルアミン塩、ジー２
−エチルへキシルホスフェートラウリルアミン塩、ジー
２−エチルへキシルホスフェートステアリルアミン塩、
ジラウリルホスフェートブチルアミン塩。

ジラウリルホスフェートオクチルアミン塩、ジラウリル
ホスフェートラウリルアミン塩、ジラウリルホスフェー
トステアリルアミン塩、ジオレイルホスフェートブチル
アミン塩、ジオレイルホスフェートオクチルアミン塩、
ジオレイルホスフェートラウリルアミン塩８　ジオレイ
ルホスフェートステアリルアミン塩等のリン酸エステル
アミン塩が挙げられる。

上記イオウ系極圧剤としては、硫化抹香鯨油、硫黄化ジ
ペンテン等不飽和結合を有する鉱油、油脂や脂肪酸等に
硫黄を加えて加熱することにより製造される硫化油脂類
、二硫化ジベンジル、二硫化ジフヱニル、二硫化ジーｔ
−ブチル、二硫化ジー５ｅｃ−ブチル、二硫化ジ−ｎ−
ブチル、二硫化ジ−ｔ−オクチル、二硫化ジエチル等の
ジサルコアイド類、硫化ベンジル９硫化ジフエニル、硫
化ジビニル、硫化ジメチル、硫化ジエチル、硫化ジ−ｔ
−ブチル、硫化ジー５ｅｅ−ブチル、硫化ジ−ｎ−ブチ
ル等のモノサルファイドｉｎ、三硫化ジメチル、三硫化
ジーＬ−ブチル、ポリ硫化ジー１−ノニル、オレフィン
ポリサルファイド等のポリサルファイド類、一般式 ％式％（） （但し、式中Ｒは炭化水素基を表す。）で示されるチオ
カーボネート類、元素硫黄等が挙げられる。

上記ハロゲン系極圧剤としては、臭化アリル。

臭化オクタデシル、臭化シクロヘキシル、臭化ステアリ
ル、臭化ベンジル等の臭素化合物、ヨウ化ベンジル、ヨ
ウ化アリル、ヨウ化ブチル、ヨウ化オクタデシル、ヨウ
化シクロヘキシル等のヨウ素（１，）［、ヘキサクロロ
エタン、モノクロルエタン。

塩素化パラフィン、塩素化ジフェニル、塩素化油脂、メ
チルトリクロロステアレートペンタクロロペンタジェン
酸、ヘキサクロルナフテン酸化合物のエステル、ヘキサ
クロルナフテン酸化合物のイミド誘導体等の塩素化合物
が挙げられる。

上記有機金属系極圧剤としては、ジイソブチルジチオリ
ン酸亜鉛、イソブチルペンチルジチオリン酸亜鉛、イソ
プロピル−１−メチルブチルジチオリン酸、イソブチル
ノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、イソプチルヘブチル
フヱニルジチオリン酸、ジヘプチルフェニルジチオリン
酸、ジノニルフェニルジチオリン酸亜鉛、モリブデンジ
チオフォスフェート等のチオリン酸塩類、ジメチルジチ
オカルバミン酸亜鉛、ジエチルジチオカルバミン酸亜鉛
、ジブチルジチオカルバミン酸亜鉛、エチルフェニルジ
チオカルバミン酸亜鉛、ジベンジルジチオカルバミン酸
亜鉛、ジメチルジチオカルバミン酸亜鉛、ジメチルジチ
オカルバミン酸銅、ジメチルジチオカルバミン酸鉄、ジ
エチルジチオカルバミン酸セレン、ジエチルジチオカル
バミン酸銀等のチオカルバミン酸塩類、モリブデン、ア
ンチモン等の金属アルキルジチオカルバミン酸塩類、等
が挙げられる。

複合型極圧剤としては、ジー２−エチルへキシルチオリ
ン酸アミン等のジアルキルチオリン酸アミン類、塩化プ
ロピルホスフェート、臭化プロピルホスフェート、ヨウ
化プロピルホスフェート。

