JPS6343408A - バイアス電圧発生回路 - Google Patents

バイアス電圧発生回路

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Publication number
JPS6343408A
JPS6343408A JP61187589A JP18758986A JPS6343408A JP S6343408 A JPS6343408 A JP S6343408A JP 61187589 A JP61187589 A JP 61187589A JP 18758986 A JP18758986 A JP 18758986A JP S6343408 A JPS6343408 A JP S6343408A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
voltage
output
bias voltage
power supply
transistor
Prior art date
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Pending
Application number
JP61187589A
Other languages
English (en)
Inventor
Kazuhisa Ishiguro
和久 石黒
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Sanyo Electric Co Ltd
Original Assignee
Sanyo Electric Co Ltd
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Publication date
Application filed by Sanyo Electric Co Ltd filed Critical Sanyo Electric Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (イ)産業上の利用分野 本発明は、バイアス電圧発生回路に関するもので、特に
広い電源電圧範囲で動作し、IC(集積回路)化に適し
たバイアス電圧発生回路に関する。
(ロ)従来の技術 特公昭45−17603号公報に示される如く、トラン
ジスタのベース・エミッタ間電圧V。
の1倍の出力バイアスtEE、を発生することが出来る
バイアス電圧発生回路が公知である。前記バイアス電圧
発生回路は、第2図に示す如く、コレクタが電源(+V
cc)に、ベースが定電流源(1)を介して前記電源(
+VCC)にそれぞれ接続された第1トランジスタ(2
)と、該第1トランジスタ(2)のエミッタとアースと
の間に直列接続された第1及び第2抵抗(3〉及び(4
〉と、コレクタが前記第1トランジスタ(2)のベース
に、エミッタがアースに、ベースが前記第1及び第2抵
抗(3)及び(4)の接続中点にそれぞれ接続された第
2トランジスタ(5)とによって構成されている。
第2図の回路の場合、第2トランジスタ(5)による帰
還作用により、出力端子(6)に得られる出力電圧v0
が R+R ■。=   え、  ■o     ・・・・・・・・
・(1)に固定される。その場合、前記出力電圧V0を
一定に保つことの出来る最小動作sat圧V。(MIN
)は、 V cc(MIN) ” V O+ V BE + V
 ct(5at)・” ”’ ”’ (2)(ただし、
Vcw(sat)は定電流源(1)の最小電圧降下) となるので、電源t JE V c eが前記最小電源
電圧以下に低下する迄、前記出力電圧は一定に保たれる
一般に、増幅回路や復調回路等、バイアス電圧に応じて
ダイナミックレンジが決まる被バイアス回路は、前記ダ
イナミックレンジを広く確保出来る様、そのバイアス電
圧が設定されなければならない。また、前記バイアス電
圧は、電源リップルの影響を受けない様、十分に安定化
されなければならない。
しかして、第2図のバイアス電圧発生回路は、帰還作用
により安定な出力バイアス電圧を発生させることが出来
るので、電源リップルに対して強いという特徴を有する
(ハ)発明が解決しようとする問題点 しかしながら、第2図のバイアス電圧発生回路は、定常
時(十分な電源電圧が印加されている状態)及び減電圧
時(電源電圧の低下時)とも被バイアス回路のダイナミ
ックレンジを確保し得る出力バイアス電圧を発生させる
ことが困難であった。すなわち、減電圧時の下側信号波
形が歪むのを防止する為、バイアス電圧の値を低めに設
定すると、定常時の下側信号波形が歪む危険が生じ、定
常時の下側信号波形の歪みを防止する為、バイアス電圧
を高めに設定すると、減電圧時の上側信号波形が歪む危
険が生じるという問題があった。
(ニ)問題点を解決するための手段 本発明は、上述の点に鑑み成されたもので、エミッタが
出力端子に接続された出力トランジスタと、該出力トラ
ンジスタのベース電圧を所定値に保つ第1手段と、定′
Wt流源と、該定電流源と前記出力トランジスタのベー
スとの間に接続され、前記定電流源の出力電流に応じた
所定の電圧降下を生じる第2手段とによって構成される
(ホ)作用 本発明に依れば、定常時においては、出力トランジスタ
のエミッタに得られる出力バイアス電圧を、比較的高め
の所定値に維持することが出来る。また、減電圧時にお
いては、電源電圧の低下に応じて、前記出力バイアス電
圧を低下させることが出来る。その為、定常時及び減電
圧時とも広いダイナミックレンジを確保出来る。
(へ)実施例 第1図は、本発明の一実施例を示す回路図で、(7)は
コレクタが電源に、エミッタが抵抗(8)を介してアー
スに接続された出力トランジスタ、(9)及び(10〉
は該出力トランジスタ(7)のベースとアースとの間に
直列接続された第1及び第2抵抗、(11)はベースが
前記第1及び第2抵抗(9)及び(10)の接続中点に
、エミッタがアースに接続された帰還トランジスタ、 
<12)は前記出力トランジスタ(7)のベースと前記
帰還トランジスタ(11)のコレクタとの間に接続きれ
た第3抵抗、(13)は電源と前記帰還トランジスタ(
11)のコレクタとの間に接続された定電流源、及び(
14)は前記出力トランジスタ〈7)のエミッタに接続
きれた出力端子(15)に得られる出力バイアス電圧に
よってバ′イアスされる増幅回路である。
電源電圧vecが十分に高い間、出力端子(15)に得
られる出力バイアス電圧v0は一定値を保ち、増幅回路
(14)は前記バイアス電圧v0に応じて信号源(16
)からの入力信号を増幅する。その際、前記バイアス電
圧V。を高め、例えばVcc/2近傍に設定しておけば
、前記増幅回路(14)のダイナミックレンジを十分広
くすることが出来る。
前記バイアス電圧V。は、 R+R Vo  =            Vm*I  VI
K!    ””・・く3>R8 となり、定常時におイテは、V 、lt+ = V s
tx = V yrtとなるので、 となる。
ところで、を減電圧VCCと出力Trt圧V0との関係
は、次式の如くなる。
Vo=Vcc−Vm**  RsI  Vc*  ・”
・”(5)定常時においては、電源電圧が十分大である
為、第(4)及び第(5)式で示きれる如く、■oの値
が一定値に保たれるが、電源電圧VCCが最小動作電源
電圧Vcc(MIN)以下になると、定電?1fi(1
3)の出力電流が前記電源電圧VCCに応じて減少する
様になる。その為、出力トランジスタ(7)のベース電
圧V、は、 Vm−(Vcc  y、、(sat))R+1R1+ 
R* + Rs ・・・・・・・・・く6) で決まる様になり、出力電圧V。は、 V、−V、−V□、        ・・・・・・・・
・(7〉となるので、前記第(6)及び第(7)式から
、出力電圧V。が電源電圧VCCの低下に応じて低下す
ることが理解される。
従って、第1図のバイアス発生回路を用いれば、最小動
作電源電圧Vcc(MIN)以上の電源1圧においては
、出力バイアス電圧v0を高く保つことが出来、かつ前
記最小動作を源を圧Vcc(MIN)以下の電源電圧に
おいては、電源電圧の低下に応じて出力バイアス電圧V
。を低下させることが出来るので、定常時及び減電圧時
ともダイナミックレンジを十分広くすることが出来る。
尚、最小動作電源電圧Vcc(MIN)は、第3抵抗(
12)の値に応じて自由に設定出来る。
第3図は、本発明の別の実施例を示すもので、出力トラ
ンジスタ(7)のエミッタとアースとの間に第1及び第
2抵抗(17)及び(18)を直列接続し、その接続中
点にベースが接続された帰還トランジスタ(11)のコ
レクタを前記出力トランジスタ(7)のベースに接続し
、定電流源(13)と前記出力トランジスタ(7)のベ
ースとの間に第3及び第4抵抗(19)及び(20)と
トランジスタ(21)とから成る電圧降下手段くη)を
配置したものである。
第3図の場合も、電圧降下手段(η)の電圧降下が所定
値になるので、電源電圧が最ノド動作電圧以下になると
、出力バイアス電圧v0が電源電圧に応じて低下する。
その為、被バイアス回路のダイナミックレンジを十分広
く確保出来る。
(ト)発明の効果 以上述べた如く、本発明に依れば、バイアス電圧発生回
路の出力バイアス電圧を電源電圧が所定値以上のとき一
定に保ち、所定値以下になったとき電源電圧の低下に追
随して低下させることが出来るので、被バイアス回路の
ダイナミックレンジを十分広く確保出来る。また、定常
時の出力バイアス電圧を安定に保つことが出来るので、
を源リップルに強いバイアス電圧発生回路を提供出来る
。更に、本発明に依れば、トランジスタと抵抗とにより
全回路を構成出来るので、IC化に適したバイアス電圧
発生回路を提供出来る。
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例を示す回路図、第2図は従
来のバイアス電圧発生回路を示す回路図、及び第3図は
本発明の別の実施例を示す回路図である。 (7)・・・出力トランジスタ、 (9)、(10)・
・・第1、第2抵抗、(11)・・・帰還トランジスタ
、(12)・・・第3抵抗、 (13)・・・定電流源