塩化ブチルホスフェート、臭化ブチルホスフェート、ヨ
ウ化ブチルホスフェート等に代表されるハロゲン化アル
キルのリン酸エステル類、クロロナフサザンテート等の
他、−Ｃ式 （但し、各一般式中Ｒは水素原子またはアルキル基、ア
ルケニル基、アリール基を表す。）で示されるチオフォ
スフェート類、−ａ式ＳＲ （但し、式中Ｒは水素原子またはアルキル基、アルケニ
ル基、アリール基を表す。） で示されるチオフォスフアイｌ−１ｆｆ等が効果が高い
。

あるいは、上述の潤滑剤、極圧剤の他、必要に応じて防
錆剤を併用してもよい。

−Ｃに、強磁性金属薄膜（２）は金属材料により形成さ
れることがら錆易く、上記防錆剤の使用により耐蝕性が
大幅に改善される。したがって、上記ホウ素系極圧剤を
含有する保護層（３）の有する潤滑作用と相俟って、磁
気記録媒体の耐久性を向上することができる。

使用可能な防錆剤としては、通常この種の磁気記録媒体
の防錆剤として使用されるものであれば如何なるもので
あってもよく、例えばフェノール類、ナフトール類、キ
ノン類、ジアリールケトン、窒素原子を含む複素環化合
物、酸素原子を含む複素環化合物、硫黄原子を含む複素
環化合物、メルカプト基を存する化合物、チオカルボン
酸またはその塩、チアゾール系化合物等が挙げられる。

具体的に例示すれば次の通りである。

先ず、上記フェノール類としては、二価フェノール、ア
ルキルフェノールあるいはニトロソフェノールが挙げら
れる。

上記二価フェノールとしては、ハイドロキノン。

レゾルシン、カテコール等の純フェノール類、及びそれ
らのアルキルアミノ１　ニトロ、ハロゲノ置換体、例え
ば、２−メチルハイドロキノン、４−メチルレゾルシノ
ール、５−メチルレゾルシノール、４−メチルピロカテ
コール、２．５−ジメチルハイドロキノン、４．６−ジ
メチルレゾルシノール。

２．５−ジメチルレゾルシノール、２−イソプロピル−
５−メチルハイドロキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルハイ
ドロキノン、２．５−ジーｔｅｒＬ−ブチルハイドロキ
ノン、　　４−ｔｅｒｔ−ブチルカテコール、２−アミ
ルゾルシノール、２−レゾルシノール５２゜５−ジクロ
ロヒドロキノン等が挙げられる。　上記アルキルフェノ
ールとは、−価フエノールのアルキル置換体を指し、例
えば、０−クレゾール。

ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、〇−エチルフェノー
ル、ｍ−エチルフェノール、ｐ−エチルフェノール、２
．３−ジメチルフェノール、２，５−ジメチルフェノー
ル、２，６−ジメチルフェノール。

３．４−ジメチルフェノール、３．５−ジメチルフェノ
ール、　　２，４．６−トリメチルフェノール、　　２
，４．５−トリメチルフェノール、５−イソプロピル−
２＝メチルフエノール、ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノー
ル、２，６−シーｔｅｒｔ−ブチル−ｐ−クレゾール。

４．４′−メチレンビス２，６−シーｔｅｒｔ−ブチル
フェノール、２．６−シメチルー４−ｔｅｒｔ−ブチル
フェノール、　　２，４．６−トリーｔｅｒｔ−ブチル
フェノール等が挙げられる。

上記ニトロソフェノールとしては、例えば、４−ニトロ
ソ−２−メトキシ−１−フェノール、４−ニトロソ−２
−エトキシ−１−フェノール、６−ニトロソ−０−クレ
ゾール、４−ニトロソ−ｍ−クレゾール、０−ニトロソ
フェノール、２−ニトロソフェノール、２−ニトロソレ
ゾルシン、４−ニトロソレゾルシン、ｐ−ニトロソフェ
ノール等が挙げられる。

次に、上記ナフトール類としては、α−ナフトール、β
−ナフトール、１．２−ナフタレンジオール。

１．３−ナフタレンジオール、ｌ、４−ナフタレンジオ
ール、１．５−ナフタレンジオール、１．７−ナフタレ
ンジオール、１．８−ナフタレンジオール、２，３−ナ
フタレンジオール、　１．４．５−ナフタレントリオー
ル、　Ｌ２゜５．８−ナフタレンテトラオール等の純ナ
フトール類、及びニドａ、ニトロソ、アミノ、ハコゲラ
置換ナフトール類、例えば１−クロロ−２−ナフトール
、２゜４−ジクロロ−１−ナフト−ル、■−二ヒトロー
２−ナフトールｌ、６−シニトロー２−ナフトール、１
−ニトロソ−２−ナフトール、２−ニトロソ−１−ナフ
トール、ｌ−アミノ−２−ナフトール等が挙げられる。

上記キノン類としては、ｐ−ヘンゾキノン、０−ベンゾ
キノン、１．２−ナフトキノン、１．４−ナフトキノン
。２．６−ナフドキノン、アントラキノン、９゜ＩＯ−
フェナントレンキノン、ジフェノキノン等の置換基のな
いキノン類、メチル−ｐ−ヘンゾキノン、２．３−ジメ
チルーｐ−ヘンゾキノン、２−メチル−１，４−ナフト
キノン、２−メチルアントラキノン等のメチルキノン類
、２．５−ジヒドロキシ−ｐ−ベンゾキノン、テ！・ラ
ヒトロキシーρ−ヘンゾキノン、５−ヒドロキシ−１，
４−ナフトキノン、２．３−ジヒドロキシ−１，４−ナ
フトキノン、５，８−ジヒドロキシ−１，４−ナフトキ
ノン、２−ヒドロキシアントラキノン５１゜２−ジヒド
ロキシアントラキノン、　１，２．３−）ジヒドロキシ
アントラキノン、　１．２．４−　トリヒドロキシアン
トラキノン、　１，２．５−１−ジヒドロキシアントラ
キノン、　１．２．６−トリヒドロキシアントラキノン
、１゜２．７−　トリヒドロキシアントラキノン等のヒ
ドロキシキノン類、２−アミノアントラキノン、１．２
−ジアミノアントラキノン等のアミノキノン類、ｌ−ニ
トロアントラキノン、１．５−ジニトロアントラキノン
等のニトロキノン類、２．６−ジクロロ−ｐ−ベンゾキ
ノン、テトラクロロ−ｐ−ヘンゾキノン、テトラブロモ
ーｐ−ベンゾキノン等のハロゲノキノン類、あるいは２
種以上の置換基を有するキノン類、例えば２．５−ジク
ロロ−３，６−ジヒドロキシ−ｐ−ベンゾキノン、１−
メチル−２−ヒドロ−１−シー１．４−ナフトキノン等
が挙げられる。

上記ジアリールケトンとしては、ベンゾフェノン及びそ
の誘導体が挙げられ、例えばベンゾフェノン、４−メチ
ルベンゾフェノン、３−メチルヘンシフエノン、３．４
−ジメチルベンゾフェノン、４゜４°−ジメチルベンゾ
フェノン、　３．４’−ジメチルベンゾフェノン、４−
エチルベンゾフェノン等のアルキル置換体、４−ヒドロ
キシベンゾフェノン、４．４°−ジヒドロキシヘンシフ
エノン、　２，３．４−トリヒドロキシベンゾフェノン
、２．４−ジヒドロキシベンゾフェノン、２，２°、５
，６°−テトラヒドロキシヘンシフエノン、２，３°、
４．４“、６−ペンタヒドロキシベンゾフェノン等のヒ
ドロキシベンゾフェノン類、４−アミノベンゾフェノン
、　４．４’−ジアミノヘンシフエノン等のアミノベン
ゾフェノン類、あるいは２種以上の置換基を有するヘン
シフエノン類、例えば４−メトキシ−２−ヒドロキシヘ
ンシフエノン、　２．２’−ジヒドロキシ−４−メトキ
シベンゾフェノン等が挙げられる。

上記窒素原子を含む複素環化合物としては、アクリジン
、２．２′、２″−テルピリジルネオクプロイン、２．
２°−ジピリジルヘンシトリアゾール、５−メチルベン
ゾトリアゾール、バソフェナンドロリン、１．１０−フ
ェナントロリン、アルデヒドコリジン、ヘンシルピリジ
ン、フェニルピリジン、キナゾリン、２−ヘプタデシル
イミダゾール等の他、フェノール性水酸基を有する化合
物、例えば４−（２−ピリジルアゾ）−レゾルシン１−
（２−ピリジルアゾ）−２−ナフトール、４−キノリツ
ール、４−メチル−２−キノリツール、８−キノリツー
ル、キノリンジオール等、カルボキシル基を有する化合
物、例えばキヌレン酸、アクリジン酸、アトファン、キ
ルナジン酸、シンコニン酸、イソニコチン酸、　２＋５
−ピリジンジカルボン酸、キニン酸等、アミノ基又はイ
ミノ基を有する化合物、例えば２−アミノベンズイミダ
ゾール、５−アミノ−Ｉ　Ｈ−テトラゾール。