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)エミッタが出力端子に接続された出力トランジス
    タと、該出力トランジスタのベース電圧を所定値に保つ
    第1手段と、一端が電源に接続された定電流源と、該定
    電流源と前記出力トランジスタのベースとの間に接続さ
    れ、前記定電流源の出力電流に応じた所定の電圧降下を
    生じる第2手段とから成り、前記出力端子に得られる出
    力バイアス電圧を、電源電圧の低下に応じて低下させる
    様にしたことを特徴とするバイアス電圧発生回路。
JP61187589A 1986-08-09 1986-08-09 バイアス電圧発生回路 Pending JPS6343408A (ja)

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JP61187589A JPS6343408A (ja) 1986-08-09 1986-08-09 バイアス電圧発生回路

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JP61187589A JPS6343408A (ja) 1986-08-09 1986-08-09 バイアス電圧発生回路

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JPS6343408A true JPS6343408A (ja) 1988-02-24

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ID=16208753

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JP61187589A Pending JPS6343408A (ja) 1986-08-09 1986-08-09 バイアス電圧発生回路

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02272810A (ja) * 1989-04-13 1990-11-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5710815A (en) * 1980-06-23 1982-01-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd Biasing circuit

Patent Citations (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
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Cited By (1)

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH02272810A (ja) * 1989-04-13 1990-11-07 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路

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