５−アミノ−１１（−１，２，４−トリアゾール、アデ
ニン、グアニン、ルミノール、２−ヒドラジノキノリン
、チアミン等、カルボニル基を有する化合物、例えばリ
ボフラビン、テオプロミン、アラントイン、アロキサン
、２−チオバルビッール酸、ビオルル酸、イサチン、ヒ
ダントイン５　チミン、バルビッール酸、オロチン酸、
ウラシル、スクシンイミド、タレアチニン、２−ピロリ
ドン等が挙げられる。

上記酸素原子を含む複素環化合物としては、トコフェロ
ール、モリン、ケルセチン、アスコルビン酸、無水１．
８−ナフタル酸、レゾルフィン、コウジ酸、デヒドロ酢
酸、オキサゾール、３−アミノフタルイミド、４−アミ
ノフタルイミド、ウリジン、チミジン、グアノシン、無
水イサト酸等が／ＩＳげられる。

上記硫黄原子を含む複素環化合物としては、スルホラン
、３−ヒドロキシスルホラン、３−メチルスルホラン、
スルホレン、３−ヒドロキシスルホレン、３−メチルス
ルホレン、ローダニン、３−アミノローダニン、チアゾ
リン−４−カルボン酸、４Ｈ−１，４−チアジン、ビオ
チン、３．６−チオキサンチンジアミン、３，６−チオ
キサンテンジアミンー１０．１０−ジオキシド等が挙げ
られる。

上記メルカプト基を有する化合物としては、２−ヘンゾ
オキサゾールチオール、チオフェノール。

チオサリチル酸、プロパンチオール、チオウラシル、２
．３−キノキサリンジチオール、ジチゾン、チオオキシ
ン、２−ベンズイミダゾールチオール。

６−チオグアニン、５−ニトロ−２−ベンズイミダゾー
ルチオール、５−アミノ−１，３，４−チアゾール−２
−チオール等が挙げられる。

上記チオカルボン酸またはその塩としては、ジエチルジ
チオカルバミン酸ナトリウム、エタンチオ酸、ルベアン
酸、チオアセトアミド、エタンジチオ酸等が挙げられる
。

上記チアゾール系化合物としては、ビスムチオール■、
ジアゾスルフィド、アゾスルフイム、■。

３．４−チアジアゾール、ビスムチオール、ビアグチオ
ール。ベンゾチアゾール、２−メチルベンゾチアゾール
、　２−（ｐ−アミノフェニル）−６−メチルベンゾチ
アゾール、２−メルカプトベンゾチアゾール。

ベンゾチアプリン、２−ベンゾチアゾリン、ベンゾチア
ゾロン等が挙げられる。

上記防錆剤は、上記ホウ素系極圧剤等と混合して用いて
もよいが、例えば第２図に示すように、強磁性２ｔＩ′
ｒ４薄膜（２）の表面に先ず上記防錆剤層（４）を塗布
し、しかる後に上記ホウ素系極圧剤を含有する保１ｆ（
３）を塗布するというように、２層以上に分けて被着す
ると効果が高い。

このように２層に分けて塗布する場合には、上記防錆剤
層（４）の塗布■としては、先の保ａｆｆｌＦＵ（３）
と同様、０．５■／ｒ／−１００■／耐であるのが好ま
しく、１■／ｎ（〜２０■／イであるのがより好ましい
。塗布■があまり少なすぎると、耐蝕性改善の効果が不
足し、逆に多過ぎると走行性等に問題が生ずる。

本発明が適用される磁気記録媒体は、非磁性支持体上に
磁性層として強磁性金属薄膜を設けたものであるが、こ
こで非磁性支持体の素材としては、ポリエチレンテレフ
タレート等のポリエステル類、ポリエチレン、ポリプロ
ピレン等のポリオレフィン類、セルローストリアセテー
ト、セルロースダイアセテート、セルロースアセテート
ブチレート等のセルロース誘導体、ポリ塩化ビニル、ポ
リ塩化ビニリデン等のビニル系樹脂、ポリカーボネート
、ポリイミド、ポリアミドイミド等のプラスチック、ア
ルミニウム合金、チタン合金等の軽金属、アルミナガラ
ス等のセラミ７クス等が挙げられる。

この非磁性支持体の形態としては、フィルム、シート、
ディスク、カード、ドラム等のいずれでもよい。

上記非磁性支持体には、その表面に山状突起やしわ状突
起１粒状突起等の突起を１種以上を形成し、表面粗さを
コントロールしてもよい。

上記山伏突起は、例えば高分子フィルム製膜時に粒径５
００〜３０００人程度の無機微粒子を内添することによ
り形成され、高分子フィルム表面からの高さは１００〜
１０００人、密度はおよそＩ　Ｘ　１０’〜１Ｏｘｌｏ
’個／龍２とする。山伏突起を形成するために使用され
る無１ａ　？＆粒子としては、炭酸カルシウム（ＣａＣ
Ｏｚ）やシリカ、アルミナ等が好適である。

上記しわ状突起は、例えば特定の混合溶媒を用いた樹脂
の希薄溶液を塗布乾燥することにより形成される起伏で
あって、その高さはｏ、ｏｉ−ｉ。

μｍ、好ましくは０．０３〜０．５μｍ、突起間の最短
間隔は０．１〜２０μｍとする。このしわ状突起を形成
するための樹脂としては、ポリエチレンテレフクレート
、ポリエチレンナフタレート等の会包和ポリエステル、
ポリアミド、ポリスチロール、ポリカーボネート、ポリ
アクリレート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、
ポリ塩化ビニル、ポリ塩化ビニリデン、ポリビニルブチ
ラール、ポリフェニレンオキサイド、フェノキシ樹脂等
の各種樹脂の単体、混合体または共重合体であり、可溶
性溶剤を有するものが適している。そして、これらの樹
脂をその良溶媒に溶解せしめた樹脂濃度１〜１１０００
ｐｐの溶液に、その樹脂の貧）８媒であって前記良溶媒
より高い沸点を有する溶媒を樹脂に対して１０〜ｌＯＯ
倍世添加した溶液を、高分子フィルムの表面に塗布・乾
燥することにより、非常に微細なしわ状凹凸を存する薄
層を得ることができる。

粒状突起は、アクリル樹脂等の有機超微粒子またはシリ
カ、金属粉等の無ｊａ、Ｖｊｋ粒子をＦｊｐ状あるいは
半球状に付着させることにより形成される。この粒状突
起の高さは、５０〜５００人、密度は１×１０６〜５０
Ｘ１０６個／窮謙２程度とする。

これら突起の少なくとも一種以上を形成すれば磁性層で
ある強磁性金属薄膜の表面性が制御されるが、２種以上
を組み合わせることにより効果が増し、特に山状突起を
設けたベースフィルム上にしわ状突起とつぶ状突起を形
成すれば、極めて耐久性、走行性が改善される。

この場合、突起の全体としての高さは、１００〜２００
０人の範囲内であることが好ましく、その密度はｌｅ＠
”当り平均で１Ｘ１０’−ＩＸＩＯ’個であることが好
ましい。

また、上記磁性層である強磁性金属ｍ膜は、真空蒸着法
やイオンブレーティング法、スパッタリング法等の真空
Ｗｉ膜形成技術により連続膜として形成される。

上記真空蒸着法は、１０−’〜１０−ＩＩＴｏｒｒの真
空下で強磁性金属材料を抵抗５３’ａ熱、高周波加熱、
７Ｓ。

子ビーム加熱等により蒸発させ、ディスク基板上に蒸発
金属（強磁性金属材料）を沈着するというものであり、
一般に高い抗磁力を得るため基板に対して上記強磁性金
属材料を斜めに蒸着する斜方蒸着法が採用される。ある
いは、より高い抗磁力を得るために酸素雰囲気中で上記
蒸着を行うものも含まれる。

上記イオンブレーティング法も真空蒸着法の一種であり
、１０１〜１０−”Ｔｏｒｒの不活性ガス雰囲気中でＤ
Ｃグロー放電、ＲＦグロー放電を起こして、放電中で上
記強磁性金属材料を蒸発させるというものである。

上記スパッタリング法は、１０１〜１０−’Ｔｏｒｒの
アルゴンガスを主成分とする雰囲気中でグロー放電を起
こし、生じたアルゴンガスイオンでターゲット表面の原
子をたたき出すというものであり、グロー放電の方法に
より直流２極、３極スパツタ法や、高周波スパッタ法、
またはマグネトロン放電を利用したマグネトロンスパッ
タ法等がある。

このスパッタリング法による場合には、ＣｒやＷ。

Ｖ等の下地膜を形成しておいてもよい。

なお、上記いずれの方法においても、基板上にあらかじ
めＢｉ、Ｓｂ、Ｐｂ、Ｓｎ、Ｇａ、Ｉｎ。

Ｃｄ、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｔ１等の下地金属層を被着形成して
おき、基板面に対して垂直方向から成膜することにより
、磁気異方性の配向かなく面内等方法に優れた。磁性層
を形成することができ、例えば磁気ディスクとする場合
には好適である。

このような真空薄膜形成技術により金属磁性薄膜を形成
する際に、使用される強磁性金属材料としては、Ｆｅ、
Ｃｏ、Ｎｉ等の金属の他に、Ｃ０−Ｎｉ合金、Ｃｏ−Ｐ
ｔ合金、Ｃｏ−Ｎｉ−Ｐｔ合金、Ｆｅ−Ｃｏ合金、Ｆｅ
−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｎｉ合金、Ｆｅ−Ｃｏ−Ｂ合
金、Ｃｏ−Ｎ１−Ｆｅ−Ｂ合金、’Ｃｏ−Ｃｒ合金ある
いはこれらにＣｒ、Ａｆｆ等の金属が含有されたもの等
が挙げられる。特に、Ｃｏ−Ｃｒ合金を使用した場合に
は、垂直磁化膜が形成される。

形成される磁性層の膜厚は、０．０４〜１μｍ程度であ
る。

また、第３図に示すように、非磁性支持体（１）の前記
磁性層、すなわち強磁性金属薄膜（２）が設けられる面
とは反対側の面に、いわゆるバックコート層（５）を形
成してもよい、バックコート層（５）は、結合剤樹脂と
粉末成分とを有機溶媒に混合分１１シさせたバンクコー
ト用塗料を非磁性支持体（１）面に塗布することにより
形成される。

ここで、バンクコート用塗料に使用される結合剤樹脂と
しては、例えば塩化ビニル−酢酸ビニル系共重合体、塩
化ビニル−塩化ビニリデン共重合体、塩化ビニル−アク
リロニトリル共重合体、アクリル酸エステル−アクリロ
ニトリル共重合体、熱可塑性ボリウレクンエラストマー
、ポリフッ化ビニル、塩化ビニリデン−アクリロニトリ
ル共重合体、ブタジェン−アクリロニトリル共重合体、
ポリアミド樹脂、ポリビニルブチラール、セルロース１
，１％体、ポリエステル樹脂、ポリブタジェン等の合成
ゴム系樹脂、フェノール樹脂、エボキシ樹脂、ポリウレ
タン硬化型樹脂、メラミン樹脂、アルキッド樹脂、シリ
コーン樹脂、アクリル系反応樹脂、エポキシ−ポリアミ
ド樹脂、ニトロセルロース−メラミン樹脂、高分子量ポ
リエステル樹脂とイソシアナートプレポリマーの混合物
、メタクリル酸塩共重合体とジイソシアナートプレポリ
マーの混合物、ポリエステルポリオールとポリイソシア
ナートとの混合物、尿素ホルムアルデヒド樹脂、低分子
量グリコール／高分子■ジオール／トリフェニルメクン
トリイソシアナートの混合物、ポリアミン樹脂及びこれ
らの混合物等が挙げられる。

あるいは、粉末成分の分散性の改善を図るために、親水
性極性基を持った結合剤樹脂を使用してもよい。

具体的には、−３ＯＪ、　　０５ＯＪ、　　Ｃ００Ｍ、
−Ｐ（ＯＭ’）ｉ（式中、Ｍは水素原子またはアルカリ
金属を表し、Ｍｏは水素原子、アルカリ金属または炭化
水素基を表す。）から選ばれた親水性極性基を導入した
ポリウレタン樹脂、ポリエステル樹脂、塩化ビニル−酢
酸ビニル系共重合体、塩化ビニリデン系共重合体、アク
リル酸エステル系共重合体、ブタジェン系共重合体等が
使用可能である。

上記親水性極性基の尋人方法としては、樹脂の種類に応
して種々の方法が考えられるが、例えばポリウレタン樹
脂やポリエステル樹脂に上記親水性極性基を導入するに
は次のような方法によればよい。

＋１１ポリウレタン又はポリエステルの原料である２塩
基酸あるいはポリオール等に前記親水性極性基を予め導
入しておく方法。

（２）末端若しくは側鎖にＯＨ基を残存させておき、こ
のＯＨ基を親水性極性基を持った化合物により変性する
方法。

（２）の方法による場合には、 ＋２１−１ 分子中に親水性極性基とハロゲン（例えば塩素）を含有
する化合物と、原料に多官能のポリオールを用いポリマ
ー鎖の末端若しくは側鎖に０１１基が残存したポリウレ
タン樹脂またはポリエステル樹脂とを、両成分が溶解性
のあるジメチルホルムアミド、ジメチルスルホキシド等
の溶剤に溶解し、ピリジン、ピコリン、トリエチルアミ
ン等のアミン類やエチレンオキサイド、プロピレンオキ
サイド等のエポキシ化合物等の脱塩酸剤の存在下でのＯ
Ｈ基と塩素との脱塩酸反応により親水性極性基を導入す
る方法。

分子中に親水性極性基とＯＨ基とを含有する化合物と、
ポリマー鎖の末端若しくは側鎖にＯＨ基が残存したポリ
ウレタン樹脂またはポリエステル樹脂とを、ジイソシア
ナート化合物を介して反応させる方法。

がある。

また、上記共重合体系結合剤樹脂に親水性極性基を導入
するには、 （３）共重合モノマーとして、親水性極性基及び共重合
可能な二重結合を有する化合物を使用する方法。

（４）共重合モノマーとして、活性水素及び共重合可能
な二重結合を有する化合物を使用し、共重合体の側鎖に
上記活性水素を導入しておき、親水性極性基及び上記活
性水素と反応可能な基を有する化合物により変性する方
法。

（５）共重合モノマーとして、活性水素と反応可能な基
及び共重合可能な二重結合を有する化合物を使用し、共
重合体の側鎖に上記活性水素と反応可能な基を導入して
おき、親水性極性基及び上記活性水素を有する化合物に
より変性する方法。

等が挙げられる。

一方、上記粉末成分としては、導電性を付与するための
カーボン系微粉末（例えば、ファーネスカーボン、チャ
ンネルカーボン、アセチレンカーボン、サーマルカーボ
ン、ランプカーボン等が挙げられるが、なかでもファー
ネスカーボンやサーマルカーボンが好適である。）、無
機顔料（表面粗度のコントロール及び耐久性向上のため
に添加される（ｌ　　Ｆｅ０ＯＩｌ、　ＣＸ　−Ｆｅｚ
Ｏｆｆ＋ＣｒｔＯ＊、Ｔｉ０ｚ、ＺｎＯ，ＳｉＯ。

ＳｉＯ２，ＳｉＯ□・２１１□Ｏ，Ａｈ０３・２ＳｉＯ
ｚ・２１１□０　、３Ｍｇ０・４ＳｉＯｚ　・ＨｚＯ，
ＭｇＣ０＊　・Ｍｇ（０１１）ｚ　・３１１ｚＯ，Ａｌ
２Ｏ３，ＣａＣＯ３゜ＭｇＣ０１，５ｂｚｌｈ等）が挙
げられる。

さらに、上記バンクコート用塗料の有機溶剤としては、
アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケト
ン、シクロヘキサノン等のケトン系溶剤、酢酸メチル５
酢酸エチル、酢酸ブチル。

乳酸エチル、酢Ｍグリコールモノエチルエーテル等のエ
ステル系溶剤、グリコールジメチルエーテル５グリコー
ルモノエチルエーテル１　ジオキサン等のグリコールエ
ーテル系溶剤、ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香
族炭化水素系溶剤、ヘキサン、ヘプタン等の脂肪族炭化
水素系溶剤、メチレンクロライド、エチレンクロライド
、四基化炭゛素、クロロホルム、エチレンクロルヒドリ
ン、ジクロルベンゼン等の塩素化炭化水素系溶剤等、汎
用の？８剤を用いることができる。

前述のバンクコート層（５）には潤滑剤を併用してもよ
い。この場合、上記バックコート層（５）中に潤滑剤を
内添する方法、あるいはバンクコート層（５）上に潤滑
剤を被着する方法がある。いずれにしても、上記潤滑剤
としては、従来より周知の潤滑剤が使用でき、先の保護
層（３）と同様の潤滑剤が使用できる。

〔作用〕

強磁性金属薄膜型磁気記録媒体の磁性層である強磁性金
属薄膜表面にホウ素系極圧剤を付着させることにより、
この強磁性金属薄膜に対する付着性が良好で、摩擦、摩
耗防止作用に優れるとともに、これら摩擦、摩耗防止作
用が長間に亘って持続する保護層が形成される。

〔実施例〕

以下、本発明の具体的な実施例について説明するが、本
発明はこれら実施例に限定されるものではない。

天Ｊ１乳上 厚さ１２μｍのポリエチレンテレフタレートフィルム上
に真空蒸着装置を用いてコバルト（Ｇｏ）を入射角５０
°〜９０°で斜方蒸着し、膜厚約１３００人の強磁性金
属′ｉｉｉ膜を形成した。

次いで、上記強磁性金属薄膜上に、ホウ酸トリオクタデ
シルを１重量％混入したステアリン酸を溶媒で希釈した
溶液を塗布（塗布１２０　ｍｇ／　ｎ（）し、サンプル
テープを作成した。

去施１− ホウ酸トリオクタデシルを１重量％混入したステアリン
酸の代わりにホウ酸トリオクタデシルを１０重量％混入
したステアリン酸を用いた以外は、実施例１と同様の方
法によりサンプルテープを作成した。

実施例３ ホウ酸トリオクタデシルを１重量％混入したステアリン
酸の代わりにホウ酸トリオクタデシルを２０重重景混入
したステアリン酸を用いた以外は、実施例１と同様の方
法によりサンプルテープを作成した。

去施■土 ホウ酸トリオクタデシルを１重量％混入したステアリン
酸の代わりにホウ酸トリフェニルを１０重量％混入した
ステアリン酸を用いた以外は、実施例１と同様の方法に
よりサンプルテープを作成した。

去覇Ｊ　５ ホウ酸トリオクタデシルを１重量％混入したステアリン
酸の代わりにホウ酸トリトリルを１０重量％混入したス
テアリン酸を用いた以外は、実施例１と同様の方法によ
りサンプルテープを作成した。

ス】ｌ汁ｌ ホウ酸トリオクタデシルを１重景％混入したステアリン
酸の代わりにホウ酸トリメンチルをｌＯ重重景混入した
ステアリン酸を用いた以外は、実施例１と同様の方法に
よりサンプルテープを作成した。

止較桝 ホウ酸トリオクタデノルを１重Ｍ％混入したステアリン
酸の代わりにステアリン酸を用いた以外は、実施例１と
同様の方法によりサンプルテープを作成した。

上記の実施例及び比較例により得られた各サンプルテー
プにつき、走行回数と出力低下の関係を調べた。次表に
その結果を示す。

（以下余白） 上記表より、本発明に係る各実施例の磁気記録媒体にあ
っては、走行回数が増加しても出力の低下が少なく、ス
チル耐久性やシャトル耐久性が向上したことがわかった
。

また、上記各実施例においては、擬着摩耗がほとんど生
じなかった。

〔発明の効果〕

以上の説明からも明らかなように、本発明においては、
強磁性金属薄膜にホウ素系極圧剤を被着させているので
、長期に亘り潤滑作用が持続する保護層が形成され、摩
擦係数が小さく耐久性や走行性に優れた強磁性金属薄膜
型の磁気記録媒体を得ることが可能である。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明を適用した磁気記録媒体の一例を示す要
部拡大断面図であり、第２図は本発明の他の例を示す要
部拡大断面図、第３図は本発明のさらに他の例を示す要
部拡大断面図である。 １・・・非磁性支持体 ２・・・強磁性金属薄膜

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 非磁性支持体上に強磁性金属薄膜を形成し、前記強磁性
   金属薄膜上にホウ素系極圧剤を被着したことを特徴とす
   る磁気記録媒体